JP2017041635A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 第１トランジスタ乃至第４トランジスタと、容量素子と、を有し、
   前記第１トランジスタのソースまたはドレインの一方は、第１配線と電気的に接続され、
   前記第１トランジスタのゲートは、前記第１配線と電気的に接続され、
   前記第１トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第２トランジスタのソースまたはドレインの他方は、第２配線と電気的に接続され、
   前記第２トランジスタのゲートは、前記第４トランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第３トランジスタのソースまたはドレインの一方は、第３配線と電気的に接続され、
   前記第３トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第４トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第３トランジスタのゲートは、前記第１トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第４トランジスタのソースまたはドレインの他方は、第４配線と電気的に接続され、
   前記容量素子の一方の電極は、前記第３トランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記容量素子の他方の電極は、前記第３トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続されている半導体装置。
2. 第１トランジスタ乃至第４トランジスタと、容量素子と、を有し、
   前記第１トランジスタ乃至前記第４トランジスタのそれぞれは、第１ゲートおよび第２ゲートを有し、
   前記第１トランジスタの第１ゲートは、第１配線と電気的に接続され、
   前記第１トランジスタの第２ゲートは、前記第１配線と電気的に接続され、
   前記第１トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１配線と電気的に接続され、
   前記第１トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第２トランジスタのソースまたはドレインの他方は、第２配線と電気的に接続され、
   前記第２トランジスタの第１ゲートは、前記第２トランジスタの第２ゲートと電気的に接続され、
   前記第３トランジスタのソースまたはドレインの一方は、第３配線と電気的に接続され、
   前記第３トランジスタの第１ゲートは、前記第１トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第３トランジスタの第２ゲートは、前記第３トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第４トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第３トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第４トランジスタのソースまたはドレインの他方は、第４配線と電気的に接続され、
   前記第４トランジスタの第１ゲートは、前記第４トランジスタの第２ゲートと電気的に接続され、
   前記第２トランジスタの第１ゲートは、前記第４トランジスタの第１ゲートと電気的に接続され、
   前記容量素子の一方の電極は、前記第３トランジスタの第１ゲートと電気的に接続され、
   前記容量素子の他方の電極は、前記第３トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続されている半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記第１トランジスタ乃至前記第４トランジスタのそれぞれが有する前記第１ゲートおよび前記第２ゲートのうち、一方はゲートとして機能し、他方はバックゲートとして機能する半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第１トランジスタ乃至前記第４トランジスタは、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を含む半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第１トランジスタのチャネル長よりも、前記第２トランジスタのチャネル長が短い半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第１トランジスタのチャネル幅よりも、前記第２トランジスタのチャネル幅が長い半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置と、モーター、蓄電装置、高周波加熱装置、または、スピーカと、を有する電子機器。