JP2016136589A5 - 半導体デバイス用基板、半導体デバイス用基板の製造方法 - Google Patents

Description

本願の発明に係る半導体デバイス用基板は、半導体基板と、該半導体基板の裏面に設けられた、赤色光又は赤外光の透過率が該半導体基板より低い透過防止金属と該半導体基板の材料とが混合した反応層と、該反応層の裏面に形成された、該透過防止金属と同じ材料の金属薄膜層と、を備え、該反応層の該透過防止金属の密度は該金属薄膜層との距離が小さくなるほど高くなることを特徴とする。

本願の発明に係る半導体デバイス用基板の製造方法は、半導体基板の裏面に、赤色光又は赤外光の透過率が該半導体基板より低い金属薄膜層を形成する工程と、該半導体基板と該金属薄膜層を加熱して、該金属薄膜層の材料を該半導体基板に拡散させて、該半導体基板の材料と該金属薄膜層の材料が混合した反応層を形成する反応工程と、を備えたことを特徴とする。

Claims (14)

1. 半導体基板と、
   前記半導体基板の裏面に設けられた、赤色光又は赤外光の透過率が前記半導体基板より低い透過防止金属と前記半導体基板の材料とが混合した反応層と、
   前記反応層の裏面に形成された、前記透過防止金属と同じ材料の金属薄膜層と、を備え、前記反応層の前記透過防止金属の密度は前記金属薄膜層との距離が小さくなるほど高くなることを特徴とする半導体デバイス用基板。
2. 前記半導体基板の表面に形成された半導体層と、
   前記半導体層の表面に形成された絶縁膜と、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス用基板。
3. 半導体基板と、
   前記半導体基板の裏面に設けられた、赤色光又は赤外光の透過率が前記半導体基板より低い透過防止金属と前記半導体基板の材料とが混合した反応層と、
   前記反応層の裏面に形成された、前記透過防止金属と同じ材料の金属薄膜層と、
   前記金属薄膜層の裏面に設けられたＳｉＣ、ＨｆＯ_２、ＺｎＯ_２、又は貴金属で形成されたエッチング保護膜と、を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体デバイス用基板。
4. 半導体基板と、
   前記半導体基板の裏面に設けられた、赤色光又は赤外光の透過率が前記半導体基板より低い透過防止金属と前記半導体基板の材料とが混合した反応層と、
   前記反応層の裏面に形成された、前記透過防止金属と同じ材料の金属薄膜層と、
   前記金属薄膜層の裏面に設けられたＷ、Ｃｒ、又はＡｌで形成された追加金属薄膜層と、を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体デバイス用基板。
5. 前記追加金属薄膜層の裏面に、ＳｉＣ、ＨｆＯ_２、ＺｎＯ_２、又は貴金属で形成されたエッチング保護膜を備えたことを特徴とする請求項４に記載の半導体デバイス用基板。
6. 前記金属薄膜層はＮｉを含む合金又はＮｉで形成されたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体デバイス用基板。
7. 前記半導体基板は、ＳｉＣ又はＧａＮで形成されたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体デバイス用基板。
8. 半導体基板の裏面に、赤色光又は赤外光の透過率が前記半導体基板より低い金属薄膜層を形成する工程と、
   前記半導体基板と前記金属薄膜層を加熱して、前記金属薄膜層の材料を前記半導体基板に拡散させて、前記半導体基板の材料と前記金属薄膜層の材料が混合した反応層を形成する反応工程と、を備えたことを特徴とする半導体デバイス用基板の製造方法。
9. 前記反応工程の前に、前記半導体基板の表面に半導体層を形成し、前記半導体層の表面に絶縁膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項８に記載の半導体デバイス用基板の製造方法。
10. 前記金属薄膜層の裏面に、ＳｉＣ、ＨｆＯ_２、ＺｎＯ_２、又は貴金属でエッチング保護膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体デバイス用基板の製造方法。
11. 前記金属薄膜層の裏面に、Ｗ、Ｃｒ、又はＡｌで追加金属薄膜層を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体デバイス用基板の製造方法。
12. 前記追加金属薄膜層の裏面に、ＳｉＣ、ＨｆＯ_２、ＺｎＯ_２、又は貴金属でエッチング保護膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１１に記載の半導体デバイス用基板の製造方法。
13. 前記金属薄膜層はＮｉを含む合金又はＮｉで形成されたことを特徴とする請求項８〜１２のいずれか１項に記載の半導体デバイス用基板の製造方法。
14. 前記半導体基板は、ＳｉＣ又はＧａＮで形成されたことを特徴とする請求項８〜１３のいずれか１項に記載の半導体デバイス用基板の製造方法。