JP2016121037A - スクライブ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ブレイク工程を実行するために十分な深さのクラックをマザー基板に形成することが可能なスクライブ装置を提供する。
【解決手段】スクライブ装置は、マザー基板Ｇにスクライビングホイール３１を押しつけながらスクライビングホイール３１を移動させてマザー基板ＧにスクライブラインＬ１を形成するスクライビングツール３０と、スクライビングツール３０に対してスクライブ方向の下流側に配置され、スクライビングツール３０により形成されたスクライブラインＬ１を開く方向の応力をマザー基板Ｇに付与するクラック浸透ツール５０、６０と、を備える。クラック浸透ツール５０、６０をスクライビングツール３０に後追いさせてスクライビングツール３０により形成されたスクライブラインＬ１のクラックを浸透させる。
【選択図】図１３

Description

本発明は、基板にスクライブラインを形成するスクライブ装置に関する。

従来、ガラス基板等の脆性材料基板の分断は、基板表面にスクライブラインを形成するスクライブ工程と、形成されたスクライブラインに沿って基板表面に所定の力を付加するブレイク工程とによって行われる。スクライブ工程では、スクライビングホイールの刃先が、基板表面に押し付けられながら、所定のラインに沿って移動される。スクライブラインの形成には、スクライブヘッドを備えたスクライブ装置が用いられる。

以下の特許文献１には、マザー基板から液晶パネルを切り出すための方法が記載されている。この方法では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成された基板と、カラーフィルタ（ＣＦ）が形成された基板とをシール材を介して貼り合わせることによって、マザー基板が形成される。このマザー基板が分断されることにより個々の液晶パネルが取得される。シール材は、２つの基板が貼り合わされた状態で液晶注入領域となる空間が残るように配置される。

上記構成のマザー基板を分断する場合には、２つのスクライブヘッドを用いて、マザー基板の両面に、同時にスクライブラインを形成する方法が用いられ得る（たとえば、特許文献２参照）。この場合、２つのスクライブヘッドがマザー基板を挟むように配置される。２つのスクライビングホイールは、マザー基板を平面視したときに同じ位置に位置付けられる。この状態で、２つのスクライビングホイールが同じ方向に同時に移動されて、マザー基板の各面にスクライブラインが形成される。

特開２００６−１３７６４１号公報 特開２０１２−２４０９０２号公報

上記特許文献１にも示されるように、従前のマザー基板には、隣り合う液晶注入領域の間に、シール材が介在しない領域が存在していた。したがって、上記のように２つのスクライブヘッドによってマザー基板の両面に同時にスクライブラインを形成する場合には、シール材が介在しない領域に、スクライブラインを形成することができた。このようにスクライブラインを形成してマザー基板を分断すると、液晶パネルには、液晶注入領域の周りに所定幅の額縁領域が残ることとなる。

しかしながら、近年、特にモバイル用の液晶パネルにおいて、上記額縁領域を極限まで狭くすることが主流になりつつある。この要求に応えるためには、マザー基板においてシール材が介在しない領域が省略され、隣り合う液晶注入領域は、シール材のみによって区切られるよう構成される必要がある。この場合、スクライブラインは、シール材の直上および直下の位置に形成されることになる。

ところが、このようにシール材の直上および直下の位置にスクライブラインを形成すると、２つのガラス基板にクラックが十分に入らないといった問題が確認された。このようにクラックが不十分な状態でブレイク工程が実行されると、ブレイク後の基板の端縁に細かい亀裂や破損が生じて、ガラス基板の強度が低下する惧れがある。

かかる課題に鑑み、本発明は、ブレイク工程を実行するために十分な深さのクラックをマザー基板に形成することが可能なスクライブ装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様は、マザー基板にスクライブラインを形成するスクライブ装置に関する。本態様に係るスクライブ装置は、前記マザー基板に刃を押しつけながら前記刃を移動させて前記マザー基板にスクライブラインを形成するスクライビングツールと、前記スクライビングツールに対してスクライブ方向の下流側に配置され、前記スクライビングツールにより形成された前記スクライブラインを開く方向の応力を前記マザー基板に付与するクラック浸透ツールと、を備える。ここで、スクライブ装置は、前記クラック浸透ツールを前記スクライビングツールに後追いさせて前記スクライビングツールにより形成された前記スクライブラインのクラックを浸透させる。

本態様によれば、クラック浸透ツールがスクライビングツールを後追いすることにより、スクライブラインのクラックが浸透する。これにより、ブレイク工程の実行に十分な深さのクラックをマザー基板に形成することができる。よって、マザー基板をスクライブラインに沿って円滑に分断することができる。

第１の態様に係るスクライブ装置において、前記クラック浸透ツールは、前記スクライブラインが形成された面と反対側の面の前記スクライブラインに対応する位置を押圧する第１のクラック浸透ツールと、前記スクライブラインが形成された面の前記スクライブラインを挟む位置を押圧する第２のクラック浸透ツールを含み得る。この構成によれば、スクライブラインを開く方向の応力をマザー基板に効果的に付与することができる。

この場合、第１のクラック浸透ツールの押圧位置と第２のクラック浸透ツールの押圧位置を、スクライブ方向において一致させても良く、あるいは、第１のクラック浸透ツールの押圧位置と第２のクラック浸透ツールの押圧位置を、スクライブ方向において互いに変位させても良い。なお、後者の場合には、第１のクラック浸透ツールの押圧位置を第２のクラック浸透ツールの押圧位置に対して、スクライブ方向に先行させることが望ましい。こうすると、スクライブ方向に撓ませる応力がマザー基板にさらに付与されるため、クラックをより効果的に浸透させることができる。

本発明の第２の態様は、第１基板と第２基板をシール材により貼り合わせてなるマザー基板にスクライブラインを形成するスクライブ装置に関する。本態様に係るスクライブ装置は、前記マザー基板の一方の面に第１の刃を押しつけながら前記シール材に沿って前記第１の刃を移動させて前記一方の面に第１のスクライブラインを形成する第１のスクライビングツールと、前記マザー基板の他方の面に第２の刃を押しつけながら前記シール材に沿って前記第２の刃を移動させて前記他方の面に第２のスクライブラインを形成する第２のスクライビングツールと、前記第１のスクライビングツールに対してスクライブ方向の下流側に配置され、前記第１のスクライビングツールにより形成された前記第１のスクライブラインを開く方向の応力を前記マザー基板に付与するクラック浸透ツールと、を備える。ここで、スクライブ装置は、前記第１の刃を前記第２の刃に対して前記スクライブ方向に変位させつつ前記第１のスクライビングツールと前記第２のスクライビングツールを移動させて前記第１のスクライブラインと前記第２スクライブラインを前記マザー基板に形成する。また、スクライブ装置は、前記クラック浸透ツールを前記第１のスクライビングツールに後追いさせて前記第１のスクライビングツールにより形成された前記第１のスクライブラインのクラックを浸透させる。

本態様によれば、第１の刃と第２の刃のうちスクライブ方向に先行する刃によって形成されるスクライブラインのクラックを深く浸透させることができる。また、クラック浸透ツールが第１のスクライビングツールを後追いすることにより、第１のスクライブラインのクラックを浸透させることができる。これにより、シール材の直上および直下の位置に十分な深さのクラックでスクライブラインを形成することができる。よって、ブレイク工程においてマザー基板をシール材に沿って円滑に分断することができる。

第２の態様に係るスクライブ装置において、前記クラック浸透ツールは、前記マザー基板の前記他方の面の前記第１のスクライブラインに対応する位置を押圧する第１のクラック浸透ツールと、前記マザー基板の前記一方の面の前記第１のスクライブラインを挟む位置を押圧する第２のクラック浸透ツールを含み得る。この構成によれば、第１のスクライブラインを開く方向の応力をマザー基板に効果的に付与することができる。

また、第２の態様に係るスクライブ装置において、前記第１および第２のスクライビングツールは、前記第２の刃が前記第１の刃に対し前記スクライブ方向において先行するよう移動され得る。こうすると、第２の刃によって形成される第２のスクライブラインのクラックは深くなり、反面、第１の刃によって形成される第１のスクライブラインのクラックは浅くなる。そして、クラック浸透ツールによって、浸透が浅い第１のスクライブラインのクラックがさらに浸透される。よって、両方のスクライブラインのクラック浸透量を大きくするこができ、ブレイク工程においてマザー基板をシール材に沿って円滑に分断することができる。

また、第２の態様に係るスクライブ装置において、前記第１および第２のスクライビングツールは、前記第１の刃が前記第２の刃に対し前記スクライブ方向において先行するよう移動され得る。こうすると、第１の刃によって形成される第１のスクライブラインのクラックは深くなり、反面、第２の刃によって形成される第２のスクライブラインのクラックは浅くなる。そして、クラック浸透ツールによって第１のスクライブラインのクラックがさらに浸透される。これにより、第１の刃により形成される第１のスクライブラインのクラック浸透量が十分な大きさに安定しないような場合にも、クラック浸透ツールによって、第１のスクライブラインのクラックを十分な深さに浸透させることができる。

また、第２の態様に係るスクライブ装置において、前記第１のスクライビングツールは、前記第２のスクライビングツールの前記第２の刃に対応する位置を前記一方の面において押さえる第１の押さえ部を備える構成とされ得る。こうすると、第２の刃によって形成される第２のスクライブラインのクラックをより深く浸透させることができる。よって、ブレイク工程において、より円滑にマザー基板を分断することができる。

また、第２の態様に係るスクライブ装置において、前記第２のスクライビングツールは、前記第１のスクライビングツールの前記第１刃に対応する位置を前記他方の面において押さえる第２の押さえ部を備える構成とされ得る。こうすると、第１の刃によって形成される第１のスクライブラインのクラックをより深く浸透させることができる。よって、ブレイク工程において、より円滑にマザー基板を分断することができる。

以上のとおり、本発明によれば、ブレイク工程を実行するために十分な深さのクラックをマザー基板に形成することが可能なスクライブ装置を提供することができる。

本発明の効果ないし意義は、以下に示す実施の形態の説明により更に明らかとなろう。ただし、以下に示す実施の形態は、あくまでも、本発明を実施化する際の一つの例示であって、本発明は、以下の実施の形態に記載されたものに何ら制限されるものではない。

実施の形態に係るスクライブ装置の構成を模式的に示す図である。 実施の形態に係るスクライブヘッドの構成を示す分解斜視図である。 実施の形態に係るスクライブヘッドの構成を示す斜視図である。 実施の形態に係るスクライビングツールによるスクライブ動作を模式的に示す図である。 実施の形態に係るスクライビングツールを用いてスクライブ動作を行った場合の実験結果を示す図である。 実施の形態に係るクラック浸透ツールの作用を示す図である。 実施の形態に係るクラック浸透ツールの構成を示す分解斜視図である。 実施の形態に係るクラック浸透ツールの構成を示す分解斜視図である。 実施の形態に係るクラック浸透ツールの構成を示す斜視図である。 実施の形態に係るクラック浸透ツールの構成を示す側面図である。 実施の形態に係るクラック浸透ツールの構成を示す側面図である。 実施の形態に係るクラック浸透ツールの装着方法を模式的に示す図である。 実施の形態に係るスクライブ動作を模式的に示す図である。 他の実施形態に係るスクライブ装置の構成を模式的に示す図である。 他の実施形態に係るスクライブヘッドの構成を示す分解斜視図および斜視図である。 変更例に係るスクライブ装置の構成およびスクライブ動作を模式的に示す図である。 他の変更例に係るスクライビングツールの構成を示す斜視図である。 他の変更例に係るスクライブ装置の構成およびスクライブ動作を模式的に示す図である。 さらに他の変更例に係るスクライブ装置の構成を模式的に示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、各図には、便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸が付記されている。Ｘ−Ｙ平面は水平面に平行で、Ｚ軸方向は鉛直方向である。

＜スクライブ装置＞
図１（ａ）、（ｂ）は、スクライブ装置１の構成を模式的に示す図である。図１（ａ）は、Ｙ軸正側からスクライブ装置１を見た図、図１（ｂ）は、Ｘ軸正側からスクライブ装置１を見た図である。

図１（ａ）を参照して、スクライブ装置１は、コンベア１１と、支柱１２ａ、１２ｂと、ガイド１３ａ、１３ｂと、ガイド１４ａ、１４ｂと、摺動ユニット１５、１６と、２つのスクライブヘッド２ａと、２つのスクライブヘッド２ｂとを備える。

図１（ｂ）に示すように、コンベア１１は、スクライブヘッド２ａ、２ｂが配置される箇所を除いて、Ｙ軸方向に延びるように設けられている。コンベア１１上には、マザー基板Ｇが載置される。マザー基板Ｇは、一対のガラス基板が相互に貼り合わされた構造を有する。マザー基板Ｇは、コンベア１１によりＹ軸方向に送られる。

支柱１２ａ、１２ｂは、スクライブ装置１のベースに垂直に設けられている。ガイド１３ａ、１３ｂおよびガイド１４ａ、１４ｂは、それぞれ、Ｘ軸方向に平行となるように、支柱１２ａ、１２ｂの間に架設されている。摺動ユニット１５、１６は、それぞれ、ガイド１３ａ、１３ｂ、ガイド１４ａ、１４ｂに摺動自在に設けられている。ガイド１３ａ、１３ｂおよびガイド１４ａ、１４ｂには、それぞれ、所定の駆動機構が設けられており、この駆動機構により、摺動ユニット１５、１６がＸ軸方向に移動される。

摺動ユニット１５、１６には、それぞれ、スクライブヘッド２ａ、２ｂが装着されている。したがって、スクライブヘッド２ａ、２ｂは、摺動ユニット１５、１６の移動に伴って、同時に移動する。なお、スクライブヘッド２ａ、２ｂに対して個別に摺動ユニットが配されても良い。この構成の場合には、スクライブヘッド２ａ、２ｂの駆動を個別に制御することができる。

上側のスクライブヘッド２ａと下側のスクライブヘッド２ａには、それぞれ、マザー基板Ｇに対向するようにスクライビングツール３０、４０が取り付けられる。スクライビングツール３０、４０に保持されたスクライビングホイールがマザー基板Ｇの表面に押し付けられた状態で上下のスクライブヘッド２ａがＸ軸方向に移動する。これにより、マザー基板Ｇの上下の面にスクライブラインが形成される。

さらに、上側のスクライブヘッド２ｂと下側のスクライブヘッド２ｂには、それぞれ、上側のスクライビングツール３０によって形成されたスクライブラインを開く方向の応力をマザー基板Ｇに付与するためのクラック浸透ツール５０、６０が取り付けられる。クラック浸透ツール５０、６０がスクライビングツール３０を後追いすることにより、スクライビングツール３０により形成されたスクライブラインのクラックが浸透する。クラック浸透ツール５０、６０の構成については、追って、図７〜図１１（ｂ）を参照して説明する。

＜スクライブヘッド＞
図２は、スクライブヘッド２ａの構成を示す一部分解斜視図、図３（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、スクライブヘッド２ａ、２ｂの構成を示す斜視図である。

図２を参照して、スクライブヘッド２ａは、昇降機構２１と、スクライブライン形成機構２２ａと、ベースプレート２３と、トッププレート２４と、ボトムプレート２５と、ゴム枠２６と、カバー２７と、サーボモータ２８とを備える。

昇降機構２１は、サーボモータ２８の駆動軸に連結された円筒カム２１ａと、昇降部２１ｂの上面に形成されたカムフォロア２１ｃとを備える。昇降部２１ｂは、スライダー（図示せず）を介してベースプレート２３に上下方向に移動可能に支持され、バネ２１ｄによってＺ軸正方向に付勢されている。バネ２１ｄの付勢により、カムフォロア２１ｃは円筒カム２１ａの下面に押し付けられている。昇降部２１ｂはスクライブライン形成機構２２ａに連結されている。サーボモータ２８により円筒カム２１ａが回動すると、円筒カム２１ａのカム作用によって昇降部２１ｂが昇降し、これに伴い、スクライブライン形成機構２２ａが昇降する。スクライブライン形成機構２２ａの下端に、スクライビングツール３０またはスクライビングツール４０が装着される。

ゴム枠２６は、空気を通さない弾性部材である。ゴム枠２６は、ベースプレート２３の溝２３ａ、トッププレート２４の溝２４ａおよびボトムプレート２５の溝２５ａに嵌まり込む形状を有している。ゴム枠２６が溝２３ａ、２４ａ、２５ａに装着された状態で、ゴム枠２６の表面は、ベースプレート２３、トッププレート２４およびボトムプレート２５の側面よりも僅かに外側に突出する。

カバー２７は、前面部２７ａ、右側面部２７ｂおよび左側面部２７ｃの３つの板部が折り曲げられた形状を有する。前面部２７ａの上下の端縁には、２つの孔２７ｆが形成されている。

ゴム枠２６が溝２３ａ、２４ａ、２５ａに嵌め込まれた状態で、カバー２７の右側面部２７ｂと左側面部２７ｃが外側に撓むように変形されて、カバー２７がベースプレート２３、トッププレート２４およびボトムプレート２５に取り付けられる。この状態で、前面部２７ａの上下の端縁に形成された２つの孔２７ｆを介して、ネジがトッププレート２４およびボトムプレート２５に螺着される。さらに、ベースプレート２３、トッププレート２４およびボトムプレート２５の溝２３ａ、２４ａ、２５ａのやや外側に形成されたネジ穴に、ネジが螺着される。これにより、カバー２７が、ベースプレート２３、トッププレート２４およびボトムプレート２５とネジの頭部とによって挟み込まれ、右側面部２７ｂおよび左側面部２７ｃの周縁部がゴム枠２６に押し付けられる。こうして、図３（ａ）に示すようにスクライブヘッド２ａが組み立てられる。

スクライブヘッド２ｂは、スクライブライン形成機構２２ｂの構成を除いて、スクライブヘッド２ａと同じ構成である。図３（ａ）に示すように、スクライブヘッド２ａでは、スクライビングツール３０、４０を保持する保持部２２１が、Ｘ軸負側に変位した位置に配置され、スクライブヘッド２ｂでは、クラック浸透ツール５０、６０を保持する保持部２２１が、Ｘ軸正側に変位した位置に配置されている。このように保持部２２１の配置を調整することにより、図１（ａ）のように２つのヘッド２ａ、２ｂがＸ軸方向に並べて配置された状態において、スクライビングツール３０、４０とクラック浸透ツール５０、６０との間隔を縮めることができる。

本実施の形態では、スクライビングツール３０、４０が２つのスクライブヘッド２ａに個別に保持され、また、クラック浸透ツール５０、６０が２つのスクライブヘッド２ｂに個別に保持されるため、スクライビングツール３０、４０およびクラック浸透ツール５０、６０に付与する荷重を個別に制御することができる。これにより、各ツールに最適な荷重を付与することができる。

＜スクライブ方法＞
本実施の形態では、スクライビングツール３０、４０にそれぞれ保持されたスクライビングホイールが、スクライブ方向に互いにずらされて、シール材に沿って移動して、マザー基板Ｇの両面にスクライブラインが形成される。

図４（ａ）はＹ軸正側からスクライブ位置付近を見たときの模式図、図４（ｂ）はＸ軸正側からスクライブ位置付近を見たときの模式図、図４（ｃ）はＺ軸正側からスクライブ位置付近を見たときの模式図である。

図４（ａ）に示すように、本スクライブ方法では、下側（Ｚ軸負側）のスクライブヘッド２ａのスクライビングホイール４１が、上側（Ｚ軸正側）のスクライブヘッド２ａのスクライビングホイール３１よりも、スクライブ方向（Ｘ軸正方向）に距離Ｗ１だけ先行するようにして、２つのスクライビングホイール３１、４１が移動される。２つのスクライビングホイール３１、４１は、それぞれ、Ｙ軸に平行な軸を回転軸として回転可能にスクライビングツール３０、４０に支持されている。

図４（ｂ）を参照して、マザー基板Ｇは、シール材ＳＬを介して２つのガラス基板Ｇ１、Ｇ２を貼り合わせて構成されている。ガラス基板Ｇ１にはカラーフィルタ（ＣＦ）が形成され、ガラス基板Ｇ２には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。シール材ＳＬと２つのガラス基板Ｇ１、Ｇ２によって、液晶注入領域Ｒが形成され、この液晶注入領域Ｒに液晶が注入される。２つのスクライビングホイール３１、４１は、Ｙ軸方向に互いにずれることなく位置付けられる。スクライビングホイール３１は、シール材ＳＬの直上の位置においてガラス基板Ｇ１の表面に押し付けられ、スクライビングホイール４１は、シール材ＳＬの直下の位置においてガラス基板Ｇ２の表面に押し付けられる。

図４（ｃ）に示すように、シール材ＳＬは格子状に配置されている。２つのスクライビングホイール３１、４１は、シール材ＳＬに沿ってＸ軸正方向に移動される。これにより、図４（ｂ）、（ｃ）に示すように、ガラス基板Ｇ１、Ｇ２の表面に、それぞれ、スクライブラインＬ１、Ｌ２が形成される。

＜実験＞
本願発明者らは、図４（ａ）〜（ｃ）に示すスクライブ方法に従ってマザー基板Ｇにスクライブラインを形成する実験を行った。以下、この実験と実験結果について説明する。

実験では、厚みがそれぞれ０．２ｍｍのガラス基板Ｇ１、Ｇ２をシール材ＳＬを介して貼り合わせた基板（マザー基板Ｇ）を用いた。貼り合わせ基板（マザー基板Ｇ）のサイズは１１８ｍｍ×５００ｍｍである。スクライビングホイール３１、４１は、三星ダイヤモンド工業株式会社製、マイクロぺネット（三星ダイヤモンド工業株式会社の登録商標）を用いた。スクライビングホイール３１、４１は、それぞれ、円板の外周にＶ字状の刃先が形成されるとともに刃先の稜線に所定の間隔で溝を有する構造となっている。スクライビングホイール３１、４１は、直径３ｍｍ、刃先角度１１０°、溝個数５５０、溝深さ３μｍである。

この構成のスクライビングホイール３１、４１を、それぞれ、ガラス基板Ｇ１、Ｇ２に押し付けつつ移動させてスクライブ動作を行った。なお、本実験では、図４（ａ）と異なり、上側のスクライビングホイール３１を下側のスクライビングホイール４１に対してスクライブ方向に先行させた。スクライブ動作時にスクライビングホイール３１、４１に付与される荷重は６．５Ｎに制御した。また、スクライビングホイール３１、４１の移動速度は、一定（２００ｍｍ／ｓｅｃ）とした。

以上の条件のもと、２つのスクライビングホイール３１、４１間の距離Ｗ１を変化させながら、ガラス基板Ｇ１、Ｇ２におけるクラックの浸透量を計測した。比較例として、スクライビングホイール３１、４１間の距離Ｗ１が０の場合のクラックの浸透量も計測した。各測定では、クラックの浸透量の他、リブマーク量も併せて計測した。

図５（ａ）〜（ｅ）に実験結果を示す。図５（ａ）は、クラックの浸透量とリブマーク量を数値で示す図、図５（ｂ）〜（ｅ）は、スクライブライン上におけるマザー基板Ｇの断面写真であり、それぞれ、距離Ｗ１が０．４ｍｍ、０．６ｍｍ、０．８ｍｍ、１．０ｍｍの場合のものである。図５（ｂ）〜（ｅ）において、Ｄ１、Ｄ３はリブマーク量、Ｄ２、Ｄ４はクラックの浸透量を示している。

図５（ａ）を参照すると、距離Ｗ１が０．６ｍｍを超えると、距離Ｗ１が０ｍｍの場合に比べて、ガラス基板Ｇ１のクラックの浸透量が大きくなっている。ガラス基板Ｇ１、Ｇ２のうち何れか一方に大きな浸透量でクラックが入ると、ブレイク工程において、マザー基板Ｇを円滑に分断することができる。

たとえば、比較例（Ｗ１＝０ｍｍ）のように、ガラス基板Ｇ１、Ｇ２におけるクラック量が共にガラス基板Ｇ１、Ｇ２の厚み（０．２ｍｍ）の半分程度であると、ブレイク工程において、マザー基板Ｇの両側からガラス基板Ｇ１、Ｇ２をそれぞれブレイクする必要がある。このようにマザー基板Ｇの両側からガラス基板Ｇ１、Ｇ２をそれぞれブレイクする動作が行われると、ガラス基板Ｇ１、Ｇ２の端縁に細かい亀裂や破損が生じて、ガラス基板Ｇ１、Ｇ２の強度が低下する惧れがある。

これに対し、距離Ｗ１が０．６ｍｍ〜１．４ｍｍである場合には、ガラス基板Ｇ１におけるクラックの浸透量が大きい。このようにガラス基板Ｇ１におけるクラックの浸透量が大きい場合、ブレイク工程では、クラックの浸透量が小さいガラス基板Ｇ２をマザー基板Ｇの一方側からブレイクする動作を行うことにより、このブレイク動作の際に、深くクラックが入ったガラス基板Ｇ１も同時にクラックに沿って分断される。このようにマザー基板Ｇの一方側のみからガラス基板Ｇ１、Ｇ２をブレイクすると、ガラス基板Ｇ１、Ｇ２の端縁に細かい亀裂や破損が生じることがなく、ガラス基板Ｇ１、Ｇ２の強度が高く保たれる。

以上の理由から、マザー基板Ｇの分断においては、ガラス基板Ｇ１、Ｇ２の何れか一方に大きな浸透量でクラックが入っていることが望ましい。本実験では、図５（ａ）に示すように、２つのスクライビングホイール３１、４１間の距離Ｗ１が０．６ｍｍを超えると、比較例（Ｗ１＝０ｍｍ）に比べて、ガラス基板Ｇ１のクラックの浸透量が大きくなっている。このことから、２つのスクライビングホイール３１、４１間の距離Ｗ１は、０．６ｍｍ以上であることが望ましいと言える。このように２つのスクライビングホイール３１、４１間の距離Ｗ１を設定することにより、マザー基板Ｇのブレイクを円滑に行うことができる。

なお、本実験では、上側のスクライビングホイール３１を下側のスクライビングホイール４１に対してスクライブ方向に先行させたため、上側のガラス基板Ｇ１に対するクラックの浸透量が大きくなったが、図４（ａ）のように下側のスクライビングホイール４１を上側のスクライビングホイール３１に対してスクライブ方向に先行させた場合には、ガラス基板Ｇ２におけるクラックの浸透量が大きくなる。

ところで、上記のようにスクライビングホイール３１、４１をスクライブ方向にずらすことにより、ガラス基板Ｇ１、Ｇ２の一方のクラックの浸透量を深くできるものの、反面、ガラス基板Ｇ１、Ｇ２の他方は、クラックの浸透量が浅くなる。上記のようにブレイク工程では、クラックの浸透量が浅い方のガラス基板をブレイクする動作が行われるが、このときクラックの浸透量が浅すぎると、浅いクラックのガラス基板を適正にブレイクできないことが起こり得る。

そこで、本実施の形態では、上下２つのスクライブヘッド２ｂにそれぞれクラック浸透ツール５０、６０を装着し、スクライブ工程において、クラック浸透ツール５０、６０にスクライビングツール３０、４０を後追いさせる。これにより、クラックの浸透量が浅い上側のスクライブラインＬ１が開く方向に、マザー基板Ｇに応力が付与される。

図６（ａ）、（ｂ）は、クラック浸透ツール５０、６０の作用を示す図である。図６（ａ）はＹ軸正側からスクライブ位置付近を見たときの模式図、図６（ｂ）はＸ軸正側からクラック浸透ツール５０、６０付近を見たときの模式図である。

図６（ａ）、（ｂ）に示すように、クラック浸透ツール５０は２つのベアリング５１、５２を備え、クラック浸透ツール６０は１つのベアリング６１を備える。２つのベアリング５１、５２は、距離Ｗ２の間隔で配置され、ベアリング６１は、２つのベアリング５１、５２の中間位置に配置される。すなわち、ベアリング５１とベアリング６１のＹ軸方向の距離Ｗ３は、距離Ｗ２の半分である。

スクライブ動作において、ベアリング６１は、シール材ＳＬの直下に位置付けられ、ガラス基板Ｇ２の下面を上方向に押圧しながらシール材ＳＬに沿って移動される。また、２つのベアリング５１、５２は、シール材ＳＬを挟む位置に位置付けられ、ガラス基板Ｇ１の上面を下方向に押圧しながらシール材ＳＬに平行に移動される。これにより、図６（ｂ）に示すように、クラックの浸透量が浅い上側のスクライブラインＬ１が開く方向に、マザー基板Ｇに応力が付与される。この応力によって、スクライブラインＬ１のクラックがより深く浸透する。その結果、図６（ａ）に示すように、クラック浸透ツール５０、６０が通過した後のスクライブラインＬ１のクラックが深く浸透する。

＜クラック浸透ツール＞
図７は、クラック浸透ツール５０の構成を示す分解斜視図である。

クラック浸透ツール５０は、ベアリング５１、５２と、スペーサ５３と、ホルダ５４と、軸５５とを備える。

ベアリング５１は、外輪５１ａが内輪５１ｂの外側に組み付けられた構成となっている。ベアリング５１の外輪５１ａは、金属材料により構成され、円筒形の形状を有する。外輪５１ａと内輪５１ｂの間にはボール５１ｃおよび保持器５１ｄが保持されている。外輪５１ａの外側には、金属材料や金属材料以外の材料から構成されるローラが設けられても良い。内輪５１ｂの孔に軸５５が嵌め込まれる。軸５５は、剛性の高い金属材料からなっている。ベアリング５２も、ベアリング５１と同様、外輪５２ａと内輪５２ｂの間にボール５２ｃおよび保持器５２ｄが保持された構成となっている。本実施の形態では、ベアリング５１、５２は、同じものである。

スペーサ５３は、ベアリング５１、５２の間隔を距離Ｗ２（図６（ｂ）参照）に保つためのものである。スペーサ５３は、金属材料からなっており、円筒形状を有する。スペーサ５３の孔に軸５５が通される。ベアリング外輪５２ａの円滑な回転のため、スペーサ５３はそれぞれベアリング内輪５２ｂにのみ接するようにされる。

ホルダ５４は、強磁性体からなっている。ホルダ５４は、円柱状の胴部５４ａと、胴部５４ａの下端に一体的に続く脚部５４ｂとを備える。胴部５４ａには、側面が切り欠かれることによって傾斜面５４ｃが形成されている。傾斜面５４ｃは、スクライブ方向と鉛直方向に平行な面内方向に、水平方向から所定の角度だけ傾いている。

脚部５４ｂには、矩形状の凹部５４１が形成されている。凹部５４１は、脚部５４ｂの幅方向の中央位置に形成されている。脚部５４ｂの一方の側面には、凹部５４１へと連通する孔５４２が形成されている。さらに、脚部５４ｂには、孔５４２と同軸の位置に、孔５４３が形成されている。孔５４２の径は軸５５の径と同じである。また、孔５４３の入口の径は軸５５の径と同じであり、孔５４３の出口は、軸５５の尖頭形状の一端を受けるように径が小さくなっている。

クラック浸透ツール５０の組み立て時には、２つのベアリング５１、５２でスペーサ５３を挟むように、ベアリング５１、５２とスペーサ５３が凹部５４１に挿入される。このとき、ベアリング５１、５２の内輪５１ｂ、５２ｂの孔とスペーサ５３の孔が凹部５４１の孔５４２に揃えられる。この状態で、軸５５が孔５４２に通される。軸５５は、内輪５１ｂの孔、スペーサ５３の孔および内輪５２ｂの孔に順番に挿入され、さらに、脚部５４ｂの孔５４３に挿入される。軸５５は、先端が孔５４３の内側面に当接するまで押し込まれる。これにより、クラック浸透ツール５０の組み立てが完了する。

図８は、クラック浸透ツール６０の構成を示す分解斜視図である。

クラック浸透ツール６０は、ベアリング６１と、２つのスペーサ６２、６３と、ホルダ６４と、軸６５とを備える。

ベアリング６１は、図７のベアリング５１と同様、外輪６１ａと内輪６１ｂの間にボール６１ｃおよび保持器６１ｄが保持された構成となっている。本実施の形態では、ベアリング６１は、図７のベアリング５１と同じものである。スペーサ６２、６３は、ベアリング６１をホルダ６４の中央位置に位置付けるためのものである。ホルダ６４は、図７のホルダ５４と同様、胴部６４ａと、脚部６４ｂと、傾斜面６４ｃを備えている。脚部６４ｂには、凹部６４１と、２つの孔６４２、６４３が形成されている。ホルダ６４は、図７のホルダ６４と同じものである。

クラック浸透ツール６０の組み立て時には、２つのスペーサ６２、６３でベアリング６１を挟むように、スペーサ６２、６３とベアリング６１が凹部６４１に挿入される。このとき、スペーサ６２、６３の孔とベアリング６１の内輪６１ｂの孔が凹部６４１の孔６４２に揃えられる。この状態で、軸６５が孔６４２に通される。軸６５は、スペーサ６２の孔、内輪５１ｂの孔およびスペーサ６３の孔に順番に挿入され、さらに、脚部６４ｂの孔６４３に挿入される。軸６５は、先端が孔６４３の内側面に当接するまで押し込まれる。これにより、クラック浸透ツール６０の組み立てが完了する。

図９（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、組立後のクラック浸透ツール５０、６０の外観を示す斜視図である。図１０（ａ）、（ｂ）は、クラック浸透ツール５０の構成を示す左側面図および正面図である。図１１（ａ）、（ｂ）は、クラック浸透ツール６０の構成を示す左側面図および正面図である。

図１０（ｂ）を参照して、正面側からクラック浸透ツール５０を見ると、スペーサ５３を挟むようにして２つのベアリング５１、５２が軸５５に支持されている。スペーサ５３はホルダ５４の左右方向の中央位置において軸５５に支持されている。スペーサ５３の厚みはＤ２であり、２つのベアリング５１、５２の厚みは、共にＤ３である。厚みＤ２と２つの厚みＤ３を加算した厚みは、凹部５４１の内側面間の距離よりも僅かに小さい。

図１０（ａ）を参照して、軸５５に平行な方向にクラック浸透ツール５０を見ると、ベアリング５１、５２は、それぞれ、ホルダ５４の下面からＤ１だけ突出している。Ｄ１は、ホルダ５４の下面からベアリング５１、５２の下端までの距離である。ベアリング５１、５２の下端は、スクライブ方向において、脚部５４ｂの略中央位置にある。

図１１（ｂ）を参照して、正面側からクラック浸透ツール６０を見ると、２つのスペーサ６２、６３により挟まれるようにしてベアリング６１が軸６５に支持されている。ベアリング６１の厚みはＤ５であり、２つのスペーサ６２、６３の厚みは、共にＤ６である。厚みＤ５と２つの厚みＤ６を加算した厚みは、凹部６４１の内側面間の距離よりも僅かに小さい。したがって、ベアリング６１は、ホルダ６４の左右方向の中央位置に位置付けられる。

なお、本実施の形態では、ベアリング６１の厚みＤ５は、図１０（ｂ）に示すベアリング５１、５２の厚みＤ３と同じである。これに代えて、ベアリング６１の厚みＤ５と図１０（ｂ）に示すベアリング５１、５２の厚みＤ３とが互いに異なっていても良い。

また、クラック浸透ツール５０においてはスペーサ５３の幅Ｄ２を小さくし、ベアリング５１、５２の左右にさらにスペーサを設けるようにしてもよい。この場合も、ベアリングの厚みとスペーサの厚みの合計が凹部５４１の内側面間の距離よりも僅かに小さくなるようにすればよい。

図１１（ａ）を参照して、軸６５に平行な方向にクラック浸透ツール６０を見ると、ベアリング６１は、ホルダ６４の下面からＤ４だけ突出している。Ｄ４は、ホルダ６４の下面からベアリング６１の下端までの距離である。ベアリング６１の下端は、スクライブ方向において、脚部６４ｂの略中央位置にある。

図１２（ａ）、（ｂ）は、スクライブライン形成機構２２ｂに対するクラック浸透ツール５０の取り付け方法を模式的に示す図である。図１２（ａ）、（ｂ）では、スクライブライン形成機構２２ｂの内部が透視された状態が示されている。

スクライブライン形成機構２２ｂの下端には、クラック浸透ツール５０を保持する保持部２２１が設けられ、この保持部２２１に、クラック浸透ツール５０を挿入可能な穴２２２が形成されている。穴２２２の底には磁石２２４が設置され、穴２２２の中間位置にピン２２３が設けられている。上記のように、クラック浸透ツール５０のホルダ５４は強磁性体からなっている。

スクライブライン形成機構２２ｂにクラック浸透ツール５０を取り付ける場合、クラック浸透ツール５０のホルダ５４が保持部２２１の穴２２２に挿入される。ホルダ５４の上端が磁石２２４に接近するとホルダ５４が磁石２２４に吸着される。このとき、ホルダ５４の傾斜面５４ｃがピン２２３に当接し、ホルダ５４が正規の位置に位置決めされる。こうして、図１２（ｂ）に示すように、クラック浸透ツール５０がスクライブライン形成機構２２ｂの下端に装着される。

クラック浸透ツール６０も同様にしてスクライブライン形成機構２２ｂの下端に装着される。また、スクライビングツール３０、４０も同様にしてスクライブライン形成機構２２ａの下端に装着される。スクライブライン形成機構２２ａの保持部はスクライブライン形成機構２２ｂの保持部２２１と同様の構成である。

図１３（ａ）は、スクライビングツール３０、４０およびクラック浸透ツール５０をそれぞれスクライブライン形成機構２２ａ、２２ｂに装着した状態を模式的に示す要部側面図、図１３（ｂ）は、ベアリング５１、５２およびベアリング６１付近をＸ軸負側から見た図である。

図１３（ａ）に示すように、スクライビングホイール３１、４１は、軸３２、４２によって、ホルダ３３、４３に回転可能に支持されている。ホルダ３３、４３には、ホルダ５４と同様、傾斜面３３ｃ、４３ｃが設けられ、これら傾斜面３３ｃ、４３ｃがスクライブライン形成機構２２ａのピン２２３に当接することにより、スクライブライン形成機構２２ａの下端に装着される。

本実施の形態では、図１３（ａ）に示すように、上側のホルダ３３における軸３２の位置が、スクライブ方向と反対側にシフトしている。これにより、下側のスクライビングホイール４１が上側のスクライビングホイール３１に対してスクライブ方向に先行している。なお、このように軸３２の位置を調整する方法に代えて、上側のスクライブライン形成機構２２ａの位置を下側のスクライブライン形成機構２２ａの位置に対して、スクライブ方向と反対側にシフトさせることにより、下側のスクライビングホイール４１を上側のスクライビングホイール３１に対してスクライブ方向に先行させても良い。こうすると、上側のホルダ３３と下側のホルダ４３を互いに共用することができる。

また、図１３（ａ）に示すように、本実施の形態では、上側のベアリング５１、５２と、下側のベアリング６１は、スクライブ方向（Ｘ軸正方向）において同じ位置に位置付けられる。また、図１３（ｂ）に示すように、下側のベアリング６１は上側の２つのベアリング５１、５２の中間位置に位置付けられる。

スクライブ動作時には、このようにスクライビングホイール３１、４１の位置関係とベアリング５１、５２およびベアリング６１の位置関係を保ったまま、上下のスクライブヘッド２ａ、２ｂがスクライブ方向（Ｘ軸正方向）に移動される。このとき、スクライビングホイール３１、４１は、シール材ＳＬの直上および直下の位置に位置付けられる。これにより、マザー基板Ｇの上下の面にスクライブラインＬ１、Ｌ２が形成される。

かかるスクライブ動作では、図６（ａ）を参照して説明したように、下側のスクライビングホイール４１が上側のスクライビングホイール３１に対してスクライブ方向に先行するため、これらスクライビングホイール３１、４１で形成された直後のスクライブラインＬ１、Ｌ２は、上側のスクライブラインＬ１のクラックが浅くなり、下側のスクライブラインＬ２のクラックが深くなる。しかしながら、ベアリング５１、５２およびベアリング６１がスクライビングホイール３１を後追いすることにより、図６（ｂ）を参照して説明したように、上側のスクライブラインＬ１を開く方向の応力がマザー基板Ｇに付与されて、スクライブラインＬ１のクラックがさらに浸透する。これにより、ベアリング５１、５２およびベアリング６１が通過した後は、スクライブラインＬ１のクラックが深くなる。こうして、上側のスクライブラインＬ１も十分な深さに確保され、ブレイク動作を適正に行えるようになる。

＜実施形態の効果＞
本実施の形態によれば、以下の効果が奏される。

クラック浸透ツール５０、６０がスクライビングツール３０、４０を後追いすることにより、スクライブラインＬ１のクラックが浸透する。これにより、十分な深さのクラックをマザー基板Ｇに形成することができる。よって、マザー基板Ｇをスクライブラインに沿って円滑に分断することができる。

スクライブラインＬ１が形成された面と反対側の面のスクライブラインＬ１に対応する位置を押圧するクラック浸透ツール６０と、スクライブラインＬ１が形成された面のスクライブラインＬ１を挟む位置を押圧するクラック浸透ツール５０とを用いてマザー基板Ｇに応力が付与される。このため、スクライブラインＬ１を開く方向の応力をマザー基板Ｇに効果的に付与することができる。

下側のスクライビングホイール４１を上側のスクライビングホイール３１に対して先行させてスクライブ動作が行われる。このため、下側のスクライブラインＬ２のクラックを深く浸透させることができる。また、クラック浸透ツール５０、６０がスクライビングツール３０を後追いすることにより、スクライブラインＬ１のクラックをさらに浸透させることができる。これにより、シール材ＳＬの直上および直下の位置に十分な深さのクラックでスクライブラインＬ１、Ｌ２を形成することができる。よって、ブレイク工程においてマザー基板Ｇをシール材ＳＬに沿って円滑に分断することができる。

＜他の実施形態＞
上記実施の形態では、スクライビングツール３０、４０が装着されるスクライブヘッド２ａと、クラック浸透ツール５０、６０が装着されるスクライブヘッド２ｂが個別に準備されたが、一つのスクライブヘッドにスクライビングツールとクラック浸透ツールが装着されても良い。

図１４（ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係るスクライブ装置１の構成を模式的に示す図である。図１４（ａ）は、Ｙ軸正側からスクライブ装置１を見た図、図１４（ｂ）は、Ｘ軸正側からスクライブ装置１を見た図である。

図１４（ａ）に示すように、他の実施形態では、マザー基板Ｇの上側と下側にスクライブヘッド２が一つずつ配置される。そして、上側のスクライブヘッド２にスクライビングツール３０とクラック浸透ツール５０が装着され、下側のスクライブヘッド２にスクライビングツール４０とクラック浸透ツール６０が装着される。上側のスクライブヘッド２と下側のスクライブヘッド２は、同じ構成である。

図１５（ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係るスクライブヘッド２の構成を示す分解斜視図および斜視図である。なお、図１５（ａ）では、ゴム枠２６およびカバー２７に関する構成が図示省略されている。

図１５（ａ）に示すように他の実施形態では、スクライブライン形成機構２２ａ、２２ｂが昇降部２１ｂに連結されている。スクライブライン形成機構２２ａ、２２ｂはＸ軸方向（スクライブ方向）に並んでおり、スクライブライン形成機構２２ａが、スクライブライン形成機構２２ｂに対して、スクライブ方向に先行している。スクライブヘッド２のその他の構成は、図２に示すスクライブヘッド２ａと同様である。図１５（ａ）、（ｂ）において、スクライブヘッド２ａと同一の構成には同一の符号が付されている。

サーボモータ２８により円筒カム２１ａが回動すると、円筒カム２１ａのカム作用によって昇降部２１ｂが昇降し、これに伴い、スクライブライン形成機構２２ａ、２２ｂが昇降する。スクライブライン形成機構２２ａの下端に、スクライビングツール３０またはスクライビングツール４０が装着され、スクライブライン形成機構２２ｂの下端に、クラック浸透ツール５０またはクラック浸透ツール６０が装着される。これにより、図１３（ａ）、（ｂ）と同様に、スクライビングホイール３１、４１と、ベアリング５１、５２およびベアリング６１が位置付けられる。スクライブ時の動作は、上記実施の形態と同様である。

なお、他の実施形態では、同一のヘッド２にスクライビングツール３０（または、スクライビングツール４０）とクラック浸透ツール５０（または、クラック浸透ツール６０）が装着されるため、スクライブ動作時に各ツールの荷重を個別に制御することができない。しかしながら、他の実施形態では、同一のヘッド２において、スクライビングホイール３１（または、スクライビングホイール４１）の突出量と、ベアリング５１、５２（または、ベアリング６１）の突出量を調整することにより、マザー基板Ｇに対するスクライビングホイール３１（または、スクライビングホイール４１）およびベアリング５１、５２（または、ベアリング６１）の荷重を調整することができる。これにより、マザー基板Ｇに対する切り込み量と曲げ方向の応力を調整することができ、スクライブラインに沿ったブレイクの効果を高めることができる。

＜変更例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に何ら制限されるものではなく、また、本発明の実施の形態も上記以外に種々の変更が可能である。

たとえば、上記実施の形態では、マザー基板Ｇに対してスクライブラインＬ１を開く方向の応力を付与するための構成としてベアリング５１、５２およびベアリング６１が設けられたが、応力を付与するための構成はこれに限られるものではない。たとえば、ベアリング５１、５２およびベアリング６１に代えてローラが用いられても良く、あるいは、弾性を有する部材で形成された突起をマザー基板Ｇの表面に押し付けつつ摺接させてマザー基板Ｇに応力を付与しても良い。

また、上記実施の形態では、下側のベアリング６１がシール材ＳＬの直下に位置付けられたが、たとえば、下側のベアリング６１をシール材ＳＬの直下からやや外れた位置に位置付けても、上側のベアリング５１、５２の間隔が広ければ、スクライブラインＬ１が開く方向の応力をマザー基板Ｇに付与することができる。こうすると、下側のベアリング６１が下側のスクライブラインＬ２を踏むことを回避できる。なお、この場合、スクライブラインＬ２を挟むように下側のベアリング６１を２つ配置し、上側のベアリング５１、５２の間隔を下側の２つのベアリング６１の間隔よりも大きく設定して、スクライブラインＬ１が開く方向の応力をマザー基板Ｇに付与することもできる。

また、上記実施の形態では、上側のベアリング５１、５２と下側のベアリング６１がスクライブ方向において同じ位置に位置付けられたが、上側のベアリング５１、５２と下側のベアリング６１がスクライブ方向において互いにずれた位置に位置付けられても良い。

図１６（ａ）、（ｂ）は、変更例に係るスクライブ装置１の構成およびスクライブ動作を模式的に示す図である。

本変更例では、上側のスクライブヘッド２ｂにおけるスクライブライン形成機構２２ｂの配置位置が、下側のスクライブヘッド２ｂにおけるスクライブライン形成機構２２ｂの配置位置に対して、スクライブ方向にずらされている。これにより、上側のベアリング５１、５２が下側のベアリング６１に対してスクライブ方向に先行している。

この構成によっても、上記実施の形態と同様、スクライブラインＬ１を開く方向の応力がマザー基板Ｇに付与される。また、この応力とともに、マザー基板Ｇをスクライブ方向に撓ませる応力がマザー基板Ｇにさらに付与されるため、スクライブラインＬ１のクラックをさらに効果的に浸透させることができる。

なお、上記実施の形態において、スクライブ動作時に、スクライビングホイール３１、４１と反対側のマザー基板Ｇの表面を押さえることにより、スクライブラインＬ１、Ｌ２の浸透量をさらに深くすることができる。

図１７（ａ）、（ｂ）は、この場合に用い得るスクライビングツール３０、４０の構成例を示す図である。

スクライビングツール３０、４０は、スクライビングホイール３１、４１と、軸３２、４２と、ホルダ３３、４３と、ベアリング３４、４４と、軸３５、４５と、カバー３６、４６を備える。ホルダ３３、４３は、胴部３３ａ、４３ａと、脚部３３ｂ、４３ｂと、傾斜面３３ｃ、４３ｃを備える。また、胴部３３ａ、４３ａには、幅方向の中央位置に、スクライブ方向に平行な溝３３１、４３１が形成され、さらに、溝３３１、４３１を挟むように溝３３２、４３２が形成されている。カバー３６、４６が外されると、軸３２、４２を挿入するための孔と軸３５、４５を挿入するための孔が露出する。これらの孔は、脚部３３ｂ、４３ｂの反対側の側面まで貫通している。

スクライビングホイール３１、４１は、それぞれ、溝３３１、４３１に挿入された状態で、軸３２、４２により回転可能に支持される。２つのベアリング３４は、それぞれ、２つの溝３３２に挿入された状態で軸３５により支持され、また、２つのベアリング４４も、それぞれ、２つの溝４３２に挿入された状態で軸４５により支持される。

スクライビングツール３０では、２つのベアリング３４がスクライブ方向の略中央位置付近に位置付けられ、スクライビングホイール３１は、２つのベアリング３４に対してスクライブ方向の下流側に位置付けられる。また、スクライビングツール４０では、スクライビングホイール４１がスクライブ方向の略中央位置付近に位置付けられ、２つのベアリング４４は、スクライビングホイール４１に対してスクライブ方向の下流側に位置付けられる。２つのベアリング３４に対するスクライビングホイール３１のシフト量は、スクライビングホイール４１に対する２つのベアリング４４のシフト量と同じである。

図１８（ａ）は、スクライビングツール３０、４０およびクラック浸透ツール５０をそれぞれスクライブライン形成機構２２ａ、２２ｂに装着した状態を模式的に示す要部側面図、図１８（ｂ）は、スクライビングツール３０、４０の下端部付近をＸ軸負側から見た図である。

図１８（ａ）に示すように、この構成においても、下側のスクライビングホイール４１が上側のスクライビングホイール３１に対してスクライブ方向に先行している。また、この構成では、スクライビングホイール４１と反対側のマザー基板Ｇの表面がベアリング３４により押さえられ、スクライビングホイール３１と反対側のマザー基板Ｇの表面がベアリング４４により押さえられる。クラック浸透ツール５０、６０の配置は、図１６の変更例と同様である。

この構成では、上記実施の形態に比べて、スクライブラインＬ１、Ｌ２の浸透量が深くなる。この場合も、上側のスクライブラインＬ１のクラックの浸透量が下側のスクライブラインＬ２のクラックの浸透量よりも浅くなるが、下側のスクライブラインＬ２は、クラック浸透ツール５０、６０の作用により、クラックがさらに浸透する。これにより、スクライブラインＬ１のクラックを深くでき、ブレイク工程を適正に進めることができる。

ところで、上記実施の形態では、クラックの浸透が浅い上側のスクライブラインＬ１に対して、クラック浸透ツール５０、６０により、クラックの浸透がなされたが、下側のスクライブラインＬ２のクラックの浸透量がブレイク工程の実行に十分な深さに安定しないような場合には、下側のスクライブラインＬ２に対して、クラック浸透ツール５０、６０により、クラックの浸透がなされても良い。

図１９（ａ）、（ｂ）は、この場合のクラック浸透ツール５０、６０の構成および作用を説明する図である。図１９（ａ）はＹ軸正側からスクライブ位置付近を見たときの模式図、図１９（ｂ）はＸ軸正側からクラック浸透ツール５０、６０付近を見たときの模式図である。

図１９（ａ）、（ｂ）に示すように、この構成では、上側のスクライブヘッド２ｂ（図１（ａ）参照）に、ベアリング６１を一つのみ支持するクラック浸透ツール６０が装着され、下側のスクライブヘッド２ｂには、２つのベアリング５１、５２を支持するクラック浸透ツール５０が装着される。上側のベアリング６１は、スクライブラインＬ２の直上においてマザー基板Ｇ１の上面を押圧し、下側のベアリング５１、５２は、スクライブラインＬ２を挟む位置において、マザー基板Ｇの下面を押圧する。これにより、下側のスクライブラインＬ２を開く応力がマザー基板Ｇに付与される。

この構成では、図１９（ａ）に示すように、下側のスクライビングホイール４１が上側のスクライビングホイール３１に対してスクライブ方向に先行するため、上記実施の形態と同様、下側のスクライブラインＬ２の方が、上側のスクライブラインＬ１よりも、クラックが深くなる。そして、マザー基板Ｇの下面に形成されたスクライブラインＬ２のクラックが、クラック浸透ツール５０、６０の作用により、さらに浸透する。したがって、下側のスクライブラインＬ２のクラックの浸透量がブレイクに十分な深さに安定しないような場合にも、下側のスクライブラインＬ２のクラックをブレイク工程の実行に十分な深さに浸透させることができる。

なお、図１９（ａ）の構成において、さらに下流側にスクライブラインＬ１に作用するクラック浸透ツールを配置すれば、浅いクラックのスクライブラインＬ１についても、クラックをより深く浸透させることができる。

また、上記実施の形態では、下側のスクライビングホイール４１を上側のスクライビングホイール３１に対して先行させたが、上側のスクライビングホイール３１を下側のスクライビングホイール４１に対して先行させて、上側のスクライブラインＬ１のクラックを深く形成しても良い。この場合、浅いクラックが形成された下側のスクライブラインＬ２に対してクラック浸透ツール５０、６０を作用させても良く、あるいは、深いクラックが形成された上側のスクライブラインＬ１に対してクラック浸透ツール５０、６０を作用させても良い。スクライブ工程に続くブレイク工程において実行されるブレイク方法によって、何れのスクライブラインにクラック浸透ツール５０、６０を作用させるのが適切かを選択することができる。

また、上記実施の形態では、スクライビングホイール３１、４１をスクライブ方向に互いに変位させたが、スクライビングホイール３１、４１をスクライブ方向の略同じ位置に位置付けて、スクライブ動作が行われても良い。この構成では、図５に示すように、マザー基板Ｇの上下の面に略同程度の深さのクラックでスクライブラインＬ１、Ｌ２が形成される。上記実施の形態と同様、スクライブラインＬ１にクラック浸透ツール５０、６０を作用させることにより、スクライブラインＬ１のクラックをより深く浸透させることができる。

また、上記実施の形態では、マザー基板Ｇの両面にそれぞれスクライブラインＬ１、Ｌ２が並行して形成されたが、マザー基板Ｇの面毎にスクライブラインを形成し、各面に対するスクライブラインの形成の際に、クラック浸透ツールを作用させて、スクライブラインのクラックをより深く浸透させても良い。

また、上記実施の形態では、刃先の稜線に一定間隔で溝が形成されたスクライビングホールが用いられたが、稜線に溝が形成されていないスクライビングホイールを用いることも可能である。スクライビングホイール（刃）の大きさや形状は、上記実験に記載されたものに限定されるものではなく、他の大きさや形状、種類の刃先を適宜用いることができる。

この他、マザー基板Ｇの構成、厚み、材質等は、上記実施の形態に示すものに限定されるものではなく、他の構成のマザー基板Ｇの切断にも、スクライビングツール３０、４０およびクラック浸透ツール５０、６０を用いることができる。ホルダ３３、４３およびホルダ５４、６４の形状も上記に示されたものに限定されるものではない。

この他、本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。

３０、４０ … スクライビングツール
３１、４１ … スクライビングホイール（刃）
５０、６０ … クラック浸透ツール
３２、４２ … ベアリング（第１、第２の押さえ部）

Claims (11)

1. マザー基板にスクライブラインを形成するスクライブ装置において、
   前記マザー基板に刃を押しつけながら前記刃を移動させて前記マザー基板にスクライブラインを形成するスクライビングツールと、
   前記スクライビングツールに対してスクライブ方向の下流側に配置され、前記スクライビングツールにより形成された前記スクライブラインを開く方向の応力を前記マザー基板に付与するクラック浸透ツールと、を備え、
   前記クラック浸透ツールを前記スクライビングツールに後追いさせて前記スクライビングツールにより形成された前記スクライブラインのクラックを浸透させる、
   ことを特徴とするスクライブ装置。
2. 請求項１に記載のスクライブ装置において、
   前記クラック浸透ツールは、前記スクライブラインが形成された面と反対側の面の前記スクライブラインに対応する位置を押圧する第１のクラック浸透ツールと、前記スクライブラインが形成された面の前記スクライブラインを挟む位置を押圧する第２のクラック浸透ツールを含む、
   ことを特徴とするスクライブ装置。
3. 請求項２に記載のスクライブ装置において、
   前記第１のクラック浸透ツールの押圧位置と前記第２のクラック浸透ツールの押圧位置は、前記スクライブ方向において一致する、
   ことを特徴とするスクライブ装置。
4. 請求項２に記載のスクライブ装置において、
   前記第１のクラック浸透ツールの押圧位置と前記第２のクラック浸透ツールの押圧位置は、前記スクライブ方向において互いに変位している、
   ことを特徴とするスクライブ装置。
5. 請求項４に記載のスクライブ装置において、
   前記第１のクラック浸透ツールの押圧位置が前記第２のクラック浸透ツールの押圧位置に対して、前記スクライブ方向に先行している、
   ことを特徴とするスクライブ装置。
6. 第１基板と第２基板をシール材により貼り合わせてなるマザー基板にスクライブラインを形成するスクライブ装置において、
   前記マザー基板の一方の面に第１の刃を押しつけながら前記シール材に沿って前記第１の刃を移動させて前記一方の面に第１のスクライブラインを形成する第１のスクライビングツールと、
   前記マザー基板の他方の面に第２の刃を押しつけながら前記シール材に沿って前記第２の刃を移動させて前記他方の面に第２のスクライブラインを形成する第２のスクライビングツールと、
   前記第１のスクライビングツールに対してスクライブ方向の下流側に配置され、前記第１のスクライビングツールにより形成された前記第１のスクライブラインを開く方向の応力を前記マザー基板に付与するクラック浸透ツールと、を備え、
   前記第１の刃を前記第２の刃に対して前記スクライブ方向に変位させつつ前記第１のスクライビングツールと前記第２のスクライビングツールを移動させて前記第１のスクライブラインと前記第２スクライブラインを前記マザー基板に形成し、
   前記クラック浸透ツールを前記第１のスクライビングツールに後追いさせて前記第１のスクライビングツールにより形成された前記第１のスクライブラインのクラックを浸透させる、
   ことを特徴とするスクライブ装置。
7. 請求項６に記載のスクライブ装置において、
   前記クラック浸透ツールは、前記マザー基板の前記他方の面の前記第１のスクライブラインに対応する位置を押圧する第１のクラック浸透ツールと、前記マザー基板の前記一方の面の前記第１のスクライブラインを挟む位置を押圧する第２のクラック浸透ツールを含む、
   ことを特徴とするスクライブ装置。
8. 請求項６または７に記載のスクライブ装置において、
   前記第１および第２のスクライビングツールは、前記第２の刃が前記第１の刃に対し前記スクライブ方向において先行するよう移動される、
   ことを特徴とするスクライブ装置。
9. 請求項６または７に記載のスクライブ装置において、
   前記第１および第２のスクライビングツールは、前記第１の刃が前記第２の刃に対し前記スクライブ方向において先行するよう移動される、
   ことを特徴とするスクライブ装置。
10. 請求項６ないし９の何れか一項に記載のスクライブ装置において、
    前記第１のスクライビングツールは、前記第２のスクライビングツールの前記第２刃に対応する位置を前記一方の面において押さえる第１の押さえ部を備える、
    ことを特徴とするスクライブ装置。
11. 請求項６ないし１０の何れか一項に記載のスクライブ装置において、
    前記第２のスクライビングツールは、前記第１のスクライビングツールの前記第１刃に対応する位置を前記他方の面において押さえる第２の押さえ部を備える、
    ことを特徴とするスクライブ装置。