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JP2016111155A - Tape for wafer processing - Google Patents

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JP2016111155A
JP2016111155A JP2014246306A JP2014246306A JP2016111155A JP 2016111155 A JP2016111155 A JP 2016111155A JP 2014246306 A JP2014246306 A JP 2014246306A JP 2014246306 A JP2014246306 A JP 2014246306A JP 2016111155 A JP2016111155 A JP 2016111155A
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真沙美 青山
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和寛 木村
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登 佐久間
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a tape for wafer processing capable of reducing occurrence of a label trace and entangling of air between an adhesive layer and a mold releasing film.SOLUTION: A tape for wafer processing comprises: a long mold releasing film 11; an adhesive layer 12 having a prescribed planar shape and provided on a first surface of the mold releasing film 11; an adhesive film 13 covering the adhesive layer 12 and including a label part 13a having the prescribed planar shape and provided so as to come into contact with the mold releasing film 11 around the adhesive layer 12 and a peripheral part 13b provided so as to surround the outside of the label part 13a; and a support member 14 provided at both ends in a short direction of the mold releasing film 11 on a second surface opposite to the first surface of the mold releasing film 11. The support member 14 has a thickness 0.3 to 1.0 times of the thickness of the adhesive layer 12.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、ウェハ加工用テープに関し、特に、ダイシングテープとダイボンディングフィルムの2つの機能を有するウェハ加工用テープに関する。   The present invention relates to a wafer processing tape, and more particularly to a wafer processing tape having two functions of a dicing tape and a die bonding film.

近時、半導体ウェハを個々のチップに切断分離(ダイシング)する際に半導体ウェハを固定するためのダイシングテープと、切断された半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するため、又は、スタックドパッケージにおいては、半導体チップ同士を積層、接着するためのダイボンディングフィルム(ダイアタッチフィルムともいう)との2つの機能を併せ持つダイシング・ダイボンディングテープが開発されている。   Recently, dicing tape for fixing the semiconductor wafer when cutting and separating (dicing) the semiconductor wafer into individual chips, and bonding the cut semiconductor chip to a lead frame, a package substrate, etc., or stacked As a package, a dicing die bonding tape having two functions of a die bonding film (also referred to as a die attach film) for laminating and adhering semiconductor chips has been developed.

このようなダイシング・ダイボンディングテープとしては、ウェハへの貼り付けや、ダイシングの際のリングフレームへの取り付け等の作業性を考慮して、プリカット加工が施されたものがある。   Some dicing / die bonding tapes have been pre-cut in consideration of workability such as attachment to a wafer and attachment to a ring frame during dicing.

プリカット加工されたダイシング・ダイボンディングテープの例を、図3及び図4に示す。図3は、ダイシング・ダイボンディングテープをロール状に巻き取った状態を示す図であり、図4(a)は、ダイシング・ダイボンディングテープの平面図であり、図4(b)は、図4(a)の線B−Bによる断面図である。ダイシング・ダイボンディングテープ50は、離型フィルム51と、接着剤層52と、粘着フィルム53とからなる。接着剤層52は、ウェハの形状に対応する円形に加工されたものであり、円形ラベル形状を有する。粘着フィルム53は、ダイシング用のリングフレームの形状に対応する円形部分の周辺領域が除去されたものであり、図示のように、円形ラベル部53aと、その外側を囲むような周辺部53bとを有する。接着剤層52と粘着フィルム53の円形ラベル部53aとは、その中心を揃えて積層され、また、粘着フィルム53の円形ラベル部53aは、接着剤層52を覆い、且つ、その周囲で離型フィルム51に接触している。   Examples of the pre-cut processed dicing die bonding tape are shown in FIGS. 3 is a view showing a state in which the dicing die bonding tape is wound up in a roll shape, FIG. 4A is a plan view of the dicing die bonding tape, and FIG. 4B is a view showing FIG. It is sectional drawing by line BB of (a). The dicing die bonding tape 50 includes a release film 51, an adhesive layer 52, and an adhesive film 53. The adhesive layer 52 is processed into a circle corresponding to the shape of the wafer, and has a circular label shape. The adhesive film 53 is obtained by removing the peripheral area of the circular portion corresponding to the shape of the ring frame for dicing. As shown in the drawing, the adhesive film 53 includes a circular label portion 53a and a peripheral portion 53b surrounding the outside. Have. The adhesive layer 52 and the circular label portion 53a of the pressure-sensitive adhesive film 53 are laminated with their centers aligned, and the circular label portion 53a of the pressure-sensitive adhesive film 53 covers the adhesive layer 52 and is released from the periphery thereof. It is in contact with the film 51.

ウェハをダイシングする際には、積層状態の接着剤層52及び粘着フィルム53から離型フィルム51を剥離し、図5に示すように、接着剤層52上に半導体ウェハWの裏面を貼り付け、粘着フィルム53の円形ラベル部53aの外周部にダイシング用リングフレームRを粘着固定する。この状態で半導体ウェハWをダイシングし、その後、粘着フィルム53に紫外線照射等の硬化処理を施して半導体チップをピックアップする。このとき、粘着フィルム53は、硬化処理によって粘着力が低下しているので、接着剤層52から容易に剥離し、半導体チップは裏面に接着剤層52が付着した状態でピックアップされる。半導体チップの裏面に付着した接着剤層52は、その後、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際に、ダイボンディングフィルムとして機能する。   When dicing the wafer, the release film 51 is peeled off from the laminated adhesive layer 52 and the adhesive film 53, and the back surface of the semiconductor wafer W is pasted on the adhesive layer 52 as shown in FIG. The dicing ring frame R is adhesively fixed to the outer peripheral portion of the circular label portion 53a of the adhesive film 53. In this state, the semiconductor wafer W is diced, and then the adhesive film 53 is subjected to a curing process such as ultraviolet irradiation to pick up a semiconductor chip. At this time, since the adhesive film 53 has a reduced adhesive force due to the curing process, the adhesive film 53 is easily peeled off from the adhesive layer 52, and the semiconductor chip is picked up with the adhesive layer 52 attached to the back surface. The adhesive layer 52 attached to the back surface of the semiconductor chip then functions as a die bonding film when the semiconductor chip is bonded to a lead frame, a package substrate, or another semiconductor chip.

ところで、上記のようなダイシング・ダイボンディングテープ50は、接着剤層52と粘着フィルム53の円形ラベル部53aとが積層した部分は、粘着フィルム53の周辺部53bよりも厚い。このため、製品としてロール状に巻かれた際に、接着剤層52と粘着フィルム53の円形ラベル部53aの積層部分と、粘着フィルム53の周辺部53aとの段差が重なりあい、柔軟な接着剤層52表面に段差が転写される現象、すなわち図6に示すような転写痕(ラベル痕、シワ、又は、巻き跡ともいう)が発生する。このような転写痕の発生は、特に、接着剤層52が柔らかい樹脂で形成される場合や厚みがある場合、及びテープ50の巻き数が多い場合などに顕著である。そして、転写痕が発生すると、接着剤層と半導体ウェハとの接着不良により、ウェハの加工時に不具合が生じるおそれがある。   By the way, in the dicing die bonding tape 50 as described above, the portion where the adhesive layer 52 and the circular label portion 53a of the adhesive film 53 are laminated is thicker than the peripheral portion 53b of the adhesive film 53. Therefore, when the product is wound into a roll, the step between the adhesive layer 52 and the circular label portion 53a of the pressure-sensitive adhesive film 53 and the peripheral portion 53a of the pressure-sensitive adhesive film 53 overlap each other, so that the flexible adhesive A phenomenon in which a step is transferred to the surface of the layer 52, that is, a transfer mark (also referred to as a label mark, wrinkle, or winding mark) as shown in FIG. 6 occurs. Such transfer marks are particularly noticeable when the adhesive layer 52 is formed of a soft resin or has a thickness, or when the number of windings of the tape 50 is large. When the transfer mark is generated, there is a risk that a defect may occur during the processing of the wafer due to poor adhesion between the adhesive layer and the semiconductor wafer.

このような問題を解決するために、離型フィルムの、接着剤層及び粘着フィルムが設けられた第1の面とは反対の第2の面上であって、且つ、離型フィルムの短手方向両端部に支持部材を設けたウェハ加工用テープが開発されている(例えば、特許文献1参照)。このようなウェハ加工用テープは、支持部材が設けられているため、ウェハ加工用テープをロール状に巻き取った際に、テープに加わる巻き取り圧を分散する、或いは、支持部材に集めることができるので、接着剤層への転写跡の形成を抑制することができる。   In order to solve such a problem, the release film is on the second surface opposite to the first surface on which the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film are provided, and the release film is short. Wafer processing tapes having support members provided at both ends in the direction have been developed (see, for example, Patent Document 1). Since such a wafer processing tape is provided with a support member, when the wafer processing tape is wound into a roll, the winding pressure applied to the tape can be dispersed or collected on the support member. Therefore, it is possible to suppress the formation of transfer marks on the adhesive layer.

特許第4360653号公報Japanese Patent No. 4360653

一般的に粘着フィルム53は、接着剤層52を覆い、かつ、その周囲で離型フィルム51に接触しているが、接着剤層52の厚みにより、接着剤層52の周縁部には離型フィルム51と粘着フィルム53の間にごくわずかな空隙が生じ、空気(エア)が残る場合がある。このような離型フィルム51と粘着フィルム53の間のエアは、移動して円形ラベル部53aの外側へと逃げていくこともあり、そのような場合は物性には大きな影響は与えない。   In general, the pressure-sensitive adhesive film 53 covers the adhesive layer 52 and is in contact with the release film 51 around the adhesive layer 52. However, depending on the thickness of the adhesive layer 52, the peripheral portion of the adhesive layer 52 is released from the mold. There may be a slight gap between the film 51 and the adhesive film 53 and air may remain. Such air between the release film 51 and the adhesive film 53 may move and escape to the outside of the circular label portion 53a. In such a case, the physical properties are not greatly affected.

ところが、このような空気が、ウェハ加工用テープ50が輸送や保管されている途中で、接着剤層52と離型フィルム51の間に侵入し留まってしまい、接着剤層52が空気に押されて変型し、接着剤層52の平滑性が損なわれる場合があった。このような接着剤層52の変型は、特に、接着剤層52が比較的柔らかい樹脂で形成される場合、接着剤層52の厚みが厚い場合、及び、離型フィルム51と粘着フィルム53の弾性率の差異が大きい場合等に顕著に発生する。   However, such air enters and remains between the adhesive layer 52 and the release film 51 while the wafer processing tape 50 is being transported or stored, and the adhesive layer 52 is pushed by the air. And the smoothness of the adhesive layer 52 may be impaired. Such a modification of the adhesive layer 52 includes, in particular, the case where the adhesive layer 52 is formed of a relatively soft resin, the case where the thickness of the adhesive layer 52 is thick, and the elasticity of the release film 51 and the pressure-sensitive adhesive film 53. This occurs remarkably when the rate difference is large.

平滑性に欠陥のある接着剤層52が半導体ウェハに貼り付けられると、半導体ウェハと接着剤層52との間にボイドが発生することとなる。このようなボイドは、半導体ウェハ加工時に不具合を生じさせることとなり、製造される半導体装置の歩留りを低下させるおそれがある。   When the adhesive layer 52 having a defect in smoothness is attached to the semiconductor wafer, voids are generated between the semiconductor wafer and the adhesive layer 52. Such voids cause problems during the processing of semiconductor wafers, and may reduce the yield of manufactured semiconductor devices.

上記転写痕の発生を抑制するためには、ウェハ加工用テープ50の巻取り圧を弱くする方法が考えられるが、この方法では巻きズレが生じ、例えば、テープマウンターへのセットが困難となる等、実使用時に支障をきたすおそれがある。   In order to suppress the occurrence of the transfer mark, a method of reducing the winding pressure of the wafer processing tape 50 is conceivable. However, this method causes winding deviation, for example, it is difficult to set the tape on the tape mounter. There is a risk of hindrance during actual use.

特許文献1のウェハ加工用テープのように支持部材を設けるときに、効果的に転写痕を防止するために支持部材の厚みを接着剤層の厚みと同等以上とした場合、ウェハ加工用テープをロール状に巻いたとき、巻き圧による押圧力が、接着剤層の外側の部分の方に、接着剤層に対応する部分以上にかかってしまうため、接着剤層周縁部のエアを接着剤層の内側に誘引しやすくなるということがわかった。   When providing a support member as in the wafer processing tape of Patent Document 1, in order to effectively prevent transfer marks, the thickness of the support member is equal to or greater than the thickness of the adhesive layer. When wound in a roll shape, the pressing force by the winding pressure is applied to the outer part of the adhesive layer over the part corresponding to the adhesive layer. It turned out that it would be easier to attract inside.

そこで、本発明は、ラベル痕の発生を低減することができ、かつ、接着剤層と離型フィルムとの間に空気(エア)を巻き込むのを低減することができるウェハ加工用テープを提供することを課題とする。   Therefore, the present invention provides a wafer processing tape that can reduce the generation of label marks and can reduce air entrainment between an adhesive layer and a release film. This is the issue.

以上の課題を解決するため、本発明に係るウェハ加工用テープは、長尺の離型フィルムと、前記離型フィルムの第1の面上に設けられた所定の平面形状を有する接着剤層と、前記接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層の周囲で前記離型フィルムに接触するように設けられた所定の平面形状を有するラベル部と、前記ラベル部の外側を囲むような周辺部とを有する粘着フィルムと、前記離型フィルムの、前記接着剤層及び粘着フィルムが設けられた第1の面とは反対の第2の面上であって、かつ、前記離型フィルムの短手方向両端部に設けられた支持部材とを有し、前記支持部材は、前記接着剤層の厚さの0.3倍以上1.0倍未満の厚さを有することを特徴とする。   In order to solve the above problems, a wafer processing tape according to the present invention includes a long release film, and an adhesive layer having a predetermined planar shape provided on the first surface of the release film. A label portion having a predetermined planar shape that covers the adhesive layer and is in contact with the release film around the adhesive layer, and a peripheral portion that surrounds the outside of the label portion On the second surface of the release film opposite to the first surface on which the adhesive layer and the adhesive film are provided, and the short side of the release film Support members provided at both ends in the direction, and the support members have a thickness of 0.3 to 1.0 times the thickness of the adhesive layer.

また、上記半導体加工用テープは、前記支持部材の線膨張係数が300ppm/℃以下であることが好ましい。   The semiconductor processing tape preferably has a linear expansion coefficient of 300 ppm / ° C. or less of the support member.

また、上記半導体加工用テープは、前記支持部材の線膨張係数と前記離型フィルムの線膨張係数の差が250ppm/℃以下であることが好ましい。   In the semiconductor processing tape, the difference between the linear expansion coefficient of the support member and the linear expansion coefficient of the release film is preferably 250 ppm / ° C. or less.

また、上記半導体加工用テープの前記粘着フィルムは、粘着剤層と基材フィルムとを有し、前記基材フィルムと前記支持部材との間の静摩擦係数が0.2〜2.0であることが好ましい。   Moreover, the said adhesive film of the said tape for semiconductor processing has an adhesive layer and a base film, and the static friction coefficient between the said base film and the said supporting member is 0.2-2.0. Is preferred.

また、上記半導体加工用テープは、支持部材が、前記離型フィルムの前記第2の面上の、前記第1の面に設けられた前記接着剤層の外側に対応する領域に設けられていることが好ましい。   In the semiconductor processing tape, a support member is provided in a region corresponding to the outside of the adhesive layer provided on the first surface on the second surface of the release film. It is preferable.

また、上記半導体加工用テープは、前記支持部材は、前記離型フィルムの長手方向に沿って連続的に設けられていることが好ましい。   In the semiconductor processing tape, the support member is preferably provided continuously along the longitudinal direction of the release film.

また、上記半導体加工用テープは、前記支持部材が、着色されていてもよい。このとき、支持部材は、ウェハ加工用テープの種類に応じて着色されていることが好ましい。また、ウェハ加工用テープの厚さに応じて着色されていてもよい。   In the semiconductor processing tape, the support member may be colored. At this time, it is preferable that the supporting member is colored according to the kind of wafer processing tape. Moreover, it may be colored according to the thickness of the wafer processing tape.

また、上記半導体加工用テープは、前記支持部材が2層以上の積層構造を有することが好ましい。   In the semiconductor processing tape, the support member preferably has a laminated structure of two or more layers.

また、上記半導体加工用テープは、前記支持部材は、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、及び高密度ポリエチレンからなる群から選択される樹脂フィルム基材に粘接着剤を塗布した粘接着テープであることが好ましい。   In the semiconductor processing tape, the support member may be an adhesive tape obtained by applying an adhesive to a resin film substrate selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polypropylene, and high-density polyethylene. preferable.

また、上記半導体加工用テープは、23℃における前記粘着フィルムの引張貯蔵弾性率Ebと、23℃における前記離型フィルムの引張貯蔵弾性率Eaとの比Eb/Eaが、0.001〜100であることが好ましい。   Further, in the tape for semiconductor processing, the ratio Eb / Ea between the tensile storage elastic modulus Eb of the pressure-sensitive adhesive film at 23 ° C. and the tensile storage elastic modulus Ea of the release film at 23 ° C. is 0.001 to 100. Preferably there is.

また、上記半導体加工用テープは、記離型フィルムの厚みTaと、前記粘着フィルムの厚みTbとの比Ta/Tbが、0.07〜2.5であることが好ましい。   Moreover, it is preferable that ratio Ta / Tb of the thickness Ta of a release film and the thickness Tb of the said adhesive film is 0.07-2.5.

また、上記半導体加工用テープは、温度23±2℃、剥離速度300mm/minの条件下でのT型剥離試験における、前記接着剤層と前記離型フィルムの間の剥離力F1が0.025〜0.075N/100mmであり、前記接着剤層と前記粘着フィルムの間の剥離力F2が0.08〜10N/100mmであり、F1<F2であることが好ましい。   The semiconductor processing tape has a peel force F1 between the adhesive layer and the release film of 0.025 in a T-type peel test under conditions of a temperature of 23 ± 2 ° C. and a peel speed of 300 mm / min. It is -0.075N / 100mm, It is preferable that peeling force F2 between the said adhesive bond layer and the said adhesive film is 0.08-10N / 100mm, and is F1 <F2.

本発明によれば、ラベル痕の発生を低減することができ、かつ、接着剤層と粘着フィルムとの間に空気(エア)を巻き込むのを低減することができる。   According to this invention, generation | occurrence | production of a label trace can be reduced and it can reduce entrainment of air (air) between an adhesive bond layer and an adhesive film.

(a)は、本発明の実施形態に係るウェハ加工用テープの平面図であり、(b)は、(a)の線A−Aによる断面図である。(A) is a top view of the tape for wafer processing which concerns on embodiment of this invention, (b) is sectional drawing by line AA of (a). 本発明の他の実施形態に係るウェハ加工用テープの断面図である。It is sectional drawing of the tape for wafer processing which concerns on other embodiment of this invention. 従来のウェハ加工用テープの斜視図である。It is a perspective view of the conventional wafer processing tape. (a)は、従来のウェハ加工用テープの平面図であり、(b)は、(a)の線B−Bによる断面図である。(A) is a top view of the conventional tape for wafer processing, (b) is sectional drawing by line BB of (a). ウェハ加工用テープとダイシング用リングフレームとが貼り合わされた状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state by which the tape for wafer processing and the ring frame for dicing were bonded together. 従来のウェハ加工用テープの不具合を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the malfunction of the conventional tape for wafer processing.

以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1(a)は、本発明の実施形態に係るウェハ加工用テープ(ダイシング・ダイボンディングテープ)の平面図、図1(b)は、図1(a)の線A−Aによる断面図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1A is a plan view of a wafer processing tape (dicing die bonding tape) according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. is there.

図1(a)及び図1(b)に示すように、ウェハ加工用テープ10は、長尺の離型フィルム11と、接着剤層12と、粘着フィルム13と、支持部材14とを有する。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the wafer processing tape 10 includes a long release film 11, an adhesive layer 12, an adhesive film 13, and a support member 14.

接着剤層12は、離型フィルムの第1の面上に設けられ、ウェハの形状に対応した円形ラベル形状を有している。粘着フィルム13は、接着剤層12を覆い、且つ、接着剤層12の周囲で離型フィルムに接触するように設けられた円形ラベル部13aと、この円形ラベル部13aの外側を囲むような周辺部13bとを有する。周辺部13bは、円形ラベル部13aの外側を完全に囲む形態と、図示のような完全には囲まない形態とを含む。円形ラベル部13aは、ダイシング用のリングフレームに対応する形状を有する。そして、支持部材14は、離型フィルム11の、接着剤12及び粘着フィルム13が設けられた第1の面11aとは反対の第2の面11bであって、かつ、離型フィルム11の短手方向両端部に設けられ、接着剤層12の厚さの0.3倍以上1.0倍未満の厚さを有する。   The adhesive layer 12 is provided on the first surface of the release film and has a circular label shape corresponding to the shape of the wafer. The pressure-sensitive adhesive film 13 covers the adhesive layer 12 and has a circular label portion 13a provided so as to come into contact with the release film around the adhesive layer 12, and a periphery surrounding the outside of the circular label portion 13a. Part 13b. The peripheral portion 13b includes a form that completely surrounds the outer side of the circular label portion 13a and a form that is not completely surrounded as illustrated. The circular label portion 13a has a shape corresponding to a ring frame for dicing. The support member 14 is a second surface 11b of the release film 11 opposite to the first surface 11a on which the adhesive 12 and the pressure-sensitive adhesive film 13 are provided. Provided at both ends in the hand direction, the thickness of the adhesive layer 12 is not less than 0.3 times and less than 1.0 times.

以下、本実施形態のウェハ加工用テープ10の各構成要素について詳細に説明する。   Hereafter, each component of the tape 10 for wafer processing of this embodiment is demonstrated in detail.

(離型フィルム)
本発明のウェハ加工用テープ10に用いられる離型フィルム11としては、ポリエステル(PET、PBT、PEN、PBN、PTT)系、ポリオレフィン(PP、PE)系、共重合体(EVA、EEA、EBA)系、またこれらの材料を一部置換して、更に接着性や機械的強度を向上したフィルム使用することができる。また、これらのフィルムの積層体であってもよい。
(Release film)
As the release film 11 used for the wafer processing tape 10 of the present invention, polyester (PET, PBT, PEN, PBN, PTT) type, polyolefin (PP, PE) type, copolymer (EVA, EEA, EBA) It is possible to use a film having a further improved adhesiveness and mechanical strength by partially replacing these materials and these materials. Moreover, the laminated body of these films may be sufficient.

離型フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、25〜50μmが好ましい。   The thickness of the release film is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 25 to 50 μm.

(接着剤層)
本発明の接着剤層12は、上述のように、離型フィルム11の第1の面11a上に形成され、ウェハの形状に対応する円形ラベル形状を有する。
(Adhesive layer)
As described above, the adhesive layer 12 of the present invention is formed on the first surface 11a of the release film 11 and has a circular label shape corresponding to the shape of the wafer.

接着剤層12は、半導体ウェハ等が貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、チップ裏面に付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。接着剤層12としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂から選択される少なくとも1種を含む粘接着剤等を好ましく使用することができる。この他、ポリイミド系樹脂やシリコーン系樹脂を使用することもできる。その厚さは適宜設定してよいが、5〜100μm程度が好ましい。   The adhesive layer 12 is attached to the back surface of the chip when the chip is picked up after the semiconductor wafer or the like is bonded and diced, and is used as an adhesive when fixing the chip to the substrate or the lead frame. Is. As the adhesive layer 12, an adhesive containing at least one selected from an epoxy resin, an acrylic resin, and a phenol resin can be preferably used. In addition, a polyimide resin or a silicone resin can also be used. The thickness may be appropriately set, but is preferably about 5 to 100 μm.

(粘着フィルム)
本発明の粘着フィルム13は、上述のように、ダイシング用のリングフレームの形状に対応する円形ラベル部13aと、その外側を囲むような周辺部13bとを有する。このような粘着フィルムは、プリカット加工により、フィルム状粘着剤から円形ラベル部13aの周辺領域を除去することで形成することができる。
(Adhesive film)
As described above, the adhesive film 13 of the present invention has the circular label portion 13a corresponding to the shape of the ring frame for dicing, and the peripheral portion 13b surrounding the outside. Such an adhesive film can be formed by removing the peripheral region of the circular label portion 13a from the film-like adhesive by precut processing.

粘着フィルム13としては、特に制限はなく、ウェハをダイシングする際にはウェハが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後にチップをピックアップする際には容易に接着剤層から剥離できるよう低い粘着力を示すものであればよい。例えば、基材フィルムに粘着剤層を設けたものを好適に使用できる。   The adhesive film 13 is not particularly limited, and has a sufficient adhesive force so that the wafer does not peel when dicing the wafer, and can be easily peeled from the adhesive layer when picking up the chip after dicing. Any material that exhibits low adhesive strength may be used. For example, what provided the adhesive layer in the base film can be used conveniently.

粘着フィルム13の基材フィルムとしては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述の粘着剤層として放射線硬化性の材料を使用する場合には、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。   The base film of the adhesive film 13 can be used without particular limitation as long as it is a conventionally known base film. However, when a radiation curable material is used as the adhesive layer described later, the radiation transparency is used. It is preferable to use one having

例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−1、ポリ−4−メチルペンテン−1、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルムはこれらの群から選ばれる2種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。
基材フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、50〜200μmが好ましい。
For example, as the material, polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic Α-olefin homopolymer or copolymer such as acid methyl copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer or a mixture thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymer, polyamide-polyol Listed are thermoplastic elastomers such as copolymers, and mixtures thereof. Further, the base film may be a mixture of two or more materials selected from these groups, or may be a single layer or a multilayer.
The thickness of the base film is not particularly limited and may be set as appropriate, but is preferably 50 to 200 μm.

粘着フィルム13の粘着剤層に使用される樹脂としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができる。
粘着剤層13の樹脂には、アクリル系粘着剤、放射線重合性化合物、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤を調製することが好ましい。粘着剤層13の厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、5〜30μmが好ましい。
The resin used for the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film 13 is not particularly limited, and a known chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin, or the like used for the pressure-sensitive adhesive is used. can do.
It is preferable to prepare an adhesive by appropriately blending an acrylic adhesive, a radiation polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a curing agent and the like into the resin of the adhesive layer 13. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 13 is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 5 to 30 μm.

放射線重合性化合物を粘着剤層に配合して放射線硬化により接着剤層から剥離しやすくすることができる。その放射線重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分量化合物が用いられる。   A radiation-polymerizable compound can be blended in the pressure-sensitive adhesive layer to facilitate peeling from the adhesive layer by radiation curing. As the radiation polymerizable compound, for example, a low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule that can be three-dimensionally reticulated by light irradiation is used.

具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が適用可能である。   Specifically, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6 hexanediol diacrylate Acrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, and the like are applicable.

また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物(例えば、2,4−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシアナート、1,4−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン4,4−ジイソシアナートなど)を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート(例えば、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど)を反応させて得られる。
粘着剤層には、上記の樹脂から選ばれる2種以上が混合されたものでもよい。
In addition to the above acrylate compounds, urethane acrylate oligomers can also be used. The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diene). A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting isocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) with an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, 2-hydroxyethyl) Acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) Obtained by the reaction.
The pressure-sensitive adhesive layer may be a mixture of two or more selected from the above resins.

光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。これら光重合開始剤の配合量はアクリル系共重合体100質量部に対して0.01〜5質量部が好ましい。   When using a photopolymerization initiator, for example, isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyldimethyl ketal, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl Propane or the like can be used. The blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.

(支持部材)
支持部材14は、離型フィルム11の、接着剤12及び粘着フィルム13が設けられた第1の面11aとは反対の第2の面11bであって、かつ、離型フィルム11の短手方向両端部に設けられ、接着剤層12の厚さの0.3倍以上1.0倍未満の厚さを有する。このように、支持部材14を設けることで、ウェハ加工用テープ10をロール状に巻き取った際に、テープに加わる巻き取り圧を分散することができるので、接着剤層12への転写跡の形成を抑制することが可能となる。
(Support member)
The support member 14 is a second surface 11b of the release film 11 opposite to the first surface 11a on which the adhesive 12 and the adhesive film 13 are provided, and the short direction of the release film 11 Provided at both ends, the thickness of the adhesive layer 12 is 0.3 times or more and less than 1.0 times. Thus, by providing the support member 14, when the wafer processing tape 10 is wound into a roll shape, the winding pressure applied to the tape can be dispersed. Formation can be suppressed.

また、支持部材を接着剤層12及び粘着フィルム13が設けられた第1の面11aに形成する場合には、支持層の幅は円形ラベル部13aにかからない範囲にすることが好ましく、場合によっては制限があるのに対し、本実施形態の構成では、支持部材14の幅を広く確保することができ、より効果的に転写痕の発生を抑制できる。   Moreover, when forming a support member in the 1st surface 11a in which the adhesive bond layer 12 and the adhesive film 13 were provided, it is preferable to make the width | variety of a support layer into the range which does not cover the circular label part 13a, depending on the case. In contrast to the limitation, the configuration of the present embodiment can ensure a wide width of the support member 14 and more effectively suppress the generation of transfer marks.

さらに、支持部材を接着剤12及び粘着フィルム13が設けられた第1の面11aに形成する場合には、支持層の幅に制限があるのに対し、本実施形態の構成では、支持部材14の幅を広く確保することができ、より効果的に転写痕の発生を抑制できる。
さらに、支持部材14を離型フィルム11の第2の面11bに設けることで、支持部材14の位置ズレに対する許容度が大きくなるという効果が得られる。
Furthermore, when the support member is formed on the first surface 11a provided with the adhesive 12 and the pressure-sensitive adhesive film 13, the width of the support layer is limited, whereas in the configuration of the present embodiment, the support member 14 is used. Therefore, the generation of transfer marks can be more effectively suppressed.
Furthermore, by providing the support member 14 on the second surface 11b of the release film 11, an effect that the tolerance for the positional deviation of the support member 14 is increased can be obtained.

支持部材14は、離型フィルム11の第2の面11b上の、第1の面に設けられた接着剤層12の外側に対応する領域、すなわち、第2の面11b上において、図1(a)に示すような、離型フィルム11の端部から接着剤層12までの領域rに設けることが好ましい。このような構造により、テープ10を巻き取ったときに、接着剤層12と、離型フィルム11の第2の面11bに設けられた支持部材14とが重ならないので、転写痕の発生を抑制できるだけでなく、接着剤層12に支持部材14の痕が付くことも防止することができる。   In the region corresponding to the outside of the adhesive layer 12 provided on the first surface on the second surface 11b of the release film 11, that is, on the second surface 11b, the support member 14 is shown in FIG. It is preferable to provide in the area | region r from the edge part of the release film 11 to the adhesive bond layer 12 as shown to a). With such a structure, when the tape 10 is wound up, the adhesive layer 12 and the support member 14 provided on the second surface 11b of the release film 11 do not overlap with each other, thereby suppressing the generation of transfer marks. Not only can it be possible to prevent the support member 14 from being left on the adhesive layer 12.

支持部材14の厚さは、接着剤層12の厚さの0.3倍以上1.0倍未満である。支持部材14が接着剤層の1.0倍未満の厚さを有することで、テープ10を巻き取ったときに、粘着フィルム13とその表面に重なる離型フィルム11の第2の面11bとが接触して接着剤層12が巻き圧により押圧されるため、接着剤層12と離型フィルム11との間への空気の侵入を妨げ、ウェハ貼合時のボイド発生を抑制することができる。接着剤層12と離型フィルム11との間への空気の侵入自体をより防止するためには、支持部材14の厚さが粘着剤層の0.9倍未満であることがより好ましい。また、支持部材14が接着剤層の0.3倍以上の厚さを有することで、ラベル痕による接着剤層12の変型量を低減し、ウェハ貼合時の熱によりラベル痕を消滅させることができるため、ボイド発生を抑制することができる。低い貼合温度でもラベル痕を消滅させるためには、支持部材14の厚さが粘着剤層の0.5倍以上であることがより好ましい。   The thickness of the support member 14 is not less than 0.3 times and less than 1.0 times the thickness of the adhesive layer 12. Since the support member 14 has a thickness less than 1.0 times the adhesive layer, when the tape 10 is wound up, the adhesive film 13 and the second surface 11b of the release film 11 that overlaps the surface thereof are formed. Since it contacts and the adhesive layer 12 is pressed by the winding pressure, the intrusion of air between the adhesive layer 12 and the release film 11 can be prevented, and the generation of voids during wafer bonding can be suppressed. In order to further prevent the intrusion of air between the adhesive layer 12 and the release film 11, the thickness of the support member 14 is more preferably less than 0.9 times that of the pressure-sensitive adhesive layer. Moreover, since the support member 14 has a thickness of 0.3 times or more of the adhesive layer, the amount of deformation of the adhesive layer 12 due to the label mark is reduced, and the label mark is extinguished by heat at the time of wafer bonding. Therefore, generation of voids can be suppressed. In order to eliminate the label marks even at a low bonding temperature, the thickness of the support member 14 is more preferably 0.5 times or more that of the pressure-sensitive adhesive layer.

支持部材14は、離型フィルム11の長手方向に沿って、断続的又は連続的に設けることができるが、転写痕の発生をより効果的に抑制する観点からは、基材フィルム11の長手方向に沿って連続的に設けることが好ましい。   The support member 14 can be provided intermittently or continuously along the longitudinal direction of the release film 11, but from the viewpoint of more effectively suppressing the generation of transfer marks, the longitudinal direction of the base film 11. It is preferable to provide continuously along.

本発明の支持部材14は、300ppm/℃以下の線膨張係数を有することが好ましい。ウェハ加工用テープは、例えば、保管時や運送時には、−20℃〜5℃程度で低温状態が保たれ、また、ウェハ加工用テープの接着剤層をウェハに貼り合わせる際には、接着剤を加熱軟化させて接着性を高めるために、ヒーターテーブルにて70〜80℃程度の加熱貼合が行われるなど、ウェハ加工用テープは温度変化の大きい環境下におかれる。温度変化により支持部材14の寸法が変化すると、離型フィルム11と粘着フィルム13との間、及び、接着剤層12と粘着フィルム13との間に空気が浸入してボイドが発生し、ウェハに対する貼合不良が生じ、その後のウェハのダイシング工程やテープのエキスパンド工程、さらにはチップのピックアップ工程やマウント工程での歩留まりの低下をもたらす虞がある。本発明においては、300ppm/℃以下の線膨張係数の低い支持部材を使用することで、接着剤層12への転写痕の発生を充分に抑制するとともに、温度変化の大きい使用環境下においても支持部材13の寸法変化が少なく、ボイドの発生を抑制することができる。
転写痕の発生及びボイドの発生をより効果的に抑制するためには、支持部材14の線膨張係数は、150ppm/℃以下であることが好ましく、70ppm/℃以下であることがより好ましい。線膨張係数の下限は特に制限はなく、通常0.1ppm/℃である。
The support member 14 of the present invention preferably has a linear expansion coefficient of 300 ppm / ° C. or less. For example, the wafer processing tape is kept at a low temperature of about −20 ° C. to 5 ° C. at the time of storage or transportation, and when the adhesive layer of the wafer processing tape is bonded to the wafer, an adhesive is used. In order to heat soften and improve adhesiveness, the wafer processing tape is placed in an environment with a large temperature change, for example, heat bonding at about 70 to 80 ° C. is performed on a heater table. When the dimension of the support member 14 is changed due to temperature change, air enters between the release film 11 and the adhesive film 13 and between the adhesive layer 12 and the adhesive film 13 to generate voids. A bonding failure may occur, which may lead to a decrease in yield in the subsequent wafer dicing step, tape expanding step, chip pick-up step, and mounting step. In the present invention, by using a support member having a low coefficient of linear expansion of 300 ppm / ° C. or less, generation of transfer marks on the adhesive layer 12 is sufficiently suppressed, and support is also provided in an environment where the temperature changes greatly. The dimensional change of the member 13 is small, and the generation of voids can be suppressed.
In order to more effectively suppress the generation of transfer marks and voids, the linear expansion coefficient of the support member 14 is preferably 150 ppm / ° C. or less, and more preferably 70 ppm / ° C. or less. The lower limit of the linear expansion coefficient is not particularly limited, and is usually 0.1 ppm / ° C.

また、支持部材14の線膨張係数と離型フィルム11の線膨張係数の差は、250ppm/℃以下であることが好ましい。線膨張係数の差が250ppm/℃より大きい場合には、保管時及び運送時の低温状態と使用時の常温状態の温度変化によって、支持部材14と離型フィルム11との寸法差が生じることから、以下のような種々の不具合がある。
(1)温度変化によって寸法差が生じると、上述のような、離型フィルム11と粘着フィルム13との間、及び、接着剤層12と粘着フィルム13との間にボイドが発生する虞がある。
(2)ユーザーがロール状でハンドリングする際に、巻きが崩れる可能性が増す。より詳細には、例え製造、出荷時に正常に巻かれていても、ユーザー側での冷蔵保管から常温使用の際、及び、常温使用から冷蔵保管の際に寸法差が生じ、巻きが崩れる可能性が増す。
(3)寸法差によってロール状に巻かれたシート間に隙間が生じ、ロール側面からの異物混入の可能性が増す。
(4)ウェハ加工用テープの巻き数が多い場合や製品幅が広い場合には、常温から冷蔵保管する際に、ロール芯側とロール外周側では冷却速度が異なる。このため、ロール芯側とロール外周側とで線膨張差に起因する支持部材14と離型フィルム11の寸法差が異なり、ロール全体での形状が変化する可能性が高い。
The difference between the linear expansion coefficient of the support member 14 and the linear expansion coefficient of the release film 11 is preferably 250 ppm / ° C. or less. When the difference in linear expansion coefficient is larger than 250 ppm / ° C., a dimensional difference between the support member 14 and the release film 11 occurs due to a temperature change between a low temperature state during storage and transportation and a normal temperature state during use. There are various problems as follows.
(1) When a dimensional difference is caused by a temperature change, voids may be generated between the release film 11 and the adhesive film 13 and between the adhesive layer 12 and the adhesive film 13 as described above. .
(2) When the user handles the roll, the possibility that the winding will collapse increases. In more detail, even if it is wound normally at the time of manufacture and shipment, there is a possibility that a dimensional difference will occur between the user's refrigerated storage and the room temperature use, and the room temperature use to the refrigerated storage, and the winding may collapse. Increase.
(3) A gap is generated between the sheets wound in a roll shape due to the dimensional difference, and the possibility of contamination from the roll side surface increases.
(4) When the number of windings of the wafer processing tape is large or the product width is wide, the cooling rate is different between the roll core side and the roll outer peripheral side when refrigerated from room temperature. For this reason, the dimensional difference between the support member 14 and the release film 11 due to the linear expansion difference is different between the roll core side and the roll outer peripheral side, and the shape of the entire roll is likely to change.

本発明において、線膨張係数とは、定圧下で温度を変えたときに物体の空間的広がりの増加する割合をいう。温度をT、その固体の長さをLとすると、その線膨張係数αは以下の式で与えられる。
α=(1/L)・(∂L/∂T)
また、本発明における線膨張係数の測定は、例えば、JIS K7197、プラスチックの熱機械分析による線膨張率試験方法に準拠し、熱機械的分析装置(TMA)を用いて、長さ15mm、幅5mm、チャック間距離10mmに切断した試料を取付け、引張荷重10g、昇温速度5℃/min、N2ガス雰囲気下、測定温度範囲−20℃〜50℃の条件で測定することができる。
In the present invention, the coefficient of linear expansion refers to the rate at which the spatial extent of an object increases when the temperature is changed under constant pressure. When the temperature is T and the solid length is L, the linear expansion coefficient α is given by the following equation.
α = (1 / L) ・ (∂L / ∂T)
The measurement of the linear expansion coefficient in the present invention is, for example, based on JIS K7197, a linear expansion coefficient test method by thermomechanical analysis of plastic, using a thermomechanical analyzer (TMA), 15 mm in length and 5 mm in width. A sample cut at a distance between chucks of 10 mm is attached, and measurement can be performed under the conditions of a tensile load of 10 g, a heating rate of 5 ° C./min, and a measurement temperature range of −20 ° C. to 50 ° C. in an N 2 gas atmosphere.

また、支持部材14は、ウェハ加工用テープ10の巻きズレを防止する観点から、粘着フィルム13に対してある程度の摩擦係数を有する材質のものが好ましい。これにより、ウェハ加工用テープ10の巻きズレを防止でき、高速巻取りや巻取り数を増大させることができるといった効果が得られる。   Further, the support member 14 is preferably made of a material having a certain coefficient of friction with respect to the adhesive film 13 from the viewpoint of preventing the winding deviation of the wafer processing tape 10. Thereby, winding deviation of tape 10 for wafer processing can be prevented, and the effect that high-speed winding and the number of winding can be increased is acquired.

支持部材14と粘着フィルム13の基材フィルムとの間の静摩擦係数は、0.2〜2.0であることが好ましく、0.6〜1.6であることがより好ましい。ウェハ加工用テープをロール状に巻き取ると、離型フィルム11の第1の面11a側に設けられた粘着フィルム13の周辺部13aと、離型フィルム11の第2の面11b側に設けられた支持部材14とが接触することから、支持部材14と粘着フィルム13の基材フィルムとの間の静摩擦係数が0.2未満と小さい場合には、製造時や使用時に巻きズレが発生し易くなりハンドリング性が悪化する。一方、2.0より大きい場合には、粘着フィルム13の基材フィルムと支持部材14との間の抵抗が大きすぎて、製造工程でのハンドリング性が悪化したり、高速巻き取り時等に蛇行したりする原因となる。したがって、両者間の静摩擦係数を上記範囲に設定することで、ウェハ加工用テープ10の巻きズレを防止でき、高速巻取りを可能とし、巻取り数を増大させることができるといった効果が得られる。   The static friction coefficient between the support member 14 and the base film of the adhesive film 13 is preferably 0.2 to 2.0, and more preferably 0.6 to 1.6. When the wafer processing tape is wound into a roll, the peripheral portion 13a of the adhesive film 13 provided on the first surface 11a side of the release film 11 and the second surface 11b side of the release film 11 are provided. Since the support member 14 comes into contact, when the coefficient of static friction between the support member 14 and the base film of the adhesive film 13 is as small as less than 0.2, winding misalignment is likely to occur at the time of manufacture or use. The handling becomes worse. On the other hand, when the ratio is larger than 2.0, the resistance between the base film of the adhesive film 13 and the support member 14 is too large, the handling property in the manufacturing process is deteriorated, or meandering is performed at the time of high-speed winding. Cause it. Therefore, by setting the static friction coefficient between the two in the above range, it is possible to prevent the winding deviation of the wafer processing tape 10, enable high-speed winding, and increase the number of windings.

本発明において、支持部材14と粘着フィルム13の基材フィルムとの間の静摩擦係数は、JIS K7125に準拠し、以下のような測定方法により得ることができる。
25mm(幅)×100mm(長さ)にそれぞれカットされた粘着フィルム13の基材フィルムと支持部材14の両フィルムサンプルを重ね合わせ、下側のフィルムを固定する。次いで、積層されたフィルムの上に重量200gのおもりを荷重Wとして乗せ、上側のフィルムを200mm/minの速度で引張り、滑り出す際の力Fd(g)を測定し、以下の式から静摩擦係数(μd)を求める。
μd=Fd/W
In the present invention, the coefficient of static friction between the support member 14 and the base film of the pressure-sensitive adhesive film 13 can be obtained by the following measuring method based on JIS K7125.
The base film of the adhesive film 13 and the film sample of the support member 14 each cut to 25 mm (width) × 100 mm (length) are overlapped, and the lower film is fixed. Next, a weight of 200 g is placed on the laminated film as a load W, the upper film is pulled at a speed of 200 mm / min, and the force Fd (g) at the time of sliding is measured, and the static friction coefficient ( μd) is obtained.
μd = Fd / W

支持部材14としては、例えば、樹脂フィルム基材に粘接着剤を塗布した粘接着テープを好適に使用することができる。このような粘接着テープを、離型フィルム11の第2の面11bの両端部分の所定位置に貼り付けることで、本実施形態のウェハ加工用テープ10を形成することができる。   As the support member 14, for example, an adhesive tape obtained by applying an adhesive to a resin film substrate can be suitably used. By sticking such an adhesive tape to predetermined positions on both end portions of the second surface 11b of the release film 11, the wafer processing tape 10 of this embodiment can be formed.

粘接着テープの基材樹脂としては、上記線膨張係数の範囲を満たし、且つ、巻き圧に耐え得るものであれば特に限定はないが、耐熱性、平滑性、及び、入手し易さの点から、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリプロピレン、及び高密度ポリエチレンから選択されることが好ましい。
粘接着テープの粘着剤の組成及び物性については、特に限定はなく、テープ10の巻き取り工程及び保管工程において、離型フィルム11から剥離しないものであればよい。
The base resin of the adhesive tape is not particularly limited as long as it satisfies the range of the linear expansion coefficient and can withstand the winding pressure, but has heat resistance, smoothness, and availability. From the viewpoint, it is preferable to select from polyethylene terephthalate (PET), polypropylene, and high-density polyethylene.
There is no limitation in particular about the composition and physical property of the adhesive of an adhesive tape, and what is necessary is just what does not peel from the release film 11 in the winding-up process and storage process of the tape 10. FIG.

また、支持部材14としては、着色された支持部材を用いてもよい。このような着色支持部材を用いることで、ウェハ加工用テープをロール状に巻き取った際に、テープの種類を明確に識別することができる。例えば、着色支持部材14の色を、ウェハ加工用テープの種類や厚さによって異ならせることで、容易にテープの種類や厚さを識別することができ、人為的なミスの発生を抑制、防止することができる。   Further, as the support member 14, a colored support member may be used. By using such a colored support member, the type of tape can be clearly identified when the wafer processing tape is wound into a roll. For example, by changing the color of the colored support member 14 depending on the type and thickness of the wafer processing tape, the type and thickness of the tape can be easily identified, and the occurrence of human error is suppressed and prevented. can do.

また、ウェハ加工用テープ10は、23℃における粘着フィルム13の引張貯蔵弾性率Ebと、23℃における離型フィルム11の引張貯蔵弾性率Eaとの比Eb/Eaが0.001〜100の範囲内であることが好ましい。   Further, the wafer processing tape 10 has a ratio Eb / Ea between the tensile storage elastic modulus Eb of the adhesive film 13 at 23 ° C. and the tensile storage elastic modulus Ea of the release film 11 at 23 ° C. in the range of 0.001 to 100. It is preferable to be within.

前記Eb/Eaは、値が大きいほど相対的に粘着フィルム13が硬く、離型フィルム11が柔らかい。一方、前記Eb/Eaは、値が小さいほど相対的に粘着フィルム13が軟らかく、離型フィルム11が硬い。前記構成によれば、Eb/Eaが0.001以上であるため、粘着フィルムの硬さ(引張貯蔵弾性率Eb)は、一定以上となる。従って、ウェハ加工用テープ10構成する接着剤層12に転写痕が発生することを抑制することができる。また、前記Eb/Eaが0.001以上であり、粘着フィルム13の硬さ(引張貯蔵弾性率Eb)は、一定以上となるため、半導体ウェハWへの貼り合わせの際に、粘着フィルム13と離型フィルム11とを好適に剥離する(ベロ出しする)ことができる。   The larger the value of Eb / Ea, the harder the adhesive film 13 and the softer the release film 11. On the other hand, the smaller the value of Eb / Ea, the softer the adhesive film 13 and the harder the release film 11. According to the said structure, since Eb / Ea is 0.001 or more, the hardness (tensile storage elastic modulus Eb) of an adhesive film becomes more than fixed. Therefore, it is possible to suppress the generation of transfer marks on the adhesive layer 12 constituting the wafer processing tape 10. Further, since the Eb / Ea is 0.001 or more and the hardness (tensile storage elastic modulus Eb) of the adhesive film 13 is a certain value or more, when the adhesive film 13 is bonded to the semiconductor wafer W, The release film 11 can be suitably peeled (velocated).

また、前記Eb/Eaが100以下であるため、離型フィルム11の硬さ(引張貯蔵弾性率Ea)は、一定以上となる一方、粘着フィルム13の硬さ(引張貯蔵弾性率Eb)は、一定以下となる。従って、接着剤層12の離型フィルム11への貼り合わせの際に離型フィルム11に折れが発生することを抑制することができ、接着剤層12表面を傷つけたり、フィルム間に気泡が混入することを防止することができる。その結果、離型フィルム11のフィルム浮きや半導体ウェハWのマウントの際に接着剤層12と半導体ウェハWとの間でボイドが発生することを抑制することができる。   Further, since the Eb / Ea is 100 or less, the hardness of the release film 11 (tensile storage elastic modulus Ea) becomes a certain level or more, while the hardness of the adhesive film 13 (tensile storage elastic modulus Eb) is: Below a certain level. Therefore, it is possible to prevent the release film 11 from being broken when the adhesive layer 12 is bonded to the release film 11, and the surface of the adhesive layer 12 is damaged or air bubbles are mixed between the films. Can be prevented. As a result, it is possible to suppress the generation of voids between the adhesive layer 12 and the semiconductor wafer W when the release film 11 is lifted or the semiconductor wafer W is mounted.

このように、前記構成によれば、ロール状に巻き取った際に、転写痕が接着剤層12に発生することを抑制することができる。また、離型フィルム11のフィルム浮きや、半導体ウェハWのマウントの際に接着剤層12と半導体ウェハWとの間でボイドが発生することを抑制することができる。   Thus, according to the said structure, when winding up in roll shape, it can suppress that a transfer trace generate | occur | produces in the adhesive bond layer 12. FIG. In addition, it is possible to suppress the generation of voids between the adhesive layer 12 and the semiconductor wafer W when the release film 11 floats or the semiconductor wafer W is mounted.

前記構成において、離型フィルム11の厚みは、10〜100μmであることが好ましく、粘着フィルム13の厚みは、25〜180μmであることが好ましい。   The said structure WHEREIN: It is preferable that the thickness of the release film 11 is 10-100 micrometers, and it is preferable that the thickness of the adhesive film 13 is 25-180 micrometers.

また、前記構成において、23℃における粘着フィルム13の引張貯蔵弾性率Ebは、1〜500MPaであることが好ましく、23℃における離型フィルム11の引張貯蔵弾性率Eaは、1〜5000MPaであることが好ましい。   Moreover, in the said structure, it is preferable that the tensile storage elastic modulus Eb of the adhesive film 13 in 23 degreeC is 1-500 Mpa, and the tensile storage elastic modulus Ea of the release film 11 in 23 degreeC is 1-5000 Mpa. Is preferred.

また、前記構成において、接着剤層12は、ガラス転移温度が0〜100℃の範囲内であり、かつ、硬化前23℃における引張貯蔵弾性率が50MPa〜5000MPaの範囲であることが好ましい。接着剤層12のガラス転移温度を0℃以上にすることにより、Bステージ状態での接着剤層12のタック性が大きくなるのを抑制し、良好な取り扱い性を維持することができる。また、ダイシングの際に、接着剤層12の一部が溶融して粘着剤が半導体チップに付着するのを防止することができる。その結果、半導体チップの良好なピックアップ性を維持することができる。その一方、ガラス転移温度を100℃以下にすることにより、接着剤層12の流動性の低下を防止できる。また、半導体ウェハWとの良好な接着性も維持することができる。なお、接着剤層12が熱硬化型の場合、接着剤層12のガラス転移温度とは、熱硬化前のことをいう。また、接着剤層12の硬化前23℃における引張貯蔵弾性率を50MPa以上にすることにより、ダイシングの際に、接着剤層12の一部が溶融して粘着剤が半導体チップに付着するのを防止することができる。その一方、引張貯蔵弾性率を5000MPa以下にすることにより、半導体ウェハWや基板との良好な接着性も維持することができる。   Moreover, in the said structure, it is preferable that the adhesive bond layer 12 has the glass transition temperature within the range of 0-100 degreeC, and the tensile storage elastic modulus in 23 degreeC before hardening is the range of 50 MPa-5000 MPa. By setting the glass transition temperature of the adhesive layer 12 to 0 ° C. or higher, it is possible to suppress the tackiness of the adhesive layer 12 in the B-stage state from being increased, and to maintain good handleability. In addition, it is possible to prevent a part of the adhesive layer 12 from melting and sticking the adhesive to the semiconductor chip during dicing. As a result, a good pick-up property of the semiconductor chip can be maintained. On the other hand, by setting the glass transition temperature to 100 ° C. or lower, it is possible to prevent a decrease in fluidity of the adhesive layer 12. Also, good adhesion with the semiconductor wafer W can be maintained. In addition, when the adhesive bond layer 12 is a thermosetting type, the glass transition temperature of the adhesive bond layer 12 means the thing before thermosetting. Further, by setting the tensile storage modulus at 23 ° C. before curing of the adhesive layer 12 to 50 MPa or more, a part of the adhesive layer 12 is melted and the pressure-sensitive adhesive adheres to the semiconductor chip during dicing. Can be prevented. On the other hand, by setting the tensile storage elastic modulus to 5000 MPa or less, good adhesion to the semiconductor wafer W and the substrate can also be maintained.

さらに、ウェハ加工用テープ10は、離型フィルム11の厚みをTaとし、粘着フィルム13の厚みをTbとしたとき、Ta/Tbが0.07〜2.5の範囲内であることが好ましい。   Further, in the wafer processing tape 10, when the thickness of the release film 11 is Ta and the thickness of the adhesive film 13 is Tb, Ta / Tb is preferably in the range of 0.07 to 2.5.

前記Ta/Tbは、例えば、離型フィルム11の厚みTaを一定とすると、値が小さいほど、粘着フィルム13が厚くなる。前記構成によれば、Ta/Tbが0.07以上であるため、粘着フィルム13が積層されている部分と、積層されていない部分との段差は一定以下である。従って、転写痕の発生を抑制することができる。また、前記Ta/Tbが0.07以上であり、離型フィルム11に比して粘着フィルム13の厚みが厚いため、離型フィルム11の厚みにより応力を吸収することができ、転写痕の発生を抑制することができる。また、前記Ta/Tbが0.07以上であり、離型フィルム11に比して粘着フィルム13の厚みが厚いため、半導体ウェハWへの貼り合わせの際に、粘着フィルム13と離型フィルム11とを好適に剥離する(ベロ出しする)ことができる。また、前記Ta/Tbは、例えば、粘着フィルム13の厚みTbを一定とすると、値が小さいほど、離型フィルム11の厚みは薄くなる。前記Ta/Tbが2.5以下であるため、離型フィルム11の厚さは一定以下である。従って、粘着フィルム13が積層されている部分と、積層されていない部分との段差への追従性が良好である。また、前記Ta/Tbが2.5以下であり、離型フィルム11の厚さは一定以下であるため、粘着フィルム13を離型フィルムにラミネートする際の圧力を均一とすることができ、気泡の混入を防止することができる。このように、前記構成によれば、粘着フィルム13上に接着剤層12及び離型フィルム11が順次積層されたウェハ加工用テープ10をロール状に巻き取った際に、転写痕が接着剤層12に発生することを抑制することが可能となる。   For example, when the thickness Ta of the release film 11 is constant, the Ta / Tb becomes thicker as the value is smaller. According to the said structure, since Ta / Tb is 0.07 or more, the level | step difference between the part by which the adhesive film 13 is laminated | stacked and the part which is not laminated | stacked is below fixed. Therefore, generation of transfer marks can be suppressed. Further, since the Ta / Tb is 0.07 or more and the thickness of the adhesive film 13 is larger than that of the release film 11, the stress can be absorbed by the thickness of the release film 11, and the transfer mark is generated. Can be suppressed. Further, since the Ta / Tb is 0.07 or more and the thickness of the adhesive film 13 is thicker than that of the release film 11, the adhesive film 13 and the release film 11 are bonded to the semiconductor wafer W. Can be suitably peeled off. For example, when the thickness Tb of the adhesive film 13 is constant, the Ta / Tb becomes thinner as the value becomes smaller. Since the Ta / Tb is 2.5 or less, the thickness of the release film 11 is a certain value or less. Therefore, the followability to the level | step difference of the part by which the adhesive film 13 is laminated | stacked and the part which is not laminated | stacked is favorable. Further, since the Ta / Tb is 2.5 or less and the thickness of the release film 11 is less than a certain value, the pressure when the adhesive film 13 is laminated on the release film can be made uniform, Can be prevented. Thus, according to the above configuration, when the wafer processing tape 10 in which the adhesive layer 12 and the release film 11 are sequentially laminated on the pressure-sensitive adhesive film 13 is wound into a roll shape, the transfer mark is formed on the adhesive layer. 12 can be suppressed.

前記構成においては、温度23±2℃、剥離速度300mm/minの条件下でのT型剥離試験における、接着剤層12と離型フィルム11の間の剥離力F1は0.025〜0.075N/100mmの範囲内であり、接着剤層12と粘着フィルム13の間の剥離力F2は0.08〜10N/100mmの範囲内であり、前記F1と前記F2はF1<F2の関係を満たすことが好ましい。   In the above configuration, the peel force F1 between the adhesive layer 12 and the release film 11 in a T-type peel test under the conditions of a temperature of 23 ± 2 ° C. and a peel speed of 300 mm / min is 0.025 to 0.075 N. The peel force F2 between the adhesive layer 12 and the adhesive film 13 is in the range of 0.08 to 10 N / 100 mm, and the F1 and the F2 satisfy the relationship of F1 <F2. Is preferred.

ウェハ加工用テープ10は、弛みや巻ズレ、位置ズレ、ボイド(気泡)等の発生防止の観点から、粘着フィルム13や接着剤層12、離型フィルム11に引張張力を加えながら製造される。その結果、ウェハ加工用テープ10は、それを構成するフィルムの何れかに引張残留歪みが存在した状態で製造される。この引張残留歪みは、例えば、−30〜10℃の低温状態で輸送したり長時間保管した場合に、各フィルムで収縮を引き起こす。更に、各フィルムは物性が相違することから収縮の程度も相違する。例えば、粘着フィルム13は各フィルムの中で最も収縮の程度が大きく、離型フィルム11は最も収縮の程度が小さい。その結果、粘着フィルム13と接着剤層12の間で界面剥離を生じさせたり、離型フィルム11のフィルム浮き現象を引き起こす。   The wafer processing tape 10 is manufactured while applying tensile tension to the adhesive film 13, the adhesive layer 12, and the release film 11 from the viewpoint of preventing the occurrence of loosening, winding deviation, positional deviation, voids (bubbles), and the like. As a result, the wafer processing tape 10 is manufactured in a state where a tensile residual strain exists in any of the films constituting the wafer processing tape 10. This tensile residual strain causes shrinkage in each film, for example, when transported at a low temperature of −30 to 10 ° C. or stored for a long time. Furthermore, since each film has different physical properties, the degree of shrinkage also differs. For example, the pressure-sensitive adhesive film 13 has the largest degree of shrinkage among the films, and the release film 11 has the smallest degree of shrinkage. As a result, interfacial peeling occurs between the pressure-sensitive adhesive film 13 and the adhesive layer 12, and a film floating phenomenon of the release film 11 is caused.

前記構成は、接着剤層12と離型フィルム11の間の剥離力F1を0.025〜0.075N/100mmの範囲とし、かつ、接着剤層12と粘着フィルム13の間の剥離力F2を0.08〜10N/100mmの範囲内とした上で、F1<F2の関係を満たす構成とするものである。前述の通り、各フィルムにおける収縮は粘着フィルムが最も大きいことから、接着剤層12と離型フィルム11の間の剥離力F1よりも、接着剤層12と粘着フィルム13の間の剥離力F2を大きくすることで、最も収縮率の大きい粘着フィルム13の収縮を抑制し、粘着フィルム13と接着剤層12の間の界面剥離や、離型フィルム11のフィルム浮き現象を防止するものである。更に、接着剤層12の一部又は全部が離型フィルム11に転写することも防止できる。   The said structure makes peeling force F1 between the adhesive layer 12 and the release film 11 into the range of 0.025-0.075N / 100mm, and makes peeling force F2 between the adhesive layer 12 and the adhesion film 13 into the range. It is set as the structure which satisfy | fills the relationship of F1 <F2, after setting it as the range of 0.08-10N / 100mm. As described above, since the pressure-sensitive adhesive film has the largest shrinkage in each film, the peeling force F2 between the adhesive layer 12 and the pressure-sensitive adhesive film 13 is greater than the peeling force F1 between the adhesive layer 12 and the release film 11. By enlarging, the shrinkage of the pressure-sensitive adhesive film 13 having the largest shrinkage rate is suppressed, and the interface peeling between the pressure-sensitive adhesive film 13 and the adhesive layer 12 and the film lifting phenomenon of the release film 11 are prevented. Furthermore, it is possible to prevent a part or all of the adhesive layer 12 from being transferred to the release film 11.

次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   Next, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these examples.

(1)離型フィルム
以下に示す離型フィルムを用意した。
離型フィルムA1:厚さ25μmのシリコーン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム(引張貯蔵弾性率は4070MPa、線膨張係数は60ppm)
離型フィルムA2:厚さ100μmのシリコーン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム(引張貯蔵弾性率は3910MPa、線膨張係数は60ppm)
離型フィルムA3:厚さ12μmのシリコーン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム(引張貯蔵弾性率は4020MPa、線膨張係数は60ppm)
離型フィルムA4:厚さ38μmのシリコーン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム(張貯蔵弾性率は4020MPa、線膨張係数は60ppm)
離型フィルムA5:厚さ25μmのシリコーン離型処理した低密度ポリエチレン(LDPE)フィルム(引張貯蔵弾性率は105MPa、線膨張係数は230ppm)
(1) Release film The release film shown below was prepared.
Release film A1: Polyethylene terephthalate film having a thickness of 25 μm and subjected to silicone release treatment (tensile storage elastic modulus is 4070 MPa, linear expansion coefficient is 60 ppm)
Release film A2: Polyethylene terephthalate film having a thickness of 100 μm and subjected to silicone release treatment (tensile storage elastic modulus is 3910 MPa, linear expansion coefficient is 60 ppm)
Release film A3: Polyethylene terephthalate film having a thickness of 12 μm and subjected to silicone release treatment (tensile storage elastic modulus is 4020 MPa, linear expansion coefficient is 60 ppm)
Release film A4: Polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 μm and subjected to a silicone release treatment (tensile storage elastic modulus is 4020 MPa, linear expansion coefficient is 60 ppm)
Release film A5: Low density polyethylene (LDPE) film treated with silicone release with a thickness of 25 μm (tensile storage modulus is 105 MPa, linear expansion coefficient is 230 ppm)

(2)粘着フィルムの作製
<粘着フィルムB1>
官能基を有するアクリル系共重合体として、2−エチルヘキシルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメタクリル酸からなり、2−エチルヘキシルアクリレートの比率が60モル%、質量平均分子量70万の共重合体を調製した。次に、ヨウ素価が20となるように、2−イソシアナトエチルメタクリレートを添加して、ガラス転移温度−50℃、水酸基価10mgKOH/g、酸価5mgKOH/gのアクリル系共重合体(b−1)を調製した。
(2) Production of adhesive film <Adhesive film B1>
As an acrylic copolymer having a functional group, a copolymer consisting of 2-ethylhexyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and methacrylic acid and having a ratio of 2-ethylhexyl acrylate of 60 mol% and a mass average molecular weight of 700,000 was prepared. . Next, 2-isocyanatoethyl methacrylate was added so that the iodine value would be 20, and an acrylic copolymer (b-) having a glass transition temperature of −50 ° C., a hydroxyl value of 10 mgKOH / g, and an acid value of 5 mgKOH / g. 1) was prepared.

アクリル系共重合体(b−1)100質量部に対して、ポリイソシアネートとしてコロネートL(日本ポリウレタン製)を5質量部加え、光重合開始剤としてEsacure KIP 150(Lamberti社製)を3質量部加えた混合物を、酢酸エチルに溶解させ、攪拌して粘着剤組成物を調製した。
次に、離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーにこの粘着剤組成物を、乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させた後、エチレン・酢酸ビニル共重合体(東ソ一製、ウルトラセン636)よりなる基材フィルム(厚さ50μm)と貼り合わせ、厚さ60μmの粘着フィルムB1を作製した。引張貯蔵弾性率は40MPaであった。
5 parts by mass of Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane) as a polyisocyanate is added to 100 parts by mass of the acrylic copolymer (b-1), and 3 parts by mass of Esacure KIP 150 (manufactured by Lamberti) as a photopolymerization initiator. The added mixture was dissolved in ethyl acetate and stirred to prepare a pressure-sensitive adhesive composition.
Next, this pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner composed of a polyethylene terephthalate film subjected to a release treatment so that the thickness after drying was 10 μm, dried at 110 ° C. for 3 minutes, and then ethylene / acetic acid. A base film (thickness: 50 μm) made of a vinyl copolymer (manufactured by Tosohichi Co., Ltd., Ultrasen 636) was bonded to prepare an adhesive film B1 having a thickness of 60 μm. The tensile storage elastic modulus was 40 MPa.

<粘着フィルムB2>
離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに前記粘着剤組成物を、乾燥後の厚さが5μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させた後、低密度ポリエチレン(LDPE、離型処理なし)よりなる基材フィルム(厚さ40μm)と貼り合わせ、厚さ45μmの粘着フィルムB2を作製した。引張貯蔵弾性率は105MPaであった。
<Adhesive film B2>
The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner composed of a polyethylene terephthalate film subjected to a release treatment so that the thickness after drying was 5 μm, dried at 110 ° C. for 3 minutes, and then low-density polyethylene (LDPE, A pressure-sensitive adhesive film B2 having a thickness of 45 μm was prepared by bonding to a base film (thickness: 40 μm) made of no release treatment. The tensile storage modulus was 105 MPa.

<粘着フィルムB3>
離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに前記粘着剤組成物を、乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させた後、エチレン・メタクリル酸共重合体のアイオノマー(三井・デュポンポリケミカル製、ハイミラン1554)よりなる基材フィルム(厚さ150μm)と貼り合わせ、厚さ160μmの粘着フィルムB3を作製した。引張貯蔵弾性率は301MPaであった。
<Adhesive film B3>
The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner made of a polyethylene terephthalate film subjected to a release treatment so that the thickness after drying was 10 μm, dried at 110 ° C. for 3 minutes, and then mixed with ethylene / methacrylic acid copolymer. An adhesive film B3 having a thickness of 160 μm was prepared by bonding to a base film (thickness 150 μm) made of a combined ionomer (Mitsui / DuPont Polychemical, Himiran 1554). The tensile storage elastic modulus was 301 MPa.

<粘着フィルムB4>
離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに前記粘着剤組成物を、乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させた後、エチレン・メタクリル酸共重合体のアイオノマー(三井・デュポンポリケミカル製、ハイミラン1554)よりなる基材フィルム(厚さ110μm)と貼り合わせ、厚さ120μmの粘着フィルムB4を作製した。引張貯蔵弾性率は289MPaであった。
<Adhesive film B4>
The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner made of a polyethylene terephthalate film subjected to a release treatment so that the thickness after drying was 10 μm, dried at 110 ° C. for 3 minutes, and then mixed with ethylene / methacrylic acid copolymer. An adhesive film B4 having a thickness of 120 μm was prepared by bonding to a base film (thickness 110 μm) made of a combined ionomer (Mitsui / DuPont Polychemical, Himiran 1554). The tensile storage elastic modulus was 289 MPa.

<粘着フィルムB5>
離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに前記粘着剤組成物を、乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させた後、エチレン・プ口ピレンブロック共重合体(プライムポリマ一製、プライムポリプ口F707W)よりなる基材フィルム(厚さ110μm)と貼り合わせ、厚さ120μmの粘着フィルムB5を作製した。引張貯蔵弾性率は980MPaであった。
<Adhesive film B5>
The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner made of a polyethylene terephthalate film subjected to a release treatment so that the thickness after drying was 10 μm, dried at 110 ° C. for 3 minutes, and then an ethylene / propylene block. A base film (thickness 110 μm) made of a copolymer (manufactured by Prime Polymer Co., Ltd., Prime Polyp F707W) was bonded to prepare an adhesive film B5 having a thickness of 120 μm. The tensile storage elastic modulus was 980 MPa.

(3)接着剤層の形成
<接着剤層C1>
エポキシ樹脂「YX4000」(三菱化学製、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量185)15.0質量部、フェノール樹脂「LF−6161」(DIC製、ノボラックフェノール樹脂、水酸基当量118)40.0質量部、エポキシ樹脂「エピコート828」(三菱化学製、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量190)45.0重量部、シリカフィラーである「アエロジルR972」(日本アエロジル製、一次粒径の平均粒径0.016μm)5質量部からなる組成物にMEKを加え、攪拌混合し、均一な組成物とした。
これに、官能基を含む重合体としてグリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートに由来するモノマー単位を含むアクリル共重合体(重量平均分子量85万、Tg20℃)66.7質量部、カップリング剤として「KBM−802」(信越シリコーン製、メルカプトプロピルトリメトキシシラン)0.6質量部、並びに、硬化促進剤としての「キュアゾール2PHZ−PW」(四国化成製、2 − フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、分解温度230℃)0.1質量部を加え、均一になるまで攪拌混合した。更にこれを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより、接着剤組成物のワニス(c−1)を得た。
(3) Formation of adhesive layer <Adhesive layer C1>
Epoxy resin “YX4000” (Mitsubishi Chemical, biphenyl novolac type epoxy resin, epoxy equivalent 185) 15.0 parts by mass, phenol resin “LF-6161” (DIC, novolac phenolic resin, hydroxyl equivalent 118) 40.0 parts by mass 45.0 parts by weight of epoxy resin “Epicoat 828” (Mitsubishi Chemical, bisphenol A type epoxy resin, epoxy equivalent 190), “Aerosil R972” which is a silica filler (manufactured by Nippon Aerosil, average particle size of primary particle size 0. 016 μm) MEK was added to a composition composed of 5 parts by mass, and mixed by stirring to obtain a uniform composition.
To this, 66.7 parts by mass of an acrylic copolymer containing a monomer unit derived from glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as a polymer containing a functional group (weight average molecular weight 850,000, Tg 20 ° C.), and “KBM-802 as a coupling agent” (Shin-Etsu Silicone, Mercaptopropyltrimethoxysilane) 0.6 parts by mass, and “Cureazole 2PHZ-PW” (Shikoku Chemicals, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, decomposition temperature as a curing accelerator) (230 ° C.) 0.1 part by mass was added and mixed with stirring until uniform. Furthermore, this was filtered with a 100-mesh filter and vacuum degassed to obtain an adhesive composition varnish (c-1).

このワニス(c−1)を、離型フィルムA1上にコーターで乾燥膜厚が30μmになるように塗工し、120℃で5分間乾燥し、厚さ30μmの接着剤層C1を作製した。   This varnish (c-1) was coated on the release film A1 with a coater so that the dry film thickness was 30 μm, and dried at 120 ° C. for 5 minutes to produce an adhesive layer C1 having a thickness of 30 μm.

<接着剤層C2>
ワニス(c−1)を、離型フィルムA2上にコーターで乾燥膜厚が30μmになるように塗工し、120℃で5分間乾燥し、厚さ30μmの接着剤層C2を作製した。
<Adhesive layer C2>
Varnish (c-1) was coated on the release film A2 with a coater so that the dry film thickness was 30 μm, and dried at 120 ° C. for 5 minutes to prepare an adhesive layer C2 having a thickness of 30 μm.

<接着剤層C3>
ワニス(c−1)を、離型フィルムA1上にコーターで乾燥膜厚が60μmになるように塗工し、120℃で8分間乾燥し、厚さ60μmの接着剤層C3を作製した。その後、接着剤層C3を離型フィルムA1から離型フィルムA3へ転写した。
<Adhesive layer C3>
Varnish (c-1) was coated on the release film A1 with a coater so that the dry film thickness was 60 μm, and dried at 120 ° C. for 8 minutes to prepare an adhesive layer C3 having a thickness of 60 μm. Thereafter, the adhesive layer C3 was transferred from the release film A1 to the release film A3.

<接着剤層C4>
ワニス(c−1)を、離型フィルムA4上にコーターで乾燥膜厚が60μmになるように塗工し、120℃で8分間乾燥したものを2枚用意し、それらを70℃にて積層することで、厚さ120μmの接着剤層C4を作製し、一方の離型フィルムA4は剥離した。
<Adhesive layer C4>
Two varnishes (c-1) were coated on the release film A4 with a coater so that the dry film thickness was 60 μm, dried at 120 ° C. for 8 minutes, and laminated at 70 ° C. Thus, an adhesive layer C4 having a thickness of 120 μm was produced, and one release film A4 was peeled off.

<接着剤層C5>
ワニス(c−1)を、離型フィルムA4上にコーターで乾燥膜厚が60μmになるように塗工し、120℃で8分間乾燥し、厚さ60μmの接着剤層C5を作製した。
<Adhesive layer C5>
Varnish (c-1) was coated on the release film A4 with a coater so that the dry film thickness was 60 μm, and dried at 120 ° C. for 8 minutes to prepare an adhesive layer C5 having a thickness of 60 μm.

<接着剤層C6>
ワニス(c−1)を、離型フィルムA4上にコーターで乾燥膜厚が60μmになるように塗工し、120℃で8分間乾燥し、厚さ60μmの接着剤層C6を作製した。その後、接着剤層C6を離型フィルムA4から離型フィルムA5へ転写した。
<Adhesive layer C6>
Varnish (c-1) was coated on the release film A4 with a coater so that the dry film thickness was 60 μm, and dried at 120 ° C. for 8 minutes to prepare an adhesive layer C6 having a thickness of 60 μm. Thereafter, the adhesive layer C6 was transferred from the release film A4 to the release film A5.

<接着剤層C7>
ワニス(c−1)を、離型基材A1上にコーターで乾燥膜厚が30μmになるように塗工し、120℃で5分間乾燥し、厚さ30μmの接着剤層C7を作製した。
<Adhesive layer C7>
Varnish (c-1) was coated on the release substrate A1 with a coater so that the dry film thickness was 30 μm, and dried at 120 ° C. for 5 minutes to prepare an adhesive layer C7 having a thickness of 30 μm.

<接着剤層C8>
エポキシ樹脂「1002」(三菱化学製、固形ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量600)40質量部、エポキシ樹脂「806」(三菱化学製、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量160、比重1.20)100質量部、硬化剤「Dyhard100SF」(デグサ製、ジシアンジアミド)5質量部、シリカフィラー「SO−C2」(アドマファイン製、平均粒径0.5μm)200質量部、及び、シリカフィラーである「アエロジルR972」(日本アエロジル製、一次粒径の平均粒径0.016μm)3質量部からなる組成物にMEKを加え、攪拌混合し、均一な組成物とした。
これに、フェノキシ樹脂「PKHC」(INCHEM製、質量平均分子量43,000、ガラス転移温度89℃)100質量部、カップリング剤として「KBM−802」(信越シリコーン製、メルカプトプロピルトリメトキシシラン)0.6質量部、並びに、硬化促進剤としての「キュアゾール2PHZ−PW」(四国化成製、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、分解温度230℃)0.5質量部を加え、均一になるまで攪拌混合した。更にこれを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより、接着剤組成物のワニス(c−2)を得た。
<Adhesive layer C8>
40 parts by mass of epoxy resin “1002” (Mitsubishi Chemical, solid bisphenol A type epoxy resin, epoxy equivalent 600), epoxy resin “806” (Mitsubishi Chemical, bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent 160, specific gravity 1.20) 100 parts by mass, 5 parts by mass of curing agent “Dyhard100SF” (Degusa, dicyandiamide), 200 parts by mass of silica filler “SO-C2” (manufactured by Admafine, average particle size 0.5 μm), and “Aerosil” which is a silica filler MEK was added to a composition composed of 3 parts by mass of “R972” (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., average particle size of primary particle size: 0.016 μm), and the mixture was stirred and mixed to obtain a uniform composition.
To this, 100 parts by mass of phenoxy resin “PKHC” (INCHEM, mass average molecular weight 43,000, glass transition temperature 89 ° C.), “KBM-802” (manufactured by Shin-Etsu Silicone, mercaptopropyltrimethoxysilane) as a coupling agent 0 .6 parts by mass and 0.5 part by mass of “Cureazole 2PHZ-PW” (manufactured by Shikoku Chemicals, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, decomposition temperature 230 ° C.) as a curing accelerator are added uniformly. Stir until mixed. Furthermore, this was filtered with a 100-mesh filter and vacuum degassed to obtain an adhesive composition varnish (c-2).

このワニス(c−2)を、離型フィルムA4上にコーターで乾燥膜厚が60μmになるように塗工し、120℃で8分間乾燥し、厚さ60μmの接着剤層C8を作製した。   This varnish (c-2) was coated on the release film A4 with a coater so that the dry film thickness was 60 μm, and dried at 120 ° C. for 8 minutes to prepare an adhesive layer C8 having a thickness of 60 μm.

(4)支持部材の作製
<支持部材D1>
離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに前記粘着剤組成物を、乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させた後、ポリエチレンテレフタレート(離型処理なし)よりなる樹脂フィルム基材(厚さ16μm)と貼り合わせ、厚さ26μmの支持部材D1を作製した。引張貯蔵弾性率は980MPa、線膨張係数は60ppmであった。
(4) Production of support member <support member D1>
The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner made of a polyethylene terephthalate film subjected to a release treatment so that the thickness after drying was 10 μm, dried at 110 ° C. for 3 minutes, and then polyethylene terephthalate (release treatment). A support member D1 having a thickness of 26 μm was prepared by bonding to a resin film substrate (thickness: 16 μm) made of none. The tensile storage elastic modulus was 980 MPa, and the linear expansion coefficient was 60 ppm.

<支持部材D2>
離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに前記粘着剤組成物を、乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させた後、ポリプロピレン(OPP、離型処理なし)よりなる樹脂フィルム基材(厚さ25μm)と貼り合わせ、厚さ35μmの支持部材D2を作製した。線膨張係数は120ppmであった。
<Supporting member D2>
The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner made of a polyethylene terephthalate film subjected to a release treatment so that the thickness after drying was 10 μm, dried at 110 ° C. for 3 minutes, and then polypropylene (OPP, release). A support member D2 having a thickness of 35 μm was prepared by bonding to a resin film substrate (thickness: 25 μm) made of no treatment. The linear expansion coefficient was 120 ppm.

<支持部材D3>
離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに前記粘着剤組成物を、乾燥後の厚さが5μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させた後、低密度ポリエチレン(LDPE、離型処理なし)よりなる樹脂フィルム基材(厚さ50μm)と貼り合わせて転写し、厚さ55μmの支持部材D3を作製した。線膨張係数は230ppmであった。
<Support member D3>
The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner composed of a polyethylene terephthalate film subjected to a release treatment so that the thickness after drying was 5 μm, dried at 110 ° C. for 3 minutes, and then low-density polyethylene (LDPE, A support member D3 having a thickness of 55 μm was produced by pasting and transferring a resin film substrate (thickness: 50 μm) made of a resin film (without release treatment). The linear expansion coefficient was 230 ppm.

<支持部材D4>
離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに前記粘着剤組成物を、乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させた後、ポリエチレンテレフタレート(離型処理なし)よりなる樹脂フィルム基材(厚さ40μm)と貼り合わせ、厚さ50μmの支持部材D4を作製した。線膨張係数は60ppmであった。
<Support member D4>
The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release liner made of a polyethylene terephthalate film subjected to a release treatment so that the thickness after drying was 10 μm, dried at 110 ° C. for 3 minutes, and then polyethylene terephthalate (release treatment). A support member D4 having a thickness of 50 μm was prepared by bonding to a resin film substrate (thickness: 40 μm) made of none. The linear expansion coefficient was 60 ppm.

<支持部材D5>
クリーンルーム用の市販のクリーンラインテープであるTW−PLT(タニムラ製)を支持部材D5として用いた。厚さ75μmのポリ塩化ビニル層と厚さ12μmのポリエチレンテレフタレート層が積層されてなる樹脂フィルム基材を有し、総厚142μm、線膨張係数は80ppmであった。
<Supporting member D5>
TW-PLT (manufactured by Tanimura), which is a commercially available clean line tape for clean rooms, was used as the support member D5. It had a resin film base material in which a polyvinyl chloride layer having a thickness of 75 μm and a polyethylene terephthalate layer having a thickness of 12 μm were laminated, had a total thickness of 142 μm and a linear expansion coefficient of 80 ppm.

(実施例1)
冷蔵保管していた離型フィルムA1上に形成された接着剤層C1を常温に戻し、接着剤層に対して、離型フィルムの厚さの1/2以下の切り込み深さになるように調整して直径320mmの円形プリカット加工を行った。その後、接着剤層の不要部分を除去し、粘着フィルムB1をその粘着剤層が接着剤層と接するように、離型フィルムA1に室温でラミネートした。そして、粘着フィルムB1に対して、離型フィルムの厚さの1/2以下の切り込み深さになるように調節して接着剤層と同心円状に直径370mmの円形プリカット加工を行い、20Nの張力で300枚を巻き取った。次に離型フィルムA1上の接着剤層及び粘着フィルムが設けられた面とは反対の面であって、かつ、離型フィルムA1の短手方向両端部に支持部材D1を貼合して、実施例1のウェハ加工用テープを作製した。
Example 1
The adhesive layer C1 formed on the release film A1 that has been refrigerated is returned to room temperature and adjusted so that the depth of the adhesive layer is less than half the thickness of the release film. Then, circular pre-cut processing with a diameter of 320 mm was performed. Thereafter, unnecessary portions of the adhesive layer were removed, and the adhesive film B1 was laminated to the release film A1 at room temperature so that the adhesive layer was in contact with the adhesive layer. The pressure-sensitive adhesive film B1 is adjusted to have a cut depth of ½ or less of the thickness of the release film, and is subjected to circular precut processing with a diameter of 370 mm concentrically with the adhesive layer, and a tension of 20 N And wound up 300 sheets. Next, it is a surface opposite to the surface on which the adhesive layer and the adhesive film on the release film A1 are provided, and the support member D1 is bonded to both ends in the short direction of the release film A1, The wafer processing tape of Example 1 was produced.

(実施例2〜7、比較例1〜3)
実施例1と同様の方法で、表1の組合せにて、実施例2〜7および比較例1〜3のウェハ加工用テープを作製した。
(Examples 2-7, Comparative Examples 1-3)
In the same manner as in Example 1, the wafer processing tapes of Examples 2 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 were produced in the combinations shown in Table 1.

Figure 2016111155
Figure 2016111155

[空気の侵入および転写痕の抑制性評価]
実施例及び比較例の接着シートをポリエチレン製の袋に収納し、脱気後、ヒートシールしてポリプロピレン製の側板を両端部に取り付けた。さらに、PPバンド2本が十字になるように掛けて融着して接合した。各梱包体を1ヶ月間冷蔵庫内(5℃)で保管後、冷蔵庫から取り出して、板状のドライアイスと共に梱包箱に収納し、輸送用トラックに載せて平塚〜秋田間(約1000km)を保冷状態のまま往復した。その後、さらに3ヶ月間冷蔵庫内(5℃)で保管後、各梱包体を開梱し、ロールを常温に戻してから包装袋を開封してロールを解き、目視にて接着剤層と離型フィルムの間への空気の侵入および転写痕の有無を観察した。その結果を表2に示す。
[Evaluation of air penetration and transfer mark suppression]
The adhesive sheets of Examples and Comparative Examples were accommodated in polyethylene bags, degassed, and heat sealed to attach polypropylene side plates to both ends. Further, the two PP bands were hung in a cross so as to be fused and joined. Each package is stored in the refrigerator (5 ° C) for 1 month, then removed from the refrigerator, stored in a packing box with plate-shaped dry ice, and placed on a truck for transportation to keep cold between Hiratsuka and Akita (about 1000 km). I went back and forth in the same state. After that, after storing in the refrigerator (5 ° C) for another 3 months, unpack each package, return the roll to room temperature, open the packaging bag, unroll the roll, and visually release the adhesive layer and release The presence of air intrusion between the films and the presence of transfer marks were observed. The results are shown in Table 2.

[マウント後のボイドの抑制性評価]
実施例及び比較例の接着シートをポリエチレン製の袋に収納し、脱気後、ヒートシールしてポリプロピレン製の側板を両端部に取り付けた。さらに、PPバンド2本が十字になるように掛けて融着して接合した。各梱包体を1ヶ月間冷蔵庫内(5℃)で保管後、冷蔵庫から取り出して、板状のドライアイスと共に梱包箱に収納し、輸送用トラックに載せて平塚〜秋田間(約1000km)を保冷状態のまま往復した。その後、さらに3ヶ月間冷蔵庫内(5℃)で保管後、各梱包体を開梱し、ロールを常温に戻してから包装袋を開封して、半導体ウェハへのマウントを行った。その後、接着剤層と半導体ウェハとの貼合せ面のボイド(気泡)の有無を、顕微鏡により確認した。その結果を表2に示す。半導体ウェハとしては大きさが12インチ、厚さ50μmのものを使用した。半導体ウェハのマウント条件は、下記の通りとした。
[Evaluation of inhibition of voids after mounting]
The adhesive sheets of Examples and Comparative Examples were accommodated in polyethylene bags, degassed, and heat sealed to attach polypropylene side plates to both ends. Further, the two PP bands were hung in a cross so as to be fused and joined. Each package is stored in the refrigerator (5 ° C) for 1 month, then removed from the refrigerator, stored in a packing box with plate-shaped dry ice, and placed on a truck for transportation to keep cold between Hiratsuka and Akita (about 1000 km). I went back and forth in the same state. Then, after storing in a refrigerator (5 degreeC) for 3 months, each package was unpacked, the roll was returned to normal temperature, the packaging bag was opened, and the mounting to the semiconductor wafer was performed. Thereafter, the presence or absence of voids (bubbles) on the bonding surface between the adhesive layer and the semiconductor wafer was confirmed with a microscope. The results are shown in Table 2. A semiconductor wafer having a size of 12 inches and a thickness of 50 μm was used. The mounting conditions of the semiconductor wafer were as follows.

<貼り合わせ条件>
貼り付け装置:ウェーハマウンターDAM−812M (タカトリ製)
貼り付け速度計:50mm/sec 貼り付け圧力:0.1MPa
貼り付け温度:60℃、90℃
<Bonding conditions>
Pasting device: Wafer mounter DAM-812M (manufactured by Takatori)
Pasting speed meter: 50 mm / sec Pasting pressure: 0.1 MPa
Pasting temperature: 60 ° C, 90 ° C

Figure 2016111155
Figure 2016111155

表2に示すように、実施例1〜3,7,8に係るウェハ加工用テープは、支持部材の厚さが接着剤層の厚さの0.58倍以上0.87倍以下のであるため、転写痕は見られるものの、半導体ウェハに貼合した際に貼合時の熱により消滅する程度のものであった。また、接着剤層と離型フィルムとの間に空気の侵入が見られず、マウント後のボイドの抑制性評価において良好な結果となった。実施例5,6に係るウェハ加工用テープは、支持部材の厚さが接着剤層の厚さの0.92倍以上1.0倍未満であるため、一部に接着剤層と離型フィルムとの間の空気の侵入および転写痕が見られたが、半導体ウェハに貼合した際に貼合時の熱により消滅する程度のものであり、マウント後のボイドの抑制性評価において良好な結果となった。実施例4に係るウェハ加工用テープは、支持部材の厚さが接着剤層の厚さの0.46倍であるため、やや強めの転写痕が見られ、60℃で半導体ウェハに貼合したときには、一部にボイドの発生が見られたものの、90℃で半導体ウェハに貼合した場合は、ボイドは発生せず、実用上許容できる範囲となった。   As shown in Table 2, in the wafer processing tapes according to Examples 1 to 3, 7, and 8, the thickness of the support member is 0.58 to 0.87 times the thickness of the adhesive layer. Although the transfer mark was seen, when it was bonded to the semiconductor wafer, it disappeared due to the heat at the time of bonding. In addition, no intrusion of air was observed between the adhesive layer and the release film, and a favorable result was obtained in evaluating the suppression of voids after mounting. In the tapes for wafer processing according to Examples 5 and 6, since the thickness of the support member is 0.92 times or more and less than 1.0 times the thickness of the adhesive layer, the adhesive layer and the release film are partially included Air intrusion and transfer marks were seen, but when it was bonded to a semiconductor wafer, it disappeared due to the heat at the time of bonding, and good results in evaluation of void suppression after mounting It became. In the wafer processing tape according to Example 4, since the thickness of the support member is 0.46 times the thickness of the adhesive layer, a slightly stronger transfer mark is seen, and the wafer processing tape is bonded to the semiconductor wafer at 60 ° C. In some cases, generation of voids was observed in part, but when bonded to a semiconductor wafer at 90 ° C., voids did not occur and the range was practically acceptable.

これに対して、比較例1に係るウェハ加工用テープは、支持部材が設けられていないため、転写痕が強く残り、90℃で半導体ウェハに貼合した場合も、一部でボイドが発生した。また、比較例2に係るウェハ加工用テープは、支持部材の厚さが接着剤層の厚さよりも厚いため、接着剤層と離型フィルムとの間に空気の侵入が見られ、接着剤層が変型してしまったため、90℃で半導体ウェハに貼合した場合も、一部でボイドが発生した。比較例3に係るウェハ加工用テープは、比較例2ほどではないものの、支持部材の厚さが接着剤層の厚さよりも厚いため、一部の接着剤層と離型フィルムとの間に空気の侵入が見られ、やはり90℃で半導体ウェハに貼合した場合も、一部でボイドが発生した。   On the other hand, since the wafer processing tape according to Comparative Example 1 is not provided with a support member, transfer marks remain strongly, and even when bonded to a semiconductor wafer at 90 ° C., some voids were generated. . Further, in the wafer processing tape according to Comparative Example 2, since the thickness of the support member is larger than the thickness of the adhesive layer, air is seen to enter between the adhesive layer and the release film, and the adhesive layer Therefore, even when bonded to a semiconductor wafer at 90 ° C., some voids were generated. Although the wafer processing tape according to Comparative Example 3 is not as large as Comparative Example 2, since the thickness of the support member is larger than the thickness of the adhesive layer, air is interposed between a part of the adhesive layer and the release film. Intrusion was observed, and voids were also generated in some cases when bonded to a semiconductor wafer at 90 ° C.

10:ウェハ加工用テープ
11:離型フィルム
12:接着剤層
13:粘着フィルム
13a:円形ラベル部
13b:周辺部
14,14',14":支持部材
10: Wafer processing tape 11: Release film 12: Adhesive layer 13: Adhesive film 13a: Circular label part 13b: Peripheral parts 14, 14 ', 14 ": Support member

Claims (15)

長尺の離型フィルムと、
前記離型フィルムの第1の面上に設けられた所定の平面形状を有する接着剤層と、
前記接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層の周囲で前記離型フィルムに接触するように設けられた所定の平面形状を有するラベル部と、前記ラベル部の外側を囲むような周辺部とを有する粘着フィルムと、
前記離型フィルムの、前記接着剤層及び粘着フィルムが設けられた第1の面とは反対の第2の面上であって、かつ、前記離型フィルムの短手方向両端部に設けられた支持部材とを有し、
前記支持部材は、前記接着剤層の厚さの0.3倍以上1.0倍未満の厚さを有することを特徴とするウェハ加工用テープ。
A long release film,
An adhesive layer having a predetermined planar shape provided on the first surface of the release film;
A label portion having a predetermined planar shape so as to cover the adhesive layer and contact the release film around the adhesive layer; and a peripheral portion surrounding the outside of the label portion; An adhesive film having
The release film is provided on the second surface opposite to the first surface on which the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film are provided, and at both ends in the short direction of the release film. A support member,
The tape for wafer processing, wherein the support member has a thickness of 0.3 times or more and less than 1.0 times the thickness of the adhesive layer.
前記支持部材の線膨張係数が300ppm/℃以下であることを特徴とする請求項1に記載のウェハ加工用テープ。   The tape for wafer processing according to claim 1, wherein the support member has a linear expansion coefficient of 300 ppm / ° C. or less. 前記支持部材の線膨張係数と前記離型フィルムの線膨張係数の差が250ppm/℃以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウェハ加工用テープ。   3. The wafer processing tape according to claim 1, wherein a difference between a linear expansion coefficient of the support member and a linear expansion coefficient of the release film is 250 ppm / ° C. or less. 前記粘着フィルムは、粘着剤層と基材フィルムとを有し、
前記基材フィルムと前記支持部材との間の静摩擦係数が0.2〜2.0であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のウェハ加工用テープ。
The adhesive film has an adhesive layer and a base film,
4. The wafer processing tape according to claim 1, wherein a coefficient of static friction between the base film and the support member is 0.2 to 2.0. 5.
前記支持部材は、前記離型フィルムの前記第2の面上の、前記第1の面に設けられた前記接着剤層の外側に対応する領域に設けられていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のウェハ加工用テープ。   The said support member is provided in the area | region corresponding to the outer side of the said adhesive bond layer provided in the said 1st surface on the said 2nd surface of the said release film. The wafer processing tape according to claim 4. 前記支持部材は、前記離型フィルムの長手方向に沿って連続的に設けられていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のウェハ加工用テープ   The tape for wafer processing according to any one of claims 1 to 5, wherein the support member is continuously provided along a longitudinal direction of the release film. 前記支持部材は、前記接着剤層の厚さ以上の厚さを有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のウェハ加工用テープ。   7. The wafer processing tape according to claim 1, wherein the support member has a thickness equal to or greater than a thickness of the adhesive layer. 8. 前記支持部材は、着色されていることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のウェハ加工用テープ。   The tape for wafer processing according to claim 1, wherein the support member is colored. 前記支持部材は、ウェハ加工用テープの種類に応じて着色されていることを特徴とする請求項8に記載のウェハ加工用テープ。   9. The wafer processing tape according to claim 8, wherein the support member is colored according to a type of the wafer processing tape. 前記支持部材は、ウェハ加工用テープの厚さに応じて着色されていることを特徴とする請求項8に記載のウェハ加工用テープ。   9. The wafer processing tape according to claim 8, wherein the support member is colored according to a thickness of the wafer processing tape. 前記支持部材は、2層以上の積層構造を有することを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載のウェハ加工用テープ   The wafer processing tape according to claim 1, wherein the support member has a laminated structure of two or more layers. 前記支持部材は、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、及び高密度ポリエチレンからなる群から選択される樹脂フィルム基材に粘接着剤を塗布した粘接着テープであることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載のウェハ加工用テープ。   The said support member is the adhesive tape which apply | coated the adhesive agent to the resin film base material selected from the group which consists of a polyethylene terephthalate, a polypropylene, and a high density polyethylene, The Claim 1 characterized by the above-mentioned. 11. The wafer processing tape according to any one of 11 above. 23℃における前記粘着フィルムの引張貯蔵弾性率Ebと、23℃における前記離型フィルムの引張貯蔵弾性率Eaとの比Eb/Eaが、0.001〜100であることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載のウェハ加工用テープ。   The ratio Eb / Ea between the tensile storage elastic modulus Eb of the pressure-sensitive adhesive film at 23 ° C and the tensile storage elastic modulus Ea of the release film at 23 ° C is 0.001 to 100. The tape for wafer processing of any one of Claim 12. 前記離型フィルムの厚みTaと、前記粘着フィルムの厚みTbとの比Ta/Tbが、0.07〜2.5であることを特徴とする請求項1から請求項13のいずれか1項に記載のウェハ加工用テープ。   The ratio Ta / Tb between the thickness Ta of the release film and the thickness Tb of the pressure-sensitive adhesive film is 0.07 to 2.5, according to any one of claims 1 to 13. The tape for wafer processing as described. 温度23±2℃、剥離速度300mm/minの条件下でのT型剥離試験における、前記接着剤層と前記離型フィルムの間の剥離力F1が0.025〜0.075N/100mmであり、前記接着剤層と前記粘着フィルムの間の剥離力F2が0.08〜10N/100mmであり、F1<F2であることを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか1項に記載のウェハ加工用テープ。   In a T-type peel test under conditions of a temperature of 23 ± 2 ° C. and a peel speed of 300 mm / min, the peel force F1 between the adhesive layer and the release film is 0.025 to 0.075 N / 100 mm, The peeling force F2 between the said adhesive bond layer and the said adhesion film is 0.08-10N / 100mm, and it is F1 <F2, It is any one of Claims 1-14 characterized by the above-mentioned. Wafer processing tape.
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