JP2016174092A - 光デバイスチップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光デバイスウェーハの破損を防止した光デバイスチップの製造方法を提供する。
【解決手段】光デバイスチップの製造方法であって、支持基板（１）に光デバイスウェーハ（１１）の表面（１１ａ）側を接着剤（３）で固定する固定ステップと、光デバイスウェーハの裏面（１１ｂ）側を研削する研削ステップと、光デバイスウェーハの裏面側を研磨する研磨ステップと、光デバイスウェーハの裏面側に反射膜（１７）を製膜する反射膜製膜ステップと、光デバイスウェーハの分割予定ライン（１３）に沿って破断起点（１９）を形成するレーザー加工ステップと、光デバイスウェーハの裏面側にエキスパンドテープ（２１）を貼着する貼着ステップと、支持基板に薬液（２５）を浸透させて接着剤を溶解し、支持基板を光デバイスウェーハから剥離する剥離ステップと、光デバイスウェーハを複数の光デバイスチップ（２９）に分割する分割ステップと、を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光型の光デバイスチップを製造する際に適用される光デバイスチップの製造方法に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザーダイオード（ＬＤ）等の光デバイスチップを製造する際には、サファイアやＳｉＣ等でなる結晶成長用の基板の表面に、エピタキシャル成長等の方法で発光層を含む光デバイスが形成される。光デバイスが形成された基板（光デバイスウェーハ）は、分割予定ライン（ストリート）に沿って複数の光デバイスチップへと分割される。

近年、ブラッグ反射を応用したＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜等と呼ばれる反射膜を光デバイスウェーハの裏面に形成する技術が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。この反射膜を形成することで、発光層から光デバイスの裏面側に放射された光を反射して表面側での光取り出し効率を高めることができる。

特開２０１３−２３５８７７号公報 特開２０１４−８２３６４号公報

上述した反射膜は、例えば、製膜装置のチャンバー内において１５０℃以上の温度条件で形成される。ところが、研削等の方法で光デバイスウェーハを薄くしてから反射膜を形成しようとすると、チャンバーへの投入やチャンバーからの取り出し等の際に光デバイスウェーハを破損する可能性が高くなってしまう。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、光デバイスウェーハの破損を防止した光デバイスチップの製造方法を提供することである。

本発明によれば、表面の交差する分割予定ラインに区切られた領域に光デバイスが形成された光デバイスウェーハを該分割予定ラインに沿って分割して複数の光デバイスチップを製造する光デバイスチップの製造方法であって、多孔質材からなる板状の支持基板、又は一方の面から他方の面に至る複数の細孔を有する板状の支持基板に、光デバイスウェーハの表面側を接着剤で固定する固定ステップと、該固定ステップを実施した後、光デバイスウェーハの裏面側を研削して光デバイスウェーハを薄化する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、該光デバイスウェーハの裏面側を研磨する研磨ステップと、該研磨ステップを実施した後、該支持基板に固定された光デバイスウェーハを製膜装置のチャンバーに投入し、光デバイスウェーハの裏面側に反射膜を製膜する反射膜製膜ステップと、該反射膜製膜ステップを実施した後、該チャンバーから取り出した光デバイスウェーハの該分割予定ラインに沿って裏面側からレーザー光線を照射し、光デバイスウェーハに破断起点を形成するレーザー加工ステップと、該レーザー加工ステップを実施した後、光デバイスウェーハの裏面側にエキスパンドテープを貼着する貼着ステップと、該貼着ステップを実施した後、該支持基板に薬液を浸透させて該接着剤を溶解し、該支持基板を光デバイスウェーハから剥離する剥離ステップと、該剥離ステップを実施した後、該光デバイスウェーハに外力を付与して光デバイスウェーハを複数の光デバイスチップに分割する分割ステップと、を含むことを特徴とする光デバイスチップの製造方法が提供される。

本発明において、該レーザー加工ステップでは、光デバイスウェーハに対し透過性を有する波長の該レーザー光線を用い、光デバイスウェーハの内部に該破断起点となる改質層を形成することが好ましい。

本発明に係る光デバイスチップの製造方法では、支持基板に光デバイスウェーハの表面側を固定した状態で、光デバイスウェーハの裏面側の研削及び研磨、反射膜の製膜、破断起点の形成、という一連の工程を実施するので、この一連の工程の間、光デバイスウェーハは支持基板で補強された状態になる。これにより、チャンバーへの投入やチャンバーからの取り出し等の際に光デバイスウェーハの破損を防止できる。

さらに、本発明に係る光デバイスチップの製造方法では、多孔質材からなる板状の支持基板、又は一方の面から他方の面に至る複数の細孔を有する板状の支持基板を用い、光デバイスウェーハにエキスパンドテープを貼着した状態で支持基板に薬液を浸透させて支持基板と光デバイスウェーハとの間の接着剤を溶解するので、熱によって軟化し難い耐熱性の接着剤を用いる場合にも、大きな外力を付与することなく支持基板を光デバイスウェーハから容易に剥離できる。これにより、支持基板を剥離する際に光デバイスウェーハの破損を防止できる。

固定ステップにおいて支持基板に接着剤を塗布する様子を模式的に示す斜視図である。 図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、固定ステップにおいて支持基板に光デバイスウェーハを固定する様子を模式的に示す斜視図である。 研削ステップを模式的に示す一部断面側面図である。 研磨ステップを模式的に示す一部断面側面図である。 反射膜製膜ステップを模式的に示す一部断面側面図である。 レーザー加工ステップを模式的に示す一部断面側面図である。 貼着ステップを模式的に示す一部断面側面図である。 剥離ステップを模式的に示す断面図である。 分割ステップを模式的に示す一部断面側面図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態に係る光デバイスチップの製造方法は、固定ステップ（図１、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）、研削ステップ（図３参照）、研磨ステップ（図４参照）、反射膜製膜ステップ（図５参照）、レーザー加工ステップ（図６参照）、貼着ステップ（図７参照）、剥離ステップ（図８参照）、及び分割ステップ（図９参照）を含む。

固定ステップでは、接着剤を用いて板状の支持基板に光デバイスウェーハの表面側を固定する。研削ステップでは、光デバイスウェーハの裏面側を研削する。研磨ステップでは、光デバイスウェーハの裏面側を研磨する。

反射膜製膜ステップでは、光デバイスウェーハを製膜装置のチャンバーに投入して光デバイスウェーハの裏面側に反射膜を製膜する。レーザー加工ステップでは、光デバイスウェーハの分割予定ライン（ストリート）に沿って裏面側からレーザー光線を照射し、光デバイスウェーハに破断の起点（破断起点）となる改質層を形成する。

貼着ステップでは、光デバイスウェーハの裏面側にエキスパンドテープを貼着する。剥離ステップでは、支持基板に薬液を浸透させて接着剤を溶解し、支持基板を光デバイスウェーハから剥離する。分割ステップでは、光デバイスウェーハに外力を付与して光デバイスウェーハを複数の光デバイスチップに分割する。以下、本実施形態に係る光デバイスチップの製造方法について詳述する。

まず、板状の支持基板に光デバイスウェーハの表面側を固定する固定ステップを実施する。図１は、固定ステップにおいて支持基板に接着剤を塗布する様子を模式的に示す斜視図であり、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、固定ステップにおいて支持基板に光デバイスウェーハを固定する様子を模式的に示す斜視図である。

図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、本実施形態に係る光デバイスウェーハ１１は、サファイア、ＳｉＣ等でなる円形の板状物であり、その表面１１ａ側は、互いに交差する複数の分割予定ライン（ストリート）１３で複数の領域に区画されている。各領域には、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザーダイオード（ＬＤ）となる光デバイス１５が形成されている。各光デバイス１５は、エピタキシャル成長等の方法で形成された発光層を含む。

一方、図１、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、本実施形態に係る支持基板１は、例えば、多孔質材で形成された円形の板状物であり、内部に複数の細孔を有している。この支持基板１としては、研削用の砥石（研削砥石）等をドレスするためのドレスボード等を用いることができる。

ただし、支持基板１は、多孔質材以外で形成されても良い。例えば、第１面（一方の面）１ａから第２面（他方の面）１ｂに至る複数の細孔を有し、後述する剥離ステップを適切に実施できる板状物であれば、その材質に関わらず支持基板１として用いることができる。なお、支持基板１の径は、光デバイスウェーハ１１の径以上であることが望ましい。

固定ステップでは、まず、上述した支持基板１の第１面１ａに接着剤を塗布する。接着剤の塗布は、例えば、図１に示すスピンコーター２で実施される。スピンコーター２は、支持基板１を保持するスピンナーテーブル４を備えている。スピンナーテーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）と連結されており、鉛直方向に平行な回転軸の周りに回転する。

スピンナーテーブル４の上面は、支持基板１の第２面１ｂ側を保持する保持面となっている。この保持面には、スピンナーテーブル４の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、支持基板１を吸引する吸引力が発生する。スピンナーテーブル４の上方には、液状の樹脂等でなる接着剤３を噴出するノズル６が配置されている。このノズル６は、スピンナーテーブル４の径方向において搖動する。

接着剤３を塗布する際には、まず、第１面１ａ側が上方に露出するように支持基板１をスピンナーテーブル４に載置して、保持面に吸引源の負圧を作用させる。次に、スピンナーテーブル４を回転させつつノズル６を搖動させて、支持基板１の第１面１ａに接着剤３を滴下する。これにより、支持基板１の第１面１ａには接着剤３が塗布される。

なお、本実施形態で使用する接着剤３は、後の反射膜製膜ステップにおいて十分な接着力を維持できる程度の耐熱性を有している。また、接着剤３は、スピンコート法によって塗布でき、かつ、支持基板１の細孔を通じて第２面１ｂ側から染み出ない程度の粘度に調整されている。

支持基板１の第１面１ａに接着剤３を塗布した後には、図２（Ａ）に示すように、光デバイスウェーハ１１の表面１１ａと支持基板１の第１面１ａとを対面させ、支持基板１に光デバイスウェーハ１１を密着させる。その結果、図２（Ｂ）に示すように、光デバイスウェーハ１１の表面１１ａ側は、接着剤３の接着力によって支持基板１の第１面１ａ側に固定される。

固定ステップを実施した後には、光デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削する研削ステップを実施する。図３は、研削ステップを模式的に示す一部断面側面図である。研削ステップは、例えば、図３に示す研削装置１２で実施される。研削装置１２は、光デバイスウェーハ１１が固定された支持基板１を保持するチャックテーブル１４を備えている。

チャックテーブル１４は、モータ等の回転駆動源（不図示）と連結されており、鉛直方向に平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル１４の下方には、移動ユニット（不図示）が設けられており、チャックテーブル１４は、この移動ユニットで水平方向に移動する。

チャックテーブル１４の上面は、支持基板１の第２面１ｂ側を保持する保持面となっている。保持面には、チャックテーブル１４の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、支持基板１を吸引する吸引力が発生する。

チャックテーブル１４の上方には、光デバイスウェーハ１１を研削する研削ユニット１６が配置されている。研削ユニット１６は、昇降ユニット（不図示）によって昇降するスピンドルハウジング１８を備える。スピンドルハウジング１８には、鉛直方向に平行な回転軸を構成するスピンドル２０が収容されている。

スピンドル２０の下端部には、円盤状のホイールマウント２２が固定されている。ホイールマウント２２の下面には、ホイールマウント２２と略同径の研削ホイール２４が装着されている。研削ホイール２４は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台２６を備えている。ホイール基台２６の下面には、複数の研削砥石２８が環状に固定されている。

スピンドル２０の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。研削ホイール２４は、この回転駆動源から伝達される回転力によって、鉛直方向に平行な回転軸の周りに回転する。

研削ステップでは、まず、光デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側が上方に露出するように、支持基板１の第２面１ｂ側をチャックテーブル１４に保持させる。次に、チャックテーブル１４及びスピンドル２０を相互に回転させつつ研削ホイール２４を下降させ、純水等の研削液を供給しながら光デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂに研削砥石２８の下部を接触させる。これにより、裏面１１ｂ側を研削して光デバイスウェーハ１１を薄化できる。

研削ステップを実施した後には、光デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研磨する研磨ステップを実施する。図４は、研磨ステップを模式的に示す一部断面側面図である。研磨ステップは、例えば、図４に示す研磨装置３２で実施される。研磨装置３２は、光デバイスウェーハ１１が固定された支持基板１を保持するチャックテーブル３４を備えている。

チャックテーブル３４は、モータ等の回転駆動源（不図示）と連結されており、鉛直方向に平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル３４の下方には、移動ユニット（不図示）が設けられており、チャックテーブル３４は、この移動ユニットで水平方向に移動する。

チャックテーブル３４の上面は、支持基板１の第２面１ｂ側を保持する保持面となっている。保持面には、チャックテーブル３４の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、支持基板１を吸引する吸引力が発生する。

チャックテーブル３４の上方には、光デバイスウェーハ１１を研磨する研磨ユニット３６が配置されている。研磨ユニット３６は、昇降ユニット（不図示）によって昇降するスピンドルハウジング３８を備えている。スピンドルハウジング３８には、鉛直方向に平行な回転軸を構成するスピンドル４０が収容されている。

スピンドル４０の下端部には、円盤状のマウント４２が固定されている。マウント４２の下面には、マウント４２と略同径の研磨パッド４４が装着されている。スピンドル４０の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。研磨パッド４４は、この回転駆動源から伝達される回転力によって、鉛直方向に平行な回転軸の周りに回転する。

研磨ステップでは、まず、光デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側が上方に露出するように、支持基板１の第２面１ｂ側をチャックテーブル３４に保持させる。次に、チャックテーブル３４及びスピンドル４０を相互に回転させつつ研磨パッド４４を下降させ、スラリー等の研磨液を供給しながら光デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂに研磨パッド４４の下面を接触させる。これにより、光デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研磨できる。

研磨ステップを実施した後には、光デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側に反射膜を製膜する反射膜製膜ステップを実施する。図５は、反射膜製膜ステップを模式的に示す一部断面側面図である。反射膜製膜ステップは、例えば、図５に示す製膜装置５２で実施される。

製膜装置５２は、例えば、真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタ等の方法によって反射膜を形成できるように構成されており、内部に製膜室を有するチャンバー５４を備えている。チャンバー５４の製膜室には、光デバイスウェーハ１１が固定された支持基板１を載せるためのテーブル５６が配置されている。

チャンバー５４の側壁の一部には、光デバイスウェーハ１１が固定された支持基板１を搬入出するための開口５４ａが形成されている。開口５４ａの外部には、開口５４ａを閉じるゲート５８が設けられている。

反射膜製膜ステップでは、まず、光デバイスウェーハ１１が固定された支持基板１をチャンバー５４に投入し、裏面１１ｂ側が上方に露出するように支持基板１をテーブル５６に載せる。

次に、ゲート５８で開口５４ａを閉じ、光デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側に反射膜１７を製膜する。なお、本実施形態では、光デバイス１５から放射される光を選択的に反射できるように、屈折率の異なる２種類以上の誘電体膜を周期的に積層したＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜等と呼ばれる反射膜１７を形成する。

この反射膜１７は、一般に１５０℃以上の温度条件で形成される。本実施形態では、耐熱性のある接着剤３を使用しているので、このような温度条件でも支持基板１が光デバイスウェーハ１１から剥離してしまうことはない。反射膜１７の製膜後には、光デバイスウェーハ１１が固定された支持基板１をチャンバー５４から取り出す。

反射膜製膜ステップを実施した後には、光デバイスウェーハ１１の分割予定ライン１３に沿って裏面１１ｂ側からレーザー光線を照射し、光デバイスウェーハ１１に破断の起点（破断起点）となる改質層を形成するレーザー加工ステップを実施する。図６は、レーザー加工ステップを模式的に示す一部断面側面図である。レーザー加工ステップは、例えば、図６に示すレーザー加工装置６２で実施される。

レーザー加工装置６２は、光デバイスウェーハ１１が固定された支持基板１を保持するチャックテーブル６４を備えている。チャックテーブル６４は、モータ等の回転駆動源（不図示）と連結されており、鉛直方向に平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル６４の下方には、移動ユニット（不図示）が設けられており、チャックテーブル６４は、この移動ユニットで水平方向に移動する。

チャックテーブル６４の上面は、支持基板１の第２面１ｂ側を保持する保持面となっている。保持面には、チャックテーブル６４の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、支持基板１を吸引する吸引力が発生する。チャックテーブル６４の上方には、レーザー加工ユニット６６が配置されている。

レーザー加工ユニット６６は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振したレーザー光線Ｌを、チャックテーブル６４上の光デバイスウェーハ１１の内部に集光させる。レーザー発振器は、光デバイスウェーハ１１に吸収され難い波長（透過性を有する波長）のレーザー光線Ｌを発振できるように構成されている。

レーザー加工ステップでは、まず、光デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側が上方に位置付けられるように、支持基板１の第２面１ｂ側をチャックテーブル６４に保持させる。次に、チャックテーブル６４を移動、回転させて、レーザー加工ユニット６６を加工対象の分割予定ライン１３に合わせる。

その後、レーザー加工ユニット６６から光デバイスウェーハ１１に向けてレーザー光線Ｌを照射しつつ、チャックテーブル６４を加工対象の分割予定ライン１３と平行な方向に移動させる。これにより、レーザー光線Ｌの集光点近傍に多光子吸収を生じさせて、分割予定ライン１３に沿う直線状の改質層（破断起点）１９を形成できる。

なお、反射膜１７は、光デバイス１５から放射される所定の波長の光のみを選択的に反射できるように構成されているので、レーザー加工ユニット６６から照射されたレーザー光線Ｌは、反射膜１７を透過して光デバイスウェーハ１１の内部に集光される。上述の動作を繰り返し、全ての分割予定ライン１３に沿って改質層１９が形成されると、レーザー加工ステップは終了する。

レーザー加工ステップを実施した後には、光デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側にエキスパンドテープを貼着する貼着ステップを実施する。図７は、貼着ステップを模式的に示す一部断面側面図である。

貼着ステップでは、図７に示すように、光デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側が上方に位置付けられるように、支持基板１をテーブル７２に載せて、光デバイスウェーハ１１より大径のエキスパンドテープ２１を裏面１１ｂに貼着する。なお、エキスパンドテープ２１の外周部には、環状のフレーム２３が固定される。

貼着ステップを実施した後には、支持基板１に薬液を浸透させて接着剤３を溶解し、支持基板１を光デバイスウェーハ１１から剥離する剥離ステップを実施する。図８は、剥離ステップを模式的に示す断面図である。

剥離ステップでは、図８に示すように、接着剤３を溶解できるアルコール等の薬液２５で薬液槽７４を満たし、この薬液２５に支持基板１及び光デバイスウェーハ１１を浸す。支持基板１は、複数の細孔を有しているので、薬液２５に支持基板１及び光デバイスウェーハ１１を浸すと、薬液２５は細孔を通じて接着剤３に作用し、接着剤３を溶解させる。これにより、支持基板１を光デバイスウェーハ１１から剥離できる。

本実施形態では、支持基板１に薬液２５を浸透させるので、熱によって軟化し難い接着剤３を容易に溶解して除去できる。また、光デバイスウェーハ１１にエキスパンドテープ２１を貼着するので、支持基板１を剥離する際に光デバイスウェーハ１１に加わる局所的な外力を抑制できる。これにより、支持基板１を剥離する際に光デバイスウェーハ１１の改質層１９以外の位置等での破損を防止できる。

剥離ステップを実施した後には、光デバイスウェーハ１１に外力を付与して光デバイスウェーハ１１を複数の光デバイスチップに分割する分割ステップを実施する。図９は、分割ステップを模式的に示す一部断面側面図である。

分割ステップは、例えば、図９に示すブレーキング装置８２で実施される。ブレーキング装置８２は、光デバイスウェーハ１１を支持する一対の支持板８４，８６と、支持板８４，８６の上方に配置された押圧刃８８と、支持板８４，８６の下方において光デバイスウェーハ１１を撮像するカメラ９０とを備える。押圧刃８８は、支持板８４と支持板８６との間に位置付けられており、押圧機構（不図示）で鉛直方向に移動（昇降）する。

分割ステップでは、まず、表面１１ａ側を下方に位置付けるように光デバイスウェーハ１１を支持板８４，８６上に載置し、カメラ９０で光デバイスウェーハ１１の表面１１ａ側を撮像する。光デバイスウェーハ１１の表面１１ａ側と支持板８４，８６との間には、あらかじめ、保護部材２７を設置しておく。保護部材２７は、例えば、透明な樹脂等の材料で形成されており、この保護部材２７越しに光デバイスウェーハ１１の分割予定ライン１３をカメラ９０で撮像できる。

カメラ９０で光デバイスウェーハ１１の表面１１ａ側を撮像した後には、撮像された画像に基づき光デバイスウェーハ１１と支持板８４，８６とを相対的に移動させ、改質層１９を支持板８４と支持板８６との間に位置付ける。すなわち、図９に示すように、改質層１９を押圧刃８８の直下に移動させる。

その後、押圧刃８８を下降させて、光デバイスウェーハ１１を裏面１１ｂ側から押圧刃８８で押圧する。光デバイスウェーハ１１は、支持板８４，８６によって改質層１９の両側を下方から支持されている。このため、光デバイスウェーハ１１を押圧刃８８で押圧すると、改質層１９の近傍に下向きの曲げ応力が加わり、光デバイスウェーハ１１は分割予定ライン１３に沿って分割される。全ての分割予定ライン１３に沿って光デバイスウェーハ１１が分割され、各光デバイス１５に対応する複数の光デバイスチップ２９が形成されると、分割ステップは終了する。

以上のように、本実施形態に係る光デバイスチップの製造方法では、支持基板１に光デバイスウェーハ１１の表面１１ａ側を固定した状態で、光デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側の研削及び研磨、反射膜１７の製膜、改質層（破断起点）１９の形成、という一連の工程を実施するので、この一連の工程の間、光デバイスウェーハ１１は支持基板１で補強された状態になる。支持基板１で補強しない単体の光デバイスウェーハ１１を研削、研磨すると、光デバイスウェーハ１１は、反り易く、破損し易い状態となるが、本実施形態では、光デバイスウェーハ１１が常に支持基板１に支持されているので、チャンバー５４への投入やチャンバー５４からの取り出し等の際に光デバイスウェーハ１１の破損を防止できる。

さらに、本実施形態に係る光デバイスチップの製造方法では、多孔質材からなる板状の支持基板１（又は、第１面（一方の面）１ａから第２面（他方の面）１ｂに至る複数の細孔を有する板状の支持基板１）を用い、光デバイスウェーハ１１にエキスパンドテープ２１を貼着した状態で支持基板１に薬液２５を浸透させて支持基板１と光デバイスウェーハ１１との間の接着剤３を溶解するので、熱によって軟化し難い耐熱性の接着剤３を用いる場合にも、大きな外力を付与することなく支持基板１を光デバイスウェーハ１１から容易に剥離できる。これにより、支持基板１を剥離する際に光デバイスウェーハ１１の破損を防止できる。

なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、固定ステップにおいて支持基板１側に接着剤３を塗布しているが、光デバイスウェーハ側に接着剤を塗布しても良い。

一方、上記実施形態のように、支持基板１の第１面１ａ全体に接着剤３を塗布する場合には、光デバイスウェーハ１１を固定した状態で露出する支持基板１の外周部分に反射膜１７が製膜されても、接着剤３を薬液２５で溶解することで、反射膜１７を簡単に除去できる。よって、この場合には、支持基板１の再利用が容易になる。

また、上記実施形態では、研磨ステップにおいてスラリー等の研磨液を用いているが、研磨液を用いずに光デバイスウェーハを研磨しても良い。研磨液を用いない乾式研磨では、光デバイスウェーハ等が高温になり易く、一般的な熱可塑性の接着剤を用いると支持基板が光デバイスウェーハから剥離してしまう。

これに対して、本発明では、多孔質構造を有する支持基板を用い、支持基板に薬液を浸透させて接着剤を溶解する剥離ステップを採用しているので、耐熱性のある接着剤を使用でき、乾式研磨を採用する場合でも支持基板の剥離を防止できる。

また、上記実施形態では、レーザー加工ステップにおいて多光子吸収による改質層１９を形成しているが、アブレーションによる溝等を形成して破断の起点（破断起点）としても良い。その他、上記実施形態に係る構成、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１ 支持基板
１ａ 第１面（一方の面）
１ｂ 第２面（他方の面）
３ 接着剤
１１ 光デバイスウェーハ
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ 光デバイス
１７ 反射膜
１９ 改質層（破断起点）
２１ エキスパンドテープ
２３ フレーム
２５ 薬液
２７ 保護部材
２９ 光デバイスチップ
Ｌ レーザー光線
２ スピンコーター
４ スピンナーテーブル
６ ノズル
１２ 研削装置
１４ チャックテーブル
１６ 研削ユニット
１８ スピンドルハウジング
２０ スピンドル
２２ ホイールマウント
２４ 研削ホイール
２６ ホイール基台
２８ 研削砥石
３２ 研磨装置
３４ チャックテーブル
３６ 研磨ユニット
３８ スピンドルハウジング
４０ スピンドル
４２ マウント
４４ 研磨パッド
５２ 製膜装置
５４ チャンバー
５４ａ 開口
５６ テーブル
５８ ゲート
６２ レーザー加工装置
６４ チャックテーブル
６６ レーザー加工ユニット
７２ テーブル
７４ 薬液槽
８２ ブレーキング装置
８４，８６ 支持板
８８ 押圧刃
９０ カメラ

Claims (2)

1. 表面の交差する分割予定ラインに区切られた領域に光デバイスが形成された光デバイスウェーハを該分割予定ラインに沿って分割して複数の光デバイスチップを製造する光デバイスチップの製造方法であって、
   多孔質材からなる板状の支持基板、又は一方の面から他方の面に至る複数の細孔を有する板状の支持基板に、光デバイスウェーハの表面側を接着剤で固定する固定ステップと、
   該固定ステップを実施した後、光デバイスウェーハの裏面側を研削して光デバイスウェーハを薄化する研削ステップと、
   該研削ステップを実施した後、該光デバイスウェーハの裏面側を研磨する研磨ステップと、
   該研磨ステップを実施した後、該支持基板に固定された光デバイスウェーハを製膜装置のチャンバーに投入し、光デバイスウェーハの裏面側に反射膜を製膜する反射膜製膜ステップと、
   該反射膜製膜ステップを実施した後、該チャンバーから取り出した光デバイスウェーハの該分割予定ラインに沿って裏面側からレーザー光線を照射し、光デバイスウェーハに破断起点を形成するレーザー加工ステップと、
   該レーザー加工ステップを実施した後、光デバイスウェーハの裏面側にエキスパンドテープを貼着する貼着ステップと、
   該貼着ステップを実施した後、該支持基板に薬液を浸透させて該接着剤を溶解し、該支持基板を光デバイスウェーハから剥離する剥離ステップと、
   該剥離ステップを実施した後、該光デバイスウェーハに外力を付与して光デバイスウェーハを複数の光デバイスチップに分割する分割ステップと、を含むことを特徴とする光デバイスチップの製造方法。
2. 該レーザー加工ステップでは、光デバイスウェーハに対し透過性を有する波長の該レーザー光線を用い、光デバイスウェーハの内部に該破断起点となる改質層を形成することを特徴とする請求項１記載の光デバイスチップの製造方法。

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