JP2016072630A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. ｐｎ接合を作製するためにＧａＮを主成分とする半導体をドープするための方法であって、下記のステップ、すなわち、
   シリコンを主成分とするマスク（３）によってカバーされた、ＧａＮを主成分とする半導体材料層（１ｂ）を備える基板（１）を用意することと、
   ｐ型領域に隣接したｎ型領域を形成するために、拡散によってＳｉ型の追加のドーパント不純物（４）を前記マスク（３）から前記ＧａＮを主成分とする半導体材料層（１ｂ）に移すように前記マスク（３）にドーパント不純物（２）を注入することと、
   前記ドーパント不純物（２）および前記追加のドーパント不純物（４）を活性化するように構成された熱アニールを行うことと、
   を備える方法。
2. 前記マスク（３）が前記マスク（３）によってカバーされた領域およびカバーされていない領域を画成するように前記基板（１）を部分的にカバーする、請求項１に記載の半導体をドープするための方法。
3. 前記ドーパント不純物（２）がｐ型である、請求項１または２のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
4. 前記ドーパント不純物（２）の平均注入深さが、前記半導体材料層（１ｂ）中に追加のドーパント不純物（４）を取り込むように前記マスク（３）と前記半導体材料層との界面から少なくとも３００ｎｍに等しい距離に位置する、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
5. 熱処理ステップの前に行われるキャップ層（５）の堆積ステップを備える、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
6. 前記キャップ層（５）の前記堆積ステップが前記ドーパント不純物（２）の前記注入ステップの前に行われる、請求項５に記載の半導体をドープするための方法。
7. 前記キャップ層（５）の堆積が前記ドーパント不純物（２）および前記追加のドーパント不純物（４）の前記注入ステップの後に行われる、請求項５に記載の半導体をドープするための方法。
8. 前記キャップ層（５）の材料がアルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物、シリコン酸化物、またはＳｉ_ｘＮ_ｙ型のシリコン窒化物、アモルファス・シリコンおよびＨｆＳｉ_ｘＯ_ｙ型の化合物から選ばれる、請求項５ないし７のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
9. 前記熱処理の後にエッチングすることによる前記キャップ層（５）の剥ぎ取りステップを備える、請求項５ないし８のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
10. 前記注入ステップが１５℃から７００℃の範囲、好ましくは４５０℃から６００℃の範囲に備えられた温度で行われる、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
11. 前記熱処理ステップが異なる持続時間および温度の少なくとも２つのアニールの組合せである、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
12. 前記アニールの少なくとも１つが１０００℃を超える温度で行われる、請求項１１に記載の半導体をドープするための方法。
13. 前記マスク（３）の厚さが２ｎｍから４００ｎｍの範囲に備えられた、請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
14. 前記半導体材料層（１ｂ）の厚さが５ｎｍから１０μｍの範囲、好ましくは５００ｎｍから１０μｍの範囲に備えられた、理想的には１μｍに等しい、請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。