JP2015519545A - 光電子モジュール - Google Patents
光電子モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015519545A JP2015519545A JP2015504531A JP2015504531A JP2015519545A JP 2015519545 A JP2015519545 A JP 2015519545A JP 2015504531 A JP2015504531 A JP 2015504531A JP 2015504531 A JP2015504531 A JP 2015504531A JP 2015519545 A JP2015519545 A JP 2015519545A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- optical
- proximity sensor
- sensor module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 141
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920005787 opaque polymer Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 65
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 12
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 claims description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 5
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 claims description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 101
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 23
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 15
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
- 239000011345 viscous material Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/04—Systems determining the presence of a target
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
- G01S7/4811—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements common to transmitter and receiver
- G01S7/4813—Housing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
- H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Abstract
Description
本件出願は、2012年4月5日に出願された米国仮出願第61/620,605号の優先権の利益を主張するものである。その出願の内容は、引用によりここに援用される。
本開示は、光学式近接センサモジュールなどの光電子モジュールに関する。
近接センサは、対象物の位置または場所を検知するために使用される。光学センサ、誘導センサ、および容量センサなどを含む、様々なタイプの近接センサが利用可能である。
光電子モジュールが開示される。この光電子モジュールは、一部の施行例において、光の干渉および相互干渉を減少させることを補助することができ、信号対雑音比を向上させることができる。
図1に示されるように、光電子モジュール1は、少なくとも1つのアクティブ光学部品と少なくとも1つのパッシブ光学部品とを含み得る。アクティブ光学部品の例としては、フォトダイオード、イメージセンサ、LED、OLED、またはレーザーチップなどの、光感知部品または発光部品が含まれる。パッシブ光学部品の例としては、レンズ、プリズム、ミラー、または光学系(たとえば、開口紋り、イメージスクリーン、または支持体などの機械要素を含み得るパッシブ光学部品の集合)などの、屈折および/または回折および/または反射によって光の方向を変える光学部品が含まれる。図2は、図1のモジュールの構成要素の様々な横概略断面図を示し、これらの横断面のおおよその位置は、図1においてs1からs5および破線によって示される。s4およびs5については、視線の方向が矢印によって示される。
Claims (36)
- 光学式近接センサモジュールであって、
基板と、
前記基板の第1の表面上に搭載される発光素子とを備え、前記発光素子は第1の波長の光を放出するように動作可能であり、光学式近接センサモジュールはさらに、
前記基板の前記第1の表面上に搭載される光検知器を備え、光検知器は前記第1の波長の光を検知するように動作可能であり、光学式近接センサモジュールはさらに、
前記基板に対して実質的に平行に取り付けられる光学部材を備え、前記光学部材は、前記第1の波長の光を透過する第1および第2の透明部分を含み、前記光学部材はさらに、前記第1の波長の入射光を実質的に減衰または遮断する遮断部分を含み、前記第1の部分は前記発光素子の上方に取り付けられ、前記第2の部分は前記光検知器の上方に取り付けられ、光学式近接センサモジュールはさらに、
カーボンブラックを含有する不透明ポリマー材料から構成される分離部材を備え、前記分離部材は、前記基板と前記光学部材との間に接触して取り付けられ、前記分離部材は前記発光素子および前記光検知器を囲み、前記分離部材は、前記基板から前記光学部材へ延在するとともに前記発光素子と前記光検知器とを互いに分離する壁部分を含む、光学式近接センサモジュール。 - 前記ポリマー材料はエポキシを含む、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
- 前記ポリマー材料は、アクリレート、ポリウレタン、またはシリコーン材料を含む、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
- 前記カーボンブラックは、前記ポリマー材料に埋め込まれる、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
- 前記発光素子は発光ダイオードを含み、前記光検知器はフォトダイオードを含む、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
- 前記発光ダイオードは赤外光または近赤外光を放出し、前記フォトダイオードは赤外光または近赤外光を検知する、請求項5に記載の光学式近接センサモジュール。
- 前記分離部材は前記発光素子によって放出される光を実質的に透過しない、請求項5に記載の光学式近接センサモジュール。
- 前記分離部材は熱硬化ポリマー材料から構成される、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
- 前記エポキシ材料は少なくとも0.7%のカーボンブラックを含有する、請求項2に記載の光学式近接センサモジュール。
- 前記エポキシ材料は少なくとも0.8%のカーボンブラックを含有し、前記分離部材は前記発光素子によって放出された光を実質的に透過しない、請求項2に記載の光学式近接センサモジュール。
- 前記エポキシ材料中のカーボンブラックの量は十分の大きく、前記発光素子によって放出された光の波長で前記壁部分を通る光の伝達は0.1%以下である、請求項2に記載の光学式近接センサモジュール。
- 前記エポキシ材料中のカーボンブラックの量は十分の大きく、前記発光素子によって放出された光の波長で前記壁部分を通る光の伝達は0.00015%以下である、請求項2に記載の光学式近接センサモジュール。
- 前記エポキシ材料中のカーボンブラックの量は十分の大きく、前記発光素子によって放出された光の波長での前記壁部分における光の吸収率は少なくとも3である、請求項2に記載の光学式近接センサモジュール。
- 前記分離部材は、前記発光素子によって放出された光の波長において少なくとも0.015/μmの吸収係数を有する、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
- 前記発光素子に結合される第1の電気接触部と前記光検知器に結合される第2の電気接触部とを含み、前記第1および第2の電気接触部は前記モジュールの外部に電気的に接続される、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
- 前記光学部材の前記第1の透明部分に取り付けられる第1のパッシブ光学部品と、
前記光学部材の前記第2の透明部分に取り付けられる第2のパッシブ光学部品とを含み、
前記第1のパッシブ光学部品は前記発光素子の上方に取り付けられ、前記第2のパッシブ光学部品は前記光検知器の上方に取り付けられる、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。 - 前記第1および第2のパッシブ光学部品の各々はレンズを含む、請求項16に記載の光学式近接センサモジュール。
- 前記発光素子から放出される光が前記第1の透明部分を通過するように、および前記第1の透明部分を通過し、前記モジュールの外側に位置する表面で反射し、前記第2の透明部分を通過する光の少なくとも一部が前記光検知器に検知されるように、前記発光素子、前記光学部材、および前記光検知器が配置され、前記検知される光の量は、前記モジュールの外側に位置する前記表面と前記光学部材との距離に依存する、請求項1に記載の光学式近接センサモジュール。
- 光学式近接センサモジュールであって、
基板と、
前記基板の第1の表面上に搭載される発光素子とを備え、前記発光素子は第1の波長の光を放出するように動作可能であり、光学式近接センサモジュールはさらに、
前記基板の前記第1の表面上に搭載される光検知器を備え、前記光検知器は前記第1の波長の光を検知するように動作可能であり、光学式近接センサモジュールはさらに、
前記基板に対して実質的に平行に取り付けられる光学部材を備え、前記光学部材は、前記第1の波長の光を透過する第1および第2の透明部分を含み、前記光学部材はさらに、前記第1の波長の入射光を実質的に減衰または遮断する遮断部分を含み、前記第1の部分は前記発光素子の上方に取り付けられ、前記第2の部分は前記光検知器の上方に取り付けられ、光学式近接センサモジュールはさらに、
色素を含有する不透明ポリマー材料から構成される分離部材を備え、前記分離部材は、前記基板と前記光学部材との間に接触して取り付けられ、前記分離部材は前記発光素子および前記光検知器を囲み、前記分離部材は、前記基板から前記光学部材へ延在するとともに前記発光素子と前記光検知器とを互いに分離する壁部分を含み、前記分離部材中の色素の量は十分に大きく、前記発光素子によって放出された光の波長で前記壁部分を通る光の伝達は0.1%以下である、光学式近接センサモジュール。 - 複数の光学式近接センサモジュールを作製する方法であって、方法は、
複数の発光素子が搭載されるとともに複数の光検知器が搭載される第1の表面を有する基板ウエハを設けるステップを備え、各発光素子は対応する1つの光検知器に隣接して取り付けられ、前記発光素子および前記光検知器は配列して前記ウエハ上に搭載され、前記発光素子は第1の波長の光を放出するように動作可能であり、前記光検知器は前記第1の波長の光を検知するように動作可能であり、方法はさらに、
カーボンブラックを含有する不透明ポリマー材料から構成されるスペーサウエハを設けるステップを備え、前記スペーサウエハは、前記基板ウエハ上の前記発光素子および前記光検知器の配列に実質的に対応した配列の開口を有し、方法はさらに、
前記第1の波長の入射光を実質的に減衰または遮断する遮断部分を含む光学ウエハを設けるステップを備え、前記光学部材は、前記第1の波長の光を透過する複数の第1および第2の透明部分をさらに含み、前記第1および第2の透明部分は、前記基板ウエハ上の前記発光素子および前記光検知器の配列に実質的に対応する配列で配置され、方法はさらに、
ウエハスタックを準備するステップを備え、前記ウエハスタックにおいて、前記発光素子および前記光検知器が前記基板ウエハと前記光学ウエハとの間に取り付けられるように、前記スペーサウエハが前記基板ウエハと前記光学ウエハとの間に配置され、前記発光素子および前記光検知器は前記スペーサウエハのそれぞれの部分に囲まれ、前記スペーサウエハのそれぞれの部分は、各特定の発光素子をその対応する光検知器から分離し、前記光学ウエハの各第1の透明部分は前記発光素子のそれぞれの上方に取り付けられ、前記光学ウエハの各第2の透明部分は前記光検知器のぞれぞれの上方に取り付けられ、方法はさらに、
前記ウエハスタックを複数のモジュールに分離するステップを備え、各モジュールは前記発光素子の1つと前記光検知器の1つとを含む、方法。 - 前記発光素子は発光ダイオードであり、前記光検知器はフォトダイオードである、請求項20に記載の方法。
- 前記スペーサウエハは、前記発光素子によって放出された光を実質的に透過しない、請求項20に記載の方法。
- 前記ポリマー材料はエポキシ材料を含み、前記カーボンブラックは前記エポキシ材料に埋め込まれる、請求項20に記載の方法。
- 前記スペーサウエハは熱硬化エポキシ材料から構成される、請求項20に記載の方法。
- 前記スペーサウエハの前記ポリマー材料は少なくとも0.7%のカーボンブラックを含有する、請求項20に記載の方法。
- 前記スペーサウエハの前記ポリマー材料は少なくとも0.8%のカーボンブラックを含有し、前記スペーサウエハは、前記発光素子によって放出された光を実質的に透過しない、請求項20に記載の方法。
- 前記ポリマー材料中のカーボンブラックの量は十分に大きく、前記発光素子によって放出された光の波長で前記壁部分を通る光の伝達は0.1%以下である、請求項20に記載の方法。
- 前記ポリマー材料中のカーボンブラックの量は十分に大きく、前記発光素子によって放出された光の波長での前記壁部分における光の吸収率は少なくとも3である、請求項20に記載の方法。
- 前記ポリマー材料は、アクリレート、ポリウレタン、またはシリコーン材料を含む、請求項20に記載の方法。
- 前記光学ウエハは、
前記第1の透明部分の各々に取り付けられた第1のパッシブ光学部品と、
前記第2の透明部分の各々に取り付けられた第2のパッシブ光学部品とを含む、請求項20に記載の方法。 - 前記第1および第2のパッシブ光学部品の各々はレンズを含む、請求項30に記載の方法。
- 移動通信装置であって、
プロセッサと、
メモリと、
ディスプレイと、
通信インターフェイスと、
トランシーバと、
光学式近接センサモジュールとを含み、光学式近接センサモジュールは、
基板と、
前記基板の第1の表面上に搭載される発光素子とを含み、前記発光素子は第1の波長の光を放出するように動作可能であり、光学式近接センサモジュールはさらに、
前記基板の前記第1の表面上に搭載される光検知器を含み、前記光検知器は前記第1の波長の光を検知するように動作可能であり、光学式近接センサモジュールはさらに、
前記基板に対して実質的に平行に取り付けられる光学部材を含み、前記光学部材は、前記第1の波長の光を透過する第1および第2の透明部分を含み、前記光学部材はさらに、前記第1の波長の入射光を実質的に減衰または遮断する遮断部分を含み、前記第1の透明部分は前記発光素子の上方に取り付けられ、前記第2の透明部分は前記光検知器の上方に取り付けられ、光学近接モジュールはさらに、
色素を含有する不透明ポリマー材料から構成される分離部材を含み、前記分離部材は、前記基板と前記光学部材との間に接触して取り付けられ、前記分離部材は前記発光素子および前記光検知器を囲み、前記分離部材は、前記基板から前記光学部材へ延在するとともに前記発光素子と前記光検知器とを互いに分離する壁部分を含み、前記分離部材中の色素の量は十分に大きく、前記第1の波長で前記壁部分を通る光の伝達は0.1%以下である、移動通信装置。 - 前記色素はカーボンブラックである、請求項32に記載の移動通信装置。
- 前記ポリマー材料は少なくとも0.7%のカーボンブラックを含有する、請求項32に記載の移動通信装置。
- 前記ポリマー材料中の色素の量は十分に大きく、前記発光素子によって放出された光の波長での前記壁部分における光の吸収率は少なくとも3である、請求項32に記載の移動通信装置。
- 前記分離部材は、前記発光素子によって放出された光の波長において少なくとも0.015/μmの吸収係数を有する、請求項32に記載の移動通信装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261620605P | 2012-04-05 | 2012-04-05 | |
US61/620,605 | 2012-04-05 | ||
US13/827,264 | 2013-03-14 | ||
US13/827,264 US8791489B2 (en) | 2012-04-05 | 2013-03-14 | Opto-electronic module |
PCT/SG2013/000131 WO2013151507A1 (en) | 2012-04-05 | 2013-04-03 | Opto-electronic module |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017037155A Division JP2017152698A (ja) | 2012-04-05 | 2017-02-28 | 光電子モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015519545A true JP2015519545A (ja) | 2015-07-09 |
JP2015519545A5 JP2015519545A5 (ja) | 2016-06-02 |
Family
ID=49291595
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015504531A Pending JP2015519545A (ja) | 2012-04-05 | 2013-04-03 | 光電子モジュール |
JP2017037155A Pending JP2017152698A (ja) | 2012-04-05 | 2017-02-28 | 光電子モジュール |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017037155A Pending JP2017152698A (ja) | 2012-04-05 | 2017-02-28 | 光電子モジュール |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8791489B2 (ja) |
EP (1) | EP2834683B1 (ja) |
JP (2) | JP2015519545A (ja) |
KR (1) | KR20140147119A (ja) |
CN (2) | CN104303077B (ja) |
SG (2) | SG11201405660VA (ja) |
TW (2) | TWI567954B (ja) |
WO (1) | WO2013151507A1 (ja) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG10201606075XA (en) * | 2011-08-10 | 2016-09-29 | Heptagon Micro Optics Pte Ltd | Opto-electronic module and method for manufacturing the same |
US9063005B2 (en) * | 2012-04-05 | 2015-06-23 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Reflowable opto-electronic module |
US9741184B2 (en) | 2012-10-14 | 2017-08-22 | Neonode Inc. | Door handle with optical proximity sensors |
US9164625B2 (en) | 2012-10-14 | 2015-10-20 | Neonode Inc. | Proximity sensor for determining two-dimensional coordinates of a proximal object |
US9921661B2 (en) | 2012-10-14 | 2018-03-20 | Neonode Inc. | Optical proximity sensor and associated user interface |
US10585530B2 (en) | 2014-09-23 | 2020-03-10 | Neonode Inc. | Optical proximity sensor |
US10324565B2 (en) | 2013-05-30 | 2019-06-18 | Neonode Inc. | Optical proximity sensor |
US8946620B2 (en) * | 2012-10-16 | 2015-02-03 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Proximity sensor device with internal channeling section |
WO2014109711A1 (en) | 2013-01-10 | 2014-07-17 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Opto-electronic modules including features to help reduce stray light and/or optical cross-talk |
US10884551B2 (en) | 2013-05-16 | 2021-01-05 | Analog Devices, Inc. | Integrated gesture sensor module |
WO2015030673A1 (en) | 2013-09-02 | 2015-03-05 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Opto-electronic module including a non-transparent separation member between a light emitting element and a light detecting element |
WO2015076750A1 (en) | 2013-11-22 | 2015-05-28 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Compact optoelectronic modules |
EP3080840B1 (en) * | 2013-12-09 | 2019-05-22 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Modules having multiple optical channels including optical elements at different heights above the optoelectronic devices |
TWI667767B (zh) * | 2014-03-31 | 2019-08-01 | 菱生精密工業股份有限公司 | Package structure of integrated optical module |
TWI634648B (zh) * | 2014-06-13 | 2018-09-01 | 億光電子工業股份有限公司 | 光感測器的製造方法 |
US9356185B2 (en) * | 2014-06-20 | 2016-05-31 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Compact light sensing modules including reflective surfaces to enhance light collection and/or emission, and methods of fabricating such modules |
US9405096B2 (en) * | 2014-08-29 | 2016-08-02 | Heptagon Micro Optics Pte, Ltd. | Image sensor modules including primary high-resolution and secondary imagers |
US9590129B2 (en) * | 2014-11-19 | 2017-03-07 | Analog Devices Global | Optical sensor module |
CN105679753B (zh) * | 2014-11-20 | 2018-05-08 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 光学模块、其制造方法及电子装置 |
WO2016085607A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Neonode Inc | Door handle with optical proximity sensors |
CN107430187B (zh) | 2014-12-02 | 2021-06-18 | 新加坡恒立私人有限公司 | 深度传感器模块和深度感测方法 |
KR102436320B1 (ko) * | 2015-03-02 | 2022-08-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 근조도 센서 및 이를 포함하는 휴대용 단말기 |
JP6560006B2 (ja) * | 2015-04-08 | 2019-08-14 | 東芝ライフスタイル株式会社 | 冷蔵庫 |
EP3360157B1 (en) * | 2015-10-07 | 2020-09-02 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Molded circuit substrates |
TWI708070B (zh) * | 2015-10-22 | 2020-10-21 | 新加坡商海特根微光學公司 | 用於測距系統之光學串擾校準 |
CN205450269U (zh) * | 2015-12-18 | 2016-08-10 | 深圳市金立通信设备有限公司 | 激光测距装置、摄像装置及其终端 |
US9911877B2 (en) * | 2016-01-14 | 2018-03-06 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Electronic device, package structure and method of manufacturing the same |
CN109328318B (zh) | 2016-04-15 | 2021-11-02 | 赫普塔冈微光有限公司 | 具有对准间隔件的光电子模块和用于组装所述光电子模块的方法 |
US11226402B2 (en) | 2016-06-09 | 2022-01-18 | Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. | Optical ranging systems including optical cross-talk reducing features |
US20180017741A1 (en) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package device and method of manufacturing the same |
US11662541B2 (en) | 2017-11-07 | 2023-05-30 | Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. | Optoelectronic modules having locking assemblies and methods for manufacturing the same |
US10712197B2 (en) | 2018-01-11 | 2020-07-14 | Analog Devices Global Unlimited Company | Optical sensor package |
US11805629B2 (en) | 2019-09-11 | 2023-10-31 | Apple Inc. | Opaque splits embedded in transparent media for optical emitter/detector isolation |
US11786139B2 (en) | 2019-09-11 | 2023-10-17 | Apple Inc. | Opaque splits embedded in transparent media for optical emitter/detector isolation |
CN111063621B (zh) * | 2019-12-30 | 2021-11-02 | 江苏大摩半导体科技有限公司 | 一种光电探测器及其制造方法 |
EP4085321A4 (en) | 2019-12-31 | 2024-01-24 | Neonode Inc. | CONTACTLESS TOUCHLESS INPUT SYSTEM |
JP7511399B2 (ja) | 2020-06-26 | 2024-07-05 | 太陽ホールディングス株式会社 | 硬化性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、電子部品 |
KR102430150B1 (ko) * | 2020-08-25 | 2022-08-08 | 서울대학교산학협력단 | 식생 모니터링을 위한 분광 센서 회로 및 이를 포함하는 스마트 분광 센서 |
KR20220026864A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 삼성전자주식회사 | 광 센서 및 이를 포함하는 전자 장치 |
CN118191794B (zh) * | 2024-05-20 | 2024-08-20 | 万合(洛阳)光电技术有限公司 | 一种大气探测激光雷达防阳光直射装置及方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001194232A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Sony Corp | 光センサ装置及び表示装置 |
JP2002043922A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Sunx Ltd | ピッキングセンサ |
WO2010120651A2 (en) * | 2009-04-14 | 2010-10-21 | Intersil Americas Inc. | Optical sensors that reduce specular reflections |
US7925154B2 (en) * | 2008-08-08 | 2011-04-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Camera module and method of manufacturing the same |
JP2011193033A (ja) * | 2011-07-07 | 2011-09-29 | Rohm Co Ltd | 赤外線データ通信モジュール |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5187361A (en) | 1989-04-25 | 1993-02-16 | Copal Company Limited | Object detection apparatus of the photoelectric reflection type with sampled data |
US5150438A (en) * | 1991-07-29 | 1992-09-22 | Motorola, Inc. | Optocoupler apparatus with reflective overcoat |
JP2002324916A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Rohm Co Ltd | 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法 |
US6710346B2 (en) * | 2001-08-02 | 2004-03-23 | International Business Machines Corporation | Active infrared presence sensor |
EP1540740B1 (en) * | 2002-09-09 | 2019-06-12 | Koninklijke Philips N.V. | Method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device |
JP4133896B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2008-08-13 | シャープ株式会社 | 光ピックアップ装置 |
JP4948033B2 (ja) | 2006-05-16 | 2012-06-06 | ローム株式会社 | マイクロ流体回路の製造方法およびその方法により製造したマイクロ流体回路 |
CN101078771A (zh) * | 2006-05-24 | 2007-11-28 | 夏普株式会社 | 光学式测距装置及其制造方法 |
CH713513B1 (fr) * | 2007-02-22 | 2018-08-31 | Em Microelectronic Marin Sa | Module optoélectronique muni d'au moins un circuit photorécepteur. |
US20080290435A1 (en) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Micron Technology, Inc. | Wafer level lens arrays for image sensor packages and the like, image sensor packages, and related methods |
US7898738B2 (en) * | 2007-09-10 | 2011-03-01 | Oki Data Corporation | Lens array, manufacturing method thereof, LED head having lens array, exposure device having LED head, image forming apparatus having exposure device, and reading apparatus |
US20110031510A1 (en) * | 2007-11-27 | 2011-02-10 | Heptagon Oy | Encapsulated lens stack |
US8217482B2 (en) * | 2007-12-21 | 2012-07-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared proximity sensor package with reduced crosstalk |
KR101353934B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2014-01-22 | 삼성전기주식회사 | 전기소자를 구비한 이미지센서 모듈 및 그 제조방법 |
TWI432788B (zh) * | 2008-01-16 | 2014-04-01 | Omnivision Tech Inc | 膜懸置光學元件與相關方法 |
US8330945B2 (en) * | 2008-03-24 | 2012-12-11 | Nanolambda, Inc. | Multi-purpose plasmonic ambient light sensor and visual range proximity sensor |
US20100259766A1 (en) | 2009-04-14 | 2010-10-14 | Intersil Americas Inc. | Optical sensors and methods for providing optical sensors |
US8779361B2 (en) * | 2009-06-30 | 2014-07-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optical proximity sensor package with molded infrared light rejection barrier and infrared pass components |
US8350216B2 (en) | 2009-09-10 | 2013-01-08 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Miniaturized optical proximity sensor |
US8143608B2 (en) * | 2009-09-10 | 2012-03-27 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Package-on-package (POP) optical proximity sensor |
US8716665B2 (en) * | 2009-09-10 | 2014-05-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Compact optical proximity sensor with ball grid array and windowed substrate |
US8232883B2 (en) | 2009-12-04 | 2012-07-31 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optical proximity sensor with improved shield and lenses |
US20110226952A1 (en) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Capella Microsystems, Corp. | Reflection Sensing System |
US8384559B2 (en) | 2010-04-13 | 2013-02-26 | Silicon Laboratories Inc. | Sensor device with flexible interface and updatable information store |
US8558161B2 (en) * | 2010-08-10 | 2013-10-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Lens having multiple conic sections for LEDs and proximity sensors |
JP2012057979A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Nec Tokin Corp | 焦電型赤外線センサ |
SG193151A1 (ja) | 2011-07-19 | 2013-09-30 | Heptagon Micro Optics Pte Ltd | |
US9366752B2 (en) * | 2011-09-23 | 2016-06-14 | Apple Inc. | Proximity sensor with asymmetric optical element |
TWI567953B (zh) * | 2011-12-20 | 2017-01-21 | 新加坡恒立私人有限公司 | 光電模組及包含該模組之裝置 |
-
2013
- 2013-03-14 US US13/827,264 patent/US8791489B2/en active Active
- 2013-04-03 JP JP2015504531A patent/JP2015519545A/ja active Pending
- 2013-04-03 CN CN201380018959.1A patent/CN104303077B/zh active Active
- 2013-04-03 KR KR1020147030936A patent/KR20140147119A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-04-03 SG SG11201405660VA patent/SG11201405660VA/en unknown
- 2013-04-03 SG SG10201508450UA patent/SG10201508450UA/en unknown
- 2013-04-03 TW TW102112208A patent/TWI567954B/zh active
- 2013-04-03 TW TW105137294A patent/TWI587491B/zh active
- 2013-04-03 WO PCT/SG2013/000131 patent/WO2013151507A1/en active Application Filing
- 2013-04-03 CN CN201810433193.8A patent/CN108511538B/zh active Active
- 2013-04-03 EP EP13772202.1A patent/EP2834683B1/en active Active
-
2014
- 2014-06-13 US US14/303,968 patent/US8975108B2/en active Active
-
2017
- 2017-02-28 JP JP2017037155A patent/JP2017152698A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001194232A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Sony Corp | 光センサ装置及び表示装置 |
JP2002043922A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Sunx Ltd | ピッキングセンサ |
US7925154B2 (en) * | 2008-08-08 | 2011-04-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Camera module and method of manufacturing the same |
WO2010120651A2 (en) * | 2009-04-14 | 2010-10-21 | Intersil Americas Inc. | Optical sensors that reduce specular reflections |
JP2011193033A (ja) * | 2011-07-07 | 2011-09-29 | Rohm Co Ltd | 赤外線データ通信モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI567954B (zh) | 2017-01-21 |
CN108511538B (zh) | 2021-09-21 |
EP2834683A1 (en) | 2015-02-11 |
CN104303077A (zh) | 2015-01-21 |
EP2834683B1 (en) | 2020-03-25 |
SG10201508450UA (en) | 2015-11-27 |
US20130264586A1 (en) | 2013-10-10 |
KR20140147119A (ko) | 2014-12-29 |
CN108511538A (zh) | 2018-09-07 |
US8975108B2 (en) | 2015-03-10 |
TW201709491A (zh) | 2017-03-01 |
TWI587491B (zh) | 2017-06-11 |
CN104303077B (zh) | 2018-05-29 |
SG11201405660VA (en) | 2014-11-27 |
US8791489B2 (en) | 2014-07-29 |
TW201349467A (zh) | 2013-12-01 |
US20140291703A1 (en) | 2014-10-02 |
JP2017152698A (ja) | 2017-08-31 |
EP2834683A4 (en) | 2015-12-30 |
WO2013151507A1 (en) | 2013-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6328813B2 (ja) | リフロー可能な光電子モジュール | |
JP2017152698A (ja) | 光電子モジュール | |
US11005001B2 (en) | Opto-electronic modules and methods of manufacturing the same and appliances and devices comprising the same | |
US9746349B2 (en) | Opto-electronic module including a non-transparent separation member between a light emitting element and a light detecting element | |
KR102208832B1 (ko) | 웨이퍼 스택 조립 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160401 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160401 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20160401 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20160519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160831 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20161101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170228 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170308 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20170502 |