JP2015515431A - 担体付のフレキシブルガラスの処理 - Google Patents
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Abstract
Description
(a)薄板及び担体を用意するステップと、
(b)前記薄板を前記担体に結合するステップと、
(c)結合後に前記薄板及び前記担体の間に閉じ込められたガスを最小にするように前記薄板及び前記担体の少なくとも1つを処理するステップと、を含むことを特徴とする。
担体と、
薄板と、
外側ペリメーターを有し且つ前記担体に前記薄板を保持する結合領域と、
前記結合領域に囲まれるように配置された非結合領域と、を含み、
前記薄板及び前記担体の少なくとも1つは、前記非結合領域から前記結合領域の前記外側ペリメーターまで延びる溝を含むことを特徴とする。
非結合領域を囲む結合領域によって薄板を担体に付けるステップと、
前記非結合領域上にデバイスを形成するように前記薄板を処理するステップと、
前記第13〜17の態様のいずれか1の方法に従って前記薄板の所望部分を除去するステップと、を含むことを特徴とする。
複数のオリフィスを有するヘッドと、
前記複数のオリフィスの第1のオリフィスに光学的に結合され、前記第1のオリフィスを通してレーザビームを送るレーザ源と、
前記複数のオリフィスの内の少なくとも第2のオリフィス及び少なくとも第3のオリフィスと流体連通する冷却流体源であって、前記第1のオリフィスから前記第2のオリフィスまで延びる第1のラインは前記第1のオリフィスから前記第3のオリフィスまで延びる第2のラインに対して第1の角度で配置される前記冷却流体源と、を含むことを特徴とする。
前記第1の角度は、90度であり、
前記冷却流体源は前記複数のオリフィスの第4のオリフィス及び前記複数のオリフィスの第5のオリフィスと流体連通し、
前記第1のオリフィスから前記第4のオリフィスまで延びる第3のラインは、前記第1のラインと実質的に同一線上にあり、
前記第1のオリフィスから前記第5のオリフィスまで延びる第4のラインは、前記第2のラインと実質的に同一線上にあることを特徴とする切断装置が提供される。
前記第1の角度が90度以外の角度又はその倍数の角度である切断装置が提供される。
複数のオリフィスを有するヘッドと、
前記複数のオリフィスの第1のオリフィスに光学的に結合され、前記第1のオリフィスを通してレーザビームを送るレーザ源と、
前記複数のオリフィスの少なくとも第2のオリフィスと流体連通する冷却流体源と、を含み、
前記ヘッドは、回転可能であることを特徴とする切断装置が提供される。
前記第19〜21、23、24の態様のいずれか1の切断装置を用意するステップと、
前記第1のラインに沿って第1の方向にヘッドを移動しながら、前記第1のオリフィスを通してレーザビームを送り、第2のオリフィスを通して冷却流体を送るステップと、
前記第2のオリフィスを通した冷却流体を送ることを遮断するステップと、
前記第2のラインに沿って第2方向に前記ヘッドを移動させながら前記第3のオリフィスを通して流体を送るステップと、
前記第3のオリフィスを通した冷却流体を送ることを遮断するステップと、を含むことを特徴とする方法が提供される。
前記第22の態様の切断装置を用意するステップと、
第1の方向にヘッドを移動しながら、前記第1のオリフィスを通してレーザビームを送り、第2のオリフィスを通して冷却流体を送るステップと、
前記ヘッドを回転させ、前記第1の方向に対して非ゼロ角度で第2の方向に前記ヘッドを移動させるステップと、を含むことを特徴とする方法が提供される。
担体と、
薄板と、
前記薄板のペリメーターに形成され、前記薄板を前記担体に保持する結合領域と、
前記結合領域によって囲まれるように配置された解放層と、を含み、
前記解放層は、第1の所定の温度で前記薄板に結合しないが、第2の所定の温度で前記薄板に結合する材料からなり、前記第2の所定の温度が前記第1設定温度よりも高いことを特徴とする物品が提供される。
前記第1の所定温度超える温度に前記解放層をさらさせない処理を使用して薄板上にデバイスを成形するステップをさらに含むことを特徴とする方法が提供される。
物品の薄板上にて前記デバイスの少なくとも一部を処理する処理ステップであって、
前記物品は、厚さ≦300ミクロンを有する前記薄板であって厚さ≧100ミクロンの担体に結合された前記薄板を含み、さらに、前記結合は、1つの結合強度を有する複数の第1の領域と、前記第1の結合強度よりも著しく高い第2の結合強度を有する第2の領域とを含むように、処理する前記処理ステップと、
第1の物品部分及び第2の物品部分を生成するように少なくとも前記物品の前記担体をダイシングするダイシングステップであって、前記第1の物品部分が前記複数の第1の領域及び前記第2の領域の少なくとも一部のうちの1つを含むダイシングステップと、
前記デバイスの追加の部分を前記第1の物品部分上にて処理するステップと、を含むことを特徴とする方法が提供される。
図1及び図2を参照すると、厚さ12を有する担体10は薄板20に結合されて、薄板20が300ミクロン以下の厚さ22(限定されないが、例えば、10〜50ミクロン、50〜100ミクロン、100〜150ミクロン及び150〜300ミクロンの厚さを含む)を有し、既存のデバイス処理インフラストラクチャにて利用することができるようになっている。担体10と薄板20が互いに結合されている場合、その合わせた厚さ24は、デバイス処理機器用に設計された厚いシートと同じである。例えば、処理装置が700ミクロン厚シートのために設計され、そして薄板が300ミクロンの厚さ22を有していた場合、厚さ12は400ミクロンのように選択される。
図3は、本概念のための一般的な処理フローを示す。担体フロー処理102は、大きさ、厚さ、及び材料の点で適切な担体を選択することを含む。次に、担体は処理104で洗浄される。106で、担体は、薄板で異なる結合強度を有する領域を達成するように処理される。次に、担体は、処理104と同じであっても異なっていてもよく、処理104aで再び洗浄されることができる。あるいは、薄板での異なる結合強度の領域を達成するために使用された処理に依存して、担体を、異なる洗浄工程で洗浄することができる。次に、担体は、初期結合工程108で薄板に結合するため準備される。処理フロー122では、薄板は、その大きさ、厚さ、及び材料の点で選択される。薄板は、担体、よりわずかに大きいか又はわずかに小さいか、ほぼ同じようなサイズであってもよい。選択後、薄板は124で洗浄される。洗浄処理124は、104で使用したものと同じであってもよいし、異なっていてもよい。洗浄処理の目的は、担体及び薄板の結合面上にある粒子又は他の不純物の量を低減することである。108において、薄板と担体との結合面は互いに接触している。110において、担体と薄板との間の結合を強化するために実行処理がなされる。112において、担体/薄板の物品は薄板上にデバイスを形成するための処理を受ける。114において、必要に応じて、担体と薄板は、まだ担体に結合している薄板を小さな部分に切断することができる。現在では、114でのダイシングは、処理112の前に、又は処理112の2つの異なるステップの間で、処理112の後に発生する可能性がある。次いで、116において、薄板の少なくとも一部が担体から除去される。
担体は、厚さ0.7mm、直径200mmの円形ウェハ、コーニング社のEagle XG(登録商標)ガラスの組成を有するものが選択された。薄板は、厚さ100ミクロン、担体よりも小さいサイズ、コーニング社のEagle XG(登録商標)ガラスの組成を有するものが選択された。
洗浄処理は、主に、薄板と担体の間の結合を妨げる可能がある粒子を除去するために使用される。しかしながら、洗浄処理はまた、担体の表面を粗面化し、それによって、異なる結合強度106を達成する処理に関連して以下に説明する非結合領域を形成するのを助けるために使用されることができる。洗浄処理は担体上(及び/又は薄板上、薄板はさらに又は代替的に処理106を受ける場合がある)にて処置106前に104として、又は処置106後の104aとして、又は処置106の前と後の両方として、施される可能性がある。薄板106におけるような表面処理を受けていない場合でも、洗浄処理は、また、初期結合の前の薄板で施されることがある。
担体及び薄板の選択−例1からの各担体及び薄板は、4つのステップの処理を介し処理された。ここでの基本的なレシピは、タンク403内の溶解したオゾン洗浄ステップ410、タンク402内のSC1ステップ420、タンク403内のリンスステップ430、タンク404内の乾燥ステップ440である。特に明記しない限り、すべての混合物は体積で作られている。本明細書中で使用されるNH4OHは14.5モル(水中で28重量/重量のNH3)である。本明細書中で使用されるH2O2は、水中で30重量%のH2O2である。DI又はDIH2Oは脱イオン水を指し、これらの用語は本明細書において互換的に使用される。
オゾン濃度:30ppm
時間:10分
温度:周囲(約22℃)
水高流量:44Lpm
第2のステップ420においてまた、サンプルはSC1溶液を含有するタンク402内に配置される。細目は以下のとおり。
温度:65℃
時間:5分
メガソニック:350ワット、850kHz
第3のステップ430では、サンプルはクイックダンプリンス(QDR)のために、タンク403内に配置されている。細目は以下のとおり。
濯ぎ:DI水高流量カスケード44Lpm
温度:周囲(約22℃)
第4のステップ440において、IPA蒸気中の乾燥が行われる。細目は以下のとおり。
時間:2分最後150℃、N2高流量乾燥
(洗浄例−2)
解放層付加−例1からの担体は、上記の洗浄例−1で概説したのと同じ洗浄処理が施された。
この説明を通して、説明の簡略化のために、異なる結合強度の領域を達成するための処理は、担体上で実行されるものとして説明する。しかしながら、代替的に、そのような処理は、薄板上で実施、又は担体と薄板の両方でもよいことに留意すべきである。
シャドウーマスク法は、より少ない処理ステップであり必要とされる機器が少ないので、少なくとも部分的にポリマーフォトレジスト法よりも低コストである。マスク材料は、金属、プラスチック、ポリマー、又はセラミックのような容易にエッチングされない材料のいくつかのタイプであってもよい。ただし、シャドウーマスク法はフォトレジスト法よりも正確でないかもしれない、したがって、いくつかの用途として適していない。具体的には、シャドウーマスク法により製造された露出エッジは、高分子フォトレジスト法により製造されたエッジ程、明らかなに画定されない。
ポリマーフォトレジスト法は、シャドウーマスク方式より多くの設備が必要であり、そしてそれ以上の工程ステップがあるので、少なくとも部分的にはシャドウーマスク方式よりも高コストである。しかし、この方法はシャドウーマスク法よりも正確であり、よって、いくつかの用途により適している。ポリマーフォトレジスト法により製造された露出エッジは、より明瞭にシャドウーマスク法により製造さよりもより明瞭に画定される。ポリマーフォトレジスト法を実施するための手順は次の通りである。ポリマーフォトレジストは、所望の結合領域を塞ぐように、ガラス担体上に堆積される。フォトリソグラフィ(露光してフォトレジストを現像)は、担体の表面が粗面化される所望の結合領域のパターンを画定するために実行される。AP−RIEプラズマエッチングはガラス担体の露出領域上で行われる。露光は、ガラスの表面又は背面から施される可能性がある。いずれの場合も、ポリマーは、結合領域となる予定の領域を保護する。
洗浄例1からの担体を採取し、AZOが非結合領域における担体上にスパッタされた。すなわち、マスクは、結合領域にて被覆担体からスパッタされたAZOをブロックするために使用された。AZOは、0.5重量%のAZOターゲットから10mT圧力、1%O2Arガス流中で且つ2.5W/cm2RF電力密度(ターゲットにおいて)でのRFスパッタ法により、堆積された。
解放層を有するシート(薄板及び/又は担体)の初期結合に備えるために、予備加熱工程を用いることができる。予備加熱工程の1つの目的は、解放層の洗浄及び/又は形成後に残った揮発性物質を追い出すことである。予熱工程は、有利には、結合した担体/薄板物品のその後のデバイス処理中に予想される温度に近い又はそれ以上の温度でシートを加熱する。予備加熱中に使用される温度が予想されるデバイス処理温度未満である場合には、追加の揮発物がデバイス処理中に追い出されて非結合領域で内臓されたガスは、特定の場合において、担体からの薄板の分離又は薄板の破損を生ぜしめることがある。薄板の分離や破損がない場合でも、このようなガスは、例えば、特定のシート平坦性を必要とする機器や方法における処理には適さない薄板の膨らみを発生させることがある。
洗浄例−2から取られた担体は250℃のホットプレート上に置かれ、5分間保持され、その後、室温に戻した。洗浄例−1からの取られた薄板は担体の上に浮かべられた。薄板は、薄板の端の位置内部で結合領域内にて担体と強制的に点接触された。結合は、薄板と担体との間に形成され、その結合は、結合領域を通って伝播することが観察された。物品は、次に、ホットプレート上に置かれ、350℃及び400℃の間の温度で加熱された。非結合領域における膨らみが観察され、続いて薄板と担体の間から絞り出された。
このステップは、結合強化中のように物品2が上昇した温度環境に曝されるにつれて非結合領域50に閉じ込められたガスが膨張する時に、薄板20上の膨らみ量及び/又は他の望ましくない効果を減らすために取られる。これらの望ましくない効果を低減する1つの方法は、非結合領域50から結合領域40を通して薄板20の縁部に延びる通気ストリップ70を設けることである。図7参照。通気孔ストリップ70は、非結合領域であるように同一に又は異なって形成されてもよい。有利なことに、通気孔ストリップ70は、非結合領域50であるように、同じ材料の解放層として形成されている。通気孔ストリップ70の数及び位置は、非結合領域の大きさと形状に依存するであろう。通気孔ストリップ70は、例えば、結合強化工程中や又は物品2が真空環境にある場合など物品2が加熱される任意の処理の間に、薄板20と担体10との間に閉じ込められたガスを逃がすように構成されている。通気孔ストリップ70は幅71を有しており、幅71よりも大きい幅73を覆う薄板20と担体10との間の非結合効果を生む。通気孔ストリップ71は、任意の適切な数で、非結合領域50の大きさや厚さに応じて、使用することができる。
解放層付加−例1からの担体は、100ミクロン幅の各4つの通気孔がさらにパターン化された。次に、担体は初期結合−例1及び増加結合強度例−1に従って処理された。結合強化後、幅73は幅71の両側に約0.5mm延びた。サンプルは100mtorrの初期真空試験を通過した。
解放層付加−例1からの担体は、100ミクロン幅の各8つの通気孔がさらにパターン化された。次に、担体は初期結合−例1及び増加結合強度例−1に従って処理された。結合強化後、幅73は幅71の両側に約0.5mm延びた。サンプルは100mtorrの初期真空試験を通過した。
解放層付加−例1からの担体は、1mm幅の各4つの通気孔がさらにパターン化された。次に、担体は初期結合−例1及び増加結合強度例−1に従って処理された。結合強化後、幅73は幅71の両側に約0.5mm延びた。サンプルは100mtorrの初期真空試験を通過した。
解放層付加−例1からの担体は、10mm幅の各4つの通気孔がさらにパターン化された。次に、担体は初期結合−例1及び増加結合強度例−1に従って処理された。結合強化後、幅73は幅71の両側に約0.5mm延びた。サンプルは100mtorrの初期真空試験を通過した。
解放層付加−例1からの担体は、25mm幅の各4つの通気孔がさらにパターン化された。次に、担体は初期結合−例1及び増加結合強度例−1に従って処理された。結合強化後、幅73は幅71の両側に約0.5mm延びた。サンプルは100mtorrの初期真空試験を通過した。
108における担体及び薄板間に形成される結合は、物品2がデバイス処理の厳しさ(例えば、温度が350℃、400℃、450℃、500℃、550℃又は600℃以上の高温下、真空環境及び/又は高圧流体スプレー)に例えば担体の薄板剥離なしで耐えることができるように、様々な処理によって強化を施すことができる。
初期結合−例1から得られた物品は、室温で取られ、薄板と加熱プレスのプレートとの間のシムとしてグラフェンシートを使用して、加熱プレスのプレートの間に配置された(グラフェンシートはグラフェン材料を結合領域に一致したパターンで、カットアウトシート部が非結合領域に一致したパターンとなるようにパターン化された)。プレートは、物品に接触するように一緒にされたが、重大な圧力をかけていなかった。プレートを300℃の温度で加熱したが、物品に重大な圧力をかけていなかった。プレートは、室温から300℃に昇温され、5分間保持された。次に、プレートは40℃/分の割合で300℃から625℃に昇温され、同時に、物品上の圧力は20psiまでステップ的に上昇させた。この状態を5分間保持した後、ヒータはオフにされて、圧力を解除した。プレートは250℃に冷却され、その時点で、物品を圧力から解放し、室温まで放冷した。検査したところ、物品において、薄板と担体が結合領域でモノリスのように振る舞っているような結合を有するのに対し、非結合領域での薄板と担体は非常に多くの別々のエンティティであったことが判明した。
増加結合強度例−1に記載したように処理は、最高温度180℃、使用圧力100psiを除いて、同様に実行された。これらの条件は、高温、低圧デバイス処理条件の許容強度の結合を生じなかった。
担体上フレキシブルガラスの概念の主要な課題の1つは、担体から薄板の所望部分を抽出することができることである。図1、2及び8〜12を参照しつつ、このセクションでは、スコアホイール90を使用して自由な形状のスコアリング(罫書き)を実行するようにして担体10から薄板20の必要部分56を削除する新規なアプローチを概説する。また、薄板20の自由形状全体カットを実行するためにレーザビーム94(例えばCO2レーザビーム)を用いると共に、解放通気孔61、63、65、67及び/又は69の一連を作成して担体10から薄板20の必要部分56を削除するための機械的スコアリングの方法を説明している。
以上、1つの所望部分56が担体10に結合している薄板20から形成された状況について説明した。しかし、所望部分56は、任意の所望の数で、薄板20の大きさと所望部分56の大きさに応じて、担体10に結合された薄板20から製造することができる。例えば、薄板は、第2世代のサイズ以上であってもよく、例えば、第3世代、第4世代、第5世代、第8世代以上(例えば、100mm×100mmから3メートル×3メートル以上のシートサイズ)。ユーザがサイズ、数、及び形状の点で所望部分56の配置を決定することを可能にするために、例えば、ユーザが担体10に結合された1つの薄板20を作製したいと思う場合、図13及び14に示すように、薄板20が供給されてもよい。より具体的には、薄板20と担体10を有する物品2が供給されている。薄板20は、非結合領域50を囲んで結合領域40の担体10に結合されている。
気密性の物品のテスト(この場合は担体上の薄いガラス)は、密封された物品の任意の領域の液体や気体の侵入又は侵出を視覚的に又は光学的に測定することを含む、いくつかの方法によって達成されることができる。
Claims (29)
- 非結合領域を取り囲む結合領域により担体に結合され且つ厚さを有した薄板から前記薄板の所望部分を除去する方法であって、
前記所望部分のペリメーターを画定するペリメーター通気孔を形成し、
前記ペリメーター通気孔は、前記非結合領域内に配置され且つ、前記薄板の前記厚さの50%以上の深さを有することを特徴とする。 - 請求項1に記載の方法であって、前記非結合領域において互いに平行でもなく同一線上にない2つの解放通気孔を形成することをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、互いに平行であるか又は同一線上にある2つの解放通気孔であって各々が前記結合領域及び前記非結合領域において伸長する前記解放通気孔を形成するステップと、
前記所望部分が前記担体からスライドオフされ得るように前記薄板及び前記担体の一部を除去するステップをさらに含む方法。 - 請求項2又は3に記載の方法であって、前記解放通気孔は前記ペリメーター通気孔からの500ミクロン以内にあるが前記ペリメーター通気孔に接触しない方法。
- 請求項1〜4のいずれか1に記載の方法であって、レーザを使用して前記通気孔の少なくとも1つを形成するステップをさらに含む方法。
- 薄板系デバイスを形成する方法であって、
非結合領域を囲む結合領域によって薄板を担体に付けるステップと、
前記非結合領域上にデバイスを形成するように前記薄板を処理するステップと、
請求項1〜5のいずれか1に記載の方法に従って前記薄板の所望部分を除去するステップと、を含む方法。 - 担体と、
薄板と、
前記薄板のペリメーターに形成され、前記薄板を前記担体に保持する結合領域と、
前記結合領域によって囲まれるように配置された解放層と、を含み、
前記解放層は、第1の所定の温度で前記薄板に結合しないが、第2の所定の温度で前記薄板に結合する材料からなり、前記第2の所定の温度が前記第1設定温度よりも高いことを特徴とする物品。 - 請求項7に記載の物品であって、前記解放層は、前記担体の表面上に100〜500nmの厚さを有するシリコン膜を含み、前記担体から離れるように向く前記シリコン膜の表面は脱水素化された表面である物品。
- 請求項8に記載の物品であって、前記解放層は前記担体に対向する前記薄板の前記表面上の金属膜をさらに含み、前記金属膜は100〜500nmの厚さを有する物品。
- 請求項9に記載の物品であって、前記金属は、温度≧600℃の時に前記シリコンとシリサイドを形成する金属の群から選択されること、前記金属膜はスパッタリングの粒径に起因するRa≧2nmの表面粗さを有する物品。
- 請求項9又は10に記載の物品であって、前記金属は、アルミニウム、モリブデン及びタングステンから選択される物品。
- 請求項7〜11のいずれか1に記載の物品であって、前記薄板は厚さ≦300ミクロンを有するガラスである物品。
- 請求項7〜12のいずれか1に記載の物品であって、前記担体は、厚さ≧50ミクロンを有するガラスである物品。
- 請求項7〜13のいずれか1に記載の物品であって、前記薄板及び前記担体の前記厚さの合わせた厚さが125から700ミクロンである物品。
- 請求項7〜14のいずれか1に記載の物品から複数の所望部分を製造する方法であって、複数の結合した輪郭線を形成するために第2の所定の温度以上の温度に前記解放層を局所的に加熱するステップを含む方法。
- 請求項15に記載の方法であって、
前記第1の所定温度超える温度に前記解放層をさらさせない処理を使用して薄板上にデバイスを成形するステップをさらに含む方法。 - 請求項15に記載の方法であって、請求項1〜5のいずれか1に記載の方法に従って前記所望部分を除去するステップをさらに含む方法。
- 薄板上にデバイスを作製する方法であって、
物品の薄板上にて前記デバイスの少なくとも一部を処理する処理ステップであって、
前記物品は、厚さ≦300ミクロンを有する前記薄板であって厚さ≧100ミクロンの担体に結合された前記薄板を含み、さらに、前記結合は、1つの結合強度を有する複数の第1の領域と、前記第1の結合強度よりも著しく高い第2の結合強度を有する第2の領域とを含むように、処理する前記処理ステップと、
第1の物品部分及び第2の物品部分を生成するように少なくとも前記物品の前記担体をダイシングするダイシングステップであって、前記第1の物品部分が前記複数の第1の領域及び前記第2の領域の少なくとも一部のうちの1つを含むダイシングステップと、
前記デバイスの追加の部分を前記第1の物品部分上にて処理するステップと、を含む方法。 - 請求項18に記載の方法であって、前記ダイシングステップは前記第2の領域内にあるラインに沿って実施される方法。
- 請求項18又は19に記載の方法であって、前記ダイシングステップは、前記第1の物品部分がそのペリメーターの周りに前記第2の領域の少なくとも一部を含むように実行される方法。
- 請求項18〜20のいずれか1に記載の方法であって、請求項1〜6のいずれか1に記載の前記第1の物品部分から前記薄板の少なくとも一部を除去するステップをさらに含む方法。
- 切断装置であって、
複数のオリフィスを有するヘッドと、
前記複数のオリフィスの第1のオリフィスに光学的に結合され、前記第1のオリフィスを通してレーザビームを送るレーザ源と、
前記複数のオリフィスの内の少なくとも第2のオリフィス及び少なくとも第3のオリフィスと流体連通する冷却流体源であって、前記第1のオリフィスから前記第2のオリフィスまで延びる第1のラインは前記第1のオリフィスから前記第3のオリフィスまで延びる第2のラインに対して第1の角度で配置される前記冷却流体源と、を含む切断装置。 - 請求項22に記載の切断装置であって、
前記第1の角度は、90度であり、
前記冷却流体源は前記複数のオリフィスの第4のオリフィス及び前記複数のオリフィスの第5のオリフィスと流体連通し、
前記第1のオリフィスから前記第4のオリフィスまで延びる第3のラインは、前記第1のラインと実質的に同一線上にあり、
前記第1のオリフィスから前記第5のオリフィスまで延びる第4のラインは、前記第2のラインと実質的に同一線上にある切断装置。 - 請求項23に記載の切断装置であって、
前記第1の角度が90度以外の角度又はその倍数の角度である切断装置。 - 切断装置であって、
複数のオリフィスを有するヘッドと、
前記複数のオリフィスの第1のオリフィスに光学的に結合され、前記第1のオリフィスを通してレーザビームを送るレーザ源と、
前記複数のオリフィスの少なくとも第2のオリフィスと流体連通する冷却流体源と、を含み、
前記ヘッドは、回転可能であることを特徴とする切断装置。 - 請求項22〜25のいずれか1に記載の切断装置であって、前記冷却流体源は圧縮空気の供給源である切断装置。
- 請求項22〜26のいずれか1に記載の切断装置であって、前記オリフィスは、直径≦1mmを有する切断装置。
- 切断する方法であって、
請求項22〜24、26、27のいずれか1に記載の切断装置を用意するステップと、
前記第1のラインに沿って第1の方向にヘッドを移動しながら、前記第1のオリフィスを通してレーザビームを送り、第2のオリフィスを通して冷却流体を送るステップと、
前記第2のオリフィスを通した冷却流体を送ることを遮断するステップと、
前記第2のラインに沿って第2方向に前記ヘッドを移動させながら前記第3のオリフィスを通して流体を送るステップと、
前記第3のオリフィスを通した冷却流体を送ることを遮断するステップと、を含む方法。 - 切断する方法であって、
請求項25に記載の切断装置を用意するステップと、
第1の方向にヘッドを移動しながら、前記第1のオリフィスを通してレーザビームを送り、第2のオリフィスを通して冷却流体を送るステップと、
前記ヘッドを回転させ、前記第1の方向に対して非ゼロ角度で第2の方向に前記ヘッドを移動させるステップと、を含む方法。
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