JP2015159114A5 - 半導体装置及び電子機器 - Google Patents

Claims (9)

1. 基板上に、第１乃至第３のトランジスタと、第１乃至第４の導電層と、第１乃至第３の有機絶縁物層と、第１乃至第３の有機化合物を含む層と、を有し、
   前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続され、
   前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続され、
   前記第３の導電層は、前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続され、
   前記第１の有機絶縁物層は、前記第１の導電層の端部を覆う領域を有し、
   前記第２の有機絶縁物層は、前記第２の導電層の端部を覆う領域を有し、
   前記第３の有機絶縁物層は、前記第３の導電層の端部を覆う領域を有し、
   前記第１の有機化合物を含む層は、前記第１の導電層上及び前記第１の有機絶縁物層上に設けられ、
   前記第２の有機化合物を含む層は、前記第２の導電層上及び前記第２の有機絶縁物層上に設けられ、
   前記第３の有機化合物を含む層は、前記第３の導電層上及び前記第３の有機絶縁物層上に設けられ、
   前記第４の導電層は、前記第１乃至前記第３の有機化合物を含む層上に設けられ、
   前記基板上に、前記第１乃至前記第３の有機化合物を含む層の各々と、前記第４の導電層とが接する領域を含む第１の領域を有し、
   前記第１乃至前記第３の有機化合物を含む層の各々は、発光層を有し、
   前記基板上に、前記第１乃至前記第３の導電層と同じ材料を含む第５の導電層を有し、
   前記基板上に、前記第１乃至前記第３のトランジスタの前記ソース電極又は前記ドレイン電極と同じ材料を含む第６の導電層を有し、
   前記基板上で前記第１の領域の外側に、前記第１乃至前記第３の有機絶縁物層と同じ材料を有する第４の有機絶縁物層を有し、
   前記第４の有機絶縁層は、前記第５の導電層と接する領域を有し、
   前記第５の導電層は、前記第６の導電層と接する領域を有し、
   前記基板上で前記第１の領域の外側に、前記第４の導電層と前記第５の導電層とが接する第２の領域を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の領域の四隅を囲む部分を有することを特徴とする半導体装置。
2. 基板上に、第１乃至第３のトランジスタと、第１乃至第４の導電層と、第１乃至第３の有機絶縁物層と、第１乃至第３の有機化合物を含む層と、を有し、
   前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続され、
   前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続され、
   前記第３の導電層は、前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続され、
   前記第１の有機絶縁物層は、前記第１の導電層の端部を覆う領域を有し、
   前記第２の有機絶縁物層は、前記第２の導電層の端部を覆う領域を有し、
   前記第３の有機絶縁物層は、前記第３の導電層の端部を覆う領域を有し、
   前記第１の有機化合物を含む層は、前記第１の導電層上及び前記第１の有機絶縁物層上に設けられ、
   前記第２の有機化合物を含む層は、前記第２の導電層上及び前記第２の有機絶縁物層上に設けられ、
   前記第３の有機化合物を含む層は、前記第３の導電層上及び前記第３の有機絶縁物層上に設けられ、
   前記第４の導電層は、前記第１乃至前記第３の有機化合物を含む層上に設けられ、
   前記基板上に、前記第１乃至前記第３の有機化合物を含む層の各々と、前記第４の導電層とが接する領域を含む第１の領域を有し、
   前記第１乃至前記第３の有機化合物を含む層の各々は、発光層を有し、
   前記基板上に、前記第１乃至前記第３の導電層と同じ材料を含む第５の導電層を有し、
   前記基板上に、前記第１乃至前記第３のトランジスタの前記ソース電極又は前記ドレイン電極と同じ材料を含む第６の導電層を有し、
   前記基板上で前記第１の領域の外側に、前記第１乃至前記第３の有機絶縁物層と同じ材料を有する第４の有機絶縁物層を有し、
   前記第４の有機絶縁層は、前記第５の導電層と接する領域を有し、
   前記第５の導電層は、前記第６の導電層と接する領域を有し、
   前記基板上で前記第１の領域の外側に、前記第４の導電層と前記第５の導電層とが接する第２の領域を有し、
   前記第２の領域は、Ｌ字状の部分を複数有し、前記複数のＬ字状の部分は、前記第１の領域を囲むように配置されていることを特徴とする半導体装置。
3. 基板上に、第１乃至第３のトランジスタと、第１乃至第４の導電層と、第１乃至第３の有機絶縁物層と、第１乃至第３の有機化合物を含む層と、を有し、
   前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続され、
   前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続され、
   前記第３の導電層は、前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続され、
   前記第１の有機絶縁物層は、前記第１の導電層の端部を覆う領域を有し、
   前記第２の有機絶縁物層は、前記第２の導電層の端部を覆う領域を有し、
   前記第３の有機絶縁物層は、前記第３の導電層の端部を覆う領域を有し、
   前記第１の有機化合物を含む層は、前記第１の導電層上及び前記第１の有機絶縁物層上に設けられ、
   前記第２の有機化合物を含む層は、前記第２の導電層上及び前記第２の有機絶縁物層上に設けられ、
   前記第３の有機化合物を含む層は、前記第３の導電層上及び前記第３の有機絶縁物層上に設けられ、
   前記第４の導電層は、前記第１乃至前記第３の有機化合物を含む層上に設けられ、
   前記基板上に、前記第１乃至前記第３の有機化合物を含む層の各々と、前記第４の導電層とが接する領域を含む第１の領域を有し、
   前記第１乃至前記第３の有機化合物を含む層の各々は、発光層を有し、
   前記基板上に、前記第１乃至前記第３の導電層と同じ材料を含む第５の導電層を有し、
   前記基板上に、前記第１乃至前記第３のトランジスタの前記ソース電極又は前記ドレイン電極と同じ材料を含む第６の導電層を有し、
   前記基板上で前記第１の領域の外側に、前記第１乃至前記第３の有機絶縁物層と同じ材料を有する第４の有機絶縁物層を有し、
   前記第４の有機絶縁層は、前記第５の導電層と接する領域を有し、
   前記第４の有機絶縁層は、島状であり、
   前記第５の導電層は、前記第６の導電層と接する領域を有し、
   前記基板上で前記第１の領域の外側に、前記第４の導電層と前記第５の導電層とが接する第２の領域を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の領域の四隅を囲む部分を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記基板は、可撓性を有する基板であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項４において、
   前記可撓性を有する基板は、有機樹脂を含む基板又はフィルムであることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項４において、
   前記可撓性を有する基板は、基材フィルムと接着性を有する有機樹脂フィルムの積層であることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項６において、
   前記基材フィルムは、ポリエステル、ポリアミド、無機蒸着フィルム、又は紙であることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項６において、
   前記接着性を有する有機樹脂フィルムは、アクリル樹脂、又はエポキシ樹脂であることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体装置を有する電子機器。