KR20120042151A - 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 - Google Patents
플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120042151A KR20120042151A KR1020100103675A KR20100103675A KR20120042151A KR 20120042151 A KR20120042151 A KR 20120042151A KR 1020100103675 A KR1020100103675 A KR 1020100103675A KR 20100103675 A KR20100103675 A KR 20100103675A KR 20120042151 A KR20120042151 A KR 20120042151A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- flexible substrate
- base substrate
- flexible
- display device
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 270
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 9
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 claims description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 claims description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 12
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 30
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 8
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 7
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- AIRCTMFFNKZQPN-UHFFFAOYSA-N AlO Inorganic materials [Al]=O AIRCTMFFNKZQPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 2
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 디스플레이 소자가 형성된 제 1 플렉서블 기판을 준비하는 단계;와, 베이스 기판과, 베이스 기판 상에 형성되는 제 2 플렉서블 기판과, 제 2 플렉서블 기판 상에 형성된 배리어층을 가지는 봉지부를 형성하는 단계;와, 디스플레이 소자의 상부에 상기 봉지부를 결합하는 단계;와, 베이스 기판과 제 2 플렉서블 기판 사이에 가열된 용액을 인가하여서, 베이스 기판과 제 2 플렉서블 기판과의 서로 다른 열팽창 계수값 차이를 이용하는 것에 의하여 상기 제 2 플렉서블 기판에 대하여 베이스 기판을 분리하는 단계;를 포함하는 것으로서, 열팽창 계수가 서로 다른 합착된 베이스 기판과, 플렉서블 기판에 가열된 용액을 적용해 분리가능하므로, 공정이 용이하다.
Description
본 발명은 봉지부의 베이스 기판의 분리가 용이한 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
통상적으로, 박막 트랜지스터(Thin film transistor, TFT)를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치(Organic light emitting display device)는 디지털 카메라나, 비디오 카메라나, 캠코더나, 휴대 정보 단말기나, 스마트 폰 등의 모바일 기기용 디스플레이 장치로 각광받고 있다.
최근 들어서는 모바일 기기용 디스플레이 장치는 휴대하기가 용이하고, 다양한 형상의 장치에 적용할 수 있도록 플렉서블 디스플레이 장치(Flexible display device)가 차세대 디스플레이 장치로 연구 개발중이다. 이중에서, 유기 발광 디스플레이 기술을 기반으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치가 가장 유력한 디스플레이 장치로 유력시되고 있다.
유기 발광 디스플레이 기술을 적용한 플렉서블 디스플레이 장치는 유기 발광 디스플레이에 이용되는 유기 소재가 산소 및 수분에 노출될 경우 수명이 급격하게 감소할 수 있으므로, 유기 소재를 포함하는 디스플레이 소자를 봉지해야 한다.
본 발명은 봉지부의 베이스 기판의 분리시에 열팽창 계수 차이를 이용하여 봉지 공정이 용이한 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 바람직한 일 측면에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법은,
디스플레이 소자가 형성된 제 1 플렉서블 기판을 준비하는 단계;
베이스 기판과, 상기 베이스 기판 상에 형성되는 제 2 플렉서블 기판과, 상기 제 2 플렉서블 기판 상에 형성된 배리어층을 가지는 봉지부를 형성하는 단계;
상기 디스플레이 소자의 상부에 상기 봉지부를 결합하는 단계; 및
상기 베이스 기판과 제 2 플렉서블 기판 사이에 가열된 용액을 인가하여서, 상기 베이스 기판과 제 2 플렉서블 기판과의 서로 다른 열팽창 계수값 차이를 이용하는 것에 의하여 상기 제 2 플렉서블 기판에 대하여 베이스 기판을 분리하는 단계;를 포함한다.
또한, 상기 봉지부를 형성하는 단계에서는,
상기 베이스 기판은 제 1 열팽창 계수값을 가지는 후막형 기판이고,
상기 제 2 플렉서블 기판의 제 2 열팽창 계수값은 상기 제 1 열팽창 계수값보다 크며, 상기 베이스 기판보다 두께가 얇은 유연성을 가지는 박막형 기판이다
게다가, 상기 베이스 기판은 글래스를 포함한다.
더욱이, 상기 제 2 플렉서블 기판은 폴리 카보네이트, 폴리 에테르 설폰, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 유리섬유 강화플라스틱중 어느 하나를 포함한다
아울러, 상기 베이스 기판 상에 상기 제 2 플렉서블 기판용 고분자 소재를 코팅하는 것에 의하여 상기 제 2 플렉서블 기판을 형성한다.
나아가, 상기 제 2 플렉서블 기판에 대하여 베이스 기판을 분리하는 단계에서는,
상기 용액은 상온보다 큰 온도를 가지는 물을 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법은,
제 1 플렉서블 기판 상에 제 1 배리어층을 형성하는 단계;
상기 제 1 배리어층 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터 상에 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 디스플레이 소자를 형성하는 단계;
베이스 기판과, 상기 베이스 기판 상에 형성되는 제 2 플렉서블 기판과, 상기 제 2 플렉서블 기판 상에 형성된 제 2 배리어층을 가지는 봉지부를 형성하는 단계;
상기 봉지부를 상기 디스플레이 소자 상부에 결합하는 단계; 및
상기 베이스 기판과 제 2 플렉서블 기판 사이에 가열된 용액을 인가하여서, 상기 베이스 기판과 제 2 플렉서블 기판과의 서로 다른 열팽창 계수값 차이를 이용하는 것에 의하여 상기 제 2 플렉서블 기판에 대한 베이스 기판을 분리하는 단계;를 포함한다.
또한, 상기 봉지부를 형성하는 단계에서는,
상기 봉지부는 상기 디스플레이 소자와 별도로 제조되어서, 상기 디스플레이 소자에 결합한다.
더욱이, 상기 베이스 기판은 제 1 열팽창 계수값을 가지는 후막형 기판이고,
상기 제 2 플렉서블 기판의 제 2 열팡창 계수값은 상기 제 1 열팽창 계수값보다 크며, 상기 베이스 기판보다 두께가 얇은 유연성을 가지는 박막형 기판이다.
또한, 상기 제 1 플렉서블 기판의 하부에는 이를 지지하는 추가적인 베이스 기판이 더 형성된다.
아울러, 상기 추가적인 베이스 기판은 상기 봉지부의 베이스 기판과 동일한 소재이며,
상기 제 1 플렉서블 기판은 상기 제 2 플렉서블 기판과 동일한 소재이다.
게다가, 상기 추가적인 베이스 기판은 상기 가열된 용액속에 담궈거나,
상기 추가적인 베이스 기판과 제 1 플렉서블 기판 사이에 가열된 용액을 분사하는 것에 의하여 상기 제 1 플렉서블 기판으로부터 분리된다.
이상과 같이, 본 발명의 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법은 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 열팽창 계수가 서로 다른 합착된 베이스 기판과, 플렉서블 기판에 가열된 용액을 적용해 분리가능하므로, 공정이 용이하다.
둘째, 적용 용액으로서 물을 사용하므로, 비용 절감 및 안전성 향상으로 인하여 제조 원가 감소와, 생산성 증가를 얻을 수 있다.
셋째, 오염원을 방출하지 않으므로, 친환경적이다.
넷째, 유기 발광 소자에 직접적으로 봉지 공정을 수행하지 않으므로, 무기막 증착시 플라즈마에 의하여 유기 발광 소자가 열화될 위험성이 감소하다.
다섯째, 고온에서도 견딜 수 있는 플렉서블 기판 상에 무기막을 형성하는 것이 가능하다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치를 결합하기 이전의 상태를 도시한 단면도,
도 2는 도 1의 디스플레이 장치의 베이스 기판이 분리된 상태를 도시한 단면도,
도 3 내지 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치를 제조하기 위한 과정을 순차적으로 도시한 것으로서,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제 1 베이스 기판 상에 제 1 플렉서블 기판과, 제 1 배리어층이 형성된 이후의 상태를 도시한 단면도,
도 4는 도 3의 제 1 배리어층 상에 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간 절연막, 콘택홀, 소오스 전극과 드레인 전극, 및 보호막이 형성된 이후의 상태를 도시한 단면도,
도 5는 도 4의 소오스 전극과 드레이 전극의 일 전극에 제 1 전극이 연결된 이후의 상태를 도시한 단면도,
도 6은 도 5의 제 1 전극 상에 픽셀 정의막을 형성한 이후의 상태를 도시한 단면도,
도 7은 도 6의 제 1 전극 상에 제 2 전극을 형성하여 유기 발광 소자를 제조한 이후의 상태를 도시한 단면도,
도 8은 도 7의 유기 발광 소자 상에 봉지될 봉지부가 형성된 이후의 상태를 도시한 단면도,
도 9는 도 8의 유기 발광 소자에 대하여 봉지부를 합착하는 상태를 도시한 단면도,
도 10은 도 9의 제 1 베이스 기판 및 제 2 베이스 기판을 분리하는 상태를 도시한 단면도,
도 11은 도 10의 제 1 베이스 기판 및 제 2 베이스 기판이 분리된 이후의 상태를 도시한 단면도,
도 12는 도 2의 변형 예를 도시한 단면도,
도 13은 도 11의 변형 예를 도시한 단면도.
도 2는 도 1의 디스플레이 장치의 베이스 기판이 분리된 상태를 도시한 단면도,
도 3 내지 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치를 제조하기 위한 과정을 순차적으로 도시한 것으로서,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제 1 베이스 기판 상에 제 1 플렉서블 기판과, 제 1 배리어층이 형성된 이후의 상태를 도시한 단면도,
도 4는 도 3의 제 1 배리어층 상에 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간 절연막, 콘택홀, 소오스 전극과 드레인 전극, 및 보호막이 형성된 이후의 상태를 도시한 단면도,
도 5는 도 4의 소오스 전극과 드레이 전극의 일 전극에 제 1 전극이 연결된 이후의 상태를 도시한 단면도,
도 6은 도 5의 제 1 전극 상에 픽셀 정의막을 형성한 이후의 상태를 도시한 단면도,
도 7은 도 6의 제 1 전극 상에 제 2 전극을 형성하여 유기 발광 소자를 제조한 이후의 상태를 도시한 단면도,
도 8은 도 7의 유기 발광 소자 상에 봉지될 봉지부가 형성된 이후의 상태를 도시한 단면도,
도 9는 도 8의 유기 발광 소자에 대하여 봉지부를 합착하는 상태를 도시한 단면도,
도 10은 도 9의 제 1 베이스 기판 및 제 2 베이스 기판을 분리하는 상태를 도시한 단면도,
도 11은 도 10의 제 1 베이스 기판 및 제 2 베이스 기판이 분리된 이후의 상태를 도시한 단면도,
도 12는 도 2의 변형 예를 도시한 단면도,
도 13은 도 11의 변형 예를 도시한 단면도.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의하여 한정되어서는 안된다. 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, “포함한다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치(100)가 결합되기 이전의 상태를 도시한 것이고, 도 2는 도 1의 결합된 플렉서블 디스플레이 장치(100)의 베이스 기판을 제거하는 상태를 도시한 것이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제 1 플렉서블 기판(101) 상에는 제 1 배리어층(102)이 형성된다. 상기 제 1 플렉서블 기판(101)은 유연성을 가져서 휘어질 수 있는 소재, 예컨대, 플라스틱 필름과 같은 고분자 소재로 형성될 수 있다. 상기 제 1 배리어층(102)은 산소와 수분을 차단하는 역할을 수행한다. 상기 제 1 배리어층(102)의 상부에는 박막 트랜지스터(TFT, 103)가 형성된다. 상기 박막 트랜지스터(103)의 상부에는 유기 발광 소자(OLED, 104)가 형성된다.
상기 제 1 플렉서블 기판(101) 상에 제 1 배리어층(102), 박막 트랜지스터(103), 유기 발광 소자(104)를 형성하는 것과는 별도로 봉지부(160)를 마련한다.
상기 봉지부(160)는 베이스 기판(161)을 포함한다. 상기 베이스 기판(161)은 글래스와 같은 후막형 기판이다. 상기 베이스 기판(161)의 두께는 0.5 밀리미터 정도이다. 상기 베이스 기판(161) 상에는 제 2 플렉서블 기판(162)이 형성된다. 상기 제 2 플렉서블 기판(162)은 상기 제 1 플렉서블 기판(101)처럼 플라스틱 필름과 같은 고분자 소재로 형성될 수 있다.
상기 제 2 플렉서블 기판(162)은 상기 베이스 기판(161)에 비하여 상대적으로 박막형 기판으로서, 상기 제 2 플렉서블 기판(162)의 두께는 10 내지 100 마이크로미터 정도이다. 상기 제 2 플렉서블 기판(162) 상에는 제 2 배리어층(163)이 형성된다.
상기와 같은 구성을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치(100)는 상기 제 2 배리어층(163)이 상기 유기 발광 소자(104)에 대하여 대향되는 방향으로 상기 봉지부(160)를 배치한 후, 화살표로 도시한 바와 같이 봉지부(160)를 유기 발광 소자(104) 상에 합착하게 된다.
합착한 이후에는 상기 플렉서블 디스플레이 장치(100)를 소정 온도로 가열된 용액(201)이 저장된 바스(200) 내로 담궈게 된다. 상기 용액(201)은 물을 이용할 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이 장치(100)가 바스(bath, 200) 내에 담궈지면, 후막형 베이스 기판(161)과, 박막형 제 2 플렉서블 기판(162)은 서로 다른 열팽창 계수값의 차이로 인하여 베이스 기판(161)과 제 2 플렉서블 기판(162) 사이의 박리가 시작되고, 박리된 공간 사이로 상기 용액(201)이 침투하는 과정을 반복하여서 상기 제 2 플렉서블 기판(162)에 대하여 베이스 기판(161)의 분리가 가능하다.
대안으로는, 도 12에 도시된 것처럼, 도 2의 용액(201)을 저장한 바스(200) 대신에 노즐(1200)과 같은 분사 수단을 이용하는 것에 의하여 상기 베이스 기판(161)과, 제 2 플렉서블 기판(162) 사이에 용액(120)을 분사하여 상기 제2 플렉서블 기판(162)에 대하여 베이스 기판(161)의 분리가 가능하는등 분리하는 방식은 어느 하나에 한정되는 것은 아니다.
이하, 후막형 베이스 기판이 박막형 플렉서블 기판으로부터 분리되는 과정을 포함한 본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치(1100)의 제조 과정을 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 3 내지 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치(1100)를 제조하기 위한 과정을 순차적으로 도시한 단면도이다.
먼저, 도 3을 참조하면, 제 1 베이스 기판(301)이 마련된다. 상기 제 1 베이스 기판(301) 상에는 제 1 플렉서블 기판(302)이 형성되고, 상기 제 1 플렉서블 기판(302) 상에는 제 1 배리어층(303)이 형성된다.
상기 제 1 베이스 기판(301)은 레이저 빔이 통과될 수 있는 투광성 기판인 것이 바람직하다. 상기 제 1 베이스 기판(301)은 소망하는 기계적 강도를 가지며, 그 상부에 다양한 소자나 박막 층들이 형성될 경우에도 휨과 같은 변형이 없는 소재로 형성되는 것이 바람직하다.
본 실시예에서는 상기 제 1 베이스 기판(301)은 소다 라임 글래스(Soda lime glass)와 같은 글래스 기판이나, 상기한 특성을 가지는 소재라면 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제 1 베이스 기판(301)의 두께는 0.5 밀리미터 정도로서, 상기 제 1 베이스 기판(301)은 후막형 기판이다.
상기 제 1 플렉서블 기판(302)은 상기 제 1 베이스 기판(301)에 비하여 비중이 작아 가볍고, 잘 깨지지 않으며, 휘어질 수 있는 특성을 가진 플라스틱 필름과 같은 고분자 소재로 형성될 수 있다. 상기 제 1 플렉서블 기판(302)은 두께가 얇을수록 가볍고 박막의 디스플레이 실현에 유리하지만, 상기 제 1 플렉서블 기판(302) 상에 형성되는 소자와 박막층이 후술할 분리 단계에서 제 1 베이스 기판(301)과의 분리된 이후에도 제 1 플렉서블 기판(302)에 의하여 하중이 유지될 수 있을 정도의 두께는 확보하여야 한다.
이를 위하여, 상기 제 1 플렉서블 기판(302)의 두께는 10 내지 100 마이크로미터 정도인 박막형 기판이다. 상기 제 1 플렉서블 기판(302)의 두께가 10 마이크로미터 이하일 경우, 상기 제 1 플렉서블 기판(302)에 대하여 제 1 베이스 기판(301)이 분리시에 그 위에 형성된 박막층과 소자들의 형상을 안정적으로 유지하기 어렵다. 상기 제 1 플렉서블 기판(302)의 두께가 100 마이크로미터 이상일 경우, 상기 제 1 플렉서블 기판(302)은 본 발명에 따른 박형의 플렉서블 디스플레이 장치를 구현하는데 바람직하지 않다.
여기서, 박막형 제 1 플렉서블 기판(302)은 후막형 제 1 베이스 기판(301)과 비교할 때, 열팽창 계수(Coefficient of thermal expansion, CTE, 단위:ppm/℃)가 다른 소재, 예컨대, 고분자 소재로 제조된다. 대표적인 고분자 소재로는 폴리 카보네이트(Polycarbonate, 이하, PC), 폴리 에테르 설폰(Polyethersulphone, 이하, PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, 이하, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate, 이하, PEN), 폴리이미드(Polyimide, 이하, PI), 폴리아릴레이트(Polyarylate, 이하, PAR), 유리섬유 강화플라스틱(Fiber glass reinforced plastic, 이하, FRP) 등을 들 수 있다.
상기 제 1 플렉서블 기판(302)은 제 1 베이스 기판(301)과 비교시에 열팽창 계수값이 서로 다르므로, 후술될 분리 단계에서, 이들간의 열팽창 계수값이 다른 점을 이용하여 서로 분리할 수 있다.
상기 제 1 플렉서블 기판(302) 상부에는 제 1 배리어층(303)이 형성된다. 상기 제 1 배리어층(303)은 SiOx, SiNx, SiON, AlO, AlON 등의 무기물로 이루어질 수 있으며, 또는 아크릴 또는 폴리이미드 등의 유기물로 이루어질 수 있다. 또는 유기물과 무기물이 교대로 적층될 수 있다. 상기 제 1 배리어층(303)은 산소와 수분을 차단하는 역할을 수행하는 동시에, 상기 제 1 플렉서블 기판(302)에서 발생하는 수분 또는 불순물의 확산을 방지하거나, 결정화시 열의 전달 속도를 조절함으로써, 반도체의 결정화가 잘 이루어질 수 있는 역할을 수행한다.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 배리어층(302)의 상부에는 박막 트랜지스터(304)를 형성한다. 본 실시예의 박막 트랜지스터(304)는 탑 게이트(Top gate) 방식의 박막 트랜지스터를 예시하나, 바텀 게이터(Bottom gate) 방식등 다른 구조의 박막 트랜지스터가 구비될 수 있음은 물론이다.
본 실시예처럼, 탑 게이트형 박막 트랜지스터(304)일 경우, 상기 제 1 배리어층(303) 상에는 반도체층(308), 게이트 절연막(305), 게이트 전극(309), 층간 절연막(306), 콘택홀(311), 소오스 전극과 드레인 전극(310), 및 보호막(도 5의 315)이 차례로 형성된다.
상기 반도체층(308)은 폴리 실리콘으로 형성될 수 있으며, 이 경우 소정 영역이 불순물로 도핑될 수 있다. 대안으로는 상기 반도체층(308)은 폴리 실리콘이 아닌 아몰포스 실리콘으로 형성될 수 있고, 나아가 펜타센 등과 같은 다양한 유기 반도체 물질로 형성될 수 있다.
상기 반도체층(308)이 폴리 실리콘으로 형성될 경우, 아몰포스 실리콘을 형성하고 이를 결정화시켜 폴리 실리콘으로 변화시키는데, 결정화 방법으로는 RTA(Rapid thermal annealing)공정, SPC법(Solid phase crystallzation), ELA법(Excimer laser annealing), MIC(Metal induced crystallization), MILC법(Metal induced lateral crystallization) 또는 SLS법(Sequential lateral solidification) 등 다양한 방법이 적용될 수 있으나, 본 발명에 따른 제 1 플렉서블 기판(302)을 적용하기 위해서는 고온의 가열 공정이 요구되지 않는 방법을 이용함이 바람직하다.
종래 반도체를 활성화시키는 과정에서 고온의 공정이 지속됨에 따라 기판의 온도가 400?500℃까지 상승하여 플라스틱 필름과 같은 플렉서블 기판을 적용할 수 없었던 문제가 있었으나, 저온 폴리 실리콘(Low temperature poly-silicon, LTPS) 공정에 의한 결정화시 반도체층(308)의 활성화를 레이저를 단시간 조사하여 진행함으로써, 제 1 플렉서블 기판(302)이 300℃ 이상의 고온에 노출되는 시간을 제거하여 전공정을 300℃ 이하에서 진행 가능하다. 이에 따라, 본 실시예에서와 같이 플라스틱 필름을 적용한 제 1 플렉서블 기판(302)을 적용하여 박막 트랜지스터(304)를 형성할 수 있다.
상기 반도체층(308)과 게이트 전극(309) 사이를 절연하기 위해 그 사이에 게이트 절연막(305)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(305)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 절연성 소재로 형성될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
상기 게이트 전극(309)은 다양한 도전성 소재로 형성할 수 있다. 이를테면, 상기 게이트 전극(309)은 Mg, Al, Ni, Cr, Mo, W, MoW 또는 Au 등의 소재로 형성할 수 있으며, 이 경우에도 단일층 뿐만 아니라 복수층의 형상으로 형성할 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
상기 층간 절연막(306)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 절연성 소재로 형성될 수 있으며, 물론 이외에도 절연성 유기물 등으로 형성될 수 있다. 상기 층간 절연막(306)과 게이트 절연막(305)을 선택적으로 제거하여 소오스 및 드레인 영역이 노출되는 콘택홀(311)을 형성할 수 있다. 그리고, 상기 콘택홀(311)이 매립되도록 층간 절연막(306) 상에 상기 게이트 전극(309)용 소재로 단일층 또는 복수층의 형상으로 소오스 및 드레인 전극(310)을 형성한다.
상기 소오스 및 드레인 전극(310)의 상부에는 보호막(패시베이션층 및/또는 평탄화막)(도 5의 315)이 구비되어 하부의 박막 트랜지스터(304)를 보호하고 평탄화시킨다. 상기 보호막(도 5의 315)은 다양한 형태로 구성될 수 있는데, BCB(Benzocyclobutene) 또는 아크릴(Acryl) 등과 같은 유기물, 또는 SiNx와 같은 무기물로 형성될 수 있고, 단층으로 형성되거나 이중 혹은 다중 층으로 구성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
다음으로, 상기 박막 트랜지스터(304)) 상부에 디스플레이 소자(도 7의 319)가 형성된다. 본 실시예에서는 유기 발광 소자(OLED: organic light emitting diode)를 예시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 않고, 다양한 디스플레이 소자가 적용가능하다.
도 5를 참조하면, 상기 박막 트랜지스터(304) 상부에 유기 발광 소자(도 7의 319)를 형성하기 위하여 소오스 전극 또는 드레인 전극(310)의 일 전극에 콘택홀(316)을 통하여 제 1 전극(317)이 전기적으로 연결될 수 있도록 한다.
상기 제 1 전극(317)은 유기 발광 소자에 구비되는 전극들 중 일 전극으로서 기능하는 것으로, 다양한 도전성 소재로 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극(317)은 이후 형성될 유기 발광 소자(도 7의 319)에 따라 투명 전극이나, 반사형 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극(317)이 투명 전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3를 구비할 수 있으며, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3를 형성할 수 있다.
이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극(317) 상에 상기 제 1 전극(317)의 적어도 일부가 노출되도록 절연성 소재로 패터닝시킨 픽셀 정의막(318)을 형성한다.
다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극(317)의 노출된 부분에 발광층을 포함하는 중간층(320)을 형성하고, 상기 중간층(320)을 중심으로 상기 제 1 전극(317)에 대향하도록 제 2 전극(321)을 형성함으로써 유기 발광 소자(319)를 제조할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 중간층(320)이 각 서브 픽셀, 즉, 패터닝된 각 제 1 전극(317)에만 대응되도록 패터닝된 것으로 도시되어 있으나, 이는 서브 픽셀의 구성을 설명하기 위해 편의상 이와 같이 도시한 것이며, 상기 중간층(320)은 인접한 서브 픽셀의 중간층(320)과 일체로 형성될 수 있음은 물론이다. 또한, 상기 중간층(320) 중 일부의 층은 각 서브 픽셀별로 형성되고, 다른 층은 인접한 서브 픽셀의 중간층(320)과 일체로 형성될 수 있는 등 그 다양한 변형이 가능하다.
상기 중간층(320)은 저분자 또는 고분자 유기물로 구비될 수 있다.
저분자 유기물을 사용할 경우, 정공 주입층(Hole injection layer, HIL), 정공 수송층(Hole transport layer, HTL), 유기 발광층(Emissive layer, EML), 전자 수송층(Electron transport layer, ETL), 전자 주입층(Electron injection layer, EIL) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있다.
저분자 유기물을 사용할 경우, 사용 가능한 유기 재료는 구리 프탈로시아닌(Copper phthalocyanine, CuPc), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기물은 마스크들을 이용한 진공 증착 등의 방법으로 형성될 수 있다.
고분자 유기물의 경우에는 대개 정공 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이때, 상기 정공 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다.
상기 제 2 전극(321)은 상기 제 1 전극(317)과 마찬가지로 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 상기 제 2 전극(321)이 투명 전극으로 사용될 경우, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물로 이루어진 층과, 이 층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 형성된 보조 전극이나 버스 전극 라인을 구비할 수 있다. 상기 제 2 전극(321)이 반사형 전극으로 사용될 경우, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물을 전면 증착하여 형성한다.
다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 봉지부(800)를 별도로 준비한다.
상기 봉지부(800)는 제 2 베이스 기판(801)이 마련되고, 상기 제 2 베이스 기판(801) 상에 제 2 플렉서블 기판(802)이 형성되고, 상기 제 2 플렉서블 기판(802) 상에 제 2 배리어층(803)이 형성된다.
상기 제 2 베이스 기판(801)은 상기 제 1 베이스 기판(301)과 동일한 소재로 된 글래스 기판이나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제 2 베이스 기판(801)은 일정한 수준의 강도를 가지며 잘 휘어지지 않는 후막형 기판이다. 상기 제 2 베이스 기판(801)의 두께는 0.5 밀리미터 정도이다.
상기 제 2 플렉서블 기판(802)은 상기 제 1 플렉서블 기판(302)과 실질적으로 동일한 소재로 된 플락스틱 필름과 같은 고분자 소재로 이루어진다. 상기 제 2 플렉서블 기판(802)은 휨이 자유로운 박막형 기판이다. 상기 제 2 플렉서블 기판(802)의 두께는 10 내지 100 마이크로미터 정도이다. 상기 제 2 플렉서블 기판(802)은 상기 제 2 베이스 기판(801) 상에 고분자 용액을 코팅하여서 고분자 막을 형성하게 된다.
이때, 제 2 베이스 기판(801)과, 제 2 플렉서블 기판(802)의 열팽창 계수값은 서로 다르다. 즉, 상기 후막형 제 2 베이스 기판(801)의 열팽창 계수보다 상기 박막형 제 2 플렉서블 기판(802)의 열팽창 계수가 더 크다.
이를테면, 상기 제 2 베이스 기판(801)의 소재로 사용되는 글래스의 열팽창 계수는 8 ppm/℃ 인데 반하여, 상기 제 2 플렉서블 기판(802)의 소재로 사용되는 고분자 소재, 이를테면, 폴리 카보네이트(PC)는 90 ppm/℃ 이고, 폴리 에테르 설폰(PES)는 60 ppm/℃ 이고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)는 30 ppm/℃ 이고, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)는 20 ppm/℃ 이고, 폴리이미드(PI)는 50 ppm/℃ 이고, 폴리아릴레이트(PAR)는 53 ppm/℃ 이고, 유리섬유 강화플라스틱(FRP)는 14ppm/℃ 이다. 이처럼, 상기 제 2 베이스 기판(801)에 비하여 상기 제 2 플렉서블 기판(802)은 대략 2배 이상 큰 열팽창 계수를 가지나, 상기 제 2 베이스 기판(801)과 제 2 플렉서블 기판(802)이 서로 다른 열팽창 계수값을 가지면 어느 하나에 한정되는 것은 아니다.
상기 봉지부(800)로 제 2 플렉서블 기판(802)을 이용할 경우, 상기 제 2 플렉서블 기판(802)이 플라스틱 필름과 같은 고분자 소재로 이루어지므로, 이의 수분 투과율(Water vapor transmission rate, WVTR)은 10?1000 g/m2/day 이며, 산소 투과율(Oxygen transmission rate, OTR)은 4?1500 cc/m2/day 로서, 유기 발광 소자(319)의 장수명화를 위해서 필요한 10-6 g/m2/day 이하의 수분 투과율과, 1×10-3 ? 1×10-5 cc/m2/day 사이의 산소 투과율에 적합하지 않으므로, 상기 제 2 플렉서블 기판(802) 상에는 제 2 배리어층(803)이 요구된다.
상기 제 2 배리어층(803)은 SiOx, SiNx, SiON, AlO, AlON 등의 무기물로 이루어질 수 있으며, 또는 아크릴 또는 폴리이미드 등의 유기물로 이루어질 수 있다. 또는 유기물과 무기물이 교대로 적층될 수 있다. 상기 제 2 배리어층(803)은 산소와 수분을 차단하는 역할을 수행하는 동시에, 상기 제 2 플렉서블 기판(802)에서 발생하는 수분 또는 불순물의 확산을 방지하거나 결정화시 열의 전달 속도를 조절함으로써 반도체의 결정화가 잘 이루어질 수 있도록 하는 역할을 수행한다.
이때, 상기 제 2 배리어층(803)은 대략 80℃ ~ 400℃ 사이에서 이루어지는 고온 증착 공정에 의하여 형성될 수 있다. 이와 같이, 상기 봉지부(800)를 별도로 제조하여 유기 발광 소자(319)에 결합함으로써, 상기 봉지부(800)가 고온 증착 공정에서 형성 가능한 제 2 배리어층(803)을 포함하도록 할 수 있다. 상기 봉지부(800)에 제 2 배리어층(803)이 구비됨으로써, 상기 유기 발광 소자(319)가 더욱 안정적으로 보호가능하다.
이어서, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 배리어층(803)과 유기 발광 소자(319)를 서로 대향되게 위치시킨후, 상기 유기 발광 소자(319)에 대하여 봉지부(800)를 합착한다. 상기 유기 발광 소자(319)와 밀봉부(800)를 합착하기 위하여, 레이저 빔이 활용될 수 있다. 대안으로는, 상기 제 2 배리어층(803)에 소정의 점착성을 가진 소재를 첨가하여, 유기 발광 소자(319) 상부에 봉지부(800)를 배치한 후, 이들을 서로 압착시킴으로써, 유기 발광 소자(319)에 대하여 봉지부(800)를 결합할 수 있다.
다음으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 플렉서블 기판(302)에 대하여 제 1 베이스 기판(301) 및 상기 제 2 플렉서블 기판(802)에 대하여 제 2 베이스 기판(801)을 분리하기 위하여, 합착된 플렉서블 디스플레이 장치(1100)를 소정 온도로 가열된 용액(1001)이 저장된 바스(1000) 내에 담궈게 된다.
본 실시예에서는 상기 용액(1001)으로 물을 이용하고 있다. 물을 이용하는 것은 오염원을 방출하지 않아서 친환경적이고, 가열되었을 경우에도 딴 용액에 비하여 안전성이 있으며, 제조 비용이 절감되기 때문이다. 그러나, 상기 용액(1001)은 물 이외에도 다른 용액, 이를테면 이소프로필알코올(Isopropyl alcohol, IPA) 등을 사용할 수 있다.
이때, 상기 용액(1001)이 상온일 경우에는 상기 제 1 베이스 기판(301)과 제 1 플렉서블 기판(302) 및 제 2 베이스 기판(801)과 제 2 플렉서블 기판(802) 사이의 접착이 이미 안정화된 상태이므로, 상기 용액(1001)의 온도는 상온보다 큰 것이 바람직하다. 상기 용액(1001)이 물로 이루어질 경우에는 대략 50℃ 이상의 온도라면 서로 분리가 가능한 온도가 된다. 그러나, 상기 용액(1001)의 가열된 온도 범위는 용액(1001)의 끓는점과, 유리 전이 온도(Tg) 등에 따라 달라질 수 있는 등 어느 하나에 한정되는 것은 아니다.
이렇게 상기 플렉서블 디스플레이 장치(1000)가 가열된 용액(1001)이 저장된 바스(1000) 내에 담궈지게 되면, 상기 제 1 베이스 기판(301)과 제 1 플렉서블 기판(302) 및 제 2 베이스 기판(801)과 제 2 플렉서블 기판(802) 사이의 접착력이 약해지고 되고, 상기 제 1 플렉서블 기판(302)에 대하여 제 1 베이스 기판(301) 및 상기 제 2 플렉서블 기판(802)에 대하여 제 2 베이스 기판(801)의 박리가 시작된다.
이어서, 화살표로 표시한 바와 같이, 박리된 공간 사이로 상기 용액(1001)이 침투하는 과정을 반복하여서 상기 제 1 플렉서블 기판(302)에 대하여 제 1 베이스 기판(301) 및 상기 제 2 플렉서블 기판(802)에 대하여 제 2 베이스 기판(801)의 분리가 가능하다.
대안으로는, 도 13에 도시된 것처럼, 도 10의 가열된 용액(1001)이 저장된 바스(1000) 대신에 노즐(1300)과 같은 분사 수단을 이용하여 제 1 베이스 기판(301)과 제 1 플렉서블 기판(302) 사이와, 상기 제 2 베이스 기판(801)과 제 2 플렉서블 기판(802) 사이에 용액(1310)을 분사하는 것에 의하여 상기 제 1 플렉서블 기판(302)에 대하여 제 1 베이스 기판(301) 및 상기 제 2 플렉서블 기판(802)에 대하여 제 2 베이스 기판(801)의 분리가 가능하다.
상기와 같은 과정을 통하여 상기 제 1 베이스 기판(301) 및 제 2 베이스 기판(801)의 분리시킴으로써, 도 11에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 플렉서블 기판(302) 상에 박막 트랜지스터(304) 및 유기 발광 소자(319)가 구비된 플렉서블 디스플레이 장치(1100)를 얻게 된다.
301...제 1 베이스 기판 302...제 1 플렉서블 기판
303...제 1 배리어층 304...박막 트랜지스터
304...게이트 절연막 306...층간 절연막
308...반도체층 309...게이트 전극
310...소오스 및 드레인 전극 315...보호막
317...제 1 전극 318...픽셀 정의막
319...유기 발광 소자 320...중간층
800...봉지부 801....제 2 베이스 기판
802...제 2 플렉서블 기판 803...제 2 배리어층
1000..바스 1001...용액
1100...플렉서블 디스플레이 장치
303...제 1 배리어층 304...박막 트랜지스터
304...게이트 절연막 306...층간 절연막
308...반도체층 309...게이트 전극
310...소오스 및 드레인 전극 315...보호막
317...제 1 전극 318...픽셀 정의막
319...유기 발광 소자 320...중간층
800...봉지부 801....제 2 베이스 기판
802...제 2 플렉서블 기판 803...제 2 배리어층
1000..바스 1001...용액
1100...플렉서블 디스플레이 장치
Claims (20)
- 디스플레이 소자가 형성된 제 1 플렉서블 기판을 준비하는 단계;
베이스 기판과, 상기 베이스 기판 상에 형성되는 제 2 플렉서블 기판과, 상기 제 2 플렉서블 기판 상에 형성된 배리어층을 가지는 봉지부를 형성하는 단계;
상기 디스플레이 소자의 상부에 상기 봉지부를 결합하는 단계; 및
상기 베이스 기판과 제 2 플렉서블 기판 사이에 가열된 용액을 인가하여서, 상기 베이스 기판과 제 2 플렉서블 기판과의 서로 다른 열팽창 계수값 차이를 이용하는 것에 의하여 상기 제 2 플렉서블 기판에 대하여 베이스 기판을 분리하는 단계;를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 봉지부를 형성하는 단계에서는,
상기 베이스 기판은 제 1 열팽창 계수값을 가지는 후막형 기판이고,
상기 제 2 플렉서블 기판의 제 2 열팽창 계수값은 상기 제 1 열팽창 계수값보다 크며, 상기 베이스 기판보다 두께가 얇은 유연성을 가지는 박막형 기판인 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 베이스 기판은 글래스를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 플렉서블 기판은 폴리 카보네이트, 폴리 에테르 설폰, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 유리섬유 강화플라스틱중 어느 하나를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 베이스 기판 상에 상기 제 2 플렉서블 기판용 고분자 소재를 코팅하는 것에 의하여 상기 제 2 플렉서블 기판을 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 플렉서블 기판에 대하여 베이스 기판을 분리하는 단계에서는,
상기 용액은 상온보다 큰 온도를 가지는 물을 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
결합된 제 1 플렉서블 기판과, 봉지부를 가열된 용액속에 담궈서 상기 제 2 플렉서블 기판에 대하여 베이스 기판을 분리하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 베이스 기판과 제 2 플렉서블 기판 사이에 가열된 용액을 분사하여서 상기 제 2 플렉서블 기판에 대하여 베이스 기판을 분리하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 1 플렉서블 기판 상에 제 1 배리어층을 형성하는 단계;
상기 제 1 배리어층 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터 상에 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 디스플레이 소자를 형성하는 단계;
베이스 기판과, 상기 베이스 기판 상에 형성되는 제 2 플렉서블 기판과, 상기 제 2 플렉서블 기판 상에 형성된 제 2 배리어층을 가지는 봉지부를 형성하는 단계;
상기 봉지부를 상기 디스플레이 소자 상부에 결합하는 단계; 및
상기 베이스 기판과 제 2 플렉서블 기판 사이에 가열된 용액을 인가하여서, 상기 베이스 기판과 제 2 플렉서블 기판과의 서로 다른 열팽창 계수값 차이를 이용하는 것에 의하여 상기 제 2 플렉서블 기판에 대한 베이스 기판을 분리하는 단계;를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 봉지부를 형성하는 단계에서는,
상기 봉지부는 상기 디스플레이 소자와 별도로 제조되어서, 상기 디스플레이 소자에 결합하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 베이스 기판은 제 1 열팽창 계수값을 가지는 후막형 기판이고,
상기 제 2 플렉서블 기판의 제 2 열팽창 계수값은 상기 제 1 열팽창 계수값보다 크며, 상기 베이스 기판보다 두께가 얇은 유연성을 가지는 박막형 기판인 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 베이스 기판은 글래스를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 플렉서블 기판은 폴리 카보네이트, 폴리 에테르 설폰, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 유리섬유 강화플라스틱중 어느 하나를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 베이스 기판 상에 상기 제 2 플렉서블 기판용 고분자 소재를 코팅하는 것에 의하여 상기 제 2 플렉서블 기판을 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 플렉서블 기판에 대하여 베이스 기판을 분리하는 단계에서는,
상기 용액은 상온보다 큰 온도를 가지는 물을 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 9 항에 있어서,
결합된 제 1 플렉서블 기판과, 봉지부를 가열된 용액속에 담궈거나,
상기 베이스 기판과 제 2 플렉서블 기판 사이에 가열된 용액을 분사하는 것에 의하여 상기 제 2 플렉서블 기판에 대하여 베이스 기판을 분리하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 제 1 플렉서블 기판의 하부에는 이를 지지하는 추가적인 베이스 기판이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 추가적인 베이스 기판은 상기 봉지부의 베이스 기판과 동일한 소재이며
상기 제 1 플렉서블 기판은 상기 제 2 플렉서블 기판과 동일한 소재인 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 추가적인 베이스 기판은 상기 가열된 용액속에 담궈거나,
상기 추가적인 베이스 기판과 제 1 플렉서블 기판 사이에 가열된 용액을 분사하는 것에 의하여 상기 제 1 플렉서블 기판으로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 배리어층 및 제 2 배리어층은,
유기층 또는 무기층 또는 유기층과 무기층이 교대로 적층된 다층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100103675A KR20120042151A (ko) | 2010-10-22 | 2010-10-22 | 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| US13/200,398 US8465992B2 (en) | 2010-10-22 | 2011-09-23 | Method of manufacturing flexible display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100103675A KR20120042151A (ko) | 2010-10-22 | 2010-10-22 | 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120042151A true KR20120042151A (ko) | 2012-05-03 |
Family
ID=45973355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100103675A KR20120042151A (ko) | 2010-10-22 | 2010-10-22 | 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8465992B2 (ko) |
| KR (1) | KR20120042151A (ko) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9356256B2 (en) | 2013-07-31 | 2016-05-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
| US9532431B2 (en) | 2015-02-02 | 2016-12-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same |
| US9691742B2 (en) | 2015-01-29 | 2017-06-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| US10198974B2 (en) | 2016-10-17 | 2019-02-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| US10396311B2 (en) | 2017-09-04 | 2019-08-27 | Samsung Display Co. Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| US10727450B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-07-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus with penetrating portion and method of manufacturing same |
| US11257893B2 (en) | 2019-03-15 | 2022-02-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel having opening area and method of manufacturing the same |
| US11626464B2 (en) | 2019-08-07 | 2023-04-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and manufacturing method thereof |
| US11760080B2 (en) | 2021-01-07 | 2023-09-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Peeling device and peeling method using the same |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120042151A (ko) * | 2010-10-22 | 2012-05-03 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| TWI523038B (zh) * | 2012-05-04 | 2016-02-21 | Elite Optoelectronic Co Ltd | A flexible transparent display structure and method for forming a light emitting diode |
| US8658444B2 (en) * | 2012-05-16 | 2014-02-25 | International Business Machines Corporation | Semiconductor active matrix on buried insulator |
| KR101942471B1 (ko) | 2012-06-15 | 2019-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법 |
| KR102086545B1 (ko) * | 2012-07-19 | 2020-03-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
| US9530984B2 (en) * | 2012-09-04 | 2016-12-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence display and method of manufacturing the same |
| US10862073B2 (en) * | 2012-09-25 | 2020-12-08 | The Trustees Of Princeton University | Barrier film for electronic devices and substrates |
| KR20140060776A (ko) * | 2012-11-12 | 2014-05-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102104608B1 (ko) * | 2013-05-16 | 2020-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102134845B1 (ko) * | 2013-07-12 | 2020-07-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
| CN104425735A (zh) * | 2013-09-09 | 2015-03-18 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
| CN103474580A (zh) | 2013-09-09 | 2013-12-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性有机电致发光器件的封装结构、方法、柔性显示装置 |
| CN103855171B (zh) * | 2014-02-28 | 2017-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制造方法 |
| JP2015215952A (ja) * | 2014-05-07 | 2015-12-03 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US20170271625A1 (en) * | 2015-09-28 | 2017-09-21 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method for forming display substrate for display panel |
| CN105374952A (zh) * | 2015-12-15 | 2016-03-02 | 信利半导体有限公司 | 一种oled器件的制造方法及oled器件和应用 |
| CN107275515B (zh) * | 2017-06-20 | 2019-12-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件封装方法、结构、oled器件及显示屏 |
| CN110265582A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-09-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板结构和柔性显示面板制作方法 |
| CN111276518A (zh) * | 2020-02-10 | 2020-06-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板、显示装置及显示装置制备方法 |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI264121B (en) * | 2001-11-30 | 2006-10-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device |
| US6955726B2 (en) | 2002-06-03 | 2005-10-18 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Mask and mask frame assembly for evaporation |
| JP2004071874A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Sharp Corp | 半導体装置製造方法および半導体装置 |
| JP2004140267A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP4373085B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法 |
| TWI330269B (en) * | 2002-12-27 | 2010-09-11 | Semiconductor Energy Lab | Separating method |
| JP4063082B2 (ja) * | 2003-01-10 | 2008-03-19 | 日本電気株式会社 | フレキシブル電子デバイスとその製造方法 |
| CN102290422A (zh) * | 2003-01-15 | 2011-12-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法、剥离方法及发光装置的制造方法 |
| KR20050027487A (ko) * | 2003-09-15 | 2005-03-21 | 삼성전자주식회사 | 기판 어셈블리, 기판 어셈블리의 제조 방법, 이를 이용한표시장치 및 이를 이용한 표시장치의 제조 방법 |
| US7768405B2 (en) * | 2003-12-12 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7494066B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR100964575B1 (ko) | 2003-12-24 | 2010-06-21 | 삼성전자주식회사 | 유연한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 적용되는캐리어 기판 |
| KR101060352B1 (ko) | 2004-05-29 | 2011-08-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이의 제조방법 |
| US8040469B2 (en) * | 2004-09-10 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same |
| EP1760798B1 (en) * | 2005-08-31 | 2012-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| EP1760776B1 (en) * | 2005-08-31 | 2019-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor device with flexible substrate |
| CN101305315B (zh) * | 2005-11-11 | 2010-05-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 形成具有功能性的层的方法及半导体器件的制造方法 |
| KR101319468B1 (ko) * | 2005-12-02 | 2013-10-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
| KR101255301B1 (ko) | 2006-02-13 | 2013-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이의 제조 방법 |
| US7727809B2 (en) * | 2006-05-31 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Attachment method, attachment apparatus, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing apparatus of semiconductor device |
| CN101529596B (zh) * | 2006-11-29 | 2011-12-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 装置及其制造方法 |
| KR100890250B1 (ko) | 2007-01-08 | 2009-03-24 | 포항공과대학교 산학협력단 | 플렉서블 소자의 제조 방법 및 플렉서블 표시 장치의 제조방법 |
| KR20080073941A (ko) | 2007-02-07 | 2008-08-12 | 엘지전자 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 제조방법 |
| CN101785086B (zh) * | 2007-09-20 | 2012-03-21 | 夏普株式会社 | 显示装置的制造方法和叠层构造体 |
| JP5366517B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2013-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP5216716B2 (ja) * | 2008-08-20 | 2013-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
| KR101824425B1 (ko) * | 2008-12-17 | 2018-02-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
| KR101084230B1 (ko) * | 2009-11-16 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101618157B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2016-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20120042151A (ko) * | 2010-10-22 | 2012-05-03 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 |
-
2010
- 2010-10-22 KR KR1020100103675A patent/KR20120042151A/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-09-23 US US13/200,398 patent/US8465992B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9356256B2 (en) | 2013-07-31 | 2016-05-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
| US9691742B2 (en) | 2015-01-29 | 2017-06-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| US9532431B2 (en) | 2015-02-02 | 2016-12-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same |
| US10198974B2 (en) | 2016-10-17 | 2019-02-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| US10727450B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-07-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus with penetrating portion and method of manufacturing same |
| US11653551B2 (en) | 2016-12-27 | 2023-05-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus with penetrating portion and method of manufacturing the same |
| US11997912B2 (en) | 2016-12-27 | 2024-05-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus with penetrating portion |
| US10644261B2 (en) | 2017-09-04 | 2020-05-05 | Samsung Display Co. Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| US10396311B2 (en) | 2017-09-04 | 2019-08-27 | Samsung Display Co. Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| US11217771B2 (en) | 2017-09-04 | 2022-01-04 | Samsung Display Co. Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| US11778852B2 (en) | 2017-09-04 | 2023-10-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| US11257893B2 (en) | 2019-03-15 | 2022-02-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel having opening area and method of manufacturing the same |
| US11626464B2 (en) | 2019-08-07 | 2023-04-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and manufacturing method thereof |
| US12101977B2 (en) | 2019-08-07 | 2024-09-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus including connection wires having branches and manufacturing method thereof |
| US11760080B2 (en) | 2021-01-07 | 2023-09-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Peeling device and peeling method using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20120100647A1 (en) | 2012-04-26 |
| US8465992B2 (en) | 2013-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20120042151A (ko) | 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 | |
| JP5766472B2 (ja) | フレキシブルディスプレイ装置の製造方法 | |
| KR101065318B1 (ko) | 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 | |
| US10090184B2 (en) | Carrier substrate, method of manufacturing the same, and method of manufacturing flexible display device using the carrier substrate | |
| US8766271B2 (en) | Flexible display apparatus | |
| US9012890B2 (en) | Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same | |
| US9006717B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus | |
| US8659021B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| US9954042B2 (en) | Organic light-emitting diode display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US8933451B2 (en) | Organinc light emitting display device and method of manufacturing the same | |
| KR102134845B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 | |
| US8754414B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| US8624249B2 (en) | Organic light emitting display device and manufacturing method for the same | |
| KR102022395B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| US9647234B2 (en) | Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof | |
| US9774000B2 (en) | Organic light-emitting display device with multi-layered encapsulation | |
| US8658460B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| KR20130107883A (ko) | 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 | |
| US9202856B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same | |
| KR20110057985A (ko) | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조방법 | |
| US8952386B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) |