JP2015015457A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 絶縁表面上の第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記絶縁表面の上面、前記第１の酸化物半導体膜の側面、前記第２の酸化物半導体膜の側面および前記第２の酸化物半導体膜の上面と接する第３の酸化物半導体膜と、
   第３の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上で接し、前記第２の酸化物半導体膜の上面および側面に面するゲート電極と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜の厚さが、前記第３の酸化物半導体膜の厚さおよび前記ゲート絶縁膜の厚さの合計よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第３の酸化物半導体膜は、結晶領域を含む第１の層、および前記第１の層上の結晶領域を含む第２の層を有し、
   前記第１の層に含まれる結晶は、特定の結晶方位に対して配向性を有さず、
   前記第２の層に含まれる結晶は、前記第２の層の上面の法線ベクトルに対してｃ軸が平行方向に配向することを特徴とする半導体装置。