JP2015079618A - 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法、薄膜トランジスタ基板を用いた有機ｅｌ素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】メニスカスの原因となりうる凸形状の突出量を抑制することが可能な、薄膜トランジスタ基板及びその製造方法、薄膜トランジスタ基板を用いた有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】仮基材２２の一方の面上に、駆動トランジスタ１３、信号線１５及び画素電極１２ａを有する電気的素子と、この電気的素子を被覆する層間絶縁層１８と、仮基材２２の一方の面と対向する絶縁性基板１１とを、この順で積層し、この状態で仮基材２２を剥離させて除去することにより、電気的素子のうち少なくとも画素電極１２ａを露出させる。
【選択図】図１２

Description

本発明は、ウェットコーティング法によって有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）ディスプレイを形成するために用いられる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法と、薄膜トランジスタ基板を用いた有機ＥＬ素子及びその製造方法に関するものである。

一般的に、有機ＥＬ素子は、二つの対向する電極基板の間に、有機発光材料からなる有機発光層を形成し、有機発光層に電流を流すことにより発光させるものであるが、効率良く発光させるには、有機発光層の膜厚のコントロールが重要であり、例えば、膜厚１００ｎｍ程度の極めて薄い膜にする必要がある。さらに、これをディスプレイ化するためには、高精細にパターニングする必要がある。

有機発光層を形成する有機発光材料には、低分子材料と高分子材料があり、一般的に、低分子材料は、基板に抵抗加熱蒸着法（真空蒸着法）等により薄膜形成する。このとき、微細パターンのマスクを用いてパターニングするが、この方法では、基板が大型化すればするほど、パターニング精度が出難いという問題がある。
一方、高分子系発光材料を用いてフルカラー化するために有機発光層をパターニングする手段としては、主に、インキジェット法によるパターン形成方法と、印刷版を用いたパターン形成方法が提案されている。

インキジェット法によるパターン形成方法は、インキジェットノズルから溶剤に溶かした発光層形成用の材料を基板上に噴出させ、基板上で乾燥させることで、所望のパターンを得る方法である（例えば、特許文献１を参照）。
しかしながら、上記の方法では、ノズルから噴出されたインキ液滴は球状をしている為、基板上に着弾する際にインキが円形状に広がってしまうことで、形成されたパターンの形状が直線性に欠けるという問題や、着弾精度が悪化してパターンの直線性が得られないという問題がある。

これらの問題に対し、例えば、予め、基板上にフォトリソグラフィ等により撥インキ性のある材料で画素の横にバンクを形成し、そこにインキ液滴を着弾させることで、バンクの部分でインキを弾かせて、直線性のパターンを得られるようにした方法が開示されている（例えば、特許文献２を参照）。
しかしながら、上記の方法では、バンクの部分で弾かれたインキが画素内に戻るときに画素内部で盛り上がり、画素内の有機発光層の膜厚にばらつきができてしまうという問題がある。

この問題に対し、低分子系有機発光材料に替えて、高分子系有機発光材料を溶剤に溶解あるいは分散させてインキ化し、このインキを用いて、凸版印刷法、反転印刷法、スクリーン印刷法等の印刷法によりパターニングする方法が提案されている。特に、凸版印刷による方法は、パターン形成精度、膜厚均一性等に優れ、印刷による有機ＥＬ素子の製造方法として適している。

さらに、有機ＥＬ素子やディスプレイでは、基板としてガラス基板を用いることが多いため、各種印刷法の中でも、グラビア印刷法等のように金属製の印刷版等の硬い版を用いる方法は不向きである。そのため、弾性を有するゴム製の印刷版を用いた印刷法や、ゴム製の印刷用ブランケットを用いたオフセット印刷法や、弾性を有するゴムやその他の樹脂を主成分とした感光性樹脂版を用いる凸版印刷法等を、適切な印刷法として採用することが可能である。実際に、これらの印刷法の試みとして、オフセット印刷によるパターン印刷方法、凸版印刷によるパターン印刷方法等が提唱されている（例えば、特許文献３、４を参照）。

特開平１０−１２３７７号公報 特開２００２−３０５０７７号公報 特開２００１−９３６６８号公報 特開２００１−１５５８５８号公報

しかしながら、上述した各特許文献に記載の技術を含め、従来の技術では、隔壁を形成した基板上にウェットプロセスで形成した有機発光層の形状に、凸形状の構成に起因するメニスカス（湾曲面）が発生するという問題がある。
本発明は上記の問題点を解決するためになされたものであり、メニスカスの原因となりうる凸形状の突出量を抑制することが可能な、薄膜トランジスタ基板及びその製造方法、薄膜トランジスタ基板を用いた有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の一態様は、仮基材の一方の面上に、薄膜トランジスタ、電気配線及び画素電極を有する電気的素子と、当該電気的素子を被覆する層間絶縁層と、絶縁性基板が積層されることによって構成され、使用時に前記仮基材を除去することにより、前記電気的素子のうち少なくとも前記画素電極が露出することを特徴とする薄膜トランジスタ基板である。

また、本発明の一態様は、前記層間絶縁層の材料として、熱架橋性もしくは光架橋性に起因する硬化性材料を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ基板である。
また、本発明の一態様は、前記画素電極、前記薄膜トランジスタ及び前記電気配線が露出し、
前記露出した薄膜トランジスタ及び前記電気配線を隔壁により被覆して使用することを特徴とする薄膜トランジスタ基板である。

また、本発明の一態様は、前記仮基材と前記電気的素子との間に仮基材固定層が介装され、
使用時に前記仮基材及び前記仮基材固定層を除去することにより、前記電気的素子のうち少なくとも前記画素電極が露出することを特徴とする薄膜トランジスタ基板である。
また、本発明の一態様は、前記電気的素子を前記絶縁性基板上に配置した状態で、前記仮基材を前記層間絶縁層から剥離させて除去することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法である。

また、本発明の一態様は、前記露出した薄膜トランジスタ及び前記電気配線を隔壁により被覆することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法である。
また、本発明の一態様は、前記層間絶縁層の表面エネルギーを、前記仮基材固定層の表面エネルギーよりも少なくとも１０ｍＪ／ｍ^２以上高めて前記電気的素子を前記絶縁性基板上に配置した状態で、前記仮基材及び前記仮基材固定層を前記層間絶縁層から剥離させて除去することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法である。

また、本発明の一態様は、前記画素電極上に、少なくとも有機発光層を形成したことを特徴とする有機ＥＬ素子である。
また、本発明の一態様は、前記画素電極上に、少なくとも有機発光層を形成し、
前記薄膜トランジスタ及び前記電気配線を被覆する隔壁の膜厚と、前記画素電極上に形成した前記有機発光層の膜厚と、の膜厚差が１００ｎｍ以内であることを特徴とする有機ＥＬ素子である。

また、本発明の一態様は、前記薄膜トランジスタ及び前記電気配線を被覆する隔壁の膜厚と、前記画素電極上に形成した前記有機発光層の膜厚と、の膜厚差を１００ｎｍ以内とすることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法である。
また、本発明の一態様は、前記仮基材固定層として、ＵＶ硬化型の接着剤を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ基板である。

また、本発明の一態様は、前記薄膜トランジスタ基板上に、少なくとも機能性材料を形成することを特徴とする機能性素子である。
また、本発明の一態様は、前記薄膜トランジスタ基板上に、少なくとも機能性材料を形成することを特徴とする機能性素子の製造方法である。
また、本発明の一態様は、前記薄膜トランジスタ基板上に、少なくとも発光層を形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法である。

また、本発明の一態様は、前記薄膜トランジスタ基板上に、少なくとも発光層を形成することを特徴とする有機ＥＬディスプレイである。
また、本発明の一態様は、前記薄膜トランジスタ基板上に、少なくとも発光層を形成することを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法である。

本発明の一態様であれば、メニスカスの原因となりうる凸形状の突出量を抑制することが可能な、薄膜トランジスタ基板及びその製造方法、薄膜トランジスタ基板を用いた有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供することが可能となる。

本発明の実施形態の有機ＥＬ素子を形成する前の薄膜トランジスタ基板の概略構造を示す図である。 図１で示した薄膜トランジスタ基板上に有機ＥＬ素子を形成した発光素子の概略構造を示す図である。 本発明の実施形態の有機ＥＬ素子の断面構造の一例を説明するため模式図である。 本発明の実施形態の有機ＥＬ素子の概略構造を説明するための断面模式図である。 本発明の実施形態の有機ＥＬ素子の概略構造を説明するための断面模式図である。 本発明の実施形態の有機ＥＬ素子の概略構造を説明するための断面模式図である。 本発明の実施形態の有機ＥＬ素子の概略構造を説明するための断面模式図である。 本発明の実施形態の有機ＥＬ素子の概略構造を説明するための断面模式図である。 本発明の実施形態の有機ＥＬ素子の概略構造を説明するための断面模式図である。 本発明の実施形態の有機ＥＬ素子の概略構造を説明するための断面模式図である。 本発明の実施形態の有機ＥＬ素子の概略構造を説明するための断面模式図である。 本発明の実施形態の有機ＥＬ素子の概略構造を説明するための断面模式図である。 本発明の実施形態の有機ＥＬ素子の概略構造を説明するための断面模式図である。 本発明の実施形態の有機ＥＬ素子を製造するための凸版印刷機の概念図である。 比較例における有機ＥＬ素子の概略構造を説明するための模式図である。 比較例の有機ＥＬ素子の製造工程を説明するための断面模式図である。 比較例の有機ＥＬ素子の製造工程を説明するための断面模式図である。 比較例の有機ＥＬ素子の製造工程を説明するための断面模式図である。 比較例の有機ＥＬ素子の製造工程を説明するための断面模式図である。 比較例の有機ＥＬ素子の製造工程を説明するための断面模式図である。 比較例の有機ＥＬ素子の製造工程を説明するための断面模式図である。 比較例の有機ＥＬ素子の製造工程を説明するための断面模式図である。 比較例における有機発光層の平坦性を評価する手法を説明するための模式図である。

以下、本発明の実施形態（以下、「本実施形態」と記載する）について、図面を参照しつつ説明する。
（全体構成）
図１は、本実施形態の有機ＥＬ素子を形成する前の薄膜トランジスタ基板の概略構造を示す図である。ただし、本発明の有機ＥＬ素子１０の構成は、以下の説明に限定されるものではない。

図１中に示すように、有機ＥＬ素子を形成する前の薄膜トランジスタ基板１は、絶縁性基板１１上に、発光画素１２が図１中の上下左右方向へマトリックス状に配列されている。
各発光画素１２には、図１中では省略したが、画素電極（例えば、アノード電極）と、画素容量が形成されている。また、発光画素１２の周辺には、画素容量に電圧を書き込むための選択トランジスタ１３と、画素容量に書き込まれた電圧に従い発光画素１２に電流を供給し、発光画素１２を発光させるための駆動トランジスタ１４が、それぞれ設けられている。

発光画素１２の配列に沿って列方向（すなわち、図１の上下方向）には、選択トランジスタ１３を経由して発光画素１２の画素容量に電圧を書き込むための信号線１５が配設されている。
また、信号線１５に直交して行方向（すなわち、図１の左右方向）には、選択トランジスタ１３を選択状態にするための走査線１６と、駆動トランジスタ１４に発光のための電流を流す電力供給線１７が配設されている。

なお、図１中には、選択トランジスタ１３と駆動トランジスタ１４の二個のトランジスタを配置して、一発光画素の駆動を行う方式を示したが、薄膜トランジスタ基板１の構成は、これに限定するものではなく、一発光画素につき三個以上のトランジスタを配置して駆動させる方式でも良い。
図２は、図１で示した薄膜トランジスタ基板１上に有機ＥＬ素子１０を形成した発光素子の概略構造を示す図である。

図２中に示すように、薄膜トランジスタ基板１上に有機ＥＬ素子１０を形成した発光素子は、絶縁性基板１１上に、発光画素１２を取り囲むように隔壁２０が形成されている。これにより、発光画素１２、駆動トランジスタ１３、選択トランジスタ１４、電気配線といった構造、すなわち、平坦な絶縁性基材１１上において凸形状となって存在する構造を、隔壁２０で被覆することによって、薄膜トランジスタや電気配線を保護することが可能である。

発光画素１２上には、有機ＥＬ薄膜（図示せず）がそれぞれ形成されており、さらに、発光画素１２の画素電極に対して、共通に、単一の平面電極（ベタ電極）からなる対向電極（例えば、カソード電極）１９が形成されている。
図３は、本実施形態の有機ＥＬ素子１０の断面構造の一例を説明するため模式図である。

図３中に示すように、有機ＥＬ素子１０は、絶縁性基板１１上に、基材固定層２１と層間絶縁層１８を介して、発光画素１２と、駆動トランジスタ１３と、信号線１５が設けられている。
発光画素１２は、絶縁性基板１１上に形成されたゲート絶縁層１３ｅ上に形成され、画素電極１２ａと、有機発光層１２ｂを備えている。また、画素電極１２ａに対して、対向電極１９が形成されている。

駆動トランジスタ１３は、ソース電極１３ａと、ドレイン電極１３ｂと、オーミックコンタクト層１３ｃと、チャネル層１３ｄと、ゲート絶縁層１３ｅと、ゲート電極１３ｆを備えている。
なお、有機ＥＬ素子１０の構成は、上記の構成に限定するものではなく、画素電極１２ａと対向電極１９の間に、有機発光層１２ｂの他に発光補助層を備える構成としてもよい。この場合、発光補助層としては、正孔輸送層の他に、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等を用いることが可能である。これらの発光補助層は、適宜選択され、単数であっても、複数選択してもよい。正孔注入層は、アノード電極と有機発光層との間に設けられ、電子注入層及び電子輸送層は、有機発光層とカソード電極との間に設けられる。また、アノード電極、カソード電極、有機発光層、正孔輸送層は単層構造ではなく、多層構造としてもよい。

また、有機ＥＬ素子１０の構成は、表示のための光の取り出し方から二種類に大別され、発光した光を基板側から取り出すボトムエミッション方式と、発光した光を基板と反対側から取り出すトップエミッション方式とのいずれを用いることも可能である。ここで、ボトムエミッション方式の有機ＥＬ素子１０とする場合には、図１中に示す絶縁性基板１１及び画素電極１２ｂが、光透過性を有する必要がある。一方、トップエミッション方式の有機ＥＬ素子１０とするためには、図１中に示す対抗電極１９が、光透過性を有する必要がある。

また、有機ＥＬ素子１０の構成は、上記の構成に限定するものではなく、図３中に示す構成とは異なり、絶縁性基板１１上に、カソード電極となる画素電極１２ａ、有機発光層１２ｂ、アノード電極となる対向電極１９の順に設けてもよい。この場合、有機発光層１２ｂと発光補助層を総称して有機発光媒体層と呼べば、いずれの場合も、絶縁性基板１１上に、画素電極１２ａ、有機発光媒体層、対向電極１９の順に断面構成される。

（有機ＥＬ素子の製造方法）
次に、有機ＥＬ素子１０の製造方法について説明する。ただし、本発明の製造方法は、以下の説明に限定されるものではない。
本実施形態では、有機ＥＬ素子１０の製造方法として、薄膜トランジスタ基板１を仮基材２２（図４参照）上に形成する製造方法を用いる場合を説明する。
仮基材２２としては、絶縁性を有する基板、例えば、ガラス基板や石英基板が使用可能である。また、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシートであっても良い。

また、仮基材２２は、有機ＥＬ素子１０の製造中に剥離するので、透明性を持たない材料でも良い。これら、プラスチックフィルムやシートに、金属酸化物薄膜、金属弗化物薄膜、金属窒化物薄膜、金属酸窒化物薄膜、あるいは高分子樹脂膜を積層したものを基板として利用することにより、水分やガスの透過を小さくして、素子の特性を安定化することが可能である。

上記の金属酸化物薄膜としては、例えば、酸化珪素、酸化アルミニウム等を用いることが可能である。また、上記の金属弗化物薄膜としては、例えば、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等を用いることが可能である。また、上記の金属窒化物薄膜としては、窒化珪素、窒化アルミニウム等を用いることが可能である。また、上記の高分子樹脂膜としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂等を用いることが可能である。

なお、上記各種の基板は、予め加熱処理を行うことにより、基板の内部や表面に吸着した水分を極力低減することがより好ましい。また、基板上に積層される材料に応じて、密着性を向上させるために、超音波洗浄処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、ＵＶオゾン処理等の表面処理を施してから使用することが好ましい。
なお、本実施形態の製造方法では、仮基材２２への表面処理を行った後、図４中に示すように、仮基材固定層２３を形成してもよい。

ここで、仮基材固定層２３としては、例えば、パーフルオロアルキルトリエトキシシラン、パーフルオロアルキルトリクロロシラン、アルキルトリエトキシシラン、アルキルトリクロロシランといったシランカップリング剤等を用いることが可能である。この場合、シランカップリング剤のアルキル鎖長ｎは、どの様なものであってもよく、分岐していてもよい。また、シランカップリング剤により形成する仮基材固定層２３は、気層反応、液層反応等、公知の方法にて形成する。さらに、シランカップリング剤と仮基材２２との脱水反応を完結させるために焼成を行ってもよい。焼成に関しては、オーブン、ホットプレート等での従来公知の方法により、焼成を行うことが可能である。

また、仮基材固定層２３としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、セルロースナノファイバーといった高分子樹脂材料を用いることも可能である。仮基材固定層２３を高分子樹脂とする場合、スピンコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、グラビアコーター等、公知の塗布方法によって形成し、さらに、焼成や光照射によって固化する。焼成に関しては、オーブン、ホットプレート等での従来公知の方法により、焼成を行うことが可能である。

また、仮基材固定層２３には、例えば、紫外線硬化後、加熱によって剥離することが可能である紫外線硬化型接着剤を用いても良い。紫外線硬化型接着剤としては、シリコーン系、非シリコーン系であっても良い。また、製膜方法として、スピンコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、グラビアコーター等の公知の塗布方法を用いることが可能である。

次に、図５中に示すように、仮基材２２上に、ソース電極１３ａ及びドレイン電極１３ｂとなる電極層２４を形成した後、電極層２４に続いて、オーミックコンタクト層１３ｃを形成する。
オーミックコンタクト層１３ｃは、チャネル層１３ｄがシリコン薄膜で形成されている場合、薄膜トランジスタ基板１の駆動時にチャネル層１３ｄがソース電極１３ａ及びドレイン電極１３ｂに対して良好な電気的接合をするために必要な層である。したがって、チャネル層１３ｄが酸化物半導体及び有機半導体材料で形成されている場合は、オーミックコンタクト層１３ｃを形成する必要は無い。

電極層２４の材料は、例えば、Ｍｏ膜、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｕ膜等の単一金属や、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜またはＡｌＴｉＮｄ合金膜からなるが、電極層２４の材料は、これらの材料に限定するものではない。また、電極層２４の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることが可能である。

オーミックコンタクト層１３ｃは、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置等の真空成膜装置を用いて成膜する。
プロセスガスとしては、アルシン、ホスフィン等のドナー型不純物を含むシランガスを用いる。ドナー型不純物を含むプロセスガスを用いた場合、オーミックコンタクト層１３ｃは、ドナー型の不純物を含むシリコン薄膜で形成され、最終的に得られる薄膜トランジスタ基板１は、ｎ型薄膜トランジスタ基板となる。しかしながら、薄膜トランジスタ基板１の用途に応じ、例えば、ジボラン等のアクセプター型不純物を含むシランガスを用いることで、最終的にｐ型薄膜トランジスタ基板を得ることも可能である。

次に、真空成膜された電極層２４及びオーミックコンタクト層１３ｃにフォトレジストを塗布して露光・現像し、ウェットエッチングまたはドライエッチングしてパターン状に加工することで、ソース電極１３ａと、ドレイン電極１３ｂ及び信号線１５を形成する。
ソース電極１３ａと、ドレイン電極１３ｂ及び信号線１５を形成した後は、図６中に示すように、アノード電極となる画素電極１２ａを形成する。

画素電極１２ａを形成する材料としては、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の金属複合酸化物を用いることが可能である。被膜形成方法としては、ドライコーティング方式を用いることが可能である。この場合、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等を用いることが可能である。そして、真空製膜された金属酸化物被膜にフォトレジストを塗布して露光・現像し、ウェットエッチングまたはドライエッチングしてパターン状に加工することが可能である。パッシブマトリックス方式の有機ＥＬ素子１０の場合には、アノード電極（画素電極１２ａ）は、ストライプ状に形成される。一方、アクティブマトリックス方式の有機ＥＬ素子１０の場合には、アノード電極（画素電極１２ａ）は、はドット状にパターン形成される。

また、各発光画素１２の画素電極１２ａは、駆動トランジスタ１３のドレイン電極１３ｂと電気的接続をとる必要がある。
画素電極１２ａを形成した後、図７中に示すように、チャネル層１３ｄを形成する。
チャネル層１３ｄの材料としては、シリコン薄膜、酸化物半導体、有機物半導体のうちいずれかを用いることが可能である。また、チャネル層１３ｄは、一括成膜した後に、パターニングにより形成してもよいし、印刷法により直接形成してもよい。本実施形態では、チャネル層１３ｄを、シリコン薄膜を一括形成した後にパターニング形成した例を示すが、本発明は、これらの材料と形成方法に限るものではない。

シリコン薄膜は、非晶質シリコン薄膜、多結晶シリコン薄膜、非晶質シリコン薄膜の中に微結晶状態のシリコンが含まれている微結晶シリコン薄膜のうちいずれを用いることも可能である。また、シリコン薄膜は、上記の層を組み合わせた多層構造にすることも可能である。
ここで、チャネル層１３ｄの材料に非晶質シリコン薄膜または微結晶シリコン薄膜を用いる場合は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を用いて直接成膜することが可能であるが、多結晶シリコン薄膜を用いる場合は、ＣＶＤで非晶質シリコン薄膜を成膜した後、レーザー等でアニール処理を行い、非晶質シリコンを多結晶化させる必要がある。

チャネル層１３ｄを形成後、図８中に示すように、ゲート絶縁層１３ｅを形成する。
ゲート絶縁層１３ｅは、シリコン窒化物またはシリコン酸化物からなり、ＣＶＤ装置等を用いて真空成膜する。
なお、図１から図３中では省略したが、ゲート絶縁層１３ｅを成膜した後、ゲート電極の材料を成膜する前に、必要に応じてコンタクトホール形成を行う。これは、例えば、図１中に示す選択トランジスタ１４のゲート電極と走査線１６を電気的に接続する必要があるが、これらは同じ層に無いため、電気的に接続するためには、予め、コンタクトホールを形成しておく必要がある。同様に、選択トランジスタ１４のソース電極と信号線１５の電気的接続や、駆動トランジスタ１３のソース電極１３ａと電力供給線１７の電気的接続は、コンタクトホールを介して行う。コンタクトホールは、ゲート絶縁層１３ｅにフォトレジストを塗布して露光・現像し、ウェットエッチングまたはドライエッチングをすることで形成する。

ゲート絶縁層１３ｅを形成した後、図９中に示すように、ゲート電極１３ｆを形成する。
ゲート電極１３ｆは、ソース電極１３ａとドレイン電極１３ｂとの間を覆うような形状で形成する。
ゲート電極１３ｆの材料は、例えば、Ｍｏ膜、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｕ膜等の単一金属や、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜またはＡｌＴｉＮｄ合金膜からなるが、本発明は、これら材料に限定するものではない。また、上述の材料を用いたゲート電極１３ｆの形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることが可能である。

また、ゲート電極１３ｆは、真空成膜された金属膜にフォトレジストを塗布して露光・現像し、ウェットエッチングまたはドライエッチングして、パターン状に加工する。なお、特に図示していないが、ゲート電極１３ｆと同時に、走査線１６及び電力供給線１７を一括して形成する。
以上の製造方法により、駆動トランジスタ１３を形成する。なお、図中では省略したが、選択トランジスタ１４も、駆動トランジスタ１３形成と同時に形成する。

駆動トランジスタ１３を形成したのち、図１０中に示すように、層間絶縁層１８を形成する。
層間絶縁層１８は、絶縁性を有する材料、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂といった樹脂材料を用いて形成することが可能である。また、層間絶縁層１８は、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、等の高分子材料を用いて形成することが可能である。ここで、ボトムエミッション方式の有機ＥＬ素子１０を形成する場合は、層間絶縁層１８の材料は透明性を有する必要があるが、トップエミッション方式の有機ＥＬ素子１０を形成する場合は、層間絶縁層１８の材料は透明でなくても良い。

上記の材料は、しかるべき溶剤に溶解または分散させた後、スピンコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、グラビアコーター等、公知の塗布方法によって塗布され、さらに、焼成や光照射によって固化する。また、高分子材料のモノマーを同様の手法で塗布し、光照射、加温といった方法で重合してもよい。
また、層間絶縁層１８の材料は、熱架橋性または光架橋性に起因する硬化性材料を用いてもよい。

ただし、仮基材固定層２３と、薄膜トランジスタ基板１、画素電極１２ａ、信号線１５といった構造物との密着性は、層間絶縁層１８と，薄膜トランジスタ基板１、画素電極１２ａ、信号線１５といった構造物との密着性より低いことが望ましい。
また、駆動トランジスタ１３上に形成した層間絶縁層１８の膜厚は、通常１μｍ以上１０００μｍ以下の範囲内であるが、その値に限定されるものではない。

なお、本実施形態では、一例として、層間絶縁層１８の上に基材固定層２１を形成した場合を説明する。この場合、基材固定層２１は、透明性と、絶縁性基板１１と層間絶縁層１８との接着性を有し、材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂等を用いることが可能である。
基材固定層２１を形成したのち、図１１中に示すように、基材固定層２１を介して、絶縁性基板１１と層間絶縁層１８を接着し、基材固定層２１を固化する。

絶縁性基板１１の材料としては、例えば、仮基材２２と同様の絶縁性を有するガラス基板や、石英基板、または、プラスチックフィルムやシートを用いることが可能である。ここで、ボトムエミッションパネルを製造する場合は、絶縁性基板１１は透明性を有する必要があるが、トップエミッションパネルを製造する場合は、絶縁性基板１１は透明でなくても良い。

なお、層間絶縁層１８として基材固定層２１と同様の材料を用いる場合、これらの材料が固化する前に仮基材２２と接着した後、層間絶縁層１８を固化することによって、層間絶縁層１８上に仮基材２２を固定させてもよい。
絶縁性基板１１を形成した後、図１２中に示すように、仮基材２２及び仮基材固定層２３を剥離し、絶縁性基板１１が下面になるように、パネルの天地を逆にする。仮基材２２及び仮基材固定層２３の剥離は、仮基材２２の端面をピンセットや専用の治具でつまみ、絶縁性基板１１から仮基材２２を遠ざける様に引っ張ることによって実施可能である。

また、仮基材２２の最表面に粘着テープを圧着した後、粘着テープを絶縁性基板１１から遠ざける様に引っ張ることによって、粘着テープに固定された仮基材２２及び仮基材２２上の仮基材固定層２３を、絶縁性基板１１から剥離することが可能である。
なお、仮基材固定層２３として紫外線硬化型接着剤を使用する場合、紫外光を照射し、さらに、真空中で加熱した後、上記の方法にて、仮基材２２及び仮基材固定層２３と、薄膜トランジスタ基板１、電気配線、画素電極１２ａより構成される電気的素子との接着性を低下させ、上述した剥離方法によって、仮基材２２及び仮基材固定層２３を剥離することが可能である。ここで、残留した接着剤の材料は、例えば、アルコールやアセトン、エチルメチルケトンといった有機溶剤によって溶出することが可能である。

仮基材２２及び仮基材固定層２３を剥離した後、図１３中に示すように、隔壁２０を形成する。隔壁２０を設けることによって、画素領域の正確な区分けと、隣接画素間における、混色の防止、リーク電流の防止、薄膜トランジスタ基板１や電極線等の凹凸を軽減する等の効果があり、また、基板回路上に設けられた薄膜トランジスタ基板１等の駆動素子に対する保護効果も期待可能である。

隔壁２０は、感光性材料を基板に一括塗布した後、露光、現像してパターニングしてもよいし、絶縁性材料を直接印刷することで形成してもよい。
隔壁２０を形成する感光性樹脂材料としては、例えば、ポジ型レジスト、ネガ型レジストのどちらも可能であり、市販の材料を使用可能である。
また、隔壁２０を形成する感光性樹脂材料としては、具体的には、ポリイミド系、アクリル樹脂系、ノボラック樹脂系、フルオレン系といったものを用いることが可能であるが、隔壁２０を形成する感光性樹脂材料は、これらに限定するものではない。なお、上述した感光性樹脂材料の中でも、感光性ポリイミドは、耐熱性、耐溶剤性、低アウトガス等の特性から最も好適である。また、有機ＥＬディスプレイパネルの表示品位向上及び薄膜トランジスタ基板１の誤作動防止のため、光遮光性の材料を感光性材料に含有させても良い。

隔壁２０を形成する感光性樹脂は、例えば、スピンコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、グラビアコーター等の公知の塗布方法を用いて塗布される。次に、パターン露光と現像により、画素形成パターンを形成する。
なお、本実施形態では、隔壁２０を形成する材料として感光性を有する樹脂材料を用いたが、非感光性の樹脂材料を用いることも可能である。この場合、パターニングを行うために、樹脂を塗布後にレジストを続けて塗布し、フォトリソグラフィー法にてレジストをパターニングし、ドライエッチング等の方法でレジストにより保護されていない樹脂材料を除去する工程が必要となる。または、非感光性の樹脂材料を印刷法により直接形成してもよい。非感光性の樹脂材料としては、エポキシ系樹脂や、アクリル系樹脂を用いることが可能である。

また、隔壁２０と有機発光層１２ｂとの膜厚の差は、メニスカスを発生させ、画素周縁部の膜厚と画素中央部の膜厚差を生む要因となる。よって、後の工程で形成する有機発光層１２ｂの形状を平坦化するために、隔壁２０と有機発光層１２ｂの総厚は近い値にすることが望ましい。具体的には、一般的な有機発光層１２ｂの総厚である１００ｎｍに対して、隔壁２０を、有機発光層１２ｂの膜厚と同程度である±１００ｎｍ以内の膜厚差を有する膜厚で形成しておくことが望ましい。

隔壁２０を形成した後、有機発光層１２ｂを形成する。
有機発光層１２ｂは、電流を通すことにより発光する層であり、大きく分けて、低分子系材料と高分子系材料が存在する。低分子材料は主に真空蒸着法により、高分子材料は主に印刷法により形成するが、本実施形態では、有機発光層の材料は、低分子材料でも高分子材料でもよく、形成方法も、真空蒸着法や印刷法に限定しない。高分子系材料の有機発光材料としては、例えば、クマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’―ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系等の発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系、ポリフェニレンビニレン系やポリフルオレン系を用いることが可能である。

有機発光層１２ｂの一部または全ての形成に用いる場合の印刷機は、以下に示すような凸版印刷機１００が望ましいが、本発明はこれに限定される物ではない。
図１４は、本実施形態の有機ＥＬ素子１０を作製するための凸版印刷機１００の概念構成を示す図である。
図１４中に示すように、凸版印刷機１００は、インキチャンバー１０８とアニロックスロール１０１と、クッションテープ１０３を介して樹脂凸版１０４を取り付けた版胴１０５を有している。

インキチャンバー１０８には、有機発光媒体インキが収容されている。
アニロックスロール１０１は、インキチャンバー１０８のインキ供給部及び版胴１０５に接して回転するようになっている。
アニロックスロール１０１の回転に伴い、インキチャンバー１０８から供給された有機発光媒体インキは、ドクターブレード１０２によってアニロックスロール１０１表面に均一に保持されたあと、版胴１０５に取り付けた樹脂凸版１０４の凸部へ、均一な膜厚で転移する。

さらに、被印刷基板１０７は、摺動可能な基板固定台（ステージ）１０６上に固定され、樹脂凸版１０４のパターンと被印刷基板１０７のパターンの位置調整機構（図示せず）により、位置調整しながら印刷開始位置まで移動する。さらに、版胴１０５の回転に合わせて樹脂凸版１０４の凸部が被印刷基板１０７に接しながらさらに移動し、被印刷基板１０７の所定位置にインキを転移し、図１３中に示すように、隔壁２０によって画素毎に隔てられた画素電極１２ａ上に、有機発光層１２ｂをパターニングする。

次に、カソード電極となる対向電極１９を形成する。
対向電極１９（カソード電極）の材料としては、例えば、有機発光層１２ｂへの電子注入効率の高い物質を用いることが可能である。具体的には、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂ等の金属単体を用いてもよいし、発光媒体と接する界面に、Ｌｉや酸化Ｌｉ，ＬｉＦ等の化合物を１ｎｍ程度挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用いてもよい。

また、対向電極１９（カソード電極）の材料としては、例えば、電子注入効率と安定性を両立させるために、仕事関数が低いＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ等の金属を一種以上と、安定なＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等を用いることが可能である。

対向電極１９の形成方法は、上述の材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることが可能である。
また、対向電極１９の厚さには、特に制限はないが、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内程度が望ましい。これは、対向電極１９の膜厚が１０ｎｍ未満であると、膜のピンホールが十分に埋められずショートの原因となるためである。また、対向電極１９の１０００ｎｍよりも大きいと、成膜時間が長くなり生産性が悪くなるためである。なお、対向電極１９は、成膜時に所望のパターンで作製されたマスクを用いることで、パターン加工が可能である。

以下、本発明の実施例について、図１から図１４を参照しつつ、図１５から図２３を用いるとともに、比較例に基づく比較結果を用いて説明する。なお、以下に、本発明の実施例及び比較例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
（実施例）
（被印刷基板１０７の作製工程）
まず、仮基材２２である厚さ０．５ｍｍのポリアミドフィルムにＵＶ照射を行った後、この仮基材２２の表面に対し、ｎ−パーフルオロオクチルトリエトキシシランにて仮基材２２を撥液化して、仮基材固定層２３を形成した。

仮基材固定層２３を形成した後、膜厚４００ｎｍのＡｌＴｉＮｄ合金膜をスパッタリングにより成膜し、さらに、ＣＶＤによりシランガスとホスフィンの混合ガスをプロセスガスとして用いて、シリコン薄膜を成膜した。その後、シリコン薄膜にフォトレジストを塗布して露光・現像し、さらに、ドライエッチングでシリコン薄膜をパターン加工し、続いてウェットエッチングでＡｌＴｉＮｄ合金膜をパターン加工することで、オーミックコンタクト層１３ｃと、ソース電極１３ａと、ドレイン電極１３ｂと、信号線１５を形成した。

次に、スパッタリング法によりＩＴＯ薄膜５０ｎｍを成膜した後、フォトリソグラフィー法によりウェットエッチングを行い、アノード電極となる画素電極１２ａを形成した。
画素電極１２ａを形成した後、ＣＶＤ装置により非晶質シリコン膜を成膜した。非晶質シリコン薄膜の膜厚は、２５ｎｍとした。非晶質シリコン薄膜を成膜した後、非晶質シリコン膜にフォトレジストを塗布して露光・現像し、ドライエッチングを行いパターン加工することで、チャネル層１３ｄを形成した。

次に、ＣＶＤ装置により窒化シリコン膜を４００ｎｍ成膜することで、ゲート絶縁層１３ｅを形成した。
ゲート絶縁層１３ｅを形成した後、フォトレジストを塗布して露光・現像し、ゲート絶縁層１３ｅをドライエッチングすることで、コンタクトホールを形成した。
続いて、膜厚１００ｎｍのＣｒ膜をスパッタリング法により成膜した後、Ｃｒ膜上にフォトレジストを塗布して露光・現像し、ウェットエッチングでパターン加工することで、ゲート電極１３ｆを形成した。

以上の製造方法により、駆動トランジスタ１３を形成した。なお、選択トランジスタ１４も、駆動トランジスタ１３形成と同時に形成した。
次に、上述した構造物の上に、ビスフェノール系のエポキシ樹脂の前駆体及び硬化剤の混合物をダイ塗工法によって被覆することによって、層間絶縁層１８を形成した。さらに、減圧によってエポキシ樹脂前駆体の混合物から、十分に気泡を除去した（エポキシ樹脂の膜厚は１ｕｍ以上１０００ｕｍ以下の範囲内）。エポキシ樹脂前駆体上には、基材として厚さ０．７ｍｍのアルカリガラスを載せ、均一に接着して固定した。

そして、絶縁性基板１１を形成した後、仮基材２２及び仮基材固定層２３を剥離し、絶縁性基板１１が下面になるようにパネルの天地を逆にした。さらに、仮基材２２を引っ張ることによって、仮基材２２及び仮基材固定層２３を、絶縁性基板１１より剥離した。
パネルの天地を逆にした後に、隔壁２０を形成した。
隔壁２０の形成は、まず、パネルに対し、ポジ型感光性ポリイミドを溶剤γ−ブチロラクトン及び乳酸エチルで希釈した材料を全面スピンコートした。スピンコートの条件は、５００ｒｐｍで５秒間回転させた後、２０００ｒｐｍで２０秒間回転とした。スピンコート後に溶媒を乾燥させた感光性材料の膜厚は、２００ｎｍであった。スピンコート後、フォトリソグラフィー法により露光後、現像処理を行った。こうして形成した隔壁２０の膜厚は、接触格式段差計（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ ）で測定すると、１４０ｎｍであった。

次に、正孔輸送インキとしてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液であるバイトロンＣＨ−８０００を６０％、超純水を２０％、１−プロパノールを２０％混合してインキとした。このインキを用い、スリットコート法にて絶縁性基板１１上に正孔輸送層を形成し、その膜厚を５０ｎｍとした。なお、正孔輸送インキを塗布する前の絶縁性基板１１には、前処理として、ＵＶ／Ｏ^３洗浄装置にて、紫外線照射を３分間行った。これにより、被印刷基板１０７を作製した。

（有機発光層形成用インキの作製工程）
赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色からなる以下の高分子有機発光インキを、キシレンに溶解し調製した。
赤色発光インキ（Ｒ）は、ポリフルオレン系誘導体のキシレン１ｗｔ％溶液（住友化学社製赤色発光材料、商品名Ｒｅｄ１１００）である。また、緑色発光インキ（Ｇ）は、ポリフルオレン系誘導体のキシレン１ｗｔ％溶液（住友化学社製緑色発光材料、商品名Ｇｒｅｅｎ１３００）である。また、青色発光インキ（Ｂ）は、ポリフルオレン系誘導体のキシレン１ｗｔ％溶液（住友化学社製青色発光材料、商品名Ｂｌｕｅ１１００）である。

（樹脂凸版１０４の作製工程）
厚さ２５０μｍの４２ニッケル材を、感光性樹脂による樹脂凸版１０４の基材とし、この基材の上に黒色顔料を混錬したアクリルバインダー樹脂溶液を、乾燥膜厚が１０μｍになるように塗布して乾燥し、反射防止層を形成した。
次に、水溶性ポリアミドを主成分とし、ラジカル重合性モノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサキスアクリレート、光重合開始剤として２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製）を混錬した感光性樹脂組成物が、樹脂凸版１０４の基材の表面に、版材の総厚が３１０μｍとなるように溶融塗工したものを感光性樹脂層とし、ポリビニルアルコール溶液を乾燥膜厚１μｍになるように塗布したポリエチレンテレフタレートフィルム（フィルム厚み１２５μｍ：帝人デュポンフィルム社製）をラミネートした。これにより、感光性樹脂凸版を作製した。

さらに、合成石英基材のクロムマスクを樹脂凸版１０４のパターンの原版とし、このマスクをプロキシミティ露光装置にセットして感光性樹脂凸版を露光することで、所望のパターンが形成された樹脂凸版１０４を作製した。

（有機発光層形成用インキの印刷工程）
樹脂凸版１０４を、凸版印刷機１００（枚葉式印刷装置）の版胴１０５に、クッションテープ１０３を介して固定した。次に、高分子有機発光インキをインキチャンバー１０８に供給し、アニロックスロール１０１を回転させることで、全面にインキングした。
ここで、アニロックスロール１０１は、６００ライン／インチ、容積１１ｃｃのアニロックスロールを使用した。
その後、アニロックスロール１０１上の余剰インキをドクターブレード１０２でかき取り、樹脂凸版１０４の凸パターン部にインキングした。
上記のようにインキングされた樹脂凸版１０４上の有機発光層インキを、凸版印刷機１００にて、被印刷基板１０７に基板上の画素長辺方向に画素内を埋めるように１ラインずつ、計３ライン形成した。その後、オーブン内にて１３０℃で１時間乾燥を行った結果、各ラインの有機発光層１２ｂの膜厚は、平均で１２０ｎｍとなった。

次に、印刷膜上に、Ｃａ及びＡｌからなる対向電極１９の材料を、画素部のみに蒸着されるようにマスク蒸着し、膜厚５００ｎｍの対向電極１９を形成した。
そして、これらの有機ＥＬ素子１０の構成体を外部の酸素や水分から保護するために、ガラスキャップとエポキシ系の接着剤を用いて密閉封止し、有機ＥＬ素子１０を作製した。

上述した工程を経て製造した有機ＥＬ素子１０の表示部の周辺部には、各画素電極１２ａに接続されている画素電極１２ａ（アノード電極）側の取り出し電極と、対向電極１９（カソード電極）側の取り出し電極があり、これらの電極を電源に接続することにより、有機ＥＬディスプレイパネルを得た。

（比較例）
図１５は、比較例の有機ＥＬ素子１０の概略構成の一例を説明するための断面構造を示す模式図である。
図１５中に示すように、比較例の有機ＥＬ素子１０は、絶縁性基板１１上に、発光画素１２と、駆動トランジスタ１３と、信号線１５と、層間絶縁層１８が設けられている。
発光画素１２は、絶縁性基板１１上のゲート絶縁層１３ｅ上に形成され、画素電極１２ａと、有機発光層１２ｂを備えている。また、画素電極１２ａに対して、対向電極１９が形成されている。

駆動トランジスタ１３は、ソース電極１３ａと、ドレイン電極１３ｂと、オーミックコンタクト層１３ｃと、チャネル層１３ｄと、ゲート絶縁層１３ｅと、ゲート電極１３ｆと、チャネル保護層１３ｇを備えている。
なお、比較例の有機ＥＬ素子１０は、図１６から図２２中に示す工程により製造される。すなわち、まず、図１６中に示すように、絶縁性基板１１上にゲート電極１３ｆ及び信号線１５を形成し、次に、図１７中に示すように、チャネル層１３ｄ、ゲート絶縁層１３ｅ、チャネル保護層１３ｇを形成する。そして、図１８中に示すように、チャネル保護層１３ｇのうちゲート電極１３ｆを被覆する部分以外を除去し、さらに、図１９中に示すように、ソース電極１３ａ、ドレイン電極１３ｂ、オーミックコンタクト層１３ｃを形成する。

次に、図２０中に示すように、フォトレジスト２５を塗布して露光・現像し、ウェットエッチングまたはドライエッチングして、パターン状に加工することでソース電極１３ａ、ドレイン電極１３ｂおよび、信号線１５を形成する。そして、図２１中に示すように、アノード電極となる画素電極１２ａを形成した後、図２２中に示すように、隔壁２０形成し、さらに、画素電極１２ａに対して対向電極１９を形成して、図１５中に示す比較例の有機ＥＬ素子１０を製造する。

（比較結果）
比較例の構成を有する有機ＥＬ素子１０を製造した場合、図１５中に示すように、画素電極１２ａが形成された面から左右に配置した隔壁２０の最高点までの高さは、隔壁２０の膜厚に下部の駆動トランジスタ１３と信号線１５の形状高さが加わって、２．０ｎｍとなった。

印刷法で有機発光層１２ｂを形成する場合、有機発光層形成用インキの形成するメニスカスの程度が隔壁２０の形状や高さに左右されるため、比較例の構成を有する薄膜トランジスタ基板１に印刷法で有機発光層１２ｂを形成すると、この有機発光層１２ｂは、メニスカスの影響を受けて、画素中心部と画素周縁部において膜厚に偏りが生じ、画素内の発光輝度に偏りが生じる原因となった。

一方、実施例の構成を有する有機ＥＬ素子１０では、画素電極１２ａの左右に配置した隔壁２０は、後の工程で形成する有機発光層１２ｂの膜厚との膜厚差が数十ｎｍ程度になるように形成したため、メニスカスの影響が小さくなり、有機発光層形成用インキを印刷すると、図３中に示すように、有機発光層１２ｂは画素電極１２ａ上に均等に塗布された。

次に、図２３を用い、実施例及び比較例の結果について、インターレイヤ上の有機発光層１２ｂの平坦幅で比較した。なお、図２３中には、有機発光層１２ｂの平坦幅を、幅Ｗ１、幅Ｗ２で定義する。
図２３（ａ）中に示すように、画素電極１２ａと隔壁２０に囲まれた有機発光層１２ｂの膜形状が凹形状の場合、断面プロファイルを測定した時に、有機発光層１２ｂの最小膜厚Ｄ１から１０ｎｍの高さＤ２以下にある幅Ｗ１が平坦幅である。

一方、図２３（ｂ）中に示すように、画素電極１２ａと隔壁２０に囲まれた有機発光層１２ｂの膜形状が凸形状の場合は、有機発光層１２ｂの最大膜厚Ｄ３から１０ｎｍの高さＤ４以上にある幅Ｗ２が平坦幅である。
また、実施例の有機ＥＬ素子１０の平坦幅を測定すると、２０ｎｍとなった。一方、比較例の有機ＥＬ素子１０の平坦幅は１２ｎｍであり、実施例の構造を採用することで、従来よりも平坦な膜形状を有する有機発光層１２ｂを形成することが可能であることを確認した。

すなわち、絶縁性基板１１上に隔壁２０を形成し、その中に上述のようなウェットプロセスで有機発光層１２ｂを塗布すると、隔壁２０と画素電極１２ａ上の領域との間にメニスカス（湾曲面）が発生し、最終的には有機発光層１２ｂの形状は平坦とならずに、例えば、図２３（ａ）に示す様な凹形状になる。この凹形状によって、乾燥後の有機発光層１２ｂの膜厚は、画素中央部の膜厚と画素周縁部において差が生じる。そして、画素中心部と画素周縁部の膜厚差が大きい場合、その差に起因する問題、例えば、有機ＥＬ素子１０において、膜厚差による発光効率の低下といった問題が発生する。

また、絶縁性基板１１上の凸形状である隔壁２０は、ウェットプロセスで形成した有機発光層１２ｂの形状にメニスカスを発生させる。隔壁２０の高さを有機発光層１２ｂの目標厚さ近傍に設計することによってメニスカスを緩和することが出来るが、一般的な有機ＥＬディスプレイの基板においては、薄膜トランジスタや電気配線といった構造の高さが隔壁２０の高さの下限であり、それ以下に凸形状の高さを下げることはできない。よって、上述のメニスカスの原因となる凸形状を基材上から除く、または、凸形状の厚さをメニスカスの発生が十分に抑制される程度とするためには、薄膜トランジスタ及び電気配線を基材上から除くか、基材中に埋め込む必要があるといった問題が発生する。
しかしながら、これらの問題に対し、上述したように、実施例の有機ＥＬ素子１０が対応可能であることが確認された。

１ 薄膜トランジスタ基板
１０ 有機ＥＬ素子
１１ 絶縁性基板
１２ 発光画素
１２ａ 画素電極
１２ｂ 有機発光層
１３ 駆動トランジスタ
１３ａ ソース電極
１３ｂ ドレイン電極
１３ｃ オーミックコンタクト層
１３ｄ チャネル層
１３ｅ ゲート絶縁層
１３ｆ ゲート電極
１３ｇ チャネル保護層
１４ 選択トランジスタ
１５ 信号線
１６ 走査線
１７ 電力供給線
１８ 層間絶縁層
１９ 対向電極
２０ 隔壁
２１ 基材固定層
２２ 仮基材
２３ 仮基材固定層
２４ 電極層
２５ フォトレジスト
１００ 凸版印刷機
１０１ アニロックスロール
１０２ ドクターブレード
１０３ クッションテープ
１０４ 樹脂凸版
１０５ 版胴
１０６ 基板固定台
１０７ 被印刷基板
１０８ インキチャンバー

Claims (10)

1. 仮基材の一方の面上に、薄膜トランジスタ、電気配線及び画素電極を有する電気的素子と、当該電気的素子を被覆する層間絶縁層と、絶縁性基板が積層されることによって構成され、使用時に前記仮基材を除去することにより、前記電気的素子のうち少なくとも前記画素電極が露出することを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
2. 前記層間絶縁層の材料として、熱架橋性もしくは光架橋性に起因する硬化性材料を用いることを特徴とする請求項１に記載した薄膜トランジスタ基板。
3. 前記画素電極、前記薄膜トランジスタ及び前記電気配線が露出し、
   前記露出した薄膜トランジスタ及び前記電気配線を隔壁により被覆して使用することを特徴とする請求項１または請求項２に記載した薄膜トランジスタ基板。
4. 前記仮基材と前記電気的素子との間に仮基材固定層が介装され、
   使用時に前記仮基材及び前記仮基材固定層を除去することにより、前記電気的素子のうち少なくとも前記画素電極が露出することを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載した薄膜トランジスタ基板。
5. 請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載した薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、
   前記電気的素子を前記絶縁性基板上に配置した状態で、前記仮基材を前記層間絶縁層から剥離させて除去することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
6. 請求項３に記載した薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、
   前記露出した薄膜トランジスタ及び前記電気配線を隔壁により被覆することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
7. 請求項４に記載した薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、
   前記層間絶縁層の表面エネルギーを、前記仮基材固定層の表面エネルギーよりも少なくとも１０ｍＪ／ｍ^２以上高めて前記電気的素子を前記絶縁性基板上に配置した状態で、前記仮基材及び前記仮基材固定層を前記層間絶縁層から剥離させて除去することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
8. 請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載した薄膜トランジスタ基板を備える有機ＥＬ素子であって、
   前記画素電極上に、少なくとも有機発光層を形成したことを特徴とする有機ＥＬ素子。
9. 請求項３に記載した薄膜トランジスタ基板を備える有機ＥＬ素子であって、
   前記画素電極上に、少なくとも有機発光層を形成し、
   前記薄膜トランジスタ及び前記電気配線を被覆する隔壁の膜厚と、前記画素電極上に形成した前記有機発光層の膜厚と、の膜厚差が１００ｎｍ以内であることを特徴とする有機ＥＬ素子。
10. 請求項９に記載した有機ＥＬ素子の製造方法であって、
    前記薄膜トランジスタ及び前記電気配線を被覆する隔壁の膜厚と、前記画素電極上に形成した前記有機発光層の膜厚と、の膜厚差を１００ｎｍ以内とすることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。

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