[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2014519000A - タンタル製の複数レベル蒸留るつぼ及び蒸留方法 - Google Patents

タンタル製の複数レベル蒸留るつぼ及び蒸留方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014519000A
JP2014519000A JP2014504149A JP2014504149A JP2014519000A JP 2014519000 A JP2014519000 A JP 2014519000A JP 2014504149 A JP2014504149 A JP 2014504149A JP 2014504149 A JP2014504149 A JP 2014504149A JP 2014519000 A JP2014519000 A JP 2014519000A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
heat
tantalum
crucible body
insulating plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014504149A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6144253B2 (ja
Inventor
ヤン、ピング
タオ、リミン
クスウ、クイウフア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangxi Rare Earth and Rare Metals Tungsten Group Holding Co Ltd
Original Assignee
Jiangxi Rare Earth and Rare Metals Tungsten Group Holding Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangxi Rare Earth and Rare Metals Tungsten Group Holding Co Ltd filed Critical Jiangxi Rare Earth and Rare Metals Tungsten Group Holding Co Ltd
Publication of JP2014519000A publication Critical patent/JP2014519000A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6144253B2 publication Critical patent/JP6144253B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B9/00General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
    • C22B9/02Refining by liquating, filtering, centrifuging, distilling, or supersonic wave action including acoustic waves
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B59/00Obtaining rare earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B14/00Crucible or pot furnaces
    • F27B14/06Crucible or pot furnaces heated electrically, e.g. induction crucible furnaces with or without any other source of heat
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B14/00Crucible or pot furnaces
    • F27B14/08Details specially adapted for crucible or pot furnaces
    • F27B14/10Crucibles
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B14/00Crucible or pot furnaces
    • F27B14/08Details specially adapted for crucible or pot furnaces
    • F27B14/14Arrangements of heating devices
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B14/00Crucible or pot furnaces
    • F27B14/08Details specially adapted for crucible or pot furnaces
    • F27B2014/0825Crucible or pot support
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B14/00Crucible or pot furnaces
    • F27B14/08Details specially adapted for crucible or pot furnaces
    • F27B14/10Crucibles
    • F27B2014/102Form of the crucibles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00Technologies related to metal processing
    • Y02P10/20Recycling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)

Abstract


るつぼ本体1と、熱絶縁板2と、受容フード3とより成るタンタル製の複数レベル蒸留るつぼ。上記熱絶縁板2はるつぼ本体1の上部に嵌合し、上記受容フード3は熱絶縁板2の上方において上記るつぼ本体1の頂部に設ける。上記るつぼ本体1はタンタル製であり、頂部から底部に向って直径が増大するホーン状円錐形であり、上記熱絶縁板2は耐高温耐熱性、良絶縁性材料で作られている。上記熱絶縁板2は積重して使用できる複数の絶縁板を有する。上記るつぼ本体の底部には積重して使用できる複数のパッド(5)が熱源6に設けられている。熱源内に配置されたるつぼの高さは調節でき、るつぼは種々の複数のレアアースメタルの蒸留に使用される。

Description

本発明は、レアアースメタルの真空蒸留及び精錬のために用いられる、特別材料であるタンタルで作られた多段または複数レベル蒸留及び精錬るつぼ及びレアアースメタルの真空蒸留方法に関するものである。
本発明の明細書に示す“多段”または“複数レベル”とは、熱発生器/熱源内に設けられたるつぼの深さが異なり、るつぼの上部出口と底部の温度が互いに異なることを指す。複数レベルの蒸留は、複数の温度差を形成することによって成される。ここでいう異なる温度差とは異なる金属を作るために要求される温度差を示す。
本発明の明細書で示す“温度傾度”とは熱絶縁板の頂部とるつぼの底部間の温度差を示す。
真空蒸留は異なるレアアースメタルの異なる蒸気圧と、異なる蒸発率と、異なる温度における不純物エレメントをベースとして行ない、レアアースメタルを真空蒸留によって不純物エレメントから分離できる。
公知技術においては、所定の深さの熱発生機内にるつぼが置かれるが、るつぼの上方出口とるつぼの底部間の温度差を変えるのは容易ではない。従って、異なるるつぼを異なる金属を作るために用いる。従って、異なるサイズの一連のるつぼを用意しなければならない。然しながら、タンタルのるつぼは高価である。更に、るつぼの出口のサイズは比較的に小さく、大きなサイズの金属ブロックをるつぼに入れることはできず、蒸留の前に砕かなければならない。
本発明の目的は、熱発生区域内のるつぼの深さを調節でき、種々のレアアースを溶融し、蒸留するのに好適な異なる温度差をるつぼの上部出口と底部間に形成でき、従って種々のレアアースメタルを蒸留するのに使用できるタンタル製の多段蒸留るつぼを得るにある。
本発明の一実施例におけるタンタル製の多段蒸留るつぼは、るつぼ本体と、熱絶縁板と、受容フードとより成り、上記熱絶縁板はるつぼ本体の上部に嵌合され、受容フードは上記るつぼ本体の上記熱絶縁板の上部に取り付けられる。上記るつぼ本体はタンタル製であり、上部は小径で、底部は大径でトランペット形状をなし、上記熱絶縁板は耐高温性で熱絶縁性が良い耐熱材料製であり、上記熱絶縁板は使用のため積重できる複数の熱絶縁板を含み、るつぼ本体の底部に積重できる複数の間隔片が熱発生区域内に設けられている。
上記耐熱材料は高アルミナれんが、コランドム板、グラファイト板またはタンタル材料とするのが好ましい。
上記るつぼ本体の厚さは2〜3mmにするのが好ましい。
上記るつぼ本体の頂部開口の直径は100〜250mm、底部内径は300〜500mm、高さは250〜400mmとするのが好ましい。
本発明の他の実施例においては、タンタル製の多段蒸留るつぼの蒸留方法を得る。上記蒸留るつぼは、るつぼ本体と、熱絶縁板と、受容フードとより成り、上記熱絶縁板はるつぼ本体の上部に嵌合され、上記受容フードは上記るつぼ本体の上記熱絶縁板の上部に取り付けられ、上記るつぼ本体はタンタル製であり、上部は小径で、底部は大径でトランペット形状をなし、上記熱絶縁板は高耐熱性で熱絶縁性が良い耐熱材料製であり、上記熱絶縁板の頂部と底部間の温度差は複数の熱絶縁板の数を変えることによって調節できることを特徴とする。
上記熱発生区域内のるつぼ本体の高さは間隔片の数を増、減することによって調節し、熱絶縁板の頂部とるつぼ本体の底部間の温度差を調節できるようにするのが好ましい。
上記るつぼ本体の厚さは2〜3mmとし、上記るつぼ本体の頂部開口の直径は100〜250mm、底部直径は300〜500mm、高さは250〜400mmとするのが好ましい。
本発明の他の実施例においてはタンタル製の多段蒸留るつぼを用いた蒸留方法を得る。上記蒸留るつぼは、るつぼ本体と、熱絶縁板と、受容フードとより成り、上記熱絶縁板はるつぼ本体の上部に嵌合され、上記受容フードは上記るつぼ本体の上記熱絶縁板の上部に取り付けられ、上記るつぼ本体はタンタル製であり、上部は小径で、底部は大径でトランペット形の円錐形状をなし、上記熱発生区域内のるつぼ本体の高さは間隔片の数を増、減することによって調節でき、るつぼ本体の底部と熱絶縁板間の温度差を調節できるものである。
上記温度差は、更に上記熱絶縁板の数を増、減することによって調節される。
上記るつぼ本体の厚さは2〜3mm、頂部開口の内径は100〜250mm、底部の内径は300〜500mm、高さは250〜400mmとするのが好ましい。レアアースメタルは高温において高い化学活性を示し、他の物質と容易に反応するようになるため、本発明の多段蒸留るつぼをレアメタルであるタンタルによって作る。タンタルは高い化学安定性と耐腐食性能を有するため、本発明の蒸留及び精錬の間に生ずる不純物に基因する製品の再汚染の可能性を防ぐことができる。
本発明の多段蒸留るつぼは傾斜面と、小径の頂部と大径の底部とを有する円錐形状をなし、輻射熱を遮断でき、るつぼ本体の頂部における受容フードと熱絶縁板より下方のるつぼ本体間に温度差が形成される。異なる蒸留金属は融点が異なる。従って、受容フード内(凝縮区域)の温度は異なるようにすることが望まれる。本発明のタンタル製の多段蒸留るつぼのるつぼ本体は、熱発生器内に設けられ、るつぼ本体の上部は耐熱材料(熱絶縁板)によってるつぼ本体の下部から絶縁され、輻射熱と伝導熱は遮断され、この結果、頂部の受容フード内に凝縮区域が形成され、蒸留された金属は頂部凝縮区域の受容フード内に受容される。
本発明のタンタル製の多段蒸留るつぼにおいては、るつぼ本体の(熱発生器の内側)の深さ/高さは、間隔片またはパッドの数を増、減することによって調節でき、及び/または凝縮−受容区域の温度は熱絶縁板の数を変えることによって調節され、異なる融点及び蒸気圧の金属を蒸留し、精錬できるようになる。
本発明のタンタル製多段蒸留るつぼの使用に際しては、熱発生器内に置かれ、加熱されたるつぼの底部に、蒸留し精錬されるべきレアアースメタルを置く。低融点、高蒸気圧のレアアースメタルは凝縮区域内に置かれ、低融点、高蒸気圧のレアアースメタルは凝縮区域内に置き、高融点、低蒸気圧の金属不純物をるつぼから取り出す。
本発明のタンタル製の多段蒸留るつぼの説明図である。
図1に示すように、本発明のタンタル材料の多段または複数レベル蒸留るつぼは、るつぼ本体1と、複数の熱絶縁板2と、受容フード3とより成る。熱絶縁板2の中央孔はるつぼ本体1の上端に係合し、一方、受容フード3は熱絶縁板2の上方に設ける。
るつぼ本体1はパゴダまたはホーン形状とし、即ち、小径頂部と大径底部とを有するトランペット形状とし、その上部には1つまたはそれ以上の熱絶縁板2を設け、熱絶縁板2の頂部には受容フード3を取り付ける。るつぼ本体1は厚さ2〜3mmのタンタルにより作る。トランペット状のるつぼ本体1の頂部開口の(内側または外側)の直径は100〜250mmとし、底部の(内側または外側)の直径は300〜500mm、高さは250〜400mmとし、小径の頂部と大径底部間は傾斜面とし、輻射熱の差をブロックし、温度傾度が生ずるようにする。
熱発生区域または熱源6内の本発明の多段蒸留るつぼの使用においてはるつぼ本体の高さ位置を間隔片またはパッド5の数を増、減することによって調節し、異なる融点または異なる蒸気圧の金属を蒸留し、精錬できるようにする。凝縮―受容区域の温度は熱絶縁板2の数を変えることによって調節する。蒸留し、精錬すべきレアアースメタル4を、加熱すべき熱源6内に挿入したるつぼ本体の内底上に置く。融点が低く、蒸気圧の高いレアアースメタルは受容フード3内の温度傾度の異なる凝縮区域に置くことができる。一方、融点が高く、蒸気圧の低いレアアースメタルはるつぼ本体内に置く。
本発明においては、るつぼ本体1と凝縮区域(受容フード3)間に温度差を形成せしめ、るつぼ本体の頂部と底部間にトランペット形状の傾斜面を形成せしめ、高温に耐える熱絶縁板を用いてるつぼ本体からの輻射熱をブロックする3つの手段を用いてるつぼ本体内の温度を受容フード内の温度と異ならしめる。
るつぼ本体は通常厚さ2〜3mmのタンタルシートによって作る。るつぼ本体は熱源6内に配置する。るつぼ本体の頂部は耐熱材で塞ぎ熱の輻射と伝達を防ぎ、凝縮区域を上部に形成し、蒸留金属を凝縮区域上部内の受容フードで受け取るようにする。
融点及び蒸気圧の異なる金属をるつぼによって蒸留するときは、
A)加熱区域内のるつぼ本体の厚さを間隔片の数を増、減することによって調節する、及びまたは、B)凝縮物受容フード内の温度熱絶縁板の数を増、減することによって規制する方法によって複数の温度差を規制する。

Claims (10)

  1. るつぼ本体と、熱絶縁板と、受容フードとより成り、上記熱絶縁板が上記るつぼ本体の上部に嵌合し、上記受容フードは上記るつぼ本体の頂部において上記熱絶縁板より上方に設け、上記るつぼ本体が、タンタル製の小径の頂部と大径の底部とを有するトランペット様の円錐形状であり、上記熱絶縁板が高耐熱性で良熱絶縁性の耐熱材料製であり、
    上記熱絶縁板が積重可能な複数の熱絶縁板を有し、
    上記るつぼが熱発生区域内に設けられ、上記るつぼ本体の底部に積重できる複数の間隔片またはパッドを有することを特徴とするタンタル製の複数レベル蒸留るつぼ。
  2. 上記耐熱材料が高アルミナれんが、コランダム板、グラファイト板、またはタンタルであることを特徴とする請求項1記載のタンタル製の複数レベル蒸留るつぼ。
  3. 上記るつぼ本体の厚さが2〜3mmであることを特徴とする請求項1記載のタンタル製の複数レベル蒸留るつぼ。
  4. 上記るつぼ本体の頂部内径または外径が100〜250mm、底部内径または外形が300〜500mm、高さが250〜400mmであることを特徴とする請求項1記載のタンタル製の複数レベル蒸留るつぼ。
  5. るつぼ本体と、熱絶縁板と、受容フードとより成り、上記熱絶縁板が上記るつぼ本体の上部に嵌合し、上記受容フードが上記るつぼ本体の頂部において上記熱絶縁板より上方に設けられ、上記るつぼ本体が、タンタル製の、小径の頂部と大径の底部とを有するトランペット様の円錐形状であり、上記熱絶縁板が高耐熱性で良熱絶縁性の耐熱材料製であり、上記熱絶縁板の頂部と上記るつぼ本体の底部間の温度差が上記熱絶縁板の数を変えることによって調節されることを特徴とするタンタル製の複数レベル蒸留るつぼを用いた蒸留方法。
  6. 熱発生区域内に挿入されたるつぼ本体の高さが間隔片の数を増、減することによって調節され、その結果、熱絶縁板の頂部とるつぼ本体の底部間の温度差が調節されることを特徴とする請求項5記載のタンタル製の複数レベル蒸留るつぼを用いた蒸留方法。
  7. 上記るつぼ本体の厚さが2〜3mmであり、上記るつぼ本体の頂部内径または外径が100〜250mm、底部内径または外径が300〜500mm、高さが250〜400mmであることを特徴とする請求項5記載のタンタル製の複数レベル蒸留るつぼを用いた蒸留方法。
  8. るつぼ本体と、熱絶縁板と、受容フードとより成り、上記熱絶縁板が上記るつぼ本体の上部に嵌合し、上記受容フードが上記るつぼ本体の頂部において上記熱絶縁板より上方に設けられ、上記るつぼ本体が、タンタル製の、小径の頂部と大径の底部とを有するトランペット様の円錐形状であり、上記熱絶縁板が高耐熱性で良熱絶縁性の耐熱材料製であり、熱発生区域内に装入された上記るつぼ本体の深さが間隔片またはパッドの数を増、減することによって調節され、その結果熱絶縁板の頂部とるつぼ本体の底部間の温度差が調節されることを特徴とするタンタル製の複数レベル蒸留るつぼを用いた蒸留方法。
  9. 上記熱絶縁板の頂部と上記るつぼ本体の底部間の温度差が上記熱絶縁板の数を変えることによって調節されることを特徴とする請求項8記載のタンタル製の複数レベル蒸留るつぼを用いた蒸留方法。
  10. 上記るつぼ本体の厚さが2〜3mmであり、上記るつぼの頂部内径または外径が100〜250mm、底部内径それは外径が300〜500mm、高さが250〜400mmであることを特徴とする請求項8記載のタンタル製の複数レベル蒸留るつぼを用いた蒸留方法。
JP2014504149A 2011-04-11 2012-04-10 タンタル製の複数レベル蒸留るつぼ Expired - Fee Related JP6144253B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011100893436A CN102181655B (zh) 2011-04-11 2011-04-11 一种钽材质多级蒸馏坩埚和蒸馏工艺
CN201110089343.6 2011-04-11
PCT/CN2012/073688 WO2012139484A1 (zh) 2011-04-11 2012-04-10 一种钽材质多级蒸馏坩埚和蒸馏工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014519000A true JP2014519000A (ja) 2014-08-07
JP6144253B2 JP6144253B2 (ja) 2017-06-07

Family

ID=44567941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014504149A Expired - Fee Related JP6144253B2 (ja) 2011-04-11 2012-04-10 タンタル製の複数レベル蒸留るつぼ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9255307B2 (ja)
EP (1) EP2698438B1 (ja)
JP (1) JP6144253B2 (ja)
KR (1) KR20130135388A (ja)
CN (1) CN102181655B (ja)
AU (1) AU2012242431B2 (ja)
WO (1) WO2012139484A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102181655B (zh) * 2011-04-11 2012-11-07 江西稀有金属钨业控股集团有限公司 一种钽材质多级蒸馏坩埚和蒸馏工艺
CN107916336A (zh) * 2017-12-14 2018-04-17 宁夏太阳镁业有限公司 一种镁合金精炼坩埚
CN110538478B (zh) * 2018-10-29 2024-07-26 天津包钢稀土研究院有限责任公司 一种高品质无水稀土卤化物提纯装置
CN112176206B (zh) * 2020-09-21 2022-08-09 广东先导稀材股份有限公司 精馏提纯装置及利用其通过氟化铍制备铍的方法
CN114318012A (zh) * 2022-01-17 2022-04-12 遵义钛业股份有限公司 一种用于生产海绵钛的蒸馏加热炉的炉底

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60255102A (ja) * 1984-06-01 1985-12-16 Toyota Motor Corp 重合性有機物を含む有機溶剤の回収方法
JPH0436427A (ja) * 1990-06-01 1992-02-06 Nikko Kyodo Co Ltd 希土類金属の製造装置
JPH0885833A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 希土類金属の精製方法
JP2001303149A (ja) * 2000-04-24 2001-10-31 Tetsuya Uda 希土類元素の分離方法及び希土類元素分離用組成物
JP2003073754A (ja) * 2001-08-30 2003-03-12 Tetsuya Uda 希土類元素の回収方法
JP2003147447A (ja) * 2001-08-03 2003-05-21 Ald Vacuum Technol Ag 金属溶融物を蒸留するための装置
US20060032434A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Stephan Mueller Seed and seedholder combinations for high quality growth of large silicon carbide single crystals
WO2009119720A1 (ja) * 2008-03-26 2009-10-01 財団法人生産技術研究奨励会 希土類元素の回収方法および回収装置
JP2012512797A (ja) * 2008-12-19 2012-06-07 コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ 側壁を介した可変熱交換を備える溶融凝固炉

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB466763A (en) * 1935-09-04 1937-06-04 Harold Alexandre Blackwell An improved process and apparatus for separating magnesium, beryllium, and like metals which sublime from their ores and compounds
CN2310302Y (zh) * 1997-07-11 1999-03-10 苏君道 一种陶瓷坩埚
CN2627439Y (zh) * 2003-05-28 2004-07-21 江西南方稀土高技术股份有限公司 高纯金属蒸馏及收集装置
CN1282770C (zh) * 2003-12-24 2006-11-01 山东大学 一种生长具有半导体特性的大直径6H-SiC单晶的装置和方法
US7056383B2 (en) * 2004-02-13 2006-06-06 The Fox Group, Inc. Tantalum based crucible
CN100523315C (zh) * 2007-09-28 2009-08-05 中国科学院物理研究所 分体式钽坩埚及其制造方法
CN201538827U (zh) * 2009-09-27 2010-08-04 上海元亮光电科技有限公司 可以调节固液界面温度梯度的坩埚盖板
CN102181655B (zh) * 2011-04-11 2012-11-07 江西稀有金属钨业控股集团有限公司 一种钽材质多级蒸馏坩埚和蒸馏工艺
CN201992981U (zh) * 2011-04-11 2011-09-28 江西稀有金属钨业控股集团有限公司 一种钽材质多级蒸馏坩埚

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60255102A (ja) * 1984-06-01 1985-12-16 Toyota Motor Corp 重合性有機物を含む有機溶剤の回収方法
JPH0436427A (ja) * 1990-06-01 1992-02-06 Nikko Kyodo Co Ltd 希土類金属の製造装置
JPH0885833A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 希土類金属の精製方法
JP2001303149A (ja) * 2000-04-24 2001-10-31 Tetsuya Uda 希土類元素の分離方法及び希土類元素分離用組成物
JP2003147447A (ja) * 2001-08-03 2003-05-21 Ald Vacuum Technol Ag 金属溶融物を蒸留するための装置
JP2003073754A (ja) * 2001-08-30 2003-03-12 Tetsuya Uda 希土類元素の回収方法
US20060032434A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Stephan Mueller Seed and seedholder combinations for high quality growth of large silicon carbide single crystals
JP2008509872A (ja) * 2004-08-10 2008-04-03 クリー インコーポレイテッド 大型炭化珪素単結晶の高品質成長のための種結晶および種結晶ホルダー
WO2009119720A1 (ja) * 2008-03-26 2009-10-01 財団法人生産技術研究奨励会 希土類元素の回収方法および回収装置
US20110023660A1 (en) * 2008-03-26 2011-02-03 The Foundation for the Promotion of Industrial Sci ence Method and apparatus for recovery of rare earth element
JP2012512797A (ja) * 2008-12-19 2012-06-07 コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ 側壁を介した可変熱交換を備える溶融凝固炉

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130135388A (ko) 2013-12-10
JP6144253B2 (ja) 2017-06-07
EP2698438A1 (en) 2014-02-19
CN102181655A (zh) 2011-09-14
US20140034480A1 (en) 2014-02-06
EP2698438A4 (en) 2014-12-03
WO2012139484A1 (zh) 2012-10-18
EP2698438B1 (en) 2016-04-06
AU2012242431B2 (en) 2016-05-05
CN102181655B (zh) 2012-11-07
US9255307B2 (en) 2016-02-09
AU2012242431A1 (en) 2013-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014519000A (ja) タンタル製の複数レベル蒸留るつぼ及び蒸留方法
JP2016534973A5 (ja)
JP5049398B2 (ja) 黒鉛電極
CN104404450B (zh) 用于升华型oled材料蒸镀的坩埚
US20100095883A1 (en) Graphite crucible for silicon electromagnetic induction heating and apparatus for silicon melting and refining using the graphite crucible
JP2016531836A5 (ja)
JP2013212952A (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法
RU2014135584A (ru) Способ разделения золотосеребряных сплавов путем вакуумной дистилляции и устройство для его реализации
TW201447056A (zh) 定向凝固系統及方法
CN201670873U (zh) 一种用于mocvd的基片加热炉
CN102485978A (zh) 一种可以调节炉膛温度梯度的保温桶
JP2016037441A (ja) 単結晶の製造方法
US6375893B1 (en) Method and apparatus for evaporating components of multiple substance mixtures and multiple substance systems
CN201992981U (zh) 一种钽材质多级蒸馏坩埚
KR101499056B1 (ko) 내부 오염 방지형 진공 증발원
CN2880850Y (zh) 一种直接从铝矿中提炼铝的真空炉
CN207331017U (zh) 一种内热式连续真空精馏炉
KR101364482B1 (ko) 온도조절 응축기를 구비한 마그네슘 제조용 열환원장치
CN207395913U (zh) 一种配有柔性热电偶的高温烧结炉系统
CN204874821U (zh) 多晶硅铸锭炉高效能型石墨坩埚
CN107523696A (zh) 一种内热式连续真空精馏炉
WO2014168116A1 (ja) シリコン製造用芯線ホルダ
JP6925208B2 (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法
JP2007331995A (ja) 窒化アルミニウム含有物の製造方法、窒化アルミニウム含有物、及び半導体デバイスの放熱体
CN209555329U (zh) 电极加热真空蒸馏炉

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150401

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160126

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160302

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160602

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161102

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170125

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170412

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170510

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6144253

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees