CN201670873U - 一种用于mocvd的基片加热炉 - Google Patents
一种用于mocvd的基片加热炉 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201670873U CN201670873U CN2010201753157U CN201020175315U CN201670873U CN 201670873 U CN201670873 U CN 201670873U CN 2010201753157 U CN2010201753157 U CN 2010201753157U CN 201020175315 U CN201020175315 U CN 201020175315U CN 201670873 U CN201670873 U CN 201670873U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heater
- heating furnace
- mocvd
- substrate heating
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Abstract
本实用新型揭示了一种用于MOCVD的基片加热炉,包括炉体、加热电阻丝和电极,其特征在于:所述炉体为圆柱状结构,架设于耐高温的绝缘隔板之上,炉体内穿设有多组平面内均匀分布或多平面立体分布的加热电阻丝,且所述炉体的环状外壁设有热屏蔽层,并在绝缘隔板下侧设有用于外接电源的电极。应用本实用新型的加热炉,一方面提高了电热炉的功率密度和真空常压下的最大加热温度;可以更细致地调节温度分布,达到加热均匀的目的;并且采用金属薄板和绝缘材料间隔形成热屏蔽层,降低了炉体圆面边缘的温度梯度,使加热炉形成恒温区,并在断电后迅速降温。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种工业加工用电热炉,尤其涉及一种用于金属有机物化学气相沉积制备半导体芯片或其它集成电路的基片加热炉。
背景技术
MOCVD是金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organic Chemieal VaporDePosition)的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行,衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。
该MOCVD系统必不可少的组成部分包括源供给系统、气体运输系统、反应室和加热系统、尾气处理系统和安全保护及报警系统。其中加热系统部分,传统加热炉加热升温较慢、加热温度的均匀性较难保证,在高温条件下运行往往有问题而不易长时间运行。这主要是由于加热炉的电阻加热材料选择及布局不合理、炉子的整体设计结构及分区控制等多方面存在问题造成的。因此,为适应MOCVD外延生长单晶薄膜的要求,改进加热系统势在必行。
发明内容
鉴于上述现有技术存在的缺陷,本实用新型的目的是提出一种用于MOCVD的基片加热炉,为MOCVD工艺提供一种加热均匀、升温速度快、热容量小、降温快的加热系统理想环境。
本实用新型的目的,将通过以下技术方案得以实现:
一种用于MOCVD的基片加热炉,包括炉体、加热电阻丝和电极,其特征在于:所述炉体为圆柱状结构,架设于耐高温的绝缘隔板之上,炉体内穿设有一组以上加热电阻丝,且所述炉体的环状外壁设有热屏蔽层,绝缘隔板下侧设有用于外接电源的电极。
进一步地,上述一种用于MOCVD的基片加热炉,其中该多组加热电阻丝沿炉体圆面呈环形均匀分布。
更进一步地,上述同一炉体圆面上穿设有四组加热电阻丝,其中一组加热电阻丝间隔穿设围绕在炉体圆面最外圈,另三组加热电阻丝呈直径递减状环环相套于炉体圆面中心;或其中三组加热电热丝分别呈120°角度分布排列,中间为另一组电热丝反复弯绕形成的复数个“C”形套圈。
进一步地,上述一种用于MOCVD的基片加热炉,其中该多组加热电阻丝沿炉体圆面呈环形均匀分布的同时,沿炉体轴向立体分布,并且该立体分布还可以是立体错位分布。
进一步地,上述一种用于MOCVD的基片加热炉,其中该热屏蔽层为由耐高温金属板及耐高温绝缘材料相叠构成的多层结构。
本实用新型加热炉得以应用实施后,其突出效果为:
本实用新型的电热炉结构,一方面提高了电热炉的功率密度和真空常压下的最大加热温度;采用多组加热电阻丝的布局,可以更细致地调节温度分布,达到加热均匀的目的;并且采用金属薄板和绝缘材料间隔形成热屏蔽层,降低了炉体圆面边缘的温度梯度,使加热炉形成恒温区,并在断电后迅速降温。
附图说明
图1是本实用新型加热炉的轴剖结构示意图;
图2是本实用新型加热炉电阻丝安装的一个较佳实施例的结构示意图。
具体实施方式
以下便结合实施例附图,对本实用新型的具体实施方式作进一步的详述,以使本实用新型技术方案更易于理解、掌握。
如图1所示,是本实用新型加热炉的轴剖结构示意图。从图中所示可以清楚地看出:该用于MOCVD的基片加热炉,电阻加热材料、炉体2、热屏蔽层3、绝缘隔板4、电极5等部件构成,其中该电阻加热材料主要为加热电阻丝1,该炉体2呈圆柱状,架设于耐高温的绝缘隔板4之上,炉体2的每个圆面内穿设有一组以上加热电阻丝1,该设有加热电阻丝1的炉体圆面可以为单层分布结构,也可以是沿炉体轴向多层分布的立体结构,而且更可以是多层错位分布的立体结构。
此外,该炉体2的环状外壁设有热屏蔽层3,该热屏蔽层3为由耐高温金属板及耐高温绝缘材料相叠构成的多层结构,且上下无盖,有利于快速升降温。且该绝缘隔板4下侧设有用于外接电源的电极5或其引出电极6,电极固定在绝缘材料上,固定方式是通过绝缘固定套连接。
以上只是本实用新型用于MOCVD的基片加热炉的基本结构,其还可具有进一步的优化方案:
如图2和图3所示,是本实用新型加热炉在任一炉体圆面上加热电阻丝的分布结构示意图。虽然两种实施方式均为在同一炉体圆面上穿设四组加热电阻丝。但是分布方式的差异具体来看:前者是其中一组加热电阻丝间隔穿设围绕在炉体圆面最外圈,另三组加热电阻丝呈直径递减状环环相套于炉体圆面中心;而后者是其中三组加热电热丝分别呈120°角度分布排列,中间为另一组电热丝反复弯绕形成的复数个“C”形套圈。无论采用哪一种分布结构,均等同得到使得炉体圆面上呈环形均匀分布电阻加热丝的效果。
Claims (7)
1.一种用于MOCVD的基片加热炉,包括炉体、加热电阻丝和电极,其特征在于:所述炉体为圆柱状结构,架设于耐高温的绝缘隔板之上,炉体内穿设有一组以上加热电阻丝,且所述炉体的环状外壁设有热屏蔽层,并在绝缘隔板下侧设有用于外接电源的电极。
2.根据权利要求1所述的一种用于MOCVD的基片加热炉,其特征在于:所述一组以上的加热电阻丝沿炉体圆面呈环形均匀分布。
3.根据权利要求2所述的一种用于MOCVD的基片加热炉,其特征在于:所述同一炉体圆面上穿设有四组加热电阻丝,其中一组加热电阻丝间隔穿设围绕在炉体圆面最外圈,另三组加热电阻丝呈直径递减状环环相套于炉体圆面中心。
4.根据权利要求2所述的一种用于MOCVD的基片加热炉,其特征在于:所述同一炉体原面上穿设有四组加热电阻丝,其中三组加热电热丝分别呈120°角度分布排列,中间为另一组电热丝反复弯绕形成的复数个“C”形套圈。
5.根据权利要求1所述的一种用于MOCVD的基片加热炉,其特征在于:所述一组以上的加热电阻丝沿炉体圆面呈环形均匀分布的同时,沿炉体轴向立体分布。
6.根据权利要去5所述的一种用于MOCVD的基片加热炉,其特征在于:所述一组以上的加热电阻丝沿炉体轴向呈立体错位分布。
7.根据权利要求1所述的一种用于MOCVD的基片加热炉,其特征在于:所述热屏蔽层为由耐高温金属板及耐高温绝缘材料相叠构成的多层结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010201753157U CN201670873U (zh) | 2010-04-30 | 2010-04-30 | 一种用于mocvd的基片加热炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010201753157U CN201670873U (zh) | 2010-04-30 | 2010-04-30 | 一种用于mocvd的基片加热炉 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN201670873U true CN201670873U (zh) | 2010-12-15 |
Family
ID=43328285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010201753157U Expired - Fee Related CN201670873U (zh) | 2010-04-30 | 2010-04-30 | 一种用于mocvd的基片加热炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN201670873U (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101899650A (zh) * | 2010-04-30 | 2010-12-01 | 苏州索乐机电设备有限公司 | 一种用于mocvd的基片加热炉 |
CN102517562A (zh) * | 2011-12-15 | 2012-06-27 | 常州星海电子有限公司 | 一种垂直梯度冷凝制造薄膜电池的装置 |
CN103305815A (zh) * | 2013-06-06 | 2013-09-18 | 光垒光电科技(上海)有限公司 | 一种mocvd设备及其加热装置 |
CN103924221A (zh) * | 2014-05-10 | 2014-07-16 | 长沙市博垒德电子科技有限公司 | 一种可用于金属有机化学气相沉积设备的高功率加热器 |
CN104498906A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-04-08 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种mocvd反应器 |
CN105862013A (zh) * | 2016-06-17 | 2016-08-17 | 南京大学 | 一种应用于小型mocvd系统的高温加热装置 |
-
2010
- 2010-04-30 CN CN2010201753157U patent/CN201670873U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101899650A (zh) * | 2010-04-30 | 2010-12-01 | 苏州索乐机电设备有限公司 | 一种用于mocvd的基片加热炉 |
CN102517562A (zh) * | 2011-12-15 | 2012-06-27 | 常州星海电子有限公司 | 一种垂直梯度冷凝制造薄膜电池的装置 |
CN102517562B (zh) * | 2011-12-15 | 2014-01-01 | 常州星海电子有限公司 | 一种垂直梯度冷凝制造薄膜电池的装置 |
CN103305815A (zh) * | 2013-06-06 | 2013-09-18 | 光垒光电科技(上海)有限公司 | 一种mocvd设备及其加热装置 |
CN103924221A (zh) * | 2014-05-10 | 2014-07-16 | 长沙市博垒德电子科技有限公司 | 一种可用于金属有机化学气相沉积设备的高功率加热器 |
CN104498906A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-04-08 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种mocvd反应器 |
CN105862013A (zh) * | 2016-06-17 | 2016-08-17 | 南京大学 | 一种应用于小型mocvd系统的高温加热装置 |
CN105862013B (zh) * | 2016-06-17 | 2018-07-06 | 南京大学 | 一种应用于小型mocvd系统的高温加热装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN201670873U (zh) | 一种用于mocvd的基片加热炉 | |
US11848226B2 (en) | Thermal processing susceptor | |
CN201411509Y (zh) | 一种用于生长300mm以上大尺寸蓝宝石的单晶炉炉体 | |
CN104911565B (zh) | 一种化学气相沉积装置 | |
CN108475635B (zh) | 晶片支承机构、化学气相沉积装置和外延晶片的制造方法 | |
CN110408996A (zh) | 坩埚和SiC单晶生长装置 | |
CN104561927A (zh) | 一种热壁金属有机物化学气相沉积设备 | |
CN107845589A (zh) | 加热基座以及半导体加工设备 | |
CN105556655A (zh) | 碳纤维环形基座 | |
KR101806423B1 (ko) | 탄화규소 단결정 잉곳의 멀티 성장장치 | |
CN102796995B (zh) | 制备热解氮化硼制品的气相沉积炉及方法 | |
CN101899650A (zh) | 一种用于mocvd的基片加热炉 | |
US9255307B2 (en) | Tantalum-material multilevel distillation crucible and distillation process | |
CN102517562A (zh) | 一种垂直梯度冷凝制造薄膜电池的装置 | |
CN104514034B (zh) | 用于碳化硅生长的高温装置及方法 | |
CN103305815A (zh) | 一种mocvd设备及其加热装置 | |
CN101736311A (zh) | 用于金属有机物化学沉积设备的加热装置 | |
CN103014867B (zh) | 一种氮化铝晶体生长制备炉 | |
CN206244914U (zh) | 一种制备低硼杂质浓度SiC单晶的生产装置 | |
CN102485978A (zh) | 一种可以调节炉膛温度梯度的保温桶 | |
CN207596940U (zh) | 一种氧化扩散合金退火炉上的螺旋型二硅化钼加热装置 | |
KR101758646B1 (ko) | 탄화규소 단결정 잉곳의 멀티 성장 장치 | |
CN208104601U (zh) | 一种高性能裸露式电加热器 | |
JP7537079B2 (ja) | 結晶成長装置及び坩堝 | |
CN209974307U (zh) | 一种用于石墨烯微波还原膨化的多管炉设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20101215 Termination date: 20110430 |