JP2014508710A - 結晶成長装置のための自動化視覚システム - Google Patents
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- 230000012010 growth Effects 0.000 title claims abstract description 61
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 85
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 54
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 44
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 19
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 13
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 17
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 17
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 16
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003698 anagen phase Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/006—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
Description
関連出願
この出願は、2011年3月15日に出願された米国仮出願連続番号第61/452,919号の利益を主張し、その全内容がここに引用により援用される。
本発明は、結晶成長装置の一部として自動化視覚システムを用いる、結晶性材料を作製する方法に関する。
方向性固化システム(DSS)および熱交換器法(HEM)炉などの結晶成長装置または炉は、インゴットを作製するための、坩堝中のシリコンなどの供給材料の溶融および制御された再固化に係る。溶融した供給材料からの固化したインゴットの作製は、何時間にもわたるいくつかの識別可能な工程で行なわれる。たとえば、DSS法でシリコンインゴットを作製するには、黒鉛の坩堝箱の中に収容されることが多い坩堝の中に固体のシリコン供給材料を入れて、DSS炉の高温区域の中に置く。次に供給材料を加熱して液体供給材料融液を形成し、シリコンの融点である1412℃よりも十分に高い炉温度を数時間維持して完全な溶融を確実にする。一旦完全に溶融すると、一方向に融液を固化してシリコンインゴットを形成するために、しばしば高温区域の中で温度勾配を適用することによって、溶融した供給材料から熱を除去する。融液がどのように固化するかを制御することにより、出発供給材料よりも高純度のインゴットを達成することができ、次にこれを半導体業界および光起電業界などのさまざまな上位用途で用いることができる。
本発明は、結晶性材料を作製する方法であって、1つの実施形態では、結晶成長装置の高温区域の中に、固体供給材料を入れた坩堝を設ける工程と、坩堝の中の固体供給材料を加熱して液体供給材料融液を形成する工程と、坩堝の上方に位置決めされる自動化視覚システムを用いて液体供給材料融液中の残留固体供給材料についてモニタする工程と、自動化視覚システムによって残留固体供給材料が検出されなくなると固体供給材料の加熱を終了する工程とを備える方法に関する。この実施形態について、方法はさらに、液体供給材料融液から熱を除去して結晶性材料を形成する工程と、その後結晶性材料をアニールする工程とを備えてもよい。
本発明は、自動化視覚システムを有する結晶成長装置と、自動化視覚システムを用いて結晶性材料を成長させる方法とに関する。
Claims (33)
- 結晶性材料を作製する方法であって、
i) 結晶成長装置の高温区域の中に、固体供給材料を入れた坩堝を設ける工程と、
ii) 前記坩堝の中の前記固体供給材料を加熱して液体供給材料融液を形成する工程と、
iii) 前記坩堝上方に位置決めされる自動化視覚システムを用いて前記液体供給材料融液中の残留固体供給材料についてモニタする工程と、
iv) 自動化視覚システムによって残留固体供給材料が検出されなくなると前記固体供給材料の加熱を終了する工程とを備える、方法。 - 前記結晶成長装置は方向性固化炉である、請求項1に記載の方法。
- 前記液体供給材料融液は少なくとも1つの不純物相をさらに備え、前記自動化視覚システムは、前記少なくとも1つの不純物相から干渉されずに、前記液体供給材料融液中の残留固体供給材料についてモニタする、請求項1に記載の方法。
- 残留固体供給材料は、前記自動化視覚システムによって前記液体供給材料融液中に検出され、前記自動化視覚システムによって残留固体供給材料が検出されなくなるまで加熱が継続される、請求項1に記載の方法。
- 前記自動化視覚システムは、前記液体供給材料融液中の残留固体供給材料について連続的にモニタする、請求項1に記載の方法。
- 前記固体供給材料の前記加熱は前記自動化視覚システムによって終了される、請求項1に記載の方法。
- 前記自動化視覚システムはプログラム可能カメラである、請求項1に記載の方法。
- 前記自動化視覚システムは、前記液体供給材料融液の表面中央部分の残留固体供給材料についてモニタする、請求項1に記載の方法。
- 前記自動化視覚システムは前記結晶成長装置の外側に取付けられる、請求項1に記載の方法。
- 前記液体供給材料融液から熱を除去して前記結晶性材料を形成する工程をさらに備える、請求項1に記載の方法。
- 前記結晶性材料をアニールする工程をさらに備える、請求項10に記載の方法。
- 前記固体供給材料はシリコンを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記結晶性材料はシリコンインゴットである、請求項12に記載の方法。
- 前記固体供給材料はアルミナを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記結晶性材料はサファイアである、請求項14に記載の方法。
- 結晶性材料を作製する方法であって、
i) 結晶成長装置の高温区域の中に、固体供給材料を入れた坩堝を設ける工程と、
ii) 前記坩堝の中の前記固体供給材料を加熱して液体供給材料融液を形成する工程と、
iii) 前記液体供給材料融液から熱を除去して、部分的に固化した融液を形成する工程と、
iv) 前記坩堝上方に位置決めされる自動化視覚システムを用いて、前記部分的に固化した融液中の固化した結晶性材料についてモニタする工程と、
v) 前記部分的に固化した融液を完全に固化して前記結晶性材料を形成する工程と、
vi) 完全に固化すると熱除去を終了する工程とを備える、方法。 - 前記結晶成長装置は方向性固化炉である、請求項16に記載の方法。
- 前記部分的に固化した融液は少なくとも1つの不純物相をさらに備え、前記自動化視覚システムは、前記少なくとも1つの不純物相から干渉されずに、前記部分的に固化した融液中の固化した結晶性材料についてモニタする、請求項16に記載の方法。
- 前記自動化視覚システムによって、前記部分的に固化した融液中に固化した結晶性材料が検出されず、熱除去は、固化した結晶性材料が前記自動化視覚システムによって検出されるまで継続される、請求項16に記載の方法。
- 前記自動化視覚システムは、前記部分的に固化した融液中の固化した結晶性材料について連続的にモニタする、請求項16に記載の方法。
- 熱除去は前記自動化視覚システムによって終了される、請求項16に記載の方法。
- 前記自動化視覚システムはプログラム可能カメラである、請求項16に記載の方法。
- 前記自動化視覚システムは、前記部分的に固化した融液の表面中央部分の固化した結晶性材料についてモニタする、請求項16に記載の方法。
- 前記自動化視覚システムは前記結晶成長装置の外側に取付けられる、請求項16に記載の方法。
- 前記結晶性材料をアニールする工程をさらに備える、請求項16に記載の方法。
- 前記固体供給材料はシリコンを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記結晶性材料はシリコンインゴットである、請求項26に記載の方法。
- 前記固体供給材料はアルミナを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記結晶性材料はサファイアである、請求項28に記載の方法。
- 結晶性材料を作製する方法であって、
i) 結晶成長装置の高温区域の中に、固体供給材料を入れた坩堝を設ける工程と、
ii) 前記坩堝の中の前記固体供給材料を加熱して液体供給材料融液を形成する工程と、
iii) 前記坩堝上方に位置決めされる自動化視覚システムを用いて前記液体供給材料融液中の残留固体供給材料についてモニタする工程と、
iv) 前記自動化視覚システムによって残留固体供給材料が検出されなくなると前記固体供給材料の加熱を終了する工程と、
v) 前記液体供給材料融液から熱を除去して、部分的に固化した融液を形成する工程と、
vi) 前記自動化視覚システムを用いて、前記部分的に固化した融液中の固化した結晶性材料についてモニタする工程と、
vii) 前記部分的に固化した融液を完全に固化して前記結晶性材料を形成する工程と、
viii) 完全に固化すると熱除去を終了する工程とを備える、方法。 - 結晶成長装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内部に少なくとも1つの加熱システムを備える高温区域と、
前記高温区域内の、固体供給材料を入れた坩堝と、
前記高温区域から熱を除去するための少なくとも1つの手段と、
前記固体供給材料を観察する、前記坩堝上方に位置決めされる自動化視覚システムとを備える、装置。 - 前記自動化視覚システムは、前記少なくとも1つの加熱システム、熱を除去する前記少なくとも1つの手段、またはその両方に電気的に接続される、請求項31に記載の装置。
- 前記自動化視覚システムは、前記坩堝上方に位置決めされ、前記固体供給材料の表面中央部分を観察する、請求項31に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161452919P | 2011-03-15 | 2011-03-15 | |
US61/452,919 | 2011-03-15 | ||
PCT/US2012/028056 WO2012125365A2 (en) | 2011-03-15 | 2012-03-07 | Automated vision system for a crystal growth apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014508710A true JP2014508710A (ja) | 2014-04-10 |
Family
ID=46831254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013558052A Pending JP2014508710A (ja) | 2011-03-15 | 2012-03-07 | 結晶成長装置のための自動化視覚システム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9493888B2 (ja) |
EP (1) | EP2686465A4 (ja) |
JP (1) | JP2014508710A (ja) |
KR (1) | KR20140017604A (ja) |
CN (1) | CN103649380A (ja) |
TW (1) | TW201300590A (ja) |
WO (1) | WO2012125365A2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9273411B2 (en) * | 2012-11-02 | 2016-03-01 | Gtat Corporation | Growth determination in the solidification of a crystalline material |
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KR101555519B1 (ko) * | 2013-12-13 | 2015-09-24 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 실리콘 잉곳 제조 방법 및 장치 |
CN105463584A (zh) * | 2014-09-05 | 2016-04-06 | 苏州恒嘉晶体材料有限公司 | 晶体生长方法、系统及固液转换时点确定方法及装置 |
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2012
- 2012-03-07 JP JP2013558052A patent/JP2014508710A/ja active Pending
- 2012-03-07 CN CN201280023475.1A patent/CN103649380A/zh active Pending
- 2012-03-07 KR KR1020137026994A patent/KR20140017604A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-03-07 EP EP12756904.4A patent/EP2686465A4/en not_active Withdrawn
- 2012-03-07 WO PCT/US2012/028056 patent/WO2012125365A2/en active Application Filing
- 2012-03-13 US US13/418,665 patent/US9493888B2/en active Active
- 2012-03-14 TW TW101108584A patent/TW201300590A/zh unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2686465A4 (en) | 2014-08-06 |
US9493888B2 (en) | 2016-11-15 |
CN103649380A (zh) | 2014-03-19 |
KR20140017604A (ko) | 2014-02-11 |
TW201300590A (zh) | 2013-01-01 |
US20120282162A1 (en) | 2012-11-08 |
WO2012125365A3 (en) | 2012-12-06 |
WO2012125365A2 (en) | 2012-09-20 |
EP2686465A2 (en) | 2014-01-22 |
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