JP2014229869A - セラミック電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】金属端子の形状を工夫することにより、セラミック電子部品の低背化を確保しつつ、鳴き抑制の効果を効果的に発揮することができるセラミック電子部品を提供する。【解決手段】セラミック電子部品１は、セラミック素体１６と第１及び第２の外部電極１８ａ，１８ｂとを有する電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ａ，１３Ａとが端子接合用はんだ１４により接続され形成されている。一対の金属端子１２Ａ，１３Ａは、端子本体５４および端子本体５４の表面に形成されためっき膜５６を有し、端子接合部４８、延長部５０および実装部５２により構成される。延長部５０において、第１あるいは第２端面に位置する端子接合部４８の下端を起点に第１あるいは第２端面から遠ざかるように形成された湾曲部５１が設けられている。【選択図】図１

Description

本発明は、たとえば、積層セラミックコンデンサ等を含むセラミック電子部品に関する。

近年、電子機器の小型化・高機能化が急速に進んでおり、電子機器に搭載される積層セラミックコンデンサについても、小型化が要求されている。たとえば、積層セラミックコンデンサの場合、薄層化技術および多層化技術の進展により、アルミ電解コンデンサに代替できる高静電容量を有するものが商品化されるようになった。

電子部品本体である積層セラミックコンデンサ２は、図１０に示すように、複数のセラミック層３と内部電極４とが交互に積層されたセラミック素体５を含む。複数の内部電極４のうちの隣接するものが、セラミック素体５の対向する端面に交互に引き出される。内部電極４が引き出されたセラミック素体５の端面には、内部電極４に電気的に接続される外部電極６が形成される。このような構成により、セラミック素体５の対向する端部に設けられた外部電極６間に静電容量が形成される。積層セラミックコンデンサ２は、実装用はんだ６ａによって実装基板７上に取り付けられる。このとき、積層セラミックコンデンサ２の外部電極６が、実装用はんだ６ａによって実装基板７上に取り付けられる。

このような積層セラミックコンデンサ２において、セラミック層３の材料として、誘電率の比較的高いチタン酸バリウムなどの強誘電体材料が一般的に用いられているが、このような強誘電体材料は圧電性および電歪性を有する。積層セラミックコンデンサ２に交流電圧が加わると、セラミック層３に機械的歪みが生じる。その振動が外部電極６を介して実装基板７に伝達されると、実装基板７全体が音響放射面となって、雑音となる振動音（鳴き）を発生する恐れがある。

この対策として、図１１に示すように、積層セラミックコンデンサ２の外部電極６に一対の金属端子８を端子接合用はんだ６ａで接続し、実装基板７と積層セラミックコンデンサ２とが間隔を隔てるようにして、金属端子８を実装基板７に半田付けする構成が考えられている。このような構成とすることにより、金属端子８の弾性変形によって交流電圧が加わることでセラミック層に生じる機械的歪みを吸収することができ、その振動が外部電極６を介して基板に伝達されることを抑えて雑音の発生を減少することができる（特許文献１参照 図２１）。

特開２００４−２８８８４７号公報

しかしながら、近年、ノートＰＣ、タブレット、あるいはスマートフォン等の携帯端末の更なる薄型化に伴い、製品高さをさらに低くすることが求められている。製品高さを小さくする施策としては、積層セラミックコンデンサ等のチップの浮き量を小さくする方法（たとえば、金属端子の実装基板までの長さを短くする等）が考えられるが、浮き量を小さくしすぎると、鳴き抑制効果を十分に発揮できないという問題が生じることがある。

それゆえに、この発明の主たる目的は、金属端子の形状を工夫することにより、セラミック電子部品の低背化を確保しつつ、鳴き抑制の効果を効果的に発揮することができるセラミック電子部品を提供することである。

この発明にかかるセラミック電子部品は、互いに対向する２つの主面と、互いに対向する２つの端面と、互いに対向する２つの側面と、を有するセラミック素体と、セラミック素体の端面を覆うように形成された外部電極と、を有する電子部品本体と、外部電極に端子接合用はんだによって接続されている金属端子と、を有するセラミック電子部品であって、金属端子は、端面に位置する端子接合部と、端子接合部から実装面方向に延びる延長部と、延長部から端面同士を結んだ方向に延びる実装部と、により構成され、延長部は、電子部品本体の下面と実装部との間に隙間を形成するために設けられており、延長部において、端面内に位置する端子接合部の下端を起点に端面から遠ざかるように形成された湾曲部が設けられていることを特徴とする、セラミック電子部品である。
また、この発明にかかるセラミック電子部品は、延長部において切り欠きが形成されることが好ましい。
さらに、この発明にかかるセラミック電子部品は、延長部において抜き穴が形成されることが好ましい。

この発明にかかるセラミック電子部品によれば、金属端子における延長部において、端面内に位置する端子接合部の下端を起点に端面から遠ざかるように形成された湾曲部が設けられていることから、金蔵端子の延長部の経路を長くすることができ、この延長部において、金属端子の弾性変形によって、交流電流が加わることで、セラミック素体に生じる機械的歪みに基づく振動を吸収することができる。したがって、その振動が実装基板に伝達されることを抑制し、雑音の発生を低減することができる。
また、延長部に切り欠きあるいは抜き穴が形成されている場合は、金属端子の剛性を下げることができ、金属端子の弾性変形によってセラミック電子部品のセラミック素体に生じる機械的歪みに基づく振動を吸収する効果を向上させることができる。

この発明によれば、金属端子の形状を工夫することにより、セラミック電子部品の低背化を確保しつつ、鳴き抑制の効果を効果的に発揮することができるセラミック電子部品が得られる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。 この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す側面図である。 この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す上面図である。 図３のＡ−Ａ線における断面を示す断面図解図である。 図２のＢ−Ｂ線における断面を示す断面図解図である。 この発明にかかる図１に記載のセラミック電子部品に使用される金属端子の外観斜視図である。 この発明にかかる図１に記載のセラミック電子部品の金属端子の実装部におけるＣ−Ｃ断面図である。 金属端子の第１の変形例を示す外観斜視図である。 金属端子の第２の変形例を示す外観斜視図である。 従来の積層セラミックコンデンサを基板に実装した状態を示す図解図である。 図１０に示す積層セラミックコンデンサの問題点を解決するために提案された従来の積層セラミックコンデンサを含むセラミック電子部品を示す外観斜視図である。

（セラミック電子部品）
この発明にかかるセラミック電子部品の一実施の形態の一例について説明する。図１は、セラミック電子部品の一例を示す外観斜視図であり、図２は、この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す側面図であり、図３は、この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す上面図である。図４は、図３のＡ−Ａ線における断面を示す断面図解図を示し、図５は、図２のＢ−Ｂ線における断面を示す断面図解図である。図６は、この発明にかかる図１に記載のセラミック電子部品に使用される金属端子の外観斜視図である。図７は、この発明にかかる図１に記載のセラミック電子部品の金属端子の実装部におけるＣ−Ｃ断面図である。この実施の形態にかかる電子部品本体は、積層セラミックコンデンサを例として示す。

この実施形態にかかるセラミック電子部品１は、電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ａ，１３Ａとにより構成される。電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ａ，１３Ａとは、端子接合用はんだ１４を介して接続される。また、電子部品本体１０は、セラミック素体１６（積層体）と、セラミック素体１６の表面に形成される第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂとから構成される。

セラミック素体１６は、複数の積層されたセラミック層２０ａ，２０ｂから構成される。そして、セラミック素体１６は、直方体状に形成され、長さ方向および幅方向に沿って延びる第１主面２２ａおよび第２主面２２ｂと、長さ方向および高さ方向に沿って延びる第１側面２４ａおよび第２側面２４ｂと、幅方向および高さ方向に沿って延びる第１端面２６ａおよび第２端面２６ｂとを有する。第１主面２２ａおよび第２主面２２ｂは、セラミック電子部品１が実装される面と平行な面をさす。なお、セラミック素体１６は、角部２８および稜部３０に丸みがつけられていることが好ましい。

セラミック層２０ａ，２０ｂとしては、たとえば、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、ＣａＺｒＯ₃などの主成分からなる誘電体セラミックが用いられる。また、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を添加したものを用いてもよい。そのほか、セラミック層２０ａ，２０ｂとしては、ＰＺＴ系セラミックなどの圧電体セラミック、スピネル系セラミックなどの半導体セラミック、あるいは、磁性体セラミックなどが用いられる。セラミック層２０ａ，２０ｂの厚みは０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。

なお、この実施の形態にかかるセラミック素体１６については、誘電体セラミックを用いるので、コンデンサとして機能する。

セラミック素体１６は、複数のセラミック層２０ａおよびセラミック層２０ｂに挟まれるように複数の第１の内部電極３２ａおよび第２の内部電極３２ｂを有する。第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂは、セラミック層２０ａ，２０ｂを挟んで対向しており、対向部分により電気特性（例えば、静電容量など）が発生する。なお、複数のセラミック層２０ａおよびセラミック層２０ｂに挟まれるように複数の第１の内部電極３２ａおよび第２の内部電極３２ｂは、実装面に対して平行になるように配置されていてもよく、垂直になるように配置されていてもよい。第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂの材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂの厚みは、０．３μｍ以上２．０μｍ以下である。なお、電子部品本体１０が積層タイプでない場合には、第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂは形成されない。

第１の内部電極３２ａは、対向部３４ａと引出し部３６ａとを有する。対向部３４ａは、第２の内部電極３２ｂと対向する。引出し部３６ａは、対向部３４ａからセラミック素体１６の第１端面２６ａに引出される。そして、第１の内部電極３２ａの引出し部３６ａの端部がセラミック素体１６の第１端面２６ａに延びて露出するように形成される。

また、第２の内部電極３２ｂは、第１の内部電極３２ａと同様に、第１の内部電極３２ａと対向する対向部３４ｂと、対向部３４ｂからセラミック素体１６の第２端面２６ｂに引出された引出し部３６ｂとを有する。第２の内部電極３２ｂの引出し部３６ｂの端部がセラミック素体１６の第２端面２６ｂに延びて露出するように形成される。

セラミック素体１６の第１端面２６ａには、第１の外部電極１８ａが第１の内部電極３２ａに電気的に接続され、第１端面２６ａ及び第１の内部電極３２ａを覆うように形成される。同様に、セラミック素体１６の第２端面２６ｂには、第２の外部電極１８ｂが第２の内部電極３２ｂに電気的に接続され、第２端面２６ｂ及び第２の内部電極３２ｂを覆うように形成される。

第１の外部電極１８ａは、下地層３８ａと下地層３８ａの表面に形成されるめっき層４０ａとを有する。また、第２の外部電極１８ｂは、下地層３８ｂと下地層３８ｂの表面に形成されるめっき層４０ｂとを有する。

下地層３８ａ，３８ｂの材料には、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等を用いることができる。このうち、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ等の卑金属を用いることが好ましい。下地層３８ａ，３８ｂは、第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂと同時焼成したコファイアによるものでもよく、導電性ペーストを塗布して焼き付けたポストファイアによるものでもよい。また、直接めっきにより形成されていてもよく、熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂を硬化させることにより形成されていてもよい。下地層３８ａ，３８ｂの厚みは、最も厚い部分において、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。

一方、めっき層４０ａ，４０ｂの材料には、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｂ合金、Ａｕ等を用いることができる。めっき層４０ａ，４０ｂは、複数層に形成されていてもよい。好ましくは、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきの２層構造である。めっき層４０ａ，４０ｂの一層あたりの厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。また、下地層３８ａ，３８ｂとめっき層４０ａ，４０ｂとの間に、応力緩和用の導電性樹脂層が形成されていてもよい。

一対の金属端子１２Ａ，１３Ａは、セラミック電子部品１を実装基板に実装するために設けられる。一対の金属端子１２Ａ，１３Ａには、例えば、板状のリードフレームが用いられる。この板状のリードフレームにより形成される金属端子１２Ａは、第１の外部電極１８ａと接続される第１主面４２、第１主面４２と対向する第２主面４４および第１主面４２と第２主面４４との間の厚みを形成する周囲面４６を有する。また、この板状のリードフレームにより形成される金属端子１３Ａは、第２の外部電極１８ｂと接続される第１主面４２、第１主面４２と対向する第２主面４４および第１主面４２と第２主面４４との間の厚みを形成する周囲面４６を有する。そして、この板状のリードフレームにより形成される一対の金属端子１２Ａ，１３Ａは、断面の形状がＬ字形状に形成されている。このように、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの断面の形状がＬ字形状に形成されると、セラミック電子部品１を実装基板に実装したとき、実装基板のたわみに対する耐性を向上させることができる。

一対の金属端子１２Ａ，１３Ａは、たとえば、矩形板状の端子接合部４８と、端子接合部４８から実装面方向に延びる延長部５０と、延長部５０から第１端面２６ａおよび第２端面２６ｂを結んだ方向に延びる実装部５２により構成される。

金属端子１２Ａの端子接合部４８は、電子部品本体１０の第１端面２６ａ側に位置して接続される部分である。また、金属端子１３Ａの端子接合部４８は、電子部品本体１０の第２端面２６ｂ側に位置して接続される部分である。金属端子１２Ａの端子接合部４８は、たとえば電子部品本体１０の第１の外部電極１８ａの幅と同等の大きさの矩形板状に形成され、金属端子１２Ａの第１主面４２側が第１の外部電極１８ａに端子接合用はんだ１４で接続される。また、金属端子１３Ａの端子接合部４８は、たとえば電子部品本体１０の第２の外部電極１８ｂの幅と同等の大きさの矩形板状に形成され、金属端子１３Ａの第１主面４２側が第２の外部電極１８ｂに端子接合用はんだ１４で接続される。

一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５０は、電子部品本体１０を実装する実装基板から浮かせるために設けられ、実装基板に接するまでの部分である。一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５０は、たとえば、長方形板状をしており、端子接合部４８から実装面方向にセラミック素体１６の第２主面２２ｂと直交する高さ方向に延び、端子接合部４８と一平面状に形成されている。

金属端子１２Ａの延長部５０において、第１端面２６ａに位置する端子接合部４８の下端を起点に第１端面２６ａから遠ざかるように形成された湾曲部５１が設けられている。また、金属端子１３Ａの延長部５０において、第２端面２６ｂに位置する端子接合部４８の下端を起点に第２端面２６ｂから遠ざかるように形成された湾曲部５１が設けられている。なお、金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５０の起点は、第１端面２６ａの端面内にある。

金属端子１２Ａの実装部５２は、金属端子１２Ａの延長部５０の端部から第２主面２２ｂに平行する長さ方向に延びて、実装基板に接するように折り曲げられて形成される。なお、実装部５２の折り曲げられる方向は、電子部品本体１０側に曲げられている。また、金属端子１３Ａの実装部５２は、金属端子１３Ａの延長部５０の端部から第２主面２２ｂに平行する長さ方向に延びて、実装基板に接するように折り曲げられて形成される。なお、実装部５２の折り曲げられる方向は、電子部品本体１０側に曲げられている。

一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの実装部５２の長さは、セラミック素体１６の第２主面２２ｂ（実装面側）に形成される第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂの長さ方向の長さよりも長く形成されていてもよい。これによって、セラミック電子部品１をマウントする際において、セラミック電子部品１を下方からカメラで画像認識して部品の位置を検出する場合、電子部品本体１０の第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂを一対の金属端子１２Ａ，１３Ａとして誤認識することを防止することができ、検出ミスを防止することができる。

一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの実装部５２の長さは、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５０の長さよりも長く形成されていてもよい。また、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５０と一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの実装部５２とが直角に交わる角部は、丸みがつけられていてもよい。

一対の金属端子１２Ａ，１３Ａは、端子本体５４と端子本体５４の表面に形成されるめっき膜５６とを有する。

端子本体５４は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。端子本体５４は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。具体的には、たとえば、端子本体５４の母材の金属をＦｅ−４２Ｎｉ合金やＦｅ−１８Ｃｒ合金とするのが好ましい。端子本体５４の厚みは、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下程度であることが好ましい。端子本体５４を、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金により形成することにより、第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂの耐熱性を向上させることができる。

ここで、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５０および実装部５２の周囲面４６において、めっき膜５６が除去されているめっき除去部５８が形成されている。このめっき除去部５８は、端子本体５４の表面が露出している部分である。めっき膜５６は、たとえば、下層めっき膜６０と上層めっき膜６２とを有する。

下層めっき膜６０は、端子本体５４の上に形成されており、上層めっき膜６２は、下層めっき膜６０の上に形成されている。なお、下層めっき膜６０および上層めっき膜６２のそれぞれは、複数のめっき膜により構成されていてもよい。下層めっき膜６０は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。下層めっき膜６０のそれぞれは、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。下層めっき膜６０を、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金により形成することにより、第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂの耐熱性を向上させることができる。下層めっき膜６０の厚みは０．２μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。

上層めっき膜６２は、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。上層めっき膜６２は、ＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金からなることが好ましい。上層めっき膜６２をＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金により形成することにより、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａと第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂとのはんだ付き性を向上させることができる。上層めっき膜６２の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。なお、めっき膜５６として、１層形成の場合には、はんだ付き性のよい上層めっき膜６２を形成するのが好ましい。

図８は、セラミック電子部品１に使用される金属端子の第１の変形例を示す外観斜視図である。図８に示す金属端子１２Ｂは、延長部５０に切り欠き５０ａが形成されている。なお、切り欠き５０ａの形状は、特に限定されず、たとえば、丸形状や楕円形状でもよい。さらに、切り欠き５０ａを設ける場所も特に限定されず、延長部５０内に形成されていてもよいし、延長部５０の端にかかるように形成されていてもよい。なお、金属端子１３Ｂについて、金属端子１２Ｂと構造が同一であるので、図および説明を省略する。

図９は、セラミック電子部品１に使用される金属端子の第２の変形例を示す外観斜視図である。図９に示す金属端子１２Ｃは、延長部５０に抜け穴５０ｂが形成されている。なお、抜き穴５０ｂの形状は、特に限定されず、たとえば、丸形状や楕円形状でもよい。さらに、抜け穴５０ｂを設ける場所も特に限定されず、延長部５０内に形成されていてもよいし、延長部５０の端にかかるように形成されていてもよい。なお、金属端子１３Ｃについて、金属端子１２Ｂと構造が同一であるので、図および説明を省略する。

端子接合用はんだ１４は、第１の外部電極１８ａと金属端子１２Ａの端子接合部４８とを接合するために用いられる。また、端子接合用はんだ１４は、第２の外部電極１８ｂと金属端子１３Ａの端子接合部４８とを接合するために用いられる。端子接合用はんだ１４には、たとえば、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｂｉ系などのＬＦはんだを用いることができる。特に、Ｓｎ−Ｓｂ系のはんだの場合は、Ｓｂの含有率が５％以上１５％以下程度であることが好ましい。

なお、図２に示すように、セラミック電子部品１の第１側面２４ａあるいは第２側面２４ｂからみた形状は、凸形状である。

この実施の形態にかかるセラミック電子部品１によれば、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５０に湾曲部５１が設けられているので、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５０の経路を長くすることができ（すなわち、浮き量を確保することができ）、この延長部５０において、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの弾性変形によって、交流電圧が加わることでセラミック層２０ａ，２０ｂに生じる機械的歪みに基づく振動を吸収することができる（すなわち、振動伝達を抑制することができる）。そうすると、その振動が第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂを介して実装基板に伝達されることを抑制し、雑音の発生を低減することができる。

また、この実施の形態にかかるセラミック電子部品１によれば、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの湾曲部５１の起点が電子部品本体１０の第１端面２６ａ内、および第２端面２６ｂ内に位置しているので、セラミック電子部品１の第１端面２６ａおよび第２端面２６ｂを超えて（第１端面２６ａおよび第２端面２６ｂより下の部分）湾曲部５１が形成されている場合よりもセラミック電子部品１の高さを低く抑えることができる。

さらに、この実施の形態にかかるセラミック電子部品１によれば、一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂの延長部５０に切り欠き５０ａが形成され、一対の金属端子１２Ｃ，１３Ｃに抜け穴５０ｂが形成されていると、一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂあるいは金属端子１２Ｃ，１３Ｃの剛性を下げることができ、その結果、一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂあるいは金属端子１２Ｃ，１３Ｃの弾性変形によってセラミック電子部品１のセラミック層２０ａ，２０ｂに生じる機械的歪みに基づく振動を吸収する効果がより向上する（すなわち、一対の金属端子１２Ｂ，１３ｂあるいは一対の金属端子１２Ｃ，１３Ｃのバネ性が向上する）。よって、鳴き抑制効果もより向上させることができる。

さらにまた、この実施の形態にかかるセラミック電子部品１によれば、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５０および実装部５２における周囲面４６においてめっき膜５６が除去されためっき除去部５８が形成されることで、端子本体５４の表面が露出しているので、セラミック電子部品１を実装基板に実装用はんだにより実装する際に、実装用はんだの一対の金属端子１２Ａ，１３Ａへの濡れ上がりを抑制することが可能となる。そのため、電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ａ，１３Ａとの間（浮き部分）、つまり、金属端子１２Ａ，１３Ａの実装基板と平行に延び、実装基板に実装される実装部５２の電子部品本体１０と対向する面、及び、金属端子１２Ａ，１３Ａの実装基板と垂直に延びる延長部５０の電子部品本体１０の端面と対向する面に実装用はんだが濡れ上がることを抑制することができ、浮き部分に実装用はんだが充填されることを防止することができる。よって、浮き部分の空間を十分に確保することができるため、金属端子の弾性的変形を妨げることなく、実装基板への振動の伝達を抑制することができ、結果、安定してセラミック電子部品の鳴き抑制を発揮することが可能になる。
なお、この実施の形態にかかるセラミック電子部品１では、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５０および実装部５２における周囲面４６においてめっき膜５６が除去されためっき除去部５８が形成されることで、端子本体５４の表面が露出しているが、実装部５２における周囲面４６のみにおいてめっき膜５６が除去されためっき除去部５８が形成されることで端子本体５４の表面を露出しても上記の効果を得ることができる。

したがって、この実施の形態にかかるセラミック電子部品１によれば、セラミック電子部品１の低背化を確保しつつ、鳴き抑制の効果を効果的に発揮することができる。

（セラミック電子部品の製造方法）
次に、以上の構成からなるセラミック電子部品の製造方法の一実施の形態について、セラミック電子部品１を例にして説明する。

まず、セラミックグリーンシート、第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂを形成するための内部電極用導電性ペーストおよび第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂを形成するための外部電極用導電性ペーストが準備される。なお、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペーストおよび外部電極用導電性ペーストには、有機バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。

そして、セラミックグリーンシート上に、例えば、所定のパターンで内部電極用導電性ペーストを印刷し、セラミックグリーンシートには、第１および第２の内部電極のパターンが形成される。なお、内分電極用導電性ペーストは、スクリーン印刷法などの公知の方法により印刷することができる。

次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、その上に、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートが順次積層され、その上に、外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、マザー積層体が作製される。必要に応じて、このマザー積層体は、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着させてもよい。

その後、マザー積層体が所定の形状寸法に切断され、生のセラミック積層体が切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層体の角部や稜部に丸みをつけてもよい。続いて、切り出された生のセラミック積層体が焼成され、積層体であるセラミック素体が生成される。なお、生のセラミック積層体の焼成温度は、セラミックの材料や内部電極用導電性ペーストの材料に依存するが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。

次に、焼成後のセラミック素体の両端面に外部電極用導電性ペーストを、たとえばディップ工法等によって塗布し、焼き付け、第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂの下地層３８ａ，３８ｂが形成される。焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。また、必要に応じて、下地層３８ａ，３８ｂの表面にめっき層４０ａ，４０ｂが形成される。なお、外部電極用導電性ペーストの焼成および生のセラミック積層体の焼成は、たとえば、大気中、Ｎ₂雰囲気中、水蒸気＋Ｎ₂雰囲気中などにおいて行われる。また、ディップ工法とは、外部電極用導電性ペースト中にセラミック素体を浸漬させることにより、そのセラミック素体に外部電極を形成する塗布方法のことである。

続いて、本発明にかかるセラミック電子部品の製造方法における金属端子の取り付け工程について、説明する。

まず、所望の一対の金属端子１２Ａ，１３Ａが準備される。この一対の金属端子１２Ａ，１３Ａは、端子本体５４にめっき膜５６を形成した後に、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの周囲面４６におけるめっき膜５６が機械的（切削、研磨）に除去されるか、または、レーザートリミングによる除去、めっき剥離剤（たとえば、水酸化ナトリウム）による除去といった方法で、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａのめっき膜４０ａ，４０ｂが除去され、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａが準備される。なお、めっき膜５６を除去する方法として、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａのめっき膜４０ａ，４０ｂの形成前に、レジストでめっきを形成しない部分を覆って一対の金属端子１２Ａ，１３Ａにめっき膜を形成した後に、レジストを除去するといった方法を用いることもできる。

続いて、準備された金属端子１２Ａは、電子部品本体１０の第１の外部電極１８ａに端子接合用はんだ１４によって取り付けられ、準備された金属端子１３Ａは、電子部品本体１０の第２の外部電極１８ｂに端子接合用はんだ１４によって取り付けられる。一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの取り付けは、端子接合用はんだ１４によるはんだ付けの温度を、リフローにて２７０℃以上２９０℃以下とし、その熱を３０秒以上与えることによって行われる。

なお、上述した実施の形態にかかるセラミック電子部品では、一対の金属端子のめっき除去部が、一対の金属端子における延長部および実装部の周囲面において形成されることで端子本体の表面が露出しているが、それに限るものではなく、一対の金属端子における実装部の周囲面にのみにめっき除去部が形成されていてもよい。また、一対の金属端子の端子接合部の周囲面においてもめっき膜の除去されためっき除去部が形成されていてもよい。すなわち、一対の金属端子の全周囲面において、めっき除去部が形成されていてもよい。また、一対の金属端子において、必ずしもめっき除去部が形成されなくてもよい。

さらに、本実施の形態におけるセラミック電子部品において、電子部品本体に含まれるセラミック素体は、誘電体セラミックを用いるので、コンデンサとして機能しているが、これに限られるものではなく、圧電体セラミックを用いた場合は圧電部品として機能し、半導体セラミックを用いた場合はサーミスタとして機能し、磁性体セラミックを用いた場合は、インダクタとして機能する。また、インダクタとして機能する場合は、内部電極は、コイル状の導体となる。

なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。また、積層セラミックコンデンサのセラミック層の厚み、層数、対向電極面積および外形寸法は、これに限定されるものではない。

１ セラミック電子部品
１０ 電子部品本体
１２Ａ〜１２Ｃ，１３Ａ〜１３Ｃ 金属端子
１４ 接合用はんだ
１６ セラミック素体
１８ａ 第１の外部電極
１８ｂ 第２の外部電極
２０ａ、２０ｂ セラミック層
２２ａ 第１主面
２２ｂ 第２主面
２４ａ 第１側面
２４ｂ 第２側面
２６ａ 第１端面
２６ｂ 第２端面
２８ 角部
３０ 稜部
３２ａ 第１の内部電極
３２ｂ 第２の内部電極
３４ａ、３４ｂ 対向部
３６ａ、３６ｂ 引出し部
３８ａ、３８ｂ 下地層
４０ａ、４０ｂ めっき層
４２ 第１主面
４４ 第２主面
４６ 周囲面
４８ 端子接合部
５０ 延長部
５０ａ 切り欠き
５０ｂ 抜き穴
５１ 湾曲部
５２ 実装部
５４ 端子本体
５６ めっき膜
５８ めっき除去部
６０ 下層めっき膜
６２ 上層めっき膜

Claims (3)

1. 互いに対向する２つの主面と、互いに対向する２つの端面と、互いに対向する２つの側面と、を有するセラミック素体と、
   前記セラミック素体の前記端面を覆うように形成された外部電極と、を有する電子部品本体と、
   前記外部電極に端子接合用はんだによって接続されている金属端子と、を有するセラミック電子部品であって、
   前記金属端子は、前記端面に位置する端子接合部と、前記端子接合部から実装面方向に延びる延長部と、前記延長部から前記端面同士を結んだ方向に延びる実装部と、
   により構成され、
   前記延長部は、前記電子部品本体の下面と前記実装部との間に隙間を形成するために設けられており、
   前記延長部において、前記端面内に位置する前記端子接合部の下端を起点に前記端面から遠ざかるように形成された湾曲部が設けられていることを特徴とする、セラミック電子部品。
2. 前記延長部において切り欠きが形成されることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
3. 前記延長部において抜き穴が形成されることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。

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