JP2014125399A - タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】生産性に優れるカバーガラス一体型タッチパネル用強化ガラス基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の態様１に係る強化ガラスパネルの製造方法は、１枚に複数のカバーガラス一体型タッチパネルを形成可能なタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法である。短辺の長さが１０００ｍｍ以上の矩形状のガラス基板１００を化学強化するステップと、化学強化されたガラス基板１００を切断し、複数の強化ガラス基板１０へ分割するステップと、複数の強化ガラス基板１０の端面１１を面取加工するステップと、を備える。
【選択図】図４

Description

本発明はタッチパネル用強化ガラス基板の製造方法に関し、特にカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法に関する。

スマートフォンやタブレット端末などの携帯機器では、ディスプレイのカバーガラス基板に指先で触れて操作するタッチパネルが広く普及している。図１１は、従来のタッチパネルの断面図である。図１１に示すように、従来のタッチパネルは、カバーガラス基板１とセンサガラス基板（センサが形成されたガラス基板）４とが、光学透明接着剤（ＯＣＡ：Optical Clear Adhesive）３により貼り合わされた構成を有している。

化学強化ガラスからなるカバーガラス基板１の周縁部上には、遮光膜２が形成されている。一方、センサガラス基板４上には、透明導電膜５ａ、５ｂ、金属配線６、有機絶縁層７、保護層８すなわちセンサが形成されている。そして、カバーガラス基板１の遮光膜形成面とセンサガラス基板４のセンサ形成面とが対向して、光学透明接着剤３により貼り合わされている。

これに対し、カバーガラス基板にセンサを形成し、カバーガラス基板とセンサガラス基板とを一体化したタッチパネル（いわゆるカバーガラス一体型タッチパネル）が注目されている。図１２は、カバーガラス一体型タッチパネルの断面図である。図１２に示したカバーガラス一体型タッチパネルでは、図１１に示したタッチパネルにおける光学透明接着剤３及びセンサガラス基板４が不要となるため、薄型化、軽量化が可能となる。

強化ガラスは非強化ガラスに比べ切断が難しい。そのため、図１１に示すような従来のタッチセンサに用いるカバーガラス基板１の製造工程では、製品形状まで切断した後、化学強化を行っていた。一方、図１２に示すようなカバーガラス一体型タッチパネルに用いるカバーガラス基板１の製造工程では、生産効率向上の観点から、中型ガラス基板あるいは短辺が１０００ｍｍ以上の大型ガラス基板のまま化学強化する。この化学強化された中型ないし大型ガラス基板上に、遮光膜２、透明導電膜５ａ、５ｂ、金属配線６、有機絶縁層７、保護層８を形成した後、製品形状まで切断する。

ところで、特許文献１には、製品形状まで切断してからガラス基板を化学強化し、当該ガラス基板を搬送基板に配置し、センサ形成を一括して行うカバーガラス一体型タッチパネルの製造方法が開示されている。
しかしながら、製品形状まで切断してからガラス基板を化学強化するよりも、大型ガラス基板のまま化学強化する方が、生産性に優れている。

特開２０１１−１９７７０８号公報

発明者は、カバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法に関し、以下の課題を見出した。
上述の化学強化された中型ないし大型ガラス基板には、多様なサイズが要求されている。そのため、サイズ毎に化学強化の設備が必要になり、生産性に劣るという問題があった。

本発明は、上記を鑑みなされたものであって、生産性に優れるカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の態様１に係るタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法は、１枚に複数のカバーガラス一体型タッチパネルを形成可能なタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法であって、
短辺の長さが１０００ｍｍ以上の矩形状のガラス基板を化学強化するステップと、
化学強化された前記ガラス基板を複数の強化ガラス基板へ分割するステップと、
前記複数の強化ガラス基板の端面を面取加工するステップと、を備えるものである。これにより、歩留まりが高く、生産性に優れるカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法を提供することができる。

本発明の態様２に係るタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法は、上記発明の態様１において、化学強化するステップの後、分割するステップの前に、化学強化された前記ガラス基板の端面傷を検査するステップをさらに備えるものである。これにより、さらに歩留まりが高く、生産性に優れるカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法を提供することができる。

本発明の態様３に係るタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法は、上記発明の態様２において、前記端面傷が検出された場合、分割するステップにおいて、前記端面傷を除去するものである。これにより、歩留まりが高く、生産性に優れるカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法を提供することができる。

本発明の態様４に係るタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法は、上記発明の態様１〜３のいずれか１つにおいて、面取加工するステップ後の前記強化ガラス基板の端面の平均表面粗さＲａを１μｍ以下とするものである。これにより、さらに歩留まりが高く、生産性に優れるカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法を提供することができる。

本発明の態様５に係るタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法は、上記発明の態様１〜４のいずれか１つにおいて、面取加工するステップにおいて、研削により面取加工するものである。面取加工としては研削が好適である。

本発明の態様６に係るタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法は、上記発明の態様１〜５のいずれか１つにおいて、化学強化するステップにおいて、前記ガラス基板に、残留圧縮応力を有する表面層及び裏面層と、当該表面層及び裏面層の間に５０ＭＰａ以下の内部残留引張応力ＣＴを有する中間層と、を形成するものである。

本発明の態様７に係るタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法は、上記発明の態様１〜６のいずれか１つにおいて、面取加工するステップ後の前記強化ガラス基板の端面についての累積破壊確率０．１％での破壊応力を７０ＭＰａ以上とするものである。

本発明の態様８に係るタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法は、上記発明の態様１〜７のいずれか１つにおいて、前記強化ガラス基板の厚さｔを０．３〜１．１ｍｍとするものである。

本発明によれば、生産性に優れるカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法を提供することができる。

本発明の第１の実施の形態に係るカバーガラス一体型タッチパネルの断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係るカバーガラス基板１に用いる強化ガラス基板１０の断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係るカバーガラス基板１に用いる強化ガラス基板１０の残留応力の分布を示す模式図である。 本発明の第１の実施の形態に係るカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法を説明するためのフローチャートである。 Ｇ６サイズ（長辺１８５０ｍｍ×短辺１５００ｍｍ）の大型ガラス基板１００からＧ２サイズ（長辺４７０ｍｍ×短辺３７０ｍｍ）の中型ガラス基板（強化ガラス基板）１０を切り出す切り出し方を示した図である。 強化ガラス基板１０の端面を面取加工するための回転砥石を示す側面図である。 化学強化工程において端面傷が発生した大型ガラス基板の模式的平面図である。 センサ形成工程において端面傷を起点とする熱割れが発生した大型ガラス基板の模式的平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係るカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法を説明するためのフローチャートである。 Ｇ６サイズ（長辺１８５０ｍｍ×短辺１５００ｍｍ）の大型ガラス基板１００からＧ２サイズ（長辺４７０ｍｍ×短辺３７０ｍｍ）の中型ガラス基板（強化ガラス基板）１０を切り出す切り出し方を示した図である。 縦置き４点曲げ試験装置の模式図である。 従来のタッチパネルの断面図である。 カバーガラス一体型タッチパネルの断面図である。

以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、本発明が以下の実施の形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜、簡略化されている。

（実施の形態１）
まず、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係るカバーガラス一体型タッチパネルについて説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態に係るカバーガラス一体型タッチパネルの断面図である。図１は図１２の上下を反転させたものである。図１のカバーガラス一体型タッチパネルは、静電容量方式のタッチパネルである。

図１に示すように、化学強化ガラスからなるカバーガラス基板１の周縁部上には、ブラックマトリクス膜などの遮光膜２が形成されている。１対の金属配線６が、カバーガラス基板１の外側（図１におけるカバーガラス基板１の下面側）から視認されないように、遮光膜２上の両側に形成されている。なお、遮光膜２の色は特に限定されず、例えば白色であってもよい。

カバーガラス基板１の中央部には、透明導電膜５ａ、５ｂが形成さている。透明導電膜５ａは図１のｘ軸方向に延設されており、透明導電膜５ｂは図１のｙ軸方向に延設されている。すなわち、透明導電膜５ａ、５ｂは互いに直交するように延設されている。つまり、平面的には透明導電膜５ａ、５ｂは格子状に形成されている（不図示）。なお、図１には、透明導電膜５ｂが２本しか示されていないが、実際には透明導電膜５ａ、５ｂはいずれも多数設けられている。ここで、図１に示すように、透明導電膜５ａは両側の金属配線６の間を跨ぐように形成されている。

図１に示すように、有機絶縁層７は、透明導電膜５ａ、５ｂを互いに絶縁するため、透明導電膜５ａ、５ｂの間に形成されている。
保護層８は、遮光膜２、透明導電膜５ａ、５ｂ、金属配線６、有機絶縁層７を覆うように、カバーガラス基板１の略全面に形成されている。

次に、図２、３を参照して、カバーガラス基板１に用いる強化ガラス基板１０の構造について説明する。図２は、本発明の第１の実施の形態に係るカバーガラス基板１に用いる強化ガラス基板１０の断面図である。図２において、矢印の方向は、残留応力の作用方向を示し、矢印の大きさは、応力の大きさを示す。図２に示すように、強化ガラス基板１０は、表面層１３及び裏面層１５と、表面層１３と裏面層１５との間に設けられた中間層１７とを有する。表面層１３及び裏面層１５には、下記の化学強化法により圧縮応力が残留している。また、その反作用として、中間層１７には引張応力が残留している。

強化ガラス基板１０は、化学強化法により作製される。強化用のガラスの種類としては、アルカリアルミノシリケートガラスやソーダライムガラスが用いられる。化学強化法は、ガラスの表面及び裏面をイオン交換し、ガラスに含まれる小さなイオン半径のイオン（例えば、Ｌｉイオン、Ｎａイオン）を、大きなイオン半径のイオン（例えば、Ｋイオン）に置換することで、圧縮応力が残留する表面層及び裏面層を形成する。

図３は、本発明の第１の実施の形態に係るカバーガラス基板１に用いる強化ガラス基板１０の残留応力の分布を示す模式図である。
図３に示すように、表面層１３及び裏面層１５に残留する圧縮応力（＞０）は、強化ガラス基板１０の表面１２及び裏面１４から内部に向けて徐々に小さくなる傾向がある。また、中間層１７に残留する引張応力（＞０）は、ガラスの内部から表面１２及び裏面１４に向けて徐々に小さくなる傾向がある。

図３において、ＣＳは表面層１３や裏面層１５における最大残留圧縮応力（表面圧縮応力）（＞０）、ＣＴは中間層１７における内部残留引張応力（中間層１７の残留引張応力の平均値）（＞０）、ＤＯＬは表面層１３及び裏面層１５の厚さ、ｔは強化ガラス基板１０の厚さ、をそれぞれ示している。従って、中間層１７の厚さは、ｔ−２×ＤＯＬとなる。

また、強化ガラス基板の内部残留引張応力ＣＴ（ＭＰａ）は、通常、表面圧縮応力ＣＳ（ＭＰａ）及び表面層１３及び裏面層１５の厚さＤＯＬ（μｍ）を測定し、その測定値と、強化ガラス基板の厚さｔ（μｍ）とから以下の式１を用いて算出することができる。
ＣＴ＝（ＣＳ×ＤＯＬ）／（ｔ−２×ＤＯＬ） ・・・式１

最大残留圧縮応力ＣＳや内部残留引張応力ＣＴ、表面層１３及び裏面層１５の厚さＤＯＬは、強化処理条件により調節可能である。化学強化法の場合、ガラスを処理液（例えば、ＫＮＯ_３溶融塩）に浸漬してイオン交換するため、処理液の濃度や温度、浸漬時間などにより調節することができる。

強化ガラス基板１０の厚さｔ（ｍｍ）は、０．３〜１．１ｍｍであることが好ましい。化学強化ガラスの場合、厚さｔ（ｍｍ）が１．１ｍｍを超えると、基板の質量が大きくなり、カバーガラス一体型による軽量化の利点が減殺されてしまう。一方、厚さｔ（ｍｍ）が０．３ｍｍ未満になると、ガラスに化学強化処理を施すことが難しくなる。強化ガラス基板１０の厚さｔ（ｍｍ）は、０．４〜０．７ｍｍがさらに好ましい。

ところで、本実施の形態に係るカバーガラス一体型タッチパネル形成用の強化ガラス基板１０は、短辺が１０００ｍｍ以上の大型ガラス基板を化学強化し、これを切断して複数枚に分割することにより得られる。つまり、強化ガラス基板１０の端面では、内部残留引張応力ＣＴを有する中間層１７が露出している。そのため、内部残留引張応力ＣＴが大きくなり過ぎると、強化ガラス基板１０の端面からクラックが伸展し易くなり、センサ形成工程でのハンドリングが難しくなる。また、内部残留引張応力ＣＴが大きいほど、切断自体も困難になる。従って、内部残留引張応力ＣＴは、５０ＭＰａ以下であることが好ましくい。また、内部残留引張応力ＣＴは、３５ＭＰａ以下であることがより好ましくは、３０ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。

次に、図４を参照して、本実施の形態に係るカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法について説明する。図４は、本実施の形態に係るカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法について説明するためのフローチャートである。図４には、実線で示されたカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造フロー（ステップＳ１〜Ｓ３）に加え、破線で示されたその後のフロー（ステップＳ４〜Ｓ８）についても併せて記載されている。また、図４には、製造フローとともに各工程におけるガラス基板サイズも併せて示されている。

まず、図４に示すように、端面が面取加工された短辺が１０００ｍｍ以上の大型ガラス基板を化学強化する（ステップＳ１）。大型ガラス基板としては、いわゆるＧ６サイズ（長辺１８５０ｍｍ×短辺１５００ｍｍ）と呼ばれる矩形状のものを用いることができる。本発明は、短辺が１０００ｍｍ以上の大型ガラス基板に好適であるため、大型ガラス基板としては、Ｇ５サイズ（長辺１２００ｍｍ×短辺１０００ｍｍ）のものを用いてもよい。もちろん、短辺が１０００ｍｍ以上の大型ガラス基板であれば、Ｇ５、Ｇ６以外のサイズであってもよい。

次に、化学強化された大型ガラス基板を切断し、複数の中型ガラス基板へ分割する（ステップＳ２）。中型ガラス基板としては、いわゆるＧ１サイズ（長辺４００ｍｍ×短辺３００ｍｍ）、Ｇ２サイズ（長辺４７０ｍｍ×短辺３７０ｍｍ）、Ｇ３サイズ（長辺６５０ｍｍ×短辺５５０ｍｍ）、Ｇ４サイズ（長辺８８０ｍｍ×短辺６８０ｍｍ）を挙げることができる。これらのサイズは、センサ形成工程における装置上の制約によるものである。中型ガラス基板は、長辺が１０００ｍｍ未満の矩形状のガラス基板であって、カバーガラス一体型タッチパネルを複数形成可能であれば、上記サイズ以外であってもよい。なお、ステップＳ２の前に化学強化された大型ガラス基板の端面を検査してもよい。

ここで、図５を参照して、ステップＳ２の具体例について説明する。図５は、Ｇ６サイズ（長辺１８５０ｍｍ×短辺１５００ｍｍ）の大型ガラス基板１００からＧ２サイズ（長辺４７０ｍｍ×短辺３７０ｍｍ）の中型ガラス基板（強化ガラス基板）１０を切り出す切り出し方を示した図である。図５では、切断線が破線で示されている。図５に示すように、Ｇ６サイズ（長辺１８５０ｍｍ×短辺１５００ｍｍ）の大型ガラス基板１００からＧ２サイズ（長辺４７０ｍｍ×短辺３７０ｍｍ）の強化ガラス基板１０を３×４＝１２枚切り出すことができる。なお、図５においてハッチングされた領域は、除去される領域である。図５の例では、長辺の両端において幅２２０ｍｍの領域及び短辺の両端において幅１０ｍｍの領域が除去される。

化学強化された大型ガラス基板の切断方法としては、例えばカッタホイールにより大型ガラス基板上にスクライブ線を導入して折り割りする方法や、大型ガラス基板にレーザ光を照射することより切断する方法などを用いることができる。

次に、強化ガラス基板１０の端面を面取加工する（ステップＳ３）。この面取加工では、強化ガラス基板１０の端面全体を研削することが好ましい。図６は、強化ガラス基板１０の端面を面取加工するための回転砥石を示す側面図である。図６に示す回転砥石２０は、円盤形状の本体部の側面に断面半楕円状（半円状）の溝２１が形成されている。

高速回転している回転砥石２０の溝２１に強化ガラス基板１０の端面１１を略垂直に押し当てることにより、強化ガラス基板１０の端面１１が回転砥石２０の溝２１に沿って面取加工されるとともに研削される。上述の通り、強化ガラス基板１０の端面１１では、内部残留引張応力ＣＴを有する中間層１７が露出しているため、面取加工後の表面粗さは小さいほど好ましい。具体的には、面取加工後の端面１１の平均表面粗さＲａが１μｍ以下であることが好ましい。以上により、タッチパネル形成用の強化ガラス基板１０を得ることができる。
なお、面取加工（ステップＳ３）の後に、必要に応じて強化ガラス基板１０の端面１１に対するエッチングやブラシ研磨等の端面処理をさらに追加してもよい。

以下に、製造された強化ガラス基板１０へセンサを形成するセンサ形成工程について説明する。
まず、強化ガラス基板上にブラックマトリクス膜などの遮光膜を印刷形成する（ステップＳ４）。
次に、スパッタリング法により、強化ガラス基板上に透明導電膜（例えばＩＴＯ膜）からなる配線を形成する（ステップＳ５）。続けて、スパッタリング法により、強化ガラス基板上に金属配線を形成する（ステップＳ６）。以上により、強化ガラス基板上にタッチセンサが形成される。

その後、タッチセンサが形成された強化ガラス基板を、製品形状まで切断し（ステップＳ７）、各製品形状のガラス基板の端面を面取加工する（ステップＳ８）。
以上により、カバーガラス一体型タッチパネルが得られる。

従来方法では、センサ形成用の強化ガラス基板のサイズ毎に化学強化の設備が必要であったため、生産性が低かった。これに対し、本実施の形態に係るカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法では、センサ形成用の強化ガラス基板のサイズによらず、一種類の化学強化設備で対応できるため生産性が高い。

（実施の形態２）
図７Ａに示すように、短辺が１０００ｍｍ以上の大型ガラス基板では、周の長さが長くなり、さらに化学強化工程でのハンドリングが困難であるため、大型ガラス基板と治具とが接触することにより端面に傷（欠点とも呼ばれる）が発生しやすい。以下、この端面に発生した傷を「端面傷」と呼ぶ。図７Ａは、化学強化工程において端面傷が発生した大型ガラス基板の模式的平面図である。

図７Ｂに示すように、センサ形成工程（例えば透明導電膜５ａ、５ｂや金属配線６を形成するためのスパッタリング工程）において、端面傷を有する大型ガラス基板が加熱されると、この端面傷が起点となり、広範囲に及ぶ熱割れが発生する恐れがある。図７Ｂは、センサ形成工程において端面傷を起点とする熱割れが発生した大型ガラス基板の模式的平面図である。

そのため、化学強化工程において端面傷が発生した大型ガラス基板は、次工程に進めず、廃棄処分となっていた。つまり、カバーガラス一体型タッチパネルを形成するための強化ガラス基板は、歩留まりが低く、生産性に劣るという問題があった。

次に、図８を参照して、実施の形態２に係るカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法について説明する。図８は、本実施の形態に係るカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法について説明するためのフローチャートである。図８には、実線で示されたカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造フロー（ステップＳ１〜Ｓ３、Ｓ１１、Ｓ１２）に加え、破線で示されたその後のフロー（ステップＳ４〜Ｓ８）についても併せて記載されている。また、図８には、製造フローとともに各工程におけるガラス基板サイズも併せて示されている。

まず、図８に示すように、端面が面取加工された短辺が１０００ｍｍ以上の大型ガラス基板を化学強化する（ステップＳ１）。ステップＳ１は図４と同様であるため、詳細な説明は省略する。

次に、化学強化された大型ガラス基板の端面を検査し（ステップＳ１１）、端面傷の有無を判定する（ステップＳ１２）。化学強化された大型ガラス基板に端面傷がなければ（ステップＳ１２ＮＯ）、Ｇ６サイズ（長辺１８５０ｍｍ×短辺１５００ｍｍ）のままセンサ形成工程（ステップＳ４〜Ｓ６）へ進む。

一方、化学強化された大型ガラス基板に端面傷があれば（ステップＳ１２ＹＥＳ）、当該大型ガラス基板を切断し、複数の中型ガラス基板へ分割する（ステップＳ２）。中型ガラス基板としては、いわゆるＧ１サイズ（長辺４００ｍｍ×短辺３００ｍｍ）、Ｇ２サイズ（長辺４７０ｍｍ×短辺３７０ｍｍ）、Ｇ３サイズ（長辺６５０ｍｍ×短辺５５０ｍｍ）、Ｇ４サイズ（長辺８８０ｍｍ×短辺６８０ｍｍ）を挙げることができる。これらのサイズは、センサ形成工程における装置上の制約によるものである。中型ガラス基板は、長辺が１０００ｍｍ未満の矩形状のガラス基板であって、カバーガラス一体型タッチパネルを複数形成可能であれば、上記サイズ以外であってもよい。

ここで、図９を参照して、ステップＳ２の具体例について説明する。図９は、図５と同様に、Ｇ６サイズ（長辺１８５０ｍｍ×短辺１５００ｍｍ）の大型ガラス基板１００からＧ２サイズ（長辺４７０ｍｍ×短辺３７０ｍｍ）の中型ガラス基板（強化ガラス基板）１０を切り出す切り出し方を示した図である。図９では、切断線が破線で示されている。図９に示すように、Ｇ６サイズ（長辺１８５０ｍｍ×短辺１５００ｍｍ）の大型ガラス基板１００からＧ２サイズ（長辺４７０ｍｍ×短辺３７０ｍｍ）の強化ガラス基板１０を３×４＝１２枚切り出すことができる。

ここで、図９においてハッチングされた領域は、除去される領域である。図９の例では、長辺の両端において幅２２０ｍｍの領域及び短辺の両端において幅１０ｍｍの領域が除去される。つまり、大型ガラス基板１００の周縁部は端面傷とともに除去される。端面傷は端面の表面に発生する浅い傷であるため、周縁部を１ｍｍ以上除去すれば、端面傷が強化ガラス基板１０の強度に悪影響を及ぼすことはない。すなわち、熱割れを効果的に抑制することができる。

次に、強化ガラス基板１０の端面を面取加工する（ステップＳ３）。ステップＳ３以降は図４と同様であるため、詳細な説明は省略する。

従来は、化学強化された大型ガラス基板に端面傷があれば（図９のステップＳ１２ＹＥＳ）、当該大型ガラス基板を廃棄処分としていた。そのため、歩留まりが低く、生産性に劣っていた。これに対し、本実施の形態に係るカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法では、大型ガラス基板から端面傷を除去し、その悪影響を排除した上で、複数の中型ガラス基板へ分割する。すなわち、廃棄処分とするのは大型ガラス基板の周縁部のみとなる。そのため、本実施の形態に係るカバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法は、従来方法に比べ劇的に歩留まりが向上し、生産性も優れている。

＜端面強度の調査結果＞
上述の通り、大型ガラス基板１００から切断された強化ガラス基板１０の端面では、内部残留引張応力ＣＴを有する中間層１７が露出している。そのため、この強化ガラス基板１０の端面の破壊応力を調査した。

端面の破壊応力は、縦置き４点曲げ試験装置（島津製作所社製オートグラフＡＧ−Ｘ）を用いて測定した。図１０は、縦置き４点曲げ試験装置の模式図である。図１０に示すように、支持部間隔＝６０ｍｍ、荷重部間隔＝２０ｍｍ、クロスヘッド（荷重部）スピード＝１ｍｍ／ｍｉｎとした。図１０に示した試験片において破壊強度が測定される端面は、支持部に支持された下側の端面である。

また、三鷹光器社製非接触表面形状測定器ＰＦ６０を用いて、実施例及び比較例について端面の平均表面粗さＲａを測定した。スキャン速度＝２００μｍ／ｍｉｎ、測定距離＝４．８ｍｍとした。フィルタにはガウシアンフィルタ（カットオフ０．８ｍｍ）を用いた。粗さ計算方法はＪＩＳ Ｂ０６０１に準拠した。

（実施例）
厚さｔ＝０．５６ｍｍの大型ガラス基板から切断した強化ガラス基板について、端面の破壊応力を評価した。この端面は化学強化されておらず、内部残留引張応力ＣＴを有する中間層が露出した端面である。実施例では、２１枚の強化ガラス基板のそれぞれから幅Ｗ＝７０ｍｍ、長さＬ＝５ｍｍの試験片を切り出した。この２１個のサンプルについて破壊応力を測定し、平均破壊応力σ_ａｖｇを求めた。また、２１個のサンプルの破壊応力の測定結果について、ＪＩＳ Ｒ１６２５に準拠したワイブルプロットを行い、累積破壊確率０．１％の破壊応力σ_Ｂ０．１を求めた。
その結果、平均破壊応力σ_ａｖｇ＝１１６ＭＰａ、累積破壊確率０．１％の破壊応力σ_Ｂ０．１＝８３ＭＰａであった。
他方、平均表面粗さＲａ＝０．８７μｍであった。

（比較例）
切断していない厚さｔ＝０．５６ｍｍの大型ガラス基板について、端面傷を有する端面の破壊応力を評価した。この端面は化学強化されている。比較例では、２０枚の強化ガラス基板のそれぞれから幅Ｗ＝７０ｍｍ、長さＬ＝２ｍｍの試験片を切り出した。この２０個のサンプルについて破壊応力を測定し、平均破壊応力σ_ａｖｇを求めた。また、２０個のサンプルの破壊応力の測定結果について、ＪＩＳ Ｒ１６２５に準拠したワイブルプロットを行い、累積破壊確率０．１％の破壊応力σ_Ｂ０．１を求めた。
その結果、平均破壊応力σ_ａｖｇ＝４２３ＭＰａ、累積破壊確率０．１％の破壊応力σ_Ｂ０．１＝２４ＭＰａであった。
他方、平均表面粗さＲａ＝１．１２μｍであった。

実施例に係る端面では、内部残留引張応力ＣＴを有する中間層１７が露出しているため、比較例に比べ平均破壊応力σ_ａｖｇは小さい値となった。しかしながら、累積破壊確率０．１％の破壊応力σ_Ｂ０．１は、比較例の３倍以上の値となった。端面傷の除去により、累積破壊確率０．１％の破壊応力σ_Ｂ０．１が向上したものと考えられる。
カバーガラス一体型タッチパネル形成用強化ガラス基板の端面についての累積破壊確率０．１％での破壊応力は、７０ＭＰａ以上であることが好ましい。
また、実施例に係る強化ガラス基板については、センサ形成工程における熱割れも確認されなかった。

なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。

１ カバーガラス基板
２ 遮光膜
５ａ、５ｂ 透明導電膜
６ 金属配線
７ 有機絶縁層
８ 保護層
１０ 強化ガラス基板
１１ 端面
１２ 表面
１３ 表面層
１４ 裏面
１５ 裏面層
１７ 中間層
２０ 回転砥石
２１ 溝
１００ 大型ガラス基板

Claims (8)

1. １枚に複数のカバーガラス一体型タッチパネルを形成可能なタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法であって、
   短辺の長さが１０００ｍｍ以上の矩形状のガラス基板を化学強化するステップと、
   化学強化された前記ガラス基板を複数の強化ガラス基板へ分割するステップと、
   前記複数の強化ガラス基板の端面を面取加工するステップと、を備えるタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法。
2. 化学強化するステップの後、分割するステップの前に、
   化学強化された前記ガラス基板の端面傷を検査するステップをさらに備える、
   請求項１に記載のタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法。
3. 前記端面傷が検出された場合、分割するステップにおいて、前記端面傷を除去する、
   請求項２に記載のタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法。
4. 面取加工するステップ後の前記強化ガラス基板の端面の平均表面粗さＲａを１μｍ以下とする、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載のタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法。
5. 面取加工するステップにおいて、研削により面取加工する、
   請求項１〜４のいずれか一項に記載のタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法。
6. 化学強化するステップにおいて、
   前記ガラス基板に、残留圧縮応力を有する表面層及び裏面層と、当該表面層及び裏面層の間に５０ＭＰａ以下の内部残留引張応力ＣＴを有する中間層と、を形成する、
   請求項１〜５のいずれか一項に記載のタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法。
7. 面取加工するステップ後の前記強化ガラス基板の端面についての累積破壊確率０．１％での破壊応力を７０ＭＰａ以上とする、
   請求項１〜６のいずれか一項に記載のタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法。
8. 前記強化ガラス基板の厚さｔを０．３〜１．１ｍｍとする、
   請求項１〜７のいずれか一項に記載のタッチパネル形成用強化ガラス基板の製造方法。

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