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JP2014146763A - Lead frame, lead fame with resin, multifaceted body of lead frame, multifaceted body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multifaceted body of optical semiconductor device - Google Patents

Lead frame, lead fame with resin, multifaceted body of lead frame, multifaceted body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multifaceted body of optical semiconductor device Download PDF

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JP2014146763A JP2013015891A JP2013015891A JP2014146763A JP 2014146763 A JP2014146763 A JP 2014146763A JP 2013015891 A JP2013015891 A JP 2013015891A JP 2013015891 A JP2013015891 A JP 2013015891A JP 2014146763 A JP2014146763 A JP 2014146763A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame capable of suppressing occurrence of warpage, a lead frame with resin, a multifaceted body of lead frame, a multifaceted body of lead frame with resin, an optical semiconductor device, and a multifaceted body of an optical semiconductor device.SOLUTION: In a lead frame 10 including a plurality of terminals 11, 12 having an external terminal surface for connection with an external apparatus on the rear surface, and used for an optical semiconductor device 1 where an LED element 2 is connected with at least one of the terminals 11, 12, at least one of the terminals 11, 12 has a groove D in the rear surface, and the external terminal surface is subdivided.

Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用のリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体に関するものである。   The present invention relates to a lead frame for an optical semiconductor device on which an optical semiconductor element is mounted, a lead frame with resin, a multi-sided body of a lead frame, a multi-sided body of a lead frame with resin, an optical semiconductor device, and a multi-sided body of an optical semiconductor device. It is about.

従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され、樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
このような光半導体装置は、リードフレームの各端子部の表面に光半導体素子が接続され、各端子部の裏面が外部機器と接続される外部端子面となっている。また、このような光半導体装置の中には、光半導体素子が実装される端子部と、ボンディングワイヤを介して光半導体素子が接続されるリード側端子部とで構成されるものがある。
ここで、光半導体素子が実装される端子部の外部端子面は、光半導体素子が実装される関係上、リード側端子部よりも広く形成されており、両者の外部端子面の面積には差異がある。この差異は、光半導体装置を外部機器に対して半田を溶着させて実装する場合に、各端子面の半田の表面張力の差によって、光半導体装置が狭い端子面側から広い端子面側に向かって引っぱられてしまう現象を生じさせてしまう場合があった。この現象により、光半導体装置は、外部機器に対して正確に位置を定めることができなかったり、外部機器に対して傾いたり、斜めになって起き上がってしまったりしてしまい、光半導体素子を半田によって適正に外部機器に対して実装することができない場合があった。 2. Description of the Related Art Conventionally, an optical semiconductor element such as an LED element is fixed to a lead frame having two terminal portions that are electrically insulated and covered with a resin layer, and its periphery is covered with a transparent resin layer. (For example, patent document 1).
In such an optical semiconductor device, an optical semiconductor element is connected to the surface of each terminal portion of the lead frame, and the back surface of each terminal portion is an external terminal surface connected to an external device. Some of these optical semiconductor devices include a terminal portion on which an optical semiconductor element is mounted and a lead-side terminal portion to which the optical semiconductor element is connected via a bonding wire.
Here, the external terminal surface of the terminal portion on which the optical semiconductor element is mounted is formed wider than the lead-side terminal portion because of the mounting of the optical semiconductor element, and there is a difference in the area of both external terminal surfaces. There is. This difference is that when the optical semiconductor device is mounted by welding solder to an external device, the optical semiconductor device moves from the narrow terminal surface side to the wide terminal surface side due to the difference in the surface tension of the solder on each terminal surface. In some cases, this causes a phenomenon of being pulled. Due to this phenomenon, the optical semiconductor device cannot be accurately positioned with respect to the external device, tilted with respect to the external device, or risen at an angle, and the optical semiconductor element is soldered. In some cases, it could not be properly mounted on an external device.

特開２０１１−１５１０６９号公報JP 2011-151069 A

本発明の課題は、光半導体装置を半田によって適正に外部機器に実装することができるリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体を提供することである。   An object of the present invention is to provide a lead frame, a lead frame with a resin, a multi-sided body of a lead frame, a multi-sided body of a lead frame with a resin, an optical semiconductor device, an optical semiconductor device that can be appropriately mounted on an external device by soldering, It is to provide a multifaceted body of an optical semiconductor device.

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。   The present invention solves the above problems by the following means. In addition, in order to make an understanding easy, although the code | symbol corresponding to embodiment of this invention is attached | subjected and demonstrated, it is not limited to this. In addition, the configuration described with reference numerals may be improved as appropriate, or at least a part thereof may be replaced with another configuration.

第１の発明は、裏面に外部機器と接続される外部端子面を有する複数の端子部（１１、１２）を備え、前記端子部のうち少なくとも１つの表面に光半導体素子（２）が接続される光半導体装置（１）に用いられるリードフレーム（１０）において、前記端子部のうち少なくとも１つは、その裏面に溝部（Ｄ）を備え、前記外部端子面が複数に分割されていること、を特徴とするリードフレームである。
第２の発明は、第１の発明のリードフレーム（１０）において、前記溝部（Ｄ）は、複数の前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも前記外部端子面が他の端子部の前記外部端子面よりも広い端子部に対して設けられること、を特徴とするリードフレームである。
第３の発明は、第２の発明のリードフレーム（１０）において、前記溝部（Ｄ）によって分割された前記外部端子面（１１ｂ）のうち少なくとも１つの外形は、前記他の端子部（１２）の前記外部端子面（１２ｂ）の外形と同等に形成されること、を特徴とするリードフレームである。
第４の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかのリードフレーム（１０）において、前記溝部（Ｄ）によって分割された前記外部端子面（１１ｂ）は、それぞれの外形が同等の大きさに形成されること、を特徴とするリードフレームである。 1st invention is equipped with the several terminal part (11, 12) which has an external terminal surface connected with an external apparatus in a back surface, and an optical semiconductor element (2) is connected to at least one surface among the said terminal parts. In the lead frame (10) used in the optical semiconductor device (1), at least one of the terminal portions includes a groove (D) on the back surface thereof, and the external terminal surface is divided into a plurality of portions. Is a lead frame characterized by
According to a second aspect of the present invention, in the lead frame (10) according to the first aspect, the groove (D) includes at least the external terminal surface of the plurality of terminal portions (11, 12). The lead frame is provided for a terminal portion wider than the terminal surface.
According to a third aspect of the present invention, in the lead frame (10) of the second aspect, at least one outer shape of the external terminal surface (11b) divided by the groove (D) is the other terminal portion (12). The lead frame is formed to have the same outer shape as the external terminal surface (12b).
According to a fourth invention, in the lead frame (10) from the first invention to the third invention, the external terminal surface (11b) divided by the groove (D) has the same outer shape. The lead frame is characterized in that it is formed in a size of.

第５の発明は、第１の発明から第４の発明までのいずれかのリードフレーム（１０）と、前記リードフレームの前記端子部（１１、１２）の外周及び前記溝部（Ｄ）に形成され、また、前記リードフレームの前記光半導体素子（２）が接続される側の面に突出して形成される樹脂層（２０）とを備えること、を特徴とする樹脂付きリードフレームである。   The fifth invention is formed in any one of the lead frame (10) from the first invention to the fourth invention, the outer periphery of the terminal portion (11, 12) of the lead frame, and the groove portion (D). And a resin layer (20) formed to project from a surface of the lead frame on a side to which the optical semiconductor element (2) is connected.

第６の発明は、第１の発明から第４の発明までのいずれかのリードフレーム（１０）が枠体（Ｆ）に多面付けされていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体（Ｒ）である。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a lead frame multi-faced body characterized in that any one of the lead frames (10) from the first aspect to the fourth aspect of the invention is multi-faced to the frame body (F). R).

第７の発明は、第５の発明の樹脂付きリードフレームが多面付けされていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）である。   The seventh aspect of the present invention is a multi-faced body (R) for a lead frame with resin, wherein the lead frame with resin of the fifth aspect is multi-faced.

第８の発明は、第５の発明の樹脂付きリードフレームと、前記樹脂付きリードフレームの前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも一つの表面に接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付きリードフレームの表面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）とを備えること、を特徴とする光半導体装置（１）である。   The eighth invention is the lead frame with resin of the fifth invention, the optical semiconductor element (2) connected to at least one surface of the terminal portions (11, 12) of the lead frame with resin, An optical semiconductor device (1) comprising: a transparent resin layer (30) formed on a surface of a lead frame with resin and covering the optical semiconductor element.

第９の発明は、第８の発明の光半導体装置（１）が多面付けされていること、を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。   A ninth aspect of the invention is a multi-faced body of an optical semiconductor device characterized in that the optical semiconductor device (1) of the eighth aspect is multi-faced.

本発明によれば、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体は、半田によって適正に外部機器に実装することができる。   According to the present invention, a lead frame, a lead frame with a resin, a multi-sided body of a lead frame, a multi-sided body of a lead frame with a resin, an optical semiconductor device, and a multi-sided body of an optical semiconductor device are appropriately attached to external devices by soldering. Can be implemented.

第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to a first embodiment. 第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body MS of the lead frame of 1st Embodiment. 第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the lead frame 10 of 1st Embodiment. 第１実施形態の樹脂付きリードフレームの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the lead frame with resin of 1st Embodiment. 第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of 1st Embodiment. 第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ及び光半導体装置１の多面付け体を示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body R of the lead frame with resin of 1st Embodiment, and the multi-faced body of the optical semiconductor device 1. FIG. 第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the optical semiconductor device 1 of 1st Embodiment. トランスファ成形の概略を説明する図である。It is a figure explaining the outline of transfer molding. インジェクション成形の概略を説明する図である。It is a figure explaining the outline of injection molding. 第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 2nd Embodiment. 第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳ、樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒ、光半導体装置を説明する図である。It is a figure explaining the multifaceted body MS of the lead frame of 3rd Embodiment, the multifaceted body R of the lead frame with resin, and the optical semiconductor device. 第４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳ、樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒ、光半導体装置を説明する図である。It is a figure explaining the multi-faced body MS of the lead frame of 4th Embodiment, the multi-faced body R of the lead frame with resin, and the optical semiconductor device. 変形形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body of the optical semiconductor device of a deformation | transformation form.

（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。
図３は、第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれリードフレーム１０の平面図、裏面図を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ図３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図４は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの詳細を説明する図である。
図４（ａ）、図４（ｂ）は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図４（ｃ）、図４（ｄ）は、それぞれ図４（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図を示す。
各図において、光半導体装置１の平面図における左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向、厚み方向をＺ方向とする。 (First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings and the like.
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
FIG. 1A shows a plan view of the optical semiconductor device 1, FIG. 1B shows a side view of the optical semiconductor device 1, and FIG. 1C shows a back view of the optical semiconductor device 1. .
FIG. 2 is a view showing the multi-faced body MS of the lead frame of the first embodiment.
FIG. 3 is a diagram for explaining the details of the lead frame 10 of the first embodiment.
3A and 3B are a plan view and a back view, respectively, of the lead frame 10, and FIGS. 3C and 3D are cc cross sections in FIG. 3A, respectively. The figure and dd sectional drawing are shown.
FIG. 4 is a diagram for explaining details of the lead frame with resin on which the light reflecting resin layer 20 of the first embodiment is formed.
4 (a) and 4 (b) respectively show a plan view and a back view of the multi-faced body R of the lead frame with resin, and FIGS. 4 (c) and 4 (d) respectively show FIG. The cc sectional view of a) and the dd sectional view are shown.
In each figure, the horizontal direction in the plan view of the optical semiconductor device 1 is the X direction, the vertical direction is the Y direction, and the thickness direction is the Z direction.

光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（リードフレームの多面付け体ＭＳ、図２参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ（図４参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。 The optical semiconductor device 1 is an illumination device in which the mounted LED element 2 emits light when attached to a substrate such as an external device. As shown in FIG. 1, the optical semiconductor device 1 includes an LED element 2 (optical semiconductor element), a lead frame 10, a light reflecting resin layer 20 (resin layer), and a transparent resin layer 30.
In the optical semiconductor device 1, the light reflecting resin layer 20 is formed on the multi-sided lead frame 10 (lead-frame multi-sided body MS, see FIG. 2) to form a multi-sided body R of the lead frame with resin (see FIG. 4). Is manufactured by electrically connecting the LED elements 2, forming the transparent resin layer 30, and cutting (dicing) into package units (details will be described later).
The LED element 2 is an LED (light emitting diode) element generally used as a light emitting layer. For example, a compound semiconductor single crystal such as GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, and AlInGaP, or various GaN compound semiconductor single elements such as InGaN are used. By appropriately selecting a material made of crystals, an emission wavelength ranging from ultraviolet light to infrared light can be selected.

リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、図３に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅版）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。 The lead frame 10 includes a pair of terminal portions, that is, a terminal portion 11 on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal portion 12 connected to the LED element 2 through a bonding wire 2a.
Each of the terminal portions 11 and 12 is formed of a conductive material, for example, copper, a copper alloy, 42 alloy (Ni 40.5% to 43% Fe alloy), etc. In this embodiment, heat conduction and It is formed from a copper alloy from the viewpoint of strength.
As shown in FIG. 3, the terminal portions 11 and 12 have a gap S formed between sides facing each other, and are electrically independent. Since the terminal portions 11 and 12 are formed by pressing or etching a single metal substrate (copper plate), the thicknesses of both are the same.

端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図５（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。 As shown in FIG. 1, the terminal portion 11 has an LED terminal surface 11a on which the LED element 2 is mounted and connected on the surface thereof, and an external terminal surface 11b mounted on an external device on the back surface. The so-called die pad is formed. Since the LED element 2 is placed on the terminal portion 11, the outer shape of the terminal portion 11 is larger than that of the terminal portion 12.
The terminal portion 12 has an LED terminal surface 12a connected to the bonding wire 2a of the LED element 2 formed on the surface thereof, and an external terminal surface 12b mounted on an external device formed on the back surface of the terminal portion 12 so-called lead side. Configure the terminal part.
As for the terminal parts 11 and 12, the plating layer C is formed in the surface and the back surface (refer FIG.5 (e)), and the plating layer C of the surface side is a reflection layer which reflects the light which LED element 2 emits. The plating layer C on the back side has a function of improving the solderability when mounted on an external device.

端子部１１には、図３に示すように、裏面に溝部Ｄが形成されており、裏面の外部端子面が均等に３つに分割され外部端子面１１ｂを形成している。
溝部Ｄは、上下方向Ｙ（端子部１１、１２の配列方向に直交する方向）に沿って２本設けられており、その溝の深さは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。溝Ｄによって分割された各外部端子面１１ｂは、端子部１２の外部端子面１２ｂの外形とほぼ同等に形成される。 As shown in FIG. 3, the terminal portion 11 has a groove portion D formed on the back surface, and the external terminal surface on the back surface is equally divided into three to form an external terminal surface 11b.
Two groove portions D are provided along the vertical direction Y (a direction orthogonal to the arrangement direction of the terminal portions 11 and 12), and the depth of the groove is 1/3 of the thickness of the terminal portions 11 and 12. It is formed in about 2/3. Each external terminal surface 11b divided by the groove D is formed to be approximately equal to the external shape of the external terminal surface 12b of the terminal portion 12.

ここで、端子部１１に溝部Ｄが形成されていない場合、端子部１１は、その裏面に設けられた凹部Ｍ（後述する）の内側の全領域が外部端子面となるため、その外部端子面は、端子部１２の外部端子面１２ｂに比べて広くなり、両者の外部端子面の面積には差異がある。この差異は、光半導体装置を外部機器に対して半田を溶着させて実装する場合に、各端子面の半田の表面張力の差によって、光半導体装置が狭い端子面側から広い端子面側に向かって引っぱられてしまう現象を生じさせてしまう場合があった。この現象により、光半導体装置は、外部機器に対して正確に位置を定めることができなかったり、外部機器に対して傾いたり、斜めになって起き上がってしまったりしてしまい、適正に外部機器に実装することができない場合があった。
そのため、本実施形態のリードフレーム１０は、端子部１１の裏面を溝Ｄによって分割して外部端子面１１ｂとし、そのそれぞれの外形が端子部１２の外部端子面１２ｂの外形と同等になるように形成されている。そのため、外部端子面の広さの差異により生じる表面張力の差を低減させることができ、光半導体装置１を外部機器に適正に実装することができる。 Here, when the groove part D is not formed in the terminal part 11, the terminal part 11 has its external terminal surface because the entire area inside the recess M (described later) provided on the back surface thereof is the external terminal surface. Is wider than the external terminal surface 12b of the terminal part 12, and there is a difference in the area of both external terminal surfaces. This difference is that when the optical semiconductor device is mounted by welding solder to an external device, the optical semiconductor device moves from the narrow terminal surface side to the wide terminal surface side due to the difference in the surface tension of the solder on each terminal surface. In some cases, this causes a phenomenon of being pulled. Due to this phenomenon, the optical semiconductor device cannot be accurately positioned with respect to the external device, tilted with respect to the external device, or tilted up and risen up properly. In some cases, it could not be implemented.
Therefore, in the lead frame 10 of the present embodiment, the back surface of the terminal portion 11 is divided by the groove D to form the external terminal surface 11b, and the external shape of each is equal to the external shape of the external terminal surface 12b of the terminal portion 12. Is formed. Therefore, the difference in surface tension caused by the difference in the width of the external terminal surface can be reduced, and the optical semiconductor device 1 can be properly mounted on the external device.

また、リードフレーム１０は、端子部１１の外部端子面を溝部Ｄにより分割することによって、光半導体装置１と外部機器とを接続する半田内に発生するボイドを抑制する。
これは、通常、各端子部の外部端子面を接続させる外部機器の接続パッド部には、半田クリームが予め塗布されており、その半田クリームを加熱溶融させて、又は、加熱溶融させながら光半導体素子１を外部機器に実装している。この半田クリームは、加熱溶融の際に、半田クリームに含まれるヤニ（フラックス）から気泡を発生するが、端子面の面積が広い場合、発生する気泡が多くなり、気泡が抜けるのに時間を要し、また、気泡が抜ける前に半田が硬化するとボイドの発生の要因となり、光半導体装置と外部機器との溶着不良の原因となる場合がある。
そのため、本実施形態では、端子部１１のように広い外部端子面に対しては、溝部Ｄにより分割して狭い外部端子面１１ｂを形成しているので、上記気泡の発生量を低減するとともに、硬化した半田にボイドが生じてしまうのを抑制することができる。これにより、外部端子面を分割しない場合に比べ、リードフレーム１０は、光半導体装置と外部機器との溶着不良を回避することができる。 Further, the lead frame 10 divides the external terminal surface of the terminal portion 11 by the groove portion D, thereby suppressing voids generated in the solder connecting the optical semiconductor device 1 and the external device.
This is because solder cream is usually applied to the connection pad portion of an external device that connects the external terminal surfaces of each terminal portion, and the optical semiconductor is heated and melted while the solder cream is heated and melted. Element 1 is mounted on an external device. This solder cream generates bubbles from the spear (flux) contained in the solder cream when it is melted by heating. However, if the area of the terminal surface is large, more bubbles are generated and it takes time for the bubbles to escape. In addition, if the solder is hardened before the bubbles are removed, it may cause voids and may cause poor welding between the optical semiconductor device and the external device.
For this reason, in the present embodiment, a wide external terminal surface such as the terminal portion 11 is divided by the groove portion D to form a narrow external terminal surface 11b. It can suppress that a void will arise in the hardened solder. Thereby, compared with the case where the external terminal surface is not divided, the lead frame 10 can avoid poor welding between the optical semiconductor device and the external device.

また、端子部１１、１２は、図３に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。
リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間の空隙部Ｓ等に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図４に示すように、凹部Ｍや、上述の溝部Ｄにも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくしている。また、厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを交互に構成することができる。これにより、凹部Ｍ及び溝部Ｄは、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。 Moreover, as shown in FIG. 3, the terminal parts 11 and 12 are provided with the recessed part M which becomes thin at the outer peripheral part of each back surface side.
The recess M is a recess formed in the outer peripheral portion of each of the terminal portions 11 and 12 when viewed from the back side of the lead frame 10, and the thickness of the recess is 1/3 to 2 of the thickness of the terminal portions 11 and 12. / 3 or so.
As shown in FIG. 4, when the lead frame 10 is filled with the resin that forms the light reflecting resin layer 20 around the terminal portions 11 and 12 or in the gap S between the terminal portions 11 and 12, as shown in FIG. The recess M and the above-described groove portion D are also filled with resin, and the contact area between the light reflecting resin layer 20 and each of the terminal portions 11 and 12 is increased. Further, the lead frames 10 and the light reflecting resin layers 20 can be alternately configured in the thickness (Z) direction. Thereby, the recessed part M and the groove part D can suppress that the light reflection resin layer 20 peels from the lead frame 10 in a plane direction (X direction, Y direction) and a thickness direction.

連結部１３は、枠体Ｆ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部１１、１２を、隣接する他のリードフレーム１０の端子部や、枠体Ｆに連結している。連結部１３は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置１の多面付け体（図６参照）が形成された場合に、リードフレーム１０を形成する外形線（図３（ａ）及び図３（ｂ）中の破線）でダイシング（切断）される。
連結部１３は、端子部１１、１２を形成する各辺のうち、同一リードフレーム１０内の端子部１１と端子部１２とが対向する辺を除いた辺に形成されている。 The connecting portion 13 connects the terminal portions 11 and 12 of each lead frame 10 multifaceted in the frame F to the terminal portions of other adjacent lead frames 10 and the frame F. The connecting portion 13 has an outer shape that forms the lead frame 10 when the LED element 2 or the like is mounted on each of the multiple lead frames 10 and a multi-faced body (see FIG. 6) of the optical semiconductor device 1 is formed. Dicing (cutting) is performed along a line (broken line in FIGS. 3A and 3B).
The connecting portion 13 is formed on each side forming the terminal portions 11 and 12 excluding the side where the terminal portion 11 and the terminal portion 12 in the same lead frame 10 face each other.

具体的には、連結部１３ａは、図２に示すように、端子部１２の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の左（−Ｘ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の右側の辺とを接続している。枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ａは、端子部１１の左側の辺又は端子部１２の右側の辺と、枠体Ｆとを接続している。   Specifically, as shown in FIG. 2, the connecting portion 13 a is formed on the right (+ X) side of the terminal portion 12 and the left (−X) side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the right side. Also, the left side of the terminal part 11 and the right side of the terminal part 12 of another lead frame 10 adjacent to the left side are connected. For the terminal portions 11 and 12 adjacent to the frame body F, the connecting portion 13a connects the frame body F with the left side of the terminal portion 11 or the right side of the terminal portion 12.

連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１１に対しては、連結部１３ｂは、端子部１１の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１２に対しては、連結部１３ｃは、端子部１２の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。 The connecting portion 13 b connects the upper (+ Y) side of the terminal portion 11 and the lower (−Y) side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the terminal portion 11. The lower side is connected to the upper side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the lower side. For the terminal portion 11 adjacent to the frame F, the connecting portion 13b connects the frame F with the upper or lower side of the terminal portion 11.
The connecting portion 13c connects the upper side of the terminal portion 12 and the lower side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the lower side and the lower side of the terminal portion 12 The upper side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the side is connected. For the terminal portion 12 adjacent to the frame F, the connecting portion 13 c connects the frame F with the upper or lower side of the terminal portion 12.

連結部１３ｄ（補強部）は、端子部１１及び端子部１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして形成される。ここで、空隙部Ｓの延長上とは、空隙部Ｓを上下（Ｙ）方向に延長させた領域をいう。本実施形態では、連結部１３ｄは、一の端子部（１２、１１）と、その端子部の空隙部Ｓを挟んだ対向する側に位置し、上又は下に隣接する他のリードフレームの端子部（１１、１２）とを連結するために、端子部１１の上側の辺及び端子部１２の下側の辺に対して、傾斜（例えば、４５度）した形状に形成される。
具体的には、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。また、枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺又は端子部１１の下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。 The connecting portion 13 d (reinforcing portion) is formed so as to cross over the extension of the gap S between the terminal portion 11 and the terminal portion 12. Here, “on the extension of the gap S” means a region where the gap S is extended in the vertical (Y) direction. In the present embodiment, the connecting portion 13d is located on the opposite side of the terminal portion (12, 11) and the gap S between the terminal portions, and is adjacent to the upper or lower lead frame. In order to connect the parts (11, 12), it is formed in a shape that is inclined (for example, 45 degrees) with respect to the upper side of the terminal part 11 and the lower side of the terminal part 12.
Specifically, the connecting part 13d connects the upper side of the terminal part 12 and the lower side of the terminal part 11 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the lower side of the terminal part 11 Are connected to the upper side of the terminal portion 12 of the other lead frame 10 adjacent to the lower side. For the terminal portions 11 and 12 adjacent to the frame F, the connecting portion 13d connects the frame F with the upper side of the terminal portion 12 or the lower side of the terminal portion 11. .

連結部１３ｄが設けられることによって、リードフレームの多面付け体ＭＳは、光反射樹脂層２０を形成する工程において、端子部１１と端子部１２との間隔がずれたり、各端子部１１、１２が枠体Ｆに対して捩れたりするのを抑制することができる。また、連結部１３ｄは、光半導体装置１の空隙部Ｓの強度を向上させることができ、空隙部Ｓにおいて破損してしまうのを抑制することができる。   By providing the connecting portion 13d, in the step of forming the light reflecting resin layer 20, the multifaceted body MS of the lead frame has a gap between the terminal portion 11 and the terminal portion 12 or the terminal portions 11 and 12 are connected to each other. It is possible to suppress twisting with respect to the frame F. Moreover, the connection part 13d can improve the intensity | strength of the space | gap part S of the optical semiconductor device 1, and can suppress damaging in the space | gap part S. FIG.

なお、端子部１１、１２は、連結部１３によって、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１１、１２と電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１（リードフレーム１０）の外形（図２中の破線）に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング等）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。   The terminal portions 11 and 12 are electrically connected to the terminal portions 11 and 12 of the other adjacent lead frames 10 by the connecting portion 13. However, after the multifaceted body of the optical semiconductor device 1 is formed, Insulation is performed by cutting (dicing or the like) each connecting portion 13 in accordance with the outer shape (broken line in FIG. 2) of the semiconductor device 1 (lead frame 10). Moreover, when it divides into pieces, each piece can be made into the same shape.

連結部１３は、図３（ｂ）、図３（ｃ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の凹部Ｍの底面（窪んだ部分）と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図４（ｂ）、図４（ｃ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図４（ｂ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。 As shown in FIGS. 3B and 3C, the connecting portion 13 is thinner than the terminal portions 11 and 12, and the surface thereof is formed in the same plane as the surfaces of the terminal portions 11 and 12. Has been. Specifically, the back surface of the connecting portion 13 is formed in substantially the same plane as the bottom surface (recessed portion) of the concave portion M of each terminal portion 11, 12. Thereby, when the resin of the light reflection resin layer 20 is filled, as shown in FIG. 4B and FIG. 4C, the resin also flows into the back surface of the connecting portion 13, and the light reflection resin layer 20 is The peeling from the lead frame 10 can be suppressed.
Further, as shown in FIG. 4B, rectangular external terminal surfaces 11 b and 12 b are exposed on the back surface of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed. In addition to being able to improve the appearance, when mounting on the board with solder, solder printing on the board side is easy, solder is evenly applied, and the generation of voids in the solder after reflow is suppressed. Can be. In addition, since it is axisymmetric with respect to the center line in the plane of the optical semiconductor device 1 (in the XY plane), the reliability against thermal stress and the like can be improved.

光反射樹脂層２０は、図４に示すように、各端子部１１、１２の外周側面（リードフレーム１０の外周及び各端子部間の空隙部Ｓ）と、各端子部に設けられた凹部Ｍと、端子部１１に設けられた溝部Ｄと、連結部１３の裏面とに充填された樹脂の層である。
また、光反射樹脂層２０には、リードフレーム１０の表面（ＬＥＤ素子２が載置される側の面）に、ＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタ２０ａが形成されている。リフレクタ２０ａは、端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、リードフレーム１０の表面側に突出しており、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置１から光を効率よく照射させる。リフレクタ２０ａは、その厚み（高さ）寸法が、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。
なお、光反射樹脂層２０の裏面は、端子部１１、１２の外部端子面１１ｂ、１２ｂと略同一平面を形成する。これにより、光半導体装置１の製造過程において、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、その裏面が平坦となるので、特殊な固定治具を必要とすることなく、搬送装置等に載置することができる。 As shown in FIG. 4, the light reflecting resin layer 20 includes outer peripheral side surfaces of the terminal portions 11 and 12 (the outer periphery of the lead frame 10 and the space S between the terminal portions), and a recess M provided in each terminal portion. And a resin layer filled in the groove portion D provided in the terminal portion 11 and the back surface of the connecting portion 13.
The light reflecting resin layer 20 is formed with a reflector 20a on the surface of the lead frame 10 (the surface on which the LED element 2 is placed) for controlling the direction of light emitted from the LED element 2 and the like. . The reflector 20a protrudes on the surface side of the lead frame 10 so as to surround the LED terminal surfaces 11a and 12a of the terminal portions 11 and 12, and reflects the light emitted from the LED element 2 connected to the LED terminal surface 11a. Then, light is efficiently emitted from the optical semiconductor device 1. The reflector 20a is formed with a thickness (height) dimension larger than the thickness dimension of the LED element 2 connected to the LED terminal surface 11a.
The back surface of the light reflecting resin layer 20 forms substantially the same plane as the external terminal surfaces 11b and 12b of the terminal portions 11 and 12. Thereby, in the manufacturing process of the optical semiconductor device 1, the multi-faced body R of the lead frame with resin becomes flat on the back surface, so that it is placed on the transport device or the like without requiring a special fixing jig. be able to.

ここで、リードフレーム１０は銅などの金属により形成され、光反射樹脂層２０は熱硬化性樹脂等の樹脂により形成され、また、両者の材料の線膨張率には差がある。リードフレーム１０は、上述したように表面側にリフレクタ２０ａが形成されることから裏面側に比べ表面側に樹脂が多く形成される。そのため、仮に、溝部Ｄが形成されていない場合、この樹脂の硬化過程において、上記線膨張率の差によって樹脂付きリードフレーム（光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム）に反りが発生してしまうこととなる。   Here, the lead frame 10 is formed of a metal such as copper, the light reflecting resin layer 20 is formed of a resin such as a thermosetting resin, and the linear expansion coefficients of the two materials are different. Since the lead frame 10 is formed with the reflector 20a on the front surface side as described above, more resin is formed on the front surface side than on the back surface side. For this reason, if the groove D is not formed, the resin-made lead frame (lead frame on which the light-reflecting resin layer 20 is formed) is warped due to the difference in linear expansion coefficient during the resin curing process. It will end up.

上記反りの発生を抑制するために、光反射樹脂層２０の樹脂中に特定のフィラー（粉末）を含有させて線膨張率を、リードフレーム１０の金属に近づけることも可能である。しかし、光反射樹脂層２０の光反射特性を維持するために、フィラーの含有量は制限されてしまい、樹脂の線膨張率を十分に金属に近づけられない場合がある。また、樹脂に熱可塑性樹脂を使用した場合は、線膨張率の調整自体をすることができない。
そのため、本実施形態では、端子部１１の裏面に溝部Ｄを設け、その溝部Ｄにも光反射樹脂層２０を形成させることによって、リードフレーム１０の表面及び裏面に形成される樹脂の量を均等または略均等にする。これにより、本実施形態の樹脂付きリードフレームは、樹脂の硬化過程において、上述の反りが発生してしまうのを抑制することができる。 In order to suppress the occurrence of the warp, a specific filler (powder) may be included in the resin of the light reflecting resin layer 20 so that the linear expansion coefficient is close to that of the metal of the lead frame 10. However, in order to maintain the light reflection characteristics of the light reflecting resin layer 20, the filler content is limited, and the linear expansion coefficient of the resin may not be sufficiently close to that of the metal. Further, when a thermoplastic resin is used as the resin, the linear expansion coefficient cannot be adjusted itself.
Therefore, in this embodiment, by providing the groove portion D on the back surface of the terminal portion 11 and forming the light reflecting resin layer 20 on the groove portion D, the amount of resin formed on the front surface and the back surface of the lead frame 10 is equalized. Or make it approximately equal. Thereby, the lead frame with a resin of this embodiment can suppress that the above-mentioned curvature will occur in the hardening process of resin.

光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。 The light reflecting resin layer 20 is made of a thermoplastic resin having a light reflecting property or a thermosetting resin in order to reflect light emitted from the LED element 2 placed on the lead frame 10.
The resin forming the light reflecting resin layer 20 has high fluidity when the resin is formed with respect to the resin filling in the recessed portion, and the adhesiveness at the recessed portion is easy to introduce a reactive group into the molecule. Since it is necessary to obtain chemical adhesion with the lead frame, a thermosetting resin is desirable.
For example, as the thermoplastic resin, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, polyolefin, or the like can be used.
As the thermosetting resin, silicone, epoxy, polyetherimide, polyurethane, polybutylene acrylate, or the like can be used.
Furthermore, the reflectance of light can be increased by adding any of titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride, and boron nitride as a light reflecting material to these resins.
Moreover, after molding a thermoplastic resin such as polyolefin, a so-called electron beam curable resin using a method of crosslinking by irradiation with an electron beam may be used.

透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層３０は、図１に示すように、光反射樹脂層２０のリフレクタ樹脂部２０ｂによって囲まれたＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ上に形成される。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。 The transparent resin layer 30 is a transparent or substantially transparent resin layer provided to protect the LED element 2 placed on the lead frame 10 and transmit the emitted light of the LED element 2 to the outside. It is. As illustrated in FIG. 1, the transparent resin layer 30 is formed on the LED terminal surfaces 11 a and 12 a surrounded by the reflector resin portion 20 b of the light reflecting resin layer 20.
For the transparent resin layer 30, it is desirable to select a material having a high light transmittance and a high refractive index at the emission wavelength of the LED element 2 in order to improve the light extraction efficiency. For example, an epoxy resin or a silicone resin can be selected as a resin that satisfies the properties of high heat resistance, light resistance, and mechanical strength. In particular, when a high-brightness LED element is used for the LED element 2, the transparent resin layer 30 is preferably made of a silicone resin having high light resistance because it is exposed to strong light. Moreover, a phosphor for wavelength conversion may be used, or it may be dispersed in a transparent resin.

次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図５は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図５（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図５（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図５（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図５（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図５（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図５においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００からリードフレームの多面付け体ＭＳが製造される。 Next, a method for manufacturing the lead frame 10 will be described.
FIG. 5 is a diagram for explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of the first embodiment.
FIG. 5A shows a plan view showing a metal substrate 100 on which a resist pattern is formed, and an aa cross-sectional view of the plan view. FIG. 5B shows the metal substrate 100 that has been etched. FIG.5 (c) is a figure which shows the metal substrate 100 after an etching process. FIG. 5D shows the metal substrate 100 from which the resist pattern has been removed. FIG. 5E shows the metal substrate 100 that has been subjected to plating.
In FIG. 5, the manufacturing process of one lead frame 10 is illustrated, but actually, a multi-faced body MS of the lead frame is manufactured from one metal substrate 100.

リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。   In the manufacture of the lead frame 10, the metal substrate 100 is processed to form the lead frame 10. The processing may be press processing, but an etching process that easily forms a thin portion is desirable. Below, the manufacturing method of the lead frame 10 by an etching process is demonstrated.

まず、平板状の金属基板１００を用意し、図５（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図５（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。 First, a flat metal substrate 100 is prepared, and as shown in FIG. 5A, resist patterns 40a and 40b are formed on portions of the front and back surfaces that are not etched. The material and the formation method of the resist patterns 40a and 40b use a conventionally known technique as an etching resist.
Next, as shown in FIG. 5B, the metal substrate 100 is etched with a corrosive liquid using the resist patterns 40a and 40b as etching resistant films. The corrosive liquid can be appropriately selected according to the material of the metal substrate 100 to be used. In this embodiment, since a copper plate is used as the metal substrate 100, an aqueous ferric chloride solution can be used and spray etching can be performed from both surfaces of the metal substrate 100.

ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓのように貫通した空間と、凹部Ｍや、溝部Ｄ、連結部１３の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図３参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図５（ｃ）に示すように、凹部Ｍや、溝部Ｄが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。 Here, in the lead frame 10, the outer peripheries of the terminal portions 11, 12, a space penetrating like the gap portion S between the terminal portions 11, 12, the concave portion M, the groove portion D, and the back surface of the connecting portion 13. There is a recessed space where the thickness is reduced without penetrating (see FIG. 3). In the present embodiment, a so-called half-etching process that etches up to about half the plate thickness of the metal substrate 100 is performed, and a resist pattern is not formed on both surfaces of the metal substrate 100 in the penetrating space. Etching is performed from both sides of the substrate 100 to form a penetrating space. For the recessed space, a resist pattern is formed only on the surface opposite to the side where the thickness is reduced, and only the surface without the resist pattern is etched to form a recessed space.
As shown in FIG. 5C, terminal portions 11 and 12 having recesses M and grooves D are formed on the metal substrate 100 by the etching process, and the lead frame 10 is formed on the metal substrate 100. .

次に、図５（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。
そして、図５（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２及び図３に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。なお、図２及び図３において、めっき層Ｃは省略されている。 Next, as shown in FIG. 5D, the resist pattern 40 is removed from the metal substrate 100 (lead frame 10).
Then, as shown in FIG. 5 (e), the metal substrate 100 on which the lead frame 10 is formed is plated to form a plating layer C on the terminal portions 11 and 12. The plating process is performed, for example, by performing electroplating using a silver plating solution containing silver cyanide as a main component.
In addition, before forming the plating layer C, for example, an electrolytic degreasing process, a pickling process, and a copper strike process may be selected as appropriate, and then the plating layer C may be formed through an electrolytic plating process.
As described above, the lead frame 10 is manufactured in a state of being multifaceted to the frame body F as shown in FIGS. In FIGS. 2 and 3, the plating layer C is omitted.

次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図６は、第１実施形態の樹脂付きフレームの多面付け体及び光半導体装置の多面付け体を示す図である。
図７は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図７（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図７（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｄ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
なお、図７においては、１枚のリードフレーム１０から１個の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚のリードフレームの多面付け体ＭＳから複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図７（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図５（ａ）の断面図に基づくものである。 Next, a method for manufacturing the optical semiconductor device 1 will be described.
FIG. 6 is a diagram illustrating a multi-faceted body of a frame with resin and a multi-faceted body of an optical semiconductor device according to the first embodiment.
FIG. 7 is a diagram illustrating a manufacturing process of the optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
7A is a cross-sectional view of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed, and FIG. 7B is a cross-sectional view of the lead frame 10 to which the LED elements 2 are electrically connected. . FIG. 7C shows a cross-sectional view of the lead frame 10 on which the transparent resin layer 30 is formed. FIG. 7D shows a cross-sectional view of the optical semiconductor device 1 singulated by dicing.
In FIG. 7, the manufacturing process of one optical semiconductor device 1 from one lead frame 10 is illustrated, but actually, a plurality of optical semiconductor devices 1 are formed from a multifaceted body MS of one lead frame. Shall be manufactured. 7A to 7D are based on the cross-sectional view of FIG.

図７（ａ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形（射出成形）のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から凹部Ｍや、溝部Ｄ、連結部１３の裏面へと流れ込み、リードフレーム１０と接合する。
また、これと同時に、リフレクタ２０ａが、リードフレーム１０の表面側に突出して、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして形成される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、その表面及び裏面に、それぞれ、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出した状態となる（図４（ａ）、図４（ｂ）参照）。
以上により、図６（ａ）に示すように、多面付けされた樹脂付きリードフレーム（樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ）が作製される。 As shown in FIG. 7A, the light reflecting resin layer 20 is formed by filling the outer periphery of the lead frame 10 formed by etching on the metal substrate 100 with the resin having the above-described light reflection characteristics. The light reflecting resin layer 20 is formed by inserting a lead frame 10 (metal substrate 100) into a resin molding die and injecting resin, for example, transfer molding or injection molding (injection molding), or lead frame 10 It is formed by a method such as screen printing of resin. At this time, the resin flows from the outer peripheral side of each of the terminal portions 11 and 12 into the concave portion M, the groove portion D, and the back surface of the connecting portion 13 and is joined to the lead frame 10.
At the same time, the reflector 20a is formed so as to protrude to the surface side of the lead frame 10 and surround the LED terminal surfaces 11a and 12a of the terminal portions 11 and 12, respectively. Thereby, the multi-faced body R of the lead frame with resin is in a state in which the LED terminal surfaces 11a and 12a and the external terminal surfaces 11b and 12b of the terminal portions 11 and 12 are exposed on the front and back surfaces, respectively. (See FIG. 4 (a) and FIG. 4 (b)).
In this way, as shown in FIG. 6A, a multi-sided lead frame with resin (multi-sided surface R of the lead frame with resin) is manufactured.

次に、図７（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ここで、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子２に複数のボンディングワイヤ２ａが接続されてもよく、ボンディングワイヤ２ａをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。   Next, as shown in FIG. 7B, the LED element 2 is placed on the LED terminal surface 11 a of the terminal portion 11 via a heat-dissipating adhesive such as die attach paste or solder, and the terminal portion 12. The LED element 2 is electrically connected to the LED terminal surface 12a via the bonding wire 2a. Here, there may be a plurality of LED elements 2 and bonding wires 2a, a plurality of bonding wires 2a may be connected to one LED element 2, or the bonding wires 2a may be connected to a die pad. Moreover, you may electrically connect the LED element 2 by a mounting surface. Here, the bonding wire 2a is made of a material having good conductivity such as gold (Au), copper (Cu), silver (Ag), and the like.

そして、図７（ｃ）に示すように、リフレクタ樹脂部２０ｂに囲まれたＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。
透明樹脂層３０は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図６（ｂ）に示すような光半導体装置の多面付け体が製造される。
最後に、図７（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。 And as shown in FIG.7 (c), the transparent resin layer 30 is formed so that the LED element 2 enclosed by the reflector resin part 20b may be covered.
The transparent resin layer 30 may have an optical function such as a lens shape and a refractive index gradient in addition to a flat shape. In this way, the multi-faced body of the optical semiconductor device as shown in FIG. 6B is manufactured.
Finally, as shown in FIG. 7D, the connecting portion 13 of the lead frame 10 is cut (dicing, punching, cutting) together with the light reflecting resin layer 20 and the transparent resin layer 30 in accordance with the outer shape of the optical semiconductor device 1. Etc.) to obtain the optical semiconductor device 1 (see FIG. 1) separated (divided into one package).

次に、上述の図７（ａ）におけるリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成するトランスファ成形及びインジェクション成形について説明する。
図８は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図８（ａ）は、金型の構成を説明する図であり、図８（ｂ）〜図８（ｉ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
図９は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図９（ａ）〜図９（ｃ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図８及び図９において、説明を明確にするために、リードフレーム１０の単体に対して光反射樹脂層２０が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して光反射樹脂層２０が形成される。 Next, transfer molding and injection molding for forming the light reflecting resin layer 20 on the lead frame 10 in FIG. 7A will be described.
FIG. 8 is a diagram for explaining the outline of transfer molding. FIG. 8A is a diagram for explaining the configuration of the mold, and FIGS. 8B to 8I are diagrams for explaining the steps until the multi-faced body R of the lead frame with resin is completed. It is.
FIG. 9 is a diagram for explaining the outline of injection molding. FIG. 9A to FIG. 9C are diagrams for explaining the process until the multifaceted body R of the lead frame with resin is completed.
8 and 9, for the sake of clarity, a diagram in which the light reflecting resin layer 20 is formed on a single lead frame 10 is shown. In practice, however, the lead frame multi-faced body MS is shown. On the other hand, the light reflecting resin layer 20 is formed.

（トランスファ成形）
トランスファ成形は、図８（ａ）に示すように、上型１１１及び下型１１２等から構成される金型１１０を使用する。
まず、作業者は、上型１１１及び下型１１２を加熱した後、図８（ｂ）に示すように、上型１１１と下型１１２との間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置するとともに、下型１１２に設けられたポット部１１２ａに光反射樹脂層２０を形成する樹脂を充填する。
そして、図８（ｃ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を閉じて（型締め）、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図８（ｄ）及び図８（ｅ）に示すように、プランジャー１１３によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型１１０内へと充填（トランスファ）させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。 (Transfer molding)
As shown in FIG. 8A, the transfer molding uses a mold 110 composed of an upper mold 111, a lower mold 112, and the like.
First, the operator heats the upper mold 111 and the lower mold 112, and then places the multi-faced body MS of the lead frame between the upper mold 111 and the lower mold 112 as shown in FIG. 8B. The pot portion 112 a provided in the lower mold 112 is filled with a resin that forms the light reflecting resin layer 20.
Then, as shown in FIG. 8C, the upper mold 111 and the lower mold 112 are closed (clamping), and the resin is heated. When the resin is sufficiently heated, as shown in FIGS. 8D and 8E, pressure is applied to the resin by the plunger 113 so that the resin is filled (transferred) into the mold 110. The pressure is kept constant for a period of time.

所定の時間の経過後、図８（ｆ）及び図８（ｇ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を開き、上型１１１に設けられたイジェクターピン１１１ａにより、上型１１１から光反射樹脂層２０が成形されたリードフレームの多面付け体ＭＳを取り外す。その後、図８（ｈ）に示すように、上型１１１の流路（ランナー）部等の余分な樹脂部分を、製品となる部分から除去し、図８（ｉ）に示すように、光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。   After the elapse of a predetermined time, as shown in FIGS. 8 (f) and 8 (g), the upper mold 111 and the lower mold 112 are opened, and light is emitted from the upper mold 111 by the ejector pins 111 a provided on the upper mold 111. The lead frame multi-faced body MS in which the reflective resin layer 20 is molded is removed. Thereafter, as shown in FIG. 8 (h), the excess resin portion such as the flow path (runner) portion of the upper mold 111 is removed from the product portion, and the light reflection is performed as shown in FIG. 8 (i). A multi-faced body R of a lead frame with a resin on which the resin layer 20 is formed is completed.

（インジェクション成形）
インジェクション成形は、図９（ａ）に示すように、上から順に、ノズルプレート１２１、スプループレート１２２、ランナープレート１２３（上型）、下型１２４等から構成される金型１２０を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート１２３及び下型１２４間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置して、金型１２０を閉じる（型締め）。
そして、図９（ｂ）に示すように、ノズル１２５をノズルプレート１２１のノズル穴に配置して、光反射樹脂層２０を形成する樹脂を金型１２０内に射出する。ノズル１２５から射出された樹脂は、スプループレート１２２のスプルー１２２ａを通過し、ランナープレート１２３のランナー１２３ａ及びゲートスプルー１２３ｂを通過した上で、リードフレームの多面付け体ＭＳが配置された金型１２０内へと充填される。 (Injection molding)
As shown in FIG. 9A, the injection molding uses a mold 120 including a nozzle plate 121, a sprue plate 122, a runner plate 123 (upper mold), a lower mold 124, and the like in order from the top.
First, the operator arranges the multi-faced body MS of the lead frame between the runner plate 123 and the lower mold 124, and closes the mold 120 (clamping).
Then, as shown in FIG. 9B, the nozzle 125 is disposed in the nozzle hole of the nozzle plate 121, and the resin forming the light reflecting resin layer 20 is injected into the mold 120. The resin injected from the nozzle 125 passes through the sprue 122a of the sprue plate 122, passes through the runner 123a and the gate sprue 123b of the runner plate 123, and then in the mold 120 in which the multifaceted body MS of the lead frame is arranged. Filled in.

樹脂が充填されたら所定の時間保持した後に、作業者は、図９（ｃ）に示すように、ランナープレート１２３を下型１２４から開き、下型１２４に設けられたイジェクターピン１２４ａによって、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳを下型１２４から取り外す。そして、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳから余分なバリなどを除去して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。   After the resin is filled and held for a predetermined time, the operator opens the runner plate 123 from the lower mold 124 and reflects light by the ejector pins 124a provided on the lower mold 124 as shown in FIG. 9C. The lead frame multi-faced body MS on which the resin layer 20 is formed is removed from the lower mold 124. Then, excess burrs and the like are removed from the multi-sided body MS of the lead frame on which the light reflecting resin layer 20 is formed, and the multi-sided body R of the lead frame with resin is completed.

なお、本実施形態のインジェクション成形の金型１２０は、樹脂の流路が、一つのスプルーからランナーを介して複数のゲートへと分岐されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して、複数個所から均等に樹脂を射出するようにしている。これにより、リードフレームの多面付け体ＭＳの各リードフレーム１０に対して、樹脂を適正に充填させることができ、樹脂ムラのない樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを得ることができる。   In the injection molding die 120 of the present embodiment, the resin flow path is branched from a single sprue to a plurality of gates via a runner, so that the multi-faced body MS of the lead frame is Resin is injected evenly from multiple locations. As a result, the resin can be appropriately filled in each lead frame 10 of the multi-sided body MS of the lead frame, and a multi-sided body R of the lead frame with resin without resin unevenness can be obtained.

本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）リードフレーム１０は、端子部１１の裏面に溝部Ｄを設けているので、端子部１１の外部端子面を小さく分割することができ、端子部１２の外部端子面１２ｂとの広さの差異により生じる表面張力の差を低減することができる。これにより、光半導体装置１を外部機器に適正に実装することができる。また、端子部１１の外部端子面を小さく分割することによって、半田クリームのヤニから発生する気泡の量を低減するとともに、硬化した半田にボイドが生じてしまうのを抑制することができる。
更に、リードフレーム１０は、光反射樹脂層２０を形成する場合に、溝部Ｄや凹部Ｍにも樹脂が充填されるので、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
（２）リードフレーム１０は、端子部１１の裏面に溝部Ｄを設けていることによって、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が溝部Ｄにも充填され、その樹脂の成形過程において発生する成形収縮による樹脂付きリードフレームの反りが生じてしまうのを抑制することができる。
また、電子線硬化樹脂を用いた場合、成形加工後の電子線照射による硬化収縮が大きいが、成形時に溝部Ｄにも光反射樹脂層２０の樹脂が充填されているため、成形過程だけでなく、電子線照射による硬化時においての反りの発生も抑制することが可能である。
（３）リードフレーム１０は、溝部Ｄにより均等に３つに分割された外部端子面１１ｂが、端子部１２の外部端子面１２ｂと外形がほぼ同等に形成されているので、外部端子面の広さの差異により生じる半田の表面張力の差を低減させ、光半導体装置１を外部機器に適正に実装することができる。 The invention of this embodiment has the following effects.
(1) Since the lead frame 10 is provided with the groove D on the back surface of the terminal portion 11, the external terminal surface of the terminal portion 11 can be divided into small portions, and the width of the terminal portion 12 with respect to the external terminal surface 12 b can be increased. The difference in surface tension caused by the difference can be reduced. Thereby, the optical semiconductor device 1 can be appropriately mounted on an external device. Further, by dividing the external terminal surface of the terminal portion 11 into small pieces, it is possible to reduce the amount of bubbles generated from the solder cream, and to suppress the occurrence of voids in the cured solder.
Further, when the light reflecting resin layer 20 is formed in the lead frame 10, the resin is also filled in the grooves D and the recesses M, so that the light reflecting resin layer 20 is prevented from peeling off from the lead frame 10. be able to.
(2) Since the lead frame 10 is provided with the groove portion D on the back surface of the terminal portion 11, the resin for forming the light reflecting resin layer 20 is also filled in the groove portion D, and molding shrinkage that occurs in the molding process of the resin. It is possible to suppress the warping of the lead frame with resin due to the above.
In addition, when an electron beam curable resin is used, curing shrinkage due to electron beam irradiation after molding is large, but since the resin of the light reflecting resin layer 20 is filled in the groove portion D at the time of molding, not only the molding process. Further, it is possible to suppress the occurrence of warpage during curing by electron beam irradiation.
(3) In the lead frame 10, the external terminal surface 11b equally divided into three by the groove portion D is formed to have substantially the same outer shape as the external terminal surface 12b of the terminal portion 12. The difference in the surface tension of the solder caused by the difference in thickness can be reduced, and the optical semiconductor device 1 can be properly mounted on an external device.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図１０は、第２実施形態のリードフレーム２１０の詳細を説明する図である。図１０（ａ）、図１０（ｂ）は、それぞれリードフレーム２１０の平面図、裏面図を示し、図１０（ｃ）、図１０（ｄ）は、それぞれ図１０（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a diagram for explaining the details of the lead frame 210 of the second embodiment. 10 (a) and 10 (b) are a plan view and a back view, respectively, of the lead frame 210, and FIGS. 10 (c) and 10 (d) are cc cross sections in FIG. 10 (a), respectively. The figure and dd sectional drawing are shown.
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第２実施形態のリードフレーム２１０は、端子部２１１の裏面に形成される溝部Ｄの形状が、第１実施形態の溝部Ｄの形状と相違する。
端子部２１１には、図１０に示すように、裏面に溝部Ｄが形成されており、裏面の外部端子面が均等に４つに分割され外部端子面２１１ｂを形成している。
溝部Ｄは、端子部２１１の裏面の左右方向Ｘ（端子部２１１、２１２の配列する方向）の中心線上と、上下方向Ｙ（端子部２１１、２１２の配列方向に直交する方向）の中心線上とに設けられた十字状の溝である。 In the lead frame 210 of the second embodiment, the shape of the groove portion D formed on the back surface of the terminal portion 211 is different from the shape of the groove portion D of the first embodiment.
As shown in FIG. 10, the terminal portion 211 has a groove D formed on the back surface, and the external terminal surface on the back surface is equally divided into four to form an external terminal surface 211b.
The groove part D is on the center line in the left-right direction X (direction in which the terminal parts 211 and 212 are arranged) on the back surface of the terminal part 211 and on the center line in the vertical direction Y (direction perpendicular to the arrangement direction of the terminal parts 211 and 212). It is the cross-shaped groove | channel provided in.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム２１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、溝部Ｄによって端子部２１１の外部端子面を小さく分割しているので、端子部２１２の外部端子面２１２ｂとの広さの差異により生じる表面張力の差を低減することができる。これにより、光半導体装置を外部機器に適正に実装することができる。
また、本実施形態のリードフレーム２１０は、第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、溝部Ｄを備えることにより、樹脂の硬化過程において、樹脂付きリードフレームに反りが発生してしまうのを抑制することができる。
更に、本実施形態のリードフレーム２１０は、溝部Ｄにより端子部２１１の外部端子面を４等分し、第１実施形態の端子部１１の場合よりも外部端子面を細かく分割する。これにより、光半導体装置１を外部機器に実装する場合において、半田クリームのヤニから発生する気泡の量を更に低減させるとともに、ボイドが生じてしまうのをより効果的に抑制することができる。 With the above configuration, the lead frame 210 of the present embodiment divides the external terminal surface of the terminal portion 211 into small portions by the groove portions D, as in the lead frame 10 of the first embodiment described above. The difference in surface tension caused by the difference in area from the external terminal surface 212b can be reduced. Thereby, an optical semiconductor device can be appropriately mounted on an external device.
In addition, the lead frame 210 of the present embodiment, like the lead frame 10 of the first embodiment, is provided with the groove portion D, thereby suppressing the warpage of the lead frame with resin during the resin curing process. can do.
Furthermore, the lead frame 210 of this embodiment divides the external terminal surface of the terminal portion 211 into four equal parts by the groove portion D, and divides the external terminal surface more finely than in the case of the terminal portion 11 of the first embodiment. As a result, when the optical semiconductor device 1 is mounted on an external device, it is possible to further reduce the amount of bubbles generated from the solder cream, and to more effectively suppress the generation of voids.

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図１１は、第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳ、樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒ、光半導体装置３０１を説明する図である。図１１（ａ）、図１１（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１１（ｃ）、図１１（ｄ）は、それぞれ樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示す。図１１（ｅ）は、光半導体装置３０１の平面図、右側面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 11 is a diagram for explaining the multi-faced body MS of the lead frame, the multi-faceted body R of the lead frame with resin, and the optical semiconductor device 301 according to the third embodiment. 11 (a) and 11 (b) are a plan view and a back view, respectively, of the lead frame multi-faced body MS, and FIGS. 11 (c) and 11 (d) are views of the lead frame with resin, respectively. The top view and back view of attachment body R are shown. FIG. 11E shows a plan view and a right side view of the optical semiconductor device 301.
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第３実施形態のリードフレーム３１０は、端子部３１１、３１２の形状が、第１実施形態の端子部１１、１２の形状と相違する。
リードフレーム３１０は、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、ＬＥＤ素子２が載置され、接続される端子部３１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部３１２とから構成される。
端子部３１１は、略Ｌ字状に形成され複数（本実施形態では３つ）のＬＥＤ素子２が載置される端子部である。端子部３１１は、その裏面において、略Ｌ字状の水平部分（Ｘ方向に平行な部分）と垂直部分（Ｙ方向に平行な部分）との間に溝部Ｄが形成されており、この溝部Ｄによって、裏面の外部端子面が２つに分割され、外部端子面３１１ｂ−１、外部端子面３１１ｂ−２を形成している。 In the lead frame 310 of the third embodiment, the shapes of the terminal portions 311 and 312 are different from the shapes of the terminal portions 11 and 12 of the first embodiment.
As shown in FIGS. 11A and 11B, the lead frame 310 is connected to the LED element 2 via the terminal portion 311 on which the LED element 2 is mounted and the bonding wire 2a. And a terminal portion 312.
The terminal portion 311 is a terminal portion that is formed in a substantially L shape and on which a plurality (three in the present embodiment) of LED elements 2 are placed. The terminal portion 311 has a groove portion D formed between a substantially L-shaped horizontal portion (a portion parallel to the X direction) and a vertical portion (a portion parallel to the Y direction) on the back surface thereof. Thus, the external terminal surface on the back surface is divided into two to form the external terminal surface 311b-1 and the external terminal surface 311b-2.

外部端子面３１１ｂ−１は、略Ｌ字状の端子部３１１の垂直部分の裏面に形成された外部機器と接続される端子面である。外部端子面３１１ｂ−１は、端子部３１１の裏面おいて、ＬＥＤ端子面３１１ａ上に載置されるＬＥＤ素子２の配置位置に対応する位置に形成されている。
外部端子面３１１ｂ−２は、略Ｌ字状の端子部３１１の水平部分の裏面に形成された外部機器と接続される端子面であり、その端子面の大きさが端子部３１２の外部端子面３１２ｂと同等の大きさに形成される。
端子部３１２は、端子部３１１の周囲に設けられたリード側端子部であり、本実施形態では３つ設けられている。
端子部３１１及び端子部３１２の裏面の外周縁と、連結部３１３の裏面には、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。 The external terminal surface 311b-1 is a terminal surface connected to an external device formed on the back surface of the vertical portion of the substantially L-shaped terminal portion 311. The external terminal surface 311b-1 is formed at a position corresponding to the arrangement position of the LED element 2 placed on the LED terminal surface 311a on the back surface of the terminal portion 311.
The external terminal surface 311 b-2 is a terminal surface connected to an external device formed on the back surface of the horizontal portion of the substantially L-shaped terminal portion 311, and the size of the terminal surface is the external terminal surface of the terminal portion 312. It is formed in the same size as 312b.
The terminal portion 312 is a lead side terminal portion provided around the terminal portion 311, and three terminal portions 312 are provided in the present embodiment.
The outer periphery of the back surface of the terminal part 311 and the terminal part 312 and the back surface of the connection part 313 are provided with a concave portion M having a small thickness.

上記構成のリードフレーム３１０が多面付けされたリードフレームの多面付け体ＭＳに光反射樹脂層３２０を形成する樹脂が充填されると、リードフレームの多面付け体ＭＳには、図１１（ｃ）及び図１１（ｄ）に示すように、端子部３１１、３１２間だけでなく裏面の凹部Ｍや溝部Ｄにも樹脂が充填される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが作製され、その裏面には、外部端子面３１１ｂ−１及び外部端子面３１１ｂ−２と、３つの外部端子面３１２ｂとが表出する。
本実施形態の光半導体装置３０１は、図１１（ｅ）に示すように、端子部３１１のＬＥＤ端子面３１１ａに３つのＬＥＤ素子２が載置され、接続される。また、ＬＥＤ端子面３１１ａに接続された各ＬＥＤ素子２は、３つの端子部３１２のＬＥＤ端子面３１２ａのそれぞれにボンディングワイヤ２ａを介して接続される。なお、各ＬＥＤ素子２の発光色は、赤色、緑色、青色であり、光半導体装置３０１は、白色の光を照射することができる。 When the resin for forming the light-reflecting resin layer 320 is filled in the multi-sided body MS of the lead frame in which the lead frame 310 having the above-described structure is multi-sided, the multi-sided body MS of the lead frame has the structure shown in FIG. As shown in FIG. 11D, the resin is filled not only between the terminal portions 311 and 312 but also into the concave portion M and the groove portion D on the back surface. Thereby, the multi-faced body R of the lead frame with resin is produced, and the external terminal surface 311b-1, the external terminal surface 311b-2, and the three external terminal surfaces 312b are exposed on the back surface.
In the optical semiconductor device 301 of this embodiment, as shown in FIG. 11E, three LED elements 2 are placed on and connected to the LED terminal surface 311 a of the terminal portion 311. Each LED element 2 connected to the LED terminal surface 311a is connected to each of the LED terminal surfaces 312a of the three terminal portions 312 via bonding wires 2a. Note that the emission colors of the LED elements 2 are red, green, and blue, and the optical semiconductor device 301 can emit white light.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム３１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、溝部Ｄによって端子部３１１の外部端子面を小さく分割しているので、端子部３１２の外部端子面３１２ｂとの広さの差異により生じる表面張力の差を低減することができる。これにより、光半導体装置３０１を外部機器に適正に実装することができる。   With the above configuration, the lead frame 310 according to the present embodiment divides the external terminal surface of the terminal portion 311 into small portions by the groove portions D, similarly to the lead frame 10 according to the first embodiment described above. The difference in surface tension caused by the difference in area from the external terminal surface 312b can be reduced. Thereby, the optical semiconductor device 301 can be appropriately mounted on an external device.

本実施形態の樹脂付きリードフレームは、裏面に表出する各外部端子面３１１ｂ−１、３１１ｂ−２、３１２ｂがそれぞれ、リードフレーム３１０の外形（図１１（ｄ）の破線）の中心線に対して対称に配置され、また、リードフレーム３１０の外形の中央部を回転軸とした２回回転対称である。そのため、リードフレーム３１０は、樹脂付きリードフレームの反りを均一化することに加え、外部機器の基板に光半導体装置３０１を搭載した後、基板に加わる熱ストレスや曲げストレスにより、半田を介して光半導体装置３０１が引き剥がされようとする応力（剥離応力）が加わった場合に、その応力を均等に分散することができる。これにより、外部機器に実装された後においても光半導体装置３０１が剥離してしまうという不具合を抑制することができる。
特に、リードフレーム３１０は、光半導体装置３０１が細長い外形の形状の場合、その長手方向には大きな応力がかかるため、長手方向に垂直方向（Ｙ方向）な中心線に対して線対称であることが望ましい。また、リードフレーム３１０が正方形や円状の外形に形成された場合、応力による光半導体装置３０１への捩れストレスを分散することができる。 In the lead frame with resin of the present embodiment, each of the external terminal surfaces 311b-1, 311b-2, 312b exposed on the back surface is respectively relative to the center line of the outer shape of the lead frame 310 (broken line in FIG. 11D). The lead frame 310 is rotationally symmetrical with the central portion of the outer shape of the lead frame 310 as a rotation axis. Therefore, in addition to uniforming the warping of the lead frame with the resin, the lead frame 310 mounts the optical semiconductor device 301 on the substrate of the external device, and then transmits the light through the solder due to thermal stress or bending stress applied to the substrate. When a stress (peeling stress) that causes the semiconductor device 301 to be peeled off is applied, the stress can be evenly distributed. As a result, it is possible to suppress a problem that the optical semiconductor device 301 is peeled off even after being mounted on an external device.
In particular, when the optical semiconductor device 301 has an elongated external shape, the lead frame 310 is symmetrical with respect to a center line perpendicular to the longitudinal direction (Y direction) because a large stress is applied in the longitudinal direction. Is desirable. Further, when the lead frame 310 is formed in a square or circular outer shape, the torsional stress on the optical semiconductor device 301 due to the stress can be dispersed.

光半導体装置３０１の反りや、光半導体装置３０１の外部機器の基板への実装後の剥離応力は、光半導体装置３０１の中央部から外周部に向かって大きくなる。そのため、本実施形態のリードフレーム３１０は、その外形（図１１（ｄ）の破線）の中央部には大きい外部端子面３１１ｂ−１を配置し、応力の大きくなる外周部に向かって小さい外部端子面３１１ｂ−１及び外部端子面３１２ｂを配置している。これにより、リードフレーム３１０は、光半導体装置３０１の外周部に向かって大きくなる応力を分散させることができ、外部機器から光半導体装置３０１が剥離してしまうのを抑制することができる。   The warp of the optical semiconductor device 301 and the peeling stress after the optical semiconductor device 301 is mounted on the substrate of the external device increase from the center of the optical semiconductor device 301 toward the outer periphery. Therefore, the lead frame 310 of the present embodiment has a large external terminal surface 311b-1 at the center of its outer shape (broken line in FIG. 11D), and small external terminals toward the outer peripheral portion where stress increases. The surface 311b-1 and the external terminal surface 312b are arranged. Thereby, the lead frame 310 can disperse the stress that increases toward the outer peripheral portion of the optical semiconductor device 301, and can prevent the optical semiconductor device 301 from being peeled off from an external device.

本実施形態のリードフレーム３１０は、ＬＥＤ端子面３１１ａのＬＥＤ素子２が載置される部分の裏面が外部端子面３１１ｂ−１となるように、端子部３１１の裏面が溝部Ｄによって分割されている。これにより、光半導体装置３０１は、端子部３１１のＬＥＤ素子２からの熱を直接的に外部へ逃すことができ、光半導体装置３０１への熱ダメージの低減や、光半導体装置３０１を温度上昇させることなくＬＥＤ素子２への投入電流の増幅によりＬＥＤ素子２の輝度を向上させることができる。
また、ＬＥＤ素子２及びそれに導通する外部端子面３１１ｂ−１が光半導体装置３０１の中央に配置されているので、光半導体装置３０１の直下における熱の伝導を均一化することができ、光半導体装置３０１の放熱性を向上させたり、光半導体装置３０１からの光を取り出しやすくしたり、光の方向性の制御や、蛍光体で色を変換する場合の色味の均一性を向上させたりすることができる。 In the lead frame 310 of the present embodiment, the back surface of the terminal portion 311 is divided by the groove portion D so that the back surface of the portion on the LED terminal surface 311a where the LED element 2 is placed becomes the external terminal surface 311b-1. . As a result, the optical semiconductor device 301 can directly release the heat from the LED element 2 of the terminal portion 311 to the outside, thereby reducing thermal damage to the optical semiconductor device 301 and increasing the temperature of the optical semiconductor device 301. The brightness of the LED element 2 can be improved by amplifying the input current to the LED element 2 without any problem.
In addition, since the LED element 2 and the external terminal surface 311b-1 conducting to the LED element 2 are disposed in the center of the optical semiconductor device 301, heat conduction directly under the optical semiconductor device 301 can be made uniform, and the optical semiconductor device To improve the heat dissipation of 301, to make it easy to extract light from the optical semiconductor device 301, to control the directionality of light, and to improve the uniformity of color when the color is converted with a phosphor. Can do.

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図１２は、第４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳ、樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒ、光半導体装置４０１を説明する図である。図１２（ａ）、図１２（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１２（ｃ）、図１２（ｄ）は、それぞれ樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示す。図１２（ｅ）は、光半導体装置４０１の平面図、右側面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 12 is a diagram for explaining the multi-faced body MS of the lead frame, the multi-faceted body R of the lead frame with resin, and the optical semiconductor device 401 according to the fourth embodiment. 12 (a) and 12 (b) are a plan view and a back view, respectively, of the lead frame multi-faced body MS, and FIGS. 12 (c) and 12 (d) are views of the lead frame with resin, respectively. The top view and back view of attachment body R are shown. FIG. 12E shows a plan view and a right side view of the optical semiconductor device 401.
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第４実施形態のリードフレーム４１０は、端子部４１１、４１２の形状が、第１実施形態の端子部１１、１２の形状と相違する。
リードフレーム４１０は、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、ＬＥＤ素子２が載置され、接続される端子部４１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部４１２とから構成される。
端子部４１１は、略Ｔ字状に形成され複数（本実施形態では５つ）のＬＥＤ素子２が載置される端子部である。端子部４１１は、その裏面において、略Ｔ字状の水平部分（Ｙ方向に平行な部分）と垂直部分（Ｘ方向に平行な部分）との間に溝部Ｄが形成されており、この溝部Ｄによって、裏面の外部端子面が２つに分割され、外部端子面４１１ｂ−１、外部端子面４１１ｂ−２を形成している。 In the lead frame 410 of the fourth embodiment, the shapes of the terminal portions 411 and 412 are different from the shapes of the terminal portions 11 and 12 of the first embodiment.
As shown in FIG. 12A and FIG. 12B, the lead frame 410 is connected to the LED element 2 via the terminal portion 411 to which the LED element 2 is placed and connected, and the bonding wire 2a. And a terminal portion 412.
The terminal portion 411 is a terminal portion that is formed in a substantially T shape and on which a plurality (five in this embodiment) of LED elements 2 are placed. On the back surface of the terminal portion 411, a groove D is formed between a substantially T-shaped horizontal portion (a portion parallel to the Y direction) and a vertical portion (a portion parallel to the X direction). Thus, the external terminal surface on the back surface is divided into two to form an external terminal surface 411b-1 and an external terminal surface 411b-2.

外部端子面４１１ｂ−１は、略Ｔ字状の端子部４１１の水平部分の裏面に形成された外部機器と接続される端子面である。
外部端子面４１１ｂ−２は、略Ｔ字状の端子部４１１の垂直部分の裏面に形成された外部機器と接続される端子面であり、その端子面の大きさが端子部４１２の外部端子面４１２ｂと同等の大きさに形成される。
端子部４１２は、端子部４１１の周囲に設けられたリード側端子部であり、本実施形態では５つ設けられている。
端子部４１１及び端子部４１２の裏面の外周縁と、連結部４１３の裏面には、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。 The external terminal surface 411b-1 is a terminal surface connected to an external device formed on the back surface of the horizontal portion of the substantially T-shaped terminal portion 411.
The external terminal surface 411b-2 is a terminal surface connected to an external device formed on the back surface of the vertical portion of the substantially T-shaped terminal portion 411, and the size of the terminal surface is the external terminal surface of the terminal portion 412. It is formed in the same size as 412b.
The terminal portion 412 is a lead-side terminal portion provided around the terminal portion 411, and five terminal portions are provided in this embodiment.
On the outer peripheral edge of the back surface of the terminal portion 411 and the terminal portion 412 and the back surface of the connecting portion 413, a concave portion M having a small thickness is provided.

上記構成のリードフレーム４１０が多面付けされたリードフレームの多面付け体ＭＳに光反射樹脂層４２０を形成する樹脂が充填されると、リードフレームの多面付け体ＭＳには、図１２（ｃ）及び図１２（ｄ）に示すように、端子部４１１、４１２間だけでなく裏面の凹部Ｍや溝部Ｄにも樹脂が充填される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが作製され、その裏面には、外部端子面４１１ｂ−１及び外部端子面４１１ｂ−２と、５つの外部端子面４１２ｂとが表出する。
本実施形態の光半導体装置４０１は、図１２（ｅ）に示すように、端子部４１１のＬＥＤ端子面４１１ａに５つのＬＥＤ素子２が載置され、接続される。また、ＬＥＤ端子面５１１ａに接続された各ＬＥＤ素子２は、５つの端子部４１２のＬＥＤ端子面４１２ａのそれぞれにボンディングワイヤ２ａを介して接続される。なお、各ＬＥＤ素子２の発光色は、赤色、緑色、青色であり、光半導体装置４０１は、白色の光を照射することができる。 When the resin for forming the light-reflecting resin layer 420 is filled in the multi-sided body MS of the lead frame on which the lead frame 410 having the above-described structure is multi-sided, the multi-sided body MS of the lead frame has the structure shown in FIG. As shown in FIG. 12D, the resin is filled not only between the terminal portions 411 and 412 but also into the concave portion M and the groove portion D on the back surface. Thereby, the multi-faced body R of the lead frame with resin is produced, and the external terminal surface 411b-1, the external terminal surface 411b-2, and the five external terminal surfaces 412b are exposed on the back surface.
In the optical semiconductor device 401 of this embodiment, as shown in FIG. 12E, five LED elements 2 are placed on and connected to the LED terminal surface 411 a of the terminal portion 411. Each LED element 2 connected to the LED terminal surface 511a is connected to each of the LED terminal surfaces 412a of the five terminal portions 412 via bonding wires 2a. In addition, the emission color of each LED element 2 is red, green, and blue, and the optical semiconductor device 401 can irradiate white light.

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム４１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、溝部Ｄによって端子部４１１の外部端子面を小さく分割しているので、外部端子面４１２ｂとの広さの差異により生じる表面張力の差を低減することができる。これにより、光半導体装置４０１を外部機器に適正に実装することができる。   With the above configuration, in the lead frame 410 of the present embodiment, the external terminal surface of the terminal portion 411 is divided into small portions by the groove portions D, similarly to the lead frame 10 of the first embodiment described above. Therefore, the external terminal surface 412b The difference in surface tension caused by the difference in the width between the two can be reduced. Thereby, the optical semiconductor device 401 can be appropriately mounted on an external device.

本実施形態の樹脂付きリードフレームは、裏面に表出する各外部端子面４１１ｂ−１、４１１ｂ−２、４１２ｂがそれぞれ、リードフレーム４１０の外形（図１２（ｄ）の破線）の中心線に対して対称に配置され、また、リードフレーム４１０の外形の中央部を回転軸とした２回回転対称である。そのため、樹脂付きリードフレームの反りを均一化することに加え、外部機器の基板に光半導体装置４０１を搭載した後、基板に加わる熱ストレスや曲げストレスにより、半田を介して光半導体装置４０１が引き剥がされようとする応力（剥離応力）が加わった場合に、その応力を均等に分散することができる。これにより、外部機器に実装された後においても光半導体装置４０１が剥離してしまうという不具合を抑制することができる。
特に、リードフレーム４１０は、光半導体装置４０１が細長い外形の形状の場合、その長手方向には大きな応力がかかるため、長手方向に垂直方向（Ｙ方向）な中心線に対して線対称であることが望ましい。また、リードフレーム４１０が正方形や円状の外形に形成された場合、応力による光半導体装置４０１への捩れストレスを分散することができる。 In the lead frame with resin of the present embodiment, each of the external terminal surfaces 411b-1, 411b-2, 412b exposed on the back surface is respectively relative to the center line of the outer shape of the lead frame 410 (broken line in FIG. 12D). The lead frame 410 has a two-fold rotational symmetry with the central portion of the outer shape of the lead frame 410 as a rotation axis. Therefore, in addition to uniforming the warp of the lead frame with resin, after mounting the optical semiconductor device 401 on the substrate of the external device, the optical semiconductor device 401 is pulled through the solder due to thermal stress or bending stress applied to the substrate. When stress to be peeled off (peeling stress) is applied, the stress can be evenly distributed. As a result, it is possible to suppress the problem that the optical semiconductor device 401 is peeled off even after being mounted on an external device.
In particular, when the optical semiconductor device 401 has an elongated external shape, the lead frame 410 is symmetrical with respect to a center line perpendicular to the longitudinal direction (Y direction) because a large stress is applied in the longitudinal direction. Is desirable. Further, when the lead frame 410 is formed in a square or circular outer shape, the torsional stress on the optical semiconductor device 401 due to the stress can be dispersed.

光半導体装置４０１の反りや、光半導体装置４０１の外部機器の基板への実装後の剥離応力は、光半導体装置４０１の中央部から外周部に向かって大きくなる。そのため、本実施形態のリードフレーム４１０は、その外形（図１２（ｄ）の破線）の中央部には大きい外部端子面４１１ｂ−１を配置し、応力の大きくなる外周部に向かって小さい外部端子面４１１ｂ−１及び外部端子面４１２ｂを配置している。これにより、リードフレーム４１０は、光半導体装置４０１の外周部に向かって大きくなる応力を分散させることができ、外部機器から光半導体装置４０１が剥離してしまうのを抑制することができる。   The warp of the optical semiconductor device 401 and the peeling stress after the optical semiconductor device 401 is mounted on the substrate of the external device increase from the central portion of the optical semiconductor device 401 toward the outer peripheral portion. Therefore, the lead frame 410 of the present embodiment has a large external terminal surface 411b-1 at the center of its outer shape (broken line in FIG. 12D), and small external terminals toward the outer peripheral portion where stress increases. The surface 411b-1 and the external terminal surface 412b are arranged. Thereby, the lead frame 410 can disperse the stress that increases toward the outer peripheral portion of the optical semiconductor device 401, and can prevent the optical semiconductor device 401 from being peeled off from an external device.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made as in the modifications described later, and these are also included in the present invention. Within the technical scope. In addition, the effects described in the embodiments are merely a list of the most preferable effects resulting from the present invention, and the effects of the present invention are not limited to those described in the embodiments. It should be noted that the above-described embodiment and modifications described later can be used in appropriate combination, but detailed description thereof is omitted.

図１３は、本発明の変形形態を示す図である。
（変形形態）
（１）各実施形態において、溝部Ｄは、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１の裏面に形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、端子部１２の裏面のみや、端子部１１、１２の両方に溝部Ｄを設けるようにしてもよい。
（２）第３実施形態及び第４実施形態において、リードフレーム３１０に設けられた各外部端子面３１１ｂ−１、３１１ｂ−２、３１２ｂは、リードフレーム３１０の外形の中央部を回転軸とした２回回転対称とした例を示しがこれに限定されるものでなく、３回以上の回転対称となるように各外部端子部を配置してもよい。そうすることにより、光半導体装置に加わる剥離応力をより分散することができ、外部機器に実装された後においても光半導体装置が剥離してしまうという不具合を、より効果的に抑制することができる。
（３）第１実施形態及び第２実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、３以上の端子部を備えていてもよい。例えば、図１３に示すように、端子部を３つ設け、その１つ（５１１）にはＬＥＤ素子２を実装し、他の２つ（５１２）にはボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続してもよい。なお、このとき、溝部Ｄは、各端子部３１１、３１２の両方に形成しているが、いずれか一方に形成するようにしてもよい。 FIG. 13 is a diagram showing a modification of the present invention.
(Deformation)
(1) In each embodiment, although the groove part D showed the example formed in the back surface of the terminal part 11 in which the LED element 2 is mounted and connected, it is not limited to this. For example, you may make it provide the groove part D only in the back surface of the terminal part 12, or both the terminal parts 11 and 12. FIG.
(2) In the third embodiment and the fourth embodiment, each of the external terminal surfaces 311b-1, 311b-2, 312b provided on the lead frame 310 has a central portion of the outer shape of the lead frame 310 as a rotation axis. An example of rotational symmetry is shown, but the present invention is not limited to this, and the external terminal portions may be arranged so as to be rotationally symmetrical three or more times. By doing so, the peeling stress applied to the optical semiconductor device can be further dispersed, and the problem that the optical semiconductor device is peeled off even after being mounted on an external device can be more effectively suppressed. .
(3) In 1st Embodiment and 2nd Embodiment, although the lead frame 10 showed the example provided with the terminal part 11 and the terminal part 12, the lead frame may be provided with three or more terminal parts. . For example, as shown in FIG. 13, three terminal portions are provided, one of which (511) is mounted with the LED element 2, and the other two (512) are connected to the LED element 2 via bonding wires 2a. You may connect. In addition, at this time, although the groove part D is formed in both the terminal parts 311 and 312, you may make it form in any one.

（４）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、ＬＥＤ素子２が２つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。
（５）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。 (4) In each embodiment, the lead frame 10 is a terminal portion 11 that serves as a die pad on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal that serves as a lead-side terminal portion connected to the LED element 2 via the bonding wire 2a. Although the example comprised from the part 12 was demonstrated, it is not limited to this. For example, the LED element 2 may be placed and connected so as to straddle two terminal portions.
(5) In each embodiment, although the lead frame 10 showed the example used for the optical semiconductor device 1 which connects optical semiconductor elements, such as the LED element 2, the semiconductor device using semiconductor elements other than an optical semiconductor element was shown. Can also be used.

１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
２０ 光反射樹脂層
２０ａ リフレクタ
３０ 透明樹脂層
Ｄ 溝部
Ｆ 枠体
Ｇ 集合体
Ｍ 凹部
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｒ 樹脂付きリードフレームの多面付け体
Ｓ 空隙部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Optical semiconductor device 2 LED element 10 Lead frame 11 Terminal part 12 Terminal part 13 Connection part 20 Light reflection resin layer 20a Reflector 30 Transparent resin layer D Groove part F Frame body G Assembly M Concavity MS Multi-faceted body of lead frame R With resin Multi-faceted body of lead frame S Gap

Claims (9)

裏面に外部機器と接続される外部端子面を有する複数の端子部を備え、前記端子部のうち少なくとも１つの表面に光半導体素子が接続される光半導体装置に用いられるリードフレームにおいて、
前記端子部のうち少なくとも１つは、その裏面に溝部を備え、前記外部端子面が複数に分割されていること、
を特徴とするリードフレーム。 In a lead frame used in an optical semiconductor device including a plurality of terminal portions having external terminal surfaces connected to external devices on the back surface, and an optical semiconductor element connected to at least one surface of the terminal portions,
At least one of the terminal portions includes a groove portion on the back surface, and the external terminal surface is divided into a plurality of portions,
Lead frame characterized by. 請求項１に記載のリードフレームにおいて、
前記溝部は、複数の前記端子部のうち少なくとも前記外部端子面が他の端子部の前記外部端子面よりも広い端子部に対して設けられること、
を特徴とするリードフレーム。 The lead frame according to claim 1,
The groove portion is provided for a terminal portion in which at least the external terminal surface is wider than the external terminal surface of another terminal portion among the plurality of terminal portions;
Lead frame characterized by. 請求項２に記載のリードフレームにおいて、
前記溝部によって分割された前記外部端子面のうち少なくとも１つの外形は、前記他の端子部の前記外部端子面の外形と同等に形成されること、
を特徴とするリードフレーム。 The lead frame according to claim 2,
At least one outer shape of the external terminal surfaces divided by the groove is formed to be equal to the external terminal surface of the other terminal portion;
Lead frame characterized by. 請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のリードフレームにおいて、
前記溝部によって分割された前記外部端子面は、それぞれの外形が同等の大きさに形成されること、
を特徴とするリードフレーム。 In the lead frame according to any one of claims 1 to 3,
The external terminal surfaces divided by the groove portions are formed to have the same outer shape.
Lead frame characterized by. 請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のリードフレームと、
前記リードフレームの前記端子部の外周及び前記溝部に形成され、また、前記リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に突出して形成される樹脂層とを備えること、
を特徴とする樹脂付きリードフレーム。 The lead frame according to any one of claims 1 to 4,
A resin layer formed on an outer periphery of the terminal portion of the lead frame and the groove portion, and protruding from a surface of the lead frame to which the optical semiconductor element is connected;
Lead frame with resin. 請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のリードフレームが枠体に多面付けされていること、
を特徴とするリードフレームの多面付け体。 The lead frame according to any one of claims 1 to 4 is multifaceted to the frame,
Multi-faceted body of lead frame characterized by 請求項５に記載の樹脂付きリードフレームが多面付けされていること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 The lead frame with resin according to claim 5 is multifaceted,
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項５に記載の樹脂付きリードフレームと、
前記樹脂付きリードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つの表面に接続される光半導体素子と、
前記樹脂付きリードフレームの表面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
を特徴とする光半導体装置。 A lead frame with resin according to claim 5;
An optical semiconductor element connected to at least one surface of the terminal portion of the lead frame with resin;
A transparent resin layer formed on the surface of the lead frame with resin and covering the optical semiconductor element;
An optical semiconductor device. 請求項８に記載の光半導体装置が多面付けされていること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体。 The optical semiconductor device according to claim 8 is multifaceted,
A multifaceted body of an optical semiconductor device characterized by the above.
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