JP2014090629A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】個々の出力端子群に接続するバスバーやコネクタ等が互いに干渉しにくい電力変換装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体モジュール2(2a,2b)と、制御回路基板3とを備える。半導体モジュール2は、一対の入力端子21と、少なくとも2本の出力端子22とを備える。半導体素子29をオンオフすることにより、入力端子21に印加された直流電圧を三相交流電圧に変換して出力端子22から出力している。3本の出力端子22からなり三相交流電圧を出力する出力端子群8(8a,8b)が2つ形成されている。1つの半導体モジュール2aを構成する出力端子22aと、他の半導体モジュール2bを構成する出力端子22bとを組み合わせて、1個の出力端子群8を形成してある。
【選択図】図1
【解決手段】複数の半導体モジュール2(2a,2b)と、制御回路基板3とを備える。半導体モジュール2は、一対の入力端子21と、少なくとも2本の出力端子22とを備える。半導体素子29をオンオフすることにより、入力端子21に印加された直流電圧を三相交流電圧に変換して出力端子22から出力している。3本の出力端子22からなり三相交流電圧を出力する出力端子群8(8a,8b)が2つ形成されている。1つの半導体モジュール2aを構成する出力端子22aと、他の半導体モジュール2bを構成する出力端子22bとを組み合わせて、1個の出力端子群8を形成してある。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体素子を内蔵した複数の半導体モジュールを備える電力変換装置に関する。
例えば、直流電力と交流電力との間で電力変換を行うための電力変換装置として、IGBT素子等の半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、半導体素子の動作を制御する制御回路基板とを備えたものが知られている(下記特許文献1参照)。
半導体モジュールは、半導体素子を内蔵する本体部を有する。この本体部から制御端子と、一対の入力端子と、3本の出力端子とが突出している。入力端子には、直流電圧が印加される。また、制御端子には、上記制御回路基板が接続している。この制御回路基板によって半導体素子をオンオフ動作させることにより、入力端子に印加した直流電圧を三相交流電圧に変換し、出力端子から出力している。
3本の出力端子には、バスバーやコネクタ等が接続している。これらバスバーやコネクタ等を介して、3本の出力端子を、三相交流モータ等の交流負荷に電気的に接続するよう構成されている。
また、上記電力変換装置は、上記半導体モジュールを複数個備える。そして、1つの半導体モジュールに含まれる3本の出力端子をセットにして、三相交流電圧を出力する出力端子群を構成してある。個々の出力端子群は個々の交流負荷に接続される。
しかしながら、上記電力変換装置は、1個の半導体モジュールに含まれる3本の出力端子をセットにして1つの出力端子群を構成するように決められているため、3本の出力端子の組み合わせは一通りしかなく、バスバー等の形状や位置に合わせて、3本の出力端子の組み合わせを最適化できないという問題がある。すなわち、1つの出力端子群を構成する3本の出力端子の位置は予め決められており、例えば、これにバスバーを接続する場合、出力端子に合わせてバスバーを引き回す必要が生じる。そのため、バスバー同士が干渉しやすくなることがある。また、出力端子にコネクタを直接接続する場合、コネクタ同士が接近して、互いに干渉しやすくなることがある。
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたもので、個々の出力端子群に接続するバスバーやコネクタ等が互いに干渉しにくい電力変換装置を提供しようとするものである。
本発明の一態様は、半導体素子を内蔵した本体部を有し、該本体部から制御端子と、直流電圧が加わる一対の入力端子と、少なくとも2本の出力端子とが突出した複数の半導体モジュールと、
上記制御端子に接続した制御回路基板とを備え、
該制御回路基板によって上記半導体素子のオンオフ動作を制御することにより、上記入力端子に印加された直流電圧を三相交流電圧に変換して上記出力端子から出力するよう構成され、
3本の上記出力端子からなり上記三相交流電圧を出力する出力端子群が複数、形成され、個々の上記出力端子群を個々の交流負荷に接続するよう構成されており、
1つの上記半導体モジュールを構成する上記出力端子と、他の上記半導体モジュールを構成する上記出力端子とを組み合わせて、1個の上記出力端子群を形成してあることを特徴とする電力変換装置にある(請求項1)。
上記制御端子に接続した制御回路基板とを備え、
該制御回路基板によって上記半導体素子のオンオフ動作を制御することにより、上記入力端子に印加された直流電圧を三相交流電圧に変換して上記出力端子から出力するよう構成され、
3本の上記出力端子からなり上記三相交流電圧を出力する出力端子群が複数、形成され、個々の上記出力端子群を個々の交流負荷に接続するよう構成されており、
1つの上記半導体モジュールを構成する上記出力端子と、他の上記半導体モジュールを構成する上記出力端子とを組み合わせて、1個の上記出力端子群を形成してあることを特徴とする電力変換装置にある(請求項1)。
上記電力変換装置においては、1つの半導体モジュールを構成する出力端子と、他の半導体モジュールを構成する出力端子とを組み合わせて、1個の上記出力端子群を構成してある。
そのため、出力端子群を構成する3本の出力端子の、組み合わせの自由度を高めることができる。したがって、バスバーやコネクタの形状や位置に合わせて、3本の出力端子の組み合わせを最適化することができる。そのため、バスバーを大きく引き回したり、コネクタ同士が互いに干渉したりしなくてもすむように、互いに接近した3本の出力端子を組み合わせて、個々の出力端子群を構成することができる。
そのため、出力端子群を構成する3本の出力端子の、組み合わせの自由度を高めることができる。したがって、バスバーやコネクタの形状や位置に合わせて、3本の出力端子の組み合わせを最適化することができる。そのため、バスバーを大きく引き回したり、コネクタ同士が互いに干渉したりしなくてもすむように、互いに接近した3本の出力端子を組み合わせて、個々の出力端子群を構成することができる。
以上のごとく、本発明によれば、個々の出力端子群に接続するバスバーやコネクタ等が互いに干渉しにくい電力変換装置を提供することができる。
上記電力変換装置は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための車両用電力変換装置とすることができる。
また、上記電力変換装置は、上記本体部は四辺形板状に形成され、複数の上記半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却器とを、上記本体部の主面の法線方向に積層した積層体が構成されており、個々の上記出力端子は、上記本体部の側面からそれぞれ同一方向に突出し、上記複数の出力端子は、該出力端子の突出方向と上記法線方向との双方に直交する幅方向に分散配置されており、上記幅方向において互いに近接する3本の上記出力端子を組み合わせて上記出力端子群を構成してあることが好ましい(請求項2)。
1個の半導体モジュールに含まれる複数の出力端子は、上記幅方向に分散配置されている。そのため、仮に、1個の半導体モジュールに含まれる3本の出力端子を使って1つの出力端子群を構成したとすると、この1つの出力端子群を構成する3本の出力端子は、幅方向に分散配置されることになる。
この半導体モジュールと冷却器とをそれぞれ複数個積層すると、上記法線方向に隣り合う2つの半導体モジュールのうち、一方の半導体モジュールに含まれ幅方向に分散配置された3本の出力端子(出力端子群)と、他方の半導体モジュールに含まれ幅方向に分散配置された3本の出力端子(出力端子群)とが、法線方向に近接することになる。この場合、1つの出力端子群を構成する3本の出力端子が幅方向に分散しているため、個々出力端子に接続するバスバーを大きく引き回す必要が生じる。また、2つの出力端子群が法線方向に近接配置されているため、引き回したバスバー同士が接近し、干渉しやすくなる。
そこで、上述のように、1つの半導体モジュールに含まれる出力端子と、その他の半導体モジュールに含まれる出力端子とを組み合わせて1つの出力端子群を構成すれば、幅方向において互いに近接する3本の出力端子を組み合わせることが可能になる。そのため、1つの出力端子群を構成する3本の出力端子が幅方向に分散されることを抑制でき、かつ、2つの出力端子群が法線方向に近接配置されることを抑制できる。これにより、個々の出力端子に接続するバスバー等が互いに干渉することを効果的に抑制できる。
1個の半導体モジュールに含まれる複数の出力端子は、上記幅方向に分散配置されている。そのため、仮に、1個の半導体モジュールに含まれる3本の出力端子を使って1つの出力端子群を構成したとすると、この1つの出力端子群を構成する3本の出力端子は、幅方向に分散配置されることになる。
この半導体モジュールと冷却器とをそれぞれ複数個積層すると、上記法線方向に隣り合う2つの半導体モジュールのうち、一方の半導体モジュールに含まれ幅方向に分散配置された3本の出力端子(出力端子群)と、他方の半導体モジュールに含まれ幅方向に分散配置された3本の出力端子(出力端子群)とが、法線方向に近接することになる。この場合、1つの出力端子群を構成する3本の出力端子が幅方向に分散しているため、個々出力端子に接続するバスバーを大きく引き回す必要が生じる。また、2つの出力端子群が法線方向に近接配置されているため、引き回したバスバー同士が接近し、干渉しやすくなる。
そこで、上述のように、1つの半導体モジュールに含まれる出力端子と、その他の半導体モジュールに含まれる出力端子とを組み合わせて1つの出力端子群を構成すれば、幅方向において互いに近接する3本の出力端子を組み合わせることが可能になる。そのため、1つの出力端子群を構成する3本の出力端子が幅方向に分散されることを抑制でき、かつ、2つの出力端子群が法線方向に近接配置されることを抑制できる。これにより、個々の出力端子に接続するバスバー等が互いに干渉することを効果的に抑制できる。
また、上記法線方向から見たときに、該法線方向に隣り合う2つの上記本体部からそれぞれ突出する上記出力端子が、互いに重ならないよう構成されていることが好ましい(請求項3)。
仮に、法線方向から見たときに、該法線方向に隣り合う2つの本体部からそれぞれ突出する2つの出力端子が互いに重なると、2つの出力端子間の、法線方向における間隔が狭くなりやすい。出力端子にバスバー等を接続する際には、出力端子とバスバー等とを法線方向に重ね合わせ、溶接等するのであるが、2つの出力端子間の法線方向間隔が狭いと、この2つの出力端子の間にバスバー等を挿入しにくくなり、接続工程を行いにくくなる。したがって、法線方向から見たときに、上記2つの出力端子が互いに重ならないようにすることにより、2つの出力端子間の法線方向間隔が狭くなることを防止でき、出力端子とバスバー等とを接続する工程を行いやすくなる。
仮に、法線方向から見たときに、該法線方向に隣り合う2つの本体部からそれぞれ突出する2つの出力端子が互いに重なると、2つの出力端子間の、法線方向における間隔が狭くなりやすい。出力端子にバスバー等を接続する際には、出力端子とバスバー等とを法線方向に重ね合わせ、溶接等するのであるが、2つの出力端子間の法線方向間隔が狭いと、この2つの出力端子の間にバスバー等を挿入しにくくなり、接続工程を行いにくくなる。したがって、法線方向から見たときに、上記2つの出力端子が互いに重ならないようにすることにより、2つの出力端子間の法線方向間隔が狭くなることを防止でき、出力端子とバスバー等とを接続する工程を行いやすくなる。
また、第1の上記出力端子群を構成する上記出力端子に流れる電流を測定する第1電流センサと、第2の上記出力端子群を構成する上記出力端子に流れる電流を測定する第2電流センサとを備え、上記第1電流センサを取り付けた上記出力端子と、上記第2電流センサを取り付けた上記出力端子とは、1個の上記本体部から突出しており、上記第1電流センサと上記第2電流センサとが一体化していることが好ましい(請求項4)。
この場合には、2個の電流センサが一体化しているため、部品点数を低減することができる。そのため、電力変換装置の製造コストを低減することができる。
この場合には、2個の電流センサが一体化しているため、部品点数を低減することができる。そのため、電力変換装置の製造コストを低減することができる。
また、上記半導体モジュールを冷却する冷却器を備え、上記複数の出力端子群には、消費電力が相対的に高い上記交流負荷に接続した高出力端子群と、消費電力が相対的に低い上記交流負荷に接続した低出力端子群とがあり、上記高出力端子群に三相交流電圧を出力する半導体素子は、上記低出力端子群に三相交流電圧を出力する半導体素子よりも、上記冷却器の冷媒流路の上流側に配されていることが好ましい(請求項5)。
高出力端子群に三相交流電圧を出力する半導体素子(高出力半導体素子)は、低出力端子群に三相交流電圧を出力する半導体素子(低出力半導体素子)よりも発熱量が大きい。そのため、高出力半導体素子を、低出力半導体素子よりも冷媒流路の上流側に配置することにより、温度の低い冷媒を使って高出力半導体素子を冷却することができる。これにより、高出力半導体素子の冷却効率を上げることが可能になる。
高出力端子群に三相交流電圧を出力する半導体素子(高出力半導体素子)は、低出力端子群に三相交流電圧を出力する半導体素子(低出力半導体素子)よりも発熱量が大きい。そのため、高出力半導体素子を、低出力半導体素子よりも冷媒流路の上流側に配置することにより、温度の低い冷媒を使って高出力半導体素子を冷却することができる。これにより、高出力半導体素子の冷却効率を上げることが可能になる。
(実施例1)
上記電力変換装置に係る実施例について、図1〜図10を用いて説明する。本例の電力変換装置1は、図1、図2に示すごとく、複数の半導体モジュール2(2a,2b)と、制御回路基板3とを備える。半導体モジュール2は、半導体素子29(図10参照)を内蔵した本体部20を有する。この本体部20から制御端子23と、直流電圧が加わる一対の入力端子21と、3本の出力端子22(22a,22b)とが突出している。制御回路基板3は、制御端子23に接続している。
制御回路基板3によって半導体素子29のオンオフ動作を制御することにより、入力端子21に印加された直流電圧を三相交流電圧に変換して出力端子22から出力するよう構成されている。
上記電力変換装置に係る実施例について、図1〜図10を用いて説明する。本例の電力変換装置1は、図1、図2に示すごとく、複数の半導体モジュール2(2a,2b)と、制御回路基板3とを備える。半導体モジュール2は、半導体素子29(図10参照)を内蔵した本体部20を有する。この本体部20から制御端子23と、直流電圧が加わる一対の入力端子21と、3本の出力端子22(22a,22b)とが突出している。制御回路基板3は、制御端子23に接続している。
制御回路基板3によって半導体素子29のオンオフ動作を制御することにより、入力端子21に印加された直流電圧を三相交流電圧に変換して出力端子22から出力するよう構成されている。
また、3本の出力端子22からなり三相交流電圧を出力する出力端子群8が2つ形成されている。個々の出力端子群8(8a,8b)は個々の交流負荷80(図10参照)に接続される。
1つの半導体モジュール2aを構成する出力端子22aと、他の半導体モジュール2bを構成する出力端子22bとを組み合わせて、1個の出力端子群8を形成してある。
1つの半導体モジュール2aを構成する出力端子22aと、他の半導体モジュール2bを構成する出力端子22bとを組み合わせて、1個の出力端子群8を形成してある。
本例の半導体モジュール2は、3本の出力端子22を有する。一方の半導体モジュール2aを構成する1本の出力端子22aと、他方の半導体モジュール2bを構成する2本の出力端子22bとを組み合わせて、第1の出力端子群8aを構成してある。また、一方の半導体モジュール2aを構成する2本の出力端子22aと、他方の半導体モジュール2bを構成する1本の出力端子22bとを組み合わせて、第2の出力端子群8bを構成してある。
本例の電力変換装置1は、車載用のインバータである。図1に示すごとく、本例では、2個の半導体モジュール2(2a,2b)と、昇圧用モジュール6と、リアクトル7と、冷却器11とを積層して、積層体10を構成してある。冷却器11を用いて、半導体モジュール2と昇圧用モジュール6とリアクトル7とを、それぞれ冷却している。
図10に示すごとく、個々の半導体モジュール2には、6個の半導体素子29(IGBT素子)が内蔵されている。この6個の半導体素子29によって三相ブリッジ回路を構成してある。また、昇圧用モジュール6には2個の半導体素子29が設けられている。本例では、昇圧用モジュール6とリアクトル7とを使って、直流電源81の直流電圧を昇圧する。そして、平滑コンデンサ4aによって、昇圧後の直流電圧を平滑化し、半導体素子29をオンオフ動作させて、直流電圧を三相交流電圧に変換する。
本例では、一方の半導体モジュール2aに含まれる4個の半導体素子29aと、他方の半導体モジュール2bに含まれる2個の半導体素子29bとによって三相交流電圧を発生し、第1の交流負荷80a(三相交流モータ)を駆動している。また、一方の半導体モジュール2aに含まれる2個の半導体素子29aと、他方の半導体モジュール2bに含まれる4個の半導体素子29bとによって三相交流電圧を発生し、第2の交流負荷80bを駆動している。
図2に示すごとく、出力端子22の突出側とは反対側に、コンデンサ4が設けられている。コンデンサ4内には、上述した平滑コンデンサ4aと、ノイズ除去用のフィルタコンデンサ4b(図10参照)とが形成されている。
また、図2に示すごとく、積層体10に隣接する位置に制御回路基板3が設けられている。制御回路基板3には複数の貫通孔30が形成されている。この貫通孔30に出力端子22を挿通させ、制御端子23を制御回路基板3に接続してある。制御回路基板3は、上記半導体素子29のスイッチング動作を制御する。
出力端子22には、電流センサ5を取り付けてある。電流センサ5によって測定した電流値は、制御回路基板3に送信される。制御回路基板3は、測定した電流値を、半導体モジュール2の動作制御に利用している。
図3に示すごとく、半導体モジュール2の本体部20は、長方形形板状を呈する。この本体部20から、制御端子23と、3本の出力端子22とが、それぞれ同一方向(Y方向)に突出している。制御端子23のY方向長さは、出力端子22のY方向長さよりも短い。また、入力端子21は、本体部20から、出力端子22および制御端子23の突出側とは反対側に突出している。出力端子22と入力端子21は、本体部20の長辺を含む側面241,242からそれぞれ突出している。また、本体部20の主面200から、半導体素子29の熱を放熱するための放熱板290が露出している。
なお、本例において、本体部20の「主面」とは、6面のうち最も面積が大きい面を意味し、「側面」とは、主面以外の面を意味する。
なお、本例において、本体部20の「主面」とは、6面のうち最も面積が大きい面を意味し、「側面」とは、主面以外の面を意味する。
図1、図3に示すごとく、3本の出力端子22は、本体部20の主面200の法線方向(Z方向)と出力端子22の突出方向(Y方向)との双方に直交する方向(X方向)において、所定間隔をおいて分散配置されている。3本の出力端子22は、側面241のX方向における中央299に対して、左右対称に設けられておらず、X方向に僅かにずれた位置に設けられている。また、一対の入力端子21は、X方向における一方側に偏った位置に設けられている。
図1に示すごとく、2個の半導体モジュール2a,2bは同一形状に形成されている。そして、一方の半導体モジュール2aに対して、他方の半導体モジュール2bを表裏逆にして配置してある。図6に示すごとく、Z方向から見ると、6本の出力端子22が重ならないようになっている。すなわち、Z方向から見たときに、一方の半導体モジュール2aを構成する3本の出力端子22aと、他方の半導体モジュール2bを構成する3本の出力端子22bとが、X方向において交互に配されるようになっている。
また、本例では図2に示すごとく、出力端子22にバスバー88を接続してある。個々のバスバー88は、出力端子22に接続しY方向に延出する第1部分881と、該第1部分881に連なりZ方向に延びる第2部分882とを備える。第2部分882の先端889に、図示しないコネクタを接続するよう構成されている。第1の出力端子群8aを構成する3本の出力端子22にそれぞれ接続する3本のバスバー88aは、封止部84によって一体化され、一つのバスバー群885を構成している。また、第2の出力端子群8bを構成する3本の出力端子22にそれぞれ接続する3本のバスバー88bも、同様に、一つのバスバー群886を構成している。
本例の昇圧用モジュール6は、図4に示すごとく、長方形板状の本体部60と、リアクトル接続端子63と、正極端子61と、負極端子62と、制御端子64とを備える。正極端子61と負極端子62は、本体部60の第1側面67から突出している。
制御端子64は、本体部60の4つの側面のうち、上記第1側面67に平行な第2側面68から突出している。制御端子64は、制御回路基板3に接続する。
また、リアクトル接続端子63は、本体部60の4つの側面のうち、第1側面67に直交する第3側面69に設けられている。
制御端子64は、本体部60の4つの側面のうち、上記第1側面67に平行な第2側面68から突出している。制御端子64は、制御回路基板3に接続する。
また、リアクトル接続端子63は、本体部60の4つの側面のうち、第1側面67に直交する第3側面69に設けられている。
一方、図5に示すごとく、リアクトル7は、長方形板状の本体部73と、2本の端子70,71を備える。2本の端子70,71は、本体部73の側面79から、X方向に延出している。
リアクトル7の端子70,71と、昇圧用モジュール6のリアクトル接続端子63とは、それぞれ同一方向(X方向)に突出している。図2に示すごとく、リアクトル接続端子63とリアクトル7の一方の端子71とは、接続部材89によって電気的に接続されている。また、リアクトル7の他方の端子70は、コンデンサ4の正入力端子47に電気的に接続している。
また、図1に示すごとく、冷却器11はU字状に形成された管である。冷却器11の内部に、冷媒15が流れる冷媒流路150が形成されている。複数の冷却器11は、該冷却器11の先端部111において、連結部14によって接続されている。冷却器11には、冷媒15を導入するための導入管12と、冷媒15を導出するための導出管13とが取り付けられている。導入管12から冷媒15を導入すると、冷媒15は連結部14を通って全ての冷却器11を流れ、導出管13から導出する。これにより、半導体モジュール2、昇圧用モジュール6、リアクトル7を冷却するようになっている。
また、図6、図7に示すごとく、コンデンサ4は、コンデンサケース49と、該コンデンサケース49内に収納した複数のコンデンサ素子40と、該コンデンサ素子40をコンデンサケース49内に封止する封止部材480とを備える。コンデンサ素子40の一部は、平滑コンデンサ4a(図10参照)を構成しており、他の一部はフィルタコンデンサ4bを構成している。
図7に示すごとく、コンデンサ素子40の、ケース底部491側の端面は負電極400になっており、ケース開口部492側の端面401は正電極401になっている。負電極400には負電極板470が接続し、正電極401には正電極板471が接続している。負電極板470は、全てのコンデンサ素子40の負電極400に共通して接続しており、正電極板471は、平滑コンデンサ4a用のコンデンサ素子40にのみ接続している。
負電極板470には、負極端子42,44(図6参照),46、および負入力端子48が接続している。これらの端子42,44,46,48は、コンデンサケース49のケース開口部492からケース外側へ延出している。また、正電極板471には、正極端子41,43,45が接続している。一方、フィルタコンデンサ4b用のコンデンサ素子40の正電極401には、別の電極板499(図9参照)が接続する。この電極板499には、正入力端子47が接続している。
図6、図7に示すごとく、コンデンサ4の、X方向に配列した6個の端子41〜46のうち、X方向において入力端子47,48から遠い位置に設けられた2個の端子41,42には、一方の半導体モジュール2aの入力端子21aが接続している。
また、図6、図8に示すごとく、コンデンサ4の、X方向に配列した6個の端子41〜46のうち、中間に配された2個の端子43,44には、昇圧用モジュール6の端子61,62が接続している。
また、図6、図9に示すごとく、コンデンサ4の、X方向に配列した6個の端子41〜46のうち、X方向において入力端子47,48に近い位置に設けられた2個の端子45,46には、他方の半導体モジュール2bの入力端子21bが接続している。
また、図6に示すごとく、ケース19には出力コネクタ装着孔191,192が形成されている。この出力コネクタ装着孔191〜193に図示しない出力コネクタを装着し、バスバー88(図2参照)に接続する。この出力コネクタを介して、出力端子22と交流負荷80(図10参照)とを電気的に接続している。
本例の作用効果について説明する。図1、図2に示すごとく、本例では、1つの半導体モジュール2aを構成する出力端子22aと、他の半導体モジュール2bを構成する出力端子22bとを組み合わせて、1個の出力端子群8を構成してある。
そのため、1つの出力端子群8を構成する3本の出力端子22の、組み合わせの自由度を高めることができる。したがって、バスバー88の形状や位置に合わせて、3本の出力端子22の組み合わせを最適化することができる。そのため、バスバー88を大きく引き回さなくてもすむように、互いに近接した3本の出力端子22を組み合わせて、個々の出力端子群8を構成することができる。
そのため、1つの出力端子群8を構成する3本の出力端子22の、組み合わせの自由度を高めることができる。したがって、バスバー88の形状や位置に合わせて、3本の出力端子22の組み合わせを最適化することができる。そのため、バスバー88を大きく引き回さなくてもすむように、互いに近接した3本の出力端子22を組み合わせて、個々の出力端子群8を構成することができる。
仮に、図16に示すごとく、1つの半導体モジュール2aを構成する3本の出力端子22aのみを使って1つの出力端子群8aを構成し、他の半導体モジュール2bを構成する3本の出力端子2bのみを使って別の出力端子群8bを構成したとすると、これらの出力端子22の位置に合わせてバスバー88を大きく引き回す必要が生じ、バスバー88同士が接触するおそれが生じる。本例では、図2に示すごとく、バスバー88を大きく引き回さなくてもすむように、3本の出力端子22を組み合わせることができる。
また、本例では図1、図2に示すごとく、複数の半導体モジュール2と複数の冷却器11とを積層して、積層体10を構成してある。複数の出力端子22は、本体部20の側面24からそれぞれ同一方向(Y方向)に突出している。そして、X方向において互いに近接する3本の出力端子22を組み合わせて出力端子群8を構成してある。
1個の半導体モジュール2に含まれる複数の出力端子22は、X方向に分散配置されている。そのため、図16に示すごとく、仮に、1個の半導体モジュール2に含まれる3本の出力端子22を使って1つの出力端子群8を構成したとすると、1つの出力端子群8を構成する3本の出力端子22は、X方向に分散配置されることになる。
この半導体モジュール2と冷却器11とをそれぞれ複数個積層すると、Z方向に隣り合う2つの半導体モジュール2a,2bのうち、一方の半導体モジュール2aに含まれX方向に分散配置された3本の出力端子22a(第1の出力端子群8a)と、他方の半導体モジュール2bに含まれX方向に分散配置された3本の出力端子22b(第2の出力端子群8b)とが、Z方向に近接することになる。そのため、X方向に分散配置された3本の出力端子22にそれぞれバスバー88を接続する必要が生じ、バスバー88を大きく引き回す必要が生じる。また、2つの出力端子群8a,8bがZ方向に近接配置されているため、引き回したバスバー88同士が接近し、干渉しやすくなる。
本例では、図2に示すごとく、1つの半導体モジュール2aに含まれる出力端子22aと、その他の半導体モジュール2bに含まれる出力端子22bとを組み合わせて1つの出力端子群8を構成するため、X方向において互いに近接する3本の出力端子22を組み合わせることができる。そのため、1つの出力端子群8を構成する3本の出力端子22がX方向に分散されることを抑制でき、かつ、2つの出力端子群8がZ方向に近接配置されることを抑制できる。したがって、個々の出力端子22に接続するバスバー88が互いに干渉することを効果的に抑制できる。
また、本例では図6に示すごとく、Z方向から見たときに、Z方向に隣り合う2つの本体部20からそれぞれ突出する出力端子22a,22bが、互いに重ならないよう構成されている。
出力端子22にバスバー88を接続する際には、出力端子22とバスバー88とをZ方向に重ね合わせ、溶接等する。そのため、仮に、2つの出力端子22a,22b間のZ方向間隔が狭いと、2つの出力端子22a,22bの間にバスバー88を挿入しにくくなり、接続工程を行いにくくなる。したがって、本例のように、Z方向から見たときに2つの出力端子22a,22bが重ならないようにすれば、2つの出力端子22a,22bのZ方向間隔が狭くなることを防止でき、出力端子22とバスバー88とを接続する工程を行いやすくなる。
出力端子22にバスバー88を接続する際には、出力端子22とバスバー88とをZ方向に重ね合わせ、溶接等する。そのため、仮に、2つの出力端子22a,22b間のZ方向間隔が狭いと、2つの出力端子22a,22bの間にバスバー88を挿入しにくくなり、接続工程を行いにくくなる。したがって、本例のように、Z方向から見たときに2つの出力端子22a,22bが重ならないようにすれば、2つの出力端子22a,22bのZ方向間隔が狭くなることを防止でき、出力端子22とバスバー88とを接続する工程を行いやすくなる。
なお、本例では、出力端子22にバスバー88を接続し、このバスバー88にコネクタを接続するよう構成されているが、バスバー88を介さず、出力端子22にコネクタを直接、接続してもよい。
以上のごとく、本例によれば、個々の出力端子群に接続するバスバーやコネクタ等が互いに干渉しにくい電力変換装置を提供することができる。
(実施例2)
本例は、半導体モジュール2の形状および配置構成を変更した例である。図11に示すごとく、本例の半導体モジュール2は、四辺形板状の本体部20を有し、この本体部20から制御端子23と、一対の入力端子21と、3本の出力端子22とが突出している。3本の出力端子22のうち、2本の出力端子22は、本体部20の第1側面243から突出している。また、第1側面243に平行な第2側面244から、1本の出力端子22が突出している。そして、第1側面243及び第2側面244に直交する第3側面245から、一対の入力端子21が突出している。
本例は、半導体モジュール2の形状および配置構成を変更した例である。図11に示すごとく、本例の半導体モジュール2は、四辺形板状の本体部20を有し、この本体部20から制御端子23と、一対の入力端子21と、3本の出力端子22とが突出している。3本の出力端子22のうち、2本の出力端子22は、本体部20の第1側面243から突出している。また、第1側面243に平行な第2側面244から、1本の出力端子22が突出している。そして、第1側面243及び第2側面244に直交する第3側面245から、一対の入力端子21が突出している。
本例の電力変換装置1は、半導体モジュール2を2個備える。それぞれの半導体モジュール2(2a,2b)は同一形状を呈しており、隣接配置されている。一方の半導体モジュール2aの入力端子21と、他方の半導体モジュール2bの入力端子21とは、それぞれ反対側に突出している。また、一方の半導体モジュール2aの第1側面243に形成された2本の出力端子22aと、他方の半導体モジュール2bの第2側面244に形成された1本の出力端子22bとが、同一方向を向くようにしてある。そして、これら3本の出力端子22によって、三相交流電圧を出力する、第1の出力端子群8aを構成してある。
また、一方の半導体モジュール2aの第2側面244に形成された1本の出力端子22aと、他方の半導体モジュール2bの第1側面243に形成された2本の出力端子22bとが、同一方向を向いている。そして、これら3本の出力端子22によって、第2の出力端子群8bを構成してある。
本例の作用効果について説明する。上記構成にすると、第1の出力端子群8aを構成する3本の出力端子22と、第2の出力端子群8bを構成する3本の出力端子22とが、互いに反対側に突出するため、これらの出力端子群8a,8bにそれぞれ接続するバスバー同士が、互いに干渉することを抑制できる。
また、本体部20の一つの側面24から、出力端子22が多くても2本しか突出していないため、一つの側面24から3本の出力端子22が突出する場合(図3参照)と比べて、本体部20のX方向長さを短くすることができる。そのため、半導体モジュール2を小型化しやすい。
その他は、実施例1と同様である。また、本例に関する図面に用いた符号のうち、実施例1において用いた符合と同一のものは、特に示さない限り、実施例1と同様の構成要素等を表す。
(実施例3)
本例は、半導体モジュール2の形状および配置構成を変更した例である。図12に示すごとく、本例の電力変換装置1は、3個の半導体モジュール2を備える。個々の半導体モジュール2は、2本の入力端子21と2本の出力端子22を備える。半導体モジュール2の本体部20には4個の半導体素子29(IGBT)が内蔵されている。この4個の半導体素子29によってブリッジ回路を構成してある。
本例は、半導体モジュール2の形状および配置構成を変更した例である。図12に示すごとく、本例の電力変換装置1は、3個の半導体モジュール2を備える。個々の半導体モジュール2は、2本の入力端子21と2本の出力端子22を備える。半導体モジュール2の本体部20には4個の半導体素子29(IGBT)が内蔵されている。この4個の半導体素子29によってブリッジ回路を構成してある。
本例では、3個の半導体モジュール2をX方向に並べて配置してある。個々の半導体モジュール2の出力端子22は同一方向に突出している。入力端子21は、出力端子22とは反対側に突出している。そして、第1の半導体モジュール2aを構成する2本の出力端子22aと、第2の半導体モジュール2bを構成する1本の出力端子22bとを組み合わせて、第1の出力端子群8aを構成してある。また、第2の半導体モジュール2bを構成する1本の出力端子22bと、第3の半導体モジュール2cを構成する2本の出力端子22cとを組み合わせて、第2の出力端子群8bを構成してある。
本例の作用効果について説明する。本例では、X方向における一方側に第1の出力端子群8aが位置し、他方側に第2の出力端子群8bが位置している。そのため、これら2つの出力端子群8a,8bを充分に離すことができる。したがって、2つの出力端子群8a,8bにそれぞれ接続するバスバーが互いに干渉することを防止できる。
また、本例では、1個の半導体モジュール2に4個の半導体素子29(IGBT素子)しか内蔵されていない。そのため、1個の半導体モジュール2に6個の半導体素子29を内蔵した場合と比べて、半導体モジュール2の製造歩留まりを向上させることができる。
その他は、実施例1と同様である。また、本例に関する図面に用いた符号のうち、実施例1において用いた符合と同一のものは、特に示さない限り、実施例1と同様の構成要素等を表す。
(実施例4)
本例は、冷却器11の構成を変更した例である。図13に示すごとく、本例では、冷媒15が、半導体モジュール2に対してX方向における一方側から他方側へ流れるように、冷却器11内の冷媒流路150を形成してある。また、本例では、実施例1と同様に、2つの出力端子群8(8c,8d)を形成してある。2つの出力端子群8c,8dは、それぞれ別の交流負荷80(図10参照)に接続する。一方の出力端子群8cは、消費電力が相対的に高い交流負荷80に接続した高出力端子群8cである。また、他方の出力端子群8dは、消費電力が相対的に低い交流負荷80に接続した低出力端子群8dである。
本例は、冷却器11の構成を変更した例である。図13に示すごとく、本例では、冷媒15が、半導体モジュール2に対してX方向における一方側から他方側へ流れるように、冷却器11内の冷媒流路150を形成してある。また、本例では、実施例1と同様に、2つの出力端子群8(8c,8d)を形成してある。2つの出力端子群8c,8dは、それぞれ別の交流負荷80(図10参照)に接続する。一方の出力端子群8cは、消費電力が相対的に高い交流負荷80に接続した高出力端子群8cである。また、他方の出力端子群8dは、消費電力が相対的に低い交流負荷80に接続した低出力端子群8dである。
実施例1と同様に、個々の半導体モジュール2の本体部20には、6個の半導体素子29(IGBT素子)が封止されている(図10参照)。複数の半導体素子29のうち、高出力端子群8cに三相交流電圧を出力する半導体素子29(高出力半導体素子29c)は、低出力端子群8dに三相交流電圧を出力する半導体素子29(低出力半導体素子29d)よりも、冷却器11の冷媒流路150の上流側に配されている。
高出力半導体素子29cは、低出力半導体素子29dよりも多くの電力を出力するため、発熱量が大きい。そのため、高出力半導体素子29cを、低出力半導体素子29dよりも冷媒流路150の上流側に配置することにより、温度の低い冷媒15を使って高出力半導体素子29cを冷却することができ、高出力半導体素子の冷却効率を上げることが可能となる。
その他は、実施例1と同様である。また、本例に関する図面に用いた符号のうち、実施例1において用いた符合と同一のものは、特に示さない限り、実施例1と同様の構成要素等を表す。
(実施例5)
本例は、電流センサ5の構成を変更した例である。図14に示すごとく、本例の電力変換装置1は、第1電流センサ5aと第2電流センサ5bとの、2個の電流センサ5を備える。第1電流センサ5aは、第1の出力端子群8aを構成する出力端子22に流れる電流を測定する。また、第2電流センサ5bは、第2の出力端子群8bを構成する出力端子22に流れる電流を測定する。これら2個の電流センサ5a,5bは、図示しない制御回路基板に接続している。制御回路基板は、電流センサ5a,5bによって測定した電流値を、半導体モジュール2の動作制御に利用している。
本例は、電流センサ5の構成を変更した例である。図14に示すごとく、本例の電力変換装置1は、第1電流センサ5aと第2電流センサ5bとの、2個の電流センサ5を備える。第1電流センサ5aは、第1の出力端子群8aを構成する出力端子22に流れる電流を測定する。また、第2電流センサ5bは、第2の出力端子群8bを構成する出力端子22に流れる電流を測定する。これら2個の電流センサ5a,5bは、図示しない制御回路基板に接続している。制御回路基板は、電流センサ5a,5bによって測定した電流値を、半導体モジュール2の動作制御に利用している。
第1電流センサ5aを取り付けた出力端子22と、第2電流センサ5bを取り付けた出力端子22とは、1個の本体部20から突出している。第1電流センサ5aと第2電流センサ5bとは一体化している。
このようにすると、2個の電流センサ5a,5bが一体化しているため、部品点数を低減することができる。そのため、電力変換装置1の製造コストを低減することができる。
また、本例では、電流センサ5を取り付けた2本の出力端子22は、1個の本体部20からそれぞれ突出している。そのため、この2本の出力端子22は、互いに近い位置に存在している。したがって、一体化した電流センサ5a,5bを取り付けやすい。
また、本例では、電流センサ5を取り付けた2本の出力端子22は、1個の本体部20からそれぞれ突出している。そのため、この2本の出力端子22は、互いに近い位置に存在している。したがって、一体化した電流センサ5a,5bを取り付けやすい。
その他は、実施例1と同様である。また、本例に関する図面に用いた符号のうち、実施例1において用いた符合と同一のものは、特に示さない限り、実施例1と同様の構成要素等を表す。
(実施例6)
本例は、半導体モジュール2の形状および配置構成を変更した例である。図15に示すごとく、本例の電力変換装置1は、3個の半導体モジュール2を備える。個々の半導体モジュール2は、実施例3(図12参照)と同様に、2本の出力端子22を備える。この半導体モジュール2と冷却器11とを積層して積層体10を構成してある。
本例は、半導体モジュール2の形状および配置構成を変更した例である。図15に示すごとく、本例の電力変換装置1は、3個の半導体モジュール2を備える。個々の半導体モジュール2は、実施例3(図12参照)と同様に、2本の出力端子22を備える。この半導体モジュール2と冷却器11とを積層して積層体10を構成してある。
3個の半導体モジュール2の出力端子22は、それぞれ同一方向に突出している。1つの半導体モジュール2(第1半導体モジュール2a)を構成する出力端子22aと、他の半導体モジュール2(第2半導体モジュール2bおよび第3半導体モジュール2c)を構成する出力端子22b,22cを組み合わせて、1つの出力端子群8を構成してある。
第1の出力端子群8aを構成する3本の出力端子22(22a〜22c)は、X方向における一方側に位置している。また、第2の出力端子群8bを構成する3本の出力端子22(22a〜22c)は、X方向における他方側に位置している。
その他は、実施例1と同様である。また、本例に関する図面に用いた符号のうち、実施例1において用いた符合と同一のものは、特に示さない限り、実施例1と同様の構成要素等を表す。
1 電力変換装置
2 半導体モジュール
20 本体部
21 入力端子
22 出力端子
23 制御端子
29 半導体素子
3 制御回路基板
8 出力端子群
2 半導体モジュール
20 本体部
21 入力端子
22 出力端子
23 制御端子
29 半導体素子
3 制御回路基板
8 出力端子群
Claims (5)
- 半導体素子(29)を内蔵した本体部(20)を有し、該本体部(20)から制御端子(23)と、直流電圧が加わる一対の入力端子(21)と、少なくとも2本の出力端子(22)とが突出した複数の半導体モジュール(2)と、
上記制御端子(23)に接続した制御回路基板(3)とを備え、
該制御回路基板(3)によって上記半導体素子(29)のオンオフ動作を制御することにより、上記入力端子(21)に印加された直流電圧を三相交流電圧に変換して上記出力端子(22)から出力するよう構成され、
3本の上記出力端子(22)からなり上記三相交流電圧を出力する出力端子群(8)が複数、形成され、個々の上記出力端子群(8a,8b)を個々の交流負荷(80a,80b)に接続するよう構成されており、
1つの上記半導体モジュール(2a)を構成する上記出力端子(22a)と、他の上記半導体モジュール(2b)を構成する上記出力端子(22b)とを組み合わせて、1個の上記出力端子群(8)を形成してあることを特徴とする電力変換装置(1)。 - 請求項1に記載の電力変換装置(1)において、上記本体部(20)は四辺形板状に形成され、複数の上記半導体モジュール(2)と、該半導体モジュール(2)を冷却する複数の冷却器(11)とを、上記本体部(20)の主面(200)の法線方向に積層した積層体(10)が構成されており、個々の上記出力端子(22)は、上記本体部(20)の側面(24)からそれぞれ同一方向に突出し、上記複数の出力端子(22)は、該出力端子(22)の突出方向と上記法線方向との双方に直交する幅方向に分散配置されており、上記幅方向において互いに近接する3本の上記出力端子(22)を組み合わせて上記出力端子群(8)を構成してあることを特徴とする電力変換装置(1)。
- 請求項2に記載の電力変換装置(1)において、上記法線方向から見たときに、該法線方向に隣り合う2つの上記本体部(20)からそれぞれ突出する上記出力端子(22)が、互いに重ならないよう構成されていることを特徴とする電力変換装置(1)。
- 請求項2又は請求項3に記載の電力変換装置(1)において、第1の上記出力端子群(8a)を構成する上記出力端子(22)に流れる電流を測定する第1電流センサ(5a)と、第2の上記出力端子群(8b)を構成する上記出力端子(22)に流れる電流を測定する第2電流センサ(5b)とを備え、上記第1電流センサ(5a)を取り付けた上記出力端子(22)と、上記第2電流センサ(5b)を取り付けた上記出力端子(22)とは、1個の上記本体部(20)から突出しており、上記第1電流センサ(5a)と上記第2電流センサ(5b)とが一体化していることを特徴とする電力変換装置(1)。
- 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の電力変換装置(1)において、上記半導体モジュール(2)を冷却する冷却器(11)を備え、上記複数の出力端子群(8)には、消費電力が相対的に高い上記交流負荷(80)に接続した高出力端子群(8c)と、消費電力が相対的に低い上記交流負荷(80)に接続した低出力端子群(8d)とがあり、上記高出力端子群(8c)に三相交流電圧を出力する半導体素子(29c)は、上記低出力端子群(8d)に三相交流電圧を出力する半導体素子(29d)よりも、上記冷却器(11)の冷媒流路(150)の上流側に配されていることを特徴とする電力変換装置(1)。
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