JP2013236344A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. データを保持することが可能な揮発性の保持ノードと、
   パワーゲーティング期間中に前記データを保持するキャパシタと、
   前記保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、を有し、
   前記トランジスタは、
   前記パワーゲーティング期間が開始される前にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
   前記パワーゲーティング期間経過後にオン状態となってから再度パワーゲーティング期間が開始される前までに渡ってオン状態を維持する、ことを繰り返す半導体装置の駆動方法。
2. データを保持することが可能な揮発性の保持ノードと、
   パワーゲーティング期間中に前記データを保持するキャパシタと、
   前記保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、を有し、
   前記トランジスタは、
   前記パワーゲーティング期間が開始される際にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
   前記パワーゲーティング期間経過後にオン状態となってから再度パワーゲーティング期間が開始されるまでに渡ってオン状態を維持する、ことを繰り返す半導体装置の駆動方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記パワーゲーティング期間経過後に前記トランジスタがオン状態となる際に前記保持ノードを浮遊状態とする半導体装置の駆動方法。
4. それぞれにおいて同一のデータを保持することが可能な揮発性の第１の保持ノード及び第２の保持ノードと、
   パワーゲーティング期間中に前記データを保持するキャパシタと、
   前記第１の保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成される第１のトランジスタと、
   前記第２の保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成される第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタは、
   前記パワーゲーティング期間が開始される前にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
   前記パワーゲーティング期間経過後にオン状態となってから再度パワーゲーティング期間が開始される前までに渡ってオン状態を維持する、ことを繰り返し、
   前記第２のトランジスタは、
   前記パワーゲーティング期間が開始される前にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
   前記第１のトランジスタのゲートには、前記パワーゲーティング期間以外の期間に渡って前記第２のトランジスタのゲートに供給される信号の反転信号が供給される半導体装置の駆動方法。
5. それぞれにおいて同一のデータを保持することが可能な揮発性の第１の保持ノード及び第２の保持ノードと、
   パワーゲーティング期間中に前記データを保持するキャパシタと、
   前記第１の保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成される第１のトランジスタと、
   前記第２の保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成される第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタは、
   前記パワーゲーティング期間が開始される際にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
   前記パワーゲーティング期間経過後にオン状態となってから再度パワーゲーティング期間が開始されるまでに渡ってオン状態を維持する、ことを繰り返し、
   前記第２のトランジスタは、
   前記パワーゲーティング期間が開始される前にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
   前記第１のトランジスタのゲートには、前記パワーゲーティング期間以外の期間に渡って前記第２のトランジスタのゲートに供給される信号の反転信号が供給される半導体装置の駆動方法。
6. 請求項４又は請求項５において、
   前記パワーゲーティング期間経過後に前記第２のトランジスタがオン状態となる際に前記第２の保持ノードを浮遊状態とする半導体装置の駆動方法。