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JP2013215804A - レーザ加工装置 - Google Patents

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キ キム、ホン
Do Yeong Yoon
イーオン ヨーン、ド
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Abstract

【課題】高い光エネルギのレーザ光が用いられる加工対象物の加工工程において、光変調器の損傷を減らすと共に、生産性を向上することができる、レーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置は、レーザ光を発光する第1のレーザ光源10及び第2のレーザ光源20と、この第1のレーザ光源10から発光されたレーザ光を選択して形象化する光変調器30と、このレーザ光を加工対象物Bに照射する照射光学系40とを含む。
【選択図】図1

Description

本発明は、レーザ加工装置に関し、特に、レーザ光を照射して加工対象物を加工するレーザ加工装置に関する。
一般に、液品ディスプレイ(LCD:Liquid Crystal Display)やプラズマディスプレイパネル(PDP:Plasma Display Panel)などの平板ディスプレイ(FPD:Flat Panel Display)、半導体ウエハ(wafer)、積層プリント基板(multilayer Printed Circuit Board)などの基板にパターンを形成するのには、該基板にパターン材料を塗布し、フォトマスク(Photomask)を用いて該パターン材料に選択的に露光を施して、化学的性質の変わったパターン材料部分またはその以外の部分を選択的に除去する工程が用いられる。
また、最近には、フォトマスクの代わりに、空間光変調器(SLM:spatial light modulator)を用いて基板上の予め決められた位置、方向及び形状にレーザ光を照射してパターンを形成する、レーザを用いる加工装置が用いられている。
該空間光変調器は、主にガルバノミラー(galvano mirror)や多面鏡(polygon mirror)を用いる1次元スキャナを使っている。これに比べて、DMD(Digital Micromirror Device)のようなアレイタイプの空間光変調器が一度にレーザ光を照射することができる領域が広く、生産性が向上すると共に加工装備の構成及び制御方法が比較的簡単になるという長所がある。
韓国公開特許第10−2009−0012470号公報 韓国公開特許第10−2009−0033817号公報
ガルバノミラや多面鏡を用いる1次元スキャナの場合、十分な大きさの反射面を用いて製作され、加工に必要なレーザ光の波長や光エネルギを収容可能な材料として用いられる。また、コーティングなどの処理が可能で、レーザ光による損傷が発生されない。しかしながら、アレイタイプの空間光変調器の場合、十分な空間分解能を得るために半導体工程などによって微細な大きさに製作される。そのため、加工に必要なレーザ光の光エネルギを耐えるための材料やコーティングなどの処理ができなく、加工に必要なレーザ光のような光エネルギに耐えなく劣化してしまうという不都合がある。
また、ガルバノミラまたは多面鏡などの1次元スキャナのように、レーザ光による損傷が発生しない場合、加工に必要な十分な光エネルギを加工対象物に印加しなければならないため、該加工対象物にレーザ光を印加する時間が長くなり、生産性に限界がある。
本発明は上記の問題点に鑑みて成されたものであって、その目的は、高い光エネルギのレーザ光が用いられる加工対象物の加工工程において、光変調器の損傷を減らすと共に、生産性を向上することができる、レーザ加工装置を提供することにある。
上記目的を解決するために、本発明の実施形態1によるレーザ加工装置は、レーザ光を発光する第1のレーザ光源及び第2のレーザ光源と、前記第1のレーザ光源から発光されたレーザ光を選択して形象化する光変調器と、前記レーザ光を加工対象物に照射する照射光学系とを含む。
一実施形態によれば、前記第1のレーザ光源は、前記光変調器が損傷されないほどの光エネルギとしてのレーザ光を発光する。
一実施形態によれば、前記第2のレーザ光源は、前記レーザ光が前記加工対象物に直接照射されるように設けられ、前記加工対象物が加工されないほどの光エネルギとしてのレーザ光を発光する。
一実施形態によれば、前記第1のレーザ光源の光エネルギと第2のレーザ光源の光エネルギとの和は、加工対象物の加工の時に必要な光エネルギより大きい。
一実施形態によれば、前記第1のレーザ光源及び第2のレーザ光源は、Nd:YAGレーザ、Nd:YLFレーザ、Nd:YVO4レーザ、チタンサファイヤフェムト秒のレーザ及びCOレーザのうちのいずれか一つにより設けられる。
一実施形態によれば、前記光変調器は、ガルバノミラ、多面鏡、DMD、LCDまたはフォトマスクのうちのいずれか一つである。
また、一実施形態によれば、前記照射光学系は、前記光変調器によって変調されたレーザ光を拡大する光拡大器と、前記光拡大器によって拡大されたレーザ光を集光するマイクロレンズと、該マイクロレンズで集光されたレーザ光を加工対象物に投射する投射レンズとを含む。
また、上記目的を解決するために、本発明の実施形態2によるレーザ加工装置は、異なる波長のレーザ光を発光する第1のレーザ光源及び第2のレーザ光源と、該第1のレーザ光源から発光されたレーザ光を選択して形象化する光変調器と、前記レーザ光を加工対象物に照射する照射光学系とを含み、前記照射光学系と前記加工対象物との間に設けられ、前記照射光学系から照射されるレーザ光と第2のレーザ光源から発光されるレーザ光とを選択的に透過または反射させるダイクロイックレンズとをさらに含む。
一実施形態によれば、前記第1のレーザ光源は、前記光変調器が損傷されないほどの光エネルギとしてのレーザ光を発光する。
一実施形態によれば、前記第2のレーザ光源は、前記レーザ光が前記加工対象物に直接照射されるように設けられ、前記加工対象物が加工されないほどの光エネルギとしてのレーザ光を発光する。
一実施形態によれば、前記第1のレーザ光源の光エネルギと第2のレーザ光源の光エネルギとの和は、加工対象物の加工の時に必要な光エネルギより大きい。
一実施形態によれば、前記第1のレーザ光源及び第2のレーザ光源は、Nd:YAGレーザ、Nd:YLFレーザ、Nd:YVO4レーザ、チタンサファイヤフェムト秒のレーザ及びCOレーザのうちのいずれか一つにより設けられる。
一実施形態によれば、前記光変調器は、ガルバノミラ、多面鏡、DMD、LCDまたはフォトマスクのうちのいずれか一つである。
一実施形態によれば、前記照射光学系は、前記光変調器によって変調されたレーザ光を拡大する光拡大器と、前記光拡大器によって拡大されたレーザ光を集光するマイクロレンズと、該マイクロレンズで集光されたレーザ光を加工対象物に投射する投射レンズとを含む。
また、上記目的を解決するために、本発明の実施形態3によるレーザ加工装置は、レーザ光を発光する第1のレーザ光源及び第2のレーザ光源と、該第1のレーザ光源から発光されたレーザ光を選択して形象化する光変調器と、該レーザ光を加工対象物に照射する照射光学系とを含み、前記第1のレーザ光源及び前記第2のレーザ光源から発光されるレーザ光の偏光を変更する偏光変換部とをさらに含む。
一実施形態によれば、前記照射光学系と前記加工対象物との間に設けられ、前記照射光学系から照射されるレーザ光と前記第2のレーザ光源から発光されるレーザ光とを選択的に透過または反射させる偏光レンズをさらに含む。
一実施形態によれば、前記第1のレーザ光源は、前記光変調器が損傷されないほどの光エネルギとしてのレーザ光を発光する。
一実施形態によれば、前記第2のレーザ光源は、前記レーザ光が前記加工対象物に直接照射されるように設けられ、前記加工対象物が加工されないほどの光エネルギとしてのレーザ光を発光する。
一実施形態によれば、前記第1のレーザ光源の光エネルギと前記第2のレーザ光源の光エネルギとの和は、加工対象物の加工の時に必要な光エネルギより大きい。
一実施形態によれば、前記第1のレーザ光源及び前記第2のレーザ光源は、Nd:YAGレーザ、Nd:YLFレーザ、Nd:YVO4レーザ、チタンサファイヤブェムト秒のレーザ及びCOレーザのうちのいずれか一つにより設けられる。
一実施形態によれば、前記光変調器は、ガルバノミラ、多面鏡、DMD、LCDまたはフォトマスクのうちのいずれか一つである。
一実施形態によれば、前記照射光学系は、前記光変調器によって変調されたレーザ光を拡大する光拡大器と、該光拡大器によって拡大されたレーザ光を集光するマイクロレンズと、該マイクロレンズで集光されたレーザ光を加工対象物に投射する投射レンズとを含む。
本発明の実施形態によれば、二つのレーザ光源から、光変調器を損傷させないほどの光エネルギとして発光されるレーザ光を合わせて加工対象物を加工することによって、光変調器を損傷させることなく、該加工対象物の加工が可能で、光変調器の損傷による維持補修費用を節減することができる。
また、光変調器を使うことによって、加工装置を単純化することができるという効果が奏する。
また、加工対象物に二つのレーザ光源によってレーザ光を分けて印加することによって、加工に必要な光エネルギを印加するのに必要な時間を減らして、生産性を向上させることができるという効果が奏する。
本発明の実施形態1によるレーザ加工装置を示す構成図である。 フォトマスクを使ったレーザ加工装置を示す構成図である。 本発明の実施形態2によるレーザ加工装置を示す構成図である。 本発明の実施形態3によるレーザ加工装置を示す構成図である。
以下、本発明の好適な実施の形態は図面を参考にして詳細に説明する。次に示される各実施の形態は当業者にとって本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために例として挙げられるものである。従って、本発明は以下示している各実施の形態に限定されることなく他の形態で具体化されることができる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜上誇張して表現されることができる。明細書全体に渡って同一の参照符号は同一の構成要素を示している。
本明細書で使われた用語は、実施形態を説明するためのものであって、本発明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数形は文句で特別に言及しない限り複数形も含む。明細書で使われる「含む」とは、言及された構成要素、ステップ、動作及び/又は素子は、一つ以上の他の構成要素、ステップ、動作及び/又は素子の存在または追加を排除しないことに理解されたい。
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施形態について詳記する。
図1は、本発明の実施形態1によるレーザ加工装置を示す構成図で、図2はフォトマスクを使ったレーザ加工装置を示す構成図である。
図1に示すように、本発明の実施形態1によるレーザ加工装置は、第1のレーザ光源10、第2のレーザ光源20、光変調器30及び照射光学系40を含む。
レーザ加工装置は、加工対象物Bをレーザ光源から発光されたレーザ光によって加工する装置であって、熔融、切断、絵や文字などのプリント、露光、基板への回路パターンの形成及び回路パターンの復旧(リペア)など所定の加工を加工対象物Bに対して行う。
前記加工対象物Bには、平板ディスプレイ、半導体ウエハ、積層プリント基板などが挙げられるが、これに限定するものではない。例えば、一般的な試料であってもよい。
前記第1のレーザ光源10と第2のレーザ光源20とはレーザ光を発光する。前記第1のレーザ光源10から発光されたレーザ光は反射ミラー50に反射して光変調器30に入射され、第2のレーザ光源20から発光されたレーザ光は加工したい加工対象物Bに直接照射される。この場合、前記反射ミラー50は、レーザ光を反射して光経路を変更させ、第1のレーザ光源10から発光されたレーザ光を光変調器30へと案内するように設けられる。一実施形態によれば、反射ミラー50は、第1のレーザ光源10の位置及び光変調器30の位置によって使われなくてもよく、多数使われてもよい。
一実施形態によれば、前記第2のレーザ光源20は、加工対象物Bにレーザ光を直接照射するために加工対象物Bの一側に設けられてもよく、一つまたは多数設けられてもよい。
また、前記第1のレーザ光源10及び第2のレーザ光源20は、Nd:YAGレーザ、Nd:YLFレーザ、Nd:YVO4レーザ、チタンサファイヤフェムト秒のレーザ及びCOレーザのうちのいずれか一つにより設けられてもよい。
前記第1のレーザ光源10は、後述の光変調器30が損傷されないほどの光エネルギとしてのレーザ光を発光し、前記第2のレーザ光源20は加工対象物Bが加工されないほどの光エネルギとしてのレーザ光を発光する。
一実施形態によれば、第1のレーザ光源10及び第2レーザ光源20から発光されるレーザ光の光エネルギの和は、加工対象物Bの加工の時に必要な光エネルギより高く設けられることが望ましい。
詳しくは、光変調器30が損傷されないほどの光エネルギとして発光される第1のレーザ光源10からのレーザ光と、加工対象物Bが加工されないほどの光エネルギとして発光される第2のレーザ光源20からのレーザ光とを合わせて、これらを用いて加工対象物Bを加工することによって、光変調器30の損傷を防止することができる。そのため、光変調器30の損傷による維持補修費用を節減すると共に、加工装置を単純化することができる。
また、一つのレーザ光源を用いるのに比べて、加工対象物に二つのレーザ光源からのレーザ光を分けて印加することによって、加工に必要な光エネルギを印加するのに必要な時間を減らして、生産性を向上させることができる。
また、本発明の実施形態ではレーザ光源を用いることと説明したが、このレーザ光源だけではなく、LED(Light Emitting Diode:固体ランプ)またはランプのように加工対象物Bを加工することができる光を発光する構成なら知何なるものでもよい。
前記光変調器30は、第1のレーザ光源10から発光されたレーザ光を選択して整形化するもので、DMD(Digital Micromirror Device)によって設けられてもよい。
この場合、DMDは、レーザ光を選択的に反射・形象化して加工対象物Bへ照射することができるもので、加工対象物Bの上部領域に設けられてもよい。
また、該DMDは、多数のマイクロミラー(micromirror)が角度調節が可能になるように2次元アレイ型に配列されて構成されてもよい。各マイクロミラーの傾斜角は、少なくとも2種類に切替え可能になるように設けられてもよい。
また、各マイクロミラーは、傾斜角によって各々独立して「オン状態」及び「オフ状態」に切替え可能であり、制御部(図示せず)によって選択的にその状態が切替えられてもよい。この場合、該制御部には、入射されるレーザ光の照射可否を示すデータが格納されてもよい。
したがって、DMDは、制御部のデータによってマイクロミラーを「オン状態」または「オフ状態」に切り替え、入射されるレーザ光がオン状態のマイクロミラーに入射されれば、鉛直方向に反射し、加工対象物Bへ照射される。これに対して、レーザ光がオフ状態のマイクロミラーに入射されれば、鉛直方向と異なる方向に反射して加工対象物Bに照射されなくなる。
前記照射光学系40は、レーザ光の移動経路上に設けられ、該レーザ光を拡大する光拡大器41と、この光拡大器41によって拡大されたレーザ光を加工したい領域に当たるように一定の大きさに集光するマイクロレンズ42と、このマイクロレンズ42で集光されたレーザ光を加工対象物Bに投射する投射レンズ43とを備え、光変調器30によって整形化されたレーザ光を加工対象物Bに照射するようになる。
一実施形態によれば、前記光変調器30は、ガルバノミラ、多面鏡またはLCD(Liquid Crystal Display)によって設けられてもよい。
また、図2に示すように、前記光変調器30は、フォトマスク(Photomask)によって設けられてもよい。
前記光変調器30がフォトマスクによって設けられた場合、前記照射光学系40と加工対象物Bとの間に設けられ、該照射光学系40を通過したレーザ光が選択的に透過されることによって、加工対象物Bに照射される。
この場合、前記第2のレーザ光源20によって加工対象物Bが予熱されるため、前記フォトマスクによって選択的に透過された領域だけ加工されるようになる。
次に、前述のように設けられたレーザ加工装置による加工対象物Bの加工方法について、図1を参考して説明する。
まず、前記第2のレーザ光源20は、加工対象物Bが加工されないほどの光エネルギとしてのレーザ光を発光する。この第2のレーザ光源20から発光されたレーザ光は、加工対象物Bの全面積または一部領域に照射されて加工対象物Bを予熱するようになる。
続いて、前記光変調器30が、前記第1のレーザ光源10から発光されたレーザ光を制御部(図示せず)のデータによって選択して鉛直方向に反射させ、該反射したレーザ光を照射光学系40によって加工して加工対象物Bに照射することによって、加工対象物Bを加工するようになる。
すなわち、前記第2のレーザ光源20によって予熱された加工対象物Bに、第1のレーザ光源10から発光されて光変調器30によって選択されたレーザ光を照射することによって、該加工対象物Bを前記光変調器30によって選択された位置、方向及び形状に加工するようになる。
したがって、前記加工対象物Bを二つのレーザ光源を用いて加工することによって、一つのレーザ光源を用いるのに比べて加工速度を上げることができる。
図3は、本発明の実施形態2によるレーザ加工装置を示す構成図である。
本発明の実施形態2によるレーザ加工装置は、異なる波長のレーザ光を発光する二つのレーザ光源を用いるレーザ加工装置である。
図3に示すように、本発明の実施形態2によるレーザ加工装置は、異なる波長のレーザ光を発光する第1のレーザ光源110及び第2のレーザ光源120と、この第1のレーザ光源110から発光されたレーザ光を選択的に反射して形象化する光変調器130と、この光変調器130によって形象化されたレーザ光を加工対象物に照射する照射光学系140とを備える。また、レーザ加工装置は、前記照射光学系130と加工対象物Bとの間に設けられ、照射光学系130に照射されるレーザ光及び第2のレーザ光源120から発光されるレーザ光を選択的に透過または反射させるダイクロイックレンズ160をさらに含む。
前記第1のレーザ光源110は、光変調器130が損傷されないほどの光エネルギとしてのレーザ光を発光し、前記第2のレーザ光源120は該加工対象物Bが加工されないほどの光エネルギとしてのレーザ光を発光する。一実施形態によれば、前記第1のレーザ光源110及び第2レーザ光源120から発光するレーザ光の光エネルギの和は、加工対象物Bの加工の時に必要なエネルギより高く設けられることが望ましい。
すなわち、前記光変調器130を損傷させないほどに少ない出力のレーザ光と加工対象物Bを予熱だけできる程度のレーザ光とを用いて、加工対象物を加工することによって、光変調器130の損傷による維持補修費用を節減することができる。また、加工装置を単純化すると共に生産性を向上させることができる。
前記ダイクロイックレンズ160は、一定の波長のレーザ光は透過させ、その以外のレーザ光は反射させるもので、照射光学系130と加工対象物Bとの間に設けられる。
前記ダイクロイックレンズ160は、光変調器130で反射し、照射光学系140によって加工される第1のレーザ光源110からのレーザ光は透過させ加工対象物Bへ投影させ、第1のレーザ光源110と異なる波長を有する第2のレーザ光源120からのレーザ光は反射させ加工対象物Bに照射することができる。
詳しくは、異なる波長のレーザ光を発光する多数のレーザ光を使う場合、ダイクロイックレンズ160を通じて異なる波長を有する多数のレーザ光を合わせて一方向に照射することによって、加工対象物Bを加工することができるようになる。
したがって、加工対象物Bが加工されないほどの光エネルギとして発光する第2のレーザ光源120からのレーザ光によって加工対象物Bを予熱し、前記光変調器130に第1のレーザ光源110から発光されたレーザ光を選択的に照射して加工対象物Bで加工するため、一つのレーザ光源を用いるのに比べて、加工速度を上げることができる。
図4は、本発明の実施形態3によるレーザ加工装置を示す構成図である。
本発明の実施形態3によるレーザ加工装置は、同じ波長のレーザ光を発光する二つのレーザ光源を用いるレーザ加工装置である。
図4に示すように、本発明の実施形態3によるレーザ加工装置は、同じ波長のレーザ光を発光する第1のレーザ光源210及び第2のレーザ光源220と、この第1のレーザ光源210から発光されたレーザ光を選択的に反射して形象化する光変調器230と、この光変調器230によって形象化されたレーザ光を加工対象物Bに照射する照射光学系240とを備える。また、レーザ加工装置は、前記第1のレーザ光源210及び第2のレーザ光源220から発光されるレーザ光の偏光を変更する偏光変換部270をさらに含む。
また、レーザ加工装置は、前記照射光学系240と加工対象物Bとの間に設けられ、照射光学系240に照射されるレーザ光と第2のレーザ光源220から発光されるレーザ光の偏光によって選択的に透過または反射させる偏光レンズ260をさらに含む。
前記偏光変換部270は、第1のレーザ光源210に設けられ、この第1のレーザ光源210から発光するレーザ光の偏光方向を垂直方向に変換させる垂直偏光変換部271と、第2のレーザ光源220に設けられ、この第2のレーザ光源220から発光するレーザ光の偏光方向を水平方向に変換させる水平偏光変換部272とから構成される。
一実施形態によれば、前記垂直偏光変換部271と水平偏光変換部272とは、互いに位置変更されて設けられてもよい。即ち、第1のレーザ光源210に水平偏光変換部272が設置され、第2のレーザ光源220に垂直偏光変換部271が設置され、各々のレーザ光源から発光されるレーザ光の偏光を変換させてもよい。
前記偏光ミラー260は、レーザ光を偏光方向によって選択的に透過または反射させるもので、照射光学系230と加工対象物Bとの間に設けられる。水平方向のレーザ光を透過させ、垂直方向のレーザ光を反射する水平偏光ミラーまたは垂直方向のレーザ光を透過させ、水平方向のレーザ光を反射する垂直偏光ミラーのうちのいずれか一つによって構成されてもよい。
例えば、前記第2のレーザ光源220から発光され、水平偏光変換部272によって偏光が水平方向に変換されたレーザ光は、偏光ミラー260によって加工対象物Bに反射して加工対象物Bを予熱するようになる。前記第1のレーザ光源210から発光され、垂甚偏光変換部271によって偏光が垂直方向に変換されたレーザ光のうち、光変調器230で選択的に反射して整形化されたレーザ光は、照射光学系240によって加工され、偏光ミラー260を透過して加工対象物Bに照射されることによって、加工対象物Bを加工するようになる。
この場合、前記第1のレーザ光源210は光変調器230が損傷されないほどの光エネルギとしてのレーザ光を発光し、前記第2のレーザ光源220は前記加工対象物Bが加工されないほどの光エネルギとしてのレーザ光を発光する。
一実施形態によれば、前記第1のレーザ光源210及び第2レーザ光源220から発光するレーザ光の光エネルギの和は、加工対象物Bの加工の時に必要なエネルギより高く設けられることが望ましい。
すなわち、前記光変調器230を損傷させないほどに少ない出力のレーザ光と加工対象物Bを予熱だけできる程度のレーザ光とを用いて加工対象物を加工することによって、光変調器230の損傷による維持補修費用を節減することができる。また、加工装置を単純化すると共に生産性を向上させることができる。
また、二つのレーザ光を用いて加工対象物Bを加工することによって、一つのレーザ光源を用いるのに比べて、加工速度を上げることができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、前記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
10 第1のレーザ光源
20 第2のレーザ光源
30 光変調器
40 照射光学系
41 光拡大器
42 マイクロレンズ
43 投射レンズ
50 反射ミラー
B 加工対象物

Claims (11)

  1. 第1のレーザ光を発光する第1のレーザ光源と、
    前記第1のレーザ光源から発光された第1のレーザ光を選択して形象化する光変調器と、
    前記第1のレーザ光を加工対象物に照射する照射光学系
    とを含むレーザ加工装置。
  2. 第2のレーザ光を発光する第2のレーザ光源をさらに含む請求項1に記載のレーザ加工装置。
  3. 異なる波長のレーザ光を発光する第1のレーザ光源及び第2のレーザ光源と、
    前記第1のレーザ光源から発光された第1のレーザ光を選択して形象化する光変調器と、
    前記第1のレーザ光を加工対象物に照射する照射光学系とを含み、
    前記照射光学系と前記加工対象物との間に設けられ、前記照射光学系から照射されるレーザ光と前記第2のレーザ光源から発光される第2のレーザ光を選択的に透過または反射させるダイクロイックレンズを、さらに含むレーザ加工装置。
  4. レーザ光を発光する第1のレーザ光源及び第2のレーザ光源と、
    前記第1のレーザ光源から発光された第1のレーザ光を選択して形象化する光変調器と、
    前記第1のレーザ光を加工対象物に照射する照射光学系とを含み、
    前記第1のレーザ光源から発光される第1のレーザ光及び前記第2のレーザ光源から発光される第2のレーザ光の偏光を変更する偏光変換部を、さらに含むレーザ加工装置。
  5. 前記照射光学系と前記加工対象物との間に設けられ、前記照射光学系から照射されるレーザ光と前記第2のレーザ光源から発光される第2のレーザ光を選択的に透過または反射させる偏光レンズを、さらに含む請求項4に記載のレーザ加工装置。
  6. 前記第1のレーザ光源は、前記光変調器が損傷されないほどの光エネルギとしてのレーザ光を発光する請求項2から5の何れか1項に記載のレーザ加工装置。
  7. 前記第2のレーザ光源は、第2のレーザ光が前記加工対象物に直接照射されるように設けられ、前記加工対象物が加工されないほどの光エネルギとしての第2のレーザ光を発光する請求項2から6の何れか1項に記載のレーザ加工装置。
  8. 前記第1のレーザ光源の光エネルギと前記第2のレーザ光源の光エネルギとの和は、加工対象物の加工の時に必要な光エネルギより大きい請求項2から7の何れか1項に記載のレーザ加工装置。
  9. 前記第1のレーザ光源及び前記第2のレーザ光源は、Nd:YAGレーザ、Nd:YLFレーザ、Nd:YVO4レーザ、チタンサファイヤフェムト秒のレーザ及びCOレーザのうちのいずれか一つにより構成される請求項2から8の何れか1項に記載のレーザ加工装置。
  10. 前記光変調器は、ガルバノミラ、多面鏡、LCD、DMDおよびフォトマスクのうちのいずれか一つにより構成される請求項2から9の何れか1項に記載のレーザ加工装置。
  11. 前記照射光学系は、
    前記光変調器によって変調されたレーザ光を拡大する光拡大器と、
    前記光拡大器によって拡大されたレーザ光を集光するマイクロレンズと、
    前記マイクロレンズで集光されたレーザ光を加工対象物に投射する投射レンズとを含む請求項2から10の何れか1項に記載のレーザ加工装置。
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