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JP2013101360A5 - - Google Patents

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  1. 第１の配線と、
    第２の配線と、
    トランジスタと、
    液晶素子と、
    容量素子とを有し、
    前記トランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
    前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記液晶素子と電気的に接続され、
    前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量素子と電気的に接続され、
    前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
    前記容量素子の容量は、前記液晶素子の容量よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１において、
    前記トランジスタのオフ電流は、１×１０ −１３ Ａ以下であることを特徴とする半導体装置。
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