[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2013181855A - 物理量センサーおよび電子機器 - Google Patents

物理量センサーおよび電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2013181855A
JP2013181855A JP2012046260A JP2012046260A JP2013181855A JP 2013181855 A JP2013181855 A JP 2013181855A JP 2012046260 A JP2012046260 A JP 2012046260A JP 2012046260 A JP2012046260 A JP 2012046260A JP 2013181855 A JP2013181855 A JP 2013181855A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
movable body
physical quantity
quantity sensor
substrate
movable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2012046260A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Tanaka
悟 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2012046260A priority Critical patent/JP2013181855A/ja
Priority to CN201310059401XA priority patent/CN103292830A/zh
Priority to US13/778,568 priority patent/US9429589B2/en
Publication of JP2013181855A publication Critical patent/JP2013181855A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802Details
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0831Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type having the pivot axis between the longitudinal ends of the mass, e.g. see-saw configuration
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0837Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being suspended so as to only allow movement perpendicular to the plane of the substrate, i.e. z-axis sensor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

【課題】高い信頼性を有する物理量センサーを提供する。
【解決手段】物理量センサー100は、基板10と、可動電極部21を備えた可動体20と、可動体20に接続され、可動体20の回転軸Qとなる軸部30,32と、基板10に固定され、軸部30,32を介して可動体20を支持する固定部40と、基板10に可動電極部21と対向して設けられた固定電極部5と、を含み、固定部40には、回転軸の線Q上に開口部46が設けられている。
【選択図】図1

Description

本発明は、物理量センサーおよび電子機器に関する。
近年、例えばシリコンMEMS(Micro Electro Mechanical System)技術を用いて物理量を検出する慣性センサーなどの物理量センサーが開発されている。
例えば、特許文献1では、Z軸方向(鉛直方向)の加速度を検出する静電容量型の物理量センサーが開示されている。特許文献1の物理量センサーでは、質量部が、該質量部の長手方向に対して対称的に、かつ、質量部の厚さ方向に対して非対称的に、捻りバネで支えられている。
特開2008−544243号公報
しかしながら、特許文献1の物理量センサーでは、例えば、質量部および捻りバネを形成している基板(ウエハー)と、当該基板と接合されている封止部材との間の熱膨張率の差により生じる応力や、実装時に装置に加わる応力等の影響によって、捻りバネのバネ定数等の特性が変化し、信頼性が低下してしまう場合があった。
本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、高い信頼性を有する物理量センサーを提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、上記物理量センサーを含む電子機器を提供することにある。
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。
[適用例1]
本適用例に係る物理量センサーは、
基板と、
可動電極部を備えた可動体と、
前記可動体に接続され、前記可動体の回転軸となる軸部と、
前記基板に固定され、前記軸部を介して前記可動体を支持する固定部と、
前記基板に前記可動電極部と対向して設けられた固定電極部と、
を含み、
前記固定部には、前記回転軸の線上に開口部が設けられている。
このような物理量センサーによれば、固定部に開口部が設けられているため、例えば、基板と固定部との間の熱膨張率の差によって生じる応力や、実装時に装置に加わる応力等が、軸部に与える影響を低減することができる。したがって、軸部のバネ定数等の特性が変化することを抑制することができ、信頼性を向上させることができる。
[適用例2]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記基板は絶縁材料で構成され、前記可動体は半導体材料で構成されていてもよい。
このような物理量センサーによれば、例えば基板をガラス等の絶縁材料、可動体をシリコン等の半導体材料にすることにより、可動体と基板とを貼り合わせることで容易に両者を電気的に絶縁することができ、センサー構造を簡素化することができる。
[適用例3]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記開口部は、前記固定部を貫通していてもよい。
このような物理量センサーによれば、基板と固定部との間の熱膨張率の差によって生じる応力や、実装時に装置に加わる応力等が、軸部に与える影響を、より低減することができる。
[適用例4]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記開口部は、前記回転軸と交差する方向に延在していてもよい。
このような物理量センサーによれば、固定部と軸部とを繋ぐ経路が細長くなり、熱膨張率の差に起因する歪みの影響を小さくすることができる。
[適用例5]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記可動体は、前記回転軸を境にして、一方の領域と他方の領域とで質量が異なっていてもよい。
このような物理量センサーによれば、例えば鉛直方向の加速度が加わったときに、可動体の一方の領域の回転モーメントと、可動体の他方の領域の回転モーメントとが均衡せず、可動体に所定の傾きを生じさせることができる。
[適用例6]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記固定電極部は、
前記可動体の前記一方の領域に対向する位置に配置された第1検出電極と、
前記可動体の前記他方の領域に対向する位置に配置された第2検出電極と、
を含んでいてもよい。
このような物理量センサーによれば、第1検出電極から出力される検出信号と、第2検出電極から出力される検出信号との差(差動信号)から、加速度の大きさや方向を検出することができる。
[適用例7]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記固定部は、前記可動体の周囲に設けられていてもよい。
このような物理量センサーによれば、固定部を基板に確実に固定することができる。
[適用例8]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記可動体には、開口部が設けられ、
前記固定部は、前記可動体の前記開口部の内部に配置されていてもよい。
このような物理量センサーによれば、例えば可動体を、1箇所で支持することができるため、基板と固定部との間の熱膨張率の差によって生じる応力や、実装時に装置に加わる応力等が、軸部に与える影響を、より低減することができる。
[適用例9]
本適用例に係る電子機器は、
本適用例に係る物理量センサーを含む。
このような電子機器によれば、本適用例に係る物理量センサーを含むため、高い信頼性を有することができる。
本実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。 本実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。 可動体の動作および可変容量の容量値の変化について説明するための図。 本実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態の変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。 本実施形態の変形例に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
1. 物理量センサー
まず、本実施形態に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る物理量センサー100を模式的に示す平面図である。図2および図3は、本実施形態に係る物理量センサー100を模式的に示す断面図である。なお、図2は、図1のII−II線断面図であり、図3は、図1のIII−III線断面図である。また、図1では、便宜上、蓋体60の図示を省略している。図1〜図3では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、Z軸を図示している。
物理量センサー100は、例えば、慣性センサーとして使用することができ、具体的には、例えば、鉛直方向(Z軸方向)の加速度を測定するための加速度センサー(静電容量型加速度センサー、静電容量型MEMS加速度センサー)として利用可能である。
物理量センサー100は、図1〜図3に示すように、支持基板(基板)10と、可動体20と、軸部30,32と、固定部40と、第1検出電極50と、第2検出電極52と、蓋体60と、を含んで構成されている。
支持基板10には、固定電極部5(第1検出電極50および第2検出電極52)が設けられている。図示の例では、検出電極50,52は、支持基板10の凹部12の底部を規定する面14に設けられている。また、支持基板10には、固定部40および蓋体60が接合されている。支持基板10と、蓋体60とで、可動体20を収容するための空間を形成することができる。支持基板10の材質は、特に限定されないが、例えば、ガラスである。
可動体20は、支持基板10の上方に設けられている。可動体20は、第1軸部30および第2軸部32によって、支持されている。可動体20は、例えば鉛直方向(Z軸方向)の加速度が生じると、軸部30,32によって決定される支持軸Qを揺動軸(回転軸)として、シーソー揺動(シーソー動作)することができる。支持軸Qは、可動体20の回転軸となる直線(仮想直線)である。可動体20の平面形状(Z軸方向からみたときの形状)は、例えば、長方形である。
可動体20は、第1シーソー片20aと、第2シーソー片20bと、を有する。第1シーソー片20aは、平面視において、支持軸Qによって区画される可動体20の2つの部分のうちの一方(図1では右側に位置する部分)である。第2シーソー片20bは、平面視において、支持軸Qによって区画される可動体20の2つの部分のうちの他方(図1では左側に位置する部分)である。
例えば、鉛直方向(Z軸方向)の加速度(例えば重力加速度)が可動体20に加わった場合、第1シーソー片20aと第2シーソー片20bの各々に回転モーメント(力のモーメント)が生じる。ここで、第1シーソー片20aの回転モーメント(例えば時計回りの回転モーメント)と第2シーソー片20bの回転モーメント(例えば反時計回りの回転モーメント)が均衡した場合には、可動体20の傾きに変化が生じず、加速度の変化を検出することができない。したがって、鉛直方向(Z軸方向)の加速度が加わったときに、第1シーソー片20aの回転モーメントと、第2シーソー片20bの回転モーメントとが均衡せず、可動体20に所定の傾きが生じるように、可動体20が設計される。
物理量センサー100では、支持軸Qを、可動体20の中心(重心)から外れた位置に配置することによって(支持軸Qから各シーソー片20a,20bの先端までの距離を異ならせることによって)、シーソー片20a,20bが互いに異なる質量を有している。すなわち、可動体20は、支持軸Qを境にして、一方の領域(第1シーソー片20a)と他方の領域(第2シーソー片20b)とで質量が異なる。図示の例では、支持軸Qから第1シーソー片20aの端面24までの距離は、支持軸Qから第2シーソー片20bの端面25までの距離よりも大きい。また、第1シーソー片20aの厚みと、第2シーソー片20bの厚みとは、等しい。したがって、第1シーソー片20aの質量は、第2シーソー片20bの質量よりも大きい。このように、シーソー片20a,20bが互いに異なる質量を有することにより、鉛直方向(Z軸方向)の加速度が加わったときに、第1シーソー片20aの回転モーメントと、第2シーソー片20bの回転モーメントとを均衡させないことができる。したがって、鉛直方向(Z軸方向)の加速度が加わったときに、可動体20に所定の傾きを生じさせることができる。
なお、図示はしないが、支持軸Qを可動体20の中心に配置し、かつ、シーソー片20a,20bの厚みを互いに異ならせることによって、シーソー片20a,20bが互いに異なる質量を有するようにしてもよい。このような場合にも、鉛直方向(Z軸方向)の加速度が加わったときに、可動体20に所定の傾きを生じさせることができる。
可動体20は、支持基板10と離間して設けられている。図示の例では、可動体20と支持基板10との間には、空隙2が設けられている。また、可動体20は、軸部30,32によって、固定部40から離間して接続されている。可動体20と固定部40との間には、空隙4が設けられている。可動体20の周囲に空隙2,4が存在することによって、可動体20は、シーソー揺動することができる。
可動体20は、可動電極部21を備えている。可動電極部21は、可動電極21a,21bを有している。なお、可動電極部21は、可動電極21a,21bのいずれか一方で構成されていてもよい。可動体20が導電性材料で構成されることによって、可動電極が形成されてもよく、また、可動体20の表面に金属等の導体層からなる可動電極を形成することもできる。図示の例では、可動体20が導電性材料(不純物がドープされたシリコン)で構成されることによって、可動電極21a,21bが形成されている。すなわち、第1シーソー片20aが可動電極21aとして機能し、第2シーソー片20bが可動電極21bとして機能している。
支持基板10には、可動電極部21と対向して設けられている固定電極部5が設けられている。図示の例では、固定電極部5は、第1検出電極50と、第2検出電極52と、を有している。支持基板10の、可動電極21aに対向する位置には、第1検出電極50が設けられている。この可動電極21aと第1検出電極50とによって、可変容量C1が構成されている。支持基板10の、可動電極21bに対向する位置には、第2検出電極52が設けられている。この可動電極21bと第2検出電極52とによって、可変容量C2が構成されている。可変容量C1および可変容量C2は、例えば、図2に示す可動体20が水平である状態において、同じ容量となるように構成される。可動電極21aおよび可動電極21bは、可動体20のシーソー揺動に応じて位置が変化する。これにより、可変容量C1,C2の容量値が変化する。図示の例では、可動体20自体が可動電極21a,21bを構成しているため、可動電極21a,21bは、同じ電位を有する電極である。可動体20には、軸部30,32を介して、所定の電位が与えられる。
なお、図示はしないが、蓋体60の、可動電極21aに対向する位置に第1検出電極50が設けられ、蓋体60の、可動電極21bに対向する位置に第2検出電極52が設けられてもよい。
可動体20には、可動体20の上面28から可動体20の下面29まで貫通する貫通孔(スリット)26が設けられている。これにより、可動体20が揺動する際の空気の影響(空気の抵抗)を低減することができる。図示の例では、貫通孔26は、複数設けられている。
第1軸部30および第2軸部32は、可動体20に接続され、可動体20の回転軸となる。第1軸部30および第2軸部32は、可動体20を支持している。第1軸部30,32は、可動体20がシーソー揺動することにより生じるねじり変形に対して強い復元力を有している。
第1軸部30および第2軸部32は、図1に示すように、平面視において、支持軸Q上配置されている。第1軸部30および第2軸部32は、可動体20の回転中心(揺動中心)となる支持軸Qの位置を決定する部材である。第1軸部30および第2軸部32は、固定部40から可動体20まで延出している。第1軸部30および第2軸部32の延出方向(Y軸方向)は、支持軸Qに沿う方向である。
固定部40は、可動体20を囲むように設けられている。固定部40と可動体20とは、離間しており、固定部40と可動体20との間には、空隙4が設けられている。固定部40は、支持基板10に固定されている。固定部40は、図1に示すように平面視において、可動体20の周囲に設けられている。固定部40は、接続部44を有している。固定部40は、接続部44において、軸部30,32に接続されている。図示の例では、可動体20の一方側(+Y方向側)に位置する接続部44と、第1軸部30とが接続され、可動体20の他方側(−Y方向側)に位置する接続部44と、第2軸部32とが接続されている。そのため、可動体20は、可動体20の一方側(+Y方向側)からと、可動体20の他方側(−Y方向側)からの2箇所で支持されている。
接続部44は、軸部30,32と接続している。図示の例では、接続部44は、可動体20を挟んで、2つ設けられている。接続部44の一方(+Y方向側)は、第1軸部30と接続され、接続部44の他方(−Y方向側)は、第2軸部32と接続されている。接続部44は、支持基板10と空隙2を介して、離間している。すなわち、接続部44は、支持基板10に接していない。図1に示すように平面視において、接続部44は、固定部40のうち支持基板10に接合されていない部分(接していない部分)であることができる。
接続部44には、開口部46が設けられている。開口部46は、接続部44のうち、軸部30,32が接続されている部分の近傍に設けられている。開口部46は、図1に示すように平面視において支持軸(可動体20の回転軸となる直線)Q上に位置している。図示の例では、開口部46の中心が、支持軸Q上に位置している。開口部46は、支持軸Q(回転軸)と交差する方向(図示の例では直交する方向)に延在している。これにより、固定部40と軸部30,32とを繋ぐ経路が細長くなり、熱膨張率の差に起因する歪みの影響を小さくすることができる。開口部46の平面形状は、特に限定されずに、任意の形状を有することができる。図示の例では、開口部46の平面形状は、軸部30,32の幅(X軸方向の大きさ)よりも大きい幅を有する矩形である。開口部46は、固定部40(接続部44)を貫通している。なお、開口部46は、固定部40(接続部44)を貫通していなくてもよい。
可動体20、固定部40、および軸部30,32は、一体に設けられている。可動体20、固定部40、および軸部30,32は、1つの基板(シリコン基板)をパターニングすることによって一体的に設けられる。例えば支持基板10をガラス等の絶縁材料、可動体20をシリコン等の半導体材料にすることにより、可動体20と支持基板10とを貼り合わせることで容易に両者を電気的に絶縁することができ、センサー構造を簡素化することができる。
固定電極部5は、第1検出電極50と第2検出電極52とを有している。第1検出電極50は、支持基板10上に設けられている。第1検出電極50は、可動体20(可動電極21a)に対向する位置に配置されている。第1検出電極50の上方には、空隙2を介して、可動電極21aが位置している。第1検出電極50は、可動電極21aとの間に容量C1を形成するように設けられている。
第2検出電極52は、支持基板10上に設けられている。第2検出電極52は、可動体20(可動電極21b)に対向する位置に配置されている。第2検出電極52の上方には、空隙2を介して、可動電極21bが位置している。第2検出電極52は、可動電極21bとの間に容量C2を形成するように設けられている。第1検出電極50の平面形状と、第2検出電極52の平面形状は、例えば、支持軸Qを軸として、線対称である。
検出電極50,52の材質は、例えば、アルミ、金、ITO(Indium Tin Oxide)等である。検出電極50,52の材質は、ITO等の透明電極材料であることが望ましい。検出電極50,52として、透明電極材料を用いることにより、支持基板10が透明基板(ガラス基板)である場合、検出電極50,52上に存在する異物等を容易に視認することができるためである。
蓋体60は、支持基板10に載置されている。蓋体60としては、例えば、シリコン基板(シリコン製の基板)を用いることができる。支持基板10としてガラス基板を用いた場合、支持基板10と蓋体60とは、陽極接合によって接合されていてもよい。
次に、可動体20の動作と、その動作に伴う可変容量C1,C2の容量値の変化について説明する。図4は、可動体20の動作および可変容量C1,C2の容量値の変化について説明するための図である。
図4(A)では、可動体20は、水平状態を維持している(この状態は、重力加速度がない状態(無重力状態)に対応する)。支持軸Qと第1シーソー片20aの先端との間の距離は、支持軸Qと第2シーソー片20bの先端との間の距離よりも大きい。そのため、図4(A)の状態で、例えば、鉛直下向き(−Z軸方向)に加速度が生じたとき、第1シーソー片20aに生じる回転モーメントは、第2シーソー片20bに生じる回転モーメントよりも大きく、可動体20は、時計回りに回転することになる。
図4(B)の状態では、可動体20に、例えば、重力加速度G1(=1G)が加わる。これに伴い、可動体20は、時計回りに回転し、可動体20に傾きが生じる。この可動体20のシーソー揺動によって、可動電極21aと第1検出電極50との間の距離が小さくなり、その結果、可変容量C1の容量値が増大する。一方、可動電極21bと第2検出電極52との間の距離は、大きくなり、その結果、可変容量C2の容量値は、減少する。物理量センサー100では、この可変容量C1,C2の容量値の変化を示す2つの検出信号(差動信号)によって、加速度の大きさと方向を検出することができる。具体的には、2つの検出信号の各々の変化の程度から、重力加速度G1の値(=1G)を検出することができる。さらに、2つの検出信号の各々の変化の方向から、加速度の方向(鉛直下向き、−Z軸方向)を特定することができる。
図4(C)の状態では、重力加速度(=1G)が可動体20に加わっている状態で、可動体20に、さらに、鉛直上向き(+Z軸方向)の加速度G2が加わる。この場合は、可動体20は、反時計回りに回転し、可動体20に図4(B)の場合とは逆の傾きが生じる。この可動体20のシーソー揺動によって、可動電極21aと第1検出電極50との間の距離が大きくなり、その結果、可変容量C1の容量値が減少する。一方、可動電極21bと第2検出電極52との間の距離は、小さくなり、その結果、可変容量C2の容量値は、増大する。
図4(B)の状態で得られる検出信号(つまり、重力加速度の大きさと向き)を基準として、図4(C)の状態における検出信号を判定することによって、図4(C)の状態で、どの方向にどの程度の加速度が作用しているかを検出することができる。つまり、図4(C)の状態で得られる2つの検出信号に基づいて、2つの検出信号の各々の変化の程度から、加わった加速度G2の値を検出することができる。さらに、2つの検出信号の各々の変化の方向から、加速度G2の方向(鉛直上向き、+Z軸方向)を特定することができる。
上述のように、物理量センサー100は、加速度センサーやジャイロセンサー等の慣性センサーとして使用することができ、具体的には、例えば、鉛直方向(Z軸方向)の加速度を測定するための静電容量型加速度センサーとして使用することができる。
本実施形態に係る物理量センサー100は、例えば、以下の特徴を有する。
物理量センサー100では、固定部40に開口部46が設けられており、開口部46は、支持軸(回転軸の線)Q上に配置されている。これにより、例えば、支持基板10と固定部40との間の熱膨張率の差によって生じる応力や、実装時に装置に加わる応力等が、軸部30,32に与える影響を低減することができる。例えば、これらの応力等が生じることによって、軸部に力(外力)が加わると、軸部のバネ係数等の特性が変化してしまう。物理量センサー100では、固定部40に開口部46を設けることによって、この外力が、軸部に加わることを抑制することができる。したがって、物理量センサー100によれば、軸部のバネ定数等の特性が変化することを抑制することができ、信頼性を向上させることができる。
物理量センサー100では、接続部44は、支持基板10と空隙2を介して離間している。そのため、例えば、支持基板10と固定部40との間の熱膨張率の差によって生じる応力や、実装時に装置に加わる応力等が、軸部30,32に与える影響をより低減することができる。接続部が支持基板と接触していると、接続部と支持基板との間の熱膨張率の差によって応力が生じてしまうが、物理量センサー100では、このような問題が生じない。さらに、物理量センサー100では、開口部46が接続部44を貫通しているため、当該応力等が軸部30,32に与える影響をより低減することができる。
物理量センサー100では、軸部30,32は、支持軸Q上に配置され、可動体20は、平面視において、支持軸Qを境にして一方の領域(第1シーソー片20a)と他方の領域(第2シーソー片20b)とで質量が異なっている。これにより、鉛直方向(Z軸方向)の加速度が加わったときに、可動体20の一方の領域(第1シーソー片20a)の回転モーメントと、可動体20の他方の領域(第2シーソー片20b)の回転モーメントとが均衡せず、可動体に所定の傾きを生じさせることができる。
物理量センサー100では、固定部40は、可動体20の周囲に設けられている。これにより、固定部40を支持基板10に確実に固定することができる。
2. 物理量センサーの製造方法
次に、本実施形態に係る物理量センサーの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図5〜図8は、本実施形態に係る物理量センサー100の製造工程を模式的に示す断面図である。
図5に示すように、例えば、ガラス基板101上にマスクMを形成する。マスクMは、例えば、スパッタ法や塗布法等でガラス基板101上に絶縁層を成膜した後、当該絶縁層を所定の形状にパターニングすることによって形成される。
図6に示すように、マスクMをマスクとして、ガラス基板101をウェットエッチングして、凹部12を形成する。これにより、支持基板10を形成することができる。次に、マスクMを除去する。次に、凹部12の底部を規定する面14に、第1検出電極50、および第2検出電極52を形成する。検出電極50,52は、スパッタ法等により支持基板10の面14上に導電層を成膜した後、当該導電層をフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより形成される。
図7に示すように、支持基板10に、シリコン基板201(センサー基板)を接合させる。支持基板10とシリコン基板201との接合は、例えば、陽極接合や直接接合、または接着剤を用いて行われる。
図8に示すように、シリコン基板201を、例えば研削機によって研削して薄膜化した後、所望の形状にパターニングして、可動体20、軸部30,32、および固定部40を形成する。パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術(ドライエッチング)によって行われ、より具体的なエッチング技術として、ボッシュ(Bosch)法を用いることができる。本工程では、シリコン基板201をパターニング(エッチング)することにより、可動体20、軸部30,32、固定部40(開口部46)が一体的に形成される。
図1〜図3に示すように、支持基板10に蓋体60を接合して、支持基板10および蓋体60によって形成される空間に可動体20を収容する。支持基板10と蓋体60との接合は、例えば、陽極接合や接着剤等を用いて行われる。
以上の工程により、物理量センサー100を製造することができる。
3. 物理量センサーの変形例
次に、本実施形態の変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図9は、本実施形態の変形例に係る物理量センサー200を模式的に示す平面図である。図10は、本実施形態の変形例に係る物理量センサー200を模式的に示す断面図である。なお、図10は、図9のX−X線断面図である。以下、本実施形態の変形例に係る物理量センサー200において、本実施形態に係る物理量センサー100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上述した物理量センサー100の例では、図1に示すように、固定部40は、可動体20の周囲に設けられていた。そのため、可動体20は、2箇所で支持されていた。
これに対し、物理量センサー200では、図9および図10に示すように、可動体20には開口部210が設けられ、固定部40は、可動体20の開口部210の内部に配置されている。そのため、可動体20は、1箇所で支持されている。
固定部40は、可動体20に設けられた開口部210の内部に配置されている。固定部40は、平面視において支持軸Q上に1つ設けられている。固定部40は、支持基板10の面14に設けられた突起部14aに接合されている。突起部14aには、可動体20に所定の電位を供給するための配線(図示せず)が設けられていてもよい。
接続部44は、固定部40の突起部14aと接合されている部分から+Y方向に向かって延在している第1部分44aと、固定部40から−Y方向に向かって延在している第2部分44bと、を有している。接続部44の第1部分44aは、固定部40と第1軸部30とを接続している。接続部44の第2部分44bは、固定部40と第2軸部32とを接続している。
第1軸部30は、接続部44の第1部分44aから可動体20まで+Y方向に向かって延出している。第2軸部32は、接続部44の第2部分44bから可動体20まで−Y方向に向かって延出している。図示の例では、固定部40、接続部44、開口部46、軸部30,32が、支持軸Q上に配置されている。
物理量センサー200によれば、固定部40は、可動体20の開口部210の内部に配置されている。そのため、可動体20を1箇所で支持することができる。これにより、例えば、可動体を2箇所で支持している場合と比べて、支持基板と固定部との間の熱膨張率の差によって生じる応力や、実装時に装置に加わる応力等が、軸部に与える影響をより低減することができる。
4. 電子機器
次に、本実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る電子機器は、本発明に係る物理量センサーを含む。以下では、本発明に係る物理量センサーとして、物理量センサー100を含む電子機器について、説明する。
図11は、本実施形態に係る電子機器として、モバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューター1100を模式的に示す斜視図である。
図11に示すように、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1108を有する表示ユニット1106と、により構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター1100には、物理量センサー100が内蔵されている。
図12は、本実施形態に係る電子機器として、携帯電話機(PHSも含む)1200を模式的に示す斜視図である。
図12に示すように、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1208が配置されている。
このような携帯電話機1200には、物理量センサー100が内蔵されている。
図13は、本実施形態に係る電子機器として、デジタルスチルカメラ1300を模式的に示す斜視図である。なお、図13には、外部機器との接続についても簡易的に示している。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
デジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。
また、このデジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子1312には、テレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314には、パーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。
このようなデジタルスチルカメラ1300には、物理量センサー100が内蔵されている。
以上のような電子機器1100,1200,1300は、高い信頼性を有する物理量センサー100を含む。そのため、電子機器1100,1200,1300は、高い信頼性を有することができる。
なお、上記物理量センサー100を備えた電子機器は、図11に示すパーソナルコンピューター(モバイル型パーソナルコンピューター)、図12に示す携帯電話機、図13に示すデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーターなどに適用することができる。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
C1,C2…可変容量、M…マスク、Q…支持軸、2,4…空隙、5…固定電極部、10…支持基板、14…面、20…可動体、21…可動電極部、21a…可動電極、21b…可動電極、24…端面、25…端面、26…貫通孔、28…上面、29…下面、30…第1軸部、32…第2軸部、40…固定部、44…接続部、46…開口部、50…第1検出電極、52…第2検出電極、60…蓋体、100…物理量センサー、101…ガラス基板、200…物理量センサー、201…シリコン基板、210…開口部、1100…パーソナルコンピューター、1102…キーボード、1104…本体部、1106…表示ユニット、1108…表示部、1200…携帯電話機、1202…操作ボタン、1204…受話口、1206…送話口、1208…表示部、1300…デジタルスチルカメラ、1302…ケース、1304…受光ユニット、1306…シャッターボタン、1308…メモリー、1310…表示部、1312…ビデオ信号出力端子、1314…入出力端子、1430…テレビモニター、1440…パーソナルコンピューター

Claims (9)

  1. 基板と、
    可動電極部を備えた可動体と、
    前記可動体に接続され、前記可動体の回転軸となる軸部と、
    前記基板に固定され、前記軸部を介して前記可動体を支持する固定部と、
    前記基板に前記可動電極部と対向して設けられた固定電極部と、
    を含み、
    前記固定部には、前記回転軸の線上に開口部が設けられている、物理量センサー。
  2. 請求項1において、
    前記基板は絶縁材料で構成され、前記可動体は半導体材料で構成される、物理量センサー。
  3. 請求項1または2において、
    前記開口部は、前記固定部を貫通している、物理量センサー。
  4. 請求項1ないし3のいずれか1項において、
    前記開口部は、前記回転軸と交差する方向に延在する、物理量センサー。
  5. 請求項1ないし4のいずれか1項において、
    前記可動体は、前記回転軸を境にして、一方の領域と他方の領域とで質量が異なる、物理量センサー。
  6. 請求項5において、
    前記固定電極部は、
    前記可動体の前記一方の領域に対向する位置に配置された第1検出電極と、
    前記可動体の前記他方の領域に対向する位置に配置された第2検出電極と、
    を含む、物理量センサー。
  7. 請求項1ないし6のいずれか1項において、
    前記固定部は、前記可動体の周囲に設けられている、物理量センサー。
  8. 請求項1ないし6のいずれか1項において、
    前記可動体には、開口部が設けられ、
    前記固定部は、前記可動体の前記開口部の内部に配置されている、物理量センサー。
  9. 請求項1ないし8いずれか1項に記載の物理量センサーを含む、電子機器。
JP2012046260A 2012-03-02 2012-03-02 物理量センサーおよび電子機器 Withdrawn JP2013181855A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012046260A JP2013181855A (ja) 2012-03-02 2012-03-02 物理量センサーおよび電子機器
CN201310059401XA CN103292830A (zh) 2012-03-02 2013-02-26 物理量传感器和电子设备
US13/778,568 US9429589B2 (en) 2012-03-02 2013-02-27 Physical quantity sensor and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012046260A JP2013181855A (ja) 2012-03-02 2012-03-02 物理量センサーおよび電子機器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013181855A true JP2013181855A (ja) 2013-09-12

Family

ID=49042054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012046260A Withdrawn JP2013181855A (ja) 2012-03-02 2012-03-02 物理量センサーおよび電子機器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9429589B2 (ja)
JP (1) JP2013181855A (ja)
CN (1) CN103292830A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104991086A (zh) * 2015-06-24 2015-10-21 上海芯赫科技有限公司 一种mems加速度传感器的加工方法及加速度传感器
CN106974661A (zh) * 2016-01-19 2017-07-25 中国计量学院 一种亲和型的血糖浓度检测装置
US9828235B2 (en) 2014-05-01 2017-11-28 Seiko Epson Corporation Functional element, physical quantity sensor, electronic apparatus and mobile entity
US10830788B2 (en) 2016-03-03 2020-11-10 Seiko Epson Corporation Sensor device, electronic equipment, and vehicle
KR102371693B1 (ko) * 2021-08-23 2022-03-04 국방과학연구소 중력 구배계 및 그 제조 방법

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015072188A (ja) * 2013-10-03 2015-04-16 セイコーエプソン株式会社 物理量検出素子、および物理量検出装置、電子機器、移動体
US9810712B2 (en) * 2014-08-15 2017-11-07 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic equipment, and moving body
JP6464613B2 (ja) * 2014-08-27 2019-02-06 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、電子機器および移動体
CN104597287B (zh) * 2015-01-30 2017-09-05 歌尔股份有限公司 惯性测量模块及三轴加速度计
US10473686B2 (en) 2014-12-25 2019-11-12 Goertek Inc. Inertia measurement module and triaxial accelerometer
JP2016161451A (ja) * 2015-03-03 2016-09-05 セイコーエプソン株式会社 ジャイロセンサー、電子機器、移動体およびジャイロセンサーの製造方法
CN105137117B (zh) * 2015-09-10 2017-12-26 重庆大学 一种mems电涡流加速度计及制备方法
JP6631108B2 (ja) * 2015-09-15 2020-01-15 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、センサーデバイス、電子機器および移動体
JP6911444B2 (ja) * 2017-03-27 2021-07-28 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、電子機器、および移動体
JP2019045171A (ja) * 2017-08-30 2019-03-22 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、複合センサー、慣性計測ユニット、携帯型電子機器、電子機器及び移動体
JP2019060675A (ja) * 2017-09-26 2019-04-18 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器、および移動体

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5404749A (en) 1993-04-07 1995-04-11 Ford Motor Company Boron doped silicon accelerometer sense element
US5488864A (en) 1994-12-19 1996-02-06 Ford Motor Company Torsion beam accelerometer with slotted tilt plate
DE19541388A1 (de) 1995-11-07 1997-05-15 Telefunken Microelectron Mikromechanischer Beschleunigungssensor
US6513380B2 (en) 2001-06-19 2003-02-04 Microsensors, Inc. MEMS sensor with single central anchor and motion-limiting connection geometry
US7121141B2 (en) 2005-01-28 2006-10-17 Freescale Semiconductor, Inc. Z-axis accelerometer with at least two gap sizes and travel stops disposed outside an active capacitor area
FI119299B (fi) 2005-06-17 2008-09-30 Vti Technologies Oy Menetelmä kapasitiivisen kiihtyvyysanturin valmistamiseksi ja kapasitiivinen kiihtyvyysanturi
JP2007298405A (ja) 2006-04-28 2007-11-15 Matsushita Electric Works Ltd 静電容量式センサ
US8079262B2 (en) 2007-10-26 2011-12-20 Rosemount Aerospace Inc. Pendulous accelerometer with balanced gas damping
JP2009216693A (ja) * 2008-02-13 2009-09-24 Denso Corp 物理量センサ
US8499629B2 (en) 2008-10-10 2013-08-06 Honeywell International Inc. Mounting system for torsional suspension of a MEMS device
WO2011118786A1 (ja) 2010-03-26 2011-09-29 パナソニック電工株式会社 ガラス埋込シリコン基板の製造方法
US9021880B2 (en) 2010-04-30 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Micromachined piezoelectric three-axis gyroscope and stacked lateral overlap transducer (slot) based three-axis accelerometer
JP5527019B2 (ja) * 2010-05-28 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 物理量センサーおよび電子機器

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9828235B2 (en) 2014-05-01 2017-11-28 Seiko Epson Corporation Functional element, physical quantity sensor, electronic apparatus and mobile entity
US10421661B2 (en) 2014-05-01 2019-09-24 Seiko Epson Corporation Functional element, electronic apparatus and mobile entity
CN104991086A (zh) * 2015-06-24 2015-10-21 上海芯赫科技有限公司 一种mems加速度传感器的加工方法及加速度传感器
CN104991086B (zh) * 2015-06-24 2018-01-12 上海芯赫科技有限公司 一种mems加速度传感器的加工方法及加速度传感器
CN106974661A (zh) * 2016-01-19 2017-07-25 中国计量学院 一种亲和型的血糖浓度检测装置
US10830788B2 (en) 2016-03-03 2020-11-10 Seiko Epson Corporation Sensor device, electronic equipment, and vehicle
KR102371693B1 (ko) * 2021-08-23 2022-03-04 국방과학연구소 중력 구배계 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US9429589B2 (en) 2016-08-30
CN103292830A (zh) 2013-09-11
US20130228013A1 (en) 2013-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5979344B2 (ja) 物理量センサーおよび電子機器
JP5943192B2 (ja) 物理量センサーおよびその製造方法、並びに電子機器
JP5935986B2 (ja) 物理量センサーおよび電子機器
US9429589B2 (en) Physical quantity sensor and electronic apparatus
JP6146565B2 (ja) 物理量センサー、電子機器、および移動体
JP6897663B2 (ja) センサーデバイス、電子機器、および移動体
JP6206650B2 (ja) 機能素子、電子機器、および移動体
US10317425B2 (en) Functional element, electronic apparatus, and moving object
JP5942554B2 (ja) 物理量センサーおよび電子機器
JP5930183B2 (ja) 物理量センサーおよび電子機器
JP6146566B2 (ja) 物理量センサー、電子機器、および移動体
JP6380737B2 (ja) 電子デバイス、電子機器、および移動体
JP6655281B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP6327384B2 (ja) 物理量センサー、電子機器、および移動体
JP5935402B2 (ja) 物理量センサーおよび電子機器
JP6464608B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP6137451B2 (ja) 物理量センサー、電子機器、及び移動体
JP2014134482A (ja) 物理量センサー、電子機器、及び移動体
JP6544058B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP6665950B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141119

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20150107

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150910

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150915

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20151111