JP2013161939A - シート材、シート材の製造方法、インダクタ部品、配線板及び磁性材料 - Google Patents

Abstract

【課題】磁性体層の上に導体パターンを形成した場合に、導体パターンの電気的信頼性を確保する。
【解決手段】シート材２２０ａは、磁性体層２２２ａの表面に樹脂層２２３ａを形成し、樹脂層２２３ａの上に金属箔２２４ａを形成してなる。磁性体層２２２ａは、第１絶縁材料２２５と磁性体粒子２２６とを有する。樹脂層２２３ａは、第２絶縁材料から構成される。磁性体層２２２ａが磁性体粒子２２６を含有することにより、磁性体層２２２ａの表面に磁性体粒子２２６の形状に応じた凹凸２２６ａが生じやすくなる。この凹凸２２６ａを、磁性体層２２２ａの表面に形成される樹脂層２２３ａが埋めることにより、樹脂層２２３ａの平滑な表面上に導体パターンを形成することができる。これにより、導体パターンの電気的信頼性が確保される。
【選択図】図３

Description

本発明は、シート材、シート材の製造方法、インダクタ部品、配線板及び磁性材料に関する。

携帯電話やノートパソコンに代表される電子機器には、駆動電圧が低く消費電力が小さな低電圧型のマイクロプロセッサが用いられる。低電圧型のマイクロプロセッサを用いることで、電子機器からの発熱を抑え、容量の少ないバッテリーで、長時間電子機器を稼動させることができる。

電源とマイクロプロセッサ間の配線が長いと、配線のインピーダンスが上がりやすくなり、電源の供給障害が生じ易くなる。このため、配線インピーダンスの上昇を抑制するための技術が、種々提案されている。例えば、複数層の導体回路を有する配線板の内部にインダクタを形成する方法がある。この方法では、所望のインダクタンスを得られるようにするため、大きなインダクタの形成領域が必要になる。しかしながら、導体回路が高密度に形成されている、又は導体回路の層数が少ない場合には、インダクタを形成する領域を十分に確保することが困難となる。このため、インダクタの十分な性能を確保し難くなる可能性がある。

そこで、特許文献１には、磁性体粒子を含有した合成樹脂等の磁性体粒子含有絶縁体とインダクタ配線とからなるチップインダクタが開示されている。特許文献１に開示された技術は、磁性体粒子の粒径を複数の異なる大きさとすることで、合成樹脂等の中に磁性体粒子が均一に分散された磁性体粒子含有絶縁体を形成することを可能とする。この技術を用いることで、小さい領域でもインダクタンスを確保することが可能となる。

特開２００６−２６９１３４号公報

特許文献１に開示された磁性体粒子含有絶縁体（磁性体層）では、磁性体粒子の形状に応じて表面に凹凸が生じ易い。このため、その表面にインダクタ用の導体パターンを形成することが困難となり、密着性や電気的信頼性を確保することが難しいという課題があった。

本発明は、上述の事情の下になされたもので、磁性体層の上にインダクタ用の導体パターンを容易に形成することを可能とすることを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の第１の観点に係るシート材は、
磁性体粒子と第１絶縁材料とを含む磁性体層を備えるシート材であって、
前記磁性体層の少なくとも片面に、第２絶縁材料から構成される樹脂層が設けられている。

前記磁性体層の厚さは前記樹脂層の厚さより厚い、ことが好ましい。

前記樹脂層の表面に金属箔を有する、ことが好ましい。

前記金属箔の前記樹脂層に接する表面は粗化されている、ことが好ましい。

前記磁性体粒子の平均粒子径は０．５〜５０μｍの範囲内にある、ことが好ましい。

前記第１絶縁材料のガラス転移温度（Ｔｇ）は１３０℃以上である、ことが好ましい。

前記磁性体粒子の前記磁性体層における体積含有率は３０体積％〜７０体積％の範囲内にある、ことが好ましい。

前記磁性体粒子は鉄、軟磁性鉄合金、ニッケル、軟磁性ニッケル合金、コバルト、軟磁性コバルト合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−シリコン（Ｓｉ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−窒素（Ｎ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−炭素（Ｃ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−ホウ素（Ｂ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−リン（Ｐ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−アルミニウム（Ａｌ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−アルミニウム（Ａｌ）−シリコン（Ｓｉ）系合金のいずれか１つ以上から構成される、ことが好ましい。

前記第１絶縁材料は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリアリーレンエーテル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂及びポリスチレン樹脂のいずれか１つ以上から構成される、ことが好ましい。

前記第２絶縁材料と前記第１絶縁材料とは同じ材料である、ことが好ましい。

前記磁性体層の表面は凹凸形状を有する、ことが好ましい。

前記樹脂層は無機フィラーを含有する、ことが好ましい。

前記樹脂層は、粗化処理に用いられる溶液に対して、相対的に溶解しやすい成分と、相対的に溶解しにくい成分の少なくとも２つの成分が混合された樹脂で構成されている、ことが好ましい。

前記樹脂層の線膨張係数は前記磁性体層の線膨張係数より小さい、ことが好ましい。

本発明の第２の観点に係るシート材の製造方法は、
磁性体粒子と第１絶縁材料とを含む磁性体層を備えるシート材の製造方法であって、
前記磁性体粒子と前記第１絶縁材料とを混合して前記磁性体層を作製することと、
前記磁性体層の少なくとも片面に、第２絶縁材料から構成される樹脂層を設けることと、
を含む。

前記磁性体層の厚さを、前記樹脂層の厚さよりも厚くする、ことが好ましい。

本発明の第３の観点に係るインダクタ部品は、
層間絶縁層とその上のインダクタ用導体パターンとを有するインダクタ部品であって、
前記層間絶縁層は、磁性体粒子と第１絶縁材料とを含む磁性体層と、該磁性体層の少なくとも片面に設けられ、第２絶縁材料から構成される樹脂層とからなる。

前記磁性体層の厚さは、前記樹脂層の厚さより厚い、ことが好ましい。
前記樹脂層の前記導体パターンに接する表面は粗化されている、ことが好ましい。

本発明の第４の観点に係る配線板は、
少なくとも一方の表面に開口されてなる開口部を有するコア基板と、前記開口部の内部に収容されるインダクタ部品と、前記開口部の内部に充填されてインダクタ部品を固定する充填樹脂と、を有する配線板であって、
前記インダクタ部品は、層間絶縁層とその上のインダクタ用導体パターンとを有し、
前記層間絶縁層は、磁性体粒子と第１絶縁材料とを含む磁性体層と、該磁性体層の少なくとも片面に設けられ第２絶縁材料から構成される樹脂層と、からなる。

前記磁性体層の厚さは、前記樹脂層の厚さより厚い、ことが好ましい。

本発明の第５の観点に係る磁性材料は、
磁性体粒子と絶縁材料とを有し、
硬化した状態での線膨張係数は４０ｐｐｍ／Ｋ以下である。

本発明に係るシート材は、磁性体粒子を含む磁性体層の少なくとも片面に樹脂層を備える。このため、磁性体層の上に直接導体パターンを形成する場合に比べて、平坦な樹脂層の表面に導体パターンを形成することができる。これにより、導体パターンの密着性及び電気的信頼性を確保することが可能となる。

本発明の実施形態に係る配線板の断面図である。 本発明の実施形態に係るインダクタ部品の例を示す断面図である。 本発明の実施形態に係るシート材の例を示す断面図である。 本発明の実施形態に係るシート材の製造方法を示すフローチャートである。 図４に示す製造方法において、磁性体ペーストを形成する工程を説明するための図である。 図４に示す製造方法において、磁性体ペーストを硬化させる工程を説明するための図である。 図４に示す製造方法において、磁性体層（硬化した磁性体ペースト）上に樹脂層を設ける工程を説明するための図である。 図４に示す製造方法において、粗化された金属箔を樹脂層上に積層する工程を説明するための図である。 本発明の実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示すフローチャートである。 図６に示す製造方法において、支持体を示す断面図である。 図６に示す製造方法において、支持体の上に絶縁基板及び導体層を形成する工程を説明するための図である。 図６に示す製造方法において、絶縁基板の上に第１の導体パターンを形成する工程を説明するための図である。 図６に示す製造方法において、第１の導体パターンの上にシート材を積層する工程を説明するための図である。 第１の導体パターンの上にシート材が積層された状態を示す図である。 図６に示す製造方法において、図１０の工程の後の工程を説明するための図である。 図６に示す製造方法において、図１２の工程の後の工程を説明するための図である。 図６に示す製造方法において、第２の樹脂層の上に第２の導体パターンを形成する工程を説明するための図である。 図６に示す製造方法において、第２の導体パターンの上にシート材を積層する工程を説明するための図である。 図６に示す製造方法において、第３の樹脂層の上に第３の導体層を形成する工程を説明するための図である。 図６に示す製造方法において、第３の樹脂層の上に第３の導体パターンを形成する工程を説明するための図である。 図６に示す製造方法において、支持体を除去する工程を説明するための図である。 本発明の実施形態に係るシート材の他の例を示す断面図である。 シート材の他の例の製造方法を示すフローチャートである。 図１９Ｂに示す製造方法において、磁性体ペーストを形成する工程を説明するための図である。 図１９Ｂに示す製造方法において、磁性体ペーストを硬化させる工程を説明するための図である。 図１９Ｂに示す製造方法において、磁性体層（硬化した磁性体ペースト）上に樹脂層を設ける工程を説明するための図である。 本発明の実施形態に係る配線板の製造方法を示すフローチャートである。 図２０に示す製造方法において、基板（コア基板）を準備する工程を説明するための図である。 図２０に示す製造方法において、基板にスルーホールを形成する工程を説明するための図である。 図２０に示す製造方法において、基板にスルーホール導体及び導体層を形成する工程を説明するための図である。 図２０に示す製造方法において、導体層をパターニングする工程を説明するための図である。 図２０に示す製造方法において、キャビティを形成する工程を説明するための図である。 図２５の工程に続く工程を説明するための図である。 図２０に示す製造方法において、キャビティ内にインダクタ部品を配置する工程を説明するための図である。 キャビティ内にインダクタ部品が配置された状態を説明するための図である。 図２０に示す製造方法において、インダクタ部品の上に絶縁層を配置する工程を説明するための図である。 図２０に示す製造方法において、コア基板とインダクタ部品との隙間に絶縁体を充填する工程を説明するための図である。 コア基板とインダクタ部品との隙間に絶縁体が充填された状態を説明するための図である。 図２０に示す製造方法において、コア基板及びインダクタ部品の上に絶縁層を形成する工程を説明するための図である。 図２０に示す製造方法において、ビアホールを形成する工程を説明するための図である。 図３２の工程に続く工程を説明するための図である。 図３３の工程に続く工程を説明するための図である。 図３４の工程に続く工程を説明するための図である。 図３５の工程に続く工程を説明するための図である。 本発明の実施形態に係るインダクタ部品の第２の例を示す断面図である。 本発明の実施形態に係るインダクタ部品の第２の例の製造方法を示すフローチャートである。 図３７Ｂに示す製造方法において、支持体を示す断面図である。 図３７Ｂに示す製造方法において、支持体の上に絶縁基板及び導体層を形成する工程を説明するための図である。 図３７Ｂに示す製造方法において、絶縁基板の上に第１の導体パターンを形成する工程を説明するための図である。 図３７Ｂに示す製造方法において、絶縁基板及び第１の導体パターンの上に磁性体ペーストを塗布する工程を説明するための図である。 図３７Ｂに示す製造方法において、磁性体層（磁性体ペーストが硬化した層）の上に絶縁層を積層する工程を説明するための図である。 図３７Ｂに示す製造方法において、ビアホールを形成する工程を説明するための図である。 図３７Ｂに示す製造方法において、ビア導体及び導体層を形成する工程を説明するための図である。 図３７Ｂに示す製造方法において、絶縁層の上に第２の導体パターンを形成する工程を説明するための図である。 図３７Ｂに示す製造方法において、絶縁層及び第２の導体パターンの上に磁性体ペーストを塗布する工程を説明するための図である。 図３７Ｂに示す製造方法において、磁性体層（磁性体ペーストが硬化した層）の上に絶縁層及び金属箔を積層する工程を説明するための図である。 図３７Ｂに示す製造方法において、絶縁層の上に導体層を形成する工程を説明するための図である。 図３７Ｂに示す製造方法において、絶縁層の上に第３の導体パターンを形成する工程を説明するための図である。 図３７Ｂに示す製造方法において、支持体を除去する工程を説明するための図である。 本発明の実施形態に係るインダクタ部品の第３の例を示す断面図である。 インダクタ部品の導体パターンの形状を示す斜視図である。 本発明の実施形態に係るインダクタ部品の第４の例を示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向に相当する配線板の積層方向（又は配線板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（又は各層の側方）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。

導体層は、一乃至複数の導体パターンで構成される層である。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない平面状の導体パターン等を含む場合もある。

めっきには、電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。

以下、本発明を具体化した実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。

本実施形態に係る配線板１０は、図１に示すように、基板１００（絶縁基板）と、第１ビルドアップ部Ｂ１と、第２ビルドアップ部Ｂ２と、インダクタ部品２００と、ソルダーレジスト１１、１２と、を有する。本実施形態の配線板１０は、矩形板状のリジッド配線板である。ただし、配線板１０は、フレキシブル配線板であってもよい。以下、基板１００の表裏面（２つの主面）の一方を第１面Ｆ１、他方を第２面Ｆ２という。また、インダクタ部品２００の表裏面（２つの主面）のうち、第１面Ｆ１と同じ方向を向く面を第３面Ｆ３といい、他方を第４面Ｆ４という。

第１ビルドアップ部Ｂ１は、基板１００の第１面Ｆ１側に形成され、第２ビルドアップ部Ｂ２は、基板１００の第２面Ｆ２側に形成される。第１ビルドアップ部Ｂ１は、絶縁層１０１（層間絶縁層）と、導体層１１０と、から構成され、第２ビルドアップ部Ｂ２は、絶縁層１０２（層間絶縁層）と、導体層１２０と、から構成される。インダクタ部品２００は、配線板１０に内蔵される。第１ビルドアップ部Ｂ１上、第２ビルドアップ部Ｂ２上にはそれぞれ、ソルダーレジスト１１、１２が形成される。

基板１００は、絶縁性を有し、配線板１０のコア基板となる。基板１００の第１面Ｆ１上には導体層３０１が形成され、基板１００の第２面Ｆ２上には導体層３０２が形成される。基板１００にはキャビティ（開口部）Ｒ１０が形成される。キャビティＲ１０には、インダクタ部品２００が収容される。キャビティＲ１０は、基板１００を貫通する貫通孔からなる。キャビティＲ１０の両端（第１面Ｆ１側及び第２面Ｆ２側）の開口形状はそれぞれ、略長方形になっている。インダクタ部品２００の形状は、例えば矩形板状であり、インダクタ部品２００の主面の形状は、例えば略長方形である。本実施形態では、インダクタ部品２００がキャビティＲ１０に対応した平面形状（例えば略同じ大きさの相似形）を有する。
なお、キャビティＲ１０は基板１００を貫通していなくともよい。すなわち、キャビティＲ１０は、深さが基板１００の厚みよりも小さく、有底形状であってもよい。

本実施形態では、インダクタ部品２００の略全体がキャビティＲ１０に収容される。しかしこれに限られず、インダクタ部品２００の一部のみがキャビティＲ１０に配置されてもよい。本実施形態では、キャビティＲ１０におけるインダクタ部品２００と基板１００との隙間Ｒ１に、絶縁体１０１ａが充填される。本実施形態では、絶縁体１０１ａが、上層の絶縁層１０１（詳しくは樹脂絶縁層）を構成する絶縁材料（詳しくは樹脂）からなる（図２９Ｂ参照）。絶縁体１０１ａは、基板１００及びインダクタ部品２００のいずれよりも大きな熱膨張係数を有する。絶縁体１０１ａは、インダクタ部品２００の周りを完全に覆う。これにより、インダクタ部品２００が、絶縁体１０１ａ（樹脂）で保護されるとともに、所定の位置に固定される。
なお、絶縁体１０１ａは、上層の絶縁層１０１とは別の材料であってもよい。

絶縁層１０１（第１絶縁層）は、基板１００の第１面Ｆ１上及びインダクタ部品２００の第３面Ｆ３上に形成され、絶縁層１０２（第２絶縁層）は、基板１００の第２面Ｆ２上及びインダクタ部品２００の第４面Ｆ４上に形成される。そして、キャビティＲ１０（貫通孔）の一方（第１面Ｆ１側）の開口は絶縁層１０１によって塞がれ、キャビティＲ１０（貫通孔）の他方（第２面Ｆ２側）の開口は絶縁層１０２によって塞がれる。本実施形態では、導体層１１０及び１２０が、最外層となる。ただしこれに限られず、より多くの層間絶縁層及び導体層を積層してもよい。

導体層１１０は、第１面Ｆ１側の最外の導体層となり、導体層１２０は、第２面Ｆ２側の最外の導体層となる。導体層１１０，１２０上にはそれぞれ、ソルダーレジスト１１、１２が形成される。ただし、ソルダーレジスト１１、１２にはそれぞれ、開口部１１ａ、１２ａが形成されている。このため、導体層１１０の所定の部位（開口部１１ａに位置する部位）は、ソルダーレジスト１１に覆われず露出しており、パッドＰ１となる。また、導体層１２０の所定の部位（開口部１２ａに位置する部位）は、パッドＰ２となる。パッドＰ１は、例えば他の配線板と電気的に接続するための外部接続端子となり、パッドＰ２は、例えば電子部品を実装するための外部接続端子となる。ただしこれに限られず、パッドＰ１、Ｐ２の用途は任意である。

本実施形態では、パッドＰ１、Ｐ２が、その表面に、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食層を有する。耐食層は、電解めっき又はスパッタリング等により形成することができる。また、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食層を形成してもよい。なお、耐食層は必須の構成ではなく、必要がなければ割愛してもよい。

基板１００（コア基板）にはスルーホール３００ａが形成され、スルーホール３００ａ内に導体（例えば銅めっき）が充填されることにより、スルーホール導体３００ｂが形成される。本実施形態では、スルーホール導体３００ｂの形状が、砂時計状（鼓状）である。導体層３０１、３０２にはそれぞれ、スルーホール導体３００ｂのランドが含まれる。

絶縁層１０１には孔３１１ａ及び３１２ａ（それぞれビアホール）が形成され、絶縁層１０２には孔３２２ａ（ビアホール）が形成されている。孔３１１ａ、３１２ａ、３２２ａ内にそれぞれ導体（例えば銅のめっき）が充填されることにより、各孔内の導体がそれぞれ、ビア導体３１１ｂ、３１２ｂ、３２２ｂ（それぞれフィルド導体）となる。孔３１１ａは、インダクタ部品２００の第３の導体パターン２０７に達し、ビア導体３１１ｂは、基板１００の第１面Ｆ１側から、インダクタ部品２００の第３の導体パターン２０７に電気的に接続される。

基板１００の第１面Ｆ１上の導体層３０１と、絶縁層１０１上の導体層１１０とは、ビア導体３１２ｂを介して互いに電気的に接続され、基板１００の第２面Ｆ２上の導体層３０２と、絶縁層１０２上の導体層１２０とは、ビア導体３２２ｂを介して互いに電気的に接続される。また、基板１００の第１面Ｆ１上の導体層３０１と基板１００の第２面Ｆ２上の導体層３０２とは、スルーホール導体３００ｂを介して、互いに電気的に接続されている。ビア導体３１２ｂ、３２２ｂ及びスルーホール導体３００ｂは、いずれもフィルド導体であり、これらがＺ方向にスタックされることで、フィルドスタックが形成される。

基板１００は、例えばガラスクロス（心材）にエポキシ樹脂を含浸させたもの（以下、「ガラエポ」という。）からなる。心材は、主材料（本実施形態ではエポキシ樹脂）よりも熱膨張率の小さい材料である。心材としては、例えばガラス繊維（例えばガラス布又はガラス不織布）、アラミド繊維（例えばアラミド不織布）、又はシリカフィラー等の無機材料が好ましいと考えられる。ただし、基板１００の材料は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。基板１００は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。

本実施形態では、絶縁層１０１、１０２の各々が、心材を樹脂に含浸してなる。絶縁層１０１、１０２は、例えばガラエポからなる。ただしこれに限定されず、例えば絶縁層１０１、１０２は心材を含まない樹脂からなってもよい。また、絶縁層１０１、１０２の材料は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。各絶縁層は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。

導体層１１０は、銅箔（下層）と、銅めっき（上層）と、から構成され、導体層１２０は、銅箔（下層）と、銅めっき（上層）と、から構成される。導体層１１０，１２０は、例えば電気回路（例えばインダクタ部品２００を含む電気回路）を構成する配線、ランド、及び配線板１０の強度を高めるためのベタパターンなどを有する。

各導体層及び各ビア導体の材料は、導体であれば任意であり、金属でも非金属でもよい。各導体層及び各ビア導体は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。

次に、本発明の実施形態に係るインダクタ部品２００の構成について、図２を参照して説明する。図２は、本実施形態に係るインダクタ部品２００の断面図である。

インダクタ部品２００は、支持層２０１と、第１の導体パターン２０２と、第１の磁性体層２２２ａと、第１の樹脂層２２３ａと、第２の導体パターン２０６と、ビア導体２０５ｂと、第２の磁性体層２２２ｂと、第２の樹脂層２２３ｂと、第３の導体パターン２０７と、から構成される。

支持層２０１の上には、第１の導体パターン２０２が形成される。第１の導体パターン２０２の上には、第１の磁性体層２２２ａが形成される。第１の磁性体層２２２ａは、磁性体粒子と第１絶縁材料とを含む。第１の磁性体層２２２ａの上には、第２絶縁材料からなる第１の樹脂層２２３ａが形成される。第１の樹脂層２２３ａの上には、第２の導体パターン２０６が形成される。第１の導体パターン２０２と、第２の導体パターン２０６とは、ビア導体２０５ｂによって、電気的に接続されている。ビア導体２０５ｂは、磁性体層２２２ａ及び樹脂層２２３ａを貫通する。

第２の導体パターン２０６の上には、第２の磁性体層２２２ｂが形成される。第２の磁性体層２２２ｂは、磁性体粒子と第１絶縁材料とを含む。第２の磁性体層２２２ｂの上には、第２絶縁材料からなる第２の樹脂層２２３ｂが形成される。第２の樹脂層２２３ｂの上には、第３の導体パターン２０７が形成される。第２の樹脂層２２３ｂの上面及び第３の導体パターン２０７の上面が、インダクタ部品２００の第３面Ｆ３を形成している。

本実施形態では、支持層２０１の材料としては、エポキシ樹脂を用いている。また、第１絶縁材料及び第２絶縁材料は、同じ材料であることが好ましく、それぞれエポキシ樹脂が採用されている。

本実施形態では、支持層２０１、磁性体層２２２ａ、２２２ｂ、樹脂層２２３ａ、２２３ｂを構成する各絶縁材料は、基本的に任意である。支持層２０１の材料、第１絶縁材料、第２絶縁材料は、例えばエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いることができる。各絶縁層は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。

本実施形態では、インダクタ部品２００は、磁性体層を含む複数のシート材２２０ａ、２２０ｂを用いて形成される（後述の図１０及び図１５を参照）。図３には、シート材２２０ａの構造を示している。ただし、本実施形態では、シート材２２０ｂも、シート材２２０ａと同様の構造を有している。もっとも、これに限られず、異なる構造を有する複数のシート材を用いてインダクタ部品を製造してもよい。

図３に示すように、シート材２２０ａは、磁性体層２２２ａと、樹脂層２２３ａと、金属箔２２４ａと、から構成される。磁性体層２２２ａは、磁性材料から構成される。詳しくは、磁性体層２２２ａは、第１絶縁材料２２５と磁性体粒子２２６から構成される。樹脂層２２３ａは、磁性体層２２２ａ上に形成され、金属箔２２４ａは、樹脂層２２３ａ上に形成される。以下、金属箔２２４ａの表裏面（２つの主面）の一方を第５面Ｆ５、他方を第６面Ｆ６という。本実施形態では、金属箔（銅箔）２２４ａの第６面Ｆ６が樹脂層２２３ａに接している。

第１絶縁材料２２５のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１３０℃以上であることが好ましい。第１絶縁材料２２５のガラス転移温度が１３０℃以上であれば、ガラス転移温度が１３０℃未満である場合に比べて、インダクタ部品２００が配線板１０の中で加熱されたときに、磁性体層２２２ａ，２２２ｂが変形しにくくなる。

第１絶縁材料２２５は、基本的には、絶縁材料であればよいが、耐熱性の樹脂からなることが好ましい。具体的には、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリアリーレンエーテル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂及びポリスチレン樹脂等、又はこれらの混合物等である。

磁性体粒子２２６の粒子径ｄ１の平均（平均粒子径）は、例えば０．５〜５０μｍの範囲内にある。磁性体粒子２２６の平均粒子径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真で１００個の磁性体粒子２２６の粒子径を測定して、算術平均することにより算出される。磁性体粒子２２６の平均粒子径が０．５μｍ以上であると、平均粒子径が０．５μｍ未満である場合に比べて、凝集しにくくなる。これにより、磁性体粒子２２６を磁性体層２２２ａに均一に分散させることが容易になる。磁性体粒子２２６の平均粒子径が５０μｍ以下であると、平均粒子径が５０μｍを超える場合に比べて、粒子同士の摩擦が小さくなる。これにより、磁性体層２２２ａを均一な厚さに構成することが容易となる。

磁性体粒子２２６の磁性体層２２２ａにおける体積含有率は、３０体積％〜７０体積％の範囲内にあることが好ましい。体積含有率が３０体積％以上であると、３０体積％未満である場合に比べて、磁気特性が向上する。体積含有率が７０体積％以下であると、７０体積％を超える場合に比べて、粒子同士の摩擦が小さくなる。これにより、磁性体層２２２ａを均一な厚さに構成することが容易になる。

磁性体粒子２２６を構成する磁性体は、軟磁性体であれば任意であり、例えば鉄、軟磁性鉄合金、ニッケル、軟磁性ニッケル合金、コバルト、軟磁性コバルト合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−シリコン（Ｓｉ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−窒素（Ｎ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−炭素（Ｃ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−ホウ素（Ｂ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−リン（Ｐ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−アルミニウム（Ａｌ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−アルミニウム（Ａｌ）−シリコン（Ｓｉ）系合金等である。

磁性体層２２２ａの厚さｄ２は、樹脂層２２３ａの厚さｄ３よりも厚いことが好ましい。これにより、磁性体層２２２ａ中に十分な量の磁性体粒子２２６を含有させることができ、磁気特性が向上する。具体的には、磁性体層２２２ａの厚さｄ２は、例えば２０〜１００μｍの範囲内にあり、樹脂層２２３ａの厚さｄ３は、例えば１０〜６０μｍの範囲内にある。

樹脂層２２３ａは、第２絶縁材料から構成される。第２絶縁材料は、基本的には、絶縁材料であればよいが、耐熱性の樹脂であることが好ましい。具体的には、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリアリーレンエーテル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂及びポリスチレン樹脂等、又はこれらの混合物等である。

第２絶縁材料と第１絶縁材料とは同じ材料であることが好ましい。これにより、磁性体層２２２ａと樹脂層２２３ａとの密着性が向上する。また、樹脂層２２３ａの線膨張係数は、磁性体層２２２ａの線膨張係数より小さいことが好ましい。これにより、磁性体層２２２ａが熱変形するおそれが小さくなる。さらに、磁性体層２２２ａを構成する磁性材料は、硬化した状態での線膨張係数が４０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。こうした磁性材料は、インダクタ部品２００を始めとする、磁気特性が要求される電気部品に汎用しやすい。

樹脂層２２３ａは、無機フィラーを含有してもよい。これにより、樹脂層２２３ａの線膨張係数を、磁性体層２２２ａの線膨張係数より小さくすることが容易となる。無機フィラーは、例えばガラス繊維、ガラス粒子、炭酸カルシウム、炭酸ナトリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、アルミナ、シリカ、珪藻土、雲母、タルク等である。

磁性体層２２２ａの表面は、図３に示すように、凹凸２２６ａを有していてもよい。磁性体層２２２ａが磁性体粒子２２６を含有することにより、磁性体層２２２ａの表面に磁性体粒子２２６の形状に応じた凹凸２２６ａが生じやすくなる。この凹凸２２６ａを、磁性体層２２２ａの表面に形成される樹脂層２２３ａが埋めることにより、樹脂層２２３ａの平滑な表面上に導体パターンを形成することができる。これにより、導体パターンの密着性及び電気的信頼性が確保されると考えられる。したがって、シート材２２０ａをインダクタ部品２００に使用した場合に、配線板１０中のインダクタ部品２００の性能を確保することができる。

図３に示すように、シート材２２０ａは、樹脂層２２３ａの表面に、金属箔２２４ａを有する。これにより、樹脂層２２３ａの表面に導体パターンを形成することが、より容易になると考えられる。金属箔２２４ａは、例えば銅箔である。金属箔２２４ａの第６面Ｆ６（樹脂層２２３ａに接する面）は、粗化されていることが好ましい。これにより、インダクタ部品２００の製造工程において、金属箔２２４ａが樹脂層２２３ａから剥がれにくくなると考えられる。

次に、図４等を参照して、シート材２２０ａの製造方法について説明する。図４は、本実施形態に係るシート材２２０ａの製造方法を示すフローチャートである。

ステップＳ１１では、磁性体粒子２２６を第１絶縁材料２２５と混合して、磁性体ペースト２２１を作製する。混合方法としては、磁性体粒子２２６を第１絶縁材料２２５中に略均一に分散できる方法であればよく、例えば遊星型混合機により混合する。

続けて、ステップＳ１２では、図５Ａに示すように、作製した磁性体ペースト２２１を支持基板４４０の表面に塗布する。

続けて、ステップＳ１３では、磁性体層２２２ａを形成する。詳しくは、図５Ｂに示すように、第１絶縁材料２２５を例えば加熱して半硬化させる。これにより、磁性体層２２２ａが形成される。

続けて、ステップＳ１４では、樹脂層２２３ａを積層する。詳しくは、図５Ｃに示すように、磁性体層２２２ａの上に、流動状態の第２絶縁材料を塗布して、加熱して第２絶縁材料を半硬化させる。これにより、樹脂層２２３ａが形成される。

続けて、ステップＳ１５では、金属箔２２４ａを積層する。詳しくは、図５Ｄに示すように、金属箔２２４ａの片面（例えば第６面Ｆ６）を粗化させて、その粗化された面が樹脂層２２３ａの表面に接するようにして圧着させる。銅箔等の金属箔２２４ａの表面を粗化させるには、例えば銅表面粗化薬剤（硫酸−過酸化水素系のエッチング剤等）を用いることができるが、他の方法で粗化させてもよい。これにより、金属箔２２４ａが積層される。

続けて、ステップＳ１６では、支持基板４４０を除去する。その結果、図３に示すシート材２２０ａが完成する。

こうして製造したシート材２２０ａを使用するインダクタ部品２００の製造方法について、図６等を参照して説明する。図６は、本実施形態に係るインダクタ部品２００の製造方法の概略的な内容及び手順を示すフローチャートである。

ステップＳ２１では、支持体の上に、絶縁層（絶縁基板）及び第１の導体パターンを形成する。

まず、図７に示すように、支持体４００を準備する。支持体４００は、絶縁体からなる。支持体４００の片面（例えば面Ｆ１０）には、銅箔４１０が形成されている。

続けて、図８に示すように、例えば金属箔を有する樹脂層を、片面（例えば面Ｆ１０）に銅箔４１０が形成された支持体４００の、銅箔４１０上に積層する。続けてめっき液を用いて、金属箔をシード層として電解めっきを行うことにより、例えば銅めっきを形成する。そして、樹脂層を加熱硬化させる。これにより、硬化した樹脂層からなる絶縁層（絶縁基板）２０１、及び金属箔と銅めっきからなる導体層２０２ａが形成される。
この絶縁層２０１には、ガラスクロス等の心材が含まれていてもよい。

続けて、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用いて、導体層２０２ａのパターニングを行う。具体的には、第１の導体パターン２０２に対応したパターンを有するエッチングレジストで導体層２０２ａを覆い、導体層２０２ａの、エッチングレジストで覆われない部分（エッチングレジストの開口部で露出する部位）を、エッチングで除去する。これにより、図９に示すように、支持層２０１上に、第１の導体パターン２０２が形成される。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。

続けて、図６のステップＳ２２で、シート材２２０ａを積層する。詳しくは、図１０に示すように、磁性体層２２２ａと樹脂層２２３ａと、金属箔（例えば銅箔）２２４ａとを有するシート材２２０ａが、第１の導体パターン２０２上に、プレスにより積層される。これにより、磁性体層２２２ａを形成する半硬化の磁性材料が、第１の導体パターン２０２が形成されていない部分に入り込む。そして、磁性体層２２２ａと樹脂層２２３ａが加熱硬化される。この結果、図１１に示すように、支持層２０１及び第１の導体パターン２０２上に、磁性体層２２２ａ、樹脂層２２３ａ及び金属箔２２４ａが、この順で積層される。

続けて、図６のステップＳ２３で、ビア導体２０５ｂ及び第２の導体パターン２０６が形成される。詳しくは、図１２に示すように、例えばレーザにより、磁性体層２２２ａ、樹脂層２２３ａ及び金属箔２２４ａに孔２０５ａ（ビアホール）を形成する。孔２０５ａは、磁性体層２２２ａ、樹脂層２２３ａ及び金属箔２２４ａを貫通する。そして、孔２０５ａは、インダクタ部品２００の第１の導体パターン２０２に至る。その後、必要に応じて、デスミアを行う。

続けて、例えば化学めっき法により、金属箔２２４ａ上及び孔２０５ａ内に、例えば銅の無電解めっき膜を形成する。なお、無電解めっきに先立って、例えば浸漬により、パラジウム等からなる触媒を、孔２０５ａの表面に吸着させる。

続けて、無電解めっき膜上に、例えば銅の電解めっきを形成する。具体的には、陽極にめっきする材料である銅を接続し、陰極に被めっき材である無電解めっき膜を接続して、めっき液に浸漬する。そして、両極間に直流の電圧を印加して電流を流し、無電解めっき膜の表面に銅を析出させる。これにより、図１３に示すように、孔２０５ａに電解めっきが充填され、例えば銅のめっきからなるビア導体２０５ｂが形成される。そして、樹脂層２２３ａ上に導体層２０６ａが形成される。

続けて、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用いて、導体層２０６ａのパターニングを行う。具体的には、導体パターン２０６に対応したパターンを有するエッチングレジストで導体層２０６ａを覆い、導体層２０６ａの、エッチングレジストで覆われない部分（エッチングレジストの開口部で露出する部位）を、エッチングで除去する。これにより、図１４に示すように、樹脂層２２３ａ上に、第２の導体パターン２０６が形成される。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。

続けて、図６のステップＳ２４で、シート材２２０ｂが積層される。詳しくは、図１５に示すのと同様に、磁性体層２２２ｂと樹脂層２２３ｂと、金属箔（例えば銅箔）２２４ｂとを有するシート材２２０ｂが、第２の導体パターン２０６上に、プレスにより積層される。これにより、磁性体層２２２ｂを形成する未硬化の磁性材料が、第２の導体パターン２０６が形成されていない部分に入り込む。そして、磁性体層２２２ｂと樹脂層２２３ｂが加熱硬化される。この結果、図１５に示すように、樹脂層２２３ａ及び第２の導体パターン２０６上に、磁性体層２２２ｂ、樹脂層２２３ｂ及び金属箔２２４ｂが積層される。

本実施形態の磁性材料は、磁性体粒子が樹脂に等方的に入っているため、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向で線膨張係数（ＣＴＥ）の値が大きくは変わらない。好ましくは、磁性体層２２２ａ、磁性体層２２２ｂのＣＴＥの値が３０ｐｐｍ／Ｋ以下である。

続けて、図６のステップＳ２５で、第３の導体パターン２０７が形成される。

詳しくは、上述と同様に、金属箔２２４ｂ上に、例えば銅の無電解めっき及び電解めっきを形成する。これにより、図１６に示すように、樹脂層２２３ｂ上に導体層２０７ａが形成される。

続けて、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用いて、導体層２０７ａのパターニングを行う。具体的には、第３の導体パターン２０７に対応したパターンを有するエッチングレジストで導体層２０７ａを覆い、導体層２０７ａの、エッチングレジストで覆われない部分（エッチングレジストの開口部で露出する部位）を、エッチングで除去する。これにより、図１７に示すように、樹脂層２２３ｂ上に、第３の導体パターン２０７が形成される。第３の導体パターン２０７は、図示しないビア導体により、第２の導体パターン２０６と接続されている。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。

続けて、図６のステップＳ２６で、支持体４００及び銅箔４１０が除去される。

図１８に示すように、支持体４００を除去する。続けて、例えばエッチングにより、銅箔４１０を除去する。これにより、図２に示すインダクタ部品２００が完成する。

このように、本実施形態では、金属箔（銅箔）２２４ａ，２２４ｂを有するシート材２２０ａ，２２０ｂを使用してインダクタ部品２００を製造している。これに限られるものではなく、インダクタ部品を製造するのに、金属箔のないシート材を使用することも可能である。図１９Ａに、金属箔のないシート材２３０の断面図を示す。

図１９Ａに示すように、シート材２３０は、磁性体層２２２ｃの表面に樹脂層２２７を形成してなる。磁性体層２２２ｃは、第１絶縁材料２２５ｃと磁性体粒子２２６ｃとを有する。樹脂層２２７は、２種類の樹脂で構成される。

図１９Ａに示すように、樹脂層２２７は、粗化処理に用いられる溶液に対して、相対的に溶解しやすい樹脂成分２２８と、相対的に溶解しにくい樹脂成分２２９の２つの樹脂が混合された樹脂で構成されている。粗化処理に用いられる溶液に対して、相対的に溶解しやすい樹脂は、例えばポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート等の熱可塑性樹脂である。粗化処理に用いられる溶液に対して、相対的に溶解しにくい樹脂は、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂類である。

図１９Ａに示すシート材を用いたインダクタ部品の製造工程においては、過マンガン酸溶液等の溶液を用いて樹脂層２２７の表面を粗化する。このとき、上述した樹脂成分２２８が溶解することで、樹脂層２２７の表面が粗化される。
その後、樹脂層２２７の表面に、例えばセミアディティブ法を用いて容易に導体パターンを形成することができると考えられる。

このように、表面に銅箔等の金属箔を有していないシート材２３０であっても、インダクタ部品の製造に使用することができる。

次に、図１９Ｂ等を参照して、シート材２３０の製造方法について説明する。図１９Ｂは、本実施形態の他の例に係るシート材２３０の製造方法を示すフローチャートである。

ステップＳ１１では、図４の場合と同様に、磁性体粒子２２６ｃを第１絶縁材料２２５ｃと混合して、磁性体ペースト２２１ｃを作製する。混合方法としては、磁性体粒子２２６ｃを第１絶縁材料２２５ｃ中に略均一に分散できる方法であればよく、例えば遊星型混合機により混合する。

続けて、ステップＳ１２では、図１９Ｃに示すように、作製した磁性体ペースト２２１ｃを支持基板４４０ｃの表面に塗布する。

続けて、ステップＳ１３では、磁性体層２２２ｃを形成する。詳しくは、図１９Ｄに示すように、第１絶縁材料２２５ｃを半硬化させる。これにより、磁性体層２２２ｃが形成される。

続けて、ステップＳ２８では、粗化処理に用いられる溶液に対して相対的に溶解しやすい樹脂成分２２８と、相対的に溶解しにくい樹脂成分２２９とを混合する。混合方法としては、樹脂２２８と樹脂２２９とを略均一に混合できる方法であればよく、例えば加熱ニーダー（混練機）により混合する。

続けて、ステップＳ２９では、樹脂層２２７を形成する。詳しくは、図１９Ｅに示すように、磁性体層２２２ｃの上に混合した樹脂２２８，２２９を塗布して、加熱硬化する。これにより、樹脂層２２７が形成される。

続けて、ステップＳ１６では、図４の場合と同様に支持基板４４０を除去する。その結果、図１９Ａに示すシート材２３０が完成する。

次に、図２０等を参照して、配線板１０の製造方法について説明する。図２０は、本実施形態に係る配線板１０の製造方法の概略的な内容及び手順を示すフローチャートである。

ステップＳ３１では、図２１に示すように、出発材料として両面銅張積層板１０００を準備する。両面銅張積層板１０００は、基板１００（コア基板）と、基板１００の第１面Ｆ１上に形成された銅箔１００１と、基板１００の第２面Ｆ２上に形成された銅箔１００２と、から構成される。本実施形態では、この段階において、基板１００が、完全に硬化した状態のガラエポからなる。

続けて、図２０のステップＳ３２で、スルーホール導体３００ｂ及び導体層３０１、３０２を形成する。

詳しくは、図２２に示すように、例えばＣＯ_２レーザを用いて、第１面Ｆ１側からレーザを両面銅張積層板１０００に照射することにより孔１００３を形成し、第２面Ｆ２側からレーザを両面銅張積層板１０００に照射することにより孔１００４を形成する。孔１００３と孔１００４とは、Ｘ−Ｙ平面において略同じ位置に形成され、最終的にはつながって、両面銅張積層板１０００を貫通するスルーホール３００ａとなる。第１面Ｆ１に対するレーザ照射と第２面Ｆ２に対するレーザ照射とは、同時に行っても、片面ずつ行ってもよい。スルーホール３００ａを形成した後には、スルーホール３００ａについてデスミアを行うことが好ましい。また、レーザ光の吸収効率を高めるため、レーザ照射に先立って銅箔１００１、１００２の表面を黒化処理してもよい。なお、スルーホール３００ａの形成は、ドリル又はエッチングなど、レーザ以外の方法で行ってもよい。ただし、レーザ加工であれば、微細な加工をしやすい。特に、スルーホール３００ａの径（最大直径）が１００μｍ以下の場合には、ドリル加工が困難になるため、レーザ加工が有効である。

続けて、例えばパネルめっき法により、図２３に示すように、銅箔１００１、１００２上及びスルーホール３００ａ内に、例えば銅のめっき１００５を形成する。具体的には、まず無電解めっきを行い、続けてめっき液を用いて、その無電解めっき膜をシード層として電解めっきを行うことにより、めっき１００５を形成する。これにより、スルーホール３００ａにめっき１００５が充填され、スルーホール導体３００ｂが形成される。

続けて、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用いて、基板１００の第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２に形成された各導体層のパターニングを行う。具体的には、導体層３０１、３０２に対応したパターンを有するエッチングレジストで各導体層を覆い、各導体層の、エッチングレジストで覆われない部分（エッチングレジストの開口部で露出する部位）を、エッチングで除去する。これにより、図２４に示すように、基板１００の第１面Ｆ１、第２面Ｆ２上にそれぞれ、導体層３０１、３０２が形成される。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。

続けて、図２０のステップＳ３３で、基板１００（コア基板）にキャビティＲ１０を形成する。本実施形態では、基板１００にレーザを照射することにより、キャビティＲ１０を形成する。具体的には、例えば四角形を描くようにレーザを照射することにより、基板１００における、キャビティＲ１０に対応した領域を、その周りの部分から切り取る。レーザの照射角度は、例えば基板１００の第１面Ｆ１に対して略垂直の角度とする。これにより、図２５に示すように、キャビティＲ１０が形成される。本実施形態では、キャビティＲ１０をレーザにより形成するため、キャビティＲ１０が容易に得られる。キャビティＲ１０は、インダクタ部品２００の収容スペースとなる。

続けて、図２０のステップＳ３４で、インダクタ部品２００を、基板１００のキャビティＲ１０に配置する。

具体的には、図２６に示すように、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からなるキャリア１００６を、基板１００の片側（例えば第２面Ｆ２）に設ける。これにより、キャビティＲ１０（貫通孔）の一方の開口がキャリア１００６で塞がれる。本実施形態では、キャリア１００６が、粘着シート（例えばテープ）からなり、基板１００側に粘着性を有する。キャリア１００６は、例えばラミネートにより、基板１００と接着される。

続けて、図２７に示すように、キャビティＲ１０（貫通孔）の塞がれた開口とは反対側（Ｚ１側）から、キャビティＲ１０にインダクタ部品２００を入れる。インダクタ部品２００は、例えば部品実装機によりキャビティＲ１０に入れ込まれる。例えばインダクタ部品２００は、真空チャック等により保持され、キャビティＲ１０の上方（Ｚ１側）に運ばれた後、そこから鉛直方向に沿って下降し、キャビティＲ１０に入れられる。これにより、図２８に示すように、キャリア１００６（粘着シート）上に、インダクタ部品２００が配置される。なお、インダクタ部品２００の位置決めをする際には、アライメントマークを用いることが好ましい。そうすることで、インダクタ部品２００とキャビティＲ１０との位置合わせの精度を高めることが可能になると考えられる。

続けて、図２０のステップＳ３５で、図２９Ａに示すように、半硬化の状態で、キャビティＲ１０（貫通孔）の塞がれた開口とは反対側（Ｚ１側）の、基板１００の第１面Ｆ１上及びインダクタ部品２００の第３面Ｆ３上に、絶縁層１０１（第１の層間絶縁層）を配置する。絶縁層１０１は、例えばエポキシ樹脂からなる。なお、絶縁層１０１は、ガラスクロス等の心材を含んでいてもよい。
続けて、図２９Ｂに示すように、絶縁層１０１を半硬化の状態でプレスすることにより、絶縁層１０１から樹脂を流出させてキャビティＲ１０へ流し込む。これにより、図３０に示すように、キャビティＲ１０における基板１００とインダクタ部品２００との隙間Ｒ１に絶縁体１０１ａ（絶縁層１０１を構成する樹脂）が充填される。この際、基板１００とインダクタ部品２００との隙間が狭ければ、インダクタ部品２００の固定が弱くても、樹脂がキャビティＲ１０へ流れ込む勢いで、インダクタ部品２００の位置ずれや、好ましくない傾きは生じにくい。なお、絶縁体１０１ａは、基板１００及びインダクタ部品２００のいずれよりも大きな熱膨張係数を有する。

キャビティＲ１０に絶縁体１０１ａが充填されたら、その充填樹脂（絶縁体１０１ａ）とインダクタ部品２００との仮溶着を行う。具体的には、加熱により充填樹脂にインダクタ部品２００を支持できる程度の保持力を発現させる。これにより、キャリア１００６に支持されていたインダクタ部品２００が、充填樹脂によって支持されるようになる。その後、キャリア１００６を除去する。

なお、この段階では、絶縁体１０１ａ（充填樹脂）及び絶縁層１０１は半硬化しているにすぎず、完全には硬化していない。ただしこれに限られず、例えば、この段階で絶縁体１０１ａ及び絶縁層１０１を完全に硬化させてもよい。

続けて、図２０のステップＳ３６で、基板１００の第２面Ｆ２側にビルドアップを行う。

具体的には、図３１に示すように、基板１００の第２面Ｆ２上に、絶縁層１０２（第２の層間絶縁層）を配置する。絶縁層１０２は、例えばエポキシ樹脂からなる。続けて、例えばプレスにより、絶縁層１０２を半硬化の状態で基板１００及びインダクタ部品２００に接着させた後、加熱して絶縁層１０１、１０２の各々を硬化させる。本実施形態では、粘着シート（キャリア１００６）を除去した後に、キャビティＲ１０に充填した樹脂を硬化させるため、絶縁層１０１、１０２の硬化を同時に行うことが可能になる。そして、両面の絶縁層１０１、１０２の硬化を同時に行うことにより、基板１００の反りが抑制されるため、基板１００を薄くし易くなる。

続く図２０のステップＳ３７では、ビア導体及び導体層を形成する。

詳しくは、図３２に示すように、例えばレーザにより、絶縁層１０１に孔３１１ａ及び３１２ａ（それぞれビアホール）を形成し、絶縁層１０２に孔３２２ａ（ビアホール）を形成する。孔３１１ａ及び３１２ａの各々は絶縁層１０１を貫通し、孔３２２ａは絶縁層１０２を貫通する。そして、孔３１１ａは、インダクタ部品２００の第３の導体パターン２０７に至り、孔３１２ａ及び３２２ａの各々は、スルーホール導体３００ｂに至る。その後、必要に応じて、デスミアを行う。

続けて、図３３に示すように、例えば化学めっき法により、孔３１１ａ、３１２ａ、３２２ａの側壁を含む絶縁層１０１，１０２の表面に、例えば銅の無電解めっき膜１００７、１００８を形成する。なお、無電解めっきに先立って、例えば浸漬により、パラジウム等からなる触媒を、絶縁層１０１、１０２の表面に吸着させる。

続けて、図３４に示すように、リソグラフィ技術又は印刷等により、第１面Ｆ１側の主面（無電解めっき膜１００７上）に、開口部１００９ａを有するめっきレジスト１００９を、また、第２面Ｆ２側の主面（無電解めっき膜１００８上）に、開口部１０１０ａを有するめっきレジスト１０１０を、それぞれ形成する。開口部１００９ａ、１０１０ａはそれぞれ、導体層１１０，１２０（図１）に対応したパターンを有する。

続けて、図３５に示すように、例えばパターンめっき法により、めっきレジスト１００９、１０１０の開口部１００９ａ、１０１０ａに、それぞれ例えば銅の電解めっき１０１１、１０１２を形成する。具体的には、陽極にめっきする材料である銅を接続し、陰極に被めっき材である無電解めっき膜１００７、１００８を接続して、めっき液に浸漬する。そして、両極間に直流の電圧を印加して電流を流し、無電解めっき膜１００７、１００８の表面に銅を析出させる。これにより、孔３１１ａ及び３１２ａ、孔３２２ａに、それぞれ電解めっき１０１１、１０１２が充填され、例えば銅のめっきからなるビア導体３１１ｂ、３１２ｂ、３２２ｂが形成される。

その後、例えば所定の剥離液により、めっきレジスト１００９及び１０１０を除去し、続けて不要な無電解めっき膜１００７、１００８を除去することにより、図３６に示すように、導体層１１０及び１２０が形成される。

なお、電解めっきのためのシード層は無電解めっき膜に限られず、無電解めっき膜１００７、１００８に代えて、スパッタ膜等をシード層として用いてもよい。

続けて、図２０のステップＳ３８で、絶縁層１０１、１０２上にそれぞれ、開口部１１ａを有するソルダーレジスト１１、開口部１２ａを有するソルダーレジスト１２を形成する（図１参照）。導体層１１０，１２０はそれぞれ、開口部１１ａ、１２ａに位置する所定の部位（パッドＰ１、Ｐ２及びランド等）を除いて、ソルダーレジスト１１、１２で覆われる。ソルダーレジスト１１及び１２は、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により、形成することができる。

続けて、電解めっき又はスパッタリング等により、導体層１１０，１２０上、詳しくはソルダーレジスト１１、１２に覆われないパッドＰ１、Ｐ２（図１参照）の表面にそれぞれ、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食層を形成する。また、ＯＳＰ処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食層を形成してもよい。

こうして、基板１００の第１面Ｆ１上に、絶縁層１０１及び導体層１１０から構成される第１ビルドアップ部Ｂ１が形成され、基板１００の第２面Ｆ２上に、絶縁層１０２及び導体層１２０から構成される第２ビルドアップ部Ｂ２が形成される。その結果、本実施形態の配線板１０（図１）が完成する。その後、必要があれば、インダクタ部品２００の電気テスト（インダクタンス、Ｑ値及び絶縁性などのチェック）を行う。

本実施形態の製造方法は、配線板１０の製造に適している。こうした製造方法であれば、低コストで、良好な配線板１０が得られると考えられる。

本実施形態の配線板１０は、例えば電子部品又は他の配線板と電気的に接続することができる。例えば、半田等により、配線板１０のパッドＰ２に電子部品（例えばＩＣチップ）を実装することができる。また、パッドＰ１により、配線板１０を他の配線板（例えばマザーボード）に実装することができる。本実施形態の配線板１０は、例えば携帯電話の回路基板として用いることができる。

次に、本発明に係る実施形態の第２の例のインダクタ部品２１０について、図３７Ａを参照して説明する。図３７Ａは、本実施形態に係る第２の例のインダクタ部品２１０を示す断面図である。

インダクタ部品２１０の構成は、上述したインダクタ部品２００に類似している。すなわち、絶縁基板２１１の上に、第１の導体パターン２１２が形成される。第１の導体パターン２１２の上には、磁性体粒子と第１絶縁材料とを含む第１の磁性体層２２２ｄが形成される。第１の磁性体層２２２ｄの上には、第２絶縁材料からなる第１の絶縁層２１３が形成される。第１の絶縁層２１３の上には、第２の導体パターン２１６が形成される。第１の導体パターン２１２と、第２の導体パターン２１６とは、磁性体層２２２ｄ及び樹脂層２１３を貫通するビア導体２１５ｂによって、電気的に接続されている。

第２の導体パターン２１６の上には、磁性体粒子と第１絶縁材料とを含む第２の磁性体層２２２ｅが形成される。第２の磁性体層２２２ｅの上には、第２絶縁材料からなる第２の絶縁層２１７が形成される。第２の絶縁層２１７の上には、第３の導体パターン２１９が形成される。

このように、インダクタ部品２１０の構成はインダクタ部品２００に類似しているが、製造方法が異なる。インダクタ部品２１０の製造方法について、図３７Ｂ等を参照して説明する。図３７Ｂは、本実施形態に係る第２の例のインダクタ部品２１０の製造方法の概略的な内容及び手順を示すフローチャートである。

ステップＳ４１では、支持体４２０の上に、絶縁層（絶縁基板）２１１及び導体層２１２ａを形成する。詳しくは、図３８に示すように、インダクタ部品２１０の製造の土台として、支持体４２０を準備する。支持体４２０は、片面Ｆ１１に銅箔４３０が形成された絶縁体である。

続けて、図３９に示すように、例えば金属箔を有するプリプレグを、片面Ｆ１１に銅箔４３０が形成された支持体４２０の、銅箔４３０上に積層する。続けてめっき液を用いて、金属箔をシード層として電解めっきを行うことにより、例えば銅めっきを形成する。そして、プリプレグを加熱硬化させる。これにより、硬化したプリプレグからなる絶縁層（絶縁基板）２１１、及びプリプレグの金属箔と銅めっきからなる導体層２１２ａが形成される。

続けて、図３７ＢのステップＳ４２で、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用いて、導体層２１２ａのパターニングを行う。具体的には、第１の導体パターン２１２に対応したパターンを有するエッチングレジストで導体層２１２ａを覆い、導体層２１２ａの、エッチングレジストで覆われない部分（エッチングレジストの開口部で露出する部位）を、エッチングで除去する。これにより、図４０に示すように、絶縁基板２１１上に、第１の導体パターン２１２が形成される。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。

続けて、図３７ＢのステップＳ４３で、磁性体ペースト２２１ｄが塗布される。詳しくは、図４１に示すように、磁性体ペースト２２１ｄが、第１の導体パターン２１２上に塗布される。これにより、未硬化の磁性体ペースト２２１ｄが、第１の導体パターン２１２が形成されていない部分に入り込む。磁性体ペースト２２１ｄは、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により、塗布することができる。その後、磁性体ペースト２２１ｄは加熱硬化され、第１の磁性体層２２２ｄが形成される。

続けて、図３７ＢのステップＳ４４で、絶縁層２１３が積層・プレスされる。詳しくは、図４２に示すように、例えば金属箔２１４を有する絶縁層２１３が、第１の磁性体層２２２ｄの上に積層される。絶縁層２１３は、例えばエポキシ樹脂からなる。そして、金属箔２１４を有する絶縁層２１３がプレスされ、第１の磁性体層２２２ｄに圧着される。その後、絶縁層２１３が加熱硬化される。
このとき、金属箔２１４を省略してもよい。その場合、絶縁層２１３上に例えばセミアディティブ法により導体パターンを形成する。

続けて、図３７ＢのステップＳ４５で、ビア導体２１５ｂ及び導体層２１６ａが形成される。詳しくは、図４３に示すように、例えばレーザにより、第１の磁性体層２２２ｄ、絶縁層２１３及び金属箔２１４に孔２１５ａ（ビアホール）を形成する。孔２１５ａは、第１の磁性体層２２２ｄ、絶縁層２１３及び金属箔２１４を貫通する。そして、孔２１５ａは、インダクタ部品２１０の第１の導体パターン２１２に至る。その後、必要に応じて、デスミアを行う。

続けて、例えば化学めっき法により、金属箔２１４上及び孔２１５ａ内に、例えば銅の無電解めっき膜を形成する。無電解めっきに先立って、例えば浸漬により、パラジウム等からなる触媒を、孔２１５ａの表面に吸着させる。

続けて、無電解めっき膜上に、例えば銅の電解めっきを形成する。具体的には、陽極にめっきする材料である銅を接続し、陰極に被めっき材である無電解めっき膜を接続して、めっき液に浸漬する。そして、両極間に直流の電圧を印加して電流を流し、無電解めっき膜の表面に銅を析出させる。これにより、図４４に示すように、孔２１５ａに電解めっきが充填され、例えば銅のめっきからなるビア導体２１５ｂが形成される。そして、絶縁層２１３上に導体層２１６ａが形成される。

続けて、図３７ＢのステップＳ４６で、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用いて、導体層２１６ａのパターニングを行う。具体的には、第２の導体パターン２１６に対応したパターンを有するエッチングレジストで導体層２１６ａを覆い、導体層２１６ａの、エッチングレジストで覆われない部分（エッチングレジストの開口部で露出する部位）を、エッチングで除去する。これにより、図４５に示すように、絶縁層２１３上に、第２の導体パターン２１６が形成される。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。

続けて、図３７ＢのステップＳ４７で、再び、磁性体ペースト２２１ｅが塗布される。詳しくは、図４６に示すように、磁性体ペースト２２１ｅが、第２の導体パターン２１６上に塗布される。これにより、未硬化の磁性体ペースト２２１ｅが、第２の導体パターン２１６が形成されていない部分に入り込む。磁性体ペースト２２１ｅは、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により、塗布することができる。その後、磁性体ペースト２２１ｅは加熱硬化され、第２の磁性体層２２２ｅが形成される。

続けて、図３７ＢのステップＳ４８で、再び、絶縁層２１７が積層・プレスされる。詳しくは、図４７に示すように、例えば金属箔２１８を有する絶縁層２１７が、第２の磁性体層２２２ｅの上に積層される。そして、金属箔２１８を有する絶縁層２１７がプレスされ、第２の磁性体層２２２ｅに圧着される。その後、絶縁層２１７が加熱硬化される。

続けて、図３７ＢのステップＳ４９で、導体層２１９ａが形成される。詳しくは、例えば化学めっき法により、金属箔２１８上に、例えば銅の無電解めっき膜を形成する。続けて、例えばパターンめっき法により、無電解めっき膜上に、例えば銅の電解めっきを形成する。具体的には、陽極にめっきする材料である銅を接続し、陰極に被めっき材である無電解めっき膜を接続して、めっき液に浸漬する。そして、両極間に直流の電圧を印加して電流を流し、無電解めっき膜の表面に銅を析出させる。これにより、図４８に示すように、絶縁層２１７上に導体層２１９ａが形成される。

続けて、図３７ＢのステップＳ５０で、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用いて、導体層２１９ａのパターニングを行う。具体的には、第３の導体パターン２１９に対応したパターンを有するエッチングレジストで導体層２１９ａを覆い、導体層２１９ａの、エッチングレジストで覆われない部分（エッチングレジストの開口部で露出する部位）を、エッチングで除去する。これにより、図４９に示すように、絶縁層２１７上に、第３の導体パターン２１９が形成される。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。

続けて、図３７ＢのステップＳ５１で、支持体４２０及び銅箔４３０が除去される。

詳しくは、図５０に示すように、支持体４２０が除去される。続けて、例えばエッチングにより、銅箔４３０が除去される。このようにして、図３７Ａに示すインダクタ部品２１０が製造される。

次に、本発明に係る実施形態の第３の例のインダクタ部品について、図５１を参照して説明する。図５１は、本実施形態に係る第３の例のインダクタ部品２５０を示す断面図である。

図５１に示すように、インダクタ部品２５０は、コア２５２を中心として構成されている。コア２５２は、例えばエポキシ樹脂とガラスクロス等の心材とからなる。コア２５２の平面形状は、例えば矩形である。コア２５２には、２つの貫通孔、すなわちビアホール２５２ａと中心孔２５７ａが穿設されている。コア２５２の両面には、第１の導体パターン２５４及び第２の導体パターン２５３が形成されている。第１の導体パターン２５４と第２の導体パターン２５３とは、コア２５２を貫通するビア導体２５２ｂによって、電気的に接続されている。

第１の導体パターン２５４と第２の導体パターン２５３の上には、磁性材料２２１からなる磁性体層２５６及び磁性体層２５５が、それぞれ形成されている。また、中心孔２５７ａ内にも磁性材料２２１が充填されて、コア磁性体２５７ｂが形成されている。第１の導体パターン２５４、第２の導体パターン２５３及びビア導体２５２ｂは、いずれも銅からなる。

図５１に示される各部の寸法は、Ｔ１＝３０μｍ、Ｔ２＝２０μｍ、Ｔ３＝６０μｍ、Ｔ４＝２０μｍ、Ｔ５＝３０μｍ、φ１＝７００μｍ、φ２＝５００μｍである。なお、これらの寸法は適宜変更されてもよい。

インダクタ部品２５０の導体パターン２５３，２５４の形状について、図５２を参照して説明する。図５２は、インダクタ部品２５０の導体パターン２５３，２５４の形状を示す斜視図である。

図５２に示すように、インダクタ部品２５０の導体パターン２５３，２５４の外形は略矩形状である。導体パターン２５３，２５４の中心には、中心孔２５７ａに対応する貫通孔が設けられている。ビア導体２５２ｂは、導体パターン２５４の突出した端部に形成されている。

かかる構成を有するインダクタ部品２５０について、周波数５０ＭＨｚにおいて、インダクタ特性を測定した。測定結果は、インダクタンス（Ｌ）が８．９７ｎＨ、Ｑ値が４５．５７で、優れたインダクタ特性を有していた。

次に、本発明に係る実施形態の第４のインダクタ部品について、図５３を参照して説明する。図５３は、本実施形態に係る第４のインダクタ部品２６０を示す断面図である。

図５３に示すように、インダクタ部品２６０は、コア２６２を中心として構成されている。コア２６２は、絶縁体、例えばエポキシ樹脂からなる絶縁層２６３と、磁性材料２２１からなる磁性体層２６４の二層構造となっている。コア２６２の平面形状は、例えば矩形である。コア２６２には、ビアホール２６２ａが穿設されている。コア２６２の両面には、第１の導体パターン２６６及び第２の導体パターン２６５が形成されている。

第１の導体パターン２６６と第２の導体パターン２６５とは、コア２６２を貫通するビア導体２６２ｂによって、電気的に接続されている。第１の導体パターン２６６と第２の導体パターン２６５の上には、磁性材料２２１からなる磁性体層２６８及び磁性体層２６７が、それぞれ形成されている。第１の導体パターン２６６、第２の導体パターン２６５及びビア導体２６２ｂは、いずれも銅からなる。

図５３に示される各部の寸法は、Ｔ１＝３０μｍ、Ｔ２＝２０μｍ、Ｔ４＝２０μｍ、Ｔ５＝３０μｍ、Ｔ６＝３０μｍ、Ｔ７＝５０μｍ、φ３＝３００μｍである。なお、これらの寸法は適宜変更されてもよい。

かかる構成を有するインダクタ部品２６０について、周波数５０ＭＨｚにおいて、インダクタ特性を測定した。測定結果は、インダクタンス（Ｌ）が９．３１ｎＨ、Ｑ値が４６．３２で、優れたインダクタ特性を有していた。

比較のため、磁性材料を一切用いていない、いわゆるエアコア型のインダクタ部品について、周波数５０ＭＨｚにおいて、インダクタ特性を測定した。エアコア型のインダクタ部品は、上記インダクタ部品２５０を示す図５１において、コア２５２に中心孔２５７ａがなく、磁性体層２５６、磁性体層２５５、コア磁性体２５７ｂも有しない。測定結果は、インダクタンス（Ｌ）が４．７３ｎＨ、Ｑ値が２６．４４であった。

この結果、インダクタ部品２５０，２６０は、磁性材料２２１を用いることにより磁気特性が発揮され、優れたインダクタ特性を有することが明らかになった。

本発明は、上記実施形態に限定されない。例えば、電解めっきのためのシード層は無電解めっき膜に限られず、無電解めっき膜に代えて、スパッタ膜等をシード層として用いてもよい。

その他の点についても、上記シート材２２０ａ，２２０ｂ，２３０、インダクタ部品２００，２１０，２５０，２６０、配線板１０及び磁性材料の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。

また、各導体パターンの材料は、上記のものに限定されず、用途等に応じて変更可能である。例えば導体パターンの材料として、銅以外の金属又は非金属の導体材料を用いてもよい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。

本発明に係るシート材は、薄型のインダクタ部品を製造するのに適している。本発明に係るシート材の製造方法は、そうしたシート材の製造に適している。本発明に係るインダクタ部品は、配線板に内蔵するのに適している。本発明に係る配線板は、携帯電話などの回路基板を実現するのに適している。本発明に係る磁性材料は、薄型のインダクタ部品を製造するのに適している。

１０ 配線板
１１，１２ ソルダーレジスト層
１００ 基材
１０１，１０２ 絶縁層
１１０，１２０ 導体層
２００，２１０，２５０，２６０ インダクタ部品
２０１，２１１ 絶縁層（絶縁基板）
２０２，２１２ 第１の導体パターン
２０２ａ，２１２ａ 第１の導体層
２１３ 第１の絶縁層
２０５ａ，２１５ａ，２５２ａ，２６２ａ，３１１ａ，３１２ａ，３２２ａ ビアホール
２０５ｂ，２１５ｂ，２５２ｂ，２６２ｂ，３１１ｂ，３１２ｂ，３２２ｂ ビア導体
２０６，２１６ 第２の導体パターン
２０６ａ，２１６ａ 第２の導体層
２０７，２１９ 第３の導体パターン
２０７ａ，２１９ａ 第３の導体層
２１３，２２３ａ，２２３ｂ 樹脂層
２１４，２１８，２２４ａ，２２４ｂ 金属箔
２１７ 第２の絶縁層
２２０ａ，２２０ｂ，２３０ シート材
２２１，２２１ｃ，２２１ｄ，２２１ｅ 磁性体ペースト
２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，２２２ｄ，２２２ｅ，２５５，２５６，２６４，２６７，２６８ 磁性体層
２２５，２２５ｃ 第１絶縁材料
２２６，２２６ｃ 磁性体粒子
２２６ａ 凹凸
２５２，２６２ コア
２５３，２５４，２６５，２６６ 導体パターン
２５７ａ コア貫通孔
３００ａ スルーホール
３００ｂ スルーホール導体
３０１ 第３導体層
３０２ 第４導体層
４００，４２０ 支持体
４１０，４３０ 銅箔
Ｆ１ 第１面
Ｆ２ 第２面
Ｆ３ 第３面
Ｆ４ 第４面
Ｆ５ 第５面
Ｆ６ 第６面
Ｆ１０，Ｆ１１ 面
Ｒ１ 隙間
Ｒ１０ キャビティ（貫通孔）

Claims (22)

1. 磁性体粒子と第１絶縁材料とを含む磁性体層を備えるシート材であって、
   前記磁性体層の少なくとも片面には、第２絶縁材料から構成される樹脂層が設けられているシート材。
2. 前記磁性体層の厚さは前記樹脂層の厚さより厚い、請求項１に記載のシート材。
3. 前記樹脂層の表面に金属箔を有する、請求項１又は２に記載のシート材。
4. 前記金属箔の前記樹脂層に接する表面は粗化されている、請求項３に記載のシート材。
5. 前記磁性体粒子の平均粒子径は０．５〜５０μｍの範囲内にある、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシート材。
6. 前記第１絶縁材料のガラス転移温度（Ｔｇ）は１３０℃以上である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシート材。
7. 前記磁性体粒子の前記磁性体層における体積含有率は３０体積％〜７０体積％の範囲内にある、請求項１乃至６のいずれか１項に記載のシート材。
8. 前記磁性体粒子は鉄、軟磁性鉄合金、ニッケル、軟磁性ニッケル合金、コバルト、軟磁性コバルト合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−シリコン（Ｓｉ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−窒素（Ｎ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−炭素（Ｃ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−ホウ素（Ｂ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−リン（Ｐ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−アルミニウム（Ａｌ）系合金、軟磁性鉄（Ｆｅ）−アルミニウム（Ａｌ）−シリコン（Ｓｉ）系合金のいずれか１つ以上から構成される、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のシート材。
9. 前記第１絶縁材料は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリアリーレンエーテル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂及びポリスチレン樹脂のいずれか１つ以上から構成される、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のシート材。
10. 前記第２絶縁材料と前記第１絶縁材料とは同じ材料である、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のシート材。
11. 前記磁性体層の表面は凹凸形状を有する、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のシート材。
12. 前記樹脂層は無機フィラーを含有する、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のシート材。
13. 前記樹脂層は、粗化処理に用いられる溶液に対して、相対的に溶解しやすい成分と、相対的に溶解しにくい成分の少なくとも２つの成分が混合された樹脂で構成されている、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のシート材。
14. 前記樹脂層の線膨張係数は前記磁性体層の線膨張係数より小さい、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のシート材。
15. 磁性体粒子と第１絶縁材料とを含む磁性体層を備えるシート材の製造方法であって、
    前記磁性体粒子と前記第１絶縁材料とを混合して前記磁性体層を作製することと、
    前記磁性体層の少なくとも片面に、第２絶縁材料から構成される樹脂層を設けることと、
    を含むシート材の製造方法。
16. 前記磁性体層の厚さを、前記樹脂層の厚さよりも厚くする請求項１５に記載のシート材の製造方法。
17. 層間絶縁層とその上のインダクタ用導体パターンとを有するインダクタ部品であって、
    前記層間絶縁層は、磁性体粒子と第１絶縁材料とを含む磁性体層と、該磁性体層の少なくとも片面に設けられ、第２絶縁材料から構成される樹脂層とからなるインダクタ部品。
18. 前記磁性体層の厚さは、前記樹脂層の厚さより厚い請求項１７に記載のインダクタ部品。
19. 前記樹脂層の前記導体パターンに接する表面は粗化されている請求項１７または１８に記載のインダクタ部品。
20. 少なくとも一方の表面に開口されてなる開口部を有するコア基板と、前記開口部の内部に収容されるインダクタ部品と、前記開口部の内部に充填されてインダクタ部品を固定する充填樹脂と、を有する配線板であって、
    前記インダクタ部品は、層間絶縁層とその上のインダクタ用導体パターンとを有し、
    前記層間絶縁層は、磁性体粒子と第１絶縁材料とを含む磁性体層と、該磁性体層の少なくとも片面に設けられ第２絶縁材料から構成される樹脂層と、からなる配線板。
21. 前記磁性体層の厚さは、前記樹脂層の厚さより厚い請求項２０に記載の配線板。
22. 磁性体粒子と絶縁材料とを有し、
    硬化した状態での線膨張係数は４０ｐｐｍ／Ｋ以下である、
    磁性材料。

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