JP2013077639A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理液の供給時における基板の回転中心と基板の幾何学的中心との位置ずれおよび除去液の供給状態を検出することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】塗布処理ユニットにおけるスピンチャックにより回転される基板上に処理液が供給されることにより処理液の膜が形成され、基板Ｗ上の周縁部にリンス液が供給されることにより基板Ｗの周縁部上の処理液が除去される。エッジ露光部におけるスピンチャックにより回転される基板の外周部の位置と基板上の膜の外周部の位置との間のエッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３が検出される。検出されたエッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３に基づいて、塗布処理ユニットにおけるスピンチャックの回転中心に対するスピンチャックに保持された基板の中心の位置ずれが判定されるとともに、エッジリンスノズルによるリンス液の供給状態が判定される。
【選択図】図１８

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載された基板処理装置は、基板にレジスト膜を形成する塗布処理ユニット、基板上のレジスト膜に現像処理を行う現像処理ユニット、基板を搬送する搬送ロボット、および基板上のレジスト膜の周縁部に露光処理を行うエッジ露光ユニットを含む。周辺露光ユニットにおいては、保持回転部に保持された基板が回転されるとともに基板の周縁部に光が照射されることにより露光処理が行なわれる。また、保持回転部に保持された基板の端縁部を示すエッジデータが取得される。そのエッジデータに基づいて保持回転部の回転中心に対する基板の中心の偏心量が算出される。それにより、周辺露光ユニットにおける基板の偏心量の異常の有無を判定することができる。

特開２００９−３２８９８号公報

塗布処理ユニットにおいては、スピンチャックにより回転される基板上にレジスト液が供給される。このとき、基板の周縁部にリンス液が供給されることにより、基板の周縁部上のレジスト液が除去される。それにより、基板の周縁部を除く領域にレジスト膜が形成される。基板の周縁部にレジスト膜が形成されていないため、搬送ロボットの保持部は、基板のレジスト膜が存在しない周縁部を保持することができる。

しかしながら、塗布処理ユニットのスピンチャックの回転中心が基板の回転中心に対して偏心している場合、基板上でレジスト膜が存在しない周縁部の幅にばらつきが生じる。また、リンス液の供給状態が適正でない場合には、基板上でレジスト膜が存在しない周縁部の幅が適正にならない。これにより、搬送ロボットの保持部が基板上のレジスト膜の部分に接触することがある。その結果、基板上のレジスト膜が損傷したり、レジスト膜のパーティクルが発生することがある。

上記の特許文献１に記載された周辺露光ユニットによれば、塗布処理ユニットにおける基板の偏心量の異常を検出することはできない。また、塗布処理ユニットにおけるリンス液の供給状態を検出することもできない。

本発明の目的は、処理液の供給時における基板の回転中心と基板の幾何学的中心との位置ずれおよび除去液の供給状態を検出することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、少なくとも一部が円形の外周部を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、基板上に処理液の膜を形成する膜形成ユニットと、膜形成ユニットによる膜形成後の基板の状態を検出する検出ユニットと、検出ユニットの検出結果に基づく判定を行う制御部とを備え、膜形成ユニットは、基板を保持して回転させる第１の回転保持装置と、第１の回転保持装置により回転される基板上に処理液を供給することにより処理液の膜を形成する処理液供給部と、第１の回転保持装置により回転される基板の周縁部に除去液を供給することにより基板の周縁部上の処理液を除去する除去液供給部とを含み、検出ユニットは、基板を保持して回転させる第２の回転保持装置と、第２の回転保持装置により回転される基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置を検出する位置検出部とを備え、制御部は、位置検出部により検出された基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置に基づいて第１の回転保持装置の回転中心に対する第１の回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれを判定するとともに、膜形成ユニットにおける除去液供給部による除去液の供給状態を判定するものである。

この基板処理装置においては、膜形成ユニットにおける第１の回転保持装置により基板が保持されて回転される。回転される基板上に処理液が供給されることにより処理液の膜が形成される。また、回転される基板の周縁部に除去液が供給されることにより基板の周縁部上の処理液が除去される。

その後、検出ユニットにおける第２の回転保持装置により基板が保持されて回転される。回転される基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置が検出される。この場合、検出された基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置に基づいて第１の回転保持装置の回転中心に対する第１の回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれが判定されるとともに、膜形成ユニットにおける除去液供給部による除去液の供給状態が判定される。これにより、処理液の供給時における基板の回転中心と基板の幾何学的中心との位置ずれおよび除去液の供給状態を検出することが可能となる。

（２）位置検出部は、第２の回転保持装置により回転される基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置を示す画像データを検出する画像データ検出部を含み、制御部は、画像検出部により検出された画像データに基づいて基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化を検出し、検出された基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化に基づいて基板の中心の位置ずれを判定するとともに、除去液の供給状態を判定してもよい。

この場合、画像検出部により検出された画像データに基づいて基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化が検出される。検出された基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化に基づいて基板の中心の位置ずれが判定されるとともに、除去液の供給状態が判定される。これにより、処理液の供給時における基板の回転中心と基板の幾何学的中心との位置ずれおよび除去液の供給状態を画像処理により容易に検出することができる。

（３）制御部は、基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化に基づいて、基板上の膜が存在しない外周部の幅を算出し、算出された幅に基づいて基板の中心の位置ずれを判定するとともに、除去液の供給状態を判定してもよい。

この場合、基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化に基づいて、基板上の膜が存在しない外周部の幅が算出される。算出された幅に基づいて基板の中心の位置ずれを判定するとともに、除去液の供給状態を判定してもよい。これにより、処理液の供給時における基板の回転中心と基板の幾何学的中心との位置ずれおよび除去液の供給状態を確実に検出することができる。

（４）制御部は、算出された幅の最大値と最小値との差に基づいて基板の中心の位置ずれを判定するとともに、算出された幅の平均値に基づいて除去液の供給状態を判定してもよい。

この場合、算出された幅の最大値と最小値との差に基づいて基板の中心の位置ずれが判定されるとともに、算出された幅の平均値に基づいて除去液の供給状態が判定される。これにより、処理液の供給時における基板の回転中心と基板の幾何学的中心との位置ずれおよび除去液の供給状態をより確実に検出することができる。

（５）除去液の供給状態は、除去液供給部により基板の外周部に供給される除去液の流量および除去液供給部による基板の外周部への除去液の供給位置の少なくとも一方を含んでもよい。

この場合、除去液の供給状態として、除去液供給部により基板の外周部に供給される除去液の流量および除去液供給部による基板の外周部への除去液の供給位置の少なくとも一方が検出される。

（６）基板処理装置は、基板を保持して搬送するとともに保持した基板を膜形成ユニットの第１の回転保持装置に載置する保持部を含む基板搬送装置をさらに含み、制御部は、基板の中心の位置ずれの判定結果に基づいて搬送装置の保持部による第１の回転保持装置への基板の載置動作を調整してもよい。

この場合、基板の中心の位置ずれの判定結果に基づいて搬送装置の保持部による第１の回転保持装置への基板の載置動作が調整される。これにより、処理液の供給時における基板の回転中心と基板の幾何学的中心との位置ずれを低減することができる。その結果、基板処理の精度が向上する。

（７）制御部は、制御部による除去液の供給状態の判定結果が異常を示す場合に警報の出力および除去液供給部による除去液の供給状態の調整の少なくとも一方を行ってもよい。

この場合、除去液の供給状態が適正でない場合には、警報が出力されることにより、作業者に除去液の供給状態の調整を促すことができ、または、除去液供給部による除去液の供給状態が調整される。その結果、基板処理の精度が向上する。

（８）膜形成ユニットは、処理液の膜として感光性膜を形成し、検出ユニットは、基板上の膜の周縁部の露光処理を行う機能をさらに有するエッジ露光部であってもよい。

この場合、エッジ露光部が基板の状態を検出する機能を有するとともに、基板上の膜の周縁部の露光処理を行う機能を有する。そのため、基板処理装置の大型化およびフットプリントの増加を防止することができる。

（９）第２の発明に係る基板処理方法は、少なくとも一部が円形の外周部を有する基板に処理を行う基板処理方法であって、膜形成ユニットにおける第１の回転保持装置により基板を保持して回転させるステップと、第１の回転保持装置により回転される基板上に膜形成ユニットにおける処理液供給部により処理液を供給することにより処理液の膜を形成するステップと、第１の回転保持装置により回転される基板の周縁部に膜形成ユニットにおける除去液供給部により除去液を供給することにより基板の周縁部上の処理液を除去するステップと、検出ユニットにおける第２の回転保持装置により基板を保持して回転させるステップと、第２の回転保持装置により回転される基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置を検出するステップと、検出された基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置に基づいて第１の回転保持装置の回転中心に対する第１の回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれを判定するとともに、膜形成ユニットにおける除去液供給部による除去液の供給状態を判定するステップとを含むものである。

この基板処理方法においては、膜形成ユニットにおける第１の回転保持装置により基板が保持されて回転される。回転される基板上に処理液が供給されることにより処理液の膜が形成される。また、回転される基板の周縁部に除去液が供給されることにより基板の周縁部上の処理液が除去される。

その後、検出ユニットにおける第２の回転保持装置により基板が保持されて回転される。回転される基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置が検出される。この場合、検出された基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置に基づいて第１の回転保持装置の回転中心に対する第１の回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれが判定されるとともに、膜形成ユニットにおける除去液供給部による除去液の供給状態が判定される。これにより、処理液の供給時における基板の回転中心と基板の幾何学的中心との位置ずれおよび除去液の供給状態を検出することが可能となる。

本発明によれば、処理液の供給時における基板の回転中心と基板の幾何学的中心との位置ずれおよび除去液の供給状態を検出することが可能になる。

本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。 図１の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部を＋Ｙ方向側から見た図である。 塗布処理ユニットを上方から見た図である。 図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部を−Ｙ方向側から見た図である。 図１の塗布処理部、搬送部および熱処理部を−Ｘ方向側から見た図である。 搬送部を−Ｙ方向側から見た図である。 搬送機構を示す斜視図である。 洗浄乾燥処理ブロックの内部構成を示す図である。 図２の塗布処理ユニットへの基板Ｗの搬入時における図７の搬送機構のハンドの動作を説明するための図である。 基板の表面上への反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜の形成手順と各膜の除去範囲とを示す図である。 基板の表面上への反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜の形成手順と各膜の除去範囲とを示す図である。 反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜が形成された基板の平面図である。 エッジ露光部の一側面を模式的に示す図である。 エッジ露光部の他の側面を模式的に示す図である。 エッジ露光部の模式的平面図である。 基板処理システムの制御系の構成を示すブロック図である。 周縁部画像データの作成方法について説明するための図である。 周縁部画像データに基づく周縁部画像の明るさの分布を示す図である。 メインコントローラの動作を示すフローチャートである。 メインコントローラの動作を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置、基板処理システムおよび検査周辺露光装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。

本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用の切り欠き（オリエンテーションフラットまたはノッチ）を除く外周部が円形を有する。

（１）基板処理システムの構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。

図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１０００は、基板処理装置１００およびホストコンピュータ８００を備える。

基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。本実施の形態においては、キャリア１１３としてＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドまたは収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（Open Cassette）等を用いてもよい。

搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。また、メインコントローラ１１４は、有線通信または無線通信によりホストコンピュータ８００に接続されている。メインコントローラ１１４とホストコンピュータ８００との間で種々のデータの送受信が行われる。

搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、後述の図６に示すように、搬送部１１２には、キャリア１１３と搬送機構１１５との間で基板Ｗを受け渡すための開口部１１７が形成される。

搬送部１１２の側面には、メインパネルＰＮが設けられる。メインパネルＰＮは、メインコントローラ１１４に接続されている。ユーザは、基板処理装置１００における基板Ｗの処理状況等をメインパネルＰＮで確認することができる。

メインパネルＰＮの近傍には、例えばキーボードからなる操作部（後述の図１６参照）が設けられている。ユーザは、操作部を操作することにより、基板処理装置１００の動作設定等を行うことができる。

第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図６参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図６参照）が設けられる。

第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図６参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図６参照）が設けられる。第２の処理ブロック１３内において、熱処理部１３３とインターフェイスブロック１４との間にはパッキン１４５が設けられる。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。

搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図６参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。

また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図６参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。

搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。なお、露光装置１５の基板搬入部１５ａおよび基板搬出部１５ｂは、水平方向に隣接するように配置されてもよく、または上下に配置されてもよい。

ここで、搬入搬出ブロック１４Ｂは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに対して＋Ｙ方向および−Ｙ方向に移動可能に設けられる。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ、搬入搬出ブロック１４Ｂおよび露光装置１５のメンテナンス時には、搬入搬出ブロック１４Ｂを＋Ｙ方向または−Ｙ方向に移動させることにより、作業スペースを確保することができる。なお、搬入搬出ブロック１４Ｂは、他のブロックに比べて軽量であり、容易に移動させることができる。

なお、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａでは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２において多量の液体（例えば洗浄液およびリンス液）を用いる。そのため、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、液体を供給するための用力設備に確実に接続する必要がある。一方、搬入搬出ブロック１４Ｂでは、液体をほとんど使用しない。そのため、搬入搬出ブロック１４Ｂは、用力設備に簡易的に接続することができる。すなわち、搬入搬出ブロック１４Ｂは、用力設備に対する切り離しおよび再接続を容易に行うことができる。

これらにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ、搬入搬出ブロック１４Ｂおよび露光装置１５のメンテナンス時に、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを移動させずに搬入搬出ブロック１４Ｂのみを移動させることで、作業者の労力および作業時間を大幅に軽減することができる。

（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図２は、図１の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を＋Ｙ方向側から見た図である。

図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１，３３には、現像処理ユニット１３９が設けられ、各塗布処理室３２，３４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。

図３は、塗布処理ユニット１２９を＋Ｚ方向側から見た図である。図２および図３に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７、複数の処理液ノズル２８、複数のエッジリンスノズル３０および複数の待機部２８０を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５およびカップ２７およびエッジリンスノズル３０は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。

各スピンチャック２５は、基板Ｗを保持した状態で、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。カップ２７はスピンチャック２５の周囲を取り囲むように設けられる。待機時には、各処理液ノズル２８は待機部２８０に挿入される。各処理液ノズル２８には、図示しない処理液貯留部から処理液配管を通して後述する種々の処理液が供給される。各処理液ノズル２８には、上方に突出する把持部２８ａが設けられている。

塗布処理ユニット１２９は、エッジリンスノズル駆動部３０ａおよびリンス液供給系３０ｂを有する。スピンチャック２５の上方には、エッジリンスノズル３０が移動可能に設けられている。エッジリンスノズル駆動部３０ａは、エッジリンスノズル３０を移動させる。リンス液供給系３０ｂは、エッジリンスノズル３０にリンス液（例えば塗布液の溶剤）を供給する。また、リンス液供給系３０ｂは、エッジリンスノズル３０に供給されるリンス液の流量を測定する流量センサを含む。エッジリンスノズル３０は、スピンチャック２５により保持される基板Ｗの周縁部にリンス液を吐出する。エッジリンスノズル３０から基板Ｗに吐出されるリンス液の流量は、リンス液供給系３０ｂにより調整される。

塗布処理ユニット１２９は、処理液ノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。ノズル搬送機構２９は、ノズル把持部２９１ａおよび長尺状の把持部移動機構２９１，２９２，２９３を備える。把持部移動機構２９２は、Ｙ方向に延びるように図２の搬送部１１２側に固定される。把持部移動機構２９３は、Ｙ方向に延びるように図２の第２の処理ブロック１３側に固定される。把持部移動機構２９２には、Ｙ方向に延びるボールねじ２９２ａおよびガイド２９２ｂが設けられる。同様に、把持部移動機構２９３には、Ｙ方向に延びるボールねじ２９３ａおよびガイド２９３ｂが設けられる。

把持部移動機構２９２と把持部移動機構２９３との間には、Ｘ方向に延びるように把持部移動機構２９１が設けられる。把持部移動機構２９１の両端は、それぞれ把持部移動機構２９２，２９３のガイド２９２ｂ，２９３ｂにＹ方向に移動可能に取り付けられる。把持部移動機構２９１の一端は、把持部移動機構２９２のボールねじ２９２ａに係合している。また、把持部移動機構２９１の他端は、把持部移動機構２９３のボールねじ２９３ａに係合している。ボールねじ２９２ａ，２９３ａは図示しないモータにより回動される。それにより、把持部移動機構２９１がガイド２９２ｂ，２９３ｂに沿ってＹ方向に水平移動する。

把持部移動機構２９１にノズル把持部２９１ａがＸ方向に移動可能に取り付けられる。ノズル把持部２９１ａは、各処理液ノズル２８の把持部２８ａを挟持する一対の挟持アーム２９１ｂを有する。一対の挟持アーム２９１ｂは、図示しない駆動機構によって互いに近接する方向または互いに離間する方向に移動する。

塗布処理ユニット１２９においては、複数の処理液ノズル２８のうちのいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。スピンチャック２５が回転しつつ処理液ノズル２８から処理液が吐出されることにより、回転する基板Ｗ上に処理液が塗布される。また、エッジリンスノズル３０が所定の待機位置から基板Ｗの周縁部の近傍に移動される。ここで、基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの表面において基板Ｗの外周部に沿った一定幅の領域をいう。そして、スピンチャック２５が回転しつつエッジリンスノズル３０から回転する基板Ｗの周縁部に向けてリンス液が吐出されることにより、基板Ｗに塗布された処理液の周縁部が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部の処理液が除去される。

本実施の形態においては、図２の塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液（反射防止液）が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液（レジスト液）が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９において、レジストカバー膜用の処理液（レジストカバー液）が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。

図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、複数のスピンチャック３５および複数のカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそれらのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。

現像処理ユニット１３９においては、まず、一方のスリットノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。その後、他方のスリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。なお、スリットノズル３８から基板Ｗに現像液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。

本実施の形態では、現像処理ユニット１３９において基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つのスリットノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。

なお、図２の例では、塗布処理ユニット１２９が２つのカップ２７を有し、現像処理ユニット１３９が３つのカップ３７を有するが、塗布処理ユニット１２９が３つのカップ２７を有してもよく、または現像処理ユニット１３９が２つのカップ３７を有してもよい。

洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

なお、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、ブラシ等を用いて基板Ｗの裏面、および基板Ｗの端部（ベベル部）のポリッシング処理を行ってもよい。ここで、基板Ｗの裏面とは、回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面と反対側の面をいう。

図２に示すように、塗布処理室２１〜２４，３２，３４において塗布処理ユニット１２９の上方には、塗布処理室２１〜２４，３２，３４内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４１が設けられる。また、現像処理室３１，３３において現像処理ユニット１３９の上方には、現像処理室３１，３３内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４７が設けられる。

また、塗布処理室２１〜２４，３２，３４内において塗布処理ユニット１２９の下部には、カップ２７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４２が設けられる。また、現像処理室３１，３３において現像処理ユニット１３９の下部には、カップ３７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４８が設けられる。

図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において塗布現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、塗布現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの排液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプおよび温度調節器等の流体関連機器が収納される。

（３）熱処理部の構成
図４は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を−Ｙ方向側から見た図である。

図４に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。熱処理部１２３の最上部にはローカルコントローラＬＣ１が設けられる。

ローカルコントローラＬＣ１は、熱処理部１２３における熱処理ユニットＰＨＰ、密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度制御を行う。また、ローカルコントローラＬＣ１は、図３の塗布処理ユニット１２９におけるノズル搬送機構２９の動作、スピンチャック２５の動作、各処理液ノズル２８への処理液の供給およびエッジリンスノズル３０へのリンス液の供給等を制御する。さらに、ローカルコントローラＬＣ１は、図１の搬送機構１２７の動作を制御する。

熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。熱処理部１３３の最上部には、ローカルコントローラＬＣ２が設けられる。

ローカルコントローラＬＣ２は、熱処理部１３３における熱処理ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度制御を行う。また、ローカルコントローラＬＣ２は、図３の塗布処理ユニット１２９におけるノズル搬送機構２９の動作、スピンチャック２５の動作、各処理液ノズル２８への処理液の供給およびエッジリンスノズル３０へのリンス液の供給等を制御する。さらにローカルコントローラＬＣ２は、図１の搬送機構１３７の動作を制御するとともに、移動機構３９の動作、スピンチャック３５の動作、各スリットノズル３８への現像液の供給等を制御する。ローカルコントローラＬＣ１，ＬＣ２の詳細については後述する。

エッジ露光部ＥＥＷにおいては、後述するように、基板Ｗの周縁部の状態が検出される。その検出結果に基づいて、塗布処理ユニット１２９（図２）においてスピンチャック２５の軸心に基板Ｗの幾何学的中心（以下、基板Ｗの中心と呼ぶ。）が一致するように基板Ｗがスピンチャック２５に載置されたか否か、ならびにエッジリンスノズル３０（図３）から基板Ｗの周縁部へ吐出されたリンス液の流量およびリンス液の吐出位置が適正であるか否かが判定される。スピンチャック２５の軸心は基板Ｗの回転中心に相当する。以下、スピンチャック２５の軸心に対する基板Ｗの中心の位置ずれの量を基板Ｗの偏心量と呼ぶ。基板Ｗの偏心量が予め設定された許容上限値を超える場合、または基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量もしくはリンス液の吐出位置が適正ではない場合には、後述する処理が行われる。基板Ｗの外周部には、位置決め用の切り欠き（オリエンテーションフラットまたはノッチ）が形成されていてもよい。

その後、エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。

このように、エッジ露光部ＥＥＷが基板Ｗの周縁部の状態を検出する機能を有するとともに、基板Ｗ上のエッジ露光処理する機能を有することにより、基板処理装置１００の大型化およびフットプリントの増加を防止することができる。

洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

（４）搬送部の構成
（４−１）概略構成
図５は、図１の塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を−Ｘ方向側から見た図である。図６は、搬送部１２２，１３２，１６３を−Ｙ方向側から見た図である。

図５および図６に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。

上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。

図５に示すように、塗布処理室２１，２２と上段熱処理部３０１とは上段搬送室１２５を挟んで対向するように設けられ、塗布処理室２３，２４と下段熱処理部３０２とは下段搬送室１２６を挟んで対向するように設けられる。同様に、現像処理室３１および塗布処理室３２（図２）と上段熱処理部３０３（図４）とは上段搬送室１３５（図６）を挟んで対向するように設けられ、現像処理室３３および塗布処理室３４（図２）と下段熱処理部３０４（図４）とは下段搬送室１３６（図６）を挟んで対向するように設けられる。

図６に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。

載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。

なお、図６の例では、基板載置部ＰＡＳＳ９が１つのみ設けられるが、複数の基板載置部ＰＡＳＳ９が上下に設けられてもよい。この場合、基板Ｗを一時的に載置するためのバッファ部として複数の基板載置部ＰＡＳＳ９を用いてもよい。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。

また、基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。

また、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置され、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。

上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の上方に給気ユニット４３が設けられる。上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の上方に給気ユニット４３が設けられる。給気ユニット４３には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。

また、上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の下方に上段搬送室１２５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の下方に下段搬送室１２６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

同様に、上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の下方に上段搬送室１３５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の下方に下段搬送室１３６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

これにより、上段搬送室１２５，１３５および下段搬送室１２６，１３６の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの搬送部１６３内の上部には、給気ユニット４５が設けられる。搬入搬出ブロック１４Ｂ内の上部には、給気ユニット４６が設けられる。給気ユニット４５，４６には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。それにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂ内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

（４−２）搬送機構の構成
次に、搬送機構１２７について説明する。図７は、搬送機構１２７を示す斜視図である。

図６および図７に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図６に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。

図６および図７に示すように、ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。

移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１およびハンドＨ２が取り付けられる。ハンドＨ１，Ｈ２は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。

上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。また、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図６）および上段熱処理部３０１（図４）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

なお、図６に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。

（５）洗浄乾燥処理ブロックの構成
図８は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの内部構成を示す図である。なお、図８は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを＋Ｘ方向側から見た図である。

図８に示すように、搬送機構１４１は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ３，Ｈ４を有し、搬送機構１４２は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ５，Ｈ６を有する。

搬送機構１４１の＋Ｙ側には洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が階層的に設けられ、搬送機構１４２の−Ｙ側には洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が階層的に設けられる。搬送機構１４１，１４２の間において、−Ｘ側には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２が上下に設けられる。

また、上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。

（６）基板処理装置の各構成要素の動作
以下、本実施の形態に係る基板処理装置１００の各構成要素の動作について説明する。

（６−１）インデクサブロック１１の動作
以下、図１および図６を主に用いてインデクサブロック１１の動作を説明する。

本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、まず、インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、そのキャリア１１３から１枚の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送する。その後、搬送機構１１５はキャリア１１３から他の１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３（図６）に搬送する。

なお、基板載置部ＰＡＳＳ２（図６）に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ２からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。同様に、基板載置部ＰＡＳＳ４に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ３に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ４からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済み基板Ｗをキャリア１１３へ搬送するとともにキャリア１１３に収容する。

（６−２）第１の処理ブロック１２の動作
以下、図１、図２、図４および図６を主に用いて第１の処理ブロック１２の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１２７，１２８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１１５（図６）により基板載置部ＰＡＳＳ１（図６）に載置された基板Ｗは、搬送機構１２７（図６）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図４）の所定の密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図４）から密着強化処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている未処理の基板Ｗをその密着強化処理ユニットＰＡＨＰに搬入する。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図４）の所定の冷却ユニットＣＰから冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている密着強化処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、反射防止膜形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により塗布処理室２２（図２）のスピンチャック２５（図２）上から反射防止膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図４）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている反射防止膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が連続的に行われる。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図５）の所定の冷却ユニットＣＰ（図４）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、レジスト膜形成処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により塗布処理室２１（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジスト膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図４）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている熱処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５（図６）に載置する。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ６（図６）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。その後、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６から取り出した現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図６）に搬送する。

搬送機構１２７が上記の処理を繰り返すことにより、第１の処理ブロック１２内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１２８は、搬送機構１２７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図６）、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図５）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１２７によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１において処理され、搬送機構１２８によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１）および下方の処理部（塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１２７,１２８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第１の処理ブロック１２のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１２７,１２８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

なお、上記の例では、塗布処理室２２における反射防止膜の形成処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われるが、適正に反射防止膜を形成することが可能であれば、反射防止膜の形成に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。

（６−３）第２の処理ブロック１３の動作
以下、図１、図２、図４および図６を主に用いて第２の処理ブロック１３の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１３７，１３８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１２７により基板載置部ＰＡＳＳ５（図６）に載置された基板Ｗは、搬送機構１３７（図６）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により塗布処理室３２（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジストカバー膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室３２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図４）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているレジストカバー膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２によりエッジ露光部ＥＥＷ（図４）からエッジ露光処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。

搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているエッジ露光処理後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図６）に載置するとともに、そのハンドＨ２により搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接する上段熱処理部３０１（図５）の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。なお、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接する熱処理ユニットＰＨＰから取り出される基板Ｗは、露光装置１５における露光処理が終了した基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図４）の所定の冷却ユニットＣＰ（図４）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている露光処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により現像処理室３１（図２）のスピンチャック３５（図２）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック３５上に載置する。現像処理室３１においては、現像処理ユニット１３９によりレジストカバー膜の除去処理および現像処理が行われる。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図４）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている現像処理後の基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。その後、搬送機構１３７は、熱処理ユニットＰＨＰから取り出した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６（図６）に載置する。

搬送機構１３７が上記の処理を繰り返すことにより、第２の処理ブロック１３内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１３８は、搬送機構１３７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図６）、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４（図２）および下段熱処理部３０４（図４）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１３７によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３において処理され、搬送機構１３８によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３）および下方の処理部（現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１３７，１３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第２の処理ブロック１３のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１３７，１３８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

なお、上記の例では、現像処理室３１における基板Ｗの現像処理の前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われるが、適正に現像処理を行うことが可能であれば、現像処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。

（６−４）洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作
以下、図６および図８を主に用いて洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作について説明する。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図８）は、搬送機構１３７（図６）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。

次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図８）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。

次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図６）に載置する。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいては、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１４１は、搬送機構１３８（図６）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図８）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図６）に載置する。

このように、搬送機構１４１は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１を経由して載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに交互に搬送する。

ここで、キャリア１１３（図６）に収容されている基板Ｗは、搬送機構１１５（図６）により基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図６）に交互に搬送される。また、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図４）における基板Ｗの処理速度は、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図４）における基板Ｗの処理速度と略等しい。

また、搬送機構１２７（図６）の動作速度は搬送機構１２８（図６）の動作速度と略等しい。また、現像処理室３１（図２）、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３（図４）における基板Ｗの処理速度は、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４（図４）における基板Ｗの処理速度と略等しい。また、搬送機構１３７（図６）の動作速度は搬送機構１３８（図６）の動作速度と略等しい。

したがって、上記のように、搬送機構１４１（図８）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ１（図６）から載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに基板Ｗが交互に搬送されることにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図６）に搬送される基板Ｗの順序とが一致する。この場合、基板処理装置１００における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。

搬送機構１４２（図８）は、ハンドＨ５により基板載置部ＰＡＳＳ９（図６）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６により、洗浄乾燥処理部１６２（図８）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ５に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。

次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図８）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。

次に、搬送機構１４２（図８）は、ハンドＨ５により基板載置部ＰＡＳＳ９（図６）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６により、洗浄乾燥処理部１６２（図８）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ５に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。

次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図８）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、ＰＥＢ処理が行われる。

このように、搬送機構１４２は、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２を経由して上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４に交互に搬送する。

搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図６）は、ハンドＨ７により、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに載置された基板Ｗを取り出し、露光装置１５の基板搬入部１５ａに搬送する。また、搬送機構１４６は、ハンドＨ８により、露光装置１５の基板搬出部１５ｂから露光処理後の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送する。

ここで、上述したように、搬送機構１４１（図８）によって載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図６）に載置される基板Ｗの順序は、キャリア１１３（図６）から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序に等しい。それにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、搬送機構１４２（図８）により露光装置１５に搬入される基板Ｗの順序とを一致させることができる。それにより、露光装置１５における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。また、一のキャリア１１３から基板処理装置１００に搬入された複数の基板Ｗ間において、露光処理の状態にばらつきが生じることを防止することができる。

なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１４１（図８）により、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１３７，１３８（図６）により、ＰＥＢ処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

また、第１および第２の処理ブロック１２，１３の不具合等によって基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２まで正常に搬送されない場合、基板Ｗの搬送が正常となるまで搬送機構１４１による載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２からの基板Ｗの搬送を一時的に停止してもよい。

（７）塗布処理ユニット
図９は、図２の塗布処理ユニット１２９への基板Ｗの搬入時における図７の搬送機構１２７のハンドＨ１の動作を説明するための図である。なお、図９では、搬送機構１２７および塗布処理ユニット１２９の構成の一部が上面図で示されている。また、搬送機構１２７のハンドＨ２の動作はハンドＨ１の動作と同様である。さらに、図６の搬送機構１２８，１３７，１３８のハンドＨ１，Ｈ２の動作は、搬送機構１２７のハンドＨ１，Ｈ２の動作と同様である。

図９（ａ）において、矢印で示されるように、ハンドＨ１により保持された基板Ｗが塗布処理ユニット１２９内に搬入される。ハンドＨ１とスピンチャック２５との位置関係は予め設定されている。次に、図９（ｂ）に示すように、塗布処理ユニット１２９に搬入される基板Ｗは、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２５の軸心Ｐ１と一致するようにスピンチャック２５上に載置される。その後、図９（ｃ）に示すように、ハンドＨ１が塗布処理ユニット１２９から搬出される。

塗布処理室２２，２４（図２）の塗布処理ユニット１２９においては、基板Ｗの表面上に反射防止液が塗布される。塗布処理室２１，２３（図２）の塗布処理ユニット１２９においては、基板Ｗ上に形成された反射防止膜上にレジスト液が塗布される。塗布処理室３２，３４（図２）の塗布処理ユニット１２９においては、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー液が塗布される。

図１０および図１１は、基板Ｗの表面上への反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜の形成手順と各膜の除去範囲とを示す図である。

まず、塗布処理室２１（または塗布処理室２３）の塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗが回転されつつ基板Ｗの表面上に反射防止液が塗布されるとともに、エッジリンスノズル３０から基板Ｗの周縁部に向けてリンス液が吐出される。これにより、図１０（ａ）に示すように、基板Ｗの周縁部に付着する反射防止液が溶解される。このようにして、基板Ｗの周縁部の環状領域における反射防止液が除去される。その後、熱処理部１２３により基板Ｗに所定の熱処理が行われることにより、図１０（ｂ）に示すように、周縁部を除く基板Ｗの表面上に反射防止膜Ｆ１が形成される。基板Ｗの外周部と反射防止膜Ｆ１の外周部との間の幅をエッジカット幅Ｄ１と呼ぶ。

次に、塗布処理室２２（または塗布処理室２４）の塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗが回転されつつ基板Ｗの表面上にレジスト液が塗布されるとともに、エッジリンスノズル３０から基板Ｗの周縁部に向けてリンス液が吐出される。これにより、図１０（ｃ）に示すように、基板Ｗの周縁部に付着するレジスト液が溶解される。このようにして、基板Ｗの周縁部の環状領域におけるレジスト液が除去される。その後、熱処理部１２３により基板Ｗに所定の熱処理が行われることにより、図１１（ａ）に示すように、周縁部を除く基板Ｗ上に反射防止膜Ｆ１上を覆うようにレジスト膜Ｆ２が形成される。基板Ｗの外周部とレジスト膜Ｆ２の外周部との間の幅をエッジカット幅Ｄ２と呼ぶ。

続いて、塗布処理室３２（または塗布処理室３４）の塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗが回転されつつ基板Ｗの表面上にレジストカバー液が塗布されるとともに、エッジリンスノズル３０から基板Ｗの周縁部に向けてリンス液が吐出される。これにより、図１１（ｂ）に示すように、基板Ｗの周縁部に付着するレジストカバー液が溶解される。このようにして、基板Ｗの周縁部の環状領域におけるレジストカバー液が除去される。その後、熱処理部１３３により基板Ｗに所定の熱処理が行われることにより、図１１（ｃ）に示すように、周縁部を除く基板Ｗ上にレジスト膜Ｆ２を覆うようにレジストカバー膜Ｆ３が形成される。基板Ｗの外周部とレジストカバー膜Ｆ３の外周部との間の幅をエッジカット幅Ｄ３と呼ぶ。

図１２は、反射防止膜Ｆ１、レジスト膜Ｆ２およびレジストカバー膜Ｆ３が形成された基板Ｗの平面図である。塗布処理ユニット１２９（図９）において、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２５（図９）の軸心Ｐ１と一致するようにスピンチャック２５上に載置される。この状態で、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量およびリンス液の吐出位置が適正である場合、図１２（ａ）に示すように、基板Ｗの全周縁部上に渡ってエッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３が均一な設定値となるように反射防止膜Ｆ１、レジスト膜Ｆ２およびレジストカバー膜Ｆ３が形成される。

一方、塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２５の軸心Ｐ１に対して偏心するようにスピンチャック２５上に載置された場合、図１２（ｂ）に示すように、エッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３が不均一になるように基板Ｗ上に反射防止膜Ｆ１、レジスト膜Ｆ２およびレジストカバー膜Ｆ３が形成される。

また、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量が適正な値よりも小さい場合、リンス液が設定位置の内側までしみ込むため、図１２（ｃ）の点線で示すように、エッジカット幅Ｄ３が設定値よりも大きくなるようにレジストカバー膜Ｆ３が形成される。エッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量が適正な値よりも大きい場合、リンス液の液幅が狭くなるため、図１２（ｃ）の一点鎖線で示すように、エッジカット幅Ｄ３が設定値よりも小さくなるようにレジストカバー膜Ｆ３が形成される。なお、図１２（ｃ）においては、反射防止膜Ｆ１、レジスト膜Ｆ２およびエッジカット幅Ｄ１，Ｄ２の図示は省略している。上記の場合、エッジカット幅Ｄ１，Ｄ２も設定値と異なる。

さらに、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへのリンス液の吐出位置が適正でない場合においても、エッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３が設定値と異なるように反射防止膜Ｆ１，レジスト膜Ｆ２およびレジストカバー膜Ｆ３が形成される。

このように、基板Ｗのエッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３を検出することにより、塗布処理ユニット１２９における基板Ｗの偏心量が許容上限値以下であるか否か、ならびにエッジリンス液の流量および吐出位置が適正であるか否かを判定することができる。

（８）エッジ露光部の詳細
次に、エッジ露光部ＥＥＷの詳細について説明する。図１３はエッジ露光部ＥＥＷの一側面を模式的に示す図であり、図１４はエッジ露光部ＥＥＷの他の側面を模式的に示す図である。また、図１５はエッジ露光部ＥＥＷの模式的平面図である。

図１３および図１４に示すように、エッジ露光部ＥＥＷは、投光部５１０、投光部保持ユニット５２０、基板回転ユニット５４０および状態検出処理ユニット５８０を備える。また、状態検出処理ユニット５８０は、後述する図１６の状態検出コントローラＭＣに接続される。

投光部５１０は、光ファイバケーブル等からなるライトガイドを介して図示しない後述の露光用光源と接続されている。これにより、投光部５１０はライトガイドを介して露光用光源より送られる光を基板Ｗの周縁部に照射する。以下、基板Ｗ上のレジスト膜を露光するために投光部５１０により基板Ｗに照射される光を露光用光と呼ぶ。

投光部保持ユニット５２０は、Ｘ方向駆動モータ５２１、Ｘ方向ボールネジ５２２、投光部保持ガイド５２３、支柱５２４、Ｙ方向駆動モータ５３１、支柱保持ガイド５３２およびＹ方向ボールネジ５３３を備える。

投光部保持ガイド５２３は、投光部５１０をＸ方向に移動可能に保持する。また、Ｘ方向ボールネジ５２２は、投光部５１０に設けられた図示しない連結部に螺合されている。

Ｘ方向ボールネジ５２２は、Ｘ方向に延びるように設けられており、Ｘ方向駆動モータ５２１の動作に伴って矢印Ｒ１の方向に回転する。Ｘ方向ボールネジ５２２が回転することにより、投光部５１０がＸ方向に移動する。

Ｘ方向駆動モータ５２１および投光部保持ガイド５２３は、支柱５２４により所定の高さに支持されている。支柱５２４の下端部は支柱保持ガイド５３２により保持されている。支柱保持ガイド５３２は、支柱５２４をＹ方向に移動可能に保持する。また、Ｙ方向ボールネジ５３３は、支柱５２４に設けられた図示しない連結部に螺合されている。

Ｙ方向ボールネジ５３３は、Ｙ方向に延びるように設けられており、Ｙ方向駆動モータ５３１の動作に伴って矢印Ｒ３の方向に回転する。Ｙ方向ボールネジ５３３が回転することにより、支柱５２４がＹ方向に移動する。

このように、投光部保持ユニット５２０の各部の動作により、投光部５１０がＸ方向およびＹ方向に移動する。

基板回転ユニット５４０は、基板回転モータ５４１、基板回転軸５４２およびスピンチャック５４３を備える。基板回転軸５４２は、基板回転モータ５４１から上方に突出する。スピンチャック５４３は、基板回転軸５４２の上端に接続されている。エッジ露光処理時には、スピンチャック５４３上に基板Ｗが載置される。スピンチャック５４３は、載置された基板Ｗを吸着保持する。

基板回転モータ５４１は、基板回転軸５４２を矢印Ｒ２の方向に回転させる。それにより、スピンチャック５４３が回転し、スピンチャック５４３により吸着保持された基板Ｗが回転する。

状態検出処理ユニット５８０は、照明部５８１、反射ミラー５８２およびＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサ５８３を備える。

図１５に示すように、照明部５８１はＹ方向に沿うように基板Ｗの周縁部の上方に配置される。反射ミラー５８２は、照明部５８１と対向するように基板Ｗの上方に配置される。反射ミラー５８２の上方にＣＣＤラインセンサ５８３が配置される。ＣＣＤラインセンサ５８３は、画素の配列方向がＹ方向に沿うように配置される。

照明部５８１から基板Ｗの周縁部の状態を検出するための帯状の光（以下、照明光と呼ぶ。）が発生される。照明光は、基板Ｗの周縁部に照射される。照射された照明光は、基板Ｗ上で反射され、さらに反射ミラー５８２上で反射され、ＣＣＤラインセンサ５８３に投射される。ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布は、基板Ｗの周縁部での反射光の明るさの分布に対応する。

ここで、基板Ｗの表面での反射光の明るさの分布は、基板Ｗの周縁部の状態によって異なる。具体的には、基板Ｗ上に反射防止膜Ｆ１、レジスト膜Ｆ２およびレジストカバー膜Ｆ３が形成されている場合、反射防止膜Ｆ１、レジスト膜Ｆ２およびレジストカバー膜Ｆ３の形成領域に応じて基板Ｗの表面での反射光の明るさの分布が異なる。

本実施の形態では、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、後述の基板の周縁部の状態検出処理が行われる。

（９）基板処理システムの制御系の構成
図１６は、基板処理システム１０００の制御系の構成を示すブロック図である。図１６に示すように、ホストコンピュータ８００は、メインコントローラ１１４に接続される。メインコントローラ１１４には、メインパネルＰＮおよび操作部９０が接続される。また、メインコントローラ１１４には、ローカルコントローラＬＣ１，ＬＣ２および状態検出コントローラＭＣが接続される。ユーザによる操作部９０の操作情報がメインコントローラ１１４に与えられる。

ローカルコントローラＬＣ１は、熱処理制御部Ｃ１１、搬送制御部Ｃ１２および塗布処理制御部Ｃ１３を有する。熱処理制御部Ｃ１１は、図４の熱処理部１２３における熱処理ユニットＰＨＰ、密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御する。搬送制御部Ｃ１２は、図６の搬送部１２２の搬送機構１２７，１２８の動作を制御する。

塗布処理制御部Ｃ１３は、図２の塗布処理部１２１のノズル搬送機構２９（図１）の動作、スピンチャック２５の動作および各処理液ノズル２８への処理液の供給を制御する。また、塗布処理制御部Ｃ１３は、図３のリンス液供給系３０ｂを制御することにより、エッジリンスノズル３０へのリンス液の供給を制御するとともに、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量を調整する。さらに、塗布処理制御部Ｃ１３は、図３のエッジリンスノズル駆動部３０ａを制御することにより、エッジリンスノズル３０の移動を制御するとともに、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへのリンス液の吐出位置を制御する。

ローカルコントローラＬＣ２は、熱処理制御部Ｃ２１、搬送制御部Ｃ２２、塗布現像処理制御部Ｃ２３およびエッジ露光制御部Ｃ２４を有する。熱処理制御部Ｃ２１は、図４の熱処理部１３３における熱処理ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御する。搬送制御部Ｃ２２は、図６の搬送部１３２の搬送機構１３７，１３８の動作を制御する。

塗布現像処理制御部Ｃ２３は、図２の塗布現像処理部１３１のノズル搬送機構２９（図１）の動作、移動機構３９の動作、スピンチャック２５，３５の動作、各処理液ノズル２８への処理液の供給および各スリットノズル３８への現像液の供給を制御する。

また、塗布現像処理制御部Ｃ２３は、図３のリンス液供給系３０ｂを制御することにより、エッジリンスノズル３０へのリンス液の供給を制御するとともに、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量を調整する。さらに、塗布現像処理制御部Ｃ２３は、図３のエッジリンスノズル駆動部３０ａを制御することにより、エッジリンスノズル３０の移動を制御するとともに、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへのリンス液の吐出位置を制御する。

エッジ露光制御部Ｃ２４は、Ｘ方向駆動モータ５２１（図１３）の動作、Ｙ方向駆動モータ５３１（図１３）の動作、基板回転モータ５４１の動作（図１３）および露光用光源（図示せず）の動作を制御する。

状態検出コントローラＭＣは、照明制御部Ｃ３１およびＣＣＤラインセンサ制御部Ｃ３２を有する。照明制御部Ｃ３１は、図１３の照明部５８１の動作を制御する。ＣＣＤラインセンサ制御部Ｃ３２は、図１３のＣＣＤラインセンサ５８３の動作を制御する。

（１０）基板の周縁部の状態検出処理
基板Ｗの周縁部の状態検出処理について説明する。状態検出処理では、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布が状態検出コントローラＭＣを介してメインコントローラ１１４に与えられる。ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、基板Ｗの周縁部の状態（エッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３）の検査が行われる。

上記のように、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布は、基板Ｗの周縁部での反射光の明るさの分布に対応する。基板Ｗが１回転することにより、基板Ｗの周縁部の全体に照明光が照射される。基板Ｗが１回転する期間に、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布が連続的にメインコントローラ１１４に与えられる。メインコントローラ１１４は、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、基板Ｗの周縁部の全体での反射光の明るさの分布を示す周縁部画像データを作成する。

図１７は、周縁部画像データの作成方法について説明するための図である。図１７（ａ），（ｂ），（ｃ）には、基板Ｗ上における照明光の照射状態が順に示され、図１７（ｄ），（ｅ），（ｆ）には、図１７（ａ），（ｂ），（ｃ）の状態で作成される周縁部画像データがそれぞれ示される。なお、図１７（ａ）〜（ｃ）において、照明光が照射された基板Ｗ上の領域にハッチングが付される。また、図１７（ｄ）〜（ｆ）においては、理解を容易にするために、周縁部画像データがその周縁部画像データに基づいて表示される画像の形態で表示される。

図１７（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板Ｗ上の周縁部に継続的に照明光が照射されつつ基板Ｗが回転する。それにより、基板Ｗの周方向に連続的に照明光が照射される。基板Ｗが１回転すると、基板Ｗの周縁部の全体に照明光が照射される。

基板Ｗが１回転する期間に連続的に得られるＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、図１７（ｄ）〜（ｆ）に示すように、矩形の周縁部画像データｄ１が作成される。

周縁部画像データｄ１の縦方向の位置は、ＣＣＤラインセンサ５８３の各画素の位置（基板Ｗの半径方向の位置）に対応し、周縁部画像データｄ１の横方向の位置は、基板Ｗの回転角度に対応する。

この場合、周縁部画像データｄ１の縦方向の変化は、基板Ｗの周縁部の領域Ｔ１での基板Ｗの半径方向における反射光の明るさの分布を表わす。また、周縁部画像データｄ１の横方向の変化は、基板Ｗの周方向における基板Ｗの周縁部の領域Ｔ１での反射光の明るさの分布を表わす。また、周縁部画像データｄ１における基板Ｗの外周部ＥＤＧの位置からの距離に基づいて、エッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３を算出することができる。

基板Ｗが１回転した時点で、基板Ｗの周縁部全体での反射光の明るさの分布が１つの矩形の周縁部画像データｄ１として得られる。周縁部画像データｄ１に基づいて基板Ｗの周縁部の画像（以下、周縁部画像と呼ぶ。）が表示される。

図１８は、周縁部画像データｄ１に基づいて表示される周縁部画像の明るさの分布を示す図である。図１８（ａ）の例では、基板Ｗの全周縁部上に渡ってエッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３がほぼ一定で許容範囲内にある。この場合、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値以下であり、かつエッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量およびリンス液の吐出位置が適正であったと判定される。

図１８（ｂ）の例では、基板Ｗの全周縁部上に渡ってエッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３の平均値は許容範囲内にあるが、エッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３が大きく変化している。この場合、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量およびリンス液の吐出位置は適正であったが、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値を超えていたと判定される。

図１８（ｃ）の例では、基板Ｗの全周縁部上に渡ってエッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３がほぼ一定であるが、許容範囲の下限値よりも小さい。この場合、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量は許容上限値以下であるが、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量またはリンス液の吐出位置が適正でなかったと判定される。

図１８（ｄ）の例では、基板Ｗの全周縁部上に渡ってエッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３が大きく変化し、かつエッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３の平均値は許容範囲の下限値よりも小さい。この場合、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値を超え、かつエッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量またはリンス液の吐出位置が適正でなかったと判定される。

図１９および図２０は、図１６のメインコントローラ１１４の動作を示すフローチャートである。以下の説明では、エッジカット幅Ｄ１についての基板の周縁部の状態検出処理を説明するが、エッジカット幅Ｄ２，Ｄ３についての基板の周縁部の状態検出処理もエッジカット幅Ｄ１についての基板の周縁部の状態検出処理と同様である。

まず、メインコントローラ１１４は、ローカルコントローラＬＣ２および搬送制御部Ｃ２２を通して図６の搬送機構１３７を制御することにより、図１３のエッジ露光部ＥＥＷのスピンチャック５４３上に基板Ｗを載置させる。また、メインコントローラ１１４は、ローカルコントローラＬＣ２およびエッジ露光制御部Ｃ２４を通して図１３のスピンチャック５４３を制御することにより、スピンチャック５４３上に基板Ｗを吸着保持させる（ステップＳ１）。

次に、メインコントローラ１１４は、ローカルコントローラＬＣ２およびエッジ露光制御部Ｃ２４を通してスピンチャック５４３を制御することにより、スピンチャック５４３に保持された基板Ｗを１回転させる（ステップＳ２）。基板Ｗが１回転する期間に、メインコントローラ１１４は、図１３のＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、周縁部画像データｄ１を作成する（ステップＳ３）。

次に、メインコントローラ１１４は、作成した周縁部画像データｄ１を図１６のホストコンピュータ８００に送信する（ステップＳ４）。ホストコンピュータ８００は、メインコントローラ１１４からの周縁部画像データｄ１を記憶する。ユーザは、ホストコンピュータ８００またはそのホストコンピュータ８００に接続された端末装置により、必要に応じて周縁部画像データｄ１を確認することができる。

なお、メインコントローラ１１４が周縁部画像データｄ１を記憶してもよい。その場合、ユーザが必要に応じて図１のメインパネルＰＮにより周縁部画像データｄ１を確認することができる。また、任意のタイミングでメインコントローラ１１４からホストコンピュータ８００に周縁部画像データｄ１を送信することができる。

続いて、メインコントローラ１１４は、作成した周縁部画像データｄ１に基づいて、エッジカット幅Ｄ１の平均値を算出する（ステップＳ５）。また、メインコントローラ１１４は、作成した周縁部画像データｄ１に基づいて、エッジカット幅Ｄ１の最大値と最小値との差を算出する（ステップＳ６）。エッジカット幅Ｄ１の最大値と最小値との差は、エッジカット幅Ｄ１のばらつき（変化量）に相当する。

次に、メインコントローラ１１４は、基板ＷのステップＳ５で算出されたエッジカット幅Ｄ１の平均値が予め設定された許容範囲内であるか否かを判定する（ステップＳ７）。エッジカット幅Ｄ１の平均値が許容範囲内である場合、メインコントローラ１１４は、図２の塗布処理室２１（または塗布処理室２３）のエッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されたリンス液の流量およびリンス液の吐出位置が適正であったと判定する。

さらに、メインコントローラ１１４は、ステップＳ６で算出されたエッジカット幅Ｄ１の差が予め設定されたしきい値以下であるか否かを判定する（ステップＳ８）。エッジカット幅Ｄ１の差がしきい以下である場合、メインコントローラ１１４は、図２の塗布処理室２１（または塗布処理室２３）において、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値以下であったと判定する。このときの基板Ｗの周縁部画像データｄ１に基づく周縁部画像は、図１８（ａ）のようになる。その後、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの周縁部の状態検出処理を終了する。

ステップＳ８において、エッジカット幅Ｄ１の差がしきい値を超える場合、メインコントローラ１１４は、塗布処理室２１（または塗布処理室２３）において、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値を超えていたと判定する。このときの基板Ｗの周縁部画像データｄ１に基づく周縁部画像は、図１８（ｂ）のようになる。

この場合、メインコントローラ１１４は、塗布処理室２１（または塗布処理室２３）のスピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が小さくなるように、ローカルコントローラＬＣ１および搬送制御部Ｃ１２を通して搬送機構１２７（または搬送機構１２８）の動作を補正する（ステップＳ９）。その後、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの周縁部の状態検出処理を終了する。

ステップＳ７において、エッジカット幅Ｄ１の平均値が許容範囲外である場合、メインコントローラ１１４は、図２の塗布処理室２１（または塗布処理室２３）のエッジリンスノズル３０から基板Ｗへのリンス液の流量またはリンス液の吐出位置が適正でなかったと判定する。

この場合、メインコントローラ１１４は、ステップＳ６で算出されたエッジカット幅Ｄ１の差がしきい値以下であるか否かを判定する（ステップＳ１０）。エッジカット幅Ｄ１の差がしきい以下である場合、メインコントローラ１１４は、図２の塗布処理室２１（または塗布処理室２３）において、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値以下であったと判定する。このときの基板Ｗの周縁部画像データｄ１に基づく周縁部画像は、図１８（ｃ）のようになる。

その後、メインコントローラ１１４は、図３のリンス液供給系３０ｂにおける流量センサにより測定されるリンス液の流量が設定値に等しいか否かを判定する（ステップＳ１１）。リンス液の流量が設定値とは異なる場合、メインコントローラ１１４は、警報を出力する（ステップＳ１２）。警報の出力としては、例えばブザー等による警報音の発生、またはランプ等による警報表示が行われる。その後、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの周縁部の状態検出処理を終了する。

ステップＳ１１において、リンス液の流量が設定値に等しい場合、メインコントローラ１１４は、エッジリンスノズル３０からのリンス液の吐出位置が適正でなかったと判定する。この場合、メインコントローラ１１４は、ローカルコントローラＬＣ１および塗布処理制御部Ｃ１３を通して図３のエッジリンスノズル駆動部３０ａを制御することにより、エッジリンスノズル３０からのリンス液の吐出位置を調整する（ステップＳ１３）。例えば、ステップＳ５において算出されたエッジカット幅Ｄ１の平均値が許容範囲の下限値よりも小さい場合には、メインコントローラ１１４は、エッジリンスノズル３０を基板Ｗの中心に近づく方向に一定量移動させる。逆に、ステップＳ５において算出されたエッジカット幅Ｄ１の平均値が許容範囲の上限値よりも大きい場合には、メインコントローラ１１４は、エッジリンスノズル３０を基板Ｗの中心から遠ざかる方向に一定量移動させる。その後、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの周縁部の状態検出処理を終了する。

ステップＳ１０において、エッジカット幅Ｄ１の差がしきい値を超える場合、メインコントローラ１１４は、塗布処理室２１（または塗布処理室２３）において、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値を超えていたと判定する。このときの基板Ｗの周縁部画像データｄ１に基づく周縁部画像は、図１８（ｄ）のようになる。この場合、メインコントローラ１１４は、塗布処理室２１（または塗布処理室２３）のスピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が小さくなるように、ローカルコントローラＬＣ１および搬送制御部Ｃ１２を通して搬送機構１２７（または搬送機構１２８）の動作を補正する（ステップＳ１４）。

その後、メインコントローラ１１４は、図３のリンス液供給系３０ｂにおける流量センサにより測定されるリンス液の流量が設定値に等しいか否かを判定する（ステップＳ１５）。リンス液の流量が設定値とは異なる場合、メインコントローラ１１４は、警報を出力する（ステップＳ１６）。その後、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの周縁部の状態検出処理を終了する。

ステップＳ１５において、リンス液の流量が設定値に等しい場合、メインコントローラ１１４は、ローカルコントローラＬＣ１および塗布処理制御部Ｃ１３を通して図３のエッジリンスノズル駆動部３０ａを制御することにより、エッジリンスノズル３０からのリンス液の吐出位置を調整する（ステップＳ１７）。その後、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの周縁部の状態検出処理を終了する。

なお、図１８の例では、周縁部画像データｄ１における基板Ｗの外周部ＥＤＧが直線となっているが、エッジ露光部ＥＥＷにおいてスピンチャック５４３の軸心に対して基板Ｗの中心が偏心している場合には、周縁部画像データｄ１における基板Ｗの外周部ＥＤＧは直線とはならない。この場合においても、エッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３に基づいてスピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量ならびにエッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量および吐出位置を判定することができる。

（１１）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、状態検出処理ユニット５８０の画像処理により基板Ｗのエッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３が容易に検出される。メインコントローラ１１４は、検出された各エッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３の最大値と最小値との差がしきい値以下か否かを判定することにより、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２５の軸心Ｐ１に対して偏心するようにスピンチャック２５上に載置されたことを確実に検出することができる。

基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２５の軸心Ｐ１に対して偏心するようにスピンチャック２５上に載置されたことを検出した場合、メインコントローラ１１４は、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が小さくなるように、ローカルコントローラＬＣ１，ＬＣ２および搬送制御部Ｃ１２，Ｃ２２を通して搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８の動作を補正する。これにより、基板処理の精度を向上させることができる。

また、メインコントローラ１１４は、各エッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３の平均値が許容範囲内か否かを判定することにより、塗布処理ユニット１２９におけるエッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量またはリンス液の吐出位置が適正でないことを確実に検出することができる。

エッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量が適正でないことを検出した場合、メインコントローラ１１４は警報を出力することにより、作業者にリンス液の流量が適正でないことを知らせることができる。それにより、作業者は、各エッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３の平均値が許容範囲内になるようにリンス液の流量の設定値を調整するか、またはリンス液供給系３０ｂのメンテナンスを行うことによりリンス液の流量を適正にすることができる。これにより、基板処理の精度を向上させることができる。

リンス液の吐出位置が適正でないことを検出した場合、メインコントローラ１１４は、ローカルコントローラＬＣ１，ＬＣ２、塗布処理制御部Ｃ１３および塗布現像処理制御部Ｃ２３を通して図３のエッジリンスノズル駆動部３０ａを制御することにより、エッジリンスノズル３０からのリンス液の吐出位置を調整する。これにより、基板処理の精度を向上させることができる。

上記の基板Ｗの周縁部の状態検出処理は、基板処理装置１００の稼働時間外の基板処理装置１００のティーチング時またはメンテナンス時に行われてもよく、あるいは基板処理装置１００の稼動時間内に行われてもよい。

（１２）他の実施の形態
（１２−１）上記実施の形態において、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの周縁部の状態検出処理におけるステップＳ９またはステップＳ１４の処理で、エッジカット幅Ｄ１の最大値と最小値との差が予め設定されたしきい値を超えた場合、搬送機構１２７の動作を補正するが、これに限定されない。エッジカット幅Ｄ１の最大値と最小値との差が予め設定されたしきい値を超えた場合、メインコントローラ１１４は、ステップＳ９またはステップＳ１４の処理の代わりに警報を出力してもよい。それにより、作業者は、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２５の軸心Ｐ１に対して偏心するようにスピンチャック２５上に載置されたことを認識することができる。この場合、作業者は、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２５の軸心Ｐ１に一致するように搬送機構１２７を調整することができる。

（１２−２）上記実施の形態において、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの周縁部の状態検出処理におけるステップＳ１２またはステップＳ１６の処理で、リンス液の流量が設定値とは異なる場合、警報を出力するが、これに限定されない。リンス液の流量が設定値とは異なる場合、メインコントローラ１１４は、ステップＳ１２またはステップＳ１６の処理の代わりにエッジカット幅Ｄ１の平均値が許容範囲内になるようにリンス液供給系３０ｂにおけるリンス液の流量を調整してもよい。

（１２−３）上記実施の形態において、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの周縁部の状態検出処理のステップＳ１３またはステップＳ１７の処理で、リンス液の流量が設定値に等しい場合、リンス液の吐出位置を調整するが、これに限定されない。リンス液の流量が設定値とは異なる場合、メインコントローラ１１４は、ステップＳ１３またはステップＳ１７の処理の代わりに警報を出力してもよい。それにより、作業者は、リンス液の吐出位置が適正でないことを認識することができる。この場合、作業者は、エッジリンスノズル駆動部３０ａのメンテナンスを行うことによりリンス液の吐出位置を適正にすることができる。

（１２−４）上記実施の形態において、状態検出処理ユニット５８０はエッジ露光部ＥＥＷに設けられるが、これに限定されない。状態検出処理ユニット５８０は、例えば塗布処理ユニット１２９または現像処理ユニット１３９等の他のユニットに設けられてもよい。

また、状態検出処理ユニット５８０として基板の表面状態を検査するマクロ検査装置が設けられてもよい。この場合、マクロ検査装置のＣＣＤカメラにより基板Ｗの表面が撮像される。撮像された基板Ｗの表面の画像に基づいて、エッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３が算出される。

（１３）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、塗布処理ユニット１２９が膜形成ユニットの例であり、エッジ露光部ＥＥＷが検出ユニットおよびエッジ露光部の例であり、メインコントローラ１１４が制御部の例である。スピンチャック２５が第１の回転保持装置の例であり、処理液ノズル２８が処理液供給部の例であり、エッジリンスノズル３０が除去液供給部の例である。

スピンチャック５４３が第２の回転保持装置の例であり、状態検出処理ユニット５８０が位置検出部の例であり、周縁部画像データｄ１が画像データの例であり、ＣＣＤラインセンサ５８３が画像データ検出部の例であり、エッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３が幅の例である。ハンドＨ１，Ｈ２が保持部の例であり、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８が基板搬送装置の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。

１１ インデクサブロック
１２ 第１の処理ブロック
１３ 第２の処理ブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１４ インターフェイスブロック
１５ 露光装置
１５ａ 基板搬入部
１５ｂ 基板搬出部
２１〜２４，３２，３４ 塗布処理室
２５，３５，５４３ スピンチャック
２７，３７ カップ
２８ 処理液ノズル
２８ａ 把持部
２９ ノズル搬送機構
３０ エッジリンスノズル
３０ａ エッジリンスノズル駆動部
３０ｂ リンス液供給系
３１，３３ 現像処理室
３８ スリットノズル
３９ 移動機構
４１，４３，４５〜４７ 給気ユニット
４２，４４，４８ 排気ユニット
５０，６０ 流体ボックス部
１００ 基板処理装置
１１１ キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３ 搬送部
１１３ キャリア
１１４ メインコントローラ
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６ 搬送機構
１１６，Ｈ１〜Ｈ６ ハンド
１２１ 塗布処理部
１２３，１３３ 熱処理部
１２５，１３５ 上段搬送室
１２６，１３６ 下段搬送室
１２９ 塗布処理ユニット
１３１ 塗布現像処理部
１３９ 現像処理ユニット
１４５ パッキン
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
２８０ 待機部
２９１〜２９３ 把持部移動機構
２９１ａ ノズル把持部
２９１ｂ 挟持アーム
２９２ａ，２９３ａ ボールねじ
２９２ｂ，２９３ｂ ガイド
３０１，３０３ 上段熱処理部
３０２，３０４ 下段熱処理部
３１１〜３１３ ガイドレール
３１４ 移動部材
３１５ 回転部材
５１０ 投光部
５２０ 投光部保持ユニット
５２１ Ｘ方向駆動モータ
５２２ Ｘ方向ボールネジ
５２３ 投光部保持ガイド
５２４ 支柱
５３１ Ｙ方向駆動モータ
５３２ 支柱保持ガイド
５３３ Ｙ方向ボールネジ
５４０ 基板回転ユニット
５４１ 基板回転モータ
５４２ 基板回転軸
５８０ 状態検出処理ユニット
５８１ 照明部
５８２ 反射ミラー
５８３ ＣＣＤラインセンサ
８００ ホストコンピュータ
１０００ 基板処理システム
ＣＰ 冷却ユニット
エッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３
ｄ１ 周縁部画像データ
ＥＤＧ 外周部
ＥＥＷ エッジ露光部
Ｆ１ 反射防止膜
Ｆ２ レジスト膜
Ｆ３ レジストカバー膜
Ｈ１〜Ｈ６ ハンド
ＭＣ 状態検出コントローラ
Ｐ１ 軸心
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２ 載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却部
ＰＡＨＰ 密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９ 基板載置部
ＰＨＰ 熱処理ユニット
ＰＮ メインパネル
Ｒ１〜Ｒ３ 矢印
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄乾燥処理ユニット
Ｔ１ 領域
Ｗ 基板
Ｗ１ 中心

Claims (9)

1. 少なくとも一部が円形の外周部を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、
   基板上に処理液の膜を形成する膜形成ユニットと、
   前記膜形成ユニットによる膜形成後の基板の状態を検出する検出ユニットと、
   前記検出ユニットの検出結果に基づく判定を行う制御部とを備え、
   前記膜形成ユニットは、
   基板を保持して回転させる第１の回転保持装置と、
   前記第１の回転保持装置により回転される基板上に処理液を供給することにより処理液の膜を形成する処理液供給部と、
   前記第１の回転保持装置により回転される基板の周縁部に除去液を供給することにより基板の周縁部上の処理液を除去する除去液供給部とを含み、
   前記検出ユニットは、
   基板を保持して回転させる第２の回転保持装置と、
   前記第２の回転保持装置により回転される基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置を検出する位置検出部とを備え、
   前記制御部は、前記位置検出部により検出された基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置に基づいて前記第１の回転保持装置の回転中心に対する前記第１の回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれを判定するとともに、前記膜形成ユニットにおける前記除去液供給部による除去液の供給状態を判定することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記位置検出部は、
   前記第２の回転保持装置により回転される基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置を示す画像データを検出する画像データ検出部を含み、
   前記制御部は、前記画像検出部により検出された画像データに基づいて基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化を検出し、検出された基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化に基づいて前記基板の中心の位置ずれを判定するとともに、前記除去液の供給状態を判定することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記制御部は、基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化に基づいて、基板上の膜が存在しない外周部の幅を算出し、算出された幅に基づいて前記基板の中心の位置ずれを判定するとともに、前記除去液の供給状態を判定することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記制御部は、算出された幅の最大値と最小値との差に基づいて前記基板の中心の位置ずれを判定するとともに、算出された幅の平均値に基づいて前記除去液の供給状態を判定することを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記除去液の供給状態は、前記除去液供給部により基板の外周部に供給される除去液の流量および前記除去液供給部による基板の外周部への除去液の供給位置の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 基板を保持して搬送するとともに保持した基板を前記膜形成ユニットの前記第１の回転保持装置に載置する保持部を含む基板搬送装置をさらに含み、
   前記制御部は、前記基板の中心の位置ずれの判定結果に基づいて前記搬送装置の前記保持部による前記第１の回転保持装置への基板の載置動作を調整することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記制御部は、前記制御部による前記除去液の供給状態の判定結果が異常を示す場合に警報の出力および前記除去液供給部による前記除去液の供給状態の調整の少なくとも一方を行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記膜形成ユニットは、前記処理液の膜として感光性膜を形成し、
   前記検出ユニットは、基板上の膜の周縁部の露光処理を行う機能をさらに有するエッジ露光部であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
9. 少なくとも一部が円形の外周部を有する基板に処理を行う基板処理方法であって、
   膜形成ユニットにおける第１の回転保持装置により基板を保持して回転させるステップと、
   前記第１の回転保持装置により回転される基板上に前記膜形成ユニットにおける処理液供給部により処理液を供給することにより処理液の膜を形成するステップと、
   前記第１の回転保持装置により回転される基板の周縁部に前記膜形成ユニットにおける除去液供給部により除去液を供給することにより基板の周縁部上の処理液を除去するステップと、
   検出ユニットにおける第２の回転保持装置により基板を保持して回転させるステップと、
   前記第２の回転保持装置により回転される基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置を検出するステップと、
   前記検出された基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置に基づいて前記第１の回転保持装置の回転中心に対する前記第１の回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれを判定するとともに、前記膜形成ユニットにおける前記除去液供給部による除去液の供給状態を判定するステップとを含むことを特徴とする基板処理方法。

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