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JP2012521079A - キャリアからウエハを取り去るためのデバイスおよび方法 - Google Patents

キャリアからウエハを取り去るためのデバイスおよび方法 Download PDF

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Abstract

ウエハを相互連結層でウエハに連結されたキャリアから取り去るためのデバイスは、キャリア・ウエハからなるキャリア−ウエハ組立体を載置するための受け取り手段と、キャリア・ウエハ間の相互連結層の連結部を破断する連結部除去手段と、キャリアからウエハを取り去る取り去り手段とを備え、連結部除去手段が、０〜３５０℃、好ましくは２０〜８０℃の温度範囲内で、さらに好ましくは環境温度で作動するよう形成されている。本発明はさらにウエハをキャリアから取り去るための方法に関し、この方法は、受け取り手段上にキャリアとウエハとからなるキャリア−ウエハ組立体を載置し、連結部除去手段によってキャリアとウエハとの間の相互連結層によって提供された連結部を破断し、取り去り装置によって、キャリアからウエハをまたはウエハからキャリアをするステップを含み、連結部除去手段が、３５０℃までの上記温度範囲内で、好ましくは環境温度で作動する。

Description

本発明は、キャリアからウエハを取り去るための特許請求の範囲の請求項１に基づくデバイスおよび請求項１４に記載の方法に関するものである。
ウエハの背面薄化(back thinning)は多くの場合に半導体工業において必要とされておりかつ機械におよび／または科学的に実施できる。背面薄化のために、通常、ウエハはキャリア上に一時的に固定されており、その固定のための方法はさまざまである。キャリア材料として例えばフィルム、ガラス基板、またはシリコンウエハが使用できる。
使用されるキャリア材料およびキャリアとウエハとの間に使用される相互連結層に応じた相互連結層の溶解または破断のためのさまざまな方法、例えばＵＶ光、レーザービーム、温度作用または溶剤などが知られている。
上記取り去りは、ますます重要な処理ステップの一つを構成している。なぜなら、基板厚さが数μｍの薄手の基板は、取り去り／剥離中に容易に破損され、かつ取り去り処理のために必要な力によって容易に損傷されるからである。
さらに薄手の基板は、支持部材なしではまったく安定した形状にはならず、典型的には曲がってしまう。それゆえ背面薄化ウエハの取り扱い中は、ウエハの固定および支持が本質的に不可欠である。
特許文献１には、レーザー光を用いて結合基板を加熱するための方法が開示されている。結合基板の連結作用は、４００℃から５００℃まで急増する付与された温度によって無効化される。したがって、ウエハスタック(当該文献の段落［００２１］参照)全体の加熱の問題は解決されている。しかしながら、少なくとも縁部領域が、さらには縁部領域に近接する領域が−ウエハ材料の良好な熱伝導性が原因となって−急増する温度にさらされる。この問題はさらに温度勾配も生じる。
独国特許第10 2006 032 488号明細書(DE 10 2006 032 488 B4)
それゆえ本発明の目的は、できるかぎり損傷することなくキャリアからウエハを取り外すデバイスおよび方法を提供することである。
この目的は、請求項１および１４による特徴部によって達成される。本発明の有利なさらなる変形例が従属請求項によって得られる。本発明の基本構造は、明細書によって得られる特徴部、請求項に記載のおよび／または図面の少なくとも２つのもののすべての組み合わせを包含する。特定の値の範囲において、示された限定の範囲内にある値は、境界値として開示されているものでもあり、かつそれらはなんらかの組み合わせにおいて請求されている。
本発明は、３５０℃以下の温度で実施可能な取り去りを用いるデバイスを提供するアイデアに基づくものである。３５０℃以上の範囲の温度がウエハに悪影響をもたらすものであることはすでに明らかとなっている。加えて高温の場合、本発明の基づくデバイスがウエハをキャリアから取り外すためのエネルギーをあまり必要としないのに比べて、さらなるエネルギーが要求される。
したがって、ウエハを、相互連結層によってウエハに連結されたキャリアから取り去るための本発明に基づくデバイスは、以下の特徴部、すなわち；
− キャリアとウエハとからなるキャリア−ウエハ組立体を載置するための受け取り手段と、
− キャリアとウエハとの間の相互連結層によって提供された連結部を分離するための、特に破断させるための連結部除去手段と、
− キャリアからウエハを取り去るための、またはウエハからキャリアを取り去るための取り去り手段と、
を備えており、
連結部除去手段が、０から３５０℃、特に１０から２００℃、好ましくは２０から８０℃の温度範囲内で、さらに好ましくは環境温度で作動するよう形成されていることを特徴とする。
さらに本発明によれば、ウエハを、相互連結層によってウエハに連結されたキャリアから取り去るための方法は、以下のステップ、すなわち；
− 受け取り手段上に、キャリアとウエハとからなるキャリア−ウエハ組立体を載置するステップと、
− 連結部除去手段によってキャリアとウエハとの間の相互連結層によって提供された連結部を分離する、特に破断させるステップと、
− 取り去り装置によって、キャリアからウエハを取り去る、またはウエハからキャリアを取り去るステップと、
を含み、
連結部除去手段が、３５０℃までの温度で、特に１０から２００℃、好ましくは２０から８０℃の温度範囲内で、さらに好ましくは環境温度で作動するよう形成されていることを特徴とする。
ウエハは例えば半導体ウエハなどの製品基板として形成されており、それは通常は０.５μｍから２５０μｍの厚さとなるよう薄化されており、製品基板をますます薄くする傾向がある。
キャリアは、例えば５０μｍから５，０００μｍの間の厚さを備えるキャリア基板である。
上記相互連結層は例えば可溶性接着剤、特に熱可塑性接着剤などの接着可能なものであり、これは例えばキャリア−ウエハ組立体の縁部領域に、特に０.１ｍｍから２０ｍｍの縁部領域に選択的に塗布されている。あるいは接着剤はその表面全体に塗布されてもよく、かつ、その接着力は接着力低減層によって例えばフッ化ポリマー、好ましくはテフロン(登録商標)によって、その中央では低減することができる。
受け取り手段は、特に適切には吸引経路、孔またはカップなどによる負圧を用いてキャリア−ウエハ組立体を載置するためのチャックであり、特別にはスピナーチャックである。代替的には例えばクランプによる機械的な載置が考えられる。
取り去り手段は、上側基板受け取り部であることができ、好ましくは吸引経路、孔またはカップなどによる負圧を利用した例えばリリースチャックである。
本発明の有利な一実施形態によれば、連結部除去手段が本質的に加熱することなく作動するよう構成されて提供される。この方法においては、なんらかの加熱手段を省略することができる。
本発明の他の有利な実施形態においては、連結部除去手段は、相互連結層を取り除くための流体手段を、特には相互連結層を選択的に溶解する溶剤を具備するよう提供される。相互連結層の化学的な溶解は、特にウエハを保護するものであり、かつ選択される材料に対応して溶解は非常に、とりわけ溶剤が側縁部から非常に迅速に作用するように相互連結層がウエハの縁部領域のみに設けられた場合に迅速に実施可能である。この方法においては、キャリア基板および／または製品基板の穿孔が省略できる。
本発明の一代替実施形態においては、連結部除去手段は相互連結層を取り除くための機械的な分離手段、特に相互連結層を通過して切断するためのブレードを備えるよう設けられている。この方法においてはウエハをとりわけ早くキャリアから分離することができる。機械的分離手段と流体手段とを組み合わせることも考えられる。
本発明の他の代替実施形態においては、連結部除去手段は相互連結層を取り除くためにＵＶ光源を備えるよう設けられている。この実施形態は、機械的分離手段の実施形態および／または流体手段を用いる実施形態と組み合わせることもできる。
その範囲に関して、連結部除去手段は、キャリア−ウエハ組立体の一側縁部からとりわけ独占的に作用するようなされており、その上部および／または下部からの、特に上記側縁部内に位置するウエハの内側領域からのウエハおよび／またはキャリアにおける作用が省略できる。
キャリア−ウエハ組立体の回転のための回転手段は、連結部除去手段をキャリア−ウエハ組立体の全周縁部にわたって配置することを省略可能にし、かつキャリア−ウエハ組立体の周縁部における部分的な作用で十分である。
有利なことに、連結部除去手段は少なくとも１つの除去デバイスを有しており、除去デバイスは、特に受け取り手段および／または取り去り手段に当接して上記側縁部を包囲し、好ましくは封止を形成する。キャリア−ウエハ組立体の側縁部を包囲する除去デバイスによって相互連結層にとりわけ効果的な作用が生じ得る。さらに除去デバイスはウエハを保護するために、特にその側縁部を保護するためにも使用される。さらに包囲の手段は、除去デバイスから流体手段が漏れ出ることおよびＵＶ光強さが失われることを防止できる。機械的分離手段を使用する場合には、予想される不純物が除去デバイスから漏出してウエハが汚染されることが防止できる。
除去デバイスは、有利な一構成においては断面がＵ字形状となるよう形成できる。
その範囲に関して、連結部除去手段の、特に除去デバイスは、好ましくはその周辺が封止される作動チャンバを有しており、上記利点は、特に流体手段が使用される際に得られる。
本発明の他の有利な構成において、作動チャンバはキャリア−ウエハ組立体の側縁部の周縁部を包囲するよう設けられている。
有利なことに、作動チャンバは、ウエハの中央方向においてキャリア−ウエハ組立体の側縁部にわたって、特にキャリア側部において受け取り方向まで、かつウエハ側部における取り去り手段まで、わずかにだけ延在している。
有利なことに、取り去り手段は回転可能に形成されており、特に回転受け取り手段によって駆動されるようになっている。
その範囲に関して、連結部除去手段は、ウエハの取り去りと同時にウエハをクリーニングするための溶剤を有する。ウエハは、少なくとも相互連結層に触れる領域においてクリーニング可能となっている。
本発明に基づく方法は、キャリア−ウエハ組立体の一側縁部の領域における相互連結層は、接着剤から形成されており、かつ、フッ化ポリマーから特に形成され、好ましくはウエハとわずかに接触するよう形成された一内側領域において、少なくともウエハの方向において非接着状態となるよう小さな接着力で形成されている。
本発明の他の利点、特徴部および詳細は、図面を使用した好ましい実施形態についての以下の説明から明らかになる。
本発明に基づく第１の処理ステップにおける、本発明に基づくデバイスの概略図である。 本発明に基づく第２の処理ステップにおける、本発明に基づくデバイスの概略図である。 本発明に基づく第３の処理ステップに基づく、本発明による除去デバイスの概略的な細部の図である。 本発明に基づく第３の処理ステップに基づく、本発明による除去デバイスの概略的な細部の図である。 本発明に基づく第３の処理ステップに基づく、本発明による除去デバイスの概略的な細部の図である。 本発明に基づく第３の処理ステップにおける、本発明による除去デバイスの概略的な細部の図である。 本発明に基づくキャリアをクリーニングするためのステップにおける、本発明による除去デバイスの概略的な細部の図である。 一代替実施形態における本発明に基づくデバイスの概略図である。
図において、同じ構成要素および同様の機能を有する構成要素については同じ参照番号を用いて識別している。
図１には、少なくとも１つのウエハ４およびキャリア１からなるキャリア−ウエハ組立体２１がある程度概略的に示されている。キャリア−ウエハ組立体２１は、特にチャックである受け取り手段６に、当該受け取り手段によって形成される水平受け取り面Ａ上に保持されている。キャリア−ウエハ組立体２１は、受け取り手段６上で、つまりキャリア１を下降させかつウエハ４を上昇させた状態で、１８０°まで回転させられるよう配置可能である。キャリア−ウエハ組立体２１は、図示されていないロボットアームを用いて提供される。
一つの有利な実施形態によれば、受け取り手段６または図示されていないデバイスは水平に対して示されており、その結果、受け取り面Ａはもはや水平に図示されないようになっており、むしろ５°から９０°の、特には２５°から９０°の、好ましくは４５°から９０°の間で、より好ましくは正確に９０°の角度で水平線に対して傾斜角を有するようになる。
ここではキャリア−ウエハ組立体２１は、さらに相互連結層３と、相互連結層３に一体化された接着力低減層２とからなり、当該層２は、キャリア−ウエハ組立体２１の内側領域２２内でキャリア１の方向に配置されている。内側領域２２の外側において、相互連結層３が、キャリア−ウエハ組立体２１の一側縁部２３において接着力低減層２上に突出している。したがって側縁部２３は環状部となるものであり、かつそれは、キャリア−ウエハ組立体２１のあるいはキャリア１の外側輪郭からキャリア−ウエハ組立体２１の中央へ向かって、０.１ｍｍから２０ｍｍの幅で延在している。ウエハ４は、通常３００ｍｍの直径を有する。
ウエハ４は、本発明に基づいてデバイスを提供する前に、０.５μｍから２５０μｍまでの背面薄化などの、さらなる処理ステップが通常実施されている。
キャリア−ウエハ組立体２１は、側縁部２３の少なくとも周囲で受け取り手段６より上に存在する。ゆえに受け取り手段６は、キャリア−ウエハ組立体２１またはウエハ４および／またはキャリア１よりも小さな直径を有している。
キャリア−ウエハ組立体２１は、従来の様式で負圧によって受け取り手段に固定されており、受け取り手段６は、駆動モータ５と受け取り手段６を駆動モータ５へ接続する駆動軸５ｗとを用いて回転可能である。
駆動モータ５および駆動軸５ｗは、真空供給器を回転受け取り手段６に有利に接続できるようにするために、真空供給器を備える中空シャフトとして形成できる。
キャリア−ウエハ組立体２１は処理チャンバ７内に収容されており、駆動モータ５は処理チャンバ７の外側に配置されており、かつ駆動軸５ｗは、処理チャンバの下部２４に位置する開口を通過するよう形成されている。
さらに下部２４には排水部８が設けられている。
キャリア−ウエハ組立体２１の側方には、キャリア−ウエハ組立体２１の周辺部分にわたって延在する除去デバイス１６が設けられている。
除去デバイス１６はその断面形状がＵ字を描くよう構成されており、除去デバイスの脚２５，２６および除去デバイス１６の一つの側壁２７は、キャリア−ウエハ組立体２１へ向かって開口するよう形成された作動チャンバ２８を包囲している。除去デバイスは、キャリア−ウエハ組立体２１の環状リング部分にわたって延在しており、かつ脚２５，２６は、図２に示されかつ本発明に基づく方法の第２の処理ステップに対応する除去ポジションにおいて、側縁部２３上に延在している。受け取り平面Ａが傾斜状態で広がっているため、除去デバイスは浸漬槽のように形成できる：これは当該デバイスの操作を大幅に簡単化する。
除去デバイス１６は、処理チャンバ７内に突出しているＬ字形状アクチュエータアーム２９を用いて、除去ポジションから図１に基づく初期ポジションまでアクチュエータ１８を使用して移動可能である。
キャリア−ウエハ組立体２１の上方には、ウエハ４からキャリア１を取り去るための取り去り手段が設けられている。取り去り手段はウエハ受け取り部９を有しており、ここではチャックである。
ウエハ受け取り部９は、ウエハ受け取りアクチュエータアーム３０のウエハ受け取り支持部１５によって回転する能力を備えるウエハ受け取りアクチュエータアーム３０で支持されている。ウエハ受け取り支持部１５はアキシャルおよびラジアルベアリングである。ウエハ受け取り支持部１５およびウエハ受け取り部９は、その回転軸が駆動軸５ｗまたは受け取り手段６の回転軸と同一平面上にあるように構成されている。
取り去り手段は、ウエハ受け取り部９に組み込まれかつ後述のように構成された弾性吸引カップ１４をさらに有する。吸引カップ１４は、続いて負圧手段に接続される圧力ラインに接続されている。それゆえ、吸引カップ１４の領域におけるキャリア１はウエハ受け取り部９上に吸引され得るようになる。
さらに、図１に示される本発明に基づくデバイスは、キャリアをウエハ４から取り去りした後にウエハ４をクリーニングするための、溶剤アクチュエータアーム３１を介して溶剤アクチュエータ２０に接続された溶剤ライン１９を有する。
距離の測定を目的としかつウエハ受け取り部９に組み込まれたセンサを用いることで、特にセンサライン１２を用いることで、ウエハ４からのキャリア１の取り去りが測定できる。
図１に基づくキャリア−ウエハ組立体２１の受け取り後、ウエハ受け取り部９は、吸引カップ１４がキャリア１上に留置されるまで、ウエハ受け取りアクチュエータ１１によってキャリア１上に下降させられる。
続いて、負圧が圧力ライン１０を介して吸引カップ１４にもたらされる；これは矢印３２で図示されている。
それゆえ、ウエハ受け取り部９とそれらの間に配置されたキャリア−ウエハ組立体２との受け取り手段６の回転が駆動モータ５によって生じるように、ウエハ受け取り部９は、キャリア−ウエハ組立体２１および受け取り手段６に機械的に接続されている。この回転は回転矢印３３によって示されている。あるいは、回転は特に９０°から３６０°の間の限定された角度で代替的な枢軸動作によってかつ断続的に行われてもよく、その枢軸動作によって、キャリア−ウエハ組立体２１の周縁部は除去デバイス１６によっておおむね完全に感知されるようになる。
連続的回転の間、有利なことに、圧力ライン１０およびセンサライン１２に関して、ウエハ受け取り部９へ供給するために回転軸を設けることができる。
次いで、除去デバイス１６は、図２に示されかつ図２の右上部にある拡大図でも示された除去ポジションへと除去デバイスアクチュエータ２０によって移動させられる。
続いて、溶剤３４が流体ライン１７を介して除去デバイス１６の作動チャンバ２８へ供給される。このとき、溶剤３４は側縁部２３の領域にある相互連結層３と接触し、そして側方から相互連結層３の溶解を引き起こすようになる。
作動チャンバ２８は、除去デバイス１６の受け取り手段６に対する接触によって、特にその脚２５および２６の面３５および３６を使用して封止され得るか、あるいはウエハ受け取り部９がその近傍で封止され得る。
なお封止は必ずしも必要なものではないが、それは溶剤３４の低減をもたらす。
側縁部２３の領域における相互連結層３の溶解の進行状態が図３ａ、図３ｂ、最終的には図３ｃに示されている。
接着力低減層２に関する限りは、接着力低減層２は、吸引カップ１４によって作用する吸引力に比べて十分な接着力を付与しないため、図３ｃに示された相互連結層の縁部領域の溶解が完全に達成されたときにウエハ４は、後述のように形成される吸引カップ１４によってキャリア１から持ち上げられる。ウエハ受け取り部９へのキャリア１の距離を測定するセンサ１３は、作動チャンバ２８への溶剤３４の供給を停止できかつ除去デバイス１６を図５に示される初期ポジションへ除去デバイスアクチュエータ２０によって移動できるようにするために、キャリア１がウエハ４から取り去られた(図４参照)ことを確定する。
そしてキャリア１は、溶剤ライン１９を用いたウエハ４のクリーニングを可能とするためにウエハ受け取りアクチュエータ１１によって持ち上げられる。溶剤ライン１９を使用して提供された溶剤３７は、ウエハ４がウエハ４の回転によってクリーニングされた後に除去される。
次にウエハ４はロボットアームによって付加的なデバイスおよび処理ステップへと供給でき、かつ本発明に基づく当該デバイスには新しいキャリア−ウエハ組立体２１が配置できる。
図６には、冒頭で述べたようなフォイル３８に貼り付けられたキャリア−ウエハ組立体２１を処理するのに適切な本発明に基づくデバイスの一代替実施形態を示す。
これは、フォイル３８が、上記様式とは異なるようにキャリア−ウエハ組立体２１へ横方向からアクセスするフィルムフレーム３９に保持されているためである。
それゆえ、図６に基づく実施形態において、除去デバイス１６は、キャリア−ウエハ組立体２１の側縁部の領域に位置する出口４１を備える特別な指示されていない溶剤ライン４０からなる。取り去りの処理ステップにおいて、側縁部２３上の相互連結層３は溶剤にさらされ得る。
フォイル３８およびフィルムフレーム３９上に固定されたウエハ４の取り外しのために、ウエハ受け取り部９に加えてキャリアからウエハを取り去るための取り去り手段は、フィルムフレーム受け取り部４２を有数する。
フィルムフレーム受け取り部４２は、ウエハ受け取り部９とウエハ受け取りアクチュエータアーム３０との間に配置されており、かつ圧力ライン１０上に存在する負圧に接続されている。フィルムフレーム受け取り部４２は、フレーム３９を吸引できかつフィルムフレーム受け取り部４２の周縁部上に配置された吸引カップ４３を有する。
吸引カップ４３の機能は、吸引カップ１４の機能に本質的に対応している。
本発明の他の実施形態において、キャリア−ウエハ組立体２１は、第２の相互連結層を介してキャリアの対向する側においてウエハ４に同様に接続された第２のキャリアからなる。
この方法において、例えば二つの相互連結層における異なる接続手段および対応するさまざまな溶剤によって提供されたウエハ４は、ウエハ４を分離状態で取り扱うことを必要とせず、他のキャリア上に配置できるかまたは回転させられる。当該ウエハ４はキャリア１または第２のキャリアのいずれかのキャリアによって常に支持されている。
Ａ 受け取り平面
１ キャリア
２ 接着力低減層
３ 中間層
４ ウエハ
５ 駆動モータ
５ｗ 駆動軸
６ 受け取り手段
７ 処理チャンバ
８ 排水部
９ ウエハ受け取り部
１０ 圧力ライン
１１ ウエハホルダ受け取り部
１２ センサライン
１３ センサ
１４ 吸引カップ
１５ ウエハ受け取り部支持部
１６ 除去デバイス
１７ 流体ライン
１８ アクチュエータ
１９ 溶剤ライン
２０ 溶剤アクチュエータ
２１ キャリア−ウエハ組立体
２２ 内側領域
２３ 側縁部
２４ 下部
２５ 脚
２６ 脚
２７ 側壁
２８ 作動チャンバ
２９ アクチュエータアーム
３０ ウエハ受け取りアクチュエータアーム
３１ 溶剤アクチュエータアーム
３２ 矢印
３３ 回転矢印
３４ 溶剤
３５ 面
３６ 面
３７ 溶剤
３８ フォイル
３９ フィルムフレーム
４０ 溶剤ライン
４１ 出口
４２ フィルムフレーム受け取り部
４３ 吸引カップ

Claims (16)

  1. ウエハ(４)を、相互連結層(３)によって前記ウエハ(４)に連結されたキャリア(１)から取り去るためのデバイスであって、
    前記デバイスは、
    − 前記キャリア(１)と前記ウエハ(４)とからなるキャリア−ウエハ組立体(２１)を載置するための受け取り手段(６)と、
    − 前記キャリア(１)と前記ウエハ(４)との間の前記相互連結層(３)によって提供された連結を除去するための連結部除去手段(１６，１７，１８，２９，３４)と、
    − 前記キャリア(１)から前記ウエハ(４)を取り去るための、または前記ウエハ(４)から前記キャリア(１)を取り去るための、取り去り手段(９，１０，１１，１４，１５，３０)と、
    を備えており、
    前記連結部除去手段は、０から３５０℃、特に１０から２００℃、好ましくは２０から８０℃の温度範囲内で、さらに好ましくは環境温度で作動するよう形成されていることを特徴とするデバイス。
  2. 前記連結部除去手段が、本質的に加熱することなく作動するよう形成されていることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
  3. 前記連結部除去手段は、前記相互連結層(３)を取り除くための流体手段、つまり前記相互連結層を選択的に溶解する溶剤(３４)を具備してなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のデバイス。
  4. 前記連結部除去手段は、前記相互連結層(３)を取り除くために、機械的分離手段、特に前記相互連結層(３)を通過して切断するためのブレードを具備してなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のデバイス。
  5. 前記連結部除去手段は、前記相互連結層(３)を取り除くためのＵＶ光源を具備してなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のデバイス。
  6. 前記連結部除去手段は、前記キャリア−ウエハ組立体(２１)の一側縁部(２３)から特に独占的に作用するよう形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載のデバイス。
  7. 前記キャリア−ウエハ組立体(２１)の回転のための回転手段(５，５ｗ)が設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載のデバイス。
  8. 前記連結部除去手段は、前記側縁部(２３)を包囲する少なくとも１つの除去デバイス(１６)、特に前記受け取り手段(６)および／または前記取り去り手段に当接して好ましくは封止を形成する少なくとも１つの除去デバイス(１６)を有していることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載のデバイス。
  9. 前記連結部除去手段、特に前記除去デバイス(１６)は、好ましくはその近傍を封止する作動チャンバ(２８)を有することを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載のデバイス。
  10. 前記作動チャンバ(２８)は、前記キャリア−ウエハ組立体(２１)の前記側縁部(２３)の周縁部分を包囲するよう形成されていることを特徴とする請求項９に記載のデバイス。
  11. 前記取り去り手段は、回転可能に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか一項に記載のデバイス。
  12. 前記連結手段は、熱可塑性接着剤であることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか一項に記載のデバイス。
  13. 前記連結部除去手段は、前記ウエハ(４)をクリーニングするための洗浄剤を有することを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれか一項に記載のデバイス。
  14. ウエハを、相互連結層によって前記ウエハに連結されたキャリアから取り去るための方法であって、
    前記方法は、
    − 受け取り手段上に、前記キャリアと前記ウエハとからなるキャリア−ウエハ組立体を載置するステップと、
    − 連結部除去手段によって前記キャリアと前記ウエハとの間の前記相互連結層によって提供された連結部を取り除くステップと、
    − 剥離装置によって、前記キャリアから前記ウエハを取り去るかあるいは前記ウエハから前記キャリアを取り去るステップと、
    を含み、
    前記連結部除去手段が、０から３５０℃、特に１０から２００℃、好ましくは２０から８０℃の温度範囲内で、さらに好ましくは環境温度で作動するよう形成されていることを特徴とする方法。
  15. キャリア−ウエハ組立体の一側縁部の領域における前記相互連結層は、
    接着剤からなり、かつ、
    特にフッ化ポリマーから形成された、好ましくは前記ウエハとわずかに接触するよう形成された一内側領域において、少なくとも前記ウエハの方向において非接着状態とするよう、より小さな接着力で形成されていることを特徴とする方法。
  16. 請求項１ないし請求項１３のいずれか一項に記載のデバイスを使用した請求項１４または請求項１５に基づく方法。
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WO (1) WO2010105793A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015138954A (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 東京エレクトロン株式会社 剥離装置および剥離システム
JP2015531540A (ja) * 2012-09-07 2015-11-02 ソイテックＳｏｉｔｅｃ 選択された界面に沿って少なくとも２つの基板を分離するための方法
JP2020049753A (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 キヤノン株式会社 基板および液体吐出ヘッド用基板の製造方法

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006000687B4 (de) 2006-01-03 2010-09-09 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Kombination aus einem Träger und einem Wafer, Vorrichtung zum Trennen der Kombination und Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers
EP2230683B1 (de) 2009-03-18 2016-03-16 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger
US8950459B2 (en) 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
EP2706562A3 (de) 2009-09-01 2014-09-03 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Trägersubstrat mittels Kippens eines Filmrahmens
EP2523209B1 (de) 2010-04-23 2017-03-08 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Produktsubstrats von einem Trägersubstrat
US8753460B2 (en) * 2011-01-28 2014-06-17 International Business Machines Corporation Reduction of edge chipping during wafer handling
US8657994B2 (en) 2011-04-01 2014-02-25 Alta Devices, Inc. System and method for improved epitaxial lift off
US9827756B2 (en) * 2011-04-12 2017-11-28 Tokyo Electron Limited Separation apparatus, separation system, and separation method
JP5807554B2 (ja) * 2012-01-19 2015-11-10 旭硝子株式会社 剥離装置、及び電子デバイスの製造方法
US9016675B2 (en) * 2012-07-06 2015-04-28 Asm Technology Singapore Pte Ltd Apparatus and method for supporting a workpiece during processing
JP5870000B2 (ja) * 2012-09-19 2016-02-24 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
KR102007042B1 (ko) * 2012-09-19 2019-08-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 박리 장치
US9269603B2 (en) * 2013-05-09 2016-02-23 Globalfoundries Inc. Temporary liquid thermal interface material for surface tension adhesion and thermal control
JP2015023137A (ja) * 2013-07-18 2015-02-02 株式会社ディスコ 剥離装置及び剥離方法
US9333735B2 (en) * 2014-04-03 2016-05-10 Globalfoundries Inc. Methods for operating a debonder
JP6216727B2 (ja) * 2014-05-08 2017-10-18 東京応化工業株式会社 支持体分離方法
US9924897B1 (en) * 2014-06-12 2018-03-27 Masimo Corporation Heated reprocessing of physiological sensors
CN104760400B (zh) * 2015-04-03 2017-01-18 合肥京东方光电科技有限公司 拆解装置
CN104992944B (zh) * 2015-05-26 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示母板及柔性显示面板的制作方法
CN105280541A (zh) * 2015-09-16 2016-01-27 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法
DE102016106351A1 (de) 2016-04-07 2017-10-12 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Bonden zweier Substrate
CN106783699A (zh) * 2017-03-03 2017-05-31 爱立发自动化设备（上海）有限公司 一种晶圆与玻璃分离装置及方法
US10913254B2 (en) * 2017-03-15 2021-02-09 Didrew Technology (Bvi) Limited Method for debonding temporarily adhesive-bonded carrier-workpiece pair by using chemical and mechanical means
US10211077B2 (en) * 2017-03-17 2019-02-19 Didrew Technology (Bvi) Limited Method for debonding temporarily adhesive-bonded carrier-workpiece pair by using high pressure solvent
CN111712758B (zh) 2017-12-15 2023-03-21 成都奕斯伟系统集成电路有限公司 将驱动器ic嵌入lcd显示基板中的系统和方法
US10446431B2 (en) * 2017-12-27 2019-10-15 Micron Technology, Inc. Temporary carrier debond initiation, and associated systems and methods
CN111566551B (zh) 2018-01-04 2023-06-02 成都奕斯伟系统集成电路有限公司 具有嵌入式ic系统的无边框lcd显示器及其制造方法
WO2019156695A1 (en) 2018-02-09 2019-08-15 Didrew Technology (Bvi) Limited Method of manufacturing fan out package with carrier-less molded cavity
US10424524B2 (en) 2018-02-15 2019-09-24 Chengdu Eswin Sip Technology Co., Ltd. Multiple wafers fabrication technique on large carrier with warpage control stiffener
US10734326B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Didrew Technology (Bvi) Limited Hermetic flat top integrated heat spreader (IHS)/electromagnetic interference (EMI) shield package and method of manufacturing thereof for reducing warpage
US11177153B2 (en) 2018-03-20 2021-11-16 Chengdu Eswin Sip Technology Co., Ltd. Method of debonding work-carrier pair with thin devices
TW202015144A (zh) * 2018-10-01 2020-04-16 巨擘科技股份有限公司 基板分離系統及方法
JP7146354B2 (ja) * 2019-01-22 2022-10-04 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
CN110370153B (zh) * 2019-06-10 2021-07-13 浙江晶盛机电股份有限公司 一种用于抛光设备的上定盘晶片剥离装置
JP7511980B2 (ja) * 2020-07-21 2024-07-08 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
CN118431124B (zh) * 2024-07-05 2024-10-01 迈为技术(珠海)有限公司 晶圆分离装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06291184A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Naoetsu Denshi Kogyo Kk 半導体ウエハの補強材形成方法および装置
JPH08250390A (ja) * 1995-03-09 1996-09-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板端縁部被膜の除去方法及び除去装置
JP2002237515A (ja) * 2001-02-07 2002-08-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄葉化半導体基板の剥離装置および剥離法

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3988196A (en) 1967-10-09 1976-10-26 Western Electric Company, Inc. Apparatus for transferring an oriented array of articles
JPH0562950A (ja) * 1991-08-29 1993-03-12 Nitto Denko Corp 半導体ウエハへの保護テープ貼り付けおよび剥離方法
US5273615A (en) 1992-04-06 1993-12-28 Motorola, Inc. Apparatus and method for handling fragile semiconductor wafers
JPH06275717A (ja) 1993-01-22 1994-09-30 Mitsubishi Electric Corp ウエハはがし方法
JPH06268051A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Mitsubishi Electric Corp ウエハ剥し装置
JP3341958B2 (ja) * 1994-08-04 2002-11-05 東京応化工業株式会社 基板端縁部被膜の除去方法及び除去装置
JP4220580B2 (ja) * 1995-02-10 2009-02-04 三菱電機株式会社 半導体装置の製造装置
JPH0950947A (ja) * 1995-08-07 1997-02-18 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd ウエハ処理方法
US6342434B1 (en) 1995-12-04 2002-01-29 Hitachi, Ltd. Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier
TW419716B (en) * 1997-04-28 2001-01-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus
US6066229A (en) * 1997-07-10 2000-05-23 Sony Corporation Method of recycling disk recording medium and apparatus for recovering metal reflective film
KR19990013723A (ko) * 1997-07-10 1999-02-25 이데이노부유키 디스크 기록매체의 재생방법 및 금속반사막 재생장치
DE19734635A1 (de) 1997-08-11 1999-02-18 Gen Semiconductor Ireland Macr Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen von Bauelementen von einer Folie
TW385489B (en) * 1997-08-26 2000-03-21 Tokyo Electron Ltd Method for processing substrate and device of processing device
US6090687A (en) 1998-07-29 2000-07-18 Agilent Technolgies, Inc. System and method for bonding and sealing microfabricated wafers to form a single structure having a vacuum chamber therein
EP0989593A3 (en) * 1998-09-25 2002-01-02 Canon Kabushiki Kaisha Substrate separating apparatus and method, and substrate manufacturing method
US6523553B1 (en) * 1999-03-30 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Wafer edge cleaning method and apparatus
JP2001196404A (ja) 2000-01-11 2001-07-19 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3768069B2 (ja) 2000-05-16 2006-04-19 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの薄型化方法
JP2002100595A (ja) * 2000-07-21 2002-04-05 Enya Systems Ltd ウエ−ハ剥離装置及び方法並びにこれを用いたウエ−ハ処理装置
DE10048881A1 (de) 2000-09-29 2002-03-07 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum planen Verbinden zweier Wafer für ein Dünnschleifen und ein Trennen eines Produkt-Wafers
US6713880B2 (en) 2001-02-07 2004-03-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for producing the same, and method for mounting semiconductor device
DE10108369A1 (de) * 2001-02-21 2002-08-29 B L E Lab Equipment Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Träger
JP2002270553A (ja) * 2001-03-13 2002-09-20 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 電子部品の製造法
AT502233B1 (de) 2001-06-07 2007-04-15 Thallner Erich Vorrichtung zum lösen eines trägers von einer halbleiterscheibe
KR20040090946A (ko) 2002-03-27 2004-10-27 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 다층 광정보 기록매체의 제조방법
JP4271409B2 (ja) 2002-05-22 2009-06-03 リンテック株式会社 脆質材料の加工方法
TWI258316B (en) 2002-10-25 2006-07-11 Ritdisplay Corp FPD encapsulation apparatus and method for encapsulating ehereof
JP2004193237A (ja) 2002-12-10 2004-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd 粘着シートを具備するウェハー保持部材，及び粘着シートの剥離方法
JP4364535B2 (ja) * 2003-03-27 2009-11-18 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
DE10340409B4 (de) 2003-09-02 2007-05-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Trägerwafer und Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers unter Verwendung eines Trägerwafers
JP4447280B2 (ja) 2003-10-16 2010-04-07 リンテック株式会社 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP2005150177A (ja) 2003-11-12 2005-06-09 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ裏面への粘着テープ貼付方法及び粘着テープ貼付装置
JP2006135272A (ja) * 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
DE102004018250A1 (de) 2004-04-15 2005-11-03 Infineon Technologies Ag Wafer-Stabilisierungsvorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
US7829152B2 (en) 2006-10-05 2010-11-09 Lam Research Corporation Electroless plating method and apparatus
JP2006032506A (ja) 2004-07-14 2006-02-02 Taiyo Yuden Co Ltd 半導体ウェハの剥離方法および剥離装置
JP2006059861A (ja) 2004-08-17 2006-03-02 Lintec Corp 脆質部材の転着装置
JP4679890B2 (ja) 2004-11-29 2011-05-11 東京応化工業株式会社 サポートプレートの貼り付け装置
WO2006129458A1 (ja) 2005-05-30 2006-12-07 Jsr Corporation 固定剤付きウエハ及び固定剤付きウエハの製造方法
JP4848153B2 (ja) 2005-08-10 2011-12-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP4668052B2 (ja) * 2005-12-06 2011-04-13 東京応化工業株式会社 剥離装置
DE102006000687B4 (de) 2006-01-03 2010-09-09 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Kombination aus einem Träger und einem Wafer, Vorrichtung zum Trennen der Kombination und Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers
DE102006032488B4 (de) 2006-07-13 2008-09-25 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Bearbeitung von Wafern
JP2008021929A (ja) 2006-07-14 2008-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレート、搬送装置、剥離装置及び剥離方法
US20080060683A1 (en) * 2006-09-08 2008-03-13 Arvidson Aaron W Apparatus and methods for cleaning a wafer edge
JP5074940B2 (ja) 2008-01-30 2012-11-14 東京応化工業株式会社 基板の処理方法
JP2009182256A (ja) 2008-01-31 2009-08-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の処理装置および基板の処理方法
EP2230683B1 (de) 2009-03-18 2016-03-16 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06291184A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Naoetsu Denshi Kogyo Kk 半導体ウエハの補強材形成方法および装置
JPH08250390A (ja) * 1995-03-09 1996-09-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板端縁部被膜の除去方法及び除去装置
JP2002237515A (ja) * 2001-02-07 2002-08-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄葉化半導体基板の剥離装置および剥離法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015531540A (ja) * 2012-09-07 2015-11-02 ソイテックＳｏｉｔｅｃ 選択された界面に沿って少なくとも２つの基板を分離するための方法
JP2015138954A (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 東京エレクトロン株式会社 剥離装置および剥離システム
JP2020049753A (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 キヤノン株式会社 基板および液体吐出ヘッド用基板の製造方法
JP7182975B2 (ja) 2018-09-26 2022-12-05 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッド用基板の製造方法

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