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KR102007042B1 - 박리 장치 - Google Patents

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KR102007042B1
KR102007042B1 KR1020130110275A KR20130110275A KR102007042B1 KR 102007042 B1 KR102007042 B1 KR 102007042B1 KR 1020130110275 A KR1020130110275 A KR 1020130110275A KR 20130110275 A KR20130110275 A KR 20130110275A KR 102007042 B1 KR102007042 B1 KR 102007042B1
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KR
South Korea
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substrate
peeling
holding
adsorption
holding portion
Prior art date
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KR1020130110275A
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마사루 혼다
마사노리 이토오
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Priority claimed from JP2012205849A external-priority patent/JP2014060348A/ja
Priority claimed from JP2013166979A external-priority patent/JP6076856B2/ja
Priority claimed from JP2013166986A external-priority patent/JP6104753B2/ja
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Abstract

본 실시형태의 제1 양태에 따른 박리장치는 제1 기판과 제2 기판이 접합된 중합 기판을 상기 제1 기판과 상기 제2 기판으로 박리하는 박리 장치이다. 중합 기판은, 상기 중합 기판보다도 대직경의 개구부를 갖는 프레임의 상기 개구부에 배치됨과 함께, 상기 개구부에 설치된 테이프에 대하여 상기 제1 기판의 비접합면이 점착됨으로써 상기 프레임에 보유 지지되어 있다. 또, 제1 보유 지지부는 중합 기판 중 제2 기판을 상방으로부터 보유 지지한다. 제2 보유 지지부는 중합 기판 중 상 제1 기판을 상기 테이프를 개재하여 하방으로부터 보유 지지한다. 이동기구는 제1 보유 지지부를 상기 제2 보유 지지부로부터 이격하는 방향으로 이동시킨다.

Description

박리 장치{DELAMINATION DEVICE}
본 개시의 실시 형태는 박리 장치에 관한 것이다.
최근, 예를 들어 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서, 실리콘 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 기판의 대구경화 및 박형화가 진행되고 있다. 대구경이며 얇은 반도체 기판은, 반송 시나 연마 처리 시에 휨이나 깨짐이 발생할 우려가 있다. 이로 인해, 반도체 기판에 지지 기판을 접합하여 보강한 후에, 반송이나 연마 처리를 행하고, 그 후, 지지 기판을 반도체 기판으로부터 박리하는 처리가 행해지고 있다.
예를 들어, 제1 보유 지지부 이용하여 반도체 기판을 보유 지지함과 함께, 제2 보유 지지부를 이용하여 지지 기판을 보유 지지한 후, 제2 보유 지지부의 외주부를 연직 방향으로 이동시킴으로써, 지지 기판을 반도체 기판으로부터 박리하는 기술이 개시되어 있다.
일본 특허 출원 공개 제2012-69914호
그러나, 종래 기술에는, 박리 처리의 효율화를 도모한다는 점에서 또 다른 개선의 여지가 있었다. 또한, 이러한 과제는, 기판의 박리를 수반하는 SOI(Silicon On Insulator) 등의 제조 공정에 있어서도 발생할 수 있는 과제이다.
예를 들어, 종래 기술에 있어서, 박리 처리 후의 반도체 기판은, 제1 보유 지지부에 의해 상방으로부터 보유 지지된 상태, 즉 지지 기판과의 접합면이 하면에 위치한 상태로 되어 있다. 이로 인해, 이러한 반도체 기판의 접합면을 세정 장치를 이용하여 세정하기 위해서는, 제1 보유 지지부로부터 박리 처리 후의 반도체 기판을 수취한 후, 이러한 반도체 기판을 반전시키는 처리가 필요해지는 경우가 있어, 스루풋 향상의 방해로 될 우려가 있었다.
실시 형태의 일 형태는, 박리 처리의 효율화를 도모할 수 있는 박리 장치를 목적으로 한다.
본 실시 형태의 제1 형태에 따른 박리 장치는, 제1 기판과 제2 기판이 접합된 중합 기판을 제1 기판과 제2 기판으로 박리하는 박리 장치이다. 중합 기판은, 이러한 중합 기판보다도 대직경의 개구부를 갖는 프레임의 개구부에 배치됨과 함께, 이러한 개구부에 설치된 테이프에 대하여 제1 기판의 비접합면이 점착됨으로써 프레임에 보유 지지된다. 또한, 박리 장치는 제1 보유 지지부와, 제2 보유 지지부와, 이동 기구를 구비한다. 제1 보유 지지부는, 중합 기판 중 제2 기판을 상방으로부터 보유 지지한다. 제2 보유 지지부는, 중합 기판 중 제1 기판을 테이프를 개재하여 하방으로부터 보유 지지한다. 이동 기구는, 제1 보유 지지부를 제2 보유 지지부로부터 이격하는 방향으로 이동시킨다.
본 실시 형태의 제2 형태에 따른 박리 장치는, 제1 기판과 제2 기판이 접합된 중합 기판 중 제1 기판을 보유 지지하는 제1 보유 지지부와, 중합 기판 중 제1 기판을 보유 지지하는 제2 보유 지지부와, 제1 보유 지지부의 외주부 일부를 제2 보유 지지부로부터 이격하는 방향으로 이동시키는 국소 이동부를 구비하고, 제1 보유 지지부는, 유연성을 갖는 부재로 형성된다.
본 실시 형태의 제3 형태에 따른 박리 장치는, 제1 기판과 제2 기판이 접합된 중합 기판 중 제2 기판을 보유 지지하는 제1 보유 지지부와, 중합 기판 중 제2 기판을 보유 지지하는 제2 보유 지지부와, 제1 보유 지지부의 외주부 일부를 제2 보유 지지부로부터 이격하는 방향으로 이동시키는 이동부를 구비하고, 제1 보유 지지부는, 이동부에 접속되는 박판 형상의 탄성 부재와, 탄성 부재로 형성되고, 제1 기판을 흡착하는 복수의 흡착부를 구비한다.
실시 형태의 일 형태에 의하면 박리 처리의 효율화를 도모할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 따른 박리 시스템의 구성을 나타낸 모식 평면도이다.
도 2는 다이싱 프레임에 보유 지지된 중합 기판의 모식 측면도이다.
도 3a는 다이싱 프레임에 보유 지지된 중합 기판의 모식 평면도이다.
도 3b는 다이싱 프레임에 보유 지지된 중합 기판의 모식 평면도이다.
도 4는 박리 시스템에 의해 실행되는 기판 처리의 처리 수순을 나타낸 흐름도이다.
도 5a는 DF 부착 중합 기판의 반송 순로를 나타낸 모식도이다.
도 5b는 피처리 기판 및 지지 기판의 반송 순로를 나타낸 모식도이다.
도 6은 제1 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성을 나타낸 모식 측면도이다.
도 7a는 제1 보유 지지부의 구성을 나타낸 모식 사시도이다.
도 7b는 흡착 패드의 구성을 나타낸 모식 평면도이다.
도 8a는 제1 보유 지지부의 본체부의 모식 평면도이다.
도 8b는 제1 보유 지지부의 본체부의 모식 평면도이다.
도 9는 제1 실시 형태에 따른 박리 장치가 행하는 박리 처리의 처리 수순을 나타낸 흐름도이다.
도 10a는 박리 장치에 의한 박리 동작의 설명도이다.
도 10b는 박리 장치에 의한 박리 동작의 설명도이다.
도 10c는 박리 장치에 의한 박리 동작의 설명도이다.
도 10d는 박리 장치에 의한 박리 동작의 설명도이다.
도 10e는 박리 장치에 의한 박리 동작의 설명도이다.
도 11a는 제1 세정 장치의 구성을 나타낸 모식 측면도이다.
도 11b는 제1 세정 장치의 구성을 나타낸 모식 측면도이다.
도 11c는 세정 지그의 구성을 나타낸 모식 평면도이다.
도 12는 제3 반송 장치의 구성을 나타낸 모식 측면도이다.
도 13a는 제2 세정 장치의 구성을 나타낸 모식 측면도이다.
도 13b는 제2 세정 장치의 구성을 나타낸 모식 평면도이다.
도 14는 제2 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성을 나타낸 모식 측면도이다.
도 15는 절입부의 구성을 나타낸 모식 사시도이다.
도 16은 절입부의 위치 조정 처리의 처리 수순을 나타낸 흐름도이다.
도 17a는 박리 장치의 동작 설명도이다.
도 17b는 박리 장치의 동작 설명도이다.
도 18a는 흡착 패드의 다른 구성을 나타낸 모식 평면도이다.
도 18b는 흡착 패드의 다른 구성을 나타낸 모식 평면도이다.
도 18c는 흡착 패드의 다른 구성을 나타낸 모식 평면도이다.
도 19는 제3 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성을 나타내는 모식 측면도이다.
도 20은 제1 보유 지지부, 이동부, 제1 추가 이동부 및 제2 추가 이동부의 구성을 나타내는 모식 측면도이다.
도 21은 접촉부의 모식 저면도이다.
도 22a는 개별 영역에 형성되는 홈의 형상을 나타내는 모식 저면도이다.
도 22b는 개별 영역에 형성되는 홈의 형상을 나타내는 모식 저면도이다.
도 23은 탄성 부재의 모식 평면도이다.
도 24는 박리 처리의 처리 수순을 나타내는 흐름도이다.
도 25a는 제3 실시 형태에 따른 박리 장치가 행하는 박리 동작의 설명도이다.
도 25b는 박리 동작의 설명도이다.
도 25c는 박리 동작의 설명도이다.
도 25d는 박리 동작의 설명도이다.
도 25e는 박리 동작의 설명도이다.
도 25f는 박리 동작의 설명도이다.
도 25g는 박리 동작의 설명도이다.
도 26a는 박리 유인 처리의 동작 설명도이다.
도 26b는 박리 유인 처리의 동작 설명도이다.
도 26c는 박리 유인 처리의 동작 설명도이다.
도 27a는 예리 부재의 날끝의 형상예를 나타내는 모식 평면도이다.
도 27b는 예리 부재의 날끝의 형상예를 나타내는 모식 평면도이다.
도 27c는 예리 부재의 날끝의 형상예를 나타내는 모식 평면도이다.
도 28은 제1 변형예에 따른 접촉부의 구성을 나타내는 모식 저면도이다.
도 29는 제2 변형예에 따른 접촉부의 구성을 나타내는 모식 저면도이다.
도 30은 제4 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성을 나타내는 모식 측면도이다.
도 31은 제1 보유 지지부의 모식 평면도이다.
도 32는 제4 실시 형태에 따른 박리 장치가 행하는 박리 처리의 처리 수순을 나타내는 흐름도이다.
도 33a는 박리 동작의 설명도이다.
도 33b는 박리 동작의 설명도이다.
도 33c는 박리 동작의 설명도이다.
도 33d는 박리 동작의 설명도이다.
도 33e는 박리 동작의 설명도이다.
도 33f는 박리 동작의 설명도이다.
도 33g는 박리 동작의 설명도이다.
도 34a는 제1 변형예에 따른 제1 보유 지지부의 모식 평면도이다.
도 34b는 제2 변형예에 따른 제1 보유 지지부의 모식 평면도이다.
도 34c는 제3 변형예에 따른 제1 보유 지지부의 모식 평면도이다.
도 34d는 제4 변형예에 따른 제1 보유 지지부의 모식 평면도이다.
도 34e는 제5 변형예에 따른 제1 보유 지지부의 모식 평면도이다.
도 35a는 SOI 기판의 제조 공정을 나타낸 모식도이다.
도 35b는 SOI 기판의 제조 공정을 나타낸 모식도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 박리 시스템의 실시 형태를 상세히 설명한다. 또한, 이하에 기재하는 실시 형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
<1. 박리 시스템>
우선, 제1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 구성에 대하여, 도 1 내지 3을 참조하여 설명한다. 도 1은, 제1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 구성을 나타낸 모식 평면도이다. 또한, 도 2 및 도 3a와 도 3b는, 다이싱 프레임에 보유 지지된 중합 기판의 모식 측면도 및 모식 평면도이다. 또한, 이하에 있어서는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향인 것으로 한다.
도 1에 도시한 제1 실시 형태에 따른 박리 시스템(1)은 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)이 접착제(G)로 접합된 중합 기판(T; 도 2 참조)을, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)으로 박리한다.
이하에서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 피처리 기판(W)의 판면 중, 접착제(G)를 개재하여 지지 기판(S)과 접합되는 측의 판면을 「접합면(Wj)」이라 하고, 접합면(Wj)과는 반대측 판면을 「비접합면(Wn)」이라 한다. 또한, 지지 기판(S)의 판면 중, 접착제(G)를 개재하여 피처리 기판(W)과 접합되는 측의 판면을 「접합면(Sj)」이라 하고, 접합면(Sj)과는 반대측 판면을 「비접합면(Sn)」이라 한다.
피처리 기판(W)은, 예를 들어 실리콘 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 기판에 복수의 전자 회로가 형성된 기판이며, 전자 회로가 형성되는 측의 판면을 접합면(Wj)인 것으로 하고 있다. 또한, 피처리 기판(W)은, 예를 들어 비접합면(Wn)이 연마 처리됨으로써 박형화되고 있다. 구체적으로는, 피처리 기판(W)의 두께는 20 내지 100㎛이고, 바람직하게는 약 20 내지 50㎛이다.
한편, 지지 기판(S)은, 피처리 기판(W)과 대략 동일한 직경의 기판이며, 피처리 기판(W)을 지지한다. 지지 기판(S)의 두께는 약 650 내지 750㎛이다. 이러한 지지 기판(S)으로서는, 실리콘 웨이퍼 외에 유리 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 피처리 기판(W) 및 지지 기판(S)을 접합하는 접착제(G)의 두께는 약 40 내지 150㎛이다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 중합 기판(T)은 다이싱 프레임(F)에 고정된다. 즉 상기와 같이 피처리 기판(W)은 매우 얇아, 파손되기 쉽기 때문에, 다이싱 프레임(F)에 의해 보다 확실하게 보호된다. 다이싱 프레임(F)은 도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 중합 기판(T)보다도 대직경의 개구부(Fa)를 중앙에 갖는 대략 직사각 형상 또는 대략 환 형상의 부재이며, 스테인리스강의 금속으로 형성된다. 이러한 다이싱 프레임(F)에 대하여 개구부(Fa)를 이면으로부터 막도록 다이싱 테이프(P)를 점착함으로써 다이싱 프레임(F)과 중합 기판(T)을 접합한다. 다이싱 프레임(F)의 두께는, 예를 들어 1㎜ 정도이다.
중합 기판(T)은, 이러한 다이싱 프레임(F)에 다이싱 테이프(P)를 개재하여 고정된다. 구체적으로는, 다이싱 프레임(F)의 개구부(Fa)에 중합 기판(T)을 배치하고, 개구부(Fa)를 이면으로부터 막도록 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn) 및 다이싱 프레임(F)의 이면에 다이싱 테이프(P)를 점착한다. 이에 의해, 중합 기판(T)은 다이싱 프레임(F)에 보유 지지된 상태로 된다. 또한, 중합 기판(T)은, 피처리 기판(W)이 하면에 위치하고, 지지 기판(S)이 상면에 위치한 상태에서, 다이싱 프레임(F)에 보유 지지된다(도 2 참조).
제1 실시 형태에 따른 박리 시스템(1)은 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 처리 블록(10)과 제2 처리 블록(20)의 2개 처리 블록을 구비한다. 제1 처리 블록(10)과 제2 처리 블록(20)은, 제2 처리 블록(20) 및 제1 처리 블록(10)의 순으로 X축 방향으로 배열하여 인접하여 배치된다.
제1 처리 블록(10)은 다이싱 프레임(F)에 의해 보유 지지되는 기판, 구체적으로는 중합 기판(T) 또는 박리 후의 피처리 기판(W)에 대한 처리를 행하는 블록이다. 제1 처리 블록(10)에서는, 중합 기판(T)의 반입, 중합 기판(T)의 박리 처리, 박리 후의 피처리 기판(W)의 세정 및 반출 등이 행해진다. 이러한 제1 처리 블록(10)은 반출입 스테이션(11)과, 제1 반송 영역(12)과, 대기 스테이션(13)과, 에지 커트 스테이션(14)과, 박리 스테이션(15)과, 제1 세정 스테이션(16)을 구비한다.
또한, 제2 처리 블록(20)은 다이싱 프레임(F)에 의해 보유 지지되지 않는 기판, 구체적으로는 박리 후의 지지 기판(S)에 대한 처리를 행하는 블록이다. 제2 처리 블록(20)에서는, 박리 후의 지지 기판(S)의 세정 및 반출 등이 행해진다. 이러한 제2 처리 블록(20)은 전달 스테이션(21)과, 제2 세정 스테이션(22)과, 제2 반송 영역 (23)과, 반출 스테이션(24)을 구비한다.
제1 처리 블록(10)의 반출입 스테이션(11), 대기 스테이션(13), 에지 커트 스테이션(14), 박리 스테이션(15) 및 제1 세정 스테이션(16)은 제1 반송 영역(12)에 인접하여 배치된다. 구체적으로는, 제1 반송 영역(12)과, 제2 처리 블록(20)의 제2 반송 영역(23)은, X축 방향으로 배열하여 배치된다. 또한, 제1 반송 영역(12)의 Y축 부방향측에는, 반출입 스테이션(11) 및 대기 스테이션(13)이 반출입 스테이션(11) 및 대기 스테이션(13)의 순으로 X축 방향으로 배열하여 배치되고, 제2 반송 영역(23)의 Y축 부방향측에는, 반출 스테이션(24)이 배치된다.
또한, 제1 반송 영역(12)을 사이에 두고 반출입 스테이션(11) 및 대기 스테이션(13)의 반대측에는, 박리 스테이션(15) 및 제1 세정 스테이션(16)이 박리 스테이션(15) 및 제1 세정 스테이션(16)의 순으로 X축 방향으로 배열하여 배치된다. 또한, 제2 반송 영역(23)을 사이에 두고 반출 스테이션(24)의 반대측에는, 전달 스테이션(21) 및 제2 세정 스테이션(22)이 제2 세정 스테이션(22) 및 전달 스테이션(21)의 순으로 X축 방향으로 배열하여 배치된다. 그리고, 제1 반송 영역(12)의 X축 정방향측에는, 에지 커트 스테이션(14)이 배치된다.
우선, 제1 처리 블록(10)의 구성에 대하여 설명한다. 반출입 스테이션(11)에는, 복수의 카세트 적재대가 설치되어 있으며, 각 카세트 적재대에는, 중합 기판(T)이 수용되는 카세트(Ct) 또는 박리 후의 피처리 기판(W)이 수용되는 카세트(Cw)가 적재된다. 구체적으로, 반출입 스테이션(11)에서는, 다이싱 프레임(F)에 보유 지지된 중합 기판(T)(이하, 「DF 부착 중합 기판(T)」이라 기재함)이 수용되는 카세트(Ct) 및 박리 후의 피처리 기판(W)이 수용되는 카세트(Cw)가 외부와의 사이에서 반출입된다. 이러한 반출입 스테이션(11)에는, 카세트 적재대가 설치되어 있으며, 이 카세트 적재대에, 카세트(Ct, Cw) 각각이 적재되는 복수의 카세트 적재판(110a, 110b)이 설치된다.
제1 반송 영역(12)에서는, DF 부착 중합 기판(T) 또는 박리 후의 피처리 기판(W)의 반송이 행해진다. 제1 반송 영역(12)에는, DF 부착 중합 기판(T) 또는 박리 후의 피처리 기판(W)의 반송을 행하는 제1 반송 장치(121)가 설치된다.
제1 반송 장치(121)는, 수평 방향으로의 이동, 연직 방향으로의 승강 및 연직 방향을 중심으로 하는 선회가 가능한 반송 아암부와, 이 반송 아암부의 선단에 부착된 기판 보유 지지부를 구비하는 기판 반송 장치이다. 이러한 제1 반송 장치(121)는, 기판 보유 지지부를 이용하여 기판을 보유 지지함과 함께, 기판 보유 지지부에 의해 보유 지지된 기판을 반송 아암부에 의해 원하는 장소까지 반송한다. 즉, 제1 반송 영역(12)에서는, 이러한 제1 반송 장치(121)에 의해, 중합 기판(T)을 대기 스테이션(13), 에지 커트 스테이션(14) 및 박리 스테이션(15)으로 반송하는 처리나, 박리 후의 피처리 기판(W)을 제1 세정 스테이션(16) 및 반출입 스테이션(11)으로 반송하는 처리가 행해진다.
또한, 제1 반송 장치(121)가 구비하는 기판 보유 지지부는, 흡착 또는 파지 등에 의해 다이싱 프레임(F)을 보유 지지함으로써, DF 부착 중합 기판(T) 또는 박리 후의 피처리 기판(W)을 대략 수평으로 보유 지지한다.
대기 스테이션(13)의 일시 대기부에는, 예를 들어 다이싱 프레임(F)의 ID(Identification)의 판독을 행하는 ID 판독 장치가 배치되고, 이러한 ID 판독 장치에 의해 처리 중인 DF 부착 중합 기판(T)을 식별할 수 있다.
이 대기 스테이션(13)에서는, 상기의 ID 판독 처리에 더하여, 처리 대기의 DF 부착 중합 기판(T)을 일시적으로 대기시켜 두는 대기 처리가 필요에 따라서 행해진다. 이러한 대기 스테이션(13)에는, 제1 반송 장치(121)에 의해 반송된 DF 부착 중합 기판(T)이 적재되는 적재대가 설치되어 있으며, 이러한 적재대에 ID 판독 장치와 일시 대기부가 적재된다.
에지 커트 스테이션(14)에는, 에지 커트 장치가 배치된다. 에지 커트 장치는, 접착제(G; 도 2 참조)의 주연부를 용제에 의해 용해시켜 제거하는 에지 커트 처리를 행한다. 이러한 에지 커트 처리에 의해 접착제(G)의 주연부가 제거됨으로써, 후술하는 박리 처리에 있어서 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 용이하게 박리시킬 수 있다. 또한, 에지 커트 장치는, 예를 들어 중합 기판(T)을 접착제(G)의 용제에 침지시킴으로써, 접착제(G)의 주연부를 용제에 의해 용해시킨다.
박리 스테이션(15)에서는, 제1 반송 장치(121)에 의해 반송된 DF 부착 중합 기판(T)을 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)으로 박리하는 박리 처리가 행해진다. 이러한 박리 스테이션(15)에는, 박리 처리를 행하는 박리 장치가 설치된다. 이러한 박리 장치의 구체적인 구성 및 동작에 대해서는 후술한다.
제1 세정 스테이션(16)에서는, 박리 후의 피처리 기판(W)의 세정 처리가 행해진다. 제1 세정 스테이션(16)에는, 박리 후의 피처리 기판(W)을 다이싱 프레임(F)에 보유 지지된 상태로 세정하는 제1 세정 장치가 설치된다. 이러한 제1 세정 장치의 구체적인 구성에 대해서는 후술한다.
이러한 제1 처리 블록(10)에서는, 대기 스테이션(13)에 있어서 다이싱 프레임(F)의 ID 판독 처리를 행하고, 에지 커트 스테이션(14)에 있어서 DF 부착 중합 기판(T)의 에지 커트 처리를 행한 후에, 박리 스테이션(15)에 있어서 DF 부착 중합 기판(T)의 박리 처리를 행한다. 또한, 제1 처리 블록(10)에서는, 제1 세정 스테이션(16)에 있어서 박리 후의 피처리 기판(W)을 세정한 후, 세정 후의 피처리 기판(W)을 반출입 스테이션(11)으로 반송한다. 그 후, 세정 후의 피처리 기판(W)은, 반출입 스테이션(11)으로부터 외부로 반출된다.
이어서, 제2 처리 블록(20)의 구성에 대하여 설명한다. 전달 스테이션(21), 제2 세정 스테이션(22) 및 반출 스테이션(24)은 제2 반송 영역(23)에 인접하여 배치된다. 구체적으로는, 전달 스테이션(21)과 제2 세정 스테이션(22)은, 제2 반송 영역(23)의 Y축 정방향측으로 배열하여 배치되고, 반출 스테이션(24)은 제2 반송 영역(23)의 Y축 부방향측으로 배열하여 배치된다. 전달 스테이션(21)은 제1 처리 블록(10)의 박리 스테이션(15)에 인접하여 배치된다. 이러한 전달 스테이션(21)에서는 박리 후의 지지 기판(S)을 박리 스테이션(15)으로부터 수취하여 제2 세정 스테이션(22)으로 전달하는 전달 처리가 행해진다. 이러한 전달 스테이션(21)에서는, 박리 후의 지지 기판(S)을, 예를 들어 베르누이 척 등의 비접촉으로 보유 지지하여 반송하는 제3 반송 장치(211)가 설치되고, 이러한 제3 반송 장치(211)에 의해 상기의 전달 처리가 행해진다. 제3 반송 장치(211)의 구체적인 구성에 대해서는 후술한다.
제2 세정 스테이션(22)에서는, 박리 후의 지지 기판(S)을 세정하는 제2 세정 처리가 행해진다. 이러한 제2 세정 스테이션(22)에는, 박리 후의 지지 기판(S)을 세정하는 제2 세정 장치가 설치된다. 이러한 제2 세정 장치의 구체적인 구성에 대해서는 후술한다.
제2 반송 영역(23)에서는, 제2 세정 장치에 의해 세정된 지지 기판(S)의 반송이 행해진다. 제2 반송 영역(23)에는, 지지 기판(S)의 반송을 행하는 제2 반송 장치(231)가 설치된다.
제2 반송 장치(231)는, 수평 방향으로의 이동, 연직 방향으로의 승강 및 연직 방향을 중심으로 하는 선회가 가능한 반송 아암부와, 이 반송 아암부의 선단에 부착된 기판 보유 지지부를 구비하는 기판 반송 장치이다. 제2 반송 영역(23)에서는, 이러한 제2 반송 장치(231)에 의해, 박리 후의 지지 기판(S)을 반출 스테이션(24)으로 반송하는 처리가 행해진다. 이러한 제2 반송 장치(231)는, 기판 보유 지지부를 이용하여 기판을 보유 지지함과 함께, 기판 보유 지지부에 의해 보유 지지된 기판을 반송 아암부에 의해 반출 스테이션(24)까지 반송한다. 또한, 제2 반송 장치(231)가 구비하는 기판 보유 지지부는, 예를 들어 지지 기판(S)을 하방으로부터 지지함으로써 지지 기판(S)을 대략 수평으로 보유 지지하는 포크 등이다.
반출 스테이션(24)에서는, 지지 기판(S)이 수용되는 카세트(Cs)가 외부와의 사이에서 반출입된다. 이러한 반출 스테이션(24)에는, 복수의 카세트 적재대가 설치되어 있으며, 각 카세트 적재대에, 박리 후의 지지 기판(S)이 수용되는 카세트(Cs)가 적재되는 복수의 카세트 적재판(240a, 240b)이 설치된다.
이러한 제2 처리 블록(20)에서는, 박리 후의 지지 기판(S)이 박리 스테이션(15)으로부터 전달 스테이션(21)을 개재하여 제2 세정 스테이션(22)으로 반송되고, 제2 세정 스테이션(22)에 있어서 세정된다. 그 후, 제2 처리 블록(20)에서는, 세정 후의 지지 기판(S)을 반출 스테이션(24)으로 반송하고, 세정 후의 지지 기판(S)은 반출 스테이션(24)으로부터 외부로 반출된다.
또한, 박리 시스템(1)은 제어 장치(30)를 구비한다. 제어 장치(30)는 박리 시스템(1)의 동작을 제어하는 장치이다. 이러한 제어 장치(30)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 도시하지 않은 제어부와 기억부를 구비한다. 기억부에는, 박리 처리 등의 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부는 기억부에 기억된 프로그램을 판독하여 실행함으로써 박리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체에 기록되어 있는 것으로서, 그 기록 매체로부터 제어 장치(30)의 기억부에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체로서는, 예를 들어 하드디스크(HD), 플렉시블디스크(FD), 콤팩트디스크(CD), 마그네트 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
다음으로, 전술한 박리 시스템(1)의 동작에 대하여 도 4 및 도 5a, 도 5b를 참조하여 설명한다. 도 4는 박리 시스템(1)에 의해 실행되는 기판 처리의 처리 수순을 나타낸 흐름도이다. 또한, 도 5a는 DF 부착 중합 기판(T)의 반송 순로를 나타낸 모식도이며, 도 5b는 피처리 기판(W) 및 지지 기판(S)의 반송 순로를 나타낸 모식도이다. 또한, 박리 시스템(1)은 제어 장치(30)의 제어에 기초하여, 도 4에 나타낸 각 처리 수순을 실행한다.
상기한 바와 같이 구성된 박리 시스템(1)에서는, 우선 제1 처리 블록(10)의 제1 반송 영역(12)에 배치되는 제1 반송 장치(121: 도 1 참조)는 제어 장치(30)의 제어에 기초하여, 반출입 스테이션(11)에 적재된 카세트(Ct)로부터 DF 부착 중합 기판(T)을 대기 스테이션(13)으로 반입하는 처리를 행한다(도 4의 스텝 S101, 도 5a의 T1 참조).
구체적으로는, 제1 반송 장치(121)는, 기판 보유 지지부를 반출입 스테이션(11)으로 진입시키고, 카세트(Ct)에 수용된 DF 부착 중합 기판(T)을 보유 지지하여 카세트(Ct)로부터 취출한다. 이때, DF 부착 중합 기판(T)은 피처리 기판(W)이 하면에 위치하고, 지지 기판(S)이 상면에 위치한 상태에서, 제1 반송 장치(121)의 기판 보유 지지부에 상방으로부터 보유 지지된다. 그리고, 제1 반송 장치(121)는, 카세트(Ct)로부터 취출한 DF 부착 중합 기판(T)을 대기 스테이션(13)으로 반입한다.
이어서, 대기 스테이션(13)에서는, ID 판독 장치가, 제어 장치(30)의 제어에 기초하여 다이싱 프레임(F)의 ID를 판독하는 ID 판독 처리를 행한다(도 4의 스텝 S102). ID 판독 장치에 의해 판독된 ID는 제어 장치(30)로 송신된다.
이어서, 제1 반송 장치(121)는, 제어 장치(30)의 제어에 기초하여 DF 부착 중합 기판(T)을 대기 스테이션(13)으로부터 반출하여, 에지 커트 스테이션(14)으로 반송한다(도 5a의 T2 참조). 그리고, 에지 커트 스테이션(14)에서는, 에지 커트 장치가, 제어 장치(30)의 제어에 기초하여 중합 기판(T)에 대하여 에지 커트 처리를 행한다(도 4의 스텝 S103). 이러한 에지 커트 처리에 의해 접착제(G)의 주연부가 제거되고, 후단의 박리 처리에 있어서 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)이 박리하기 쉬워진다. 이에 의해, 박리 처리에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다.
이와 같이, 제1 실시 형태에 따른 박리 시스템(1)에서는, 에지 커트 스테이션(14)이 제1 처리 블록(10)에 내장되어 있기 때문에, 제1 처리 블록(10)으로 반입된 DF 부착 중합 기판(T)을 제1 반송 장치(121)를 이용하여 에지 커트 스테이션(14)으로 직접 반입할 수 있다. 이로 인해, 박리 시스템(1)에 의하면, 일련의 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 에지 커트 처리부터 박리 처리까지의 시간을 용이하게 관리할 수 있어, 박리 성능을 안정화시킬 수 있다.
또한, 예를 들어 장치 간의 처리 시간차 등에 의해 처리 대기의 DF 부착 중합 기판(T)이 발생하는 경우에는, 대기 스테이션(13)에 설치된 일시 대기부를 이용하여 DF 부착 중합 기판(T)을 일시적으로 대기시켜 둘 수 있어, 일련의 공정 간에서의 손실 시간을 단축할 수 있다.
이어서, 제1 반송 장치(121)는, 제어 장치(30)의 제어에 기초하여 에지 커트 처리 후의 DF 부착 중합 기판(T)을 에지 커트 스테이션(14)으로부터 반출하여, 박리 스테이션(15)으로 반송한다(도 5a의 T3 참조). 그리고, 박리 스테이션(15)에서는, 박리 장치가 제어 장치(30)의 제어에 기초하여 박리 처리를 행한다(도 4의 스텝 S104). 이러한 박리 처리에 의해, 중합 기판(T)은 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)으로 분리된다.
그 후, 박리 시스템(1)에서는, 박리 후의 피처리 기판(W)에 대한 처리가 제1 처리 블록(10)에서 행해지고, 박리 후의 지지 기판(S)에 대한 처리가 제2 처리 블록(20)에서 행해진다. 이 경우, 박리 후의 피처리 기판(W)은, 다이싱 프레임(F)에 의해 보유 지지되어 있다.
우선, 제1 처리 블록(10)에서는, 제1 반송 장치(121)가 제어 장치(30)의 제어에 기초하여 박리 후의 피처리 기판(W)을 박리 장치로부터 반출하여, 제1 세정 스테이션(16)으로 반송한다(도 5b의 W1 참조).
그리고, 제1 세정 스테이션(16)에서는, 제1 세정 장치가 제어 장치(30)의 제어에 기초하여 박리 후의 피처리 기판(W)의 접합면(Wj)을 세정하는 피처리 기판 세정 처리를 행한다(도 4의 스텝 S105). 이러한 피처리 기판 세정 처리에 의해, 피처리 기판(W)의 접합면(Wj)에 잔존하는 접착제(G)가 제거된다.
이어서, 제1 반송 장치(121)는, 제어 장치(30)의 제어에 기초하여 세정 후의 피처리 기판(W)을 제1 세정 스테이션(16)의 제1 세정 장치로부터 반출하고, 반출입 스테이션(11)에 적재된 카세트(Cw)로 반송하는 피처리 기판 반출 처리를 행한다(도 4의 스텝 S106, 도 5b의 W2 참조). 그 후, 피처리 기판(W)(카세트(Cw))은 반출입 스테이션(11)으로부터 외부로 반출되어 회수된다. 이와 같이 하여, 피처리 기판(W)에 대한 처리가 종료한다.
한편, 제2 처리 블록(20)에서는, 스텝 S105 및 스텝 S106의 처리(전술한 제1 처리 블록(10)에서의 처리)와 병행하여 스텝 S107 내지 S109의 처리(박리 후의 지지 기판(S)에 대한 처리)가 행해진다.
우선, 제2 처리 블록(20)에서는, 전달 스테이션(21)에 설치된 제3 반송 장치 (211)가, 제어 장치(30)의 제어에 기초하여 박리 후의 지지 기판(S)의 전달 처리를 행한다(도 4의 스텝 S107). 즉, 박리 후의 지지 기판(S)을 박리 스테이션(15)으로부터 취출하여, 제2 세정 스테이션(22)으로 반입한다.
이 스텝 S107에 있어서, 제3 반송 장치(211)는, 박리 후의 지지 기판(S)을 박리 장치로부터 수취하고(도 5b의 S1 참조), 수취한 지지 기판(S)을 제2 세정 스테이션(22)의 제2 세정 장치로 적재한다(도 5b의 S2 참조).
여기서, 박리 후의 지지 기판(S)은, 박리 장치에 의해 상면측, 즉 비접합면(Sn)측이 보유 지지된 상태로 되어 있으며, 제3 반송 장치(211)는, 지지 기판(S)의 접합면(Sj)측을 하방으로부터 비접촉으로 보유 지지한다. 그리고, 제3 반송 장치(211)는, 보유 지지한 지지 기판(S)을 제2 세정 스테이션(22)으로 반입한 후, 지지 기판(S)을 반전시켜서, 제2 세정 스테이션(22)의 제2 세정 장치로 적재한다. 이에 의해, 지지 기판(S)은, 접착제(G)가 잔존하는 접합면(Sj)이 상방을 향한 상태에서 제2 세정 장치에 적재된다. 그리고, 제2 세정 장치는, 제어 장치(30)의 제어에 기초하여 지지 기판(S)의 접합면(Sj)을 세정하는 지지 기판 세정 처리(제2 세정 처리)를 행한다(도 4의 스텝 S108). 이러한 지지 기판 세정 처리에 의해, 지지 기판(S)의 접합면(Sj)에 잔존하는 접착제(G)가 제거된다.
이어서, 제2 반송 장치(231)는, 제어 장치(30)의 제어에 기초하여, 세정 후의 지지 기판(S)을 제2 세정 장치로부터 반출하고, 반출 스테이션(24)으로 반송하는 지지 기판 반출 처리를 행한다(도 4의 스텝 S109, 도 5b의 S3 참조). 즉, 제2 세정 처리 후의 지지 기판(S)은, 제2 반송 영역(23)에 배치된 제2 반송 장치(231)에 의해 제2 세정 스테이션(22)으로부터 취출되어, 반출 스테이션(24)에 적재된 카세트(Cs)에 수용된다. 그 후, 지지 기판(S)(카세트(Cs))은, 반출 스테이션(24)으로부터 외부로 반출되어 회수된다. 이와 같이 하여, 지지 기판(S)에 대한 처리가 종료한다.
이와 같이, 제1 실시 형태에 따른 박리 시스템(1)은 다이싱 프레임(F)에 보유 지지된 기판(중합 기판(T) 및 박리 후의 피처리 기판(W))용 프론트엔드(반출입 스테이션(11) 및 제1 반송 장치(121))와, 다이싱 프레임(F)에 보유 지지되지 않는 기판(박리 후의 지지 기판(S))용 프론트엔드(반출 스테이션(24) 및 제2 반송 장치(231))를 구비하는 구성으로 하였다. 이에 의해, 세정 후의 피처리 기판(W)을 반출입 스테이션(11)으로 반송하는 처리와, 세정 후의 지지 기판(S)을 반출 스테이션(24)으로 반송하는 처리를 병렬로 행하는 것이 가능해지기 때문에, 일련의 기판 처리를 효율적으로 행할 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 따른 박리 시스템(1)은 제1 처리 블록(10)(박리 스테이션(15))과 제2 처리 블록(20)(제2 세정 스테이션(22))이 전달 스테이션(21)에 의해 접속된다. 이에 의해, 제1 반송 영역(12)이나 제2 반송 영역(23)을 경유하지 않고, 박리 후의 지지 기판(S)을 박리 스테이션(15)으로부터 직접 취출하여 제2 처리 블록(20)으로 반입하는 것이 가능해지기 때문에, 박리 후의 지지 기판(S)을 제2 세정 장치로 원활하게 반송할 수 있다.
또한, 제1 처리 블록(10)은 중합 기판(T)에 다이싱 프레임(F)을 부착하기 위한 마운트 장치를 구비하고 있어도 된다. 이러한 경우, 다이싱 프레임(F)이 부착되지 않은 중합 기판(T)을 카세트(Ct)로부터 취출하여 마운트 장치로 반입하고, 마운트 장치에 있어서 중합 기판(T)에 다이싱 프레임(F)을 부착한 후, 다이싱 프레임(F)에 고정된 중합 기판(T)을 에지 커트 스테이션(14) 및 박리 스테이션(15)으로 순차 반송하게 된다. 또한, 마운트 장치는, 예를 들어 에지 커트 스테이션(14)을 제2 처리 블록(20)으로 이동하고, 에지 커트 스테이션(14)이 설치되어 있던 장소에 배치하면 된다.
따라서, 제1 실시 형태에 따른 박리 시스템(1)에 의하면, 일련의 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
<2. 각 장치의 구성>
<2-1. 제1 실시 형태에 따른 박리 장치>
다음으로, 박리 시스템(1)이 구비하는 각 장치의 구성에 대하여 구체적으로 설명한다. 우선, 박리 스테이션(15)에 설치되는 박리 장치의 구성 및 박리 장치를 이용하여 행해지는 DF 부착 중합 기판(T)의 박리 동작에 대하여 설명한다. 도 6은, 제1 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성을 나타낸 모식 측면도이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 박리 장치(5)는 처리실(100)을 구비한다. 처리실(100)의 측면에는, 반출입구(도시하지 않음)가 형성되고, 이 반출입구를 통해 DF 부착 중합 기판(T)의 처리실(100)로의 반입이나, 박리 후의 피처리 기판(W) 및 지지 기판(S)의 처리실(100)로부터의 반출이 행해진다. 반출입구에는, 예를 들어 개폐 셔터가 설치되고, 이 개폐 셔터에 의해 처리실(100)의 내부와 다른 영역이 구획되어, 파티클의 진입이 방지된다. 또한, 반출입구는, 제1 반송 영역(12)에 인접하는 측면과 전달 스테이션(21)에 인접하는 측면에 각각 설치된다.
박리 장치(5)는 제1 보유 지지부(110)와, 상측 베이스부(120)와, 국소 이동부(130)와, 이동 기구(140)를 구비한다. 또한, 박리 장치(5)는 제2 보유 지지부(150)와, 프레임 보유 지지부(160)와, 하측 베이스부(170)와, 회전 기구(180)를 구비한다. 이들은 처리실(100)의 내부에 배치된다.
제1 보유 지지부(110)는 상측 베이스부(120)에 의해 상방으로부터 지지된다. 상측 베이스부(120)는 이동 기구(140)에 지지되어 있으며, 이동 기구(140)가 상측 베이스부(120)를 연직 방향으로 이동시킴으로써 제1 보유 지지부(110)는 연직 방향으로 승강한다.
제2 보유 지지부(150)는 제1 보유 지지부(110)의 하방에 배치되고, 프레임 보유 지지부(160)는 제2 보유 지지부(150)의 외측에 배치된다. 이들 제2 보유 지지부(150) 및 프레임 보유 지지부(160)는 하측 베이스부(170)에 의해 하방으로부터 지지된다. 하측 베이스부(170)는 회전 기구(180)에 지지되어 있으며, 회전 기구(180)가 하측 베이스부(170)를 연직축 주위로 회전시킴으로써, 제2 보유 지지부(150) 및 프레임 보유 지지부(160)는 연직축 주위로 회전한다.
이러한 박리 장치(5)에서는, 제1 보유 지지부(110)가 DF 부착 중합 기판(T)을 상방으로부터 보유 지지함과 함께, 제2 보유 지지부(150)가, DF 부착 중합 기판(T)을 하방으로부터 보유 지지하고, 국소 이동부(130)가, 제1 보유 지지부(110)의 외주부 일부를 제2 보유 지지부(150)로부터 이격하는 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 박리 장치(5)는 지지 기판(S)을, 그 외주부로부터 중심부를 향해 피처리 기판(W)으로부터 연속적으로 박리시킬 수 있다. 이하, 각 구성 요소에 대하여 구체적으로 설명한다.
제1 보유 지지부(110)는, DF 부착 중합 기판(T)을 구성하는 지지 기판(S)을 흡착 보유 지지하는 보유 지지부이다. 이러한 제1 보유 지지부(110)는, 후술하는 국소 이동부(130)에 의해 인장될 때, 그 형상을 유연하게 변화시킬 수 있도록 유연성을 갖는 부재로 형성된다. 여기서, 제1 보유 지지부(110)의 구체적인 구성에 대하여 도 7a 및 도 7b를 참조하여 설명한다. 도 7a는 제1 보유 지지부(110)의 구성을 나타낸 모식 사시도이며, 도 7b는 흡착 패드의 구성을 나타낸 모식 평면도이다.
도 7a에 도시한 바와 같이, 제1 보유 지지부(110)는 박판 형상의 본체부(111)와, 본체부(111)의 표면에 점착된 흡착 패드(112)를 구비한다. 본체부(111)는, 예를 들어 판 스프링 등의 탄성 부재로 형성되고, 흡착 패드(112)는 수지 부재로 형성된다.
본체부(111)는, DF 부착 중합 기판(T)과 대략 동일한 직경의 원반부(111a)를 갖고, 이러한 원반부(111a)의 하면에 흡착 패드(112)가 점착된다.
원반부(111a)의 외주부에는, 인장부(111b)가 설치되어 있으며, 이러한 인장부(111b)의 선단에, 후술하는 국소 이동부(130)의 실린더(132)를 부착하기 위한 부착부(111b1)가 형성된다.
또한, 원반부(111a)의 외주부에는, 복수의 고정부(111c)가 설치된다. 고정부(111c)는 후술하는 상측 베이스부(120)에 설치되는 지지 부재(122)에 대응하는 위치에 설치되어 있으며, 이러한 지지 부재(122)에 고정된다. 제1 보유 지지부(110)는, 고정부(111c)가 상측 베이스부(120)의 지지 부재(122)에 고정됨으로써, 상측 베이스부(120)에 지지된다.
또한, 여기에서는, 원반부(111a)에 대하여 고정부(111c)가 5개 설치되는 경우의 예를 나타내었지만, 원반부(111a)에 설치되는 고정부(111c)의 개수는 5개로 한정되지 않는다.
흡착 패드(112)는 DF 부착 중합 기판(T)의 흡착 영역이 형성된 원반 형상의 수지 부재이다. 흡착 패드(112)의 흡착 영역은, 도 7b에 도시한 바와 같이, 중심으로부터 직경 방향으로 신장하는 복수의 직선(L1, L2)과 복수의 원호(a1 내지 a3)에 의해, 복수의 개별 영역(R1 내지 R4)으로 분할된다.
각 개별 영역(R1 내지 R4)에는, 흡기구(113a 내지 113d)가 각각 형성되어 있고, 각 흡기구(113a 내지 113d)는 도 6에 도시한 흡기관(113)을 통해 진공 펌프 등의 흡기 장치(114)와 접속된다. 제1 보유 지지부(110)는, 흡기 장치(114)의 흡기에 의해 각 흡기구(113a 내지 113d)로부터 DF 부착 중합 기판(T)을 구성하는 지지 기판(S)을 흡인함으로써, 지지 기판(S)을 개별 영역(R1 내지 R4)마다 흡착 보유 지지한다.
이와 같이, 흡착 패드(112)의 흡착 영역을 복수의 개별 영역(R1 내지 R4)으로 분할하고, 개별 영역(R1 내지 R4)마다 지지 기판(S)을 흡착 보유 지지함으로써, 예를 들어 일부의 개별 영역에서 공기 누설 등이 발생한 경우에도, 다른 개별 영역에 의해 지지 기판(S)을 적절하게 보유 지지해 둘 수 있다.
또한, 각 개별 영역(R1 내지 R4)은, 박리의 진행 방향(d)의 기단부측에 설치되는 개별 영역보다도 진행 방향(d)의 선단측에 설치되는 개별 영역이 크게 형성된다. 예를 들어, 개별 영역(R1 내지 R3)은, 박리의 진행 방향(d)을 따라서 개별 영역(R1), 개별 영역(R2), 개별 영역(R3)의 순으로 배치되어 있으며, 개별 영역(R1)보다도 개별 영역(R2)이 크고, 개별 영역(R2)보다도 개별 영역(R3)이 크게 형성된다.
흡착 영역이 작아질수록, 그 흡착 영역에서의 흡착력은 커지기 때문에, 상기와 같이 구성함으로써, 박리의 진행 방향(d)의 기단부측에 배치되는 개별 영역(R1)의 흡착력을 다른 개별 영역(R2 내지 R4)과 비교하여 크게 할 수 있다. 이에 의해, 또한, 박리의 진행 방향(d)의 기단부측의 영역은, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 박리할 때 가장 큰 힘이 필요해지는 영역이다. 따라서, 이러한 영역의 흡착력을 높임으로써, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 확실하게 박리시킬 수 있다.
또한, 각 개별 영역 R1 내지 R4의 흡기구(113a 내지 113d)를 박리의 진행 방향(d)을 따라서 배열하여 형성함으로써, 박리 동작 중에 지지 기판(S)을 보다 확실하게 보유 지지해 둘 수 있다.
또한, 여기에서는, 선(L1, L2)을 직선인 것으로 하였지만, 선(L1, L2)은 반드시 직선일 것을 요하지 않는다. 또한, 여기서는, 각 흡기구(113a 내지 113d)에 대하여 1개의 흡기 장치(114)가 접속되는 경우의 예를 나타내었지만, 흡기구(113a 내지 113d)마다 흡기 장치를 설치해도 된다.
도 6으로 되돌아가서, 박리 장치(5)의 구성에 대한 설명을 계속한다. 제1 보유 지지부(110)의 상방에는, 상측 베이스부(120)가 제1 보유 지지부(110)와 공극을 개재하여 대향 배치된다. 상측 베이스부(120)의 하면에는 복수의 지지 부재(122)가 제1 보유 지지부(110)를 향해 돌출 설치된다. 이러한 지지 부재(122)와 제1 보유 지지부(110)의 고정부(111c)가 고정됨으로써, 제1 보유 지지부(110)는, 상측 베이스부(120)에 지지된 상태로 된다.
국소 이동부(130)는, 제1 보유 지지부(110)의 외주부 일부를 제2 보유 지지부(150)로부터 이격하는 방향으로 이동시킨다. 구체적으로는, 국소 이동부(130)는 상측 베이스부(120)에 고정된 본체부(131)와, 기단부가 본체부(131)에 고정되고, 본체부(131)에 의해 연직 방향을 따라서 승강하는 실린더(132)를 구비한다. 실린더(132)의 선단부는, 제1 보유 지지부(110)의 본체부(111)에 설치된 인장부(111b)의 부착부(111b1: 도 7a 참조)에 고정된다.
이러한 국소 이동부(130)는, 본체부(131)를 이용하여 실린더(132)를 연직 상방으로 이동시킴으로써, 실린더(132)에 고정된 인장부(111b)를 연직 상방으로 이동시킨다. 이에 의해, 제1 보유 지지부(110)에 보유 지지된 지지 기판(S)의 외주부 일부가 연직 상방으로 이동하고, 제2 보유 지지부(150)에 보유 지지된 피처리 기판(W)으로부터 박리된다.
또한, 국소 이동부(130)에는, 로드셀(133)이 설치되어 있으며, 국소 이동부 (130)는, 실린더(132)에 가해지는 부하를 로드셀(133)에 의해 검출할 수 있다. 국소 이동부(130)는, 로드셀(133)에 의한 검출 결과에 기초하여, 지지 기판(S)에 가해지는 연직 상향 방향의 힘을 제어하면서, 제1 보유 지지부(110)를 인장할 수 있다.
그런데, 제1 실시 형태에 따른 박리 장치(5)에서는, 제1 보유 지지부(110)의 본체부(111)에 형성되는 복수의 고정부(111c) 중 전부를 지지 부재(122)에 고정하거나, 또는, 일부만을 고정함으로써, 국소 이동부(130)에 의한 제1 보유 지지부(110)의 이동량을 조정할 수 있다. 이러한 점에 대하여, 도 8a 및 도 8b를 참조하여 설명한다. 도 8a 및 도 8b는 제1 보유 지지부(110)의 본체부(111)의 모식 평면도이다.
예를 들어, 도 8a에 도시한 바와 같이, 제1 보유 지지부(110)의 본체부(111)에 설치된 5개의 고정부(111c)의 전부를 지지 부재(122)에 고정한 경우, 제1 보유 지지부(110)가 국소 이동부(130)에 의해 이동 가능한 영역(R)은, 박리의 진행 방향(d)의 기단부로부터 이 기단부에 가장 가까운 2개의 고정부(111c)까지의 영역으로 제한된다. 이에 반하여, 도 8b에 도시한 바와 같이, 박리의 진행 방향(d)의 기단부측에 설치된 2개의 고정부(111c)로부터 지지 부재(122)를 제거함으로써, 제1 보유 지지부(110)가 국소 이동부(130)에 의해 이동 가능한 영역(R)을 도 8a에 도시한 경우보다도 크게 할 수 있다.
이와 같이, 고정부(111c)는 제1 보유 지지부(110)를 상측 베이스부(120)에 고정하는 기능뿐만 아니라, 본체부(111)의 외주부 둘레 방향을 따라 복수 설치되고, 지지 부재(122)에 고정됨으로써 국소 이동부(130)에 의한 제1 보유 지지부(110)의 이동을 제한하는 기능도 갖는다.
도 6으로 되돌아가서, 박리 장치(5)의 구성에 대한 설명을 계속한다. 상측 베이스부(120)의 상방에는, 이동 기구(140)가 배치된다. 이동 기구(140)는, 처리실(100)의 천장부에 고정된 본체부(141)와, 기단부가 본체부(141)에 고정되어 연직 방향을 따라서 승강하는 구동 수단(142)을 구비한다. 구동 수단(142)으로서는, 예를 들어 모터나 실린더 등을 사용할 수 있다. 구동 수단(142)의 선단부는, 상측 베이스부(120)에 고정된다.
이러한 이동 기구(140)는, 본체부(141)를 이용하여 구동 수단(142)을 연직 상방으로 이동시킴으로써, 구동 수단(142)에 고정된 상측 베이스부(120)를 연직 방향을 따라서 이동시킨다. 이에 의해, 상측 베이스부(120)에 지지된 제1 보유 지지부(110) 및 국소 이동부(130)가 승강한다.
제1 보유 지지부(110)의 하방에는, 제2 보유 지지부(150)가 대향 배치된다. 제2 보유 지지부(150)는, DF 부착 중합 기판(T)을 구성하는 피처리 기판(W)을 다이싱 테이프(P)를 개재하여 흡착 보유 지지한다.
제2 보유 지지부(150)는, 원반 형상의 본체부(151)와, 본체부(151)를 지지하는 지주 부재(152)를 구비한다. 지주 부재(152)는 하측 베이스부(170)에 지지된다.
본체부(151)는, 예를 들어 알루미늄 등의 금속 부재로 구성된다. 이러한 본체부(151)의 상면에는 흡착면(151a)이 설치된다. 흡착면(151a)은 DF 부착 중합 기판(T)과 대략 동일한 직경이며, DF 부착 중합 기판(T)의 하면, 즉 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn)과 접촉한다. 이 흡착면(151a)은, 예를 들어 탄화규소 등의 다공질체나 다공질 세라믹으로 형성된다.
본체부(151)의 내부에는, 흡착면(151a)을 개재하여 외부와 연통하는 흡인 공간(151b)이 형성된다. 흡인 공간(151b)은 흡기관(153)을 통해 진공 펌프 등의 흡기 장치(154)와 접속된다.
제2 보유 지지부(150)는, 흡기 장치(154)의 흡기에 의해 발생하는 부압을 이용하고, 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn)을 다이싱 테이프(P)를 개재하여 흡착면(151a)에 흡착시킴으로써 피처리 기판(W)을 보유 지지한다. 또한, 제2 보유 지지부(150)로서, 다공성 척을 사용하는 예를 나타냈지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제2 보유 지지부(150)로서, 정전 척을 사용하도록 해도 된다.
제2 보유 지지부(150)의 외측에는, 프레임 보유 지지부(160)가 배치된다. 프레임 보유 지지부(160)는, 다이싱 프레임(F)을 하방으로부터 보유 지지한다. 이러한 프레임 보유 지지부(160)는, 다이싱 프레임(F)을 흡착 보유 지지하는 복수의 흡착부(161)와, 흡착부(161)를 지지하는 지지 부재(162)와, 하측 베이스부(170)에 고정되고, 지지 부재(162)를 연직 방향을 따라서 이동시키는 이동 기구(163)를 구비한다.
흡착부(161)는, 고무 등의 탄성 부재에 의해 형성되고, 예를 들어 도 3a 및 도 3b에 도시한 다이싱 프레임(F)의 전후 좌우의 4개소에 대응하는 위치에 각각 설치된다. 이 흡착부(161)에는, 흡기구(도시하지 않음)가 형성되고, 이 흡기구에는 지지 부재(162) 및 흡기관(164)을 통해 진공 펌프 등의 흡기 장치(165)가 접속된다.
프레임 보유 지지부(160)는, 흡기 장치(165)의 흡기에 의해 발생하는 부압을 이용하고, 다이싱 프레임(F)을 흡착함으로써, 다이싱 프레임(F)을 보유 지지한다. 또한, 프레임 보유 지지부(160)는, 다이싱 프레임(F)을 보유 지지한 상태에서, 이동 기구(163)에 의해 지지 부재(162) 및 흡착부(161)를 연직 방향을 따라서 이동시킴으로써, 다이싱 프레임(F)을 연직 방향을 따라서 이동시킨다.
하측 베이스부(170)는, 제2 보유 지지부(150) 및 프레임 보유 지지부(160)의 하방에 배치되고, 제2 보유 지지부(150) 및 프레임 보유 지지부(160)를 지지한다. 하측 베이스부(170)는, 예를 들어 처리실(100)의 바닥면에 고정된 회전 기구(180)에 의해 지지된다. 이러한 회전 기구(180)에 의해 하측 베이스부(170)가 연직축 주위로 회전함으로써, 하측 베이스부(170)에 지지된 제2 보유 지지부(150) 및 프레임 보유 지지부(160)가 연직축 주위로 회전한다.
다음으로, 박리 장치(5)의 동작에 대하여 도 9 및 도 10a 내지 10e를 참조하여 설명한다. 도 9는 박리 처리의 처리 수순을 나타낸 흐름도이다. 또한, 도 10a 내지 10e는, 박리 장치(5)에 의한 박리 동작의 설명도이다. 또한, 박리 장치(5)는 제어 장치(30)의 제어에 기초하여, 도 9에 나타낸 각 처리 수순을 실행한다.
우선, 박리 장치(5)는 제1 반송 장치(121)에 의해 박리 스테이션(15)으로 반입된 DF 부착 중합 기판(T)의 다이싱 프레임(F)을 프레임 보유 지지부(160)를 이용하여 하방으로부터 흡착 보유 지지한다(스텝 S201). 이때, DF 부착 중합 기판(T)은, 프레임 보유 지지부(160)에 의해서만 보유 지지된 상태이다(도 10a 참조).
이어서, 박리 장치(5)는 이동 기구(163: 도 6 참조)를 이용하여 프레임 보유 지지부(160)를 강하시킨다(스텝 S202). 이에 의해, DF 부착 중합 기판(T) 중 피처리 기판(W)이, 다이싱 테이프(P)를 개재하여 제2 보유 지지부(150)에 접촉한다(도 10b 참조). 그 후, 박리 장치(5)는 제2 보유 지지부(150)를 이용하여 DF 부착 중합 기판(T)을 다이싱 테이프(P)를 개재하여 흡착 보유 지지한다(스텝 S203). 이에 의해, DF 부착 중합 기판(T)은, 제2 보유 지지부(150)에 의해 피처리 기판(W)이 보유 지지되고, 프레임 보유 지지부(160)에 의해 다이싱 프레임(F)이 보유 지지된 상태로 된다.
이어서, 박리 장치(5)는 이동 기구(140)를 이용하여 제1 보유 지지부(110)를 강하시킨다(스텝 S204). 이에 의해, DF 부착 중합 기판(T) 중 지지 기판(S)이, 제1 보유 지지부(110)에 접촉한다(도 10c 참조). 그 후, 박리 장치(5)는 제1 보유 지지부(110)를 이용하여 DF 부착 중합 기판(T)을 구성하는 지지 기판(S)을 흡착 보유 지지한다(스텝 S205).
이어서, 박리 장치(5)는 국소 이동부(130)를 이용하여 제1 보유 지지부(110)의 외주부 일부를 인장한다(스텝 S206). 구체적으로는, 국소 이동부(130)는, 제1 보유 지지부(110)의 본체부(111)에 설치된 인장부(111b)를 실린더(132)의 동작에 의해 연직 상향 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, DF 부착 중합 기판(T)의 외주부가 연직 상향 방향으로 인장되어, 지지 기판(S)이, 그 외주부로부터 중심부를 향해 피처리 기판(W)으로부터 연속적으로 박리하기 시작한다(도 10d 참조).
여기서, 전술한 바와 같이, 제1 보유 지지부(110)는, 유연성을 갖는 부재로 형성되기 때문에, 국소 이동부(130)가 제1 보유 지지부(110)의 인장부(111b)를 연직 상향으로 인장하였을 때, 이러한 인장에 수반하여 유연하게 변형된다. 이에 의해, 박리 장치(5)는 피처리 기판(W)에 대하여 큰 부하가 걸리는 일 없이, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 박리시킬 수 있다.
그리고, 박리 장치(5)는 이동 기구(140)를 이용하여 제1 보유 지지부(110)를 상승시킨다(스텝 S207). 이에 의해, 지지 기판(S)이 피처리 기판(W)으로부터 박리한다. 그 후, 박리 장치(5)는 박리 처리를 종료한다.
또한, 박리 장치(5)는 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)이 박리한 후, 회전 기구 (180)를 이용하여 제2 보유 지지부(150) 및 프레임 보유 지지부(160)를 회전시켜도 된다. 이에 의해, 가령, 지지 기판(S)과 피처리 기판(W)에 걸쳐서 발라진 접착제(G)가 존재하는 경우에, 이러한 접착제(G)를 제거할 수 있다.
박리 장치(5)가 박리 처리를 종료하면, 제1 반송 장치(121)는, 박리 후의 피처리 기판(W)을 박리 장치(5)로부터 반출하여, 제1 세정 스테이션(16)으로 반송한다. 이때, 박리 후의 피처리 기판(W)은, 도 10e에 도시한 바와 같이, 세정할 접합면(Wj)이 상면에 위치한 상태에서, 제2 보유 지지부(150)에 보유 지지되어 있다. 이로 인해, 제1 반송 장치(121)는, 박리 후의 피처리 기판(W)을 박리 장치(5)로부터 반출한 후, 이러한 피처리 기판(W)을 반전시키지 않고 그대로 제1 세정 스테이션(16)으로 반송할 수 있다.
이와 같이, 제1 실시 형태에 따른 박리 장치(5)에서는, 제1 보유 지지부(110)가, DF 부착 중합 기판(T) 중 지지 기판(S)을 상방으로부터 보유 지지하고, 제2 보유 지지부(150)가, DF 부착 중합 기판(T) 중 피처리 기판(W)을 다이싱 테이프(P)를 개재하여 하방으로부터 보유 지지하는 것으로 하였다. 따라서, 박리 장치(5)에 의하면, 박리 후의 피처리 기판(W)을 반전시킬 필요가 없기 때문에, 박리 처리의 효율화를 도모할 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 따른 박리 장치(5)는 제1 보유 지지부(110)를 유연성을 갖는 부재로 형성함으로써, 피처리 기판(W)에 대하여 큰 부하가 걸리지 않아, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 박리시킬 수 있다. 이로 인해, 지지 기판(S)과 피처리 기판(W)의 박리를 효율적으로 행할 수 있다.
<2-2. 제1 세정 장치의 구성>
다음으로, 제1 세정 장치의 구성에 대하여 도 11a 내지 도 11c를 참조하여 설명한다. 도 11a 및 도 11b는, 제1 세정 장치의 구성을 나타낸 모식 측면도이다. 또한, 도 11c는 세정 지그의 구성을 나타낸 모식 평면도이다.
도 11a에 도시한 바와 같이, 제1 세정 장치(700)는 처리 용기(710)를 갖는다. 처리 용기(710)의 측면에는, 피처리 기판(W)의 반출입구(도시하지 않음)가 형성되고, 이러한 반출입구에는 개폐 셔터(도시하지 않음)가 설치된다. 또한, 처리 용기(710) 내에는 내부 분위기를 청정화하기 위한 필터(도시하지 않음)가 설치된다.
처리 용기(710) 내의 중앙부에는 기판 보유 지지부(720)가 배치된다. 기판 보유 지지부(720)는, 다이싱 프레임(F) 및 피처리 기판(W)을 보유 지지하여 회전시키는 스핀 척(721)을 갖는다.
스핀 척(721)은 수평한 상면을 갖고, 이러한 상면에는 예를 들어 다이싱 테이프(P)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 그리고, 흡인구로부터의 흡인에 의해, 다이싱 테이프(P)를 개재하여 피처리 기판(W)을 스핀 척(721) 상에 흡착 보유 지지한다. 이때, 피처리 기판(W)은, 그 접합면(Wj)이 상방을 향하도록 스핀 척(721)에 흡착 보유 지지된다.
스핀 척(721)의 하방에는, 예를 들어 모터 등을 구비한 척 구동부(722)가 배치된다. 스핀 척(721)은 척 구동부(722)에 의해 소정의 속도로 회전한다. 또한, 척 구동부(722)는, 예를 들어 실린더 등의 승강 구동원을 구비하고 있으며, 이러한 승강 구동원에 의해 스핀 척(721)을 승강시킨다.
기판 보유 지지부(720)의 주위에는, 피처리 기판(W)으로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아, 회수하는 컵(723)이 배치된다. 이러한 컵(723)의 하면에는, 회수한 액체를 배출하는 배출관(724)과, 컵(723) 내의 분위기를 배기하는 배기관(725)이 접속된다.
기판 보유 지지부(720)의 상방에는, 피처리 기판(W)의 접합면(Wj)을 세정하기 위한 세정 지그(730)가 배치된다. 세정 지그(730)는, 기판 보유 지지부(720)에 보유 지지된 피처리 기판(W)에 대향하여 배치되어 있다. 여기서, 세정 지그(730)의 구성에 대하여 도 11b 및 도 11c를 참조하여 설명한다.
도 11b 및 도 11c에 도시한 바와 같이, 세정 지그(730)는, 대략 원판 형상을 갖는다. 세정 지그(730)의 하면에는, 적어도 피처리 기판(W)의 접합면(Wj)을 덮도록 공급면(731)이 형성되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 공급면(731)은, 피처리 기판(W)의 접합면(Wj)와 거의 동일한 크기로 형성된다.
세정 지그(730)의 중앙부에는, 공급면(731)과 접합면(Wj) 사이에 접착제(G)의 용제, 예를 들어 시너를 공급하는 용제 공급부(740)와, 용제의 린스액을 공급하는 린스액 공급부(75)와, 불활성 가스, 예를 들어 질소 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부(76)가 설치되어 있다. 용제 공급부(740), 린스액 공급부(75), 불활성 가스 공급부(76)는, 세정 지그(730)의 내부에서 합류하고, 세정 지그(730)의 공급면(731)에 형성된 공급구(732)에 연통하고 있다. 즉, 용제 공급부(740)로부터 공급구(732)까지의 용제의 유로, 린스액 공급부(75)로부터 공급구(732)까지의 린스액의 유로, 불활성 가스 공급부(76)로부터 공급구(732)까지의 불활성 가스의 유로는, 각각 세정 지그(730)의 두께 방향으로 관통하고 있다. 또한, 린스액에는 접착제(G)의 주 용매의 성분에 따라서 다양한 액이 사용되고, 예를 들어 순수나 IPA(이소프로필알코올)가 사용된다. 또한, 린스액의 건조를 촉진시키기 위해서, 린스액에는 휘발성이 높은 액을 사용하는 것이 바람직하다.
용제 공급부(740)에는, 내부에 용제를 저류하는 용제 공급원(741)에 연통하는 공급관(742)이 접속되어 있다. 공급관(742)에는, 용제의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(743)이 설치되어 있다. 린스액 공급부(75)에는, 내부에 린스액을 저류하는 린스액 공급원(751)에 연통하는 공급관(752)이 접속되어 있다. 공급관(752)에는, 린스액의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(753)이 설치되어 있다. 불활성 가스 공급부(76)에는, 내부에 불활성 가스를 저류하는 불활성 가스 공급원(761)에 연통하는 공급관(762)이 접속되어 있다. 공급관(762)에는, 용제의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(763)이 설치되어 있다.
세정 지그(730)의 외주부에는, 공급면(731)과 접합면(Wj) 사이의 간극의 용제나 린스액을 흡인하기 위한 흡인부(77)가 설치되어 있다. 흡인부(77)는, 세정 지그(730)의 두께 방향으로 관통하여 설치되어 있다. 또한 흡인부(77)는, 세정 지그(730)와 동일 원주상에 등간격으로 복수, 예를 들어 8개소에 배치되어 있다(도 11c 참조). 각 흡인부(77)에는, 예를 들어 진공 펌프 등의 부압 발생 장치(771)에 연통하는 흡기관(772)이 접속되어 있다.
도 11a에 도시한 바와 같이, 처리 용기(710)의 천장면이며, 세정 지그(730)의 상방에는, 세정 지그(730)를 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 이동 기구(78)가 설치되어 있다. 이동 기구(78)는 세정 지그(730)를 지지하는 지지 부재(781)와, 지지 부재(781)를 지지하고, 세정 지그(730)를 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키기 위한 지그 구동부(782)를 갖고 있다.
제1 반송 장치(121)는, 박리 장치(5)의 프레임 보유 지지부(160: 도 6 참조)에 의해 하방으로부터 보유 지지된 다이싱 프레임(F)을 상방으로부터 보유 지지함으로써, 박리 후의 피처리 기판(W)을 보유 지지한다. 그리고, 제1 반송 장치(121)는, 보유 지지한 피처리 기판(W)을 제1 세정 장치(700)의 스핀 척(721) 상에 적재한다. 이에 의해, 박리 후의 피처리 기판(W)은, 접합면(Wj)이 상면에 위치한 상태에서 스핀 척(721) 상에 적재된다.
그리고, 제1 세정 장치(700)는, 제어 장치(30)의 제어에 기초하여 기판 보유 지지부(720) 상에 적재된 피처리 기판(W)의 세정 처리(제1 세정 처리)를 행한다.
제1 세정 장치(700)는, 우선 스핀 척(721)을 이용하여, 다이싱 테이프(P)를 개재하여 피처리 기판(W) 및 다이싱 프레임(F)을 흡착 보유 지지한다. 이어서, 제1 세정 장치(700)는, 이동 기구(78)에 의해 세정 지그(730)의 수평 방향의 위치를 조정한 후, 세정 지그(730)를 소정의 위치까지 하강시킨다. 이때, 세정 지그(730)의 공급면(731)과 피처리 기판(W)의 접합면(Wj) 사이의 거리는, 후술하는 바와 같이 공급면(731) 및 접합면(Wj) 사이에 있어서, 접착제(G)의 용제가 표면 장력에 의해 확산할 수 있는 거리로 설정된다.
그 후, 제1 세정 장치(700)는, 스핀 척(721)에 의해 피처리 기판(W)을 회전시키면서, 용제 공급원(741)으로부터 용제 공급부(740)에 용제를 공급한다. 이러한 용제는, 공급구(732)로부터 공급면(731) 및 접합면(Wj) 사이의 공간에 공급되고, 이 공간에 있어서 용제의 표면 장력과 피처리 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해, 피처리 기판(W)의 접합면(Wj) 상에 확산된다. 이때, 제1 세정 장치(700)는, 흡인부(77)에 의해 용제를 적절히 흡인함으로써, 용제가 다이싱 테이프(P) 상에 유입하지 않도록 한다. 이에 의해, 다이싱 테이프(P)의 강도가 용제에 의해 약해지는 것을 방지할 수 있다. 이와 같이 하여, 피처리 기판(W)의 접합면(Wj)의 전체면에 용제가 공급된다.
그 후, 제1 세정 장치(700)는, 피처리 기판(W)의 접합면(Wj)을 용제에 침지한 상태를 소정의 시간, 예를 들어 몇 분간 보유 지지한다. 그렇게 하면, 접합면(Wj)에 잔존하고 있던 접착제(G) 등의 불순물이 용제에 의해 제거된다.
그 후, 제1 세정 장치(700)는, 스핀 척(721)에 의한 피처리 기판(W)의 회전과, 흡인부(77)에 의한 용제의 흡인을 계속해서 행한 상태에서, 세정 지그(730)를 소정의 위치까지 상승시킨다. 이어서, 제1 세정 장치(700)는, 린스액 공급원(751)으로부터 린스액 공급부(75)에 린스액을 공급한다. 린스액은, 용제와 혼합되면서, 표면 장력과 원심력에 의해 피처리 기판(W)의 접합면(Wj) 상에 확산된다. 이에 의해, 용제와 린스액의 혼합액이, 피처리 기판(W)의 접합면(Wj)의 전체면에 공급된다.
그 후, 제1 세정 장치(700)는 스핀 척(721)에 의한 피처리 기판(W)의 회전과, 흡인부(77)에 의한 용제와 린스액의 혼합액 흡인을 계속해서 행한 상태에서, 세정 지그(730)를 소정의 위치까지 하강시킨다. 그리고, 불활성 가스 공급원(761)으로부터 불활성 가스 공급부(76) 및 공급구(732)를 통해 불활성 가스가 공급된다. 불활성 가스는, 용제와 린스액의 혼합액을 피처리 기판(W)의 외측으로 흘러가게 한다. 이에 의해, 용제와 린스액의 혼합액은, 흡인부(77)로부터 흡인되어, 피처리 기판(W)의 접합면(Wj)로부터 혼합액이 제거된다.
그 후, 제1 세정 장치(700)는, 스핀 척(721)에 의한 피처리 기판(W)의 회전과, 불활성 가스의 공급을 계속해서 행함으로써, 피처리 기판(W)을 건조시킨다. 이에 의해, 피처리 기판(W)의 세정 처리(제1 세정 처리)가 완료된다. 세정 후의 피처리 기판(W)은, 제1 반송 장치(121)에 의해 제1 세정 장치(700)로부터 반출되고, 반출입 스테이션(11)의 카세트(Cw)로 반송된다.
<2-3. 제3 반송 장치의 구성>
다음으로, 전달 스테이션(21)에 설치되는 제3 반송 장치(211)의 구성에 대하여 도 12를 참조하여 설명한다. 도 12는, 제3 반송 장치(211)의 구성을 나타낸 모식 측면도이다.
도 12에 도시한 바와 같이, 제3 반송 장치(211)는, 지지 기판(S)을 보유 지지하는 베르누이 척(2111)을 구비한다. 베르누이 척(2111)은 흡착면에 설치된 분사구로부터 지지 기판(S)의 판면을 향해 기체를 분사시켜서, 흡착면과 지지 기판(S)의 판면의 간격에 따라서 기체의 유속이 변화하는 것에 수반하는 부압의 변화를 이용하여 지지 기판(S)을 비접촉 상태로 보유 지지한다.
또한, 제3 반송 장치(211)는, 제1 아암(2112)과 제2 아암(2113)과 기초부(2114)를 구비한다. 제1 아암(2112)은 수평 방향으로 연장하고, 선단부에서 베르누이 척(2111)을 지지한다. 제2 아암(2113)은 연직 방향으로 연장하고, 선단부에서 제1 아암(2112)의 기단부를 지지한다. 이러한 제2 아암(2113)의 선단부에는, 제1 아암(2112)을 수평축 주위로 회전시키는 구동 기구가 설치되어 있으며, 이러한 구동 기구를 이용하여 제1 아암(2112)을 수평축 주위로 회전시킴으로써, 베르누이 척(2111)을 반전시킬 수 있다.
제2 아암(2113)의 기단부는 기초부(2114)에 의해 지지된다. 기초부(2114)에는, 제2 아암(2113)을 회전 및 승강시키는 구동 기구가 설치되어 있다. 이러한 구동 기구를 이용하여 제2 아암(2113)을 회전 또는 승강시킴으로써, 베르누이 척(2111)을 연직축 주위로 선회 또는 승강시킬 수 있다.
제3 반송 장치(211)는, 상기와 같이 구성되어 있으며, 제어 장치(30)의 제어에 기초하여, 박리 후의 지지 기판(S)을 박리 장치(5)로부터 수취하여 제2 세정 장치(800)로 전달하는 전달 처리를 행한다.
구체적으로는, 제3 반송 장치(211)는, 베르누이 척(2111)을 이용하여 박리 장치(5)의 제1 보유 지지부(110)에 의해 상방으로부터 보유 지지된 지지 기판(S)을 하방으로부터 보유 지지한다. 이에 의해, 지지 기판(S)은, 비접합면(Sn)이 상방을 향한 상태에서, 베르누이 척(2111)에 보유 지지된다. 이어서, 제3 반송 장치(211)는, 제2 아암(2113)을 연직축 주위로 회전시킴으로써 베르누이 척(2111)을 선회시킨다. 이에 의해, 베르누이 척(2111)에 보유 지지된 지지 기판(S)이 박리 스테이션(15)으로부터 전달 스테이션(21)을 경유하여 제2 세정 스테이션(22)으로 이동한다.
이어서, 제3 반송 장치(211)는, 제1 아암(2112)을 수평축 주위로 회전시킴으로써, 베르누이 척(2111)을 반전시킨다. 이에 의해, 지지 기판(S)은, 비접합면(Sn)이 하방을 향한 상태로 된다. 그리고, 제3 반송 장치(211)는, 제2 아암(2113)을 강하시킴으로써 베르누이 척(2111)을 강하시켜서, 베르누이 척(2111)에 보유 지지된 지지 기판(S)을 제2 세정 장치에 적재한다. 이에 의해, 지지 기판(S)은, 접합면(Sj)이 상방을 향한 상태에서 제2 세정 장치에 적재되고, 제2 세정 장치에 의해 접합면(Sj)이 세정된다.
<2-4. 제2 세정 장치의 구성>
다음으로, 제2 세정 스테이션(22)에 설치되는 제2 세정 장치의 구성에 대하여 도 13a 및 도 13b를 참조하여 설명한다. 도 13a는 제2 세정 장치의 구성을 나타낸 모식 측면도이며, 도 13b는 제2 세정 장치의 구성을 나타낸 모식 평면도이다.
도 13a에 도시한 바와 같이, 제2 세정 장치(800)는 처리 용기(810)를 갖고 있다. 처리 용기(810)의 측면에는, 지지 기판(S)의 반출입구(도시하지 않음)가 형성되고, 상기 반출입구에는 개폐 셔터(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
처리 용기(810) 내의 중앙부에는, 지지 기판(S)을 보유 지지하여 회전시키는 스핀 척(820)이 배치된다. 스핀 척(820)은 수평한 상면을 갖고 있으며, 이러한 상면에는 지지 기판(S)을 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 지지 기판(S)은 스핀 척(820) 상에서 흡착 보유 지지된다.
스핀 척(820)의 하방에는, 예를 들어 모터 등을 구비한 척 구동부(830)가 배치된다. 척 구동부(830)는, 스핀 척(820)을 소정의 속도로 회전시킨다. 또한, 척 구동부(830)에는, 예를 들어 실린더 등의 승강 구동원이 설치되어 있으며, 스핀 척(820)은 승강 가능하게 되어 있다.
스핀 척(820)의 주위에는, 지지 기판(S)으로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아, 회수하는 컵(84)이 배치된다. 컵(84)의 하면에는, 회수한 액체를 배출하는 배출관(841)과, 컵(84) 내의 분위기를 진공 흡인하여 배기하는 배기관(842)이 접속된다.
도 13b에 도시한 바와 같이, 처리 용기(810)에는 레일(85)이 설치되어 있으며, 이러한 레일(85)에는 아암(86)의 기단부가 설치된다. 또한, 아암(86)의 선단부에는, 지지 기판(S)에 세정액, 예를 들어 유기 용제를 공급하는 세정액 노즐(87)이 지지된다.
아암(86)은 노즐 구동부(861)에 의해 레일(85) 위를 이동 가능하다. 이에 의해, 세정액 노즐(87)은 컵(84)의 측방에 설치된 대기부(88)로부터 컵(84) 내의 지지 기판(S)의 중심부 상방까지 이동할 수 있으며, 또한 지지 기판(S) 위를 지지 기판(S)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 아암(86)은 노즐 구동부(861)에 의해 승강 가능하며, 이에 의해, 세정액 노즐(87)의 높이를 조절할 수 있다.
세정액 노즐(87)에는, 도 13a에 도시한 바와 같이, 세정액 노즐(87)에 세정액을 공급하는 공급관(891)이 접속된다. 공급관(891)은, 내부에 세정액을 저류하는 세정액 공급원(892)에 연통하고 있다. 공급관(891)에는, 세정액의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(893)이 설치되어 있다.
제2 세정 장치(800)는, 상기와 같이 구성되어 있으며, 제어 장치(30)의 제어에 기초하여 제3 반송 장치(211)에 의해 반송된 지지 기판(S)의 세정 처리(제2 세정 처리)를 행한다.
구체적으로는, 박리 후의 지지 기판(S)은, 제3 반송 장치(211)에 의해 접합면(Sj)을 상방을 향한 상태에서 제2 세정 장치(800)의 스핀 척(820)에 적재된다. 제2 세정 장치(800)는, 스핀 척(820)을 이용하여 지지 기판(S)을 흡착 보유 지지한 후, 스핀 척(820)을 소정의 위치까지 하강시킨다. 이어서, 아암(86)에 의해 대기부(88)의 세정액 노즐(87)을 지지 기판(S)의 중심부의 상방까지 이동시킨다. 그 후, 스핀 척(820)에 의해 지지 기판(S)을 회전시키면서, 세정액 노즐(87)로부터 지지 기판(S)의 접합면(Sj)에 세정액을 공급한다. 공급된 세정액은 원심력에 의해 지지 기판(S)의 접합면(Sj)의 전체면에 확산되어, 접합면(Sj)이 세정된다.
세정 후의 지지 기판(S)은, 제2 반송 장치(231)에 의해 제2 세정 장치(800)로부터 반출되어, 반출 스테이션(24)의 카세트(Cs)에 수용된다.
또한, 스핀 척(820)의 하방에는, 지지 기판(S)을 하방으로부터 지지하여 승강시키기 위한 승강 핀(도시하지 않음)이 설치되어 있어도 된다. 이러한 경우, 승강 핀은 스핀 척(820)에 형성된 관통 구멍(도시하지 않음)을 삽입 관통하고, 스핀 척(820)의 상면으로부터 돌출 가능하게 되어 있다. 그리고, 스핀 척(820)을 승강시키는 대신에 승강 핀을 승강시켜서, 스핀 척(820) 사이에서 지지 기판(S)의 수수가 행해진다.
또한, 제2 세정 장치(800)에 있어서, 스핀 척(820)의 하방에는, 지지 기판(S)의 이면, 즉 비접합면(Sn)(도 2 참조)을 향해 세정액을 분사하는 백린스 노즐(도시하지 않음)이 설치되어 있어도 된다. 이 백린스 노즐로부터 분사되는 세정액에 의해, 지지 기판(S)의 비접합면(Sn)과 지지 기판(S)의 외주부가 세정된다.
전술한 바와 같이, 제1 실시 형태에 따른 박리 시스템(1)은 DF 부착 중합 기판(T) 또는 박리 후의 피처리 기판(W)에 대한 처리를 행하는 제1 처리 블록(10)과, 박리 후의 지지 기판(S)에 대한 처리를 행하는 제2 처리 블록(20)을 구비한다.
제1 처리 블록(10)은 반출입 스테이션(11)과, 제1 반송 장치(121)와, 박리 스테이션(15)과, 제1 세정 스테이션(16)을 구비한다. 반출입 스테이션(11)에는, 다이싱 프레임(F)에 보유 지지된 DF 부착 중합 기판(T) 또는 박리 후의 피처리 기판(W)이 적재된다. 제1 반송 장치(121)는, 박리 후의 피처리 기판(W) 또는 반출입 스테이션(11)에 적재된 DF 부착 중합 기판(T)을 반송한다. 박리 스테이션(15)에는, 제1 반송 장치(121)에 의해 반송된 DF 부착 중합 기판(T)을 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)으로 박리하는 박리 장치(5)가 설치된다. 제1 세정 스테이션(16)에는, 제1 반송 장치(121)에 의해 반송된 박리 후의 피처리 기판(W)을 다이싱 프레임(F)에 보유 지지된 상태로 세정하는 제1 세정 장치(700)가 설치된다.
또한, 제2 처리 블록(20)은 제2 세정 스테이션(22)과, 전달 스테이션(21)과, 제2 반송 장치(231)와, 반출 스테이션(24)을 구비한다. 제2 세정 스테이션(22)에는, 박리 후의 지지 기판(S)을 세정하는 제2 세정 장치(800)가 설치된다. 전달 스테이션(21)은 제2 세정 스테이션(22)과 박리 스테이션(15)의 사이에 배치되고, 박리 후의 지지 기판(S)을 박리 스테이션(15)으로부터 수취하여 제2 세정 스테이션(22)으로 건넨다. 제2 반송 장치(231)는, 제2 세정 장치(800)에 의해 세정된 지지 기판(S)을 반송한다. 반출 스테이션(24)에는, 제2 반송 장치(231)에 의해 반송된 지지 기판(S)이 적재된다.
그리고, 박리 시스템(1)은 제1 처리 블록(10) 및 제2 처리 블록(20)이 전달 스테이션(21)에 의해 접속된다. 따라서, 제1 실시 형태에 따른 박리 시스템(1)에 의하면, 박리 처리 및 세정 처리를 포함하는 일련의 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 따른 박리 장치(5)는 제1 보유 지지부(110)와, 제2 보유 지지부(150)와, 이동 기구(140)를 구비한다. 제1 보유 지지부(110)는, DF 부착 중합 기판(T) 중 지지 기판(S)을 상방으로부터 보유 지지한다. 제2 보유 지지부(150)는, DF 부착 중합 기판(T) 중 피처리 기판(W)을 다이싱 테이프(P)를 개재하여 하방으로부터 보유 지지한다. 이동 기구(140)는, 제1 보유 지지부(110)를 제2 보유 지지부(150)로부터 이격하는 방향으로 이동시킨다. 따라서, 박리 장치(5)에 의하면, 박리 후의 피처리 기판(W)을 반전시킬 필요가 없기 때문에, 박리 처리의 효율화를 도모할 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 따른 박리 장치(5)는 제1 보유 지지부(110)와, 제2 보유 지지부(150)와, 국소 이동부(130)를 구비한다. 제1 보유 지지부(110)는, 지지 기판(S)과 피처리 기판(W)이 접합된 DF 부착 중합 기판(T) 중 지지 기판(S)을 보유 지지한다. 제2 보유 지지부(150)는, DF 부착 중합 기판(T) 중 피처리 기판(W)을 보유 지지한다. 국소 이동부(130)는, 제1 보유 지지부(110)의 외주부 일부를 제2 보유 지지부(150)로부터 이격하는 방향으로 이동시킨다. 그리고, 제1 보유 지지부(110)는, 유연성을 갖는 부재로 형성된다. 따라서, 박리 장치(5)에 의하면, 지지 기판(S)과 피처리 기판(W)의 박리를 효율적으로 행할 수 있다.
<제2 실시 형태에 따른 박리 장치>
전술한 박리 장치에 있어서, 또한 DF 부착 중합 기판(T)의 박리를 촉구하기 위해서, 예를 들어 칼날 등의 예리 부재를 이용하여 DF 부착 중합 기판(T)의 측면에 절입을 형성해도 된다. 이하에서는, 예리 부재를 이용하여 DF 부착 중합 기판(T)의 측면에 절입을 형성하는 경우의 예에 대하여 설명한다.
도 14는, 제2 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성을 나타낸 모식 측면도이다. 또한, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 마찬가지의 부분에 대해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 부여하고, 중복된 설명을 생략한다.
도 14에 도시한 바와 같이, 제2 실시 형태에 따른 박리 장치(5A)는, 제1 실시 형태에 따른 박리 장치(5)의 구성에 더하여, 계측부(210)와, 절입부(220)와, 위치 조정부(230)를 더 구비한다. 계측부(210) 및 위치 조정부(230)는, 예를 들어 상측 베이스부(120)에 설치되고, 절입부(220)는, DF 부착 중합 기판(T)의 측방에 있어서 위치 조정부(230)에 의해 지지된다.
계측부(210)는, 예를 들어 레이저 변위계이며, 소정의 측정 기준 위치로부터 제2 보유 지지부(150)의 보유 지지면까지의 거리 또는 측정 기준 위치와 제2 보유 지지부(150)의 보유 지지면 사이에 개재하는 물체까지의 거리를 계측한다. 계측부(210)에 의한 계측 결과는 제어 장치(30: 도 1 참조)로 송신된다.
절입부(220)는, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)의 접합 부분, 즉 접착제(G)의 부분에 대하여 절입을 형성한다. 여기서, 절입부(220)의 구성에 대하여 도 15를 참조하여 설명한다. 도 15는, 절입부(220)의 구성을 나타낸 모식 사시도이다.
도 15에 도시한 바와 같이, 절입부(220)는 본체부(221)와, 예리 부재(222)와, 기체 분출부(223)를 구비한다.
본체부(221)는, 중합 기판(T) 등의 기판의 측면에 맞춰 궁형으로 형성된다. 이러한 본체부(221)의 우측부(221R)에는 고정부(224)를 개재하여 예리 부재(222)가 부착되고, 중앙부(221C)에는 기체 분출부(223)가 부착된다.
예리 부재(222)는, 예를 들어 칼날이며, 선단이 DF 부착 중합 기판(T)을 향해 돌출되도록 위치 조정부(230)에 지지된다. 이러한 예리 부재(222)를 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)의 접합 부분인 접착제(G)로 진입시켜서, 접착제(G)에 절입을 형성함으로써, DF 부착 중합 기판(T)의 박리 기점을 생성할 수 있다.
제2 실시 형태에 있어서, 예리 부재(222)는 한쪽 날의 칼날이며, 칼끝 각을 형성하는 경사면이 상면측, 즉 지지 기판(S)측에 설치된다. 이와 같이, 지지 기판(S)측에 예리 부재(222)의 경사면을 향하는, 다시 말하면 피처리 기판(W)측에 예리 부재(222)의 평탄면을 향함으로써, 예리 부재(222)를 접착제(G)로 진입시킨 경우에, 제품 기판인 피처리 기판(W)에 대한 데미지를 줄일 수 있다.
또한, 칼날로서는, 예를 들어 면도기 날이나 롤러 날 또는 초음파 커터 등을 사용할 수 있다. 또한, 세라믹 수지계의 칼날 또는 불소 코팅된 칼날을 사용함으로써 DF 부착 중합 기판(T)에 대하여 절입을 형성하였을 때의 파티클의 발생을 억제할 수 있다. 고정부(224)는, 우측부(221R)에 대하여 착탈 가능하며, 절입부(220)는, 고정부(224)를 바꿈으로써, 예리 부재(222)의 교환을 용이하게 행할 수 있다.
또한, 여기에서는, 본체부(221)의 우측부(221R)에만 예리 부재(222)를 부착한 경우의 예를 나타내었지만, 절입부(220)는, 본체부(221)의 좌측부(221L)에도 예리 부재(222)를 구비하고 있어도 된다. 절입부(220)는, 우측부(221R)와 좌측부 (221L)에서, 서로 다른 종류의 예리 부재(222)를 구비하고 있어도 된다.
기체 분출부(223)는, 예리 부재(222)에 의해 절입이 형성된 접합 부분의 절입 개소를 향해 공기나 불활성 가스 등의 기체를 분출한다. 즉, 기체 분출부(223)는, 예리 부재(222)에 의한 절입 개소로부터 DF 부착 중합 기판(T)의 내부에 기체를 주입함으로써, DF 부착 중합 기판(T)의 박리를 더 촉진시킨다.
도 14로 되돌아가서, 위치 조정부(230)에 대하여 설명한다. 위치 조정부 (230)는, 구동 장치(233)와 로드셀(232)을 구비한다. 구동 장치(233)는, 절입부(220)를 연직 방향 또는 수평 방향을 따라서 이동시킨다. 위치 조정부(230)는, 이러한 구동 장치(233)를 이용하여 절입부(220)를 연직 방향으로 이동시킴으로써, 절입부(220)의 접착제(G)로의 절입 위치를 조정한다. 또한, 위치 조정부(230)는, 구동 장치(233)를 이용하여 절입부(220)를 수평 방향으로 이동시킴으로써, 예리 부재(222)의 선단을 접착제(G)로 진입시킨다. 또한, 로드셀(232)은 절입부(220)에 가해지는 부하를 검지한다.
예리 부재(222)의 접착제(G)로의 진입은, 상기 구동 장치(233) 및 로드셀(232)을 이용하여 제어되지만, 이러한 점에 대해서는 후술한다.
또한, 제2 실시 형태에 따른 제어 장치(30: 도 1 참조)는 기억부(도시하지 않음)에, 외부 장치에 의해 미리 취득된 DF 부착 중합 기판(T)의 두께에 관한 정보(이하, 「사전 두께 정보」라 기재함)를 기억한다. 이러한 사전 두께 정보에는, DF 부착 중합 기판(T)의 두께, 피처리 기판(W)의 두께, 지지 기판(S)의 두께, 접착제(G)의 두께 및 다이싱 테이프(P)의 두께가 포함된다.
제어 장치(30)는, 계측부(210)로부터 취득한 계측 결과와, 기억부에 기억된 사전 두께 정보에 기초하여, 접착제(G)의 두께 범위 내에 수용되도록 절입부(220)의 절입 위치를 결정한다. 그리고, 제어 장치(30)는, 결정한 절입 위치에 예리 부재 (222)의 선단이 위치하도록 위치 조정부(230)를 제어하여 절입부(220)를 이동시킨다. 이러한 위치 조정 처리의 구체적인 내용에 대해서는, 후술한다.
프레임 보유 지지부(160)는, 도 14에 도시한 바와 같이, 제2 보유 지지부(150)보다도 낮은 위치에서 다이싱 프레임(F)을 보유 지지한다. 이에 의해, 제2 보유 지지부(150)에 보유 지지된 DF 부착 중합 기판(T)을 향해 절입부(220)가 이동하기 위한 스페이스를 확보할 수 있다.
다음으로, 제2 실시 형태에 따른 박리 장치(5A)가 실행하는 절입부(220)의 위치 조정 처리에 대하여 도 16 및 도 17a, 도 17b를 참조하여 설명한다. 도 16은 절입부(220)의 위치 조정 처리의 처리 수순을 나타낸 흐름도이다. 또한, 도 17a 및 도 17b는 박리 장치(5A)의 동작 설명도이다. 또한, 박리 장치(5A)는 제어 장치(30)의 제어에 기초하여, 도 16에 도시한 각 처리 수순을 실행한다.
도 16에 도시한 바와 같이, 박리 장치(5A)는, 우선 절입부 진단 처리를 행한다(스텝 S301). 이러한 절입부 진단 처리에서는, 계측부(210)를 이용하여 예리 부재(222)의 손상(예를 들어, 날의 이 빠짐 등) 유무가 진단된다.
구체적으로는, 도 17a에 도시한 바와 같이, 박리 장치(5A)는 위치 조정부 (230)를 이용하여 절입부(220)를 수평 방향으로 이동시키면서, 계측부(210)를 이용하여 측정 기준 위치로부터 예리 부재(222)의 상면까지의 거리(D1)를 계측하고, 계측 결과를 제어 장치(30)로 송신한다. 그리고, 제어 장치(30)는, 예를 들어 거리(D1)의 변화율이 소정의 범위를 초과한 경우, 또는, 신품의 예리 부재(222)를 이용하여 미리 계측해 둔 기준 거리와 거리(D1)의 오차가 소정의 범위를 초과한 경우에, 예리 부재(222)가 손상되었다고 판정한다.
스텝 S301의 절입부 진단 처리에 있어서 예리 부재(222)가 손상되었다고 판정된 경우(스텝 S302, "예"), 박리 장치(5A)는, 그 후의 처리를 중지한다(스텝 S303). 이와 같이, 박리 장치(5A)는 절입부(220)를 수평 이동시킨 경우에 있어서의, 측정 기준 위치로부터 절입부(220)까지의 거리(D1)의 변화에 기초하여 예리 부재(222)의 손상을 검출한다. 이에 의해, 손상된 예리 부재(222)를 이용하여 DF 부착 중합 기판(T)으로의 절입을 행함으로써, 피처리 기판(W)에 데미지를 주게 되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
한편, 스텝 S301의 절입부 진단 처리에 있어서 예리 부재(222)의 손상이 검출되지 않은 경우(스텝 S302, "아니오"), 박리 장치(5A)는, 계측부(210)를 이용하여 측정 기준 위치로부터 제2 보유 지지부(150)의 보유 지지면까지의 거리(D2; 도 17b 참조)를 계측한다(스텝 S304). 이때, 박리 장치(5A)에는, DF 부착 중합 기판(T)이 아직 반입되지 않은 상태이다.
또한, 도 17b에 도시한 DF 부착 중합 기판(T)의 두께(D4), 피처리 기판(W)의 두께(D4w), 접착제(G)의 두께(D4g), 지지 기판(S)의 두께(D4s) 및 다이싱 테이프(P)의 두께(D4p)는, 사전 두께 정보로서 제어 장치(30)의 기억부에 기억된 정보이다.
이어서, 박리 장치(5A)는, 제1 반송 장치(121)에 의해 박리 스테이션(15)으로 반입된 DF 부착 중합 기판(T)의 다이싱 프레임(F)을 프레임 보유 지지부(160)를 이용하여 하방으로부터 흡착 보유 지지한다(스텝 S305). 또한, 박리 장치(5A)는 이동 기구(163: 도 6 참조)를 이용하여 프레임 보유 지지부(160)를 강하시킨다(스텝 S306). 이에 의해, DF 부착 중합 기판(T) 중 피처리 기판(W)이, 다이싱 테이프(P)를 개재하여 제2 보유 지지부(150)에 접촉한다. 그 후, 박리 장치(5A)는 제2 보유 지지부(150)를 이용하여 DF 부착 중합 기판(T)을 다이싱 테이프(P)를 개재하여 흡착 보유 지지한다(스텝 S307). 이에 의해, DF 부착 중합 기판(T)은, 제2 보유 지지부(150)에 의해 피처리 기판(W)이 보유 지지되고, 프레임 보유 지지부(160)에 의해 다이싱 프레임(F)이 보유 지지된 상태로 된다.
그 후, 박리 장치(5A)는, 측정 기준위치로부터 제2 보유 지지부(150)에 의해 흡착 보유 지지된 DF 부착 중합 기판(T)의 상면, 즉 지지 기판(S)의 비접합면(Sn)까지의 거리(D3; 도 17b 참조)을 계측한다(스텝 S308). 이러한 계측 결과는 제어 장치(30)로 송신된다. 제어 장치(30)는, 계측부(210)의 계측 결과로부터 산출되는 DF 부착 중합 기판(T)의 두께(D2-D3)와, 사전 두께 정보에 포함되는 DF 부착 중합 기판(T)의 두께(D4)의 차가 소정 범위 내인지 여부를 판정한다.
여기서, 계측부(210)의 계측 결과로부터 산출되는 DF 부착 중합 기판(T)의 두께(D2-D3)와, 사전 두께 정보(D4)의 오차가 소정 범위를 초과한 경우에는, 예를 들어 본래 반입되어야 할 DF 부착 중합 기판(T)과는 다른 DF 부착 중합 기판(T)이 잘못 반입될 가능성이 있다. 이와 같은 경우에는, 사전 두께 정보에 기초하여 산출되는 접착제(G)의 두께 범위가 실제 두께 범위로부터 어긋나서, 예리 부재(222)의 선단이 피처리 기판(W)이나 지지 기판(S)에 접촉하여 피처리 기판(W)이나 지지 기판(S)이 손상될 우려가 있다. 이로 인해, 계측부(210)의 계측 결과를 이용하여 산출되는 DF 부착 중합 기판(T)의 두께와, 사전 두께 정보에 포함되는 DF 부착 중합 기판(T)의 두께 오차가 소정 범위 내를 초과한 경우에는(스텝 S309, "아니오"), 박리 장치(5A)는 그 후의 처리를 중지한다(스텝 S303).
한편, 사전 두께 정보와의 오차가 소정 범위 내인 경우(스텝 S309, "예"), 제어 장치(30)는, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)의 접합 부분인 접착제(G)의 두께 범위를 사전 두께 정보에 기초하여 산출한다.
예를 들어, 도 17b에 도시한 바와 같이, 계측부(210)의 측정 기준 위치로부터 제1 보유 지지부(110)의 보유 지지면, 즉 흡착 패드(112)의 하면까지의 거리를 D5인 것으로 하면, 제1 보유 지지부(110)에 의해 DF 부착 중합 기판(T)이 흡착 보유 지지된 경우에서의 접착제(G)의 두께 범위는 D5+D4s 내지 D5+D4s+D4g로 된다. 그리고, 제어 장치(30)는, 이러한 두께 범위 내에 절입부(220)의 절입 위치를 결정한다. 예를 들어, 제어 장치(30)는, 상기 두께 범위의 중앙인 D5+D4s+D4g/2를 절입 위치로서 결정한다. 또한, 측정 기준 위치로부터 흡착 패드(112))의 하면까지의 거리(D5)는, 제어 장치(30)의 기억부(도시하지 않음)에 미리 기억되어 있는 것으로 한다.
제어 장치(30)에 의해 절입부(220)의 절입 위치가 결정되면, 박리 장치(5A)는 제어 장치(30)의 제어에 기초하여, 위치 조정부(230)를 이용하여 절입부(220)를 이동시킴으로써, 접착제(G)의 두께 범위 내로 절입부(220)의 절입 위치를 조정한다(스텝 S310). 즉, 박리 장치(5A)는 제어 장치(30)에 의해 결정된 절입 위치에 예리 부재(222)의 선단이 위치하도록, 위치 조정부(230)를 이용하여 절입부(220)를 연직 방향으로 이동시킨다.
그 후, 박리 장치(5A)는, 도 9의 스텝 S204 이후의 처리를 행한다. 그리고, 박리 장치(5A)는, 스텝 S206에 있어서 국소 이동부(130)를 이용하여 제1 보유 지지부(110)의 외주부 일부를 인장할 때, 위치 조정부(230)를 이용하여 절입부(220)를 수평 이동시킴으로써 예리 부재(222)를 접착제(G)로 진입시킨다. 이에 의해, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)의 접합 부분인 접착제(G)에 절입이 형성되어, 국소 이동부(130)에 의한 DF 부착 중합 기판(T)의 박리가 촉진된다.
또한, 예리 부재(222)의 접착제(G)로의 진입 깊이는, 예를 들어 2㎜ 정도이다. 또한, 예리 부재(222)를 접착제(G)로 진입시키는 타이밍은, 스텝 S205와 스텝 S206의 동안이어도 되고, 스텝 S206과 스텝 S207의 동안이어도 되며, 스텝 S206과 동시이어도 된다.
또한, 전술한 바와 같이, 예리 부재(222)의 접착제(G)로의 진입은, 상기 구동 장치(233) 및 로드셀(232)을 이용하여 제어된다. 구체적으로는, 예리 부재(222)는, 구동 장치(233)에 의해 소정의 속도로 접착제(G)로 진입한다. 또한, 절입 개시 위치(예리 부재(222)의 선단이 접착제(G)에 접촉한 위치)가 로드셀(232)에 의해 검지되고, 이러한 절입 개시 위치로부터 미리 프로그램된 양만큼 구동 장치(233)를 이용하여 예리 부재(222)를 진입시킨다.
이와 같이, 제2 실시 형태에 따른 박리 장치(5A)는, 절입부(220)에 의한 접착제(G)로의 절입을 행함으로써, DF 부착 중합 기판(T)의 박리 기점을 생성할 수 있다.
또한, 제2 실시 형태에 따른 박리 장치(5A)는, 계측부(210)의 계측 결과와 사전 두께 정보에 기초하여 절입부(220)의 위치를 조정하는 것으로 하였기 때문에, 예리 부재(222)의 선단을 접착제(G)로 보다 확실하게 진입시킬 수 있다.
즉, 피처리 기판(W), 지지 기판(S) 및 접착제(G)는 매우 얇기 때문에, 절입부(220)의 위치 정렬을 육안으로 행하는 것은 곤란하다. 이에 반하여, 계측부(210)를 이용하는 것으로 하면, 접착제(G)의 위치를 용이하면서 정확하게 검출하여 절입부(220)의 절입 위치를 맞출 수 있다. 또한, 카메라 등에 의한 화상 인식에 의해 절입 위치를 확인하는 것도 생각할 수 있지만, 중합 기판(T) 등의 기판의 측면부는 곡면이기 때문에 초점을 맞추기 어렵고, 기판으로부터의 반사가 있으며, 접착제(G)도 투명하기 때문에, 화상 인식에 의해 접착제(G)의 위치를 확인하는 것은 어렵다. 이에 반하여, 계측부(210)를 이용하는 것으로 하면, 상기와 같은 문제점이 발생하지 않아, 접착제(G)의 위치를 용이하게 확인할 수 있다.
또한, 절입부(220)는, 측정 기준 위치로부터 제2 보유 지지부(150)의 보유 지지면까지의 거리(D2)와 측정 기준 위치로부터 제1 보유 지지부(110)에 보유 지지된 DF 부착 중합 기판(T)까지의 거리(D3)를 이용하여 산출되는 DF 부착 중합 기판(T)의 두께와, 미리 취득된 DF 부착 중합 기판(T)의 두께의 차가 소정의 범위 내인 경우에, 접착제(G)로의 절입을 행한다. 이에 의해, 예리 부재(222)에 의한 피처리 기판(W)이나 지지 기판(S)의 손상을 미연에 방지할 수 있다.
또한, 여기에서는, 예리 부재(222)가 한쪽 날의 칼날인 경우의 예에 대하여 설명하였지만, 예리 부재는 양날의 칼날이어도 된다. 또한, 반드시 칼날일 필요는 없으며, 피하 바늘 등의 관 형상의 바늘체나 와이어 등이어도 된다.
그런데, 제2 실시 형태에 따른 박리 장치(5A)는, 계측부(210)를 이용하여, 제2 보유 지지부(150)의 경사를 검출할 수도 있다. 구체적으로는, 박리 장치(5A)는 제2 보유 지지부(150)를 회전 기구(180)에 의해 회전시키면서, 측정 기준 위치로부터 제2 보유 지지부(150)의 보유 지지면까지의 거리(D2; 도 17b 참조)를 계측한다. 그리고, 박리 장치(5A)는, 이러한 거리(D2)의 변화량이 소정 이상인 경우, 예를 들어 20㎛ 이상인 경우에는, 제2 보유 지지부(150)의 보유 지지면이 경사진 것으로 판정하고, 그 후의 처리를 중지한다.
이와 같이, 박리 장치(5A)는, 제2 보유 지지부(150)를 회전시킨 경우에서의 측정 기준 위치로부터 제2 보유 지지부(150)의 보유 지지면까지의 거리(D2)의 변화에 기초하여 제2 보유 지지부(150)의 보유 지지면 경사를 검출할 수도 있다.
제2 보유 지지부(150)의 보유 지지면이 경사지고 있는 경우, 사전 두께 정보를 이용하여 산출되는 접착제(G)의 두께 범위와 실제 접착제(G)의 두께 범위에 오차가 발생하여, 예리 부재(222)를 접착제(G)에 대하여 적절히 진입시킬 수 없을 가능성이 있다. 따라서, 제2 보유 지지부(150)의 보유 지지면이 경사지고 있는 경우에, 그 후의 처리를 중지함으로써, 예리 부재(222)에 의한 피처리 기판(W)이나 지지 기판(S)의 손상을 미연에 방지할 수 있다. 또한, 제2 보유 지지부(150)의 경사를 검출하는 처리는, DF 부착 중합 기판(T)이 박리 장치(5A)로 반입되기 전에 행하면 된다.
그런데, 전술한 박리 장치는, 제1 보유 지지부가, 중심으로부터 직경 방향으로 신장하는 복수의 선과, 복수의 원호에 의해 흡착 영역이 분할된 흡착 패드(112: 도 7b 참조)를 구비하는 경우의 예에 대하여 설명하였다. 그러나, 제1 보유 지지부가 구비하는 흡착 패드의 구성은, 이것에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 이하에서는, 제1 보유 지지부가 구비하는 흡착 패드의 다른 구성예에 대하여 도 18a 내지 도 18c를 참조하여 설명한다. 도 18a 내지 도 18c는, 흡착 패드의 다른 구성예를 나타내는 모식 평면도이다.
도 18a에 도시한 바와 같이, 흡착 패드(112A)의 흡착 영역은, 박리의 진행 방향(d)에 대하여 직교하는 선으로 분할되어도 된다. 도 18a에 도시한 예에서는, 흡착 패드(112A)의 흡착 영역이, 박리의 진행 방향(d)에 대하여 직교하는 2개의 직선 A3, A4에 의해 개별 영역 R5 내지 R7로 분할된다.
이와 같이, 흡착 패드의 흡착 영역은, 박리의 진행 방향에 대하여 직교하는 선으로 분할되어도 된다. 또한, 이러한 구성의 흡착 패드는, 한 방향으로부터 박리하는 경우에 바람직하다.
또한, 도 7b에 도시한 흡착 패드(112)와 마찬가지로, 흡착 패드(112A)의 각개별 영역(R5 내지 R7)에는, 흡기구(114a 내지 114c)가 각각 형성되고, 각 흡기구(114a 내지 114c)는 흡기관을 통해 흡기 장치에 접속된다. 이에 의해, 도 7b에 도시한 흡착 패드(112)와 마찬가지로, 지지 기판(S)을 적절하게 보유 지지해 둘 수 있다.
또한, 도 7b에 도시한 흡착 패드(112)와 마찬가지로, 각 개별 영역(R5 내지 R7)은, 박리의 진행 방향(d)의 기단부측에 설치되는 개별 영역(R5)보다도 진행 방향(d)의 선단측에 설치되는 개별 영역(R7)이 크게 형성된다. 이에 의해, 도 7b에 도시한 흡착 패드(112)와 마찬가지로, 박리 동작 중에서의 지지 기판(S)의 제1 보유 지지부(110)로부터의 박리 탈락을 방지할 수 있다.
여기에서는, 흡착 패드(112A)의 흡착 영역을 3개의 개별 영역(R5 내지 R7)으로 분할하는 경우의 예를 나타내었지만, 흡착 영역의 분할 수는 3개로 한정되지 않는다.
또한, 도 18b에 도시한 바와 같이, 흡착 패드(112B)의 흡착 영역은 격자 형상으로 분할되어도 된다. 도 18b에서는, 흡착 패드(112B)의 흡착 영역이 9개의 개별 영역(R8 내지 R16)으로 분할되는 경우의 예를 나타내고 있다. 도 7b에 도시한 흡착 패드(112)와 마찬가지로, 각 개별 영역(R8 내지 R16)에는, 흡기구(115a 내지 115i)가 각각 형성되고, 각 흡기구(115a 내지 115i)는 흡기관을 통해 흡기 장치로 접속된다.
이와 같이, 흡착 패드의 흡착 영역은, 격자 형상으로 분할되어도 된다. 또한, 여기에서는, 흡착 패드(112B)의 흡착 영역을 분할하는 직선이, 박리의 진행 방향(d)에 대하여 경사진 경우의 예를 나타내었지만, 흡착 패드는, 박리의 진행 방향(d)에 대하여 평행한 직선과, 박리의 진행 방향(d)로 직행하는 직선에 의해 격자 형상으로 분할되어도 된다.
또한, 전술한 각 실시 형태에서는, 박리의 진행 방향이 한 방향인 경우의 예에 대하여 설명하였지만, 국소 이동부(130)를 복수 설치함으로써 복수의 방향으로부터 박리를 행해도 된다.
이러한 경우에는, 도 18c에 도시한 바와 같이, 중심으로부터 직경 방향으로 신장하는 복수의 선에 의해 흡착 패드의 흡착 영역을 박리의 진행 방향(d1 내지 d3) 마다 분할하고, 진행 방향마다 분할된 각 흡착 영역을 원호에 의해 복수의 개별 영역으로 더 분할해도 된다. 예를 들어, 도 18c에 도시한 흡착 패드(112C)의 흡착 영역은, 박리의 진행 방향(d1 내지 d3)마다 3개로 분할되고, 각 진행 방향에 대응하는 흡착 영역이 원호에 의해 3개의 분할 영역으로 더 분할되어 있다.
구체적으로는, 진행 방향(d1)에 대응하는 흡착 영역은 개별 영역(R17 내지 R19)으로 분할되고, 진행 방향(d2)에 대응하는 흡착 영역은 개별 영역(R20 내지 R22)으로 분할되며, 진행 방향(d3)에 대응하는 흡착 영역은 개별 영역(R23 내지 R25)으로 분할된다. 각 개별 영역(R17 내지 R25)에는, 흡기구(116a 내지 116c, 117a 내지 117c, 118a 내지 118c)가 각각 형성되고, 각 흡기구(116a 내지 116c, 117a 내지 117c, 118a 내지 118c)는 흡기관을 통해 흡기 장치에 접속된다. 또한, 흡기구(116a 내지 116c, 117a 내지 117c, 118a 내지 118c)는 단일의 흡기 장치에 접속되어도 되고, 박리의 진행 방향(d1 내지 d3)마다 설치된 흡기 장치에 각각 접속되어도 된다.
그런데, 중합 기판(T)에는 결정 방향, 휨 방향, 패턴 등에 의해 최적의 절입 방향이 있다. 따라서, 제2 실시 형태에서는, 중합 기판(T)의 종류에 따라서 예리 부재(222)의 주위 방향의 위치를 변경하는 것으로 하여도 된다. 이러한 경우, 예를 들어 다이싱 프레임(F)을 프레임 보유 지지부(160: 도 14 참조)에서 보유 지지한 후, 회전 기구(180)를 소정의 위치로 회전시킴으로써 예리 부재(222)의 주위 방향에서의 절입 위치를 조정하고, 그 후, 예리 부재(222)를 접착제(G)로 진입시키면 된다. 이에 의해, 예리 부재(222)를 주위 방향의 임의의 위치로 설정할 수 있기 때문에, 어떠한 종류의 중합 기판(T)이어도, 그 중합 기판(T)에 따른 최적의 위치에서 절입을 형성할 수 있다. 또한, 중합 기판(T)의 박리 후에는 다시 회전 기구(180)를 회전시켜서 원래의 회전 위치로 돌아간다.
또한, 제1 회전 위치에 있어서 박리 불가능한 경우, 회전 기구(180)를 제2 회전 위치로 회전시켜서 박리를 시도하는 것도 가능하다. 박리 불가능한지 여부는, 예를 들어 제1 보유 지지부(110) 및 제2 보유 지지부(150)에 의한 흡착 보유 지지가 벗어난 경우나, 회전 기구(180)의 구동부에 모터를 이용한 경우에는 모터의 과부하 등으로 판정할 수 있다. 이와 같은 재시도 기능을 마련함으로써, 접착제(G)의 부분적 변질이나 제1 보유 지지부(110)·제2 보유 지지부(150)에 의한 박리 불가능 상태가 발생한 경우에도, 박리 처리를 중단하지 않고 완수시킬 수 있다.
<제3 실시 형태에 따른 박리 장치>
이어서, 박리 스테이션(15)에 설치되는 제3 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성에 대하여 도 19를 참조하여 설명한다. 도 19는, 제3 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성을 나타내는 모식 측면도이다.
도 19에 도시한 바와 같이, 박리 장치(5B)는, 처리실(100)을 구비한다. 처리실(100)의 측면에는, 반출입구(도시하지 않음)가 설치된다. 반출입구는, 제1 반송 영역(12)측과 전달 스테이션(21)측에 각각 설치된다.
박리 장치(5B)는, 제1 보유 지지부(56)와, 이동부(61)와, 제1 추가 이동부(62)와, 제2 추가 이동부(63)와, 제2 보유 지지부(70)와, 프레임 보유 지지부(80)와, 박리 유인부(90)를 구비하고, 이들은 처리실(100)의 내부에 배치된다.
박리 장치(5B)는, 중합 기판(T)의 지지 기판(S)측을 제1 보유 지지부(56)에 의해 상방으로부터 흡착 보유 지지하고, 중합 기판(T)의 피처리 기판(W)측을 제2 보유 지지부(70)에 의해 하방으로부터 흡착 보유 지지한다. 그리고, 박리 장치(5B)는 이동부(61), 제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)를 순차 동작시켜서, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)의 판면으로부터 이격하는 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 제1 보유 지지부에 보유 지지된 지지 기판(S)이, 그 일단부로부터 타단부를 향해 피처리 기판(W)으로부터 연속적으로 박리한다. 이하, 각 구성 요소에 대하여 구체적으로 설명한다.
제1 보유 지지부(56)는 접촉부(57)와, 탄성 부재(58)와, 제1 흡인부(53)와, 제2 흡인부(54)와, 제3 흡인부(55)를 구비한다.
접촉부(57)는 지지 기판(S)과 대략 동일한 직경의 원판 형상을 갖는 부재이며, 지지 기판(S)의 비접합면(Sn)에 접촉한다. 접촉부(57)의 지지 기판(S)과의 접촉면에는, 복수의 흡인구(여기서는, 도시하지 않음)가 형성된다.
탄성 부재(58)는 접촉부(57)와 대략 동일한 직경의 원판 형상을 갖는 박판 형상의 부재이며, 접촉부(57)의 지지 기판(S)과의 접촉면과는 반대측 면에 설치된다.
제1 흡인부(53), 제2 흡인부(54) 및 제3 흡인부(55)는 탄성 부재(58)를 개재하여 접촉부(57)의 각 흡인구에 접속된다. 또한, 제1 흡인부(53), 제2 흡인부(54) 및 제3 흡인부(55)는 흡기관(531, 541, 551)을 통해 진공 펌프 등의 흡기 장치(532, 542, 552)에 접속된다.
이러한 제1 보유 지지부(56)는 흡기 장치(532, 542, 552)가 발생시키는 흡인력을 이용하여 접촉부(57)의 각 흡인구로부터 지지 기판(S)의 비접합면(Sn)(도 2 참조)을 흡인함으로써, 중합 기판(T)의 지지 기판(S)측을 흡착 보유 지지한다.
이동부(61), 제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)는 제1 보유 지지부(56)의 제1 흡인부(53), 제2 흡인부(54) 및 제3 흡인부(55)에 각각 접속된다. 이동부(61)는 제1 흡인부(53)를, 제1 추가 이동부(62)는 제2 흡인부(54)를, 제2 추가 이동부(63)는 제3 흡인부(55)를 각각 연직 상방으로 이동시킨다.
또한, 이동부(61), 제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)는 상측 베이스부(103)에 지지되고, 제1 보유 지지부(56)는 이동부(61), 제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)를 개재하여 상측 베이스부(103)에 지지된다. 또한, 상측 베이스부(103)는 처리실(100)의 천장부에 부착된 고정 부재(101)에 지주(102)를 개재하여 지지된다.
여기서, 전술한 제1 보유 지지부(56), 이동부(61), 제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)의 구체적인 구성에 대하여 도 20 및 도 21을 참조하여 설명한다. 도 20은 제1 보유 지지부(56), 이동부(61), 제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)의 구성을 나타내는 모식 측면도이다. 또한, 도 21은 접촉부(57)의 모식 저면도이다.
도 20에 도시한 바와 같이, 접촉부(57)는 지지 기판(S)과의 접촉면에 복수의 흡인구(571, 572, 573)를 구비한다.
흡인구(571, 572, 573)는, 박리의 진행 방향(예를 들어, X축 정방향)을 따라서 배열하여 배치된다. 구체적으로는, 접촉부(57)의 외주부 중 박리의 기점이 되는 외주부(후술하는 박리 개시 부위(M)가 형성되는 부분)에 대응하는 위치에 흡인구(571)가 설치된다. 또한, 흡인구(572) 및 흡인구(573)는 흡인구(571)보다도 박리의 종점측(예를 들어, X축 정방향측)에 배치됨과 함께, 박리의 진행 방향을 따라서 흡인구(572) 및 흡인구(573)의 순서로 배열하여 배치된다.
이들 흡인구(571, 572, 573)에는, 제1 흡인부(53)와, 제2 흡인부(54)와, 제3 흡인부(55)가 각각 접속된다.
또한, 도 21에 도시한 바와 같이, 접촉부(57)가 갖는 흡착 영역(570)은 복수의 개별 영역(574, 575, 576)으로 구획된다. 개별 영역(574 내지 576)은 박리의 진행 방향(예를 들어, X축 정방향)을 따라서, 개별 영역(574), 개별 영역(575) 및 개별 영역(576)의 순서로 배치된다. 개별 영역(574)에는 흡인구(571)가 개별 영역(575)에는 흡인구(572)가 개별 영역(576)에는 흡인구(573)가 각각 설치된다.
이와 같이, 본 실시 형태에 따른 제1 보유 지지부(56)는 접촉부(57)의 흡착 영역(570)이 복수의 개별 영역(574 내지 576)으로 구획되고, 제1 흡인부(53), 제2 흡인부(54) 및 제3 흡인부(55)가 개별 영역(574 내지 576)에 대응하여 설치된다.
이에 의해, 제1 보유 지지부(56)는 지지 기판(S)을 개별 영역(574 내지 576)마다 흡착 보유 지지할 수 있다. 따라서, 예를 들어 개별 영역(574 내지 576) 중 어느 하나에 있어서 흡착 누설이 발생한 경우이더라도, 다른 개별 영역(574 내지 576)에서 지지 기판(S)을 보유 지지해 둘 수 있다.
접촉부(57)가 갖는 흡착 영역(570)은 박리의 진행 방향(예를 들어, X축 정방향)으로 볼록해지는 원호(a1, a2)에 의해 개별 영역(574 내지 576)으로 구획된다.
지지 기판(S)의 피처리 기판(W)으로부터의 박리는, 평면에서 보아 원호 형상으로 진행한다. 따라서, 흡착 영역(570)을 박리의 진행 방향(예를 들어, X축 정방향)으로 볼록해지는 원호(a1, a2)로 구획함으로써, 박리 도중의 지지 기판(S)을 보다 적절하게 흡착 보유 지지해 둘 수 있어, 박리 도중에 지지 기판(S)이 제1 보유 지지부(56)로부터 벗어나게 되는 것을 방지할 수 있다.
지지 기판(S)과 피처리 기판(W)의 박리 경계선은, 박리의 초기 단계에 있어서는 전술한 바와 같이 원호 형상이지만, 박리가 진행됨에 따라서, 박리의 진행 방향에 대하여 직교하는 방향(예를 들어, Y축 방향)으로 연장하는 직선 형상으로 서서히 변화해 간다.
이로 인해, 흡착 영역(570)을 구획하는 원호(a1, a2)는, 박리의 종점측에 근접함에 따라서 곡률을 작게 하는(즉, 직선에 근접하는) 것이 바람직하다. 본 예의 경우에는, 박리의 종점측의 원호(a2)의 곡률을, 박리의 기점측의 원호(a1)의 곡률보다도 작게 하는 것이 바람직하다.
또한, 개별 영역(575) 및 개별 영역(576)에는, 각각 흡인구(572) 및 흡인구(573)로부터의 흡인력을 골고루 미치게 하기 위한 홈이 형성된다. 여기서, 개별 영역(575) 및 개별 영역(576)에 형성되는 홈의 형상에 대하여 도 22a 및 도 22b를 참조하여 설명한다. 도 22a는, 개별 영역(575)에 형성되는 홈의 형상을 나타내는 모식 저면도이며, 도 22b는, 개별 영역(576)에 형성되는 홈의 형상을 나타내는 모식 저면도이다.
도 22a에 도시한 바와 같이, 개별 영역(576)보다도 박리의 기점측에 배치되는 개별 영역(575)에는, 박리의 진행 방향으로 볼록해진 원호 형상의 홈(577)이 복수 형성된다. 이에 반하여, 도 22b에 도시한 바와 같이, 개별 영역(575)보다도 박리의 종점측에 배치되는 개별 영역(576)에는, 박리의 진행 방향과 직교하는 방향(예를 들어, Y축 방향)으로 연장하는 직선 형상의 홈(578)이 복수 형성된다.
전술한 바와 같이, 지지 기판(S)과 피처리 기판(W)의 박리 경계선은, 박리가 진행됨에 따라서 원호 형상으로부터 직선 형상으로 변화해 간다. 따라서, 박리의 진행 단계에 따라서 변화하는 박리 경계선의 형상에 맞춰, 개별 영역(575) 및 개별 영역(576)의 홈을 형성함으로써, 박리 도중의 지지 기판(S)을 보다 적절하게 흡착 보유 지지해 둘 수 있어, 박리 처리의 도중에 지지 기판(S)이 제1 보유 지지부(56)로부터 벗어나게 되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 개별 영역(574)은 흡착 영역이 비교적 좁기 때문에, 홈을 형성하지 않는 것으로 하고 있지만, 개별 영역(574)에도 홈을 형성하는 경우에는, 개별 영역(575)과 마찬가지로, 박리의 진행 방향으로 볼록해지는 원호 형상의 홈을 형성하면 된다.
또한, 여기에서는, 개별 영역(575)에 원호 형상의 홈을 형성하고, 개별 영역(576)에 직선 형상의 홈을 형성하기로 하였지만, 개별 영역(575) 및 개별 영역(576)에, 또는 흡착 영역(570) 전체에, 박리의 진행 방향으로 볼록해지는 원호 형상의 홈을 형성하여도 된다.
또한, 접촉부(57)는 후술하는 이동부(61), 제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)에 의해 인장될 때, 그 형상을 유연하게 변화시킬 수 있도록 유연성을 갖는 부재로 형성된다. 구체적으로는, 접촉부(57)는 고무 등의 수지로 형성된다.
즉, 제1 보유 지지부(56)는 유연성을 갖는 접촉부(57)를 지지 기판(S)의 대략 전체면에 접촉시킴으로써, 지지 기판(S)의 대략 전체면을 흡착 보유 지지한다. 이로 인해, 후술하는 박리 처리에 있어서, 피처리 기판(W)에 대하여 큰 부하가 걸리지 않아, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 박리시킬 수 있다.
도 20으로 되돌아가서, 탄성 부재(58)에 대하여 설명한다. 탄성 부재(58)는 예를 들어 판 스프링 등으로 형성된다. 이러한 탄성 부재(58)를 유연성을 갖는 접촉부(57)에 설치함으로써, 박리의 진행 방향을 강제로 규제할 수 있어, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 보다 적절하게 박리시킬 수 있다.
도 20에 도시한 바와 같이, 탄성 부재(58)는 접촉부(57)의 개별 영역(574 내지 576)에 대응하여, 복수(여기서는, 3개)의 탄성 부재편(581, 582, 583)으로 분할된다.
도 23은, 탄성 부재(58)의 모식 평면도이다. 도 23에 도시한 바와 같이, 탄성 부재(58)는 박리의 진행 방향(예를 들어, X축 방향)에 직교하는 방향(예를 들어, Y축 방향)으로 연장하는 직선에 의해, 3개의 탄성 부재편(581, 582, 583)으로 분할된다. 이들 탄성 부재편(581, 582, 583)은, 박리의 진행 방향을 따라서, 탄성 부재편(581), 탄성 부재편(582) 및 탄성 부재편(583)의 순서로 배열하여 배치된다.
이동부(61)는 수평 부재(611)와, 지주 부재(612)와, 이동 기구(613)와, 로드셀(614)을 구비한다.
수평 부재(611)는 박리의 진행 방향(예를 들어, X축 방향)을 따라서 연장되는 판 형상의 부재이며, 제1 흡인부(53)의 상부에 X축 정방향측의 일단부가 고정된다.
지주 부재(612)는 연직 방향(예를 들어, Z축 방향)으로 연장되는 부재이며, 수평 부재(611)의 타단부에 일단부가 접속되고, 상측 베이스부(103)를 개재하여 이동 기구(613)에 타단부가 접속된다.
이동 기구(613)는 상측 베이스부(103)의 상부에 고정되며, 하부에 접속되는 지주 부재(612)를 연직 방향으로 이동시킨다.
이러한 이동부(61)는 이동 기구(613)에 의해 지주 부재(612) 및 수평 부재(611)를 연직 상방으로 이동시킴으로써, 제1 보유 지지부(56)의 외주부 일부, 구체적으로는, 접촉부(57)의 개별 영역(574: 도 21 참조)을 탄성 부재편(581) 및 제1 흡인부(53)를 개재하여 끌어올린다.
도 20에 도시한 바와 같이, 끌어올림의 역점이 되는 지주 부재(612)는 끌어올림의 지지점이 되는 제1 흡인부(53)보다도 박리의 진행 방향의 반대측에 배치된다. 이로 인해, 끌어올림의 작용점이 되는 중합 기판(T)의 외연부(박리의 개시 위치이며, 후술하는 「박리 개시 부위(M)」에 상당)에는, 도 20에 있어서 시계 방향의 회전력(모멘트)이 발생한다. 이에 의해, 이동부(61)는 지지 기판(S)을 그 외연부로부터 위로 넘기도록 하여 인장할 수 있기 때문에, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 효율적으로 박리시킬 수 있다.
또한, 이동부(61)는 지주 부재(612)에 가해지는 부하를 로드셀(614)에 의해 검출할 수 있다. 따라서, 이동부(61)는 로드셀(614)에 의한 검출 결과에 기초하여, 지지 기판(S)에 가해지는 힘을 제어하면서, 접촉부(57)의 개별 영역(574)을 인장할 수 있다.
제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)도 이동부(61)와 거의 마찬가지의 구성을 갖는다. 구체적으로는, 제1 추가 이동부(62)는 수평 부재(621)와, 지주 부재(622)와, 이동 기구(623)와, 로드셀(624)을 구비한다. 이러한 제1 추가 이동부(62)는 이동 기구(623)에 의해 지주 부재(622) 및 수평 부재(621)를 연직 상방으로 이동시킴으로써, 접촉부(57)의 개별 영역(575: 도 21 참조)을 탄성 부재편(582) 및 제2 흡인부(54)를 개재하여 끌어올린다.
또한, 제2 추가 이동부(63)는 수평 부재(631)와, 지주 부재(632)와, 이동 기구(633)와, 로드셀(634)을 구비한다. 이러한 제2 추가 이동부(63)는 이동 기구(633)에 의해 지주 부재(632) 및 수평 부재(631)를 연직 상방으로 이동시킴으로써, 접촉부(57)의 개별 영역(576: 도 21 참조)을 탄성 부재편(583) 및 제3 흡인부(55)를 개재하여 끌어올린다.
이들 제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)도, 이동부(61)와 마찬가지로, 끌어올림의 역점이 되는 지주 부재(622, 632)가, 끌어올림의 지지점이 되는 제2 흡인부(54), 제3 흡인부(55)보다도 박리의 기점측에 배치되어 있다. 따라서, 제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)는 각각 제2 흡인부(54) 및 제3 흡인부(55)를 위로 넘기도록 하여 인장할 수 있기 때문에, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 효율적으로 박리시킬 수 있다.
또한, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 박리하는 경우, 박리의 가장 기점측의 영역, 즉 후술하는 박리 개시 부위(M)에 대응하는 지지 기판(S)의 외주부를 박리하는데도 가장 큰 힘을 필요로 한다. 따라서, 수평 부재(611, 621, 631)는 기점측에 배치되는 수평 부재(611)를 가장 길게 형성하는 것이 바람직하다.
도 19로 되돌아가서, 박리 장치(5B)의 기타 구성에 대하여 설명한다. 제2 보유 지지부(70)는 제1 보유 지지부(56)의 하방에 배치된다.
제2 보유 지지부(70)는 중합 기판(T)의 피처리 기판(W)측을 다이싱 테이프(P)를 개재하여 흡착 보유 지지한다. 이러한 제2 보유 지지부(70)는 원판 형상의 본체부(71)와, 본체부(71)를 지지하는 지주 부재(72)를 구비한다.
본체부(71)는 예를 들어 알루미늄 등의 금속 부재로 형성된다. 이러한 본체부(71)의 상면에는, 흡착면(73)이 설치된다. 흡착면(73)은 다공질체이며, 예를 들어 PCTFE(폴리클로로트리플루오로에틸렌) 등의 수지 부재로 형성된다.
본체부(71)의 내부에는, 흡착면(73)을 개재하여 외부와 연통하는 흡인 공간(74)이 형성된다. 흡인 공간(74)은 흡기관(711)을 통해 진공 펌프 등의 흡기 장치(712)와 접속된다. 이러한 제2 보유 지지부(70)는 흡기 장치(712)의 흡기에 의해 발생하는 부압을 이용하고, 피처리 기판(W)의 비접합면(Wn)을 다이싱 테이프(P)를 개재하여 흡착면(73)에 흡착시킴으로써 중합 기판(T)을 흡착 보유 지지한다.
본체부(71)의 흡착면(73)은 피처리 기판(W)보다도 약간 직경이 크게 형성된다. 이에 의해, 피처리 기판(W)의 주연부에서의 흡인 누설을 방지할 수 있기 때문에, 중합 기판(T)을 보다 확실하게 흡착 보유 지지할 수 있다.
또한, 피처리 기판(W)과의 흡착면에 홈 등의 비흡착부가 형성되어 있으면, 이러한 비흡착부에 있어서 피처리 기판(W)에 균열이 발생할 우려가 있다. 따라서, 본체부(71)의 흡착면(73)은 홈 등의 비흡착부를 갖지 않는 평탄면으로 하였다. 이에 의해, 피처리 기판(W)에 균열이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 흡착면(73)을 PCTFE 등의 수지 부재로 형성하는 것으로 하였기 때문에, 피처리 기판(W)에의 데미지를 더욱 억제할 수 있다.
제2 보유 지지부(70)의 외방에는, 다이싱 프레임(F)을 하방으로부터 보유 지지하는 프레임 보유 지지부(80)가 배치된다. 프레임 보유 지지부(80)는 다이싱 프레임(F)을 흡착 보유 지지하는 복수의 흡착 패드(81)와, 흡착 패드(81)를 지지하는 지지 부재(82)와, 지지 부재(82)를 연직 방향으로 이동시키는 이동 기구(83)를 구비한다.
흡착 패드(81)는 고무 등의 탄성 부재에 의해 형성되고, 예를 들어 도 3b에 도시한 다이싱 프레임(F)의 네 코너에 대응하는 위치에 각각 설치된다. 이 흡착 패드(81)에는, 흡인구(도시하지 않음)가 형성되고, 진공 펌프 등의 흡기 장치(822)가 지지 부재(82) 및 흡기관(821)을 통해 상기의 흡인구에 접속된다.
프레임 보유 지지부(80)는 흡기 장치(822)의 흡기에 의해 발생하는 부압을 이용하여, 다이싱 프레임(F)을 흡착함으로써 다이싱 프레임(F)을 보유 지지한다. 또한, 프레임 보유 지지부(80)는 이동 기구(83)에 의해 지지 부재(82) 및 흡착 패드(81)를 연직 방향으로 이동시킴으로써, 흡착 패드(81)에 흡착 보유 지지된 다이싱 프레임(F)을 연직 방향으로 이동시킨다.
제2 보유 지지부(70) 및 프레임 보유 지지부(80)는 하측 베이스부(104)에 의해 하방으로부터 지지된다. 또한, 하측 베이스부(104)는 처리실(100)의 바닥면에 고정된 회전 승강 기구(105)에 의해 지지된다.
회전 승강 기구(105)는 하측 베이스부(104)를 연직축 주위에 회전시킴으로써, 하측 베이스부(104)에 지지된 제2 보유 지지부(70) 및 프레임 보유 지지부(80)를 일체적으로 회전시킨다. 또한, 회전 승강 기구(105)는 하측 베이스부(104)를 연직 방향으로 이동시킴으로써, 하측 베이스부(104)에 지지된 제2 보유 지지부(70) 및 프레임 보유 지지부(80)를 일체적으로 승강시킨다.
제2 보유 지지부(70)의 외방에는, 박리 유인부(90)가 배치된다. 이러한 박리 유인부(90)는 지지 기판(S)이 피처리 기판(W)으로부터 박리되는 계기가 되는 부위를 중합 기판(T)의 측면에 형성한다.
박리 유인부(90)는 예리 부재(91)와, 이동 기구(92)와, 승강 기구(93)를 구비한다. 예리 부재(91)는 예를 들어 평날이며, 날끝이 중합 기판(T)을 향해 돌출되도록 이동 기구(92)에 지지된다.
이동 기구(92)는 X축 방향으로 연장하는 레일을 따라 예리 부재(91)를 이동시킨다. 승강 기구(93)는 예를 들어 상측 베이스부(103)에 고정되며, 이동 기구(92)를 연직 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 예리 부재(91)의 높이 위치, 즉 중합 기판(T)의 측면에의 접촉 위치가 조절된다.
이러한 박리 유인부(90)는 승강 기구(93)를 이용하여 예리 부재(91)의 높이 위치를 조절한 후, 이동 기구(92)를 이용하여 예리 부재(91)를 수평 방향(예를 들어, X축 정방향)으로 이동시킴으로써, 예리 부재(91)를 지지 기판(S)에서의 접착제(G) 근처의 측면에 접촉시킨다. 이에 의해, 중합 기판(T)에, 지지 기판(S)이 피처리 기판(W)으로부터 박리되는 계기가 되는 부위(이하, 「박리 개시 부위」라고 기재함)가 형성된다.
이어서, 박리 장치(5B)의 구체적인 동작에 대하여 도 24 및 도 25a 내지 도 25g를 참조하여 설명한다. 도 24는, 박리 처리의 처리 수순을 나타내는 흐름도이다. 또한, 도 25a 내지 도 25g는 제3 실시 형태에 따른 박리 장치(5B)가 행하는 박리 동작의 설명도이다. 또한, 박리 장치(5B)는, 제어 장치(30)의 제어에 기초하여, 도 24에 나타내는 각 처리 수순을 실행한다.
다이싱 프레임(F)에 고정된 중합 기판(T)이 처리실(100) 내로 반입되면, 박리 장치(5B)는, 우선 중합 기판(T)의 피처리 기판(W)측과 다이싱 프레임(F)을 각각 제2 보유 지지부(70) 및 프레임 보유 지지부(80)를 이용하여 하방으로부터 흡착 보유 지지한다(스텝 S401). 이때, 도 25a에 도시한 바와 같이, 피처리 기판(W) 및 다이싱 프레임(F)은, 다이싱 테이프(P)가 수평하게 붙여진 상태에서, 제2 보유 지지부(70) 및 프레임 보유 지지부(80)에 보유 지지된다.
이어서, 박리 장치(5B)는, 프레임 보유 지지부(80)의 이동 기구(83: 도 19 참조)를 이용하여 프레임 보유 지지부(80)를 강하시켜서, 프레임 보유 지지부(80)에 보유 지지된 다이싱 프레임(F)을 강하시킨다(스텝 S402). 이에 의해, 박리 유인부(90)의 예리 부재(91)를 중합 기판(T)을 향해 진출시키기 위한 스페이스가 확보된다(도 25b 참조).
이어서, 박리 장치(5B)는, 박리 유인부(90)를 이용하여 박리 유인 처리를 행한다(스텝 S403). 박리 유인 처리는, 지지 기판(S)이 피처리 기판(W)으로부터 박리하는 계기가 되는 부위(박리 개시 부위)를 중합 기판(T)에 형성한다(도 25c 참조).
여기서, 박리 유인 처리의 내용에 대하여 도 26a 내지 도 26c를 참조하여 구체적으로 설명한다. 도 26a 내지 도 26c는 박리 유인 처리의 동작 설명도이다.
또한, 이 박리 유인 처리는, 중합 기판(T) 중 피처리 기판(W)이 제2 보유 지지부(70)에 의해 보유 지지되고, 다이싱 프레임(F)이 프레임 보유 지지부(80)에 의해 보유 지지된 후, 또한, 중합 기판(T) 중 지지 기판(S)이 제1 보유 지지부(56)에 의해 보유 지지되기 전에 행해진다. 즉, 박리 유인 처리는, 지지 기판(S)이 자유인 상태에서 행해진다.
박리 장치(5B)는, 승강 기구(93: 도 19 참조)를 이용하여 예리 부재(91)의 높이 위치를 조정한 후, 이동 기구(92)를 이용하여 예리 부재(91)를 중합 기판(T)의 측면을 향해 이동시킨다. 구체적으로는, 도 26a에 도시한 바와 같이, 중합 기판(T)의 측면 중, 지지 기판(S)의 접착제(G) 근처의 측면을 향해 예리 부재(91)를 대략 수평으로 이동시킨다.
여기서, 「지지 기판(S)의 접착제(G) 근처의 측면」은, 지지 기판(S)의 측면 중, 지지 기판(S)의 두께의 절반 위치(h)보다도 접합면(Sj) 근처의 측면을 말한다. 구체적으로는, 지지 기판(S)의 측면은 단면에서 보아 대략 원호 형상으로 형성되어 있으며, 「지지 기판(S)의 접착제(G) 근처의 측면」은, 예리 부재(91)의 날끝 경사면(91a)과의 이루는 각도 θ가 0°이상 90°미만인 측면이다.
예리 부재(91)는 편평날이며, 경사면(91a)을 상방을 향한 상태에서 이동 기구(92)에 지지된다. 이와 같이, 경사면(91a)을 지지 기판(S)측을 향한 편평날을 예리 부재(91)로서 사용함으로써 양평날을 사용한 경우에 비하여, 예리 부재(91)를 중합 기판(T) 내에 진입시켰을 때 피처리 기판(W)이 받는 부하를 억제할 수 있다.
박리 장치(5B)는, 우선 예리 부재(91)를 미리 결정된 위치까지 전진시킨다(예비 전진). 그 후, 박리 장치(5B)는, 예리 부재(91)를 더 전진시켜서 예리 부재(91)를 지지 기판(S)의 접착제(G) 근처의 측면에 접촉시킨다. 또한, 박리 유인부(90)에는, 예를 들어 로드셀(도시하지 않음)이 설치되어 있으며, 박리 장치(5B)는, 이 로드셀을 이용하여 예리 부재(91)에 가해지는 부하를 검출함으로써, 예리 부재(91)가 지지 기판(S)에 접촉한 것을 검출한다.
전술한 바와 같이 지지 기판(S)의 측면은 단면에서 보아 대략 원호 형상으로 형성되어 있다. 따라서, 예리 부재(91)가 지지 기판(S)의 접착제(G) 근처의 측면에 접촉함으로써, 지지 기판(S)에는, 상방을 향한 힘이 가해지게 된다.
이어서, 도 26b에 도시한 바와 같이, 박리 장치(5B)는, 예리 부재(91)를 더 전진시킨다. 이에 의해, 지지 기판(S)은, 측면의 만곡을 따라서 상방으로 밀어 올려진다. 이 결과, 지지 기판(S)의 일부가 접착제(G)로부터 박리하여 박리 개시 부위(M)가 형성된다.
또한, 지지 기판(S)은 제1 보유 지지부(56)에는 아직 보유 지지되어 있지 않으며 자유인 상태이기 때문에, 지지 기판(S)의 상방으로의 이동이 저해될 일이 없다. 도 26b에 도시한 처리에 있어서, 예리 부재(91)를 전진시키는 거리(D1)는, 예를 들어 2㎜ 정도이다.
박리 장치(5B)는, 박리 개시 부위(M)가 형성된 것을 확인하는 확인 장치를 구비하고 있어도 된다. 예를 들어, 지지 기판(S)의 상방에 설치되는 IR(Infrared) 카메라를 확인 장치로서 이용할 수 있다.
적외선은, 지지 기판(S)에 있어서 피처리 기판(W)으로부터 박리한 부위와 박리하지 않은 부위에서 그 반사율이 변화한다. 따라서, 우선 IR 카메라로 지지 기판(S)을 촬영함으로써, 지지 기판(S)에서의 적외선 반사율의 차이 등이 나타난 화상 데이터가 얻어진다. 이러한 화상 데이터는 제어 장치(30)에 송신되고, 제어 장치(30)에서는, 이 화상 데이터에 기초하여, 지지 기판(S)에 있어서 피처리 기판(W)으로부터 박리한 부위, 즉 박리 개시 부위(M)를 검출할 수 있다.
박리 개시 부위(M)가 검출된 경우, 박리 장치(5B)는, 후술하는 다음 처리로 이행한다. 한편, 제어 장치(30)에 있어서 박리 개시 부위(M)가 검출되지 않은 경우, 박리 장치(5B)는, 예를 들어 예리 부재(91)를 더 전진시키거나, 또는 예리 부재(91)를 일단 후퇴시켜서 지지 기판(S)으로부터 이격하고, 그 후, 도 26a, 도 26b에 나타내는 동작을 다시 실행하는 등을 행하여, 박리 개시 부위(M)를 형성하도록 한다. 이와 같이, 지지 기판(S)의 박리 상태를 확인하는 확인 장치를 설치하고, 박리 상태에 따라서 박리 장치(5B)를 동작시킴으로써, 박리 개시 부위(M)를 확실하게 형성할 수 있다.
박리 개시 부위(M)가 형성되면, 박리 장치(5B)는, 도 26c에 도시한 바와 같이, 회전 승강 기구(105: 도 19 참조)를 이용하여 제2 보유 지지부(70) 및 프레임 보유 지지부(80)를 강하시키면서, 예리 부재(91)를 더 전진시킨다. 이에 의해, 피처리 기판(W) 및 접착제(G)에는 하방을 향한 힘이 가해지고, 예리 부재(91)에 의해 지지된 지지 기판(S)에는 상방을 향한 힘이 가해진다. 이에 의해, 박리 개시 부위(M)가 확대된다.
또한, 도 26c에 나타내는 처리에 있어서, 예리 부재(91)를 전진시키는 거리(d2)는, 예를 들어 1㎜ 정도이다.
이와 같이, 박리 장치(5B)는, 지지 기판(S)의 접착제(G) 근처의 측면에 예리 부재(91)를 접촉시킴으로써, 지지 기판(S)이 피처리 기판(W)으로부터 박리되는 계기가 되는 박리 개시 부위(M)를 중합 기판(T)의 측면에 형성할 수 있다.
지지 기판(S)은, 접착제(G)의 약 5 내지 15배 정도의 두께를 갖는다. 따라서, 예리 부재(91)를 접착제(G)에 접촉시켜서 박리 개시 부위를 형성하는 경우와 비교하여, 예리 부재(91)의 연직 방향의 위치 제어가 용이하다.
또한, 지지 기판(S)의 접착제(G) 근처의 측면에 예리 부재(91)를 접촉시킴으로써, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 벗겨내는 방향의 힘(즉, 상향의 힘)을 지지 기판(S)에 가할 수 있다. 게다가, 지지 기판(S)의 최외연부에 가까운 부위를 들어올리기 때문에, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 벗겨내는 방향의 힘을 지지 기판(S)에 대하여 효율적으로 가할 수 있다.
또한, 예리 부재(91)를 접착제(G)에 접촉하는 경우와 비교하여, 예리 부재(91)가 피처리 기판(W)에 접촉할 가능성을 저하시킬 수 있다. 따라서, 예리 부재(91)에 의한 피처리 기판(W)의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 「지지 기판(S)의 접착제(G) 근처의 측면」은, 보다 바람직하게는 지지 기판(S)의 접합면(Sj)로부터 지지 기판(S)의 두께 1/4의 위치까지의 측면, 즉 예리 부재(91)와 이루는 각도(θ)가 0°이상 45°이하의 측면인 것이 바람직하다. 예리 부재(91)와 이루는 각도(θ)가 작을수록, 지지 기판(S)을 들어올리는 힘을 크게 할 수 있기 때문이다.
또한, 지지 기판(S)과 접착제(G)의 접착력이 비교적 약한 경우에는, 도 26a에 도시한 바와 같이, 예리 부재(91)를 지지 기판(S)의 접착제(G) 근처의 측면에 접촉시키는 것만으로 박리 개시 부위(M)를 형성하는 것이 가능하다. 이 경우, 도 26b 및 도 26c에 나타내는 동작을 생략할 수 있다.
또한, 지지 기판(S)과 접착제(G)의 접착력이 비교적 강한 경우에는, 박리 장치(5B)는, 예를 들어 도 26c에 나타내는 상태로부터 회전 승강 기구(105)를 이용하여 중합 기판(T)을 연직축 주위로 더 회전시켜도 된다. 이에 의해, 박리 개시 부위(M)가 중합 기판(T)의 주위 방향으로 확대되기 때문에, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 박리하기 쉽게 할 수 있다.
여기서, 예리 부재(91)의 날끝의 형상에 대하여 도 27a 내지 도 27c를 참조하여 설명한다. 도 27a 내지 도 27c는, 예리 부재(91)의 날끝의 형상예를 나타내는 모식 평면도이다.
도 27a에 도시한 바와 같이, 예리 부재(91)의 날끝(911)은 평면에서 보아 직선 형상으로 형성되어 있어도 된다. 그러나, 도 27a에 도시한 바와 같이, 지지 기판(S)(중합 기판(T))의 주연부는 원호 형상이다. 이로 인해, 예리 부재(91)의 날끝이 평면에서 보아 직선 형상으로 형성되어 있으면, 평면에서 보아 지지 기판(S)과 교차하는 날끝의 2점(도 27a의 P1, P2)에 대하여 부하가 집중되기 쉬워, 날의 이 빠짐 등이 발생할 우려가 있다.
따라서, 예를 들어 도 27b에 도시한 바와 같이, 예리 부재(91)의 날끝(911)은 지지 기판(S)의 외주부의 형상을 따라서 원호 형상으로 오목해진 형상으로 하여도 된다. 이에 의해, 날끝(911) 전체가 균등하게 지지 기판(S)에 접촉하기 때문에, 날끝(911)의 특정 개소에 부하가 집중하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 27c에 도시한 바와 같이, 예리 부재(91)의 날끝(911)은 그 중심부가 지지 기판(S)을 향해 원호 형상으로 돌출된 형상으로 하여도 된다. 이에 의해, 날끝(911)을 직선 형상으로 형성한 경우와 비교하여, 날끝(911)의 보다 많은 부분을 중합 기판(T) 내에 진입시킬 수 있기 때문에, 지지 기판(S)에 상방을 향한 힘을 가했을 때 예리 부재(91)에 가해지는 부하를 보다 넓은 면적에서 받을 수 있어, 부하의 집중을 방지할 수 있다.
또한, 날끝(911)의 형상을 도 27b에 도시한 형상으로 한 경우, 지지 기판(S)은, 예리 부재(91)로부터 균등한 방향의 힘을 받는다. 한편, 날끝(911)의 형상을 도 27c에 도시한 형상으로 한 경우에는, 지지 기판(S)은, 예리 부재(91)의 날끝(911)의 중심부를 시점으로 하여 확산하는 방향의 힘을 받게 된다.
스텝 S403의 박리 유인 처리를 종료하면, 박리 장치(5B)는, 회전 승강 기구(105: 도 19 참조)를 이용하여 제2 보유 지지부(70) 및 프레임 보유 지지부(80)를 상승시켜서, 중합 기판(T)의 지지 기판(S)측을 제1 보유 지지부(56)의 접촉부(57)에 접촉시킨다(도 25d 참조). 그리고, 박리 장치(5B)는 흡기 장치(532, 542, 552)에 의한 흡기 동작을 개시시켜서, 지지 기판(S)을 제1 보유 지지부(56)에서 흡착 보유 지지한다(스텝 S404).
이어서, 박리 장치(5B)는, 이동부(61: 도 19 참조)를 동작시켜서(스텝 S405), 박리 개시 부위(M)에 대응하는 제1 보유 지지부(56)의 외주부 일부, 즉 개별 영역(574: 도 21 참조)을 제2 보유 지지부(70)로부터 이격하는 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 지지 기판(S)의 외주부 일부가 피처리 기판(W)으로부터 박리한다(도 25e 참조).
이때, 제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)는 아직 동작하고 있지 않기 때문에, 지지 기판(S)은, 제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)에 의해 상방으로부터 압박된 상태에서, 이동부(61)에 의해 외주부 일부가 인장되게 된다. 따라서, 지지 기판(S)의 외주부 일부를 피처리 기판(W)으로부터 효율적으로 박리시킬 수 있다.
또한, 탄성 부재(58)는 탄성 부재편(581 내지 583)으로 분할되어 있기 때문에, 이동부(61)에 의해 탄성 부재편(581)이 인장된 경우이더라도, 탄성 부재편(582)이나 탄성 부재편(583)에는 상방을 향한 힘이 가해지기 어렵다. 따라서, 제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)에 의해 지지 기판(S)이 압박된 상태를 보유 지지하기 쉽기 때문에, 지지 기판(S)의 외주부 일부를 피처리 기판(W)으로부터 보다 효율적으로 박리시킬 수 있다.
또한, 제1 보유 지지부(56)의 접촉부(57)는 유연성을 갖는 수지 부재로 형성되기 때문에, 이동부(61)가 제1 보유 지지부(56)를 인장하였을 때에, 이러한 인장에 수반하여 유연하게 변형된다. 이로 인해, 피처리 기판(W)에 대하여 큰 부하가 걸리지 않아, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 박리시킬 수 있다. 게다가, 접촉부(57)가 유연성을 가짐으로써, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 박리시키는 힘에 「점성」을 가할 수 있기 때문에, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 효율적으로 박리시킬 수 있다.
이어서, 박리 장치(5B)는, 제1 추가 이동부(62: 도 19 참조)를 동작시켜서(스텝 S406), 제1 보유 지지부(56)의 개별 영역(575: 도 21 참조)을 제2 보유 지지부(70)로부터 이격하는 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 이동부(61)에 의해 피처리 기판(W)으로부터 박리된 지지 기판(S)의 외주부에 계속해서, 지지 기판(S)에서의 개별 영역(575)에 흡착 보유 지지된 부분이 피처리 기판(W)으로부터 박리한다(도 25f 참조).
이때, 제2 추가 이동부(63)는 아직 동작하고 있지 않기 때문에, 지지 기판(S)은, 제2 추가 이동부(63)에 의해 상방으로부터 압박된 상태에서, 제1 추가 이동부(62)에 의해 인장되게 된다. 따라서, 지지 기판(S)에서의 개별 영역(575)에 흡착 보유 지지된 부분을 피처리 기판(W)으로부터 효율적으로 박리시킬 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 탄성 부재(58)는 탄성 부재편(581 내지 583)으로 분할되어 있기 때문에, 제1 추가 이동부(62)에 의해 탄성 부재편(582)이 인장된 경우이더라도, 탄성 부재편(583)에는 상방을 향한 힘이 가해지기 어렵다. 따라서, 제2 추가 이동부(63)에 의해 지지 기판(S)이 압박된 상태를 보유 지지하기 쉽기 때문에, 지지 기판(S)에서의 개별 영역(575)에 흡착 보유 지지된 부분을 피처리 기판(W)으로부터 보다 효율적으로 박리시킬 수 있다.
이어서, 박리 장치(5B)는, 제2 추가 이동부(63: 도 19 참조)를 동작시켜서(스텝 S407), 제1 보유 지지부(56)의 개별 영역(576: 도 21 참조)을 제2 보유 지지부(70)로부터 이격하는 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 제1 추가 이동부(62)에 의해 피처리 기판(W)으로부터 박리된 지지 기판(S)의 부분에 계속해서, 지지 기판(S)에서의 개별 영역(576)에 흡착 보유 지지된 부분이 피처리 기판(W)으로부터 박리한다.
이와 같이, 박리 장치(5B)는, 이동부(61)를 동작시킨 후, 제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)를 박리의 기점측에 가까운 제1 추가 이동부(62)부터 순서대로 단계적으로 동작시킨다. 이에 의해, 지지 기판(S)을 그 일단부로부터 타단부를 향해 피처리 기판(W)으로부터 연속적으로 박리시킬 수 있다.
그 후, 박리 장치(5B)는, 제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)를 이용하여 제1 보유 지지부(56)의 개별 영역(575, 576)을 상승시키거나, 또는 이동부(61) 및 제1 추가 이동부(62)를 이용하여 개별 영역(574, 575)을 강하시키는 등을 행하여 지지 기판(S)을 수평하게 한 후에, 박리 처리를 종료한다(도 25g 참조).
전술한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 박리 장치(5B)는, 제1 보유 지지부(56)와, 제2 보유 지지부(70)와, 이동부(61)를 구비한다. 제1 보유 지지부(56)는 지지 기판(S)(제1 기판의 일례에 상당)과 피처리 기판(W)(제2 기판의 일례에 상당)이 접합된 중합 기판(T) 중 지지 기판(S)을 보유 지지한다. 제2 보유 지지부(70)는 중합 기판(T) 중 피처리 기판(W)을 보유 지지한다. 이동부(61)는 제1 보유 지지부(56)의 외주부 일부를 제2 보유 지지부(70)로부터 이격하는 방향으로 이동시킨다. 또한, 제1 보유 지지부(56)는 유연성을 갖고, 지지 기판(S)의 대략 전체면에 접촉하는 접촉부(57)와, 접촉부(57)에 설치되고, 지지 기판(S)에서의 접촉부(57)와의 접촉면을 흡인하는 제1 흡인부(53)(흡인부의 일례에 상당)를 구비한다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 박리 장치(5B)에 의하면, 박리 처리의 효율화를 도모할 수 있다.
그런데, 전술한 실시 형태에서는, 탄성 부재(58)를 분할함으로써, 제1 추가 이동부(62)나 제2 추가 이동부(63)에 의해 지지 기판(S)이 압박된 상태를 유지하기 쉽게 하는 것으로 하였지만, 접촉부(57) 자체를 더 분할하여도 된다. 도 28은, 제1 변형예에 따른 접촉부의 구성을 나타내는 모식 저면도이다. 또한, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 마찬가지의 부분에 대해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 부여하고, 중복된 설명을 생략한다.
도 28에 도시한 바와 같이, 제1 변형예에 따른 접촉부(57A)는, 개별 영역(574)에 대응하는 부위가 다른 부위와 분할되어 있다.
여기서, 전술한 바와 같이, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 박리하는 경우, 박리의 가장 기점측의 영역을 박리하는데도 가장 큰 힘을 필요로 한다. 따라서, 박리의 가장 기점측에 설치되는 개별 영역(574)에 대응하는 접촉부(57A)의 부위를 분할함으로써, 이동부(61)를 이용하여 개별 영역(574)을 인장하였을 때, 제1 추가 이동부(62) 및 제2 추가 이동부(63)에 의해 개별 영역(575, 576)이 압박된 상태를 보다 확실하게 유지할 수 있어, 지지 기판(S)의 외주부 일부를 피처리 기판(W)으로부터 보다 확실하게 박리시킬 수 있다.
또한, 접촉부(57A)는, 개별 영역(575)에 대응하는 부위가 개별 영역(576)에 대응하는 부위로부터 더 분할되어 있어도 된다. 즉, 접촉부(57A)는 개별 영역(574 내지 576)마다 분할되어 있어도 된다.
또한, 전술한 실시 형태에서는, 접촉부(57)의 각 개별 영역(574 내지 576)에 흡인구(571 내지 573)가 각각 1개씩 설치되는 경우의 예에 대하여 설명하였지만, 1개의 개별 영역(574 내지 576)에 복수의 흡인구가 형성되어도 된다. 도 29는, 제2 변형예에 따른 접촉부의 구성을 나타내는 모식 저면도이다.
예를 들어, 도 29에 도시한 바와 같이, 제2 변형예에 따른 접촉부(57B)는, 박리의 진행 방향을 따라 배치된 3개의 흡인구(571 내지 573)에 더하여, 개별 영역(575)에 대하여 2개의 흡인구(572A, 572B)를 더 구비한다. 흡인구(572) 및 흡인구(572A, 572B)는, 개별 영역(575)에 대하여 원호 형상으로 배열하여 배치된다. 또한, 흡인구(572) 및 흡인구(572A, 572B)는, 1개의 흡기 장치(542: 도 19 참조)에 접속되어도 되고, 각각 개별의 흡기 장치에 접속되어도 된다.
이와 같이, 1개의 개별 영역(575)에 대하여 복수의 흡인구(572, 572A, 572B)를 설치함으로써, 지지 기판(S)을 보다 강력하게 보유 지지해 둘 수 있다.
또한, 여기에서는, 개별 영역(575)에 대하여 합계 3개의 흡인구(572, 572A, 572B)를 설치하는 경우의 예를 나타내었지만, 개별 영역(575)에 대하여 4개 이상의 흡인구를 설치해도 된다. 마찬가지로, 개별 영역(574)이나 개별 영역(576)에도 복수의 흡인구를 설치해도 된다.
또한, 전술한 실시 형태에서는, 박리 대상으로 되는 중합 기판이, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)이 접착제(G)에 의해 접합된 중합 기판(T)인 경우의 예에 대하여 설명하였다. 그러나, 박리 장치의 박리 대상으로 되는 중합 기판은, 이 중합 기판(T)에 한정되지 않는다. 예를 들어, 박리 장치(5B)에서는, SOI 기판을 생성하기 위해서, 절연막이 형성된 도너 기판과 피처리 기판이 접합된 중합 기판을 박리 대상으로 하는 것도 가능하다.
<제4 실시 형태에 따른 박리 장치>
이어서, 박리 스테이션(15)에 설치되는 제4 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성에 대하여 도 30을 참조하여 설명한다. 도 30은, 제4 실시 형태에 따른 박리 장치(5C)의 구성을 나타내는 모식 측면도이다. 제4 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성 중에서, 제3 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성과 마찬가지의 부분에 대해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 부여하고, 중복된 설명을 생략한다.
박리 장치(5C)는, 제1 보유 지지부(50)와, 이동부(60)와, 제2 보유 지지부(70)와, 프레임 보유 지지부(80)와, 박리 유인부(90)를 구비하고, 이들은 처리실(100)의 내부에 배치된다.
박리 장치(5C)는, 중합 기판(T)의 지지 기판(S)측을 제1 보유 지지부(50)에 의해 상방으로부터 흡착 보유 지지하고, 중합 기판(T)의 피처리 기판(W)측을 제2 보유 지지부(70)에 의해 하방으로부터 흡착 보유 지지한다. 그리고, 박리 장치(5C)는, 이동부(60)에 의해, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)의 판면으로부터 이격하는 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 제1 보유 지지부에 보유 지지된 지지 기판(S)이, 그 일단부로부터 타단부를 향해 피처리 기판(W)으로부터 연속적으로 박리한다. 이하, 각 구성 요소에 대하여 구체적으로 설명한다.
제1 보유 지지부(50)는 탄성 부재(51)와, 복수의 흡착부(52)를 구비한다. 탄성 부재(51)는 박판 형상의 부재이며, 예를 들어 판금 등의 금속으로 형성된다. 이러한 탄성 부재(51)는 지지 기판(S)의 상방에 있어서 지지 기판(S)과 대향 배치된다.
복수의 흡착부(52)는 탄성 부재(51)에서의 지지 기판(S)과의 대향면에 설치된다. 각 흡착부(52)는 탄성 부재(51)에 고정되는 본체부(521)와, 이 본체부(521)의 하부에 설치되는 흡착 패드(522)를 구비한다.
각 흡착부(52)는 흡기관(523)을 통해 진공 펌프 등의 흡기 장치(524)에 접속된다. 제1 보유 지지부(50)는 흡기 장치(524)가 발생시키는 흡인력에 의해, 복수의 흡착부(52)에서 지지 기판(S)의 비접합면(Sn)을 흡착한다. 이에 의해, 지지 기판(S)은, 제1 보유 지지부(50)에 흡착 보유 지지된다.
또한, 흡착부(52)가 구비하는 흡착 패드(522)로서는, 변형량이 적은 타입의 것이 바람직하다. 이것은, 후술하는 이동부(60)가 제1 보유 지지부(50)를 인장하였을 때 흡착 패드(522)가 크게 변형되면, 이러한 변형에 수반하여 지지 기판(S)의 피흡착 부분이 크게 변형되어, 지지 기판(S) 또는 피처리 기판(W)이 데미지를 받을 우려가 있기 때문이다. 구체적으로는, 흡착 패드(522)로서는, 예를 들어, 흡착면에 리브를 갖는 것이나, 공간의 높이가 0.5㎜ 이하인 플랫 패드 등을 사용하는 것이 바람직하다.
여기서, 제1 보유 지지부(50)의 구성에 대하여 도 31을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 31은 제1 보유 지지부(50)의 모식 평면도이다.
도 31에 도시한 바와 같이, 제1 보유 지지부(50)가 구비하는 복수의 흡착부(52)는 탄성 부재(51)에 대하여 원환 형상으로 배열하여 배치되어 있으며, 지지 기판(S)의 외주부와 대향하고, 지지 기판(S)의 외주부를 각각 흡착한다. 여기에서는, 탄성 부재(51)에 대하여 8개의 흡착부(52)가 설치되는 경우의 예를 나타내었지만, 탄성 부재(51)에 설치되는 흡착부(52)의 개수는, 8개로 한정되지 않는다.
이들 복수의 흡착부(52) 중, 박리의 가장 기점측(예를 들어, X축 부방향측)에 배치되는 흡착부(52)는 후술하는 박리 유인부(90)에 의해 중합 기판(T)에 형성되는 박리 개시 부위(M)에 대응하는 위치에 배치된다.
탄성 부재(51)는 본체부(511)와 연장부(512)를 구비한다. 본체부(511)는 외경이 지지 기판(S)과 대략 동일한 직경이면서, 중앙부가 중공인 원환 형상의 프레임체이다. 복수의 흡착부(52)는 이러한 본체부(511)의 하면, 즉 지지 기판(S)과의 대향면에, 본체부(511)의 형상을 따라서 원환 형상으로 배열된다.
연장부(512)는 본체부(511)의 외주부 중, 박리의 가장 기점측에 위치하는 외주부(예를 들어, X축 부방향측의 외주부)의 일부를 박리의 진행 방향과는 반대측(X축 부방향측)을 향해 연장시킨 부위이며, 이러한 연장부(512)의 선단에 이동부(60)의 지주 부재(601)가 접속된다.
도 30으로 되돌아가서, 박리 장치(5C)의 기타 구성에 대하여 설명한다. 이동부(60)는 지주 부재(601)와, 이동 기구(602)와, 로드셀(603)을 구비한다.
지주 부재(601)는 연직 방향(예를 들어, Z축 방향)으로 연장되는 부재이며, 일단부가 탄성 부재(51)의 연장부(512: 도 31 참조)에 접속되고, 타단부가 상측 베이스부(103)를 개재하여 이동 기구(602)에 접속된다.
이동 기구(602)는 상측 베이스부(103)의 상부에 고정되며, 하부에 접속되는 지주 부재(601)를 연직 방향으로 이동시킨다. 로드셀(603)은 지주 부재(601)에 가해지는 부하를 검출한다.
이러한 이동부(60)는 이동 기구(602)를 이용하여 지주 부재(601)를 연직 상방으로 이동시킴으로써, 지주 부재(601)에 접속된 제1 보유 지지부(50)를 끌어올린다. 이때, 이동부(60)는 로드셀(603)에 의한 검출 결과에 기초하여, 지지 기판(S)에 가해지는 힘을 제어하면서, 제1 보유 지지부(50)를 인장할 수 있다.
여기서, 도 31에 도시한 바와 같이, 끌어올림의 역점이 되는 지주 부재(601)는 끌어올림의 지지점이 되는 흡착부(52), 즉 박리의 가장 기점측(예를 들어, X축 부방향측)에 배치되는 흡착부(52)보다도 박리의 진행 방향인 반대측에 배치된다.
따라서, 끌어올림의 작용점이 되는 중합 기판(T)의 외연부(박리의 개시 위치이며, 후술하는 「박리 개시 부위(M)」에 상당)에는, 도 30에 있어서 시계 방향의 회전력(모멘트)이 발생한다. 이에 의해, 이동부(60)는 지지 기판(S)을 그 외연부로부터 위로 넘기도록 하여 인장할 수 있어, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 효율적으로 박리시킬 수 있다.
또한, 제1 보유 지지부(50)는 이동부(60)에 의해 지지되며, 이동부(60)는 상측 베이스부(103)에 의해 지지된다. 또한, 상측 베이스부(103)는 처리실(100)의 천장부에 부착된 고정 부재(101)에 지주(102)를 개재하여 지지된다.
다음으로, 박리 장치(5C)의 구체적인 동작에 대하여 도 32 및 도 33a 내지 도 33g를 참조하여 설명한다. 도 32는, 제4 실시 형태에 따른 박리 장치(5C)가 행하는 박리 처리의 처리 수순을 나타내는 흐름도이다. 또한, 도 33a 내지 도 33g는 박리 동작의 설명도이다. 또한, 박리 장치(5C)는, 제어 장치(30)의 제어에 기초하여, 도 32에 도시한 각 처리 수순을 실행한다.
다이싱 프레임(F)에 고정된 중합 기판(T)이 처리실(100) 내로 반입되면, 박리 장치(5C)는, 우선 중합 기판(T)의 피처리 기판(W)측과 다이싱 프레임(F)을 각각 제2 보유 지지부(70) 및 프레임 보유 지지부(80)를 이용하여 하방으로부터 흡착 보유 지지한다(스텝 S501). 이때, 도 33a에 도시한 바와 같이, 피처리 기판(W) 및 다이싱 프레임(F)은, 다이싱 테이프(P)가 수평하게 붙여진 상태에서, 제2 보유 지지부(70) 및 프레임 보유 지지부(80)에 보유 지지된다.
이어서, 박리 장치(5C)는, 프레임 보유 지지부(80)의 이동 기구(83: 도 30 참조)를 이용하여 프레임 보유 지지부(80)를 강하시켜서, 프레임 보유 지지부(80)에 보유 지지된 다이싱 프레임(F)을 강하시킨다(스텝 S502). 이에 의해, 박리 유인부(90)의 예리 부재(91)를 중합 기판(T)을 향해 진출시키기 위한 스페이스가 확보된다(도 33b 참조).
이어서, 박리 장치(5C)는, 박리 유인부(90)를 이용하여 박리 유인 처리를 행한다(스텝 S503). 박리 유인 처리는, 지지 기판(S)이 피처리 기판(W)으로부터 박리하는 계기가 되는 부위(박리 개시 부위(M))를 중합 기판(T)에 형성한다(도 33c 참조).
여기서, 박리 장치(5C)의 박리 유인 처리의 동작은 전술한 박리 장치(5B)의 박리 유인 처리의 동작과 동일하므로, 그 구체적인 설명은 생략한다. 또한, 박리 장치(5C)의 예리 부재(91)의 날끝 형상은 박리 장치(5B)의 예리 부재(91)의 날끝 형상과 동일하므로, 그 구체적인 설명은 생략한다.
스텝 S503의 박리 유인 처리를 종료하면, 박리 장치(5C)는, 회전 승강 기구(105: 도 30 참조)를 이용하여 제2 보유 지지부(70) 및 프레임 보유 지지부(80)를 상승시켜서, 중합 기판(T)의 지지 기판(S)측을 제1 보유 지지부(50)의 복수의 흡착부(52)에 접촉시킨다(도 33d 참조). 그리고, 박리 장치(5C)는, 흡기 장치(524)에 의한 흡기 동작을 개시시켜서, 지지 기판(S)을 제1 보유 지지부(50)에서 흡착 보유 지지한다(스텝 S504).
이어서, 박리 장치(5C)는, 이동부(60: 도 30 참조)를 동작시켜서(스텝 S505), 제1 보유 지지부(50)의 외주부 일부, 구체적으로는, 탄성 부재(51)의 연장부(512: 도 31 참조)를 제2 보유 지지부(70)로부터 이격하는 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 박리의 가장 기점측에 배치되는 흡착부(52)가 인장되어, 지지 기판(S)이 박리 개시 부위(M)를 기점으로 하여 피처리 기판(W)으로부터 박리하기 시작한다(도 33e 참조).
여기서, 제1 보유 지지부(50)의 탄성 부재(51)는 탄성을 갖기 때문에, 이동부(60)가 제1 보유 지지부(50)를 인장하였을 때, 이러한 인장에 수반하여 유연하게 변형된다. 이로 인해, 피처리 기판(W)에 대하여 큰 부하가 걸리지 않아, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 박리시킬 수 있다. 게다가, 탄성 부재(51)가 유연성을 가짐으로써, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 박리시키는 힘에 「점성」을 가할 수 있기 때문에, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 효율적으로 박리시킬 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 탄성 부재(51)에 연장부(512)를 설치하고, 이러한 연장부(512)에 이동부(60)의 지주 부재(601)를 접속하는 것으로 하였기 때문에, 지지 기판(S)을 인장하는 힘에 회전력(모멘트)을 가할 수 있다. 따라서, 지지 기판(S)을 그 외연부로부터 위로 넘기도록 하여 인장할 수 있기 때문에, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 효율적으로 박리시킬 수 있다.
그 후, 박리 장치(5C)는, 이동부(60)를 이용하여 제1 보유 지지부(50)를 더 끌어올린다. 이에 의해, 지지 기판(S)에서의 X축 부방향측의 단부로부터 X축 정방향측의 단부를 향해 박리가 연속적으로 진행해 가고(도 33f 참조), 최종적으로, 피처리 기판(W)으로부터 지지 기판(S)이 박리한다(도 33g 참조). 그 후, 박리 장치(5C)는, 박리 처리를 종료한다.
전술한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 박리 장치(5C)는, 제1 보유 지지부(50)와, 제2 보유 지지부(70)와, 이동부(60)를 구비한다. 제1 보유 지지부(50)는 지지 기판(S)(제1 기판의 일례에 상당)과 피처리 기판(W)(제2 기판의 일례에 상당)가 접합된 중합 기판(T) 중 지지 기판(S)을 보유 지지한다. 제2 보유 지지부(70)는 중합 기판(T) 중 피처리 기판(W)을 보유 지지한다. 이동부(60)는 제1 보유 지지부(50)의 외주부 일부를 제2 보유 지지부(70)로부터 이격하는 방향으로 이동시킨다. 또한, 제1 보유 지지부(50)는 이동부(60)에 접속되는 박판 형상의 탄성 부재(51)와, 탄성 부재(51)에 설치되고 지지 기판(S)을 흡착하는 복수의 흡착부(52)를 구비한다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 박리 장치(5C)에 의하면, 박리 처리의 효율화를 도모할 수 있다.
그런데, 제1 보유 지지부(50)의 구성은, 전술한 실시 형태에서 나타낸 구성으로 한정되지 않는다. 따라서, 이하에서는, 제1 보유 지지부(50)의 다른 구성예에 대하여 도 34a 내지 도 34e를 참조하여 설명한다. 도 34a 내지 도 34e는, 제1 내지 제5 변형예에 따른 제1 보유 지지부의 모식 평면도이다. 또한, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 마찬가지의 부분에 대해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 부여하고, 중복된 설명을 생략한다.
예를 들어, 도 34a에 도시한 바와 같이, 제1 변형예에 따른 제1 보유 지지부(50A)의 탄성 부재(51A)는, 환상의 본체부(511: 도 31 참조) 대신에, 중공부를 갖지 않는 원판 형상의 본체부(511A)를 구비한다.
이러한 본체부(511A)에는, 박리의 가장 기점측에 배치되는 흡착부(52A1), 2개의 흡착부(52A2)로 이루어지는 제1 흡착부군, 3개의 흡착부(52A3)로 이루어지는 제2 흡착부군, 및 3개의 흡착부(52A4)로 이루어지는 제3 흡착부군이 설치된다. 제1 내지 제3 흡착부군은, 박리의 진행 방향을 따라 제1 흡착부군, 제2 흡착부군 및 제3 흡착부군의 순서로 배치된다.
제1 흡착부군에 포함되는 2개의 흡착부(52A2)는, 박리의 진행 방향(예플 들어, X축 정방향)에 대하여 직교하는 방향(예를 들어, Y축 방향)으로 배열하여 배치된다(도 34a에 도시한 가상선 A1 참조). 마찬가지로, 제2 흡착부군에 포함되는 3개의 흡착부(52A3) 및 제3 흡착부군에 포함되는 3개의 흡착부(52A4)도, 박리의 진행 방향에 대하여 직교하는 방향(예를 들어, Y축 방향)으로 배열하여 배치된다(도 34a에 도시한 가상선 A2, A3 참조).
이와 같이, 제1 보유 지지부(50A)가 구비하는 복수의 흡착부(52A1, 52A2, 52A3, 52A4) 중, 박리의 가장 기점측에 설치되는 흡착부(52A1) 이외의 흡착부(52A2, 52A3, 52A4)는, 각각 박리의 진행 방향에 대하여 직교하는 방향으로 배열하면서, 박리의 진행 방향에 대하여 다단으로 배치된다.
즉, 복수의 흡착부(52A2, 52A3, 52A4)가, 박리의 진행 방향에 맞춰서 배치되기 때문에, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 효율적으로 박리시킬 수 있다.
또한, 박리의 가장 기점측, 즉 박리 개시 부위(M)에 대응하는 위치에 흡착부(52A1)를 배치함으로써, 박리 개시 부위(M)를 기점으로 하는 지지 기판(S)의 박리를 확실하게 개시시킬 수 있다.
또한, 도 34b에 도시한 바와 같이, 제2 변형예에 따른 제1 보유 지지부(50B)는, 탄성 부재(51A)의 본체부(511A)에, 1개의 흡착부(52B1)와, 3개의 흡착부(52B2)로 이루어지는 제1 흡착부군과, 3개의 흡착부(52B3)로 이루어지는 제2 흡착부군과, 3개의 흡착부(52B4)로 이루어지는 제3 흡착부군을 구비한다. 흡착부(52B1)는, 박리의 가장 기점측에 박리 개시 부위(M)에 대응하여 배치되고, 제1 내지 제3 흡착부군은, 박리의 진행 방향을 따라 제1 흡착부군, 제2 흡착부군 및 제3 흡착부군의 순서로 배치된다.
제1 흡착부군에 포함되는 3개의 흡착부(52B2)는, 박리의 진행 방향(예를 들어, X축 정방향)으로 볼록해지는 원호 형상으로 배열하여 배치된다(도 34b의 가상선 A4 참조). 마찬가지로, 제2 흡착부군에 포함되는 3개의 흡착부(52B3) 및 제3 흡착부군에 포함되는 3개의 흡착부(52B4)도, 박리의 진행 방향(예를 들어, X축 정방향)으로 볼록해지는 원호 형상으로 배열하여 배치된다(도 34b에 도시한 가상선 A5, A6 참조).
이와 같이, 박리의 가장 기점측에 설치되는 흡착부(52B1) 이외의 흡착부(52B2, 52B3, 52B4)는, 각각 박리의 진행 방향으로 볼록해지는 원호 형상으로 배열하면서, 박리의 진행 방향에 대하여 다단으로 배치된다.
지지 기판(S)의 피처리 기판(W)으로부터의 박리는, 평면에서 보아 원호 형상으로 진행한다. 따라서, 복수의 흡착부(52B2, 52B3, 52B4)를 각각 박리의 진행 방향으로 볼록해지는 원호 형상으로 배열하여 배치함으로써, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 효율적으로 박리시킬 수 있다. 또한, 박리 도중의 지지 기판(S)을 보다 적절하게 흡착 보유 지지해 둘 수 있다.
또한, 지지 기판(S)과 피처리 기판(W)의 박리 경계선은, 박리의 초기 단계에서는 원호 형상이지만, 박리가 진행됨에 따라서, 박리의 진행 방향에 대하여 직교하는 방향(예를 들어, Y축 방향)으로 연장하는 직선 형상으로 서서히 변화해 간다.
이로 인해, 복수의 흡착부(52B2, 52B3, 52B4)가 각각 그리는 원호(도 34b에 도시한 가상선(A4 내지 A6))의 곡률은, 박리의 종단부측에 근접함에 따라서 서서히 작아지는(즉, 직선에 근접하는) 것이 바람직하다.
또한, 도 34c에 도시한 바와 같이, 제3 변형예에 따른 제1 보유 지지부(50C)는, 탄성 부재(51A)의 본체부(511A)에, 1개의 흡착부(52C1)와, 3개의 흡착부(52C2)로 이루어지는 제1 흡착부군과, 3개의 흡착부(52C3)로 이루어지는 제2 흡착부군과, 3개의 흡착부(52C4)로 이루어지는 제3 흡착부군을 구비한다. 흡착부(52C1)는, 박리의 가장 기점측에 박리 개시 부위(M)에 대응하여 배치되고, 제1 내지 제3 흡착부군은, 박리의 진행 방향을 따라 제1 흡착부군, 제2 흡착부군 및 제3 흡착부군의 순서로 배치된다.
이러한 제3 변형예에 따른 제1 보유 지지부(50C)는, 제2 변형예에 따른 제1 보유 지지부(50B)가 구비하는 복수의 흡착부(52B1, 52B2, 52B3, 52B4) 중, 박리의 가장 종점측에 배치되는 3개의 흡착부(52B4)의 배열을, 박리의 진행 방향에 대하여 직교하는 방향으로 변경한 것이다.
즉, 제1 흡착부군에 포함되는 3개의 흡착부(52C2) 및 제2 흡착부군에 포함되는 3개의 흡착부(52C3)는, 박리의 진행 방향으로 볼록해지는 원호 형상으로 배열하여 배치되고(도 34c의 가상선(A7, A8) 참조), 제3 흡착부군에 포함되는 3개의 흡착부(52C4)는, 박리의 진행 방향에 대하여 직교하는 방향으로 배열하여 배치된다(도 34c에 도시한 가상선 A9 참조).
전술한 바와 같이, 지지 기판(S)과 피처리 기판(W)의 박리 경계선은, 박리가 진행됨에 따라서 원호 형상으로부터 직선 형상으로 변화해 간다. 따라서, 복수의 흡착부(52C1, 52C2, 52C3, 52C4) 중, 박리의 기점측에 배치되는 흡착부군(여기서는, 흡착부(52C2, 52C3))을, 박리의 진행 방향으로 볼록해지는 원호 형상으로 배열하여 배치함과 함께, 이들 흡착부(52C2, 52C3)보다도 박리의 종점측에 배치되는 흡착부군(여기서는, 흡착부(52C4))을, 박리의 진행 방향에 대하여 직교하는 방향으로 배열하여 배치하여도 된다.
또한, 제4 변형예에 따른 제1 보유 지지부(50D)는, 탄성 부재(51A)의 본체부(511A)에, 1개의 흡착부(52D1)와, 2개의 흡착부(52D2)로 이루어지는 제1 흡착부군과, 3개의 흡착부(52D3)로 이루어지는 제2 흡착부군과, 3개의 흡착부(52D4)로 이루어지는 제3 흡착부군을 구비한다. 흡착부(52D1)는, 박리의 가장 기점측에 박리 개시 부위(M)에 대응하여 배치되고, 제1 내지 제3 흡착부군은, 박리의 진행 방향을 따라 제1 흡착부군, 제2 흡착부군 및 제3 흡착부군의 순서로 배치된다.
이러한 제1 보유 지지부(50D)에서는, 각 흡착부(52D1, 52D2, 52D3, 52D4)의 흡착 면적이, 박리의 종점측에 근접함에 따라서 서서히 커지도록 구성된다. 즉, 박리의 가장 기점측에 배치되는 흡착부(52D1)의 흡착 면적이 가장 작고, 박리의 가장 종점측에 배치되는 3개의 흡착부(52D4)의 흡착 면적이 가장 커지도록 구성된다.
이와 같이, 복수의 흡착부(52D1, 52D2, 52D3, 52D4)는, 박리의 종점측에 근접함에 따라서 흡착 면적이 서서히 커지도록 구성되어도 된다.
또한, 제5 변형예에 따른 제1 보유 지지부(50E)는, 탄성 부재(51A)의 본체부(511A)에 복수의 흡착부를 구비한다. 그리고, 제1 보유 지지부(50E)가 구비하는 복수의 흡착부 중, 박리의 가장 기점측에 배치되는 흡착부(52E)는, 본체부(511A)의 외연측, 즉 지지 기판(S)의 외연측에 위치하는 부분(525)이 지지 기판(S)의 외연을 따라서 호 형상으로 형성된다.
이에 의해, 지지 기판(S)의 최외연부에 의해 가까운 영역에 흡착부(52E)를 배치할 수 있다. 따라서, 지지 기판(S)을 피처리 기판(W)으로부터 벗겨내는 방향의 힘을 지지 기판(S)에 대하여 효율적으로 가할 수 있다.
(그 밖의 실시 형태)
전술한 각 실시 형태에서는, 박리 대상으로 되는 중합 기판이, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)이 접착제(G)에 의해 접합된 중합 기판(T)인 경우의 예에 대하여 설명하였다. 그러나, 박리 장치의 박리 대상으로 되는 중합 기판은, 이 중합 기판(T)에 한정되지 않는다. 예를 들어, 전술한 각 실시 형태의 박리 장치에서는, SOI 기판을 생성하기 위해서, 절연막이 형성된 도너 기판과 피처리 기판이 접합된 중합 기판을 박리 대상으로 하는 것도 가능하다.
여기서, SOI 기판의 제조 방법에 대하여 도 35a 및 도 35b를 참조하여 설명한다. 도 35a 및 도 35b는 SOI 기판의 제조 공정을 나타낸 모식도이다. 도 35a에 도시한 바와 같이, SOI 기판을 형성하기 위한 중합 기판(Ta)은, 도너 기판(K)과 핸들 기판(H)을 접합함으로써 형성된다.
도너 기판(K)은, 표면에 절연막(6)이 형성됨과 함께, 핸들 기판(H)과 접합하는 쪽의 표면 근방의 소정 깊이로 수소 이온 주입층(7)이 형성된 기판이다. 또한, 핸들 기판(H)으로서는, 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 유리 기판, 사파이어 기판 등을 사용할 수 있다.
전술한 각 실시 형태에 따른 박리 장치에서는, 예를 들어 제1 보유 지지부에서 도너 기판(K)을 보유 지지하고, 제2 보유 지지부에서 핸들 기판(H)을 보유 지지한 상태에서, 중합 기판(T)a의 외주부를 인장함으로써 도너 기판(K)에 형성된 수소 이온 주입층(7)에 대하여 기계적 충격을 준다. 이에 의해, 도 35b에 도시한 바와 같이, 수소 이온 주입층(7) 내의 실리콘-실리콘 결합이 절단되고, 도너 기판(K)으로부터 실리콘층(8)이 박리한다. 그 결과, 핸들 기판(H)의 상면에 절연막(6)과 실리콘층(8)이 전사되고, SOI 기판(Wa)이 형성된다. 또한, 제1 보유 지지부에서 도너 기판(K)을 보유 지지하고, 제2 보유 지지부에서 핸들 기판(H)을 보유 지지하는 것이 바람직하지만, 제1 보유 지지부에서 핸들 기판(H)을 보유 지지하고, 제2 보유 지지부에서 도너 기판(K)을 보유 지지해도 된다.
또한, 전술한 각 실시 형태에서는, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 접착제(G)를 이용하여 접합하는 경우의 예에 대하여 설명하였지만, 접합면(Wj, Sj)을 복수의 영역으로 나누고, 영역마다 다른 접착력의 접착제를 도포해도 된다.
또한, 전술한 실시 형태에서는, 제1 보유 지지부를 이용하여 지지 기판(S)을 보유 지지하고, 제2 보유 지지부를 이용하여 피처리 기판(W)을 보유 지지하는 경우의 예에 대하여 설명하였지만, 이와는 반대로, 제1 보유 지지부를 이용하여 피처리 기판(W)을 보유 지지하고, 제2 보유 지지부를 이용하여 지지 기판(S)을 보유 지지해도 된다.
또한, 전술한 실시 형태에서는, 제1 보유 지지부가, 중합 기판(T)을 상방으로부터 보유 지지하는 경우의 예를 나타내었지만, 제1 보유 지지부는, 중합 기판(T)을 하방으로부터 보유 지지해도 된다.
또한, 전술한 실시 형태에서는, 중합 기판(T)이 다이싱 프레임(F)에 보유 지지되는 경우의 예에 대하여 설명하였지만, 중합 기판(T)은 반드시 다이싱 프레임(F)에 보유 지지될 필요는 없다.
또한, 전술한 실시 형태에서는, 중합 기판(T)의 박리를 상온에서 행하는 경우의 예에 대하여 설명하였지만, 중합 기판(T)을 가열하면서 박리를 행해도 된다. 이러한 경우, 예를 들어 제1 보유 지지부(110)의 본체부(111)에, 히터 등의 가열부를 설치하면 된다. 중합 기판(T)을 가열함으로써, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 접합하고 있는 접착제(G)가 연화되기 때문에, 피처리 기판(W)과 지지 기판(S)을 용이하게 박리시킬 수 있다.
또한, 전술한 실시 형태에서는, 박리 유인부(90)가 구비하는 예리 부재(91)가 평날인 경우의 예에 대하여 설명하였지만, 예리 부재(91)는 예를 들어 면도기 날이나 롤러 날 또는 초음파 커터 등을 사용해도 된다.
또한, 전술한 실시 형태에서는, 제1 추가 이동부(62)가 접촉부(57)의 개별 영역(575)에 대응하는 부위에 설치되고, 제2 추가 이동부(63)가 접촉부(57)의 개별 영역(576)에 대응하는 부위에 설치되는 경우에 대하여 설명하였지만, 추가 이동부는, 개별 영역(575)에 대응하는 부위 또는 개별 영역(576)에 대응하는 부위 중 어느 한쪽에만 설치되어도 된다. 또한, 박리 장치(5B)는 반드시 추가 이동부를 구비할 것을 요하지 않는다.
또 다른 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 보다 광범위한 형태는, 이상과 같이 나타내면서 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 따라서, 후술하는 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념 정신 또는 범위로부터 일탈하지 않고, 다양한 변형이 가능하다.
1: 박리 시스템
5: 박리 장치
10: 제1 처리 블록
11: 반출입 스테이션
12: 제1 반송 영역
13: 대기 스테이션
14: 에지 커트 스테이션
15: 박리 스테이션
16: 제1 스테이션
20: 제2 처리 블록
21: 전달 스테이션
22: 제2 세정 스테이션
23: 제2 반송 영역
24: 반출 스테이션
30: 제어장치
F: 다이싱 프레임
P: 다이싱 테이프
S: 지지 기판
T: 중합 기판
W: 피처리 기판

Claims (20)

  1. 제1 기판과 제2 기판이 접합된 중합 기판을 상기 제1 기판과 상기 제2 기판으로 박리하는 박리 장치로서,
    상기 중합 기판은, 상기 중합 기판보다도 대직경의 개구부를 갖는 프레임의 상기 개구부에 배치됨과 함께, 상기 개구부에 설치된 테이프에 대하여 상기 제1 기판의 비접합면이 점착됨으로써 상기 프레임에 보유 지지되어 있으며,
    상기 중합 기판 중 상기 제2 기판을 상방으로부터 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,
    상기 중합 기판 중 상기 제1 기판을 상기 테이프를 개재하여 하방으로부터 보유 지지하는 제2 보유 지지부와,
    상기 제1 보유 지지부를 상기 제2 보유 지지부로부터 이격하는 방향으로 이동시키는 이동 기구와,
    본체부와 실린더를 구비하고, 상기 실린더의 기단부가 본체부에 고정되고 상기 본체부에 대하여 수직 이동 가능한 국소 이동부를 포함하고,
    상기 국소 이동부는, 상기 실린더의 선단부가 상기 제1 보유 지지부의 외주부에 고정되어, 상기 제1 보유 지지부가 상기 국소 이동부에 의해 이동될 때, 상기 제1 보유 지지부의 상기 외주부 일부를 상기 제2 보유 지지부로부터 이격하는 방향으로 이동시키고,
    상기 제1 보유 지지부는, 유연성을 갖는 부재로 형성되어, 상기 제1 보유 지지부가 상기 국소 이동부에 의해 이동될 때, 상기 제1 보유 지지부의 형상이 상기 제1 기판으로부터 상기 제2 기판이 박리되는 형상으로 형상이 변하는 박리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 프레임을 하방으로부터 보유 지지하는 프레임 보유 지지부
    를 더 포함하는 박리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 프레임 보유 지지부는 상기 제2 보유 지지부보다도 낮은 위치에서 상기 프레임을 보유 지지하는, 박리 장치.
  5. 삭제
  6. 박리 장치로서,
    제1 기판과 제2 기판이 접합된 중합 기판 중 상기 제2 기판을 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,
    상기 중합 기판 중 상기 제1 기판을 보유 지지하는 제2 보유 지지부와,
    본체부와 실린더를 구비하고, 상기 실린더의 기단부가 본체부에 고정되고 상기 본체부에 대하여 수직 이동 가능한 국소 이동부
    를 포함하고,
    상기 국소 이동부는, 상기 실린더의 선단부가 상기 제1 보유 지지부의 외주부에 고정되어, 상기 제1 보유 지지부가 상기 국소 이동부에 의해 이동될 때, 상기 제1 보유 지지부의 상기 외주부 일부를 상기 제2 보유 지지부로부터 이격하는 방향으로 이동시키고,
    상기 제1 보유 지지부는, 유연성을 갖는 부재로 형성되어, 상기 제1 보유 지지부가 상기 국소 이동부에 의해 이동될 때, 상기 제1 보유 지지부의 형상이 상기 제1 기판으로부터 상기 제2 기판이 박리되는 형상으로 형상이 변하는, 박리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 보유 지지부는,
    박판 형상의 탄성 부재와,
    상기 탄성 부재의 표면에 점착되며, 상기 제2 기판에 접촉하는 수지 부재
    를 포함하고,
    상기 수지 부재에 형성된 흡기구로부터 흡인함으로써 상기 제2 기판을 흡착보유 지지하는, 박리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 탄성 부재측에 있어서 상기 제1 보유 지지부와 공극을 개재하여 대향 배치되는 베이스부와,
    상기 베이스부로부터 상기 탄성 부재를 향해 돌출 설치된 지지 부재
    를 더 포함하고,
    상기 탄성 부재는 상기 지지 부재에 대응하는 외주부에 설치되며, 상기 지지 부재에 고정되는 고정부를 더 포함하는, 박리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 고정부는, 상기 탄성 부재의 외주부의 둘레 방향을 따라 복수 설치되고, 상기 지지 부재에 고정됨으로써 상기 국소 이동부에 의한 상기 제1 보유 지지부의 이동을 제한하는, 박리 장치.
  10. 제7항 내지 제9항중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지 부재는, 흡착 영역이 복수의 개별 영역으로 분할되어 있으며, 상기 개별 영역마다 설치된 흡기구로부터 흡인함으로써 상기 제2 기판을 상기 개별 영역마다 흡착 보유 지지하는, 박리 장치.
  11. 박리 장치로서,
    제1 기판과 제2 기판이 접합된 중합 기판 중 상기 제1 기판을 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,
    상기 중합 기판 중 상기 제2 기판을 보유 지지하는 제2 보유 지지부와,
    본체부와 실린더를 구비하고, 상기 실린더의 기단부가 본체부에 고정되고 상기 본체부에 대하여 수직 이동 가능한 국소 이동부
    를 포함하고,
    상기 국소 이동부는, 상기 실린더의 선단부가 상기 제1 보유 지지부의 외주부에 고정되어, 상기 제1 보유 지지부가 상기 국소 이동부에 의해 이동될 때, 상기 제1 보유 지지부의 상기 외주부 일부를 상기 제2 보유 지지부로부터 이격하는 방향으로 이동시키고,
    상기 제1 보유 지지부는,
    상기 이동부에 접속되는 박판 형상의 탄성 부재와,
    상기 탄성 부재에 설치되고, 상기 제1 기판을 흡착하는 복수의 흡착부
    를 포함하고,
    상기 박판 형상의 탄성 부재는, 상기 제1 보유 지지부가 상기 국소 이동부에 의해 이동될 때, 상기 제1 보유 지지부의 형상이 상기 제1 기판으로부터 상기 제2 기판이 박리되는 형상으로 형상이 변하는 박리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 복수의 흡착부는, 원환 형상으로 배열하여 배치되고, 상기 제1 기판의 외주부를 각각 흡착하는, 박리 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 복수의 흡착부는, 박리의 진행 방향에 대하여 직교하는 방향으로 배열하면서, 상기 진행 방향에 대하여 다단으로 배치되는, 박리 장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 복수의 흡착부는, 박리의 진행 방향으로 볼록해지는 원호 형상으로 배열하면서, 상기 진행 방향에 대하여 다단으로 배치되는, 박리 장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 흡착부 중, 박리의 기점측에 배치되는 흡착부군은, 박리의 진행 방향으로 볼록해지는 원호 형상으로 배열하여 배치되고,
    상기 복수의 흡착부 중, 상기 박리의 기점측에 배치되는 흡착부군보다도 박리의 종점측에 배치되는 흡착부군은, 박리의 진행 방향에 대하여 직교하는 방향으로 배열하여 배치되는, 박리 장치.
  16. 박리 장치로서,
    제1 기판과 제2 기판이 접합된 중합 기판 중 상기 제1 기판을 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,
    상기 중합 기판 중 상기 제2 기판을 보유 지지하는 제2 보유 지지부와,
    본체부와 실린더를 구비하고, 상기 실린더의 기단부가 본체부에 고정되고 상기 본체부에 대하여 수직 이동 가능한 국소 이동부
    를 포함하고,
    상기 국소 이동부는, 상기 실린더의 선단부가 상기 제1 보유 지지부의 외주부에 고정되어, 상기 제1 보유 지지부가 상기 국소 이동부에 의해 이동될 때, 상기 제1 보유 지지부의 상기 외주부 일부를 상기 제2 보유 지지부로부터 이격하는 방향으로 이동시키고,
    상기 제1 보유 지지부는,
    유연성을 가지며 상기 제1 기판의 전체면에 접촉하는 접촉부와,
    상기 접촉부에 설치되고 상기 제1 기판에서의 상기 접촉부와의 접촉면을 흡인하는 흡인부
    를 포함하고,
    상기 접촉부는, 상기 제1 보유 지지부가 상기 국소 이동부에 의해 이동될 때, 상기 제1 보유 지지부의 형상이 상기 제1 기판으로부터 상기 제2 기판이 박리되는 형상으로 형상이 변하는 박리 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1 보유 지지부는,
    상기 접촉부에서의 상기 제1 기판과의 접촉면은 반대측의 면에 설치되는 박판 형상의 탄성 부재
    를 포함하는 박리 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 보유 지지부의 일부를 상기 제2 보유 지지부로부터 이격하는 방향으로 이동시키는 하나 또는 복수의 추가 이동부
    를 포함하는 박리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 탄성 부재는, 박리의 진행 방향을 따라 배열되는 복수의 탄성 부재편으로 분할되고,
    상기 이동부는, 상기 복수의 탄성 부재편 중, 박리의 가장 기점측에 배치되는 탄성 부재편에 대응하여 설치되고,
    상기 추가 이동부는, 상기 박리의 가장 기점측에 배치되는 탄성 부재편 이외의 상기 탄성 부재편 중 적어도 하나에 설치되는, 박리 장치.
  20. 제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 이동부 및 상기 추가 이동부를 박리의 기점측에 가까운 것부터 순서대로 이동시키는, 박리 장치.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010006081A1 (en) 2008-07-08 2010-01-14 Chiaro Technologies, Inc. Multiple channel locating
US9136243B2 (en) * 2013-12-03 2015-09-15 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Systems and methods for determining and adjusting a level of parallelism related to bonding of semiconductor elements
US9562760B2 (en) * 2014-03-10 2017-02-07 Cognex Corporation Spatially self-similar patterned illumination for depth imaging
JP6363382B2 (ja) * 2014-04-14 2018-07-25 大塚電子株式会社 膜厚測定装置及び方法
JP6548871B2 (ja) * 2014-05-03 2019-07-24 株式会社半導体エネルギー研究所 積層体の基板剥離装置
KR102305505B1 (ko) * 2014-09-29 2021-09-24 삼성전자주식회사 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 이니시에이터 및 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 방법
JP6394337B2 (ja) * 2014-12-04 2018-09-26 株式会社Sumco 吸着チャック、面取り研磨装置、及び、シリコンウェーハの面取り研磨方法
US9929121B2 (en) * 2015-08-31 2018-03-27 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Bonding machines for bonding semiconductor elements, methods of operating bonding machines, and techniques for improving UPH on such bonding machines
CN106739424B (zh) * 2015-11-20 2020-02-14 财团法人工业技术研究院 取下贴合装置及应用此装置的取下方法与贴合方法
US10242863B2 (en) * 2016-10-03 2019-03-26 WET Technology Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP2018133313A (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 押下スイッチ機構及びウェアラブルカメラ
CN109635619B (zh) 2017-08-19 2021-08-31 康耐视公司 用于三维重建的结构化光图案的编码距离拓扑
US10699429B2 (en) 2017-08-19 2020-06-30 Cognex Corporation Coding distance topologies for structured light patterns for 3D reconstruction
JP7015668B2 (ja) * 2017-10-11 2022-02-03 株式会社ディスコ 板状物の分割装置
CN109955420B (zh) * 2017-12-14 2021-05-18 奇景光电股份有限公司 模具分离装置及其分离方法
JP7085743B2 (ja) * 2018-01-31 2022-06-17 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板反転装置
TW202015144A (zh) 2018-10-01 2020-04-16 巨擘科技股份有限公司 基板分離系統及方法
KR102618849B1 (ko) * 2019-01-24 2023-12-28 교세라 가부시키가이샤 정전 척
KR20200144163A (ko) * 2019-06-17 2020-12-29 삼성디스플레이 주식회사 표시장치의 제조설비 및 표시장치의 제조방법
US11889742B2 (en) * 2020-11-04 2024-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus of manufacturing display device and method of manufacturing display device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075915A (ja) 2000-08-25 2002-03-15 Canon Inc 試料の分離装置及び分離方法
US20020106869A1 (en) 2001-02-07 2002-08-08 Kazuhiro Otsu Separating machine for thinned semiconductor substrate and separation method
JP2004079613A (ja) * 2002-08-12 2004-03-11 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハ移し替え装置
JP2005116679A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP2008277501A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 貼り合わせウエーハの製造方法
JP2012004522A (ja) 2010-06-21 2012-01-05 Brewer Science Inc 逆に装着されたデバイスウェーハーをキャリヤー基板から分離する方法および装置
WO2013063603A2 (en) 2011-10-27 2013-05-02 Suss Microtec Inc. Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
JP2013149655A (ja) 2012-01-17 2013-08-01 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6342434B1 (en) * 1995-12-04 2002-01-29 Hitachi, Ltd. Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier
JPH10244545A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Canon Inc 離型方法及び離型装置
JPH11111824A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Enya System:Kk ウエ−ハ剥離装置
US6491083B2 (en) * 2001-02-06 2002-12-10 Anadigics, Inc. Wafer demount receptacle for separation of thinned wafer from mounting carrier
FR2834381B1 (fr) 2002-01-03 2004-02-27 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de coupe de couche d'un substrat, et procede associe
TWI463580B (zh) * 2007-06-19 2014-12-01 Renesas Electronics Corp Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
JP2010010207A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剥離装置および剥離方法
EP2230683B1 (de) * 2009-03-18 2016-03-16 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger
TWI534938B (zh) * 2010-02-25 2016-05-21 尼康股份有限公司 Substrate separation device, manufacturing method of semiconductor device, load lock device, substrate bonding device and substrate separation method
JP5455987B2 (ja) 2010-08-23 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR20150108428A (ko) * 2011-04-11 2015-09-25 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 가요성의 캐리어 마운트 및 캐리어 기판을 분리하기 위한 장치 및 방법
JP6014477B2 (ja) * 2012-12-04 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075915A (ja) 2000-08-25 2002-03-15 Canon Inc 試料の分離装置及び分離方法
US20020106869A1 (en) 2001-02-07 2002-08-08 Kazuhiro Otsu Separating machine for thinned semiconductor substrate and separation method
JP2002237515A (ja) * 2001-02-07 2002-08-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄葉化半導体基板の剥離装置および剥離法
JP2004079613A (ja) * 2002-08-12 2004-03-11 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハ移し替え装置
JP2005116679A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP2008277501A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 貼り合わせウエーハの製造方法
JP2012004522A (ja) 2010-06-21 2012-01-05 Brewer Science Inc 逆に装着されたデバイスウェーハーをキャリヤー基板から分離する方法および装置
WO2013063603A2 (en) 2011-10-27 2013-05-02 Suss Microtec Inc. Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
JP2013149655A (ja) 2012-01-17 2013-08-01 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム

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