JP2012516456A - 表示装置およびその駆動制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】有機ＥＬ発光素子の寄生容量の容量値Ｃｄが大きく１ライン選択期間が短い場合でも、十分な閾値電圧検出期間を確保する。
【解決手段】ｎ行の画素回路１１行の選択期間の前に、ｎ行の画素回路１１行とは異なるｎ−２行の画素回路１１行の選択期間において、ｎ行の画素回路１１行の各画素回路１１の駆動用トランジスタのゲート端子に所定の電圧を設定し、所定の電圧の設定によってｎ行の画素回路１１行の各画素回路１１の発光素子の寄生容量を充電して各画素回路１１の駆動用トランジスタの閾値電圧の検出を開始し、ｎ行の画素回路１１行の選択期間内において閾値電圧の検出を完了し、その後、ｎ行の画素回路１１行の各画素回路１１の駆動用トランジスタに駆動電圧を設定する。
【選択図】図３

Description

本発明は、アクティブマトリクス方式で駆動される発光素子を備えた表示装置およびその表示装置の駆動制御方法に関するものである。

従来、有機ＥＬ発光素子などの発光素子を用いた表示装置が提案されており、テレビや携帯電話のディスプレイなど種々の分野での利用が提案されている。

一般に、有機ＥＬ発光素子は電流駆動型発光素子であるため、液晶ディスプレイとは異なり、その駆動回路として画素回路を選択する選択用トランジスタと表示画像に応じた電荷を保持する容量素子と有機ＥＬ発光素子を駆動する駆動用トランジスタが最低限必要である（たとえば、特許文献１参照）。

そして、従来、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置の画素回路には、低温ポリシリコンまたはアモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタが用いられていた。

しかしながら、低温ポリシリコンの薄膜トランジスタは高移動度と閾値電圧安定性を得ることができるが、移動度の均一性に問題がある。また、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタは移動度均一性を得ることができるが、移動度の低さと閾値電圧の経時変動の問題がある。

上記のような移動度の不均一性および閾値電圧の不安定性は表示画像のムラとなって現れる。この問題を解決するため、たとえば特許文献２に記載の有機ＥＬ表示装置においては、画素回路内にダイオード接続方式の補償回路を設けることが提案されているが、補償回路を設ける分だけ画素回路が複雑化し、歩留り低下によるコストアップや開口率の低下をもたらす問題がある。

そこで、特許文献２に記載のダイオード接続方式の閾値電圧の補償回路に対し、特許文献３や特許文献４に記載の有機ＥＬ表示装置のように、有機ＥＬ発光素子の寄生容量を駆動用トランジスタで自己充電して駆動用トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動を補正することでトランジスタ数の削減する方法が提案されている。

特開平８−２３４６８３号公報 特開２００３−２５５８５６号公報 特開２００３−２７１０９５号公報 特開２００７−３１０３１１号公報

しかしながら、特許文献３や特許文献４に記載の方法では、画素回路をリセットするリセット期間やプログラム電圧を設定するプログラム時間は駆動用トランジスタの特性や配線抵抗の改善により短縮可能だが、閾値電圧の検出に要する時間は有機ＥＬ発光素子の寄生容量の容量値Ｃｄに依存する。したがって、実際の表示動作では、１ラインの画素回路行の選択期間のほとんどを閾値電圧検出期間が占有するのが実情である。

そして、１ライン選択期間は、表示更新サイクル（フレーム周期）を走査線の数できまり、たとえば、パネルサイズを固定して高精細化する場合には、１ライン選択期間は短縮するが有機ＥＬ発光素子の面積が縮小し寄生容量の容量値Ｃｄも減少するため閾値電圧検出期間も短縮されて問題はない。

しかしながら、パネルサイズを大型化すると１ライン選択期間は変わらないが、有機ＥＬ発光素子の面積が拡張して寄生容量の容量値Ｃｄが増加するため閾値電圧検出期間が長くなってしまう問題がある。したがって、上述した従来技術ではパネルの大型化は困難であった。

本発明は、上記の事情に鑑み、有機ＥＬ発光素子の寄生容量の容量値Ｃｄが大きく１ライン選択期間が短い場合でも、閾値電圧検出期間を確保することができる表示装置および表示装置の駆動制御方法を提供することを目的とする。

本発明の表示装置の駆動制御方法は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子と、駆動用トランジスタのゲート端子と駆動用トランジスタに供給される駆動電圧が設定されるデータ線との接続を切り替える選択用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板と、データ線に直交する方向に画素回路が配置された画素回路行を順次切り替えて選択し、選択した画素回路行の選択用トランジスタをＯＮして画素回路行の各画素回とデータ線とを接続する走査駆動回路とを備えた表示装置の駆動制御方法であって、所定の画素回路行の選択期間の前に、所定の画素回路行とは異なる画素回路行の選択期間において、所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子に所定の電圧を設定し、所定の電圧の設定によって所定の画素回路行の各画素回路の発光素子の寄生容量を充電して各画素回路の駆動用トランジスタの閾値電圧の検出を開始し、所定の画素回路行の選択期間内において閾値電圧の検出を完了し、その後、所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタに駆動電圧を設定することを特徴とする。

また、上記本発明の表示装置の駆動制御方法においては、所定の画素回路行の各画素回路の閾値電圧の検出開始から完了までの期間であって、データ線に所定の電圧が設定されている間は所定の画素回路行の選択用トランジスタをＯＮすることによって所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子をデータ線に接続し、所定の画素回路行の各画素回路の閾値電圧の検出開始から完了までの期間であって、データ線に異なる画素回路行の各画素回路の駆動トランジスタの駆動電圧が設定されている間は所定の画素回路行の選択用トランジスタをＯＦＦすることによって所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子とデータ線との接続を遮断するようにすることができる。

また、画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子に対し選択用トランジスタと並列にゲート端子と固定電圧源との接続を切り替える固定電圧供給用トランジスタを設け、所定の画素回路行の閾値電圧の検出動作の間は選択用トランジスタをＯＦＦするとともに、固定電圧供給用トランジスタをＯＮして固定電圧源から所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタに固定電圧を設定し、所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタの駆動電圧の設定の間は固定電圧供給用トランジスタをＯＦＦするとともに、選択用トランジスタをＯＮするようにすることができる。

また、画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子に対し選択用トランジスタと並列に固定電圧供給用トランジスタを設けるとともに、固定電圧供給用トランジスタを介して駆動用トランジスタのゲート端子に固定電圧を供給するゲート電圧保持用容量素子とを設け、選択用トランジスタおよび固定電圧供給用トランジスタをＯＮして所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子にデータ線とゲート電圧保持用容量素子とを接続し、その後、選択用トランジスタをＯＦＦして所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子とデータ線との接続を遮断するとともに、固定電圧供給用トランジスタのＯＮ状態を継続することによって所定の画素回路行の閾値電圧の検出動作を行い、所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタの駆動電圧の設定の間は固定電圧供給用トランジスタをＯＦＦするとともに、選択用トランジスタをＯＮするようにすることができる。

また、Ｎ−１行目の画素回路行に選択用トランジスタのＯＮ/ＯＦＦを制御する第１の走査信号を供給する第１の走査線とＮ行目の画素回路行に固定電圧供給用トランジスタのＯＮ/ＯＦＦを制御する第２の走査信号を供給する第２の走査線として共通の走査線を用いることができる。

また、所定の画素回路行の各画素回路の閾値電圧の検出動作の期間を閾値電圧の検出動作の前に行われる各画素回路のリセット動作の期間を調整することによって制御することができる。

本発明の表示装置は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子と、駆動用トランジスタのゲート端子と駆動用トランジスタに供給される駆動電圧が設定されるデータ線との接続を切り替える選択用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板と、データ線に直交する方向に画素回路が配置された画素回路行を順次切り替えて選択し、その選択した画素回路行の選択用トランジスタをＯＮして画素回路行の各画素回とデータ線とを接続する走査駆動回路とを備えた表示装置であって、所定の画素回路行の選択期間の前に、所定の画素回路行とは異なる画素回路行の選択期間において、所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子に所定の電圧を設定する電圧設定部と、電圧設定部による所定の電圧の設定によって所定の画素回路行の各画素回路の発光素子の寄生容量を充電して各画素回路の駆動用トランジスタの閾値電圧の検出を開始し、所定の画素回路行の選択期間内において閾値電圧の検出を完了する閾値電圧検出部と、閾値電圧検出部による閾値電圧の検出完了後、所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタに駆動電圧を設定する駆動電圧設定部とを備えたことを特徴とする。

また、上記本発明の表示装置においては、閾値電圧検出部を、所定の画素回路行の各画素回路の閾値電圧の検出開始から完了までの期間であって、データ線に所定の電圧が設定されている間は所定の画素回路行の選択用トランジスタをＯＮすることによって所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子をデータ線に接続し、所定の画素回路行の各画素回路の閾値電圧の検出開始から完了までの期間であって、データ線に異なる画素回路行の各画素回路の駆動トランジスタの駆動電圧が設定されている間は所定の画素回路行の選択用トランジスタをＯＦＦすることによって所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子とデータ線との接続を遮断するものとすることができる。

また、画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子に対し選択用トランジスタと並列にゲート端子と固定電圧源との接続を切り替える固定電圧供給用トランジスタを設け、閾値電圧検出部を、所定の画素回路行の閾値電圧の検出動作の間は選択用トランジスタをＯＦＦするとともに、固定電圧供給用トランジスタをＯＮして固定電圧源から所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタに固定電圧を設定するものとし、駆動電圧設定部を、所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタの駆動電圧の設定の間は固定電圧供給用トランジスタをＯＦＦするとともに、選択用トランジスタをＯＮするものとすることができる。

また、画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子に対し選択用トランジスタと並列に固定電圧供給用トランジスタを設けるとともに、固定電圧供給用トランジスタを介して駆動用トランジスタのゲート端子に固定電圧を供給するゲート電圧保持用容量素子とを設け、閾値電圧検出部を、選択用トランジスタおよび固定電圧供給用トランジスタをＯＮして所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子にデータ線とゲート電圧保持用容量素子とを接続し、その後、選択用トランジスタをＯＦＦして所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子とデータ線との接続を遮断するとともに、固定電圧供給用トランジスタのＯＮ状態を継続することによって所定の画素回路行の閾値電圧の検出動作を行うものとし、駆動電圧設定部を、所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタの駆動電圧の設定の間は固定電圧供給用トランジスタをＯＦＦするとともに、選択用トランジスタをＯＮするものとすることができる。

また、Ｎ−１行目の画素回路行に選択用トランジスタのＯＮ/ＯＦＦを制御する第１の走査信号を供給する第１の走査線とＮ行目の画素回路行に固定電圧供給用トランジスタのＯＮ/ＯＦＦを制御する第２の走査信号を供給する第２の走査線として共通の走査線を設けることができる。

また、閾値電圧検出部を、所定の画素回路行の各画素回路の閾値電圧の検出動作の期間を閾値電圧の検出動作の前に行われる各画素回路のリセット動作の期間を調整することによって制御するものとすることができる。

本発明の表示装置およびその表示装置の駆動制御方法によれば、所定の画素回路行の選択期間の前に、所定の画素回路行とは異なる画素回路行の選択期間において、所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子に所定の電圧を設定し、所定の電圧の設定によって所定の画素回路行の各画素回路の発光素子の寄生容量を充電して各画素回路の駆動用トランジスタの閾値電圧の検出を開始し、所定の画素回路行の選択期間内において閾値電圧の検出を完了し、その後、所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタに駆動電圧を設定するようにしたので、発光素子の寄生容量の容量値が大きく、１ライン選択期間が短い多画素の大型パネルにおいても、閾値電圧検出期間を十分に確保することができ、表示ムラの少ない高画質の表示装置を実現することができる。

本発明の表示装置の第１実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図 本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の画素回路の構成を示す図 本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の作用を説明するためのタイミングチャート 本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置のリセット動作の作用を説明するための図 本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の充電動作の作用を説明するための図 本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置のゲート開放制御動作の作用を説明するための図 本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の閾値電圧検出動作の作用を説明するための図 本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の駆動電圧設定動作の作用を説明するための図 本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の発光動作を説明するための図 本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置のその他の画素回路の構成を示す図 リセット動作の期間を調整することによって閾値電圧の検出動作の期間を制御する方法を説明するための図 本発明の表示装置の第２および第３の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図 本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の画素回路の構成を示す図 本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の作用を説明するためのタイミングチャート 本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置のリセット動作の作用を説明するための図 本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の充電動作の作用を説明するための図 本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の閾値電圧検出動作の作用を説明するための図 本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の駆動電圧設定動作の作用を説明するための図 本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の発光動作を説明するための図 本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置のその他の画素回路の構成を示す図 本発明の第２および第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の変形例を示す図 本発明の表示装置の第３の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の画素回路の構成を示す図 本発明の表示装置の第３の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の作用を説明するためのタイミングチャート 本発明の第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置のリセット動作の作用を説明するための図 本発明の第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の充電動作の作用を説明するための図 本発明の第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の閾値電圧検出動作の作用を説明するための図 本発明の第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の駆動電圧設定動作の作用を説明するための図 本発明の第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の発光動作を説明するための図 本発明の第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置のその他の画素回路の構成を示す図 有機ＥＬ発光素子の寄生容量の容量値の条件を説明するための図

以下、図面を参照して本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図である。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、図１に示すように、有機ＥＬ発光素子を有する画素回路１１が２次元状に多数配列されたアクティブマトリクス基板１０と、各画素回路１１の駆動用トランジスタのゲート端子に表示データに基づく駆動電圧を供給するデータ駆動回路１２と、各画素回路１１にスキャン信号を出力する走査駆動回路１３と、画像データに応じた表示データと同期信号に基づくタイミング信号をデータ駆動回路１２に出力する制御部２５を備えている。

そして、アクティブマトリクス基板１０は、走査駆動回路１３から出力されたスキャン信号を各画素回路行に供給する多数の走査線１４と、走査駆動回路１３から出力された可変電圧Ｖｄｄｎを各画素回路行に供給する多数の電源線１５と、データ駆動回路１２から出力された駆動電圧を各画素回路列に供給する多数のデータ線１６とを備えている。

そして、データ線１６と走査線１４および電源線１５とは直交して格子状に設けられている。そして、これらの交差点近傍に画素回路１１が設けられている。

各画素回路１１は、図２に示すように、有機ＥＬ発光素子１１ａと、有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード端子にソース端子Ｓが接続され、有機ＥＬ発光素子１１ａに駆動電流を流す駆動用トランジスタ１１ｂと、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間に接続された容量素子１１ｃと、容量素子１１ｃの一端および駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに一端が接続されるとともに、他端がデータ線１６に接続された選択用トランジスタ１１ｄとを備えている。

有機ＥＬ発光素子１１ａは、駆動用トランジスタ１１ｂにより流された駆動電流により発光する発光部５０と、発光部５０の寄生容量５１とを有している。そして、有機ＥＬ発光素子１１ａのカソード端子は共通電位（図２では接地電位）に接続されている。

駆動用トランジスタ１１ｂおよび選択用トランジスタ１１ｄは、Ｎ型の薄膜トランジスタから構成されている。そして、駆動用トランジスタ１１ｂの薄膜トランジスタの種類としては、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタや無機酸化膜の薄膜トランジスタを用いることができる。無機酸化膜薄膜トランジスタとしては、たとえば、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）を材料とする無機酸化膜からなる薄膜トランジスタを利用することができるが、ＩＧＺＯに限らず、その他ＩＺＯ（ＩｎＺｎＯ）なども用いることができる。

走査駆動回路１３は、制御部２５から出力されたタイミング信号に基づいて、画素回路１１の選択用トランジスタ１１ｄをＯＮ/ＯＦＦするためのスキャン信号Ｓｃａｎｎを各走査線１４に順次出力するとともに、各電源線１５に動作タイミングに応じた可変電圧を供給するものである。

次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作について、図３に示すタイミングチャートおよび図４から図９を参照しながら説明する。なお、図３には、走査駆動回路１３から出力されるｎ行目のスキャン信号Ｓｃａｎｎおよびｎ＋１行目のスキャン信号Ｓｃａｎ（ｎ＋１）の出力タイミングと、走査駆動回路１３から出力されたｎ行目の可変電圧Ｖｄｄｎとｎ＋１行目の可変電圧Ｖｄｄ（ｎ＋１）の電圧波形と、データ駆動回路１２から出力されるデータ信号Ｖｄａｔａの出力タイミングと、ｎ行目の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇｎ、ソース電圧Ｖｓｎおよびゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎの電圧波形とが示されている。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、アクティブマトリクス基板１０の各走査線１４に接続された画素回路行が順次選択され、１行単位でプログラム動作が行なわれる。ここでは、ｎ行目の画素回路行において行なわれる動作について説明する。なお、図３は、ｎ−２行目からｎ＋１行目までの画素回路行のプログラム動作のタイミングに対するｎ行目の画素回路行の動作を中心に示したタイミングチャートである。

まず、ｎ行目の画素回路行についてリセット動作が行われる（図３の時刻ｔ１〜時刻ｔ２、図４参照）。なお、このリセット動作は２ライン前のｎ−２行目の選択期間に実行される。

具体的には、図３に示すように、走査駆動回路１３から走査線１４に選択用トランジスタ１１ｄをＯＮするためのスキャン信号Ｓｃａｎｎが出力される。そして、図４に示すように、スキャン信号Ｓｃａｎｎに応じて選択用トランジスタ１１ｄがＯＮされ、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇがデータ線１６に接続される。そして、このときデータ駆動回路１２から各データ線１６に所定電圧ＶＢが出力されるとともに、走査駆動回路１３からｎ行目の電源線１５に所定電圧ＶＡが供給される。

所定電圧ＶＡよりも所定電圧ＶＢの方が高い値に設定されており、これにより、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓとドレイン端子Ｄが逆転し、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝ＶＢ−ＶＡに設定される。

ここで、所定電圧ＶＢの値は、ＶＢ＞ＶＡ＋Ｖｔｈｍａｘを満たすように設定される。なお、Ｖｔｈｍａｘは駆動用トランジスタ１１ｂの最大閾値電圧を意味する。

したがって、駆動用トランジスタ１１ｂには何らかの駆動電流Ｉｄが流れることになり、この駆動電流Ｉｄは電源線１５に流れ出す。

また、所定電圧ＶＡは、有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧をＶｆ０、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧偏差＋変動の最大値をΔＶｔｈとすると、ＶＡ＜Ｖｆ０−ΔＶｔｈが条件となり、たとえば、ＶＡ＝０Ｖに設定されるが、ΔＶｔｈが小さい場合には、より高い電圧を設定した方が有機ＥＬ発光素子１１ａの発光遷移時間を短縮でき、逆にΔＶｔｈが大きい場合には、より低い電圧（負電圧を含む）を設定する必要がある。

そして、ある程度の時間が経過すると寄生容量５１の放電が完了し、有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード電位はＶＡにリセットされる。

そして、次に、ｎ行目の画素回路行について充電動作が行われる（図３の時刻ｔ２〜時刻ｔ３、時刻ｔ４〜時刻ｔ５、時刻６〜時刻ｔ７、図５参照）。

具体的には、走査駆動回路１３から出力される電圧が所定電圧ＶＡから電源電圧ＶＤＤに変更され、駆動用トランジスタ１１ｂの電源線１５側がドレイン端子Ｄ、有機ＥＬ発光素子１１ａ側がソース端子Ｓとなり、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、
Ｖｇｓ＝Ｖｇ−Ｖｓ＝ＶＢ−ＶＡ＞Ｖｔｈ
となり、駆動用トランジスタ１１ｂから有機ＥＬ発光素子１１ａに駆動電流Ｉｄが流れる。そして、この駆動電流Ｉｄにより有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１が充電され、駆動用トランジスタのソース電圧Ｖｓが徐々に上昇する。

この充電動作は２ライン前のｎ−２行目と１ライン前のｎ−１行目の選択期間に実行されるが、ｎ−２行目とｎ−１行目の選択期間におけるプログラム動作期間だけはデータ線１６に所定電圧ＶＢではなく各行のプログラム電圧が出力されることになるので、この間はｎ行目の画素回路行のゲート開放制御が行われる。

次に、このゲート開放制御について説明する（図３の時刻ｔ３〜時刻ｔ４、時刻ｔ５〜時刻ｔ６、図６参照）。

具体的には、図３に示すように、走査駆動回路１３から走査線１４に選択用トランジスタ１１ｄをＯＦＦするためのスキャン信号Ｓｃａｎｎが出力される。そして、図４に示すように、スキャン信号Ｓｃａｎｎに応じて選択用トランジスタ１１ｄがＯＦＦされ、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１６とが一旦遮断される。

そして、この状態においても有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１は駆動電流Ｉｄによって充電され続けるため、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓは上昇するが、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇが開放端となっているためゲート電圧も一緒に上昇する。そのため駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは変化しない。

そして、ｎ−２行目とｎ−１行目の選択期間におけるプログラム動作期間が終了し、データ駆動回路１２からデータ線１６に再び所定電圧ＶＢが供給されると、再び走査駆動回路１３から走査線１４に選択用トランジスタ１１ｄをＯＮするためのスキャン信号Ｓｃａｎｎが出力され、選択用トランジスタ１１ｄがＯＮされ、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇがデータ線１６に接続される。

そして、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇが所定電圧ＶＢに戻ることによって、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは上述したゲート開放期間にゲート電圧Ｖｇが上昇した電圧分だけ低下することになるが、本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、プログラム動作期間（図３の時刻ｔ３〜時刻ｔ４、時刻ｔ５〜時刻ｔ６）≪寄生容量充電期間（図３の時刻ｔ２〜時刻ｔ７）としているため、このＶｇｓの低下はゲート電圧Ｖｇを所定電圧ＶＢに維持した場合のＶｇｓの低下分とほぼ一致するため問題とはならない。

そして、次に閾値電圧検出動作が行なわれる（図３の時刻ｔ６〜時刻ｔ７、図７参照）。

具体的には、ｎ行目の選択期間内においては上述したゲート開放動作は行われず、引き続き上述した寄生容量充電動作が行われる。そして、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇには所定電圧ＶＢが供給されているので、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓの上昇によりゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは低下し、Ｖｇｓ＝Ｖｔｈになった時点で駆動電流Ｉｄ＝０となり、ソース電圧Ｖｓの上昇は停止する。このとき、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈであり、Ｖｓは有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧以下とする必要があるため、
ＶＢ＜Ｖｆ０＋Ｖｔｈｍｉｎ
が条件となる。なお、Ｖｆ０は有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧、Ｖｔｈｍｉｎは駆動用トランジスタ１１ｂの最小閾値電圧である。

そして、次に、ｎ行目の画素回路行のプログラム動作が行われる（図３における時刻ｔ７〜時刻ｔ８、図８参照）。上記閾値電圧検出動作によって駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧が十分に安定した時点でデータ駆動回路１２は各データ線１６に出力する電圧を所定電圧ＶＢからＶＢ＋Ｖｏｄにステップアップさせる。

ここで、Ｖｏｄは有機ＥＬ発光素子１１ａに所望の輝度に応じた駆動電流を流すための駆動用トランジスタ１１ｂの駆動電圧であり、Ｖｏｄ＝Ｖｇｓ−Ｖｔｈである。そして、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓは容量素子１１ｃの容量値Ｃｓと寄生容量５１の容量値Ｃｄの分圧となるので、
Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ×Ｃｓ/（Ｃｄ＋Ｃｓ）
となるが、Ｃｄ≫Ｃｓである場合には、
Ｖｓ≒ＶＢ−Ｖｔｈ
Ｖｇｓ≒ＶＢ＋Ｖｏｄ−（ＶＢ−Ｖｔｈ）＝Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ
となり、ほぼ容量素子１１ｃで検出したＶｔｈにＶｏｄを加算した値となる。

そして、次に、ｎ行目の画素回路行の発光動作が行われる（図３における時刻ｔ８以降、図９参照）。

具体的には、走査駆動回路１３から走査線１４に選択用トランジスタ１１ｄをＯＦＦするためのスキャン信号Ｓｃａｎｎが出力され、図９に示すように、スキャン信号に応じて選択用トランジスタ１１ｄがＯＦＦされる。これにより、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１６との接続が遮断される。

そして、図９に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂには、上述したプログラム動作における容量素子１１ｃの両端電圧が保持されたままその駆動電圧に応じた駆動電流Ｉｄが流れ、この駆動電流Ｉｄによって有機ＥＬ発光素子１１ａの発光部５０が発光する。なお、Ｖｏｄの印加完了後、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇する前に選択用トランジスタ１１ｄをＯＦＦする必要がある。

なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置では、２ライン前の選択期間からリセット動作を開始するので、図３に示すように、ｎ＋１行目の画素回路行については、ｎ−１行目の画素回路行の選択期間から上記と同様にしてリセット動作が開始されることになる。

また、上記動作説明においては、電源線１５に供給される電圧を所定電圧ＶＡに変更してリセット動作を行うようにしたが、これに限らず、たとえば、図１０に示すように、電源線１５に供給される電圧を電源電圧ＶＤＤで固定とし、容量素子１１ｃの一端およびソース端子Ｓと所定電圧ＶＡ（本実施形態ではＶＡ＝０）との接続を切り替えるリセット用トランジスタ１１ｅとそのリセット用トランジスタ１１ｅをＯＮ/ＯＦＦするリセット制御線２４とを設け、リセット動作時にリセット用トランジスタ１１ｅをＯＮすることによって駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓに所定電圧ＶＡを供給しリセット動作を行うようにしてもよい。

また、上記動作説明では、２ライン前から寄生容量５１の充電動作を含む閾値電圧検出動作を行っているが、これらの動作に必要な時間は、所定電圧ＶＡ,ＶＢ、寄生容量の容量値Ｃｄ、駆動用トランジスタ１１ｂの電流特性によって決まるため、実際の駆動用トランジスタ１１ｂの電流特性、寄生容量５１の容量値Ｃｄに対して設定することが必要である。

また、駆動用トランジスタ１１ｂのサブスレッシュ領域の駆動電流Ｉｄが大きい場合には、必要以上に充電期間および検出期間を長くすると誤差が生じるため、第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎのサイクル以下の単位での時間制御が必要となるが、そのような細かい時間制御については、リセット動作期間を調整することで制御可能である。具体的には、図１１に示すリセット期間Ｔ_ＶＡのｔ２のタイミングを早くしたり遅くしたりすることによって閾値電圧検出期間Ｔ_Ｖｔｈを制御することができる。

次に、本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。上述した第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、選択用トランジスタ１１ｄのＯＦＦ期間が十分に短い場合に採用される構成であるが、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、選択用トランジスタ１１ｄのＯＦＦ期間が十分に短いという条件を満たさなくてもよい構成である。図１２は、本発明の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図である。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様に、有機ＥＬ発光素子を有する画素回路２１が２次元状に多数配列されたアクティブマトリクス基板１０と、各画素回路２１の駆動用トランジスタのゲート端子に表示データに基づく駆動電圧を供給するデータ駆動回路１２と、各画素回路２１にスキャン信号を出力する走査駆動回路２３と、画像データに応じた表示データと同期信号に基づくタイミング信号をデータ駆動回路１２に出力する制御部２５を備えている。

そして、アクティブマトリクス基板１０は、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様に、多数の第１の走査線１４（第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置における走査線１４）と多数の電源線１５と多数のデータ線１６とが設けられているが、さらに走査駆動回路１３から出力された第２のスキャン信号ＳｃａｎＢを各画素回路行に供給する多数の第２の走査線１７を備えている。

各画素回路２１は、図１３に示すように、有機ＥＬ発光素子２１ａと、有機ＥＬ発光素子２１ａのアノード端子にソース端子Ｓが接続され、有機ＥＬ発光素子２１ａに駆動電流を流す駆動用トランジスタ２１ｂと、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間に接続された容量素子２１ｃと、容量素子２１ｃの一端および駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子Ｇに一端が接続されるとともに、他端がデータ線１６に接続された第１の選択用トランジスタ２１ｄと、容量素子２１ｃの一端および駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子Ｇに一端が接続されるとともに、他端が固定電圧源２１ｆに接続された第２の選択用トランジスタ２１ｅとを備えている。すなわち、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の画素回路２１は、第２の選択用トランジスタ２１ｅを備えている点で第１の実施形態の画素回路１１と異なる。その他の構成は第１の実施形態の画素回路と同様である。

そして、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置における走査駆動回路２３は、制御部２５から出力されたタイミング信号に基づいて、画素回路２１の第１の選択用トランジスタ２１ｄをＯＮ/ＯＦＦするための第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎを各第１の走査線１４に順次出力するとともに、各電源線１５に動作タイミングに応じた可変電圧を供給するものであり、さらに画素回路２１の第２の選択用トランジスタ２１ｅをＯＮ/ＯＦＦするための第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎを各第２の走査線１７に順次出力するものである。

次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作について、図１４に示すタイミングチャートおよび図１５から図１８を参照しながら説明する。なお、図１４には、走査駆動回路２３から出力されるｎ行目の第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎ、第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎ、ｎ＋１行目の第１のスキャン信号ＳｃａｎＡ（ｎ＋１）および第２のスキャン信号ＳｃａｎＢ（ｎ＋１）の出力タイミングと、走査駆動回路１３から出力されたｎ行目の可変電圧Ｖｄｄｎとｎ＋１行目の可変電圧Ｖｄｄ（ｎ＋１）の電圧波形と、データ駆動回路１２から出力されるデータ信号Ｖｄａｔａの出力タイミングと、ｎ行目の駆動用トランジスタ２１ｂのゲート電圧Ｖｇｎ、ソース電圧Ｖｓｎおよびゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎの電圧波形とが示されている。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、アクティブマトリクス基板１０の各第１の走査線１４および第２の走査線１７に接続された画素回路行が順次選択され、１行単位でプログラム動作が行なわれる。ここでは、ｎ行目の画素回路行において行なわれる動作について説明する。なお、図１４は、ｎ−２行目からｎ＋１行目までの画素回路行のプログラム動作のタイミングに対するｎ行目の画素回路行の動作を中心に示したタイミングチャートである。

まず、ｎ行目の画素回路行についてリセット動作が行われる（図１４の時刻ｔ１〜時刻ｔ２、図１５参照）。なお、このリセット動作は２ライン前のｎ−２行目の選択期間に実行される。

具体的には、図１４に示すように、走査駆動回路２３から第１の走査線１４に第１の選択用トランジスタ２１ｄをＯＦＦするための第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎが出力されるとともに、第２の走査線１７に第２の選択用トランジスタ２１ｅをＯＮするための第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎが出力される。そして、図１５に示すように、第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎに応じて第１の選択用トランジスタ２１ｄがＯＦＦされ、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１６とは遮断された状態となり、一方、第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎに応じて第２の選択用トランジスタ２１ｅがＯＮされ、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子Ｇと固定電圧源２１ｆとが接続された状態となる。

さらに、このとき走査駆動回路２３からｎ行目の電源線１５に所定電圧ＶＡが供給される。

所定電圧ＶＡよりも固定電圧源２１ｆから出力される所定電圧ＶＢの方が高い値に設定されており、これにより、駆動用トランジスタ２１ｂのソース端子Ｓとドレイン端子Ｄが逆転し、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝ＶＢ−ＶＡに設定される。

ここで、所定電圧ＶＢの値は、ＶＢ＞ＶＡ＋Ｖｔｈｍａｘを満たすように設定される。したがって、駆動用トランジスタ２１ｂには何らかの駆動電流Ｉｄが流れることになり、この駆動電流Ｉｄは電源線１５に流れ出す。

また、所定電圧ＶＡは、有機ＥＬ発光素子２１ａの発光閾値電圧をＶｆ０、駆動用トランジスタ２１ｂの閾値電圧偏差＋変動の最大値をΔＶｔｈとすると、ＶＡ＜Ｖｆ０−ΔＶｔｈが条件となり、たとえば、ＶＡ＝０Ｖに設定されるが、ΔＶｔｈが小さい場合には、より高い電圧を設定した方が有機ＥＬ発光素子２１ａの発光遷移時間を短縮でき、逆にΔＶｔｈが大きい場合には、より低い電圧（負電圧を含む）を設定する必要がある。

そして、ある程度の時間が経過すると寄生容量６１の放電が完了し、有機ＥＬ発光素子２１ａのアノード電位はＶＡにリセットされる。

そして、次に、ｎ行目の画素回路行について充電動作が行われる（図１４の時刻ｔ２〜時刻ｔ３、図１６参照）。

具体的には、走査駆動回路１３から電源線１５に出力される電圧Ｖｄｄｎが所定電圧ＶＡから電源電圧ＶＤＤに変更され、駆動用トランジスタ２１ｂの電源線１５側がドレイン端子Ｄ、有機ＥＬ発光素子２１ａ側がソース端子Ｓとなり、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、
Ｖｇｓ＝Ｖｇ−Ｖｓ＝ＶＢ−ＶＡ＞Ｖｔｈ
となり、駆動用トランジスタ２１ｂから有機ＥＬ発光素子２１ａに駆動電流Ｉｄが流れる。そして、この駆動電流Ｉｄにより有機ＥＬ発光素子２１ａの寄生容量６１が充電され、駆動用トランジスタのソース電圧Ｖｓが徐々に上昇する。

この充電動作は２ライン前のｎ−２行目の選択期間に実行される。

そして、次に、閾値電圧検出動作が行われる。（図１４の時刻ｔ３〜時刻ｔ４、図１７参照）。

具体的には、図１４に示すように、走査駆動回路２３から第１の走査線１４に第１の選択用トランジスタ２１ｄをＯＮするための第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎが出力されるとともに、第２の走査線１７に第２の選択用トランジスタ２１ｅをＯＦＦするための第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎが出力される。そして、図１７に示すように、第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎに応じて第１の選択用トランジスタ２１ｄがＯＮされ、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１６とが接続され、第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎに応じて第２の選択用トランジスタ２１ｅがＯＦＦされ、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子Ｇと固定電圧源２１ｆとが切断される。

そして、このときデータ駆動回路１２からは所定電圧ＶＢが出力され、上述した充電動作に引き続いて有機ＥＬ発光素子２１ａの寄生容量６１は駆動電流Ｉｄによって充電され続けるため、駆動用トランジスタ２１ｂのソース電圧Ｖｓは上昇する。

そして、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子Ｇには所定電圧ＶＢが供給されているので、駆動用トランジスタ２１ｂのソース電圧Ｖｓの上昇によりゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは低下し、Ｖｇｓ＝Ｖｔｈになった時点で駆動電流Ｉｄ＝０となり、ソース電圧Ｖｓの上昇は停止する。このとき、容量素子２１ｃの両端電圧はＶｃｓ＝Ｖｇｓ＝Ｖｔｈとなる。

ここで、このとき有機ＥＬ発光素子２１ａには電流が流れないことが前提であり、駆動用トランジスタ２１ｂのソース電圧Ｖｓは有機ＥＬ発光素子２１ａの発光閾値電圧以下とする必要があるため、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈ＜Ｖｆ０であり、
ＶＢ＜Ｖｆ０＋Ｖｔｈｍｉｎ
が条件となる。なお、Ｖｆ０は有機ＥＬ発光素子２１ａの発光閾値電圧、Ｖｔｈｍｉｎは駆動用トランジスタ２１ｂの最小閾値電圧である。

そして、次に、ｎ行目の画素回路行のプログラム動作が行われる（図１４における時刻ｔ４〜時刻ｔ５、図１８参照）。上記閾値電圧検出動作によって駆動用トランジスタ２１ｂのソース電圧が十分に安定した時点でデータ駆動回路１２は各データ線１６に出力する電圧を所定電圧ＶＢからＶＢ＋Ｖｏｄにステップアップさせる。

ここで、Ｖｏｄは有機ＥＬ発光素子２１ａに所望の輝度に応じた駆動電流を流すための駆動用トランジスタ２１ｂの駆動電圧であり、Ｖｏｄ＝Ｖｇｓ−Ｖｔｈである。そして、駆動用トランジスタ２１ｂのソース電圧Ｖｓは容量素子２１ｃの容量値Ｃｓと寄生容量６１の容量値Ｃｄの分圧となるので、
Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ×Ｃｓ/（Ｃｄ＋Ｃｓ）
となるが、Ｃｄ≫Ｃｓである場合には、
Ｖｓ≒ＶＢ−Ｖｔｈ
Ｖｇｓ≒ＶＢ＋Ｖｏｄ−（ＶＢ−Ｖｔｈ）＝Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ
となり、ほぼ容量素子２１ｃで検出したＶｔｈにＶｏｄを加算した値となる。

そして、次に、ｎ行目の画素回路行の発光動作が行われる（図１４における時刻ｔ５以降、図１９参照）。

具体的には、走査駆動回路１３から第１の走査線１４に第１の選択用トランジスタ２１ｄをＯＦＦするための第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎが出力され、図１９に示すように、第１のスキャン信号に応じて第１の選択用トランジスタ２１ｄがＯＦＦされる。これにより、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１６との接続が遮断される。

そして、図１９に示すように、駆動用トランジスタ２１ｂには、上述したプログラム動作における容量素子２１ｃの両端電圧が保持されたままその駆動電圧に応じた駆動電流Ｉｄが流れ、この駆動電流Ｉｄによって有機ＥＬ発光素子２１ａの発光部６０が発光する。なお、Ｖｏｄの印加完了後、駆動用トランジスタ２１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇する前に第１の選択用トランジスタ２１ｄをＯＦＦする必要がある。

なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置では、２ライン前の選択期間からリセット動作を開始するので、図１４に示すように、ｎ＋１行目の画素回路行については、ｎ−１行目の画素回路行の選択期間から上記と同様にしてリセット動作が開始されることになる。

また、上記動作説明においては、電源線１５に供給される電圧を所定電圧ＶＡに変更してリセット動作を行うようにしたが、これに限らず、たとえば、図２０に示すように、電源線１５に供給される電圧を電源電圧ＶＤＤで固定とし、容量素子２１ｃの一端およびソース端子Ｓと所定電圧ＶＡ（本実施形態ではＶＡ＝０）との接続を切り替えるリセット用トランジスタ２１ｇとそのリセット用トランジスタ２１ｇをＯＮ/ＯＦＦするリセット制御線１８とを設け、リセット動作時にリセット用トランジスタ２１ｇをＯＮすることによって駆動用トランジスタ２１ｂのソース端子Ｓに所定電圧ＶＡを供給しリセット動作を行うようにしてもよい。

また、上記動作説明では、２ライン前から寄生容量６１の充電動作を含む閾値電圧検出動作を行っているが、これらの動作に必要な時間は、所定電圧ＶＡ,ＶＢ、寄生容量６１の容量値、駆動用トランジスタ２１ｂの電流特性によって決まるため、実際の駆動用トランジスタ２１ｂの電流特性、寄生容量６１の容量値Ｃｄに対して設定することが必要である。また、駆動用トランジスタ２１ｂのサブスレッシュ領域の駆動電流Ｉｄが大きい場合には、必要以上に充電期間および検出期間を長くすると誤差が生じるため、第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎのサイクル以下の単位での時間制御が必要となるが、そのような細かい時間制御については、リセット動作期間を調整することで制御可能である。具体的な制御方法については、第１の実施形態と同様である。

また、上記動作説明では、２ライン前から寄生容量６１の充電動作を含む閾値電圧検出動作を行っているが、たとえば、１ライン前からの閾値電圧検出動作の開始で間に合う場合には、第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎとして、１つ前のラインの第１のスキャン信号ＳｃａｎＡ（ｎ−１）を利用するようにしてもよい。具体的には、図２１に示すように、たとえば、Ｎ−１行目の画素回路行に第１のスキャン信号ＳｃａｎＡ（ｎ−１）を供給する第１の走査線とＮ行目の画素回路行に第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎを供給する第２の走査線とを共通にすることができるので、走査線を半分に削減することができる。

次に、本発明の表示装置の第３の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。本発明の第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の全体概略構成は、図１１に示す第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様であり、画素回路の構成とその駆動方法が異なる。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様に、有機ＥＬ発光素子を有する画素回路３１が２次元状に多数配列されたアクティブマトリクス基板１０と、各画素回路３１の駆動用トランジスタのゲート端子に表示データに基づく駆動電圧を供給するデータ駆動回路１２と、各画素回路３１にスキャン信号を出力する走査駆動回路３３と、画像データに応じた表示データと同期信号に基づくタイミング信号をデータ駆動回路１２に出力する制御部２５を備えている。

そして、アクティブマトリクス基板１０は、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様に、多数の第１の走査線１４および第２の走査線１７と、多数の電源線１５と、多数のデータ線１６とを備えている。

各画素回路３１は、図２２に示すように、有機ＥＬ発光素子３１ａと、有機ＥＬ発光素子３１ａのアノード端子にソース端子Ｓが接続され、有機ＥＬ発光素子３１ａに駆動電流を流す駆動用トランジスタ３１ｂと、駆動用トランジスタ３１ｂのゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間に接続された容量素子３１ｃと、容量素子３１ｃの一端および駆動用トランジスタ３１ｂのゲート端子Ｇに一端が接続されるとともに、他端がデータ線１６に接続された第１の選択用トランジスタ３１ｅと、容量素子３１ｃの一端および駆動用トランジスタ３１ｂのゲート端子Ｇに一端が接続されるとともに、他端がゲートバイアス電圧保持用容量素子３１ｄに接続された第２の選択用トランジスタ３１ｆと、第２の選択用トランジスタ３１ｆの他端に接続されたゲートバイアス電圧保持用容量素子３１ｄとを備えている。すなわち、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の画素回路３１は、ゲートバイアス電圧保持用容量素子３１ｄとゲートバイアス電圧保持用容量素子３１ｄに接続される第２の選択用トランジスタ３１ｆとを備えている点で第２の実施形態の画素回路２１と異なる。その他の構成は第２の実施形態の画素回路と同様である。

そして、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置における走査駆動回路３３は、制御部２５から出力されたタイミング信号に基づいて、画素回路３１の第１の選択用トランジスタ３１ｅをＯＮ/ＯＦＦするための第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎを各第１の走査線１４に順次出力するとともに、各電源線１５に動作タイミングに応じた可変電圧を供給するものであり、さらに画素回路３１の第２の選択用トランジスタ３１ｆをＯＮ/ＯＦＦするための第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎを各第２の走査線１７に順次出力するものである。

次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作について、図２３に示すタイミングチャートおよび図２４から図２７を参照しながら説明する。なお、図２３には、走査駆動回路３３から出力されるｎ行目の第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎ、第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎ、ｎ＋１行目の第１のスキャン信号ＳｃａｎＡ（ｎ＋１）および第２のスキャン信号ＳｃａｎＢ（ｎ＋１）の出力タイミングと、走査駆動回路１３から出力されたｎ行目の可変電圧Ｖｄｄｎとｎ＋１行目の可変電圧Ｖｄｄ（ｎ＋１）の電圧波形と、データ駆動回路１２から出力されるデータ信号Ｖｄａｔａの出力タイミングと、ｎ行目の駆動用トランジスタ３１ｂのゲート電圧Ｖｇｎ、ソース電圧Ｖｓｎおよびゲート−ソース間電圧Ｖｇｓｎの電圧波形とが示されている。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、アクティブマトリクス基板１０の各第１の走査線１４および第２の走査線１７に接続された画素回路行が順次選択され、１行単位でプログラム動作が行なわれる。ここでは、ｎ行目の画素回路行において行なわれる動作について説明する。なお、図２３は、ｎ−２行目からｎ＋１行目までの画素回路行のプログラム動作のタイミングに対するｎ行目の画素回路行の動作を中心に示したタイミングチャートである。

まず、ｎ行目の画素回路行についてリセット動作が行われる（図２３の時刻ｔ１〜時刻ｔ２、図２４参照）。なお、このリセット動作は２ライン前のｎ−２行目の選択期間に実行される。

具体的には、図２３に示すように、走査駆動回路３３から第１の走査線１４に第１の選択用トランジスタ３１ｅをＯＮするための第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎが出力されるとともに、第２の走査線１７に第２の選択用トランジスタ３１ｆをＯＮするための第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎが出力される。そして、図２４に示すように、第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎに応じて第１の選択用トランジスタ３１ｅがＯＮされ、駆動用トランジスタ３１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１６とが接続された状態となり、一方、第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎに応じて第２の選択用トランジスタ３１ｆがＯＮされ、ゲートバイアス電圧保持用容量素子３１ｄとデータ線１６とが接続された状態となる。

そして、このとき走査駆動回路３３からｎ行目の電源線１５に所定電圧ＶＡが供給されるとともに、データ駆動回路１２から各データ線１６に所定電圧ＶＢが供給される。これにより、上記第２の実施形態と同様にしてリセット動作が行われ、有機ＥＬ発光素子３１ａのアノード電位はＶＡにリセットされる。

また、データ線１６への所定電圧ＶＢの供給によってゲートバイアス電圧保持用容量素子３１ｄが充電され、ゲートバイアス電圧保持用容量素子３１ｄの両端電圧がＶＢとなる。

そして、次に、ｎ行目の画素回路行について充電動作が行われる（図２３の時刻ｔ２〜時刻ｔ３、図２５参照）。

具体的には、走査駆動回路１３から電源線１５に出力される電圧Ｖｄｄｎが所定電圧ＶＡから電源電圧ＶＤＤに変更され、駆動用トランジスタ３１ｂの電源線１５側がドレイン端子Ｄ、有機ＥＬ発光素子３１ａ側がソース端子Ｓとなる。また、走査駆動回路３３から第１の走査線１４に第１の選択用トランジスタ３１ｅをＯＦＦするための第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎが出力され、この第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎに応じて第１の選択用トランジスタ３１ｅがＯＦＦされ、駆動用トランジスタ３１ｂのゲート端子Ｇにゲートバイアス電圧保持用容量素子３１ｄに保持された所定電圧ＶＢが供給される。

これにより、駆動用トランジスタ３１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、
Ｖｇｓ＝Ｖｇ−Ｖｓ＝ＶＢ−ＶＡ＞Ｖｔｈ
となり、駆動用トランジスタ３１ｂから有機ＥＬ発光素子３１ａに駆動電流Ｉｄが流れる。そして、この駆動電流Ｉｄにより有機ＥＬ発光素子３１ａの寄生容量７１が充電され、駆動用トランジスタのソース電圧Ｖｓが徐々に上昇する。

この充電動作は２ライン前のｎ−２行目の選択期間に実行される。

なお、上記充電動作においては、正確には、図３０に示すように、駆動電流Ｉｄは寄生容量７１と容量素子３１ｃとに分流して流れ、その比は寄生容量７１の容量値Ｃｄ、容量素子３１ｃの容量値Ｃｓとすると、
Ｉｃｄ：Ｉｃｓ＝Ｃｄ：Ｃｓ
となる。

また、ゲートバイアス電圧保持用容量素子３１ｄには、ほぼＩｃｓと等しい電流Ｉｃｂが流れる。そして、Δｔ時間でのゲート電圧Ｖｇの上昇分ΔＶｇは、ゲートバイアス電圧保持用容量素子３１ｄの容量値Ｃｂ、電荷量の変化分ΔＱｂとすると、
ΔＶｇ＝ΔＱｂ/Ｃｂ＝ＩｃｂΔｔ/Ｃｂ＝ＩｃｓΔｔ/Ｃｂ＝（Ｃｓ/Ｃｄ）ＩｃｄΔｔ＝ΔＶｓＣｓ/Ｃｂ
である。

したがって、充電期間中にゲート電圧ＶｇがＶＢを維持するためには、ΔＶｇがΔＶｓより十分小さいことが必要であり、
Ｃｂ≫Ｃｓ
がＣｂの条件となる。

そして、次に、閾値電圧検出動作が行われる。（図２３の時刻ｔ３〜時刻ｔ４、図２６参照）。

具体的には、図２３に示すように、走査駆動回路３３から第１の走査線１４に第１の選択用トランジスタ３１ｅをＯＮするための第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎが出力されるとともに、第２の走査線１７に第２の選択用トランジスタ３１ｆをＯＦＦするための第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎが出力される。そして、図２６に示すように、第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎに応じて第１の選択用トランジスタ３１ｅがＯＮされ、駆動用トランジスタ３１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１６とが接続され、第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎに応じて第２の選択用トランジスタ３１ｆがＯＦＦされ、駆動用トランジスタ３１ｂのゲート端子Ｇとゲートバイアス電圧保持用容量素子３１ｄとが切断される。

そして、このときデータ駆動回路１２からは所定電圧ＶＢが出力され、上述した充電動作に引き続いて有機ＥＬ発光素子３１ａの寄生容量７１は駆動電流Ｉｄによって充電され続けるため、駆動用トランジスタ３１ｂのソース電圧Ｖｓは上昇する。

そして、駆動用トランジスタ３１ｂのゲート端子Ｇには所定電圧ＶＢが供給されているので、駆動用トランジスタ３１ｂのソース電圧Ｖｓの上昇によりゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは低下し、Ｖｇｓ＝Ｖｔｈになった時点で駆動電流Ｉｄ＝０となり、ソース電圧Ｖｓの上昇は停止する。このとき、容量素子３１ｃの両端電圧はＶｃｓ＝Ｖｇｓ＝Ｖｔｈとなる。

ここで、このとき有機ＥＬ発光素子３１ａには電流が流れないことが前提であり、駆動用トランジスタ３１ｂのソース電圧Ｖｓは有機ＥＬ発光素子３１ａの発光閾値電圧以下とする必要があるため、駆動用トランジスタ３１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈ＜Ｖｆ０であり、
ＶＢ＜Ｖｆ０＋Ｖｔｈｍｉｎ
が条件となる。なお、Ｖｆ０は有機ＥＬ発光素子３１ａの発光閾値電圧、Ｖｔｈｍｉｎは駆動用トランジスタ３１ｂの最小閾値電圧である。

そして、次に、ｎ行目の画素回路行のプログラム動作が行われる（図２３における時刻ｔ４〜時刻ｔ５、図２７参照）。上記閾値電圧検出動作によって駆動用トランジスタ３１ｂのソース電圧が十分に安定した時点でデータ駆動回路１２は各データ線１６に出力する電圧を所定電圧ＶＢからＶＢ＋Ｖｏｄにステップアップさせる。

ここで、Ｖｏｄは有機ＥＬ発光素子３１ａに所望の輝度に応じた駆動電流を流すための駆動用トランジスタ３１ｂの駆動電圧であり、Ｖｏｄ＝Ｖｇｓ−Ｖｔｈである。そして、駆動用トランジスタ３１ｂのソース電圧Ｖｓは容量素子３１ｃの容量値Ｃｓと寄生容量７１の容量値Ｃｄの分圧となるので、
Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ×Ｃｓ/（Ｃｄ＋Ｃｓ）
となるが、Ｃｄ≫Ｃｓである場合には、
Ｖｓ≒ＶＢ−Ｖｔｈ
Ｖｇｓ≒ＶＢ＋Ｖｏｄ−（ＶＢ−Ｖｔｈ）＝Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ
となり、ほぼ容量素子３１ｃで検出したＶｔｈにＶｏｄを加算した値となる。

そして、次に、ｎ行目の画素回路行の発光動作が行われる（図２３における時刻ｔ５以降、図２８参照）。

具体的には、走査駆動回路１３から第１の走査線１４に第１の選択用トランジスタ３１ｅをＯＦＦするための第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎが出力され、図２８に示すように、第１のスキャン信号に応じて第１の選択用トランジスタ３１ｅがＯＦＦされる。これにより、駆動用トランジスタ３１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１６との接続が遮断される。

そして、図２８に示すように、駆動用トランジスタ３１ｂには、上述したプログラム動作における容量素子３１ｃの両端電圧が保持されたままその駆動電圧に応じた駆動電流Ｉｄが流れ、この駆動電流Ｉｄによって有機ＥＬ発光素子３１ａの発光部７０が発光する。なお、Ｖｏｄの印加完了後、駆動用トランジスタ３１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇する前に第１の選択用トランジスタ３１ｅをＯＦＦする必要がある。

なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置では、２ライン前の選択期間からリセット動作を開始するので、図２３に示すように、ｎ＋１行目の画素回路行については、ｎ−１行目の画素回路行の選択期間から上記と同様にしてリセット動作が開始されることになる。

また、上記動作説明においては、電源線１５に供給される電圧を所定電圧ＶＡに変更してリセット動作を行うようにしたが、これに限らず、たとえば、図２９に示すように、電源線１５に供給される電圧を電源電圧ＶＤＤで固定とし、容量素子３１ｃの一端およびソース端子Ｓと所定電圧ＶＡ（本実施形態ではＶＡ＝０）との接続を切り替えるリセット用トランジスタ３１ｇとそのリセット用トランジスタ３１ｇをＯＮ/ＯＦＦするリセット制御線１９とを設け、リセット動作時にリセット用トランジスタ３１ｇをＯＮすることによって駆動用トランジスタ３１ｂのソース端子Ｓに所定電圧ＶＡを供給しリセット動作を行うようにしてもよい。

また、上記動作説明では、ゲートバイアス電圧保持用容量素子３１ｄの充電期間とリセット期間とを共通の期間としたが、必ずしも正確な同期の必要はなく、充電期間がリセット期間に対して前後してもよい。

また、上記動作説明では、２ライン前から寄生容量７１の充電動作を含む閾値電圧検出動作を行っているが、これらの動作に必要な時間は、所定電圧ＶＡ,ＶＢ、寄生容量の容量値Ｃｄ、駆動用トランジスタ３１ｂの電流特性によって決まるため、実際の駆動用トランジスタ３１ｂの電流特性、寄生容量７１の容量値Ｃｄに対して設定することが必要である。また、駆動用トランジスタ３１ｂのサブスレッシュ領域の駆動電流Ｉｄが大きい場合には、必要以上に充電期間および検出期間を長くすると誤差が生じるため、第１のスキャン信号ＳｃａｎＡｎのサイクル以下の単位での時間制御が必要となるが、そのような細かい時間制御については、リセット動作期間を調整することで制御可能である。具体的な制御方法については、第１の実施形態と同様である。

また、上記動作説明では、２ライン前から寄生容量７１の充電動作を含む閾値電圧検出動作を行っているが、たとえば、１ライン前からの閾値電圧検出動作の開始で間に合う場合には、第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎとして、１つ前のラインの第１のスキャン信号ＳｃａｎＡ（ｎ−１）を利用するようにしてもよい。具体的には、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様に、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置においても、図２１に示すように、たとえば、Ｎ−１行目の画素回路行に第１のスキャン信号ＳｃａｎＡ（ｎ−１）を供給する第１の走査線とＮ行目の画素回路行に第２のスキャン信号ＳｃａｎＢｎを供給する第２の走査線とを共通にすることができるので、走査線を半分に削減することができる。

なお、上記実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、各電圧演算をアナログ回路またはデジタル回路で構成しているが、これらは演算内容を説明するための一例であり、これらの回路構成に限定されるものではない。

また、上記本発明の実施形態は、本発明の表示装置を有機ＥＬ表示装置に適用したものであるが、発光素子としては、有機ＥＬ発光素子に限らず、たとえば、無機ＥＬ素子などを用いるようにしてもよい。

また、本発明の表示装置は、様々な用途がある。たとえば、携帯情報端末（電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話など）、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビなどが挙げられる。

１０ アクティブマトリクス基板
１１ａ 発光素子
１１ｂ 駆動用トランジスタ
１１ｃ 容量素子
１１ｄ 選択用トランジスタ
１１ｅ リセット用トランジスタ
１２ データ駆動回路
１３ 走査駆動回路
１４ 走査線（第１の走査線）
１５ 電源線
１６ データ線
１７ 第２の走査線
１８ リセット制御線
２１ 画素回路
２１ａ 発光素子
２１ｂ 駆動用トランジスタ
２１ｃ 容量素子
２１ｄ 第１の選択用トランジスタ
２１ｅ 第２の選択用トランジスタ
２１ｆ 固定電圧源
２１ｇ リセット用トランジスタ
２３ 走査駆動回路
２４ リセット制御線
３１ 画素回路
３１ａ 発光素子
３１ｂ 駆動用トランジスタ
３１ｃ 容量素子
３１ｄ ゲートバイアス電圧保持用容量素子
３１ｅ 第１の選択用トランジスタ
３１ｆ 第２の選択用トランジスタ
３１ｇ リセット用トランジスタ
３３ 走査駆動回路
５０ 発光部
５１ 寄生容量
６０ 発光部
６１ 寄生容量
７０ 発光部
７１ 寄生容量

Claims (12)

1. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子と、前記駆動用トランジスタのゲート端子と前記駆動用トランジスタに供給される駆動電圧が設定されるデータ線との接続を切り替える選択用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板と、前記データ線に直交する方向に前記画素回路が配置された画素回路行を順次切り替えて選択し、該選択した画素回路行の前記選択用トランジスタをＯＮして前記画素回路行の各画素回とデータ線とを接続する走査駆動回路とを備えた表示装置の駆動制御方法であって、
   所定の前記画素回路行の選択期間の前に、前記所定の画素回路行とは異なる画素回路行の選択期間において、前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子に所定の電圧を設定し、
   該所定の電圧の設定によって前記所定の画素回路行の各画素回路の発光素子の寄生容量を充電して前記各画素回路の駆動用トランジスタの閾値電圧の検出を開始し、
   前記所定の画素回路行の選択期間内において前記閾値電圧の検出を完了し、その後、前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタに前記駆動電圧を設定することを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
2. 前記所定の画素回路行の各画素回路の閾値電圧の検出開始から完了までの期間であって、前記データ線に前記所定の電圧が設定されている間は前記所定の画素回路行の選択用トランジスタをＯＮすることによって前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子を前記データ線に接続し、
   前記所定の画素回路行の各画素回路の閾値電圧の検出開始から完了までの期間であって、前記データ線に前記異なる画素回路行の各画素回路の駆動トランジスタの駆動電圧が設定されている間は前記所定の画素回路行の選択用トランジスタをＯＦＦすることによって前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子と前記データ線との接続を遮断することを特徴とする請求項１記載の表示装置の駆動制御方法。
3. 前記画素回路の前記駆動用トランジスタのゲート端子に対し前記選択用トランジスタと並列に前記ゲート端子と固定電圧源との接続を切り替える固定電圧供給用トランジスタを設け、
   前記所定の画素回路行の前記閾値電圧の検出動作の間は前記選択用トランジスタをＯＦＦするとともに、前記固定電圧供給用トランジスタをＯＮして前記固定電圧源から前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタに固定電圧を設定し、
   前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタの駆動電圧の設定の間は前記固定電圧供給用トランジスタをＯＦＦするとともに、前記選択用トランジスタをＯＮすることを特徴とする請求項１記載の表示装置の駆動制御方法。
4. 前記画素回路の前記駆動用トランジスタのゲート端子に対し前記選択用トランジスタと並列に固定電圧供給用トランジスタを設けるとともに、該固定電圧供給用トランジスタを介して前記駆動用トランジスタのゲート端子に固定電圧を供給するゲート電圧保持用容量素子とを設け、
   前記選択用トランジスタおよび前記固定電圧供給用トランジスタをＯＮして前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子に前記データ線と前記ゲート電圧保持用容量素子とを接続し、その後、前記選択用トランジスタをＯＦＦして前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子と前記データ線との接続を遮断するとともに、前記固定電圧供給用トランジスタのＯＮ状態を継続することによって前記所定の画素回路行の前記閾値電圧の検出動作を行い、
   前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタの駆動電圧の設定の間は前記固定電圧供給用トランジスタをＯＦＦするとともに、前記選択用トランジスタをＯＮすることを特徴とする請求項１記載の表示装置の駆動制御方法。
5. Ｎ−１行目の画素回路行に前記選択用トランジスタのＯＮ/ＯＦＦを制御する第１の走査信号を供給する第１の走査線とＮ行目の画素回路行に前記固定電圧供給用トランジスタのＯＮ/ＯＦＦを制御する第２の走査信号を供給する第２の走査線として共通の走査線を用いることを特徴とする請求項３または４記載の表示装置の駆動制御方法。
6. 前記所定の画素回路行の各画素回路の閾値電圧の検出動作の期間を該閾値電圧の検出動作の前に行われる前記各画素回路のリセット動作の期間を調整することによって制御することを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の表示装置の駆動制御方法。
7. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子と、前記駆動用トランジスタのゲート端子と前記駆動用トランジスタに供給される駆動電圧が設定されるデータ線との接続を切り替える選択用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板と、前記データ線に直交する方向に前記画素回路が配置された画素回路行を順次切り替えて選択し、該選択した画素回路行の前記選択用トランジスタをＯＮして前記画素回路行の各画素回とデータ線とを接続する走査駆動回路とを備えた表示装置であって、
   所定の前記画素回路行の選択期間の前に、前記所定の画素回路行とは異なる画素回路行の選択期間において、前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子に所定の電圧を設定する電圧設定部と、
   該電圧設定部による所定の電圧の設定によって前記所定の画素回路行の各画素回路の発光素子の寄生容量を充電して前記各画素回路の駆動用トランジスタの閾値電圧の検出を開始し、前記所定の画素回路行の選択期間内において前記閾値電圧の検出を完了する閾値電圧検出部と、
   前記閾値電圧検出部による閾値電圧の検出完了後、前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタに前記駆動電圧を設定する駆動電圧設定部とを備えたことを特徴とする表示装置。
8. 前記閾値電圧検出部が、前記所定の画素回路行の各画素回路の閾値電圧の検出開始から完了までの期間であって、前記データ線に前記所定の電圧が設定されている間は前記所定の画素回路行の選択用トランジスタをＯＮすることによって前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子を前記データ線に接続し、前記所定の画素回路行の各画素回路の閾値電圧の検出開始から完了までの期間であって、前記データ線に前記異なる画素回路行の各画素回路の駆動トランジスタの駆動電圧が設定されている間は前記所定の画素回路行の選択用トランジスタをＯＦＦすることによって前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子と前記データ線との接続を遮断するものであることを特徴とする請求項７記載の表示装置。
9. 前記画素回路の前記駆動用トランジスタのゲート端子に対し前記選択用トランジスタと並列に前記ゲート端子と固定電圧源との接続を切り替える固定電圧供給用トランジスタを設け、
   前記閾値電圧検出部が、前記所定の画素回路行の前記閾値電圧の検出動作の間は前記選択用トランジスタをＯＦＦするとともに、前記固定電圧供給用トランジスタをＯＮして前記固定電圧源から前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタに固定電圧を設定するものであり、
   前記駆動電圧設定部が、前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタの駆動電圧の設定の間は前記固定電圧供給用トランジスタをＯＦＦするとともに、前記選択用トランジスタをＯＮするものであることを特徴とする請求項７記載の表示装置。
10. 前記画素回路の前記駆動用トランジスタのゲート端子に対し前記選択用トランジスタと並列に固定電圧供給用トランジスタを設けるとともに、該固定電圧供給用トランジスタを介して前記駆動用トランジスタのゲート端子に固定電圧を供給するゲート電圧保持用容量素子とを設け、
    前記閾値電圧検出部が、前記選択用トランジスタおよび前記固定電圧供給用トランジスタをＯＮして前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子に前記データ線と前記ゲート電圧保持用容量素子とを接続し、その後、前記選択用トランジスタをＯＦＦして前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタのゲート端子と前記データ線との接続を遮断するとともに、前記固定電圧供給用トランジスタのＯＮ状態を継続することによって前記所定の画素回路行の前記閾値電圧の検出動作を行うものであり、
    前記駆動電圧設定部が、前記所定の画素回路行の各画素回路の駆動用トランジスタの駆動電圧の設定の間は前記固定電圧供給用トランジスタをＯＦＦするとともに、前記選択用トランジスタをＯＮするものであることを特徴とする請求項７記載の表示装置。
11. Ｎ−１行目の画素回路行に前記選択用トランジスタのＯＮ/ＯＦＦを制御する第１の走査信号を供給する第１の走査線とＮ行目の画素回路行に前記固定電圧供給用トランジスタのＯＮ/ＯＦＦを制御する第２の走査信号を供給する第２の走査線として共通の走査線が設けられていることを特徴とする請求項９または１０記載の表示装置。
12. 前記閾値電圧検出部が、前記所定の画素回路行の各画素回路の閾値電圧の検出動作の期間を該閾値電圧の検出動作の前に行われる前記各画素回路のリセット動作の期間を調整することによって制御するものであることを特徴とする請求項７から１１いずれか１項記載の表示装置。