JP2011027958A - 表示装置およびその駆動制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子を駆動する駆動用トランジスタのゲート寄生容量によるプログラム誤差を効果的に緩和する。
【解決手段】少なくとも駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧のプログラム動作期間（時刻ｔ３〜時刻ｔ４）において駆動用トランジスタのドレイン端子に印加される電源電圧Ｖｄｄ１よりも発光素子の発光動作期間（時刻ｔ４以降）において駆動用トランジスタのドレイン端子に印加される電源電圧Ｖｄｄ２の方が高くなるように駆動用トランジスタの電源電圧を制御する。
【選択図】図４

Description

本発明は、アクティブマトリクス方式で駆動される発光素子を備えた表示装置およびその表示装置の駆動制御方法に関するものである。

従来、有機ＥＬ発光素子などの発光素子を用いた表示装置が提案されており、テレビや携帯電話のディスプレイなど種々の分野での利用が提案されている。

一般に、有機ＥＬ発光素子は電流駆動型発光素子であるため、液晶ディスプレイとは異なり、その駆動回路として画素回路を選択する選択用トランジスタと表示画像に応じた電荷を保持する容量素子と有機ＥＬ発光素子を駆動する駆動用トランジスタが最低限必要である（たとえば、特許文献１および特許文献２参照）。

そして、従来、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置の画素回路には、低温ポリシリコンまたはアモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタが用いられていた。

しかしながら、低温ポリシリコンの薄膜トランジスタは高移動度と閾値電圧安定性を得ることができるが、移動度の均一性に問題がある。また、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタは移動度均一性を得ることができるが、移動度の低さと閾値電圧の経時変動の問題がある。また、近年、研究が盛んな無機酸化膜薄膜トランジスタにおいても閾値電圧の経時変動の問題がある。

上記のような移動度の不均一性および閾値電圧の不安定性は表示画像のムラとなって現れる。そこで、たとえば特許文献３に記載の有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ発光素子の寄生容量を駆動用トランジスタで自己充電し、駆動用トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動を補正する方法が提案されている。特許文献３に記載の方法においては、駆動用トランジスタのゲート端子に固定電圧を印加し、駆動用トランジスタの駆動電流Ｉｄで有機ＥＬ発光素子の寄生容量を充電することで駆動用トランジスタのソース電位をＶｇ（ゲート電圧）−Ｖｔｈ（閾値電圧）に固定した後、ゲート端子への印加電圧を駆動電圧Ｖｏｄだけステップアップすることで閾値電圧を補正した電圧プログラムが行われる。

特開平８−２３４６８３号公報 特開２００３−１７３１５４号公報 特開２００３−２７１０９５号公報

ここで、図１１に特許文献３に記載の画素回路の構成を示す。特許文献３に記載の方法においては、駆動用トランジスタＴ１のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓをプログラムした後、ゲート端子Ｇに接続されたスイッチ素子ＳＷがＯＦＦされ、有機ＥＬ発光素子Ｄ１が発光状態へ遷移するが、このとき駆動用トランジスタＴ１のソース電位は有機ＥＬ発光素子Ｄ１の発光動作時電圧Ｖｆに応じて上昇する。そして、駆動用トランジスタＴ１のゲート端子Ｇは開放端であり、ゲート電位もソース電位の上昇に同期して上昇することでＶｇｓが一定に保持されることが理想である。

しかしながら、実際は、駆動用トランジスタＴ１のドレイン端子Ｄに供給される電源電圧は固定であるため、駆動用トランジスタＴ１においてはドレイン−ソース間電圧Ｖｄｇが低下することになる。

そして、図１２に示すように、駆動用トランジスタＴ１のゲート端子にはドレイン−ゲート間の寄生容量Ｃｄｇとゲート−ソース間の寄生容量Ｃｇsが存在し、これらが保持容量Ｃｓよりも十分に小さく無視できる程度の場合は問題ないが、実際には、これらの寄生容量の影響でＶｇｓの低下が発生する。

具体的には、ドレイン−ゲート間寄生容量Ｃｄｇとゲート−ソース間寄生容量Ｃｇｓとの比によりＶｇｓの低下分は決定し、下式によって算出される。

ΔＶｇｓ＝（Ｃｇｄ×ΔＶｄｇ）/（Ｃｓ＋Ｃｇｓ）
そして、このＶｇｓの低下がプログラム誤差となり、表示画像に影響を及ぼす問題がある。

ΔＶｇｓは容量素子ＣｓとＣｄｇとの比で決まるため、Ｃｄｇが大きくなればＣｓも大きくする必要があるが、Ｃｓは開口率により制限され十分に大きな値を設定することは困難である。また、後で詳述するが、特許文献３に記載の方法のように有機ＥＬ発光素子の寄生容量を充電することによって駆動用トランジスタの閾値電圧を検出する方法においては、有機ＥＬ発光素子の寄生容量Ｃｄ≫Ｃｓである必要があり、この条件からもＣｓを任意の大きな値に設定することは困難である。

特に、発光部面積が小さく、発光素子の寄生容量も小さい高精細パネルや、フィルム基材の熱伸縮によりＴＦＴを微細化することが困難であるフレキシブルパネルや、発光動作時電圧Ｖｆが大きいＭＰＥ（Multi-Photon Emission）素子を使用したパネルなどにおいては、この駆動用トランジスタのゲート寄生容量によって発生するプログラム誤差が高画質表示を実現する上で重要な問題となる。

本発明は、上記の事情に鑑み、ゲート寄生容量によるプログラム誤差を効果的に緩和可能な表示装置およびその表示装置の駆動制御方法を提供することを目的とする。

本発明の表示装置の駆動制御方法は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタ、および駆動用トランジスタのソース端子と駆動用トランジスタのソース端子にリセット電圧を供給するリセット電圧線との間に接続されたソース用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置あって、発光素子の寄生容量を駆動用トランジスタの駆動電流によって充電することによって駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行う表示装置の駆動制御方法において、少なくとも駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作期間および駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧のプログラム動作期間を含む表示データ更新期間において駆動用トランジスタのドレイン端子に印加される電源電圧よりも発光素子の発光動作期間において駆動用トランジスタのドレイン端子に印加される電源電圧の方が高くなるように駆動用トランジスタの電源電圧を制御することを特徴とする。

本発明の表示装置は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタ、および駆動用トランジスタのソース端子と駆動用トランジスタのソース端子にリセット電圧を供給するリセット電圧線との間に接続されたソース用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板と、発光素子の寄生容量を駆動用トランジスタの駆動電流によって充電することによって駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行うようアクティブマトリクス基板を制御する制御部とを備えた表示装置において、少なくとも駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作期間および駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧のプログラム動作期間を含む表示データ更新期間において駆動用トランジスタのドレイン端子に印加される電源電圧よりも発光素子の発光動作期間において駆動用トランジスタのドレイン端子に印加される電源電圧の方が高くなるように駆動用トランジスタの電源電圧を制御する電源制御部を備えたことを特徴とする。

また、上記本発明の表示装置においては、電源制御部を、表示データ更新期間における駆動用トランジスタの電源電圧Ｖｄｄ１と発光動作期間における駆動用トランジスタの電源電圧Ｖｄｄ２との差ΔＶｄｄを、下式（１）を満たす値に設定するものとすることができる。
ΔＶｄｄ＝Ｖｆ−ＶＢ＋Ｖｔｈ ・・・ （１）
ただし、Ｖｆは予め取得された発光素子の発光動作時電圧値、ＶＢは表示データ更新期間において駆動用トランジスタのゲート端子に供給される電圧値、Ｖｔｈは予め取得された駆動用トランジスタの閾値電圧
また、表示データ更新期間において前記駆動用トランジスタのゲート端子に供給される電圧値ＶＢを発光素子により発光させる輝度に対応する画像データに応じて設定するゲート駆動回路部をさらに設けることができる。

また、ゲート駆動回路部を、ＶＢの値を、下式（２）を満たす値に設定するものとすることができる。
ＶＢ＝Ｖｆ予想値＋Ｖｔｈ−ΔＶｄｄ ・・・ （２）
ただし、Ｖｆ予想値は画像データに基づいて算出された発光素子の発光動作時電圧の予想値、ΔＶｄｄは、予め設定された、表示データ更新期間における駆動用トランジスタの電源電圧と発光動作期間における駆動用トランジスタの電源電圧との差
また、ゲート駆動回路部を、発光素子の特性の経時変動に基づいてＶｆ予想値を設定するものとすることができる。

本発明の表示装置およびその駆動制御方法によれば、表示データ更新期間において駆動用トランジスタのドレイン端子に印加される電源電圧よりも発光素子の発光動作期間において駆動用トランジスタのドレイン端子に印加される電源電圧の方が高くなるように駆動用トランジスタの電源電圧を制御するようにしたので、表示データ更新期間における駆動用トランジスタのドレイン−ソース間電圧Ｖｄｇと発光動作期間における駆動用トランジスタのドレイン−ソース間電圧Ｖｄｇとの差を減少させることができ、これによりゲート寄生容量に起因する駆動用トランジスタのプログラム誤差を減少させることができる。

したがって、ゲート寄生容量を小さくすることが困難な高精細パネルや、フレキシブルパネルや、ＭＰＥ（Multi-Photon Emission）素子を使用したパネルなどにおいても、特に輝度ムラが視認され易い中間階調領域において、駆動用トランジスタのゲート寄生容量によって発生するプログラム誤差を減少させることができ、輝度均一性の高い高画質表示を実現することができる。

また、本発明の表示装置およびその駆動制御方法において、表示データ更新期間において駆動用トランジスタのゲート端子に供給される電圧ＶＢを、発光素子により発光させる輝度に対応する画像データに応じて変化させるようにした場合には、中間階調領域に限らず高輝度領域や低輝度領域なども含めた全階調領域において、駆動用トランジスタのゲート寄生容量によって発生するプログラム誤差を減少させることができ、輝度均一性の高い高画質表示を実現することができる。

また、発光素子の特性の経時変動に基づいてＶｆ予想値を設定し、そのＶｆ予想値に基づいて電源電圧の差を変化させるようにした場合には、発光素子の経時劣化も考慮した駆動制御を行うことができ、長期間にわたって高画質表示を維持することができる。

本発明の表示装置の第１および第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図 本発明の表示装置の第１および第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の画素回路の構成を示す図 本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置のゲート駆動回路の構成を示す図 本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の作用を説明するためのタイミングチャート 本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置のリセット動作の作用を説明するための図 本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の閾値電圧検出動作の作用を説明するための図 本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置のプログラム動作の作用を説明するための図 本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の発光動作の作用を説明するための図 本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置のゲート駆動回路の構成を示す図 本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の作用を説明するためのタイミングチャート 従来の有機ＥＬ表示装置の画素回路の一例を示す図 駆動用トランジスタのゲート寄生容量に起因するＶｇｓの低下を説明するための図

以下、図面を参照して本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図である。

本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、図１に示すように、有機ＥＬ発光素子を有する画素回路１１が２次元状に多数配列されたアクティブマトリクス基板１０と、各画素回路１１にゲートスキャン信号、ソーススキャン信号および電源電圧を出力する走査駆動回路１２と、画像データに応じた表示データに基づいて各画素回路１１の駆動用トランジスタにプログラム電圧を出力するゲート駆動回路１３と、画像データに応じた表示データと同期信号に基づくタイミング信号をゲート駆動回路１３に出力するとともに、走査駆動回路１２に同期信号に基づくタイミング信号を出力する制御部１９とを備えている。

そして、アクティブマトリクス基板１０は、ゲート駆動回路１３から出力されたプログラム電圧を各画素回路列に供給する多数のデータ線１４と、走査駆動回路１２から出力されたゲートスキャン信号を各画素回路行に供給する多数のゲート走査線１５と、走査駆動回路１２から出力されたソーススキャン信号を各画素回路行に供給する多数のソース走査線１６と、走査駆動回路１２から出力された電源電圧を各画素回路行に供給する電源電圧線１７と、各画素回路列にリセット電圧を供給する多数のリセット電圧線１８とを備えている。なお、本実施形態においてはリセット電圧線１８の一端は、図１に示すように接地されており、リセット電圧として接地電圧（０Ｖ）がリセット電圧線１８に供給されるものとする。

そして、データ線１４およびリセット電圧線１８と、ゲート走査線１５、ソース走査線１６および電源電圧線１７とは直交して格子状に設けられている。そして、これらの交差点近傍に画素回路１１が設けられている。

各画素回路１１は、図２に示すように、有機ＥＬ発光素子１１ａと、有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード端子にソース端子Ｓが接続され、有機ＥＬ発光素子１１ａに駆動電流を流す駆動用トランジスタ１１ｂと、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間に接続された容量素子１１ｃと、容量素子１１ｃの一端および駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１４との間に接続されたゲート選択用トランジスタ１１ｄと、容量素子１１ｃの他端および駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓとリセット電圧線１８との間に接続されたソース用トランジスタ１１ｅとを備えている。

有機ＥＬ発光素子１１ａは、駆動用トランジスタ１１ｂにより流された駆動電流により発光する発光部５０と、発光部５０の寄生容量５１とを有している。そして、有機ＥＬ発光素子１１ａのカソード端子は共通電位（図２では接地電位）に接続されている。また、駆動用トランジスタ１１ｂのドレイン端子は電源電圧線１７に接続されている。

駆動用トランジスタ１１ｂ、ゲート選択用トランジスタ１１ｄおよびソース用トランジスタ１１ｅは、Ｎ型の薄膜トランジスタから構成されている。そして、駆動用トランジスタ１１ｂの薄膜トランジスタの種類としては、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタや無機酸化膜の薄膜トランジスタを用いることができる。無機酸化膜薄膜トランジスタとしては、たとえば、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）を材料とする無機酸化膜からなる薄膜トランジスタを利用することができるが、ＩＧＺＯに限らず、その他ＩＺＯ（ＩｎＺｎＯ）なども用いることができる。

走査駆動回路１２は、制御部１９から出力されたタイミング信号に基づいて、画素回路１１のゲート選択用トランジスタ１１ｄをＯＮ/ＯＦＦするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧを各ゲート走査線１５に順次出力するとともに、ソース用トランジスタ１１ｅをＯＮ/ＯＦＦするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳを各ソース走査線１６に順次出力するものである。また、画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのドレイン端子Ｄに２種類の電源電圧を供給するものである。電源電圧の大きさについては後で詳述する。

ゲート駆動回路１３は、入力された表示データに基づいて、各画素回路１１に入力されるプログラム電圧を生成し、そのプログラム電圧を各データ線１４に出力するものである。

図３に、各データ線１４に対してそれぞれ設けられるゲート駆動回路１３の一部を示す。ゲート駆動回路１３は、制御部１９から出力された表示データに対しガンマ変換を施し、後述する駆動電圧Ｖｏｄに応じたＶｏｄデータに変換するルックアップテーブル１３ａと、後述する閾値電圧検出動作時に駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに供給される電圧に応じたＶＢデータを出力するＶＢデータ出力部１３ｂと、ルックアップテーブル１３ａから出力されたＶｏｄデータとＶＢデータ出力部１３ｂから出力されたＶＢデータとを加算する加算器１３ｃと、加算器１３ｃから出力された加算データに対してＤＡ変換を施すＤＡ変換器１３ｄと、ＶＢデータ出力部１３ｂから出力されたＶＢデータに対してＤＡ変換を施すＤＡ変換器１３ｅと、制御部１９から出力されたタイミング信号に基づいて、ＤＡ変換器１３ｄから出力されたプログラム電圧ＶｐｒｇとＤＡ変換器１３ｅから出力された電圧ＶＢとを切り替えて出力するスイッチ１３ｆと、バッファアンプ１３ｇとを備えている。

次に、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作について、図４に示すタイミングチャートおよび図５から図８を参照しながら説明する。なお、図４には、走査駆動回路１２から出力されるゲートスキャン信号ＳｃａｎＧの電圧波形と、走査駆動回路１２から出力されるソーススキャン信号ＳｃａnＳおよび電源電圧Ｖｄｄｎの電圧波形と、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓおよびゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの電圧波形とが示されている。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、アクティブマトリクス基板１０の各ゲート走査線１５に接続された画素回路行が順次選択され、１行単位でその選択期間内に所定の動作が行なわれる。ここでは、その選択された所定の画素回路行において選択期間内に行なわれる動作について説明する。

まず、画素回路行についてリセット動作が行われる（図４の時刻ｔ１〜時刻ｔ２、図５参照）。

具体的には、まず、図４に示すように、走査駆動回路１２から電源電圧線１７に対して表示データ更新時電源電圧Ｖｄｄ１が出力され、電源電圧線１７の電圧が発光動作時電源電圧Ｖｄｄ２から表示データ更新時電源電圧Ｖｄｄ１に降下させられる。なお、本実施形態においては、後述する閾値電圧検出動作期間およびプログラム動作期間を表示データ更新期間といい、この表示データ更新期間に電源電圧線１７に出力される電源電圧を表示データ更新時電源電圧Ｖｄｄ１という。また、後述する発光動作期間に電源電圧線１７に出力される電源電圧を発光動作時電源電圧Ｖｄｄ２という。

また、このとき走査駆動回路１２からゲート走査線１５にゲート選択用トランジスタ１１ｄをオンするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧが出力されるとともに、走査駆動回路１２からソース走査線１６にソース用トランジスタ１１ｅをオンするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳが出力される。そして、図５に示すように、ゲートスキャン信号ＳｃａｎＧに応じてゲート選択用トランジスタ１１ｄがオンされ、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇがデータ線１４に接続される。また、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳに応じてソース用トランジスタ１１ｅがオンされ、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓおよび容量素子１１ｃの一端（駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子とは反対側）と、リセット電圧線１８とが接続される。

そして、このときゲート駆動回路１３から各データ線１４に所定電圧ＶＢが出力され、各画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに供給され、また、各リセット電圧線１８にはリセット電圧ＶＡが設定され、各画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓに供給される。なお、本実施形態においては、上述したようにリセット電圧は接地電圧（０Ｖ）に設定している。

上記のような動作によって、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＡ＝０となり、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝ＶＢ−ＶＡに設定され、容量素子１１ｃおよび寄生容量５１がリセットされる。

ここで、所定電圧ＶＢは、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧の最大値をＶｔｈｍａｘとすると、ＶＢ＞ＶＡ＋Ｖｔｈｍａｘが条件であり、駆動用トランジスタ１１ｂからリセット電圧線１８には何らかの駆動電流Ｉｄが流れる状態である。

また、リセット電圧ＶＡは、有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧をＶｆ０、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧偏差＋変動の最大値をΔＶｔｈとすると、ＶＡ＜Ｖｆ０−ΔＶｔｈが条件となり、たとえば、本実施形態のようにＶＡ＝０Ｖに設定されるが、ΔＶｔｈが小さい場合には、より高い電圧を設定した方が有機ＥＬ発光素子１１ａの発光遷移時間を短縮でき、逆にΔＶｔｈが大きい場合には、より低い電圧（負電圧を含む）を設定する必要がある。

そして、次に、閾値電圧検出動作が行われる（図４の時刻ｔ２〜時刻ｔ３、図６参照）。

具体的には、図４に示すように、走査駆動回路１２からソース走査線１６にソース用トランジスタ１１ｅをオフするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳが出力される。そして、図６に示すように、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳに応じてソース用トランジスタ１１ｅがオフされる。

これにより、図６に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓとリセット電圧線１８とが遮断される。そして、このとき駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、
Ｖｇｓ＝Ｖｇ−Ｖｓ＝ＶＢ−ＶＡ＞Ｖｔｈ
となっているため、駆動用トランジスタ１１ｂからリセット電圧線１８へ流れていた駆動電流Ｉｄは、有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１に流れ、寄生容量５１が充電され、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓのソース電圧Ｖｓが上昇する。

駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに供給されるＶＢは固定電圧であるため、ソース電圧Ｖｓの上昇によりＶｇｓは低下し、Ｖｇｓ＝Ｖｔｈになった時点で駆動電流Ｉｄ＝０となり、ソース電圧Ｖｓの上昇は停止する。なお、このときの容量素子１１ｃの両端電圧Ｖｃｓ＝Ｖｇｓ＝Ｖｔｈとなっている。

ここで、このとき駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈであり、ソース電圧Ｖｓは有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧以下とする必要があるため、
ＶＢ＜Ｖｆ０＋Ｖｔｈｍｉｎ
が条件となる。なお、Ｖｆ０は有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧、Ｖｔｈｍｉｎは駆動用トランジスタ１１ｂの最小閾値電圧である。

そして、次にプログラム動作が行われる（図４における時刻ｔ３〜時刻ｔ４、図７参照）。上記閾値電圧検出動作によって駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧が十分に安定した時点でゲート駆動回路１３は、スイッチ１３ｆを切り替えて各データ線１４に出力する電圧を所定電圧ＶＢからプログラム電圧Ｖｐｒｇ＝ＶＢ＋Ｖｏｄにステップアップさせる。

ここで、Ｖｏｄは有機ＥＬ発光素子１１ａに所望の輝度に応じた駆動電流を流すための駆動用トランジスタ１１ｂの駆動電圧であり、Ｖｏｄ＝Ｖｇｓ−Ｖｔｈである。そして、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓは容量素子１１ｃの容量値Ｃｓと寄生容量５１の容量値Ｃｄの分圧となるので、
Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ×Ｃｓ/（Ｃｄ＋Ｃｓ）
となるが、Ｃｄ≫Ｃｓである場合には、
Ｖｓ≒ＶＢ−Ｖｔｈ
Ｖｇｓ≒ＶＢ＋Ｖｏｄ−（ＶＢ−Ｖｔｈ）＝Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ
となり、ほぼ容量素子１１ｃで検出したＶｔｈにＶｏｄを加算した値となる。

なお、このとき駆動用トランジスタ１１ｂのドレイン−ゲート間電圧Ｖｄｇは、図４に示すようにＶｄｇ＝Ｖｄｄ１−（ＶＢ＋Ｖｏｄ）となる。

そして、次に発光動作が行われる（図４における時刻ｔ４以降、図８参照）。

具体的には、図４に示すように、走査駆動回路１２からゲート走査線１５にゲート選択用トランジスタ１１ｄをオフするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧが出力され、図８に示すように、ゲートスキャン信号に応じてゲート選択用トランジスタ１１ｄがオフされる。これにより、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１４との接続が遮断される。

また、このとき走査駆動回路１２から電源電圧線１７に対して発光動作時電源電圧Ｖｄｄ２が出力され、電源電圧線１７の電圧が表示データ更新時電源電圧Ｖｄｄ１から発光動作時電源電圧Ｖｄｄ２に上昇させられる。

そして、図８に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂには、上述したプログラム動作における容量素子１１ｃの両端電圧が保持されたままその駆動電圧に応じた駆動電流Ｉｄが流れ、この駆動電流Ｉｄによって寄生容量５１が充電されてソース電圧Ｖｓが上昇し、やがてソース電圧Ｖｓが有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧Ｖｆ０を超えて発光部５０が発光する。なお、Ｖｏｄの印加完了後、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇する前にゲート選択用トランジスタ１１ｄをオフする必要がある。

このとき駆動用トランジスタ１１ｂのドレイン−ゲート間電圧Ｖｄｇは、図４に示すようにＶｄｇ＝Ｖｄｄ２−（Ｖｆ＋Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ）となる。なお、Ｖｆは、表示データに応じた有機ＥＬ発光素子１１ａの発光動作時電圧である。

ここで、駆動用トランジスタ１１ｂの寄生容量によるプログラム誤差を抑制するための電源電圧Ｖｄｄ１と電源電圧Ｖｄｄ２との関係について以下に説明する。

上述したように駆動用トランジスタ１１ｂの寄生容量によるプログラム誤差ΔＶｇｓは、
ΔＶｇｓ＝（Ｃｄｇ×ΔＶｄｇ）/（Ｃｓ＋Ｃｇｓ）
であり、ΔＶｄｇをゼロに近づけることによってプログラム誤差を低減することができる。

したがって、表示データ更新期間の電源電圧Ｖｄｄの低下分は、プログラム動作時と発光動作時とにおいて駆動用トランジスタ１１ｂのドレイン−ゲート間電圧Ｖｄｇがほぼ同じ電圧となるように設定される。

具体的には、プログラム動作時の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧をＶｇ１、発光動作時の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧をＶｇ２とすると、
ΔＶｄｇ＝（Ｖｄｄ１−Ｖｇ１）−（Ｖｄｄ２−Ｖｇ２）＝０
となるようなＶｄｄ１とＶｄｄ２とを設定すればよい。そして、
Ｖｇ１＝ＶＢ＋Ｖｏｄ
Ｖｇ２＝Ｖｆ＋Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ
であるため、必要な電源電圧Ｖｄｄの低下分ΔＶｄｄは、
ΔＶｄｄ＝Ｖｄｄ２−Ｖｄｄ１＝Ｖｆ−ＶＢ＋Ｖｔｈ
となる。

なお、第１の実施形態においては、上式のＶｆとして、予め設定された有機ＥＬ発光素子１１ａの発光動作時電圧の基準値を使用し、ＶＢとして、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子に供給される固定電圧値を使用するものとする。

ここで、実際の表示動作においては、Ｖｆは表示データに応じた有機ＥＬ発光素子１１ａの駆動電流によって増減するため、ΔＶｄｄは特定階調の表示データに対してのみゼロになることになる。

そこで、ΔＶｄｄを設定する際に用いるＶｆとして最頻度Ｖｆを使用することによって誤差を最小にすることができる。なお、最頻度Ｖｆとしては、最大輝度時のＶｆと発光開始時のＶｆとの平均値や、あるいは最も輝度ムラが目立つといわれている３０％白表示時のＶｆなどを設定することができる。

ここで、比較のため、従来の電源電圧Ｖｄｄを変化させない場合のプログラム動作時のＶｄｇと発光動作時のＶｄｇとの差ΔＶｄｇを下表１に示す。なお、Ｖｄｄ＝１２、ＶＢ＝３、Ｖｔｈ＝１．４Ｖと仮定してΔＶｄｇを計算している。
これに対し、上記表１と同じ条件で電源電圧Ｖｄｄを変化させた場合のΔＶｄｇを下表２に示す。表２に示すように、電源電圧Ｖｄｄを変化させることによってΔＶｄｇが小さくなっているのがわかる。
なお、電源電圧Ｖｄｄを変化させるタイミングは、上記第１の実施形態のタイミングに限らず、所定の選択行において、閾値電圧検出動作前までにＶｄｄ１に降下させ、プログラム電圧設定後から安定発光動作までに間にＶｄｄ２に戻すようにすればよい。

次に、本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。

上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、所定の１点のＶｆ（たとえば、最頻度Ｖｆ）を基準としてΔＶｄｇ＝０となるような動作を実現しているため、低輝度領域や高輝度領域においてはプログラム誤差が残ってしまう（上表２のＶｆ＝５Ｖ，３ＶのときのΔＶｄｇを参照）。

そこで、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、この中間輝度領域外でのプログラム誤差を低減させるため、プログラム動作時にさらに表示データに連動して所定電圧ＶＢを変化させるようにしたものである。

具体的には、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置とはゲート駆動回路２０の構成が異なるものであり、その他の構成については第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様である。

第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置のゲート駆動回路２０は、図９に示すように、制御部１９から出力された表示データに対しガンマ変換を施し、後述する駆動電圧Ｖｏｄに応じたＶｏｄデータに変換するルックアップテーブル２０ａと、表示データに応じたＶｆ予想値と駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧の設計値とΔＶｄｄ設定値とに基づいて所定電圧ＶＢに対応するＶＢデータを算出するルックアップテーブル２０ｂと、ルックアップテーブル２０ａから出力されたＶｏｄデータとルックアップテーブル２０ｂから出力されたＶＢデータとを加算する加算器２０ｃと、加算器２０ｃから出力された加算データに対してＤＡ変換を施すＤＡ変換器２０ｄと、ルックアップテーブル２０ｂから出力されたＶＢデータに対してＤＡ変換を施すＤＡ変換器２０ｅと、制御部１９から出力されたタイミング信号に基づいて、ＤＡ変換器２０ｄから出力されたプログラム電圧ＶｐｒｇとＤＡ変換器２０ｅから出力された電圧ＶＢとを切り替えて出力するスイッチ２０ｆと、バッファアンプ２０ｇとを備えている。

次に、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作について、図１０に示すタイミングチャートを参照しながら説明する。なお、図１０には、走査駆動回路１２から出力されるゲートスキャン信号ＳｃａｎＧの電圧波形と、走査駆動回路１２から出力されるソーススキャン信号ＳｃａnＳおよび電源電圧Ｖｄｄｎの電圧波形と、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓおよびゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの電圧波形とが示されている。また、電源電圧Ｖｄｄｎの電圧波形と、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓおよびゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの電圧波形とについては、互いに異なる表示データに応じた所定電圧ＶＢが設定された第１〜第３の画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂの電圧波形が示されている。また、画素回路のゲート選択用トランジスタ１１ｄとソース用トランジスタ１１ｅの動作については、図５から図８に示した第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作と同様である。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置においても、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様に、アクティブマトリクス基板１０の各ゲート走査線１５に接続された画素回路行が順次選択され、１行単位でその選択期間内に所定の動作が行なわれる。ここでは、その選択された所定の画素回路行において選択期間内に行なわれる動作について説明する。

まず、画素回路行についてリセット動作が行われる（図１０の時刻ｔ１〜時刻ｔ２、図５参照）。

具体的には、まず、図１０に示すように、走査駆動回路１２から電源電圧線１７に対して表示データ更新時電源電圧Ｖｄｄ１が出力され、電源電圧線１７の電圧が発光動作時電源電圧Ｖｄｄ２から表示データ更新時電源電圧Ｖｄｄ１に降下させられる。

また、このとき走査駆動回路１２からゲート走査線１５にゲート選択用トランジスタ１１ｄをオンするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧが出力されるとともに、走査駆動回路１２からソース走査線１６にソース用トランジスタ１１ｅをオンするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳが出力される。そして、図５に示すように、ゲートスキャン信号ＳｃａｎＧに応じてゲート選択用トランジスタ１１ｄがオンされ、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇがデータ線１４に接続される。また、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳに応じてソース用トランジスタ１１ｅがオンされ、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓおよび容量素子１１ｃの一端（駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子とは反対側）と、リセット電圧線１８とが接続される。

そして、このときゲート駆動回路１３から各データ線１４に、表示データに応じた所定電圧ＶＢが出力され、各画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに供給され、また、各リセット電圧線１８にはリセット電圧ＶＡが設定され、各画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓに供給される。なお、本実施形態においては、上述したようにリセット電圧は接地電圧（０Ｖ）に設定している。なお、表示データに応じた所定電圧ＶＢの演算方法については後で詳述する。

上記のような動作によって、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＡ＝０となり、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝ＶＢ−ＶＡに設定され、容量素子１１ｃおよび寄生容量５１がリセットされる。

所定電圧ＶＢとリセット電圧ＶＡの条件については、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様である。

そして、次に、閾値電圧検出動作が行われる（図１０の時刻ｔ２〜時刻ｔ３、図６参照）。

具体的には、図１０に示すように、走査駆動回路１２からソース走査線１６にソース用トランジスタ１１ｅをオフするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳが出力される。そして、図６に示すように、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳに応じてソース用トランジスタ１１ｅがオフされる。

これにより、図６に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓとリセット電圧線１８とが遮断される。そして、このとき駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、
Ｖｇｓ＝Ｖｇ−Ｖｓ＝ＶＢ−ＶＡ＞Ｖｔｈ
となっているため、駆動用トランジスタ１１ｂからリセット電圧線１８へ流れていた駆動電流Ｉｄは、有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１に流れ、寄生容量５１が充電され、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓのソース電圧Ｖｓが上昇する。

駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに供給されるＶＢは固定電圧であるため、ソース電圧Ｖｓの上昇によりＶｇｓは低下し、Ｖｇｓ＝Ｖｔｈになった時点で駆動電流Ｉｄ＝０となり、ソース電圧Ｖｓの上昇は停止する。

そして、次にプログラム動作が行われる（図１０における時刻ｔ３〜時刻ｔ４、図７参照）。上記閾値電圧検出動作によって駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧が十分に安定した時点でゲート駆動回路１３は、スイッチ１３ｆを切り替えて各データ線１４に出力する電圧を所定電圧ＶＢからプログラム電圧Ｖｐｒｇ＝ＶＢ＋Ｖｏｄにステップアップさせる。

ここで、Ｖｏｄは有機ＥＬ発光素子１１ａに所望の輝度に応じた駆動電流を流すための駆動用トランジスタ１１ｂの駆動電圧であり、Ｖｏｄ＝Ｖｇｓ−Ｖｔｈである。そして、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓは容量素子１１ｃの容量値Ｃｓと寄生容量５１の容量値Ｃｄの分圧となるので、
Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ×Ｃｓ/（Ｃｄ＋Ｃｓ）
となるが、Ｃｄ≫Ｃｓである場合には、
Ｖｓ≒ＶＢ−Ｖｔｈ
Ｖｇｓ≒ＶＢ＋Ｖｏｄ−（ＶＢ−Ｖｔｈ）＝Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ
となり、ほぼ容量素子１１ｃで検出したＶｔｈにＶｏｄを加算した値となる。

なお、このとき駆動用トランジスタ１１ｂのドレイン−ゲート間電圧Ｖｄｇは、図１０に示すようにＶｄｇ＝Ｖｄｄ１−（ＶＢ＋Ｖｏｄ）となる。

そして、次に発光動作が行われる（図１０における時刻ｔ４以降、図８参照）。

具体的には、図１０に示すように、走査駆動回路１２からゲート走査線１５にゲート選択用トランジスタ１１ｄをオフするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧが出力され、図８に示すように、ゲートスキャン信号に応じてゲート選択用トランジスタ１１ｄがオフされる。これにより、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１４との接続が遮断される。

また、このとき走査駆動回路１２から電源電圧線１７に対して発光動作時電源電圧Ｖｄｄ２が出力され、電源電圧線１７の電圧が表示データ更新時電源電圧Ｖｄｄ１から発光動作時電源電圧Ｖｄｄ２に上昇させられる。

そして、図８に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂには、上述したプログラム動作における容量素子１１ｃの両端電圧が保持されたままその駆動電圧に応じた駆動電流Ｉｄが流れ、この駆動電流Ｉｄによって寄生容量５１が充電されてソース電圧Ｖｓが上昇し、やがてソース電圧Ｖｓが有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧Ｖｆ０を超えて発光部５０が発光する。

ここで、上述した表示データに応じた所定電圧ＶＢの演算方法について以下に説明する。

第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置で説明したように、駆動用トランジスタ１１ｂの電源電圧Ｖｄｄの低下分ΔＶｄｄは、
ΔＶｄｄ＝Ｖｄｄ２−Ｖｄｄ１＝Ｖｆ−ＶＢ＋Ｖｔｈ
となる。この式より、
ＶＢ＝Ｖｆ＋Ｖｔｈ−ΔＶｄｄ
となる。

したがって、この式におけるＶｆに表示データに応じたＶｆ予想値を、Ｖｔｈに閾値電圧設計値を、ΔＶｄｄに第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の説明で求めたΔＶｄｄ設定値を代入することによって、表示データに応じた所定電圧ＶＢを算出することができる。

ここで、表示データに応じたＶｆ予想値については、有機ＥＬ発光素子１１ａの代表的なＶｆ−Ｉｆ特性を用いて表示データを変換して求めるようにすればよい。

上記表２と同じ条件で電源電圧Ｖｄｄを変化させ、さらに所定電圧ＶＢを表示データに応じて変化させた場合の数値例を下表３に示す。表３に示すように、Ｖｆの値に関わらず、ΔＶｄｇがゼロになっていることがわかる。
また、有機ＥＬ発光素子１１ａは、経時劣化によりＶｆ−Ｉｆ特性が変化することに対応させて、各画素回路１１の有機ＥＬ発光素子１１ａの累積発光量からＶｆ−Ｉｆ特性の変化を予測し、その予測したＶｆ−Ｉｆ特性を用いて表示データを変換してＶｆ予想値を演算するようにしてもよい。これにより長期間にわたって高画質表示を維持することができる。なお、有機ＥＬ発光素子１１ａの累積発光量に対応するＶｆ−Ｉｆ特性については、代表的なＶｆ−Ｉｆ特性と累積発光量とに基づいて演算して求めるようにしてもよいし、予め累積発光量に対応するＶｆ−Ｉｆ特性を複数設定しておき、その中から選択して求めるようにしてもよい。

また、上述したようにＶｆ−Ｉｆ特性を累積発光量に基づいて求めるのではなく、実際に画素回路１１のＶｆを直接測定する手段を設けるようにしてもよい。実測値のＶｆを使用した方が精度の向上を図ることができる。

また、上記説明では、所定電圧ＶＢを求める際、Ｖｔｈとして閾値電圧設定値を用いるようにしたが、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧Ｖｔｈの経時変化が予測できる場合にはその予測値を用いるようにしてもよい。また、実際に画素回路１１の閾値電圧を測定する手段を設け、その実測した閾値電圧を使用するようにしてもよい。実測値を使用した方が精度の向上を図ることができる。

また、図３および図９に示したゲート駆動回路１３，２０の具体的な構成は例示であり、必ずしもこの構成に限られるものではない。Ｄ/Ａ変換器や演算子の配置などは実際に使用されるＩＣ設計により適宜選択することができる。

また、上記本発明の実施形態は、本発明の表示装置を有機ＥＬ表示装置に適用したものであるが、発光素子としては、有機ＥＬ発光素子に限らず、たとえば、無機ＥＬ素子などを用いるようにしてもよい。

また、本発明の表示装置は、様々な用途がある。たとえば、携帯情報端末（電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話など）、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビなどが挙げられる。

１０ アクティブマトリクス基板
１１ 画素回路
１１ａ 有機ＥＬ発光素子
１１ｂ 駆動用トランジスタ
１１ｃ 容量素子
１１ｄ ゲート選択用トランジスタ
１１ｅ ソース用トランジスタ
１２ 走査駆動回路
１３ ゲート駆動回路
１４ データ線
１５ ゲート走査線
１６ ソース走査線
１７ 電源電圧線
１８ リセット電圧線
１９ 制御部
２０ ゲート駆動回路
５０ 発光部
５１ 寄生容量

Claims (6)

1. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と該駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と該駆動用トランジスタのソース端子にリセット電圧を供給するリセット電圧線との間に接続されたソース用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置あって、前記発光素子の寄生容量を前記駆動用トランジスタの駆動電流によって充電することによって前記駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行う表示装置の駆動制御方法において、
   少なくとも前記閾値電圧検出動作期間および前記駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧のプログラム動作期間を含む表示データ更新期間において前記駆動用トランジスタのドレイン端子に印加される電源電圧よりも前記発光素子の発光動作期間において前記駆動用トランジスタのドレイン端子に印加される電源電圧の方が高くなるように前記駆動用トランジスタの電源電圧を制御することを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
2. 発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と該駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と該駆動用トランジスタのソース端子にリセット電圧を供給するリセット電圧線との間に接続されたソース用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板と、前記発光素子の寄生容量を前記駆動用トランジスタの駆動電流によって充電することによって前記駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行うよう前記アクティブマトリクス基板を制御する制御部とを備えた表示装置において、
   少なくとも前記閾値電圧検出動作期間および前記駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧のプログラム動作期間を含む表示データ更新期間において前記駆動用トランジスタのドレイン端子に印加される電源電圧よりも前記発光素子の発光動作期間において前記駆動用トランジスタのドレイン端子に印加される電源電圧の方が高くなるように前記駆動用トランジスタの電源電圧を制御する電源制御部を備えたことを特徴とする表示装置。
3. 前記電源制御部が、前記表示データ更新期間における前記駆動用トランジスタの電源電圧Ｖｄｄ１と前記発光動作期間における前記駆動用トランジスタの電源電圧Ｖｄｄ２との差ΔＶｄｄを、下式（１）を満たす値に設定するものであることを特徴とする請求項２記載の表示装置。
   ΔＶｄｄ＝Ｖｆ−ＶＢ＋Ｖｔｈ ・・・ （１）
   ただし、Ｖｆは予め取得された前記発光素子の発光動作時電圧値、ＶＢは前記表示データ更新期間において前記駆動用トランジスタのゲート端子に供給される電圧値、Ｖｔｈは予め取得された前記駆動用トランジスタの閾値電圧
4. 前記表示データ更新期間において前記駆動用トランジスタのゲート端子に供給される電圧値ＶＢを前記発光素子により発光させる輝度に対応する画像データに応じて設定するゲート駆動回路部をさらに備えたことを特徴とする請求項２記載の表示装置。
5. 前記ゲート駆動回路部が、前記ＶＢの値を、下式（２）を満たす値に設定するものであることを特徴とする請求項４記載の表示装置。
   ＶＢ＝Ｖｆ予想値＋Ｖｔｈ−ΔＶｄｄ ・・・ （２）
   ただし、Ｖｆ予想値は前記画像データに基づいて算出された前記発光素子の発光動作時電圧の予想値、ΔＶｄｄは、予め設定された、前記表示データ更新期間における前記駆動用トランジスタの電源電圧と前記発光動作期間における前記駆動用トランジスタの電源電圧との差
6. 前記ゲート駆動回路部が、前記発光素子の特性の経時変動に基づいて前記Ｖｆ予想値を設定するものであることを特徴とする請求項５記載の表示装置。