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JP2012503782A - 背面表面へ光学的に結合されるｌｅｄを有する薄型エッジバックライト - Google Patents

背面表面へ光学的に結合されるｌｅｄを有する薄型エッジバックライト Download PDF

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JP2012503782A JP2011527458A JP2011527458A JP2012503782A JP 2012503782 A JP2012503782 A JP 2012503782A JP 2011527458 A JP2011527458 A JP 2011527458A JP 2011527458 A JP2011527458 A JP 2011527458A JP 2012503782 A JP2012503782 A JP 2012503782A
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セルジュ ジェイ ビエルハイツェン
グレゴリー ダブリュ イング
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Koninklijke Philips NV
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Abstract

バックライトは、導波路の中央領域において、後表面における空洞に位置される複数の発光ダイオードを含む。導波路の後表面は、縁部が中央領域より薄くなるように、中央領域から縁部へテーパーされ得る。加えて、縁部に沿うのとは反対に、導波路の中央領域において発光ダイオードを有するので、ベゼルは、廃される又は少なくとも例えば1mm以下などの高さに最小化され得る。加えて、複数の導波路が、ベゼルを最小化するために使用され「Ｖ」形状で構成され得る。

Description

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に関し、特に、バックライトを用いてＬＥＤを使用することに関する。
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、ラップトップコンピュータ、デスクトップコンピュータ、テレビ、並びに、携帯電話、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）及び携帯型音楽プレーヤなどのより小型な応用例において一般的に使用されている。透過型ＬＣＤは、バックライトを必要とし、このバックライトは、ＬＥＤなどの光源を用いて導波路のエッジ部を照らすことにより従来は達成される。
計算機モニタ及びテレビにおいて使用されるエッジライト方式バックライトは、光源のサイズ及び導波路厚さによって少なくとも部分的に推進される最小ベゼル高さ及びエッジ厚さを有する。図１Ａ及び１Ｂは、例として、図１ＢにおいてＬＥＤ１６及び反射体１８を含むように例示される、複数の光源１４によって照らされるエッジライト方式導波路１２を含む従来型のバックライト１０の平面図及び側面図をそれぞれ例示する。確認され得るように、ベゼル高さHbezelは、ＬＥＤ光源１４の高さによって決定され、導波路縁部１２edgeの厚さＴedgeは、ＬＥＤ光源１４の幅によって決定される。
美的及び設計の目的のために、ベゼル高さ及び縁部高さを最小化させることが望ましい。
バックライトは、光源として作用するために導波路の背面表面における空洞に位置される複数のＬＥＤを有する導波路を含む。ＬＥＤは、薄型側放射ＬＥＤであり得、例えば波長変換を介して白色光を、又は、波長変換要素が導波路に装着される場合は青色光を、生成し得る。導波路の背面表面は、側部縁部が導波路の中央部分より薄く、薄型外観を導波路に与えるように、ＬＥＤの位置から側部縁部へテーパーされ得る。加えて、発光ダイオードは、側部縁部に沿って位置されるのとは反対に、導波路の背面表面に位置されるので、ベゼルは、取り除かれ得る、又は少なくとも例えば1mm以下などに高さを最小化され得る。
図１Ａは、複数のＬＥＤによって縁部から照らされる導波路を有する従来型のバックライトの平面図を例示する。 図１Ｂは、複数のＬＥＤによって縁部から照らされる導波路を有する従来型のバックライトの側面図を例示する。 図２Ａは、導波路の後表面に分布されるＬＥＤを有する導波路を含むバックライトの上面図を例示する。 図２Ｂは、導波路の後表面に分布されるＬＥＤを有する導波路を含むバックライトの側面図を例示する。 図３Ａは、上を覆うＬＣＤを有するバックライトの一部とバックライトの後表面における空洞に装着されるＬＥＤとの断面図を例示する。 図３Ｂは、上を覆うＬＣＤとバックライトの後表面における空洞に装着されるＬＥＤとを有するバックライトの一部の断面図を例示する。 図３Ｃは、上を覆うＬＣＤとバックライトの後表面における空洞に装着されるＬＥＤとを有するバックライトの一部の断面図を例示する。 図３Ｄは、上を覆うＬＣＤとバックライトの後表面における空洞に装着されるＬＥＤとを有するバックライトの一部の断面図を例示する。 図３Ｅは、上を覆うＬＣＤとバックライトの後表面における空洞に装着されるＬＥＤとを有するバックライトの一部の断面図を例示する。 図４は、バックライトと使用され得る薄型側部放射ＬＥＤの一つの実施例の断面図である。 図５Ｂは、バックライトと使用され得るコリメートレンズの一つの構成の上面平面図を例示する。 図５Ｂは、バックライトと使用され得るコリメートレンズの一つの構成の上面平面図を例示する。 図６は、コリメートレンズの一部を含むＬＥＤの上面平面図を例示する。 図７は、モールドリードフレームに形成されるオーバーモールドレンズを有するＬＥＤを例示する。 図８は、導波路の前表面に装着される波長変換要素を有し、導波路の後表面に分布されるＬＥＤを有する導波路を含むバックライトを例示する。 図９Ａは、導波路の別の実施例を例示する。 図９Ｂは、導波路の別の実施例を例示する。
図２Ａ及び図２Ｂは、導波路１０２の後部に分布される薄型側部放射ＬＥＤ１１０を有する導波路１２０を含むバックライト１００の上面図及び側面図をそれぞれ例示する。導波路１０２の後部に分布される薄型側部放射ＬＥＤ１１０を使用することで、ベゼル高さは、最小化される。例えば、ベゼルは、ＬＥＤ１１０が導波路１０２の縁部１０２edgeにないので、完全に取り除かれ得るが、導波路１０２及び上に覆うＬＣＤ（図２Ａ及び２Ｂに例示されない）を含むディスプレイの保護に関して、例えば1mmなどの低い高さＨを有するベゼル１０３は、図２Ｂにおける破線によって例示されるように使用され得る。加えて、図２Ｂに例示されるように、導波路１０２の後表面１０２backは、導波路１０２の縁部１０２edgeの厚さを最小化させるために、前表面１０２frontへ向かってテーパーされ得る。側部放射ＬＥＤ１１０の代わりに、装着済み又は外部側部方向光学要素を有する上部放射ＬＥＤが使用され得ることを理解されるべきである。
ＬＥＤ１１０は、図２Ａに例示されるように、行（列）で又は長方形に、導波路１０２において構成され得る。ＬＥＤ１１０は、側縁部１０２edge間にある導波路の中央領域において位置される。例として、ＬＥＤ１１０と導波路１０２の幅に沿った最も近い縁部１０２edgeとの間の距離は、縁部−縁部間幅の約25%〜33%であり得る。代替的に、ＬＥＤ１１０は、チェッカーボードにおける導波路１０２の後部内に、又は他の空間的な分布形式で、配置され得る。バックライトにおけるホットスポットを避けるために、相対的に小さいＬＥＤの放射は、覆われる又は十分に抑制され得る。加えて、バックライトにおけるより高い混合高さを用いると、光は、拡散体又はリモートフォスファ板に入射する又はバックライトを出るまでに混合され得る。拡散体フィルム、輝度強化フィルム、及び、蛍光体フィルムなどのリモート波長変換材料は、均一性を改善させ得る光の追加的な再循環及び混合を生成し得る。このことが十分でない場合、パターン化された拡散体は、光を均一にＬＣＤを通じて最適に制御するために使用され得る。ＬＥＤ１１０が中央領域においては位置され、後表面１０２backがテーパーされていると、中央領域は、厚さＴcenterを有する一方で、縁部は、より小さい厚さＴedgeを有する。ある実施例において、縁部厚さＴedgeは、中央領域厚さＴcenterの半分より小さく、別の実施例において、縁部厚さＴedgeは、製造の制約内において０又は約０であり得る。
図３Ａは、ＬＥＤ１１０にわたりカットされる、上に覆うＬＣＤ１０１を有するバックライト１００の一部の断面図を例示する。図３Ａにおいて、側部放射ＬＥＤ１１０は、サブマウント１１２及び回路基板１１４に装着され、オーバーモールドレンズ（外側被覆レンズ）１１６を含む。オーバーモールドレンズ１１６を含むＬＥＤ１１０は、固体透明導波路１０２における空洞１０４に挿入される。レンズ１１６と空洞１０４の壁との間には、位置決め許容度を受け入れるために、例えば25ミクロンなどの、小さい空気隙間が存在し得る。空気隙間は、例えば、側部方向転換光学要素を有する上部放射ＬＥＤなどの、特定の実施例のＬＥＤを用いる場合、より大きくあり得る。導波路１０２は、くぼみ空洞、モールドプラスチック(例えば、ＰＭＭＡ)、又は別の適切な材料であり得る。ミラーフィルム１０６は、（図２Ａ及び２Ｂに示される）導波路１０２の後表面１０２back及び縁部１０２edgeを覆い得る。フィルム１０６は、3Mコーポレーション社から入手可能なＥＳＲ（Enhanced Specular Reflector）、又は、外部拡散白色散乱板であり得る。ミラーフィルム１０６又は外部白色板が縁部１０２edgeを覆うことは選択的である。反射性フィルムを使用する代わりに、導波路１０２は、反射性側壁を有する担体で支持され得る。
導波路１０２の後表面１０２backは、光を上向きにＬＣＤ１０１の後表面へ散乱させるための多くの小さいくぼみを有し得る。ＬＣＤ１０１は、選択的に、従来型の手法でディスプレイスクリーンにおける画素を制御する。くぼみ１０８は、導波路１０２に関するモールド工程において作製され得る、又は、エッチング、サンドブラスト、印刷、若しくは他の手段によって形成さえ得る。代替的に、抽出用特徴部は、白色散乱ドットを印刷することによって形成され得る。くぼみ１０８は、プリズム又はランダム粗化などのいかなる形式をも取り得る。このような特徴部は、しばしば、抽出用機能部と呼ばれる。一つの実施例において、（ＬＥＤからの光がより明るい）ＬＥＤ１１０により近いくぼみ１０８の密度は、導波路１０２の前表面１０２frontにわたる均一な光放射を生成するために、ＬＥＤ１１０からより離れるくぼみ１０８の密度より小さい。バックライト及び導波路についての更なる情報に関しては、米国特許出願書類第11/840,130号である、「"Thin Backlight Using Low Profile Side Emitting LED",by Serge Bierhuizen et al.,August 16,2007」が参照され、この文書は、全体が参考として組み込まれる。リモートフォスファフィルムは、望まれる場合、バックライトにおける追加的な混合を加え得る。
図３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅは、バックライト及びＬＥＤの他の実施例の断面図を例示する。図３Ｂは、上部放射光をＬＥＤ１１０'から導波路１０２へ方向転換させるために導波路１０２へ結合される上部反射体１１６'を有する上部放射ＬＥＤ１１０'の使用を例示する。図３Ｃは、図３Ｂと類似するが、図３Ｃにおける導波路１０２'における空洞１０４'は底部表面から上部表面へ延在するスルーホールである。図３Ｄは、上部放射光をＬＥＤ１１０''から導波路１０２へ方向転換させるためにオーバーモールドレンズ１１６''を使用することを例示する。図３Ｅは、図３Ｄと類似であり、空洞１０４'は、底部表面から上部表面へ延在するスルーホールの形態である。
図４は、バックライト１００と使用され得る薄型側部放射ＬＥＤ１１０の一つの実施例の断面図である。ＬＥＤ１１０は、半導体発光要素１３２、波長変換要素１３４、及び反射性フィルム１３６を含む。側部放射ＬＥＤ１１は、プリント回路基板１１４に装着されるサブマウント１１２に装着される。バックライト実施例において使用され得る薄型側部放射ＬＥＤの他の実施例は、本出願人に譲渡され、参照として本文書に組み込まれる、米国特許出願書類第11/423,419号である、「Low Profile Side Emitting LED, filed June 9,2006,by Oleg Shchekin et al.」において確認され得る。
一つの例におけるＬＥＤ１１０の活性層は青色光を生成する。ＬＥＤ１１０は、サファイア、SiC、又はGaNなどの開始成長基板に形成される。一般的に、n層１３２nが成長させられた後に、活性層１３２activeが続き、更に、p層１３２pが続く。p層１３２pは、下に延在するn層１３２nの一部を露出させるためにエッチングされる。その後、反射金属電極１４０（例えば、銀、アルミニウム、又は合金）は、n及びp層と接触させるためにＬＥＤの表面にわたり形成される。ダイオードがフォワードバイアスされる場合、活性層１３２activeは、波長が活性層の組成（例えばAlInGaN）によって決定される光を発する。このようなＬＥＤを形成することは、よく知られており、より詳細には記載される必要はない。ＬＥＤを形成することの追加的な詳細は、米国特許第6,828,596号（Steigerwald et al.）及び米国特許第6,876,008（Bhat et al.）に記載されており、共に本出願人に譲渡されており、参考として本文書に組み込まれる。
半導体発光要素１３２は、その後、フリップチップとしてサブマウント１１２に装着される。サブマウント１１２は、半田ボール１４４を介して金属部１４０へ半田付け又は超音波溶接される金属電極１４２を含む。他の種類のボンディングも使用され得る。半田ボール１４４は、電極自体が一体に超音波溶接され得る場合、除かれ得る。
サブマウント電極１４２は、サブマウント１１２の底部におけるパッドへビアにより電気的に接続され、これにより、サブマウント１１２は、プリント回路基板１１４における金属パッドへ表面実装され得る。回路基板における金属配線は、電気的にパッドを電源へ結合させた。サブマウント１１２は、アルミナ窒化物、セラミック、シリコン、アルミナなどのいかなる適切な材料によっても形成され得る。サブマウント材料が伝導性である場合、絶縁層は、サブマウント材料にわたり形成され、金属電極パターンは、絶縁層にわたり形成される。サブマウント１１２は、機械的支持として作用し、ＬＥＤチップにおける繊細なn及びp電極と電源との間における電気的インターフェイスを提供し、そしてヒートシンクを提供する。サブマウントは、よく知られている。ＬＥＤ半導体層の工程は、ＬＥＤがサブマウント１１２に装着される前又は後に行い得る。
ＬＥＤ１１０が非常に薄型であるようにさせるために、及び、光を成長基板により吸収されないようにするために、ＣＭＰにより又はレーザリフトオフ手法などを用いて成長基板は除去され、レーザリフトオフ手法においては、レーザは、基板をGaNから離れるように押し出す高圧ガスを生成させるためにGaN及び成長基板の界面を加熱する。一つの実施例において、成長基板の除去は、ＬＥＤのアレイがサブマウントに装着された後であって、ＬＥＤ／サブマウントが個別化（例えば切断により）される前に実行される。
成長基板が除去され、発光表面が粗化された後に、平面蛍光体層１３４などの波長変換要素１３４は、活性層１３２activeから発される青色光を波長変換するためにＬＥＤの上部にわたり位置される。代替的に、要素１３４は、青色側部エミッタが望まれる場合ＬＥＤの上部にわたり位置され得る、ガラスなどの透明要素であり得る。蛍光体層１３４は、セラミックシートとして実行されそしてＬＥＤ層へ固定され得る、又は、蛍光体粒子は、電気泳動などにより、薄膜沈着され得る。蛍光体セラミックシートは、焼結蛍光体粒子、又は、有機若しくは無機であり得る透明若しくは半透明結合剤における蛍光体粒子であり得る。青色光と混合される場合、蛍光体層１３４によって発される光は、白色光又は別の所望な色を生成する。蛍光体は、黄色光を生成するイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）蛍光体（Ｙ＋Ｂ＝白色）であり得る、又は、赤色蛍光体及び緑色蛍光体の組合せ（Ｒ＋Ｇ＋Ｂ＝白色）であり得る。
ＹＡＧ蛍光体（すなわちＣｅ：ＹＡＧ）を用いると、白色光の色温度は、蛍光体にドープしているＣｅ、及び蛍光体層の厚さに大きく依存する。
この場合、反射性フィルム１３６は、透明又は蛍光体層１３４にわたり形成される。反射性フィルム１３６は、半導体発光要素１３２の上部表面と実質的に並行である。反射性フィルム１３６は、鏡面又は拡散的であり得る。鏡面反射体は、有機又は無機層から形成される分散型ブラッグ反射体（distributed Bragg reflector(DBR)）であり得る。鏡面反射体は、アルミニウム若しくは他の反射性金属、又はＤＢＲ及び金属の組合せの層でもあり得る。拡散性反射体は、粗化表面に沈着される金属から、又は、例えばシリコーン、ソルゲル若しくはシルレス(silres)などにおいてTiO2を有する適切な白色塗料若しくはソルゲルなどの拡散材料から、形成され得る。蛍光体層１３４は、光抽出効率を向上させるために、光を拡散させるのにも役立つ。別の実施例において、反射体１３６は、ＬＥＤから離間され、例えば、空洞１０４における導波路１０２によって支持される活性層を覆う反射体であり、その結果、少しの（例えば１０％まで）直接光のみがＬＥＤの上のバックライトへ出るので、ＬＥＤはこの場合でも側部放射ＬＥＤである。加えて、青色ＬＥＤは、バックライトの他のいずれかの場所にあるリモートフォスファと組み合わせて使用され得る。
活性層１３２activeによって発される大抵の光は、ＬＥＤの側部を通じて直接発される、又は１つ又は複数の内部反射の後に側部を通じて発される。上部反射体１３６が非常に薄い場合、特定の光は、上部反射体１３６を通じて漏れ得る。
一つの実施例において、サブマウント１１２は、約380ミクロンの厚さを有し、半導体層は、約5ミクロンの合計厚さを有し、蛍光体層１３４は、約200ミクロンの厚さを有し、反射性フィルム１３６は、約150ミクロンの厚さを有し、これにより、ＬＥＤ及びサブマウントは、1mmより少ない厚さである。当然、ＬＥＤ１１０は、より厚く作製され得る。ＬＥＤの各側部の長さは、通常、例えば、1mmより小さく、側部の長さは0.6mmであり得るが、1.0mmの側部長さも、例えばより高い出力の応用例に関して、使用され得る。より多い高さは、上部エミッタにおけるオーバーモールド光学系又は側部方向転換用外部光学コンポーネントなどの、他の側部放射構成の場合に使用され得る。
図３Ａに示されるオーバーモールドレンズ１１６は、側部放射光を水平平面へコリメートする、ＬＥＤ１１０へ結合されるコリメート光学系である。レンズ１１６は、ＬＥＤ１１０を含むレンズ１１６の正方形及び円形構成の上面平面図を例示する図５Ａ及び５Ｂに例示されるように、異なる構成を有し得る。望まれる場合、レンズ１１６の異なる構成が、バックライト１１０内の異なる位置において使用され得る。確認され得るように、レンズ１１６は、ＬＥＤ１１０の各発光側部へ結合され、したがって、ＬＥＤ１１０は４つの発光側部を有する本実施例において、レンズ１１６は、各側部へ結合される４つの入射表面を含む。望まれる場合、分離した個別のレンズは、単一のレンズ１１６を形成するために組合せられ得る。追加的に、異なる構成のレンズが上部放射ＬＥＤと使用され得る。
図6は、レンズ１１６の一部を含むＬＥＤの上面平面図を例示し、この場合、レンズ１１６の入射表面は、レンズ１１６内において光の角度混合を向上させるためにも使用され得る垂直方向角度壁１１７を有する。レンズ１１６の入射表面の壁１１７の変化のある角度は、光がより均一に広げられるように、ＬＥＤ１１０によって発される光を、異なる角度で屈折させる。光は水平平面においてコリメートされているので、水平方向に角度付けられた壁を生成する必要はない。図６は、ノコギリ歯構成を有する壁１１７を例示する一方で、丸い又はスカラップ形状などの、他の構成も使用され得る。側壁の形状も、バックライトの光出力において最も均一な輝度プロファイルを達成するために、導波路の底部表面において形成される抽出用特徴部の分布に基づき変化を持たせられ得る。
レンズ１１６は、オーバーモールドすることによって作製され得、一つの実施例において、モールドリードフレームが、レンズ１１６の底部を形成するために使用される。図７は、モールドリードフレーム１５０に形成されるオーバーモールドレンズ１１６を有するＬＥＤ１１０を例示する。モールドリードフレーム１５０は、プラスチックを含むパターン化される伝導体材料から、又は伝導体材料の周囲にモールドされる他の適切な材料注入から形成され得る。注入モールド材料は、レンズ１１６の底部表面を形成するためにモールドされ、そして、アルミニウム又は銀などの反射層１５２を用いて被膜され得る。ＬＥＤ１１０は、この場合、リードフレーム１５０に装着され得、シリコーン又は他の適切な材料は、レンズ１１６を形成するために沈着及びモールドされる。例えばアルミニウム又は銀などの反射層１５４は、この場合、レンズ１１６の上部表面にわたり沈着され得る。レンズ１１６設計がレンズ材料内部の全内部反射に基づく場合、何の反射性被膜も必要とされない又は使用されない。一つの実施例において、二重オーバーモールド工程が使用され得、この場合、例えば1.6などの第１屈折率（破線１５６で例示される）第１材料は、沈着及びモールドされる。例えば、1.3などの異なる屈折率を有する追加的な材料は、この場合、レンズ１１６の残りの部分を形成するために沈着及びモールド形成される。例として、第１材料及び第２材料の両方は、異なる屈折率を有するシリコーンであり得る。屈折率は、光の角度混合を達成するために所望な屈折がインデックスステップで生じるように、選択され得る。更に、図６に示されるような特徴部分は、所望な光の角度混合を達成するのを補助するために第１シリコーン材料１５６においてモールドされ得る。
オーバーモールドレンズを有する薄型側部放射ＬＥＤは、米国特許出願書類第11/840,129号であって、「"Optical Element Coupled to Low Profile Side Emitting LED" by Serge J. Bierhuizen,filed August 16,2007」に記載され、本出願人と共有であり、全体が参照として本文書に組み込まれる。
望まれる場合、波長変換要素１６０は、図８に例示されるように、導波路の前表面１０２frontに位置され得る。このような実施例において、上部エミッタ又は側部エミッタであり得るＬＥＤ１１０'は、波長変換要素を含まないが、代わりに、光が導波路１０２を出る際に波長変換要素１６０によって変換される青色光を生成する。
図９Ａ及び９Ｂは、導波路２００の別の実施例の上面図及び側面図を例示する。図９Ａに例示されるように、２つの薄い導波路２０２・２０４は、（図９Ｂに示される）ＬＥＤ１１０及び１つの縁部２０３・２０５のそれぞれに沿うミラー２０６・２０８を用いて使用される。ＬＥＤ１１０は、例えば図３Ａ、３Ｂ又は３Ｃに例示されるバックライトの後部に分布され、例えば導波路２０２・２０４間などのいかなるベゼル領域へも延在しない。導波路２０２・２０４の縁部２０３・２０５は、互いに隣接して位置される。図９Ｂに例示されるように、２つの導波路２０２・２０４は、「Ｖ」形状で構成され、これにより、わずかなベゼル又は何のベゼルも無いＬＣＤを作製するために、隣接する縁部２０３・２０５は、外側縁部２０７・２０９よりも、ＬＣＤスクリーン２１０から離れている。
本発明は指導の目的に関して特定の実施例に関して例示されているが、本発明はこれらに制限されない。本発明の範囲から逸脱することなく様々な適合態様及び修正態様がなされ得る。したがって、添付の請求項の精神及び範囲は、上述の記載に制限されるべきでない。

Claims (25)

  1. 複数の発光ダイオードと、
    ディスプレイに関するバックライトであるように構成される導波路と、
    を有し、
    前記導波路は、当該導波路から光が発される前表面、前記前表面に対向する後表面、並びに、前記前表面及び前記後表面間にある側縁部を有し、前記導波路は前記後表面における複数の空洞を有し、前記複数の発光ダイオードは、前記導波路に関する光源として作用するために、前記複数の空洞へ挿入され且つ光学的に当該導波路へ結合される、
    装置。
  2. 請求項１に記載の装置であって、前記導波路は、中央領域において前記前表面及び前記後表面間に第１厚さ、及び、前記側縁部において第２厚さを有し、前記第２厚さは前記第１厚さの半分より少ない、装置。
  3. 請求項２に記載の装置であって、前記第２厚さはゼロである、装置。
  4. 請求項１に記載の装置であって、前記導波路の前記側縁部においてベゼルが存在しない、装置。
  5. 請求項１に記載の装置であって、更に、前記導波路の前記側縁部においてベゼルを有し、前記ベゼル及び前記側縁部の間に光源が存在しない、装置。
  6. 請求項１に記載の装置であって、前記複数の発光ダイオードのそれぞれは、波長変換要素を含む、装置。
  7. 請求項１に記載の装置であって、更に、前記導波路へ装着される波長変換要素を含む、装置。
  8. 請求項７に記載の装置であって、前記波長変換要素は、前記導波路の前記前表面へ装着される、装置。
  9. 請求項１に記載の装置であって、更に、前記導波路の前記前表面へ光学的に当該導波路結合されるＬＣＤを含む、装置。
  10. 請求項１に記載の装置であって、前記導波路は対向する側縁部間に幅を有し、前記発光ダイオードは、前記対向する側縁部の最も近い部分から前記幅の25%又はそれより大きい距離において位置される、装置。
  11. 請求項１に記載の装置であって、前記発光ダイオードは、前記導波路において列及び長方形のうちの少なくとも１つのようにして位置される、装置。
  12. 請求項１に記載の装置であって、前記発光ダイオードは、側部放射ダイオードである、装置。
  13. 請求項１に記載の装置であって、前記発光ダイオードは、上部放射ダイオードである、装置。
  14. 請求項１に記載の装置であって、前記導波路は、第１側縁部を有する第１導波路であり、当該装置は、更に、
    第２の複数の発光ダイオードと、
    ディスプレイに関するバックライトであるように構成される第２導波路と、
    を有し、
    前記第２導波路は、当該第２導波路から光が発される前表面、前記前表面に対向する底部表面、並びに、前記前表面及び前記後表面間にあり第１側縁部を含む側縁部を有し、前記第２導波路は前記後表面において複数の空洞を有し、前記第２の複数の発光ダイオードは、前記第２導波路に関する光源として作用するために、前記複数の空洞へ挿入され且つ当該第２導波路へ光学的に結合され、前記第１導波路及び第２導波路は、前記第１導波路の前記第１側縁部及び前記第２導波路の前記第１側縁部が互いに隣接するように位置される、
    装置。
  15. 請求項１４に記載の装置であって、前記複数の発光ダイオードが挿入される前記第１導波路の前記後表面における前記複数の空洞は、前記第１導波路の前記第１側縁部に沿って位置し、前記第２の複数の発光ダイオードが挿入される前記第２導波路の前記後表面における前記複数の空洞は、前記第２導波路の前記第１側縁部に沿って位置する、装置。
  16. 請求項１４に記載の装置であって、更にＬＣＤスクリーンを含み、前記第１導波路及び第２導波路は、「Ｖ」形状を一体に有するように構成され、前記第１導波路の前記第１側縁部及び前記第２導波路の前記第１側縁部は、前記第１導波路の前記第１側縁部に対向する前記第１導波路の第２側縁部、及び、前記第２導波路の前記第１側縁部に対向する前記第２導波路の第２側縁部よりも、前記ＬＣＤスクリーンから離れている、装置。
  17. 複数の発光ダイオードと、
    ディスプレイに関するバックライトであるように構成される導波路と、
    を有し、
    前記導波路は、当該導波路から光が発される前表面、前記前表面に対向する後表面、並びに、前記前表面及び前記後表面間にある側部を有し、前記複数の側部放射発光ダイオードは、前記後表面の中央領域へ光学的に結合され、前記導波路は、前記導波路の前記側部においてよりも前記中央領域において大きい前記前表面及び前記後表面間における厚さを有する、装置。
  18. 請求項１７に記載の装置であって、前記導波路の前記側部における前記前表面及び後表面の間の前記厚さは、前記導波路の前記中央領域における前記前表面及び後表面の間の前記厚さの半分である、装置。
  19. 請求項１７に記載の装置であって、前記導波路は、前記複数の発光ダイオードが挿入される前記後表面における複数の空洞を含む、装置。
  20. 請求項１７に記載の装置であって、前記導波路の前記側部においてベゼルが存在しない、装置。
  21. 請求項１７に記載の装置であって、更に、前記導波路の前記側部においてベゼルを含み、前記ベゼルは1mmより小さい高さを有する、装置。
  22. 請求項１７に記載の装置であって、前記複数の発光ダイオードのそれぞれは、波長変換要素を含む、装置。
  23. 請求項１７に記載の装置であって、更に、前記導波路へ装着される波長変換要素を含む、装置。
  24. 請求項１７に記載の装置であって、前記導波路は幅を有し、前記発光ダイオードは、前記幅に沿って前記側部の最も近い部分から前記幅の25%又はそれより大きい距離において位置される、装置。
  25. 請求項１７に記載の装置であって、前記発光ダイオードは、前記導波路において列及び長方形のうちの少なくとも１つのようにして位置される、装置。
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