JP2012216309A - Organic electroluminescent display panel and manufacturing method therefor - Google Patents
Organic electroluminescent display panel and manufacturing method therefor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012216309A JP2012216309A JP2011079102A JP2011079102A JP2012216309A JP 2012216309 A JP2012216309 A JP 2012216309A JP 2011079102 A JP2011079102 A JP 2011079102A JP 2011079102 A JP2011079102 A JP 2011079102A JP 2012216309 A JP2012216309 A JP 2012216309A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- display panel
- injection layer
- layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 125
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 109
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 109
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 126
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 73
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 58
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 27
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 20
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 214
- 239000010408 film Substances 0.000 description 70
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 38
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 19
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 238000007774 anilox coating Methods 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 6
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 3
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 3
- PWYVVBKROXXHEB-UHFFFAOYSA-M trimethyl-[3-(1-methyl-2,3,4,5-tetraphenylsilol-1-yl)propyl]azanium;iodide Chemical compound [I-].C[N+](C)(C)CCC[Si]1(C)C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 PWYVVBKROXXHEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QLZJUIZVJLSNDD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylidenebutanoyloxy)ethyl 2-methylidenebutanoate Chemical compound CCC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(=C)CC QLZJUIZVJLSNDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTUBTKOZCCGPSU-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-1-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 MTUBTKOZCCGPSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108091034117 Oligonucleotide Proteins 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K aluminum;4-(4-cyanophenyl)phenolate Chemical compound [Al+3].C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1 ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- 229920006244 ethylene-ethyl acrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000005042 ethylene-ethyl acrylate Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- FGGAOQTXQHKQOW-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenylnaphthalen-1-amine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 FGGAOQTXQHKQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Chemical class 0.000 description 2
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-triphenylcyclopenta-1,3-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXIYMAYIEOSSJE-UHFFFAOYSA-N 4-methylquinoline-8-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1C(O)=O QXIYMAYIEOSSJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRHRWHRNQKPUPO-UHFFFAOYSA-N 4-n-naphthalen-1-yl-1-n,1-n-bis[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 CRHRWHRNQKPUPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015189 FeOx Inorganic materials 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHBWHCNFIIQBPZ-UHFFFAOYSA-K [Al+3].Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O.Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O.Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O Chemical compound [Al+3].Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O.Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O.Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O XHBWHCNFIIQBPZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTIXKRAVIUCTOC-UHFFFAOYSA-K aluminum;5-cyano-4-methylquinoline-8-carboxylate Chemical compound [Al+3].C1=CC(C#N)=C2C(C)=CC=NC2=C1C([O-])=O.C1=CC(C#N)=C2C(C)=CC=NC2=C1C([O-])=O.C1=CC(C#N)=C2C(C)=CC=NC2=C1C([O-])=O VTIXKRAVIUCTOC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000005010 aminoquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002635 aromatic organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N copper lithium Chemical compound [Li].[Cu] OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical class [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004322 quinolinols Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WEHQTWMFKLIGEJ-UHFFFAOYSA-N triphenylen-1-amine Chemical class C1=CC=CC2=C3C(N)=CC=CC3=C(C=CC=C3)C3=C21 WEHQTWMFKLIGEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- IJSCRHIUHQOAFM-UHFFFAOYSA-L zinc;quinoline-8-carboxylate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1 IJSCRHIUHQOAFM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は有機EL素子を用いた画像表示装置及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to an image display device using an organic EL element and a manufacturing method thereof.
有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子とも表す)は、透明電極と金属電極からなる二つの対向する電極の間に有機発光材料からなる有機発光層が形成され、両電極間に電圧を印加すると陽極から正孔、陰極から電子が注入され、有機発光層に電流が流れ、その正孔と電子が有機発光層で再結合することで発光させるものであるが、効率よくかつ信頼性のある素子を作製するには有機層の膜厚が重要である。また、これを用いてカラーディスプレイ化するには高精細にパターニングする必要がある。 An organic electroluminescence element (hereinafter also referred to as an organic EL element) has an organic light-emitting layer made of an organic light-emitting material between two opposing electrodes made of a transparent electrode and a metal electrode, and a voltage is applied between the electrodes. A device in which holes are injected from the anode and electrons are injected from the cathode, a current flows through the organic light emitting layer, and the holes and electrons are recombined in the organic light emitting layer to emit light. The thickness of the organic layer is important for the production. In addition, in order to make a color display using this, it is necessary to pattern with high definition.
一般的に、ディスプレイパネル用の基板として、パターニングされた感光性ポリイミドがサブピクセルを区画するように隔壁状に形成されているものを用いる。その際、隔壁パターンは陽極として成膜されている透明電極のエッジ部を覆うように形成される。 In general, as a substrate for a display panel, a substrate in which a patterned photosensitive polyimide is formed in a partition shape so as to partition subpixels is used. At that time, the partition pattern is formed so as to cover the edge portion of the transparent electrode formed as an anode.
電極の間には有機発光層以外にもキャリア注入層(キャリア輸送層とも呼ばれる)が形成される。キャリア注入層とは電極から有機発光層へ電子を注入させる際に、電子の注入量を制御あるいは、もう一方の電極から有機発光層へ正孔が注入される際に、正孔の注入量を制御するのに用いられる層で、電極と有機発光層の間に挿入される層を指す。電子注入層としては、キノリノール誘導体の金属錯体などの電子輸送性の有機物や、Ca、Baなどの仕事関数の比較的小さい例えばアルカリ金属などが用いられ、あるいはこれらの機能を持つ層を複数積層する場合もある。正孔注入層としては、TPD(トリフェニレンアミン系誘導体:特許文献1参照)、PEDOT:PSS(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸の混合物:特許文献2参照)、あるいは無機材料の正孔輸送材料(特許文献3参照)が知られている。いずれにしても電極と発光層の間に挿入することにより、電子と正孔の注入量を制御することによって発光効率を上げる目的で挿入され、高性能な有機ELディスプレイパネルを得るためには必須である。 In addition to the organic light emitting layer, a carrier injection layer (also called a carrier transport layer) is formed between the electrodes. The carrier injection layer controls the injection amount of electrons when injecting electrons from the electrode to the organic light emitting layer, or controls the injection amount of holes when holes are injected from the other electrode to the organic light emitting layer. A layer used to control and refers to a layer inserted between an electrode and an organic light emitting layer. As the electron injection layer, an electron transporting organic substance such as a metal complex of a quinolinol derivative or a relatively small work function such as Ca or Ba such as an alkali metal is used, or a plurality of layers having these functions are stacked. In some cases. As the hole injection layer, TPD (triphenyleneamine derivative: see Patent Document 1), PEDOT: PSS (mixture of polythiophene and polystyrenesulfonic acid: see Patent Document 2), or an inorganic hole transport material (Patent Document 3) See). In any case, it is necessary to obtain a high-performance organic EL display panel by inserting it between the electrode and the light-emitting layer in order to increase the luminous efficiency by controlling the injection amount of electrons and holes. It is.
次に正孔キャリアを注入するための正孔注入層を成膜する方法として、ドライ成膜とウェット成膜法の2種類があるが、ウェット成膜法を用いる場合一般的に水に分散されたポリチオフェンの誘導体が用いられるが、水系インキは下地の影響を受けやすく均一にコーティングすることが非常に困難である。それに対してドライ成膜は、簡便に均一に全面コーティングが可能である。 Next, there are two types of methods for forming a hole injection layer for injecting hole carriers: dry film formation and wet film formation methods. When wet film formation methods are used, they are generally dispersed in water. Polythiophene derivatives are used, but water-based inks are easily affected by the base and are difficult to coat uniformly. In contrast, dry film formation enables simple and uniform coating of the entire surface.
有機発光層を形成する方法も同様にドライ成膜とウェット成膜法の2種類があるが、均一な成膜が容易なドライ成膜である真空蒸着法を用いる場合、微細パターンのマスクを用いてパターニングする必要があり、大型基板や微細パターニングが非常に困難である。 Similarly, there are two methods for forming the organic light emitting layer: dry film formation and wet film formation. However, when using the vacuum evaporation method, which is dry film formation that facilitates uniform film formation, a fine pattern mask is used. Therefore, it is necessary to perform patterning, and large substrates and fine patterning are very difficult.
そこで、最近では高分子材料を溶剤に溶かして塗工液にし、これをウェット成膜法で薄膜形成する方法が試みられるようになってきている。高分子材料の塗液を用いてウェット成膜法で有機発光層を含む発光媒体層を形成する場合の層構成は、陽極側から正孔注入層、インターレイヤー又は正孔輸送層、有機発光層と積層する3層構成が一般的である。このとき、有機発光層はカラーパネル化するために赤(R)、緑(G)、青(B)のそれぞれの発光色をもつ有機発光材料を溶剤中に溶解または安定して分散してなる有機発光インキを用いて塗り分けることができる(特許文献4、5参照)。 ウェット成膜を用いることで、微細パターンのマスクは必要なく、大型基板や微細パターンが容易に可能である。 Therefore, recently, a method of forming a thin film using a wet film forming method by dissolving a polymer material in a solvent to form a coating liquid has been tried. When a light emitting medium layer including an organic light emitting layer is formed by a wet film formation method using a coating material of a polymer material, the layer structure is a hole injection layer, an interlayer or a hole transport layer from the anode side, an organic light emitting layer A three-layer structure is generally laminated. At this time, the organic light emitting layer is formed by dissolving or stably dispersing organic light emitting materials having respective emission colors of red (R), green (G), and blue (B) in a solvent in order to form a color panel. It can be applied separately using organic light emitting ink (see Patent Documents 4 and 5). By using wet film formation, a mask with a fine pattern is not necessary, and a large substrate or a fine pattern can be easily formed.
理想的にはRGBのそれぞれの発光層に対して異なるキャリア注入層を用いることで性能を引き出すことが可能であるが、量産プロセスにおいて工程が増えることと、高精細パターニングが困難であることから、キャリア注入層はRGB共通のベタ状の膜が形成されることが一般的である。 Ideally, it is possible to draw out performance by using different carrier injection layers for each of the RGB light emitting layers, but because the number of steps in the mass production process and high-definition patterning are difficult, The carrier injection layer is generally formed of a solid film common to RGB.
ところで、有機ELディスプレイパネルは電流駆動素子を使用しており、パッシブマトリックス駆動型有機ELディスプレイパネルでは、各行が選択された時間内で瞬間発光する必要がある。その結果液晶デバイス等の電圧駆動型表示素子を使用する場合と比較して大電流が電極に流れ込むことになる。 By the way, the organic EL display panel uses a current driving element, and in the passive matrix driving type organic EL display panel, it is necessary to instantaneously emit light within a time when each row is selected. As a result, a large current flows into the electrode as compared with the case where a voltage-driven display element such as a liquid crystal device is used.
アクティブ駆動型有機ELディスプレイパネルでは、一般的に一定時間発光を持続させる必要があり、パッシブマトリックス駆動型に比べ一度に選択される行数も多い。その結果同様に大電流が電極に流れ込む事になる。 In an active drive type organic EL display panel, it is generally necessary to maintain light emission for a certain period of time, and a larger number of rows are selected at a time than in a passive matrix drive type. As a result, a large current flows into the electrode as well.
そこで、第二電極と駆動回路接続端子との間はこの電流による電圧上昇を抑制するため、第二電極が低抵抗の取り出し用基板配線に接続され、電流が取り出し用基板配線から駆動回路接続端子に至る構造になっている。 Therefore, in order to suppress the voltage rise due to this current between the second electrode and the drive circuit connection terminal, the second electrode is connected to the low resistance extraction board wiring, and the current is connected to the drive circuit connection terminal from the extraction board wiring. It has a structure that leads to
しかしながら、パネルの大型化、高精細化、高輝度化が進むと取り出し用基板配線の更なる低抵抗化が必要となってくると同時に、この第二電極と取り出し用基板配線とのコンタクトや駆動回路接続端子と取り出し用基板配線との低抵抗化が課題となって来ている。 However, as the panel becomes larger, higher definition, and higher brightness, it is necessary to further reduce the resistance of the substrate wiring for extraction, and at the same time, contact and drive between the second electrode and the substrate wiring for extraction. Lowering the resistance between circuit connection terminals and extraction substrate wiring has been a problem.
特に、第二電極と取り出し用基板配線とのコンタクト特性は低抵抗だけでなく、流れる電流によりコンタクト部で発生するジュール熱に対しても安定であること、つまりジュール熱によりコンタクト抵抗が上昇しにくいことが必要であり、より厳しいコンタクト性能が必要とされる。ジュール熱によりコンタクト抵抗が上昇するのは、取り出し用基板配線等に使用されている金属の酸化によるものと考えられている。 In particular, the contact characteristics between the second electrode and the extraction substrate wiring are not only low resistance, but also stable against Joule heat generated in the contact portion due to the flowing current, that is, the contact resistance is not easily raised by Joule heat. And more stringent contact performance is required. It is considered that the contact resistance rises due to Joule heat due to oxidation of the metal used for the substrate wiring for extraction.
ボトムエミッションの場合、通常、第一電極にはITO(酸化インジウム−酸化スズ)が、第二電極にはAl、Mg、Ag等の酸化されやすい金属が使用される。そして、取り出し用基板配線についてはCr等の金属を用いているが、表面に酸化層が形成され、これによりコンタクト抵抗が上昇してしまう。 In the case of bottom emission, normally, ITO (indium oxide-tin oxide) is used for the first electrode, and a metal that is easily oxidized, such as Al, Mg, and Ag, is used for the second electrode. Further, although metal such as Cr is used for the extraction substrate wiring, an oxide layer is formed on the surface, thereby increasing the contact resistance.
これに関し、たとえば、有機EL表示素子の取り出し用基板配線について、特許文献6に開示された技術がある。この特許文献6では、駆動回路接続端子に透明電極材料を用い、かつ、第二電極材料と取り出し用基板配線材料とを同一とする。この場合、第二電極材料と取り出し用基板配線材料との接続前に第二電極表面や取り出し用基板配線表面が酸化されなければ、第二電極と取り出し用基板配線とのコンタクト抵抗の問題は解消する可能性が大きくなる。 In this regard, for example, there is a technique disclosed in Patent Document 6 regarding a substrate wiring for taking out an organic EL display element. In Patent Document 6, a transparent electrode material is used for the drive circuit connection terminal, and the second electrode material and the extraction substrate wiring material are made the same. In this case, the contact resistance problem between the second electrode and the extraction substrate wiring is solved if the second electrode surface and the extraction substrate wiring surface are not oxidized before the connection between the second electrode material and the extraction substrate wiring material. The possibility to do is increased.
しかしながら、一般的に有機EL表示素子では、第二電極は酸化しやすい材料を用いる一方、透明電極材料はITOのような金属酸化物を適用する。 However, in general, in an organic EL display element, a material that is easily oxidized is used for the second electrode, while a metal oxide such as ITO is used for the transparent electrode material.
このため、取り出し用基板配線を第二電極と同一材料とする場合には、有機ELディスプレイパネルの製作過程やその後の使用中に、取り出し用基板配線と、第一電極材料を使用する駆動回路接続端子とのコンタクト部で取り出し用基板配線の金属が酸化され、コンタクト抵抗が上がってしまうという問題が生じる。 For this reason, when the substrate wiring for extraction is made of the same material as the second electrode, the substrate wiring for extraction and the drive circuit connection using the first electrode material are used during the manufacturing process of the organic EL display panel and subsequent use. There is a problem that the metal of the extraction substrate wiring is oxidized at the contact portion with the terminal, and the contact resistance is increased.
特に高温で保持した場合に、コンタクト抵抗の上昇は顕著であり、第二電極および取り出し基板配線にAlあるいはAl合金を、駆動回路接続端子にITOを適用した場合には、100℃程度の保持で、コンタクト抵抗が著しく上昇してしまう。 In particular, the increase in contact resistance is remarkable when held at a high temperature. When Al or an Al alloy is applied to the second electrode and the extraction substrate wiring, and ITO is applied to the drive circuit connection terminal, the contact resistance is maintained at about 100 ° C. As a result, the contact resistance is significantly increased.
また、特許文献7には、第二電極と取り出し用基板配線とのコンタクト抵抗を低減するための技術が開示されている。特許文献7では、取り出し用基板配線を下地パターンと電極パターンとの2つに分けて形成し、下地パターンにTiNあるいはCrを適用し、電極パターンにAlを適用して、第二電極とコンタクトさせることで、低抵抗なコンタクト特性が得られるとしている。 Patent Document 7 discloses a technique for reducing the contact resistance between the second electrode and the extraction substrate wiring. In Patent Document 7, the substrate wiring for extraction is divided into two parts, a base pattern and an electrode pattern, TiN or Cr is applied to the base pattern, and Al is applied to the electrode pattern to make contact with the second electrode. As a result, low resistance contact characteristics can be obtained.
しかしながら、この技術では、コンタクト抵抗の問題を論じる前に、取り出し用基板配線形成に2回のフォトリソ工程が必要となり、しかもTiNにおいてはパターニングにドライエッチングを適用する必要があり、生産性に問題がある。 However, with this technology, before discussing the problem of contact resistance, two photolithographic steps are required for forming the substrate wiring for extraction, and dry etching must be applied for patterning in TiN, which causes a problem in productivity. is there.
また、下地パターンにCrを用いた場合には、初期コンタクト特性が良好な場合であっても、100℃程度の高温に放置した場合には、コンタクト抵抗が著しく上昇することがあり、信頼性上の問題が残る。 In addition, when Cr is used for the base pattern, even if the initial contact characteristics are good, the contact resistance may increase remarkably when left at a high temperature of about 100 ° C. The problem remains.
特許文献8には、第二電極と取り出し用基板配線とのコンタクト抵抗を低減するための技術が開示されている。特許文献8では、駆動回路接続端子と接する層がNbを含有した第1Mo合金層と、導電性層と接する層がNbを含有した第2Mo合金層と、第1Mo合金層と第2Mo合金層との間に配置されたAl−Nd層の3層から少なくとも構成され、前記第1の導電性層の前記補助配線と接続される部位がAlまたはAl合金とし、低抵抗なコンタクト特性が得られるとしている。 Patent Document 8 discloses a technique for reducing the contact resistance between the second electrode and the extraction substrate wiring. In Patent Document 8, the first Mo alloy layer in which the layer in contact with the drive circuit connection terminal contains Nb, the second Mo alloy layer in which the layer in contact with the conductive layer contains Nb, the first Mo alloy layer, and the second Mo alloy layer, It is composed of at least three layers of Al—Nd layers arranged between the layers, and the portion connected to the auxiliary wiring of the first conductive layer is made of Al or Al alloy, so that low resistance contact characteristics can be obtained. Yes.
特許文献9には、第二電極と取り出し用基板配線とのコンタクト抵抗を低減するための技術が開示されている。特許文献9では、取り出し用基板配線をAl、Mo、Ti、W、Crなどにし、第二電極をAlMo、Ti、W、Cr、Ta、Mgなどにし第二電極と取り出し配線基板を直接接触させることで、低抵抗なコンタクト特性が得られるとしている。 Patent Document 9 discloses a technique for reducing the contact resistance between the second electrode and the extraction substrate wiring. In Patent Document 9, the extraction substrate wiring is made of Al, Mo, Ti, W, Cr, etc., the second electrode is made of AlMo, Ti, W, Cr, Ta, Mg, etc., and the second electrode and the extraction wiring substrate are brought into direct contact with each other. As a result, low resistance contact characteristics can be obtained.
ところで、前述したとおり電極と発光層の間にはキャリア注入層が形成され、発光効率や寿命を上げ、高性能な有機ELディスプレイパネルを得るためには必須である。 By the way, as described above, a carrier injection layer is formed between the electrode and the light emitting layer, which is indispensable for increasing the light emission efficiency and life and obtaining a high performance organic EL display panel.
これらキャリア注入層が取り出し基板配線上のコンタクトエリアに形成されている場合、特許文献6から特許文献9の技術では、十分低抵抗なコンタクト特性が得られない。 When these carrier injection layers are formed in the contact area on the extraction substrate wiring, the techniques of Patent Document 6 to Patent Document 9 cannot provide contact characteristics with sufficiently low resistance.
そこで、取り出し基板配線上のコンタクトエリアにキャリア注入層が形成されないよう、発光画素部にのみキャリア注入層をパターン形成することが考えられるが、異なるパターンを形成するため製造工程が複雑になり、コストやタクトタイム、など生産性に課題が生じる。 Therefore, it is conceivable to pattern the carrier injection layer only in the light emitting pixel portion so that the carrier injection layer is not formed in the contact area on the extraction substrate wiring. However, the manufacturing process becomes complicated because the different pattern is formed, and the cost is low. Issues such as productivity and tact time.
例えば、真空蒸着法などのドライプロセスを用いてキャリア注入層と第二電極を形成する場合は、少なくとも両者で異なるメタルマスクを設ける必要がある。 For example, when the carrier injection layer and the second electrode are formed using a dry process such as a vacuum deposition method, it is necessary to provide different metal masks at least for both.
特に、キャリア注入層のうち電子注入層を形成する場合には、反応性の大きい活性な材料を用いる事が多く、電子注入層パターン用のメタルマスクから第二電極パターン用のメタルマスク交換時に放置されることで最表面が劣化する可能性があり、バラツキの増加や特性の低下が生じ、ディスプレイパネルの性能や、信頼性へ悪影響を及ぼす。 In particular, when forming the electron injection layer of the carrier injection layer, an active material having a high reactivity is often used, and the electron mask is left when the metal mask for the electron injection layer pattern is replaced with the metal mask for the second electrode pattern. As a result, the outermost surface may be deteriorated, resulting in an increase in dispersion and a decrease in characteristics, which adversely affects the performance and reliability of the display panel.
また、例えば印刷法などのウェットプロセスを用いてキャリア注入層と第二電極を形成する場合は少なくとも両者で異なる印刷パターン版を設ける必要がある。 Moreover, when forming a carrier injection layer and a 2nd electrode using wet processes, such as a printing method, for example, it is necessary to provide a different printing pattern plate by at least both.
これに対し、キャリア注入層と第二電極で同様のパターンを形成することで、上記課題は解決できるが、一方で第二電極は、必ず取り出し基板配線とコンタクトエリアで電気的に接続されている必要があり、取り出し基板配線上にキャリア注入層を形成することは避けられない。 On the other hand, the above-mentioned problem can be solved by forming a similar pattern with the carrier injection layer and the second electrode, but the second electrode is always electrically connected to the extraction substrate wiring and the contact area. It is necessary to form a carrier injection layer on the extracted substrate wiring.
以上のように、特許文献6から特許文献9の技術では、有機ELパネルの低抵抗なコンタクト特性と生産性、性能、信頼性、を両立する事は困難である。 As described above, with the technologies of Patent Document 6 to Patent Document 9, it is difficult to achieve both low-resistance contact characteristics and productivity, performance, and reliability of the organic EL panel.
本発明は上記の課題を解決するもので、有機ELパネルの取り出し用電極と第二電極とを低抵抗なコンタクト特性とすることで、高効率、長寿命、高輝度な有機ELパネルを簡便で安価に提供する事を課題とした。 The present invention solves the above-mentioned problems. By making the electrode for taking out the organic EL panel and the second electrode have low resistance contact characteristics, an organic EL panel having high efficiency, long life and high brightness can be easily obtained. The issue was to provide it at low cost.
上記課題を解決するために為された製造方法に係る第1の発明は、少なくとも、基板上に形成された第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、前記第一電極を区画するよう前記基板上に形成された隔壁と、前記第一電極及び前記第二電極の間に挟持され、有機発光層を含む発光媒体層と、前記基板上に形成された取り出し用基板配線と、を有する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであって、前記取り出し用基板配線はキャリア注入層及び前記第二電極が積層されるコンタクトエリアを有し、前記コンタクトエリアの取り出し用基板配線表面には複数の凸状パターンが形成され、前記キャリア注入層は少なくとも、前記発光媒体層と、前記コンタクトエリアの取り出し用基板配線表面と、前記隔壁と、を覆うように形成され、前記第二電極は前記キャリア注入層上に形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルである。 A first invention according to a manufacturing method made to solve the above problems includes at least a first electrode formed on a substrate, a second electrode facing the first electrode, and the first electrode. A partition formed on the substrate so as to partition, a light emitting medium layer sandwiched between the first electrode and the second electrode, including an organic light emitting layer, and a substrate wiring for extraction formed on the substrate; The take-out substrate wiring has a contact area in which a carrier injection layer and the second electrode are laminated, and a plurality of protrusions are formed on the surface of the contact substrate in the contact area. The carrier injection layer is formed so as to cover at least the light emitting medium layer, the surface of the contact substrate wiring for taking out the contact area, and the partition wall. Is, the second electrode is an organic electroluminescent display panel, characterized in that it is formed in the carrier injection layer.
また第2の発明は、前記凸状パターンの斜面の傾斜角が60°以上90°以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル、である。 According to a second aspect of the present invention, there is provided the organic electroluminescence display panel, wherein an inclination angle of the slope of the convex pattern is 60 ° or more and 90 ° or less.
また第3の発明は、前記凸状パターンの高低差が0.1μm以上3μm以下であることを特徴とするを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル、である。 According to a third aspect of the present invention, there is provided the organic electroluminescence display panel characterized in that the height difference of the convex pattern is 0.1 μm or more and 3 μm or less.
また第4の発明は、前記キャリア注入層が電子注入層およびまたは電子輸送層からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル、である The fourth invention is an organic electroluminescence display panel, wherein the carrier injection layer comprises an electron injection layer and / or an electron transport layer.
また第5の発明は、取り出し用基板配線材料がITO、Cr、Al、Cu、Ni、Mo、Ta、Ti、W、Fe、Zn、Ag、Pt、PdおよびAg−Mgからなる群から選択される1種以上の金属であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル、である In the fifth invention, the substrate wiring material for extraction is selected from the group consisting of ITO, Cr, Al, Cu, Ni, Mo, Ta, Ti, W, Fe, Zn, Ag, Pt, Pd and Ag-Mg. An organic electroluminescence display panel, wherein the organic electroluminescence display panel is one or more metals
さらに第6の発明は、基板上に、第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、
前記第一電極を区画する隔壁と、前記第一電極及び前記第二電極の間に挟持され、少なくとも有機発光層と、キャリア注入層、を含む発光媒体層と、前記第ニ電極とコンタクトエリアで電気的に接続された取り出し用基板配線と、を有する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法であって、前記コンタクトエリアの取り出し用基板配線に凸状パターンを形成する工程と、前記第一電極上に形成された前記キャリア注入層上に前記有機発光材料を溶媒に溶解または分散させた有機発光インキを塗工することよって有機発光層をパターン形成する工程と、前記第一電極と前記取り出し用基板配線の前記コンタクトエリアと、前記第一電極と前記コンタクトエリアの間を覆うように前記キャリア注入層を形成する工程と、前記キャリア注入層上に前記キャリア注入層と同じパターンで第二電極を形成する工程と、を特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル製造方法、である。
Further, a sixth invention provides a first electrode on the substrate, a second electrode facing the first electrode,
A partition partitioning the first electrode, a light emitting medium layer sandwiched between the first electrode and the second electrode, and including at least an organic light emitting layer and a carrier injection layer; and the second electrode and a contact area. A method of manufacturing an organic electroluminescence display panel, comprising: a step of forming a convex pattern on the substrate wiring for extraction in the contact area; and Patterning the organic light emitting layer by applying an organic light emitting ink in which the organic light emitting material is dissolved or dispersed in a solvent on the formed carrier injection layer, and the first electrode and the extraction substrate wiring Forming the carrier injection layer so as to cover between the contact area and the first electrode and the contact area; The organic electroluminescence display panel manufacturing method of forming a second electrode in the same pattern as the carrier injection layer Yaria injection layer, the features are.
また第7の発明は、前記キャリア注入層を形成する工程が、ドライプロセスであることを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法である。 The seventh invention is the method of manufacturing an organic electroluminescence display panel according to claim 6, wherein the step of forming the carrier injection layer is a dry process.
また第8の発明は、前記有機発光層をパターン形成する工程が印刷法、インクジェット法、ノズルプリント法のいずれかであることを特徴とする請求項6から7に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法、である。 The eighth invention is characterized in that the step of patterning the organic light emitting layer is any one of a printing method, an ink jet method, and a nozzle printing method. Manufacturing method.
取り出し用基板配線と第二電極が電気的に接続するコンタクトエリアにおいて、取り出し用基板配線上に凸状パターンを形成することで、取り出し用基板配線のコンタクトエリア上にキャリア注入層を形成しても低抵抗なコンタクト特性が得られ、キャリア注入層と第二電極を同じパターンで形成することができ、高効率、長寿命、高輝度な有機ELディスプレイパネルを簡便で安価に製造することが出来る。 Even if a carrier injection layer is formed on the contact area of the extraction substrate wiring by forming a convex pattern on the extraction substrate wiring in the contact area where the extraction substrate wiring and the second electrode are electrically connected. Contact characteristics with low resistance can be obtained, the carrier injection layer and the second electrode can be formed in the same pattern, and an organic EL display panel with high efficiency, long life, and high brightness can be easily and inexpensively manufactured.
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には全ての図面を通じて同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the same referential mark is attached | subjected to the component which exhibits the same or similar function through all the drawings, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
まず、本発明の有機ELディスプレイパネルの詳細な説明をするための例として、図1を参照して第一電極102を陽極、第二電極106を陰極としたパッシブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルについて述べる。なお、本発明はこれに限るものではなく、第一電極102を陰極、第二電極106を陽極としても良い。
First, as an example for explaining the organic EL display panel of the present invention in detail, a passive matrix drive type organic EL display panel using the
図1に本発明の1様態としてパッシブマトリックス駆動型の有機ELディスプレイパネルの平面模式図、また図3には図1に記載されているAA’の断面模式図を示した。本発明の有機ELディスプレイパネルは、基板101上に形成された第一電極102を陽極、これと対向するように形成された第二電極106を陰極とし、これに挟持された層(発光媒体層110)を有する。第一電極は画素ごとに隔壁103で区画された画素領域aにストライプ状の画素電極として形成されている。
なお、図1では第一電極102、隔壁103を示すために第二電極106と電子注入層114の一部を省略して示している。また、第一電極102と電子注入層114との間には、発光媒体層110、正孔注入層111、インターレイヤー又は正孔輸送層112が形成されているが、図1では省略して示している。
FIG. 1 is a schematic plan view of a passive matrix driving type organic EL display panel as one embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of AA ′ described in FIG. The organic EL display panel of the present invention uses a
In FIG. 1, a part of the
図1アクティブマトリック駆動型の有機ELディスプレイパネルを示したが、本発明の別の様態ではパッシブマトリクス駆動型としても良く、その場合には第一電極は画素ごとに隔壁103で区画された画素領域aに画素電極として形成され、第二電極は各電極がそれぞれ直交するストライプパターン状の対向電極となる。
FIG. 1 shows an active matrix drive type organic EL display panel. However, in another embodiment of the present invention, a passive matrix drive type may be used. In this case, the first electrode is a pixel region defined by
発光媒体層には、少なくとも発光に寄与する有機発光層113と、正孔を注入するキャリア注入層として正孔注入層111と、正孔を輸送するキャリア輸送層として正孔輸送層112、電子を注入するキャリア注入層として電子注入層114を含んでいる。
The light emitting medium layer includes at least an organic
また、発光媒体層110としては、陰極と発光層の間に電子輸送層や正孔ブロック層(インターレイヤー)、陽極と発光層の間に電子ブロック層(インターレイヤー)等のキャリア注入層を必要に応じて適宜積層することができる。
Further, as the light emitting
さらに画素領域aの外側には、外部駆動回路と接続するための取り出し用基板配線104を有し、取り出し用基板配線104と第二電極106が電気的に接続するコンタクトエリア105において、取り出し用基板配線は、表面に凸状パターンを有する。図4及び図5に図1に記載されているコンタクトエリア105のBB’断面模式図を示した。
Further, outside the pixel region a, there is a take-out
正孔注入層111は画素領域aに隣接する隔壁上全面を覆っている。全面を覆う事で、画素領域での膜形状が平坦になり、画素ごとの膜厚を均一にすることが可能となる。
The
正孔輸送層112は正孔注入層111上の画祖領域aにのみパターン形成しているが、正孔注入層111と同様に、画素領域aに隣接する隔壁上全面を覆っても良い。
Although the
有機発光層113は隔壁103の形状によって画素領域にのみ混色することなく形成することができる。このように、有機EL素子を画素(サブピクセル)として配列する事で、有機ELディスプレイパネルとすることができる。即ち各画素を構成する有機発光層113を混色することなく例えばRGBの3色に塗り分けることで、フルカラーの有機ELディスプレイパネルを作製することができる。
The organic
電子注入層114は、第一電極上102上にある有機発光層113上の画素領域aと取り出し用基板配線104上のコンタクトエリア105と、各有機発光層113とコンタクトエリアの間とを覆うように形成されている。
The
第二電極106は、電子注入層114と同様のパターンを有し、一部電子注入層114を介して電気的に取り出し用基板配線と接続される。このとき、本発明の取り出し用基板配線はコンタクトエリアの表面に複数の凸状パターンを有するため、第二電極と取り出し用基板配線の接触表面積は、凸状パターン側面の分、増加する。これによって、電子注入層114を介しても十分低抵抗なコンタクト特性を得る事ができる。
The
凸状パターンの数は任意だが、低抵抗なコンタクト特性が得られる様最適化することが好ましい。パターンの斜面の傾斜角は任意であるが、側面に対する電子注入層膜厚が小さく、凸状パターン強度が大きくなるよう、60°以上、90°以下であることが好ましい。また、凸状パターンの形状は円筒、円錐、四角錐、四角形などとする事ができ、コンタクトエリアの表面積を大きくすることができればどのような形状であっても良い。 Although the number of convex patterns is arbitrary, it is preferable to optimize so as to obtain low-resistance contact characteristics. The inclination angle of the slope of the pattern is arbitrary, but it is preferably 60 ° or more and 90 ° or less so that the electron injection layer film thickness with respect to the side surface is small and the convex pattern strength is increased. The shape of the convex pattern can be a cylinder, a cone, a quadrangular pyramid, a quadrangle, etc., and any shape can be used as long as the surface area of the contact area can be increased.
凸状パターンの高低差は大きいほど側面の表面積が大きくなるが、大きすぎると凸状パターン強度が小さくなることや、電子注入層材料の付着確率が小さくなりすぎるため高低差は50nm以上、200nm以下であることが好ましい。 The larger the height difference of the convex pattern, the larger the surface area of the side surface. However, if the height is too large, the strength of the convex pattern becomes small and the probability of adhesion of the electron injection layer material becomes too small. It is preferable that
取り出し用基板配線上のコンタクトエリアに形成されるキャリア注入層を電子注入層114としているが、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層(インターレイヤー)、正孔ブロック層(インターレイヤー)、などから任意に選択できる。
The carrier injection layer formed in the contact area on the extraction substrate wiring is the
<基板>
本発明のパッシブマトリックス駆動型有機ELディスプレイパネルの基板(バックプレーン)は、有機ELディスプレイパネルの画素電極と、外部駆動回路と接続するための取り出し用基板配線104が設けられている。
<Board>
The substrate (back plane) of the passive matrix driving type organic EL display panel of the present invention is provided with a pixel electrode of the organic EL display panel and a
これら画素電極と取り出し用基板配線と、その上方に構成されるパッシブマトリックス駆動型有機ELディスプレイパネルは支持体で支持される。支持体としては機械的強度、絶縁性を有し寸法安定性に優れた支持体であれば如何なる材料も使用することができる。例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材や、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、シート、板や、前記プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。光取出しをどちらの面から行うかに応じて支持体の透光性を選択すればよい。これらの材料からなる支持体は、有機ELディスプレイパネル内への水分の侵入を避けるために、無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。特に、発光媒体層への水分の侵入を避けるために、支持体における含水率およびガス透過係数を小さくすることが好ましい。 These pixel electrodes, extraction substrate wirings, and a passive matrix drive type organic EL display panel formed thereabove are supported by a support. Any material can be used as the support as long as it has mechanical strength and insulation and is excellent in dimensional stability. For example, plastic films and sheets such as glass, quartz, polypropylene, polyethersulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc., or oxidation to these plastic films and sheets Metal oxides such as silicon and aluminum oxide, metal fluorides such as aluminum fluoride and magnesium fluoride, metal nitrides such as silicon nitride and aluminum nitride, metal oxynitrides such as silicon oxynitride, acrylic resins and epoxy resins Translucent base material with a single layer or laminated polymer resin film such as silicone resin or polyester resin, metal foil such as aluminum or stainless steel, sheet, plate, aluminum on the plastic film or sheet It can be used um, copper, nickel, stainless steel and metal film non-translucent substrate as a laminate of such. What is necessary is just to select the translucency of a support body according to which surface light extraction is performed from. The support made of these materials has been subjected to moisture-proofing treatment or hydrophobic treatment by forming an inorganic film or applying a fluororesin in order to avoid intrusion of moisture into the organic EL display panel. It is preferable. In particular, it is preferable to reduce the moisture content and gas permeability coefficient of the support in order to prevent moisture from entering the luminescent medium layer.
<画素電極>
基板の上に画素電極102を成膜し、必要に応じてパターニングをおこなう。本発明で、画素電極は隔壁によって区画され、各画素領域に対応した画素電極となる。画素電極の材料としては、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。画素電極を陽極とする場合にはITOなど仕事関数の高い材料を選択することが好ましい。下方から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション構造の場合は透光性のある材料を選択する必要がある。必要に応じて、画素電極の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。画素電極の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。画素電極のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。
<Pixel electrode>
A
<取り出し用基板配線>
基板の上に取り出し用基板配線104を成膜し、必要に応じてパターニングをおこなう。図では、取り出し用基板配線のコンタクト部周囲に隔壁は形成されてないが、外部駆動用配線と電気的に接続する部分とトコンタクトエリアを区画するように隔壁を形成してもよく、この場合隔壁の開口部がコンタクトエリアとなる。取り出し用基板配線に用いられる材料は、導電性が低く、パターニングが容易であることが好ましく、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、Cr、Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd、Ni、Mo、Ta、Ti、W、C、Fe、In、Ag−Mg、Anなどの金属質導電材料で形成されることが好ましい。また、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。
<Removal board wiring>
A take-out
必要に応じて、画素電極の配線抵抗を低くするために、CuやAlなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。 If necessary, a metal material such as Cu or Al may be provided as an auxiliary electrode in order to reduce the wiring resistance of the pixel electrode.
取り出し用基板配線の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。取り出し用基板配線のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。 As a method for forming the substrate wiring for extraction, depending on the material, dry film forming methods such as resistance heating vapor deposition method, electron beam vapor deposition method, reactive vapor deposition method, ion plating method, sputtering method, gravure printing method, screen A wet film forming method such as a printing method can be used. As a patterning method for the extraction substrate wiring, an existing patterning method such as a mask vapor deposition method, a photolithography method, a wet etching method, or a dry etching method can be used depending on the material and the film forming method.
取り出し用基板配線を形成後、本発明では取り出し基板配線のコンタクトエリアに、凸状パターンを形成する。凸状パターンの形成方法は材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができるが、より高精細なパターンを形成するためにはフォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法が好ましい。特に、凸状パターンの斜面の傾斜角が60°以上90°以下に形成するためにはドライエッチング法を用いる事が好ましい。 After the extraction substrate wiring is formed, in the present invention, a convex pattern is formed in the contact area of the extraction substrate wiring. Existing patterning methods such as mask vapor deposition, photolithography, wet etching, and dry etching can be used as the method for forming the convex pattern, depending on the material and film formation method. In order to form it, a photolithography method, a wet etching method, and a dry etching method are preferable. In particular, it is preferable to use a dry etching method in order to form the inclined angle of the convex pattern at 60 ° or more and 90 ° or less.
<隔壁>
本発明の隔壁103は画素に対応した画素領域aを区画するように形成する。画素電極102の端部を覆うように形成するのが好ましい。
<Partition wall>
The
本発明のパッシブマトリックス駆動型有機ELディスプレイパネルの隔壁用感光性組成物を構成する成分およびその組成について説明する。
本発明の隔壁用感光性組成物(以下、単に「感光性組成物」という場合がある)は、少なくとも、(A)成分;エチレン性不飽和化合物、(B)成分;光重合開始剤、および(C)成分;アルカリ可溶性バインダー、を含有する。通常は、さらに界面活性剤などを含有することが好ましく、溶剤も含有する。
The component which comprises the photosensitive composition for partition of the passive-matrix drive type organic electroluminescent display panel of this invention, and its composition are demonstrated.
The barrier rib photosensitive composition of the present invention (hereinafter sometimes simply referred to as “photosensitive composition”) includes at least component (A); an ethylenically unsaturated compound, component (B); a photopolymerization initiator, and (C) component; an alkali-soluble binder is contained. Usually, it is preferable to further contain a surfactant or the like, and also contains a solvent.
隔壁の形成方法としては、従来と同様、基体上に無機膜を一様に形成し、レジストでマスキングした後、ドライエッチングを行う方法や、基体上に感光性樹脂を積層し、フォトリソ法により所定のパターンとする方法が挙げられる。 As in the conventional method, the partition wall is formed by uniformly forming an inorganic film on a substrate, masking with a resist, and performing dry etching, or laminating a photosensitive resin on the substrate, and then by a photolithographic method. The method of making this pattern is mentioned.
さらに、隔壁103は多段状としてもよく、その場合には、画素を区切るように格子状に形成される一段目の隔壁と、一段目の隔壁上に形成される2段目の隔壁からなり、1段目の材料と2段目の材料では異なる材料を用いても良い。例えば、1段目の材料にはSiO2やSiNx等の無機材料を用い、2段目には感光性樹脂等の有機材料を用いることができ、これらは上記と同様にフォトリソグラフィー法によりパターニングすることが出来る。
Further, the
隔壁の好ましい高さは0.1μm〜10μmであり、より好ましくは0.5μm〜2μm程度である。高すぎると対向電極の形成及び封止を妨げ、低すぎると画素電極の端部を覆い切れない、あるいは発光媒体層形成時に隣接する画素と混色してしまうからである。 The preferred height of the partition wall is 0.1 μm to 10 μm, more preferably about 0.5 μm to 2 μm. If it is too high, the formation and sealing of the counter electrode will be hindered, and if it is too low, the end of the pixel electrode will not be covered, or the adjacent pixels will be mixed when forming the light emitting medium layer.
次に、第一電極102上に形成される正孔注入層111、インターレイヤーまたは正孔輸送層112、有機発光層113、電子注入層114からなる発光媒体層110を説明する。
Next, the light emitting
<正孔注入層>
正孔注入層111の材料は任意であるが、画素間の短絡を妨げるため抵抗率は104Ω・cm以上であることが好ましい。また、隔壁の形状に段差を設けること正孔注入層の膜厚に変化をつけ画素間の短絡を抑制しても良い。例えば、Cu2O,Cr2O3,Mn2O3,FeOx,NiO,CoO,Pr2O3,Ag2O,MoO2,Bi2O3、ZnO,TiO2,SnO2,ThO2,V2O5,Nb2O5,Ta2O5,MoO3,WO3,MnO2等の遷移金属酸化物およびこれらの窒化物、硫化物を一種以上含んだ無機化合物や、ポリアニリン誘導体、オリゴアニリン誘導体、キノンジイミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール(PVK)誘導体、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ピロール誘導体、芳香族アミン、(トリフェニルアミン)ダイマー誘導体(TPD)、(α−ナフチルジフェニルアミン)ダイマー(α−NPD)、[(トリフェニルアミン)ダイマー]スピロダイマー(Spiro−TAD)等のトリアリールアミン類、4,4’,4’’−トリス[3−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(m−MTDATA)、4,4’,4’’−トリス[1−ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(1−TNATA)等のスターバーストアミン類および5,5’−α−ビス−{4−[ビス(4−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−2,2’:5’,2’−α−ターチオフェン(BMA−3T)等のオリゴチオフェン類、芳香族アミン含有高分子、芳香族ジアミン含有高分子、フルオレン含有芳香族アミン高分子、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系、などの有機材料が挙げられる。
<Hole injection layer>
The material of the
正孔注入層111の形成法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などのドライ成膜法や、スピンコート法、ゾルゲル法、インクジェット法、ノズルプリント法、凸版印刷法、スリットコート法、バーコート法などのウェット成膜法など既存の成膜法を用いることができるが本発明ではこれらに限定されず、一般的な成膜法を用いることができる。
As a method for forming the
正孔注入層111の膜厚は、20nm以上、100nm以下であることが好ましい。20nmより小さくなると、ショート欠陥が生じやすくなり、100nm以上になると高抵抗化により低電流化してしまう。
The thickness of the
無機材料は耐熱性および電気化学的安定性に優れている材料が多いため好ましい。これらは単層もしくは複数の層の積層構造、又は混合層として形成することができる。 Inorganic materials are preferred because many materials are excellent in heat resistance and electrochemical stability. These can be formed as a single layer or a stacked structure of a plurality of layers, or a mixed layer.
<インターレイヤーまたは正孔輸送層>
正孔注入層を形成後、正孔輸送層を形成することができる。本件では全面に形成した正孔注入層上にライン状に正孔輸送層をパターン形成したが正孔注入層上に正孔輸送層を全面形成してもよい。正孔輸送層は電子から正孔注入層を保護し、発光層の塗布形成のための下地層となるインターレイヤー層としても用いることが出来る。
<Interlayer or hole transport layer>
After forming the hole injection layer, the hole transport layer can be formed. In this case, the hole transport layer is formed in a line pattern on the hole injection layer formed on the entire surface, but the hole transport layer may be formed on the entire surface of the hole injection layer. The hole transport layer protects the hole injection layer from electrons and can also be used as an interlayer serving as a base layer for coating formation of the light emitting layer.
正孔輸送層に用いられる材料としてポリアニリン誘導体、オリゴアニリン誘導体、キノンジイミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール(PVK)誘導体、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ピロール誘導体、芳香族アミン、(トリフェニルアミン)ダイマー誘導体(TPD)、(α−ナフチルジフェニルアミン)ダイマー(α−NPD)、[(トリフェニルアミン)ダイマー]スピロダイマー(Spiro−TAD)等のトリアリールアミン類、4,4’,4’’−トリス[3−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(m−MTDATA)、4,4’,4’’−トリス[1−ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(1−TNATA)等のスターバーストアミン類および5,5’−α−ビス−{4−[ビス(4−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−2,2’:5’,2’−α−ターチオフェン(BMA−3T)等のオリゴチオフェン類、芳香族アミン含有高分子、芳香族ジアミン含有高分子、フルオレン含有芳香族アミン高分子、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系、などの有機材料が挙げられる。 Polyaniline derivatives, oligoaniline derivatives, quinonediimine derivatives, polythiophene derivatives, polyvinylcarbazole (PVK) derivatives, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), pyrrole derivatives, aromatic amines as materials used for the hole transport layer Triarylamines such as (triphenylamine) dimer derivative (TPD), (α-naphthyldiphenylamine) dimer (α-NPD), [(triphenylamine) dimer] spirodimer (Spiro-TAD), 4,4 ', 4 ″ -tris [3-methylphenyl (phenyl) amino] triphenylamine (m-MTDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris [1-naphthyl (phenyl) amino] triphenylamine (1 Starburst amines such as -TNATA) And oligos such as 5,5′-α-bis- {4- [bis (4-methylphenyl) amino] phenyl} -2,2 ′: 5 ′, 2′-α-terthiophene (BMA-3T) Examples thereof include organic materials such as thiophenes, aromatic amine-containing polymers, aromatic diamine-containing polymers, fluorene-containing aromatic amine polymers, triazole-based, oxazole-based, oxadiazole-based, silole-based, and boron-based materials.
正孔輸送層112の形成法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などのドライ成膜法や、スピンコート法、ゾルゲル法、インクジェット法、ノズルプリント法、凸版印刷法、スリットコート法、バーコート法などのウェット成膜法など既存の成膜法を用いることができるが本発明ではこれらに限定されず、一般的な成膜法を用いることができる。
As a method for forming the
<有機発光層>
インターレイヤー形成後、有機発光層113を形成する。有機発光層は正孔と電子を再結合させることで発光する層であり、有機発光層113から放出される表示光が単色の場合、インターレイヤ105を被覆するように形成するが、多色の表示光を得るには必要に応じてパターニングを行うことにより好適に用いることができる。
<Organic light emitting layer>
After the formation of the interlayer, the organic
有機発光層113を形成する有機発光材料は、例えばクマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系などの発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。
Examples of the organic light-emitting material forming the organic light-emitting
これらの有機発光材料は溶媒に溶解または安定に分散させ有機発光インキとなる。有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの単独またはこれらの混合溶媒が上げられる。中でもトルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、有機発光インキには必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。 These organic light emitting materials are dissolved or stably dispersed in a solvent to form an organic light emitting ink. Examples of the solvent for dissolving or dispersing the organic light emitting material include toluene, xylene, acetone, anisole, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, or a mixed solvent thereof. Among them, aromatic organic solvents such as toluene, xylene, and anisole are preferable from the viewpoint of the solubility of the organic light emitting material. Moreover, surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a ultraviolet absorber, etc. may be added to organic luminescent ink as needed.
上述した高分子材料に加え、9,10−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジエン、トリス(8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(8−キノラート)亜鉛錯体、トリス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−シアノ−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリノラート)スカンジウム錯体、ビス[8−(パラ−トシル)アミノキノリン]亜鉛錯体及びカドミウム錯体、1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2,5−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレンなどの低分子系発光材料が使用できる。 In addition to the polymer materials described above, 9,10-diarylanthracene derivatives, pyrene, coronene, perylene, rubrene, 1,1,4,4-tetraphenylbutadiene, tris (8-quinolato) aluminum complex, tris (4-methyl) -8-quinolate) aluminum complex, bis (8-quinolate) zinc complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolate) aluminum complex, tris (4-methyl-5-cyano-8-quinolate) Aluminum complex, bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) [4- (4-Cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, tris (8-quino) Norato) scandium complex, bis [8- (para-tosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, poly-2,5-diheptyloxy-para-phenylene vinylene A low molecular weight light emitting material such as can be used.
有機発光層113の形成法としては、材料に応じて、インクジェット印刷法、ノズルプリント印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などのウェット成膜法など既存の成膜法を用いることができ、本発明ではこれらに限定されるわけではないが、特に有機発光材料を溶媒に溶解または安定に分散させた有機発光インキを用いて発光層を各発光色に塗り分ける場合には、隔壁間にインキを転写してパターニングできるインクジェット法、ノズルプリント法、凸版印刷法が好適である。
As a method for forming the organic
<発光媒体層の形成方法>
発光媒体層を凸版印刷法で形成する場合を下記に示す。
<Method for forming luminescent medium layer>
A case where the light emitting medium layer is formed by a relief printing method is shown below.
図7に有機発光材料からなる有機発光インキを、画素電極、正孔注入層、正孔輸送層が形成された被印刷基板602上にパターン印刷する際の凸版印刷装置600の概略図を示した。本製造装置はインクタンク603とインキ供給手段であるインキチャンバー604とアニロックスロール605とドクター装置606凸版が設けられた版607がマウントされた版銅608を有している。インクタンク603には、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバー604にはインクタンクより有機発光インキが送り込まれるようになっている。アニロックスロール605はインキチャンバー604のインキ供給部に接して回転可能に指示されている。ドクター装置はアニロックスロール上の余剰インキをかきとってアニロックスロール上のインキ膜を均一にする。なお、アニロックスロール605へのインキ供給手段はインキチャンバーに限られず、ダイコーター、スリットコーター等のインキを吐出するものであっても良い。また、ドクター装置は、板状のドクターブレード、ローラー状のドクターロール、圧縮空気を用いるエアナイフ等を用いることができ、これらを併用しても良い。
FIG. 7 shows a schematic diagram of a
アニロックスロール605の回転に伴い、ドクター装置によりアニロックスロール表面に供給された有機発光インキのインキ層609は均一な膜厚に形成される。このインキ層のインキはアニロックスロールに近接して回転駆動される版胴608にマウントされた版607の凸部に転移する。ステージ601には、被印刷基板602が設置され、版607の凸部にあるインキが被印刷基板602に対して印刷され、必要に応じて乾燥工程を経て被印刷基板上に有機発光層が形成される。
As the
他の発光媒体層をインキ化して塗工する場合についても同様に上記形成法を用いて形成することができる。 The other light emitting medium layer can be formed by using the above-mentioned forming method in the same manner when it is applied as an ink.
<電子注入層>
有機発光層113を形成した後、電子注入層114を形成することができる。電子注入層に用いる材料としては、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系等の低分子系材料、フッ化リチウムや酸化リチウム、フッ化ナトリウム等のアルカリ金属やアルカリ土類金属の塩や酸化物等を用いて真空蒸着法による成膜が可能である。
<Electron injection layer>
After the organic
<対向電極>
次に、対向電極106を形成する。対向電極を陰極とする場合には、発光層113への電子注入効率の高い、仕事関数の低い物質を用いる。具体的にはMg,Al,Yb等の金属単体を用いたり、発光媒体層と接する界面にLiや酸化Li,LiF等の化合物を1nm程度挟んで、安定性・導電性の高いAlやCuを積層して用いてもよい。または電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いLi,Mg,Ca,Sr,La,Ce,Er,Eu,Sc,Y,Yb等の金属1種以上と、安定なAg,Al,Cu等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的にはMgAg,AlLi,CuLi等の合金が使用できる。
<Counter electrode>
Next, the
電子注入層と対向電極の形成に使用するメタルマスクはコンタクトエリアと画素領域とその間に開口があるマスクを用いて成膜する。パッシブマトリクス駆動型の場合には、図1のように第一電極102と直交するストライプ状の開口部を有するマスクを用いる。
取り出し用基板配線上のコンタクトエリアも成膜することで、図4のように取り出し用基板配線の凸状パターン表面に電子注入層が形成される。また、電子注入層を形成する際に斜方蒸着法を用いる事で、図5のように電子注入層は取り出し用基板配線の表面に形成されている凸状パターンの一部にのみ形成することもできる。
対向電極は取り出し用基板配線の凸状パターン全面を覆う事で、対向電極が取り出し用基板配線に直接コンタクトし、さらに低抵抗なコンタクト特性を得ることができる。
A metal mask used for forming the electron injection layer and the counter electrode is formed using a mask having a contact area, a pixel region, and an opening therebetween. In the case of the passive matrix driving type, a mask having a stripe-shaped opening perpendicular to the
By depositing a contact area on the extraction substrate wiring, an electron injection layer is formed on the convex pattern surface of the extraction substrate wiring as shown in FIG. In addition, by using the oblique deposition method when forming the electron injection layer, the electron injection layer is formed only on a part of the convex pattern formed on the surface of the substrate wiring for extraction as shown in FIG. You can also.
Since the counter electrode covers the entire convex pattern of the extraction substrate wiring, the counter electrode is in direct contact with the extraction substrate wiring, and contact characteristics with lower resistance can be obtained.
<封止体>
有機ELディスプレイパネルとしては電極間に発光材料を挟み、電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光材料は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまうため通常は外部と遮断するための封止体を設ける。封止体は例えば封止材上に樹脂層を設けて作製することができる。
<Sealing body>
As an organic EL display panel, it is possible to emit light by sandwiching a light emitting material between electrodes and passing an electric current. However, since an organic light emitting material is easily degraded by moisture and oxygen in the atmosphere, A sealing body for blocking is provided. The sealing body can be manufactured, for example, by providing a resin layer on a sealing material.
封止材としては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、材料の一例として、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルムなどを挙げることができる。耐湿性フィルムの例として、プラスチック基材の両面にSiOxをCVD法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、10−6g/m2/day以下であることが好ましい。 The sealing material needs to be a base material having low moisture and oxygen permeability. Examples of the material include ceramics such as alumina, silicon nitride, and boron nitride, glass such as alkali-free glass and alkali glass, quartz, and moisture resistant film. Examples of moisture-resistant films include films formed by CVD of SiOx on both sides of plastic substrates, films with low permeability and water-absorbing films, or polymer films coated with a water-absorbing agent. The water vapor transmission rate is preferably 10 −6 g / m 2 / day or less.
樹脂層の材料の一例として、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、2液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート(EEA)ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート(EVA)等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。樹脂層を封止材の上に形成する方法の一例として、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることもできる。封止材上に形成する樹脂層の厚みは、封止する有機ELディスプレイパネルの大きさや形状により任意に決定されるが、5〜500μm程度が望ましい。なお、ここでは封止材上に樹脂層として形成したが直接有機ELディスプレイパネル側に形成することもできる。 Examples of the material for the resin layer include a photo-curing adhesive resin, a thermosetting adhesive resin, a two-component curable adhesive resin, and an ethylene ethyl acrylate (EEA) made of epoxy resin, acrylic resin, silicone resin, etc. Examples thereof include acrylic resins such as polymers, vinyl resins such as ethylene vinyl acetate (EVA), thermoplastic resins such as polyamide and synthetic rubber, and thermoplastic adhesive resins such as acid-modified products of polyethylene and polypropylene. Examples of methods for forming a resin layer on a sealing material include solvent solution method, extrusion lamination method, melting / hot melt method, calendar method, nozzle coating method, screen printing method, vacuum laminating method, hot roll laminating method, etc. Can be mentioned. A material having a hygroscopic property or an oxygen absorbing property may be contained as necessary. Although the thickness of the resin layer formed on a sealing material is arbitrarily determined by the magnitude | size and shape of the organic electroluminescent display panel to seal, about 5-500 micrometers is desirable. In addition, although formed as a resin layer on a sealing material here, it can also form directly in an organic EL display panel side.
最後に、有機ELディスプレイパネルと封止体との貼り合わせを封止室で行う。封止体を、封止材と樹脂層の2層構造とし、樹脂層に熱可塑性樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着のみ行うことが好ましい。熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着した後、さらに硬化温度で加熱硬化を行うことが好ましい。光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールで圧着した後、さらに光を照射することで硬化を行うことができる。 Finally, the organic EL display panel and the sealing body are bonded together in a sealing chamber. When the sealing body has a two-layer structure of a sealing material and a resin layer, and a thermoplastic resin is used for the resin layer, it is preferable to perform only pressure bonding with a heated roll. When a thermosetting adhesive resin is used, it is preferable to perform heat curing at a curing temperature after pressure bonding with a heated roll. In the case where a photocurable adhesive resin is used, curing can be performed by further irradiating light after pressure bonding with a roll.
次に、本発明の有機ELディスプレイパネルの詳細な説明をするための例として、図2を参照して第一電極102を陽極、第二電極106を陰極としたアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルについて述べる。なお、本発明はこれに限るものではなく、第一電極102を陰極、第二電極106を陽極としても良い。
Next, as an example for describing the organic EL display panel of the present invention in detail, an active matrix drive type organic EL display panel using the
図2に本発明の別の様態としてアクティブマトリックス駆動型の有機ELディスプレイパネルの平面模式図、また図3には図2に記載されているAA’の断面模式図を示した。本発明の有機ELディスプレイパネルは、基板101上に形成された第一電極102を陽極、これと対向するように形成された第二電極106を陰極とし、これに挟持された層(発光媒体層110)を有する。第一電極102は画素ごとに隔壁103により互いに区画・絶縁された画素領域aに画素電極として形成されている。
なお、図2では第一電極102、隔壁103を示すために一部を省略して示している。また、第一電極102と電子注入層114との間には、発光媒体層110、正孔輸送層111、インターレイヤー112が形成されているが、図2では省略して示している。
FIG. 2 is a schematic plan view of an active matrix driving type organic EL display panel as another embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of AA ′ described in FIG. The organic EL display panel of the present invention uses a
In FIG. 2, some parts are omitted to show the
アクティブマトリックス駆動型の場合には、第一電極102は画素ごとに隔壁103により互いに区画・絶縁された画素領域aに画素電極として形成され、第二電極106及び電子注入層114は隔壁103及び画素領域aの全てを覆うように形成されている。第一電極は画素ごとに隔壁で区画された画素電極として形成され、第二電極は素子全面に形成した対向電極となる。また、キャリア注入層は正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層となる。また第一電極側を陽極とした逆構造の有機EL素子としてもよい。この場合には第一電極上に形成するキャリア注入層は電子注入層となる。
In the case of the active matrix driving type, the
<基板>
図6に本発明に用いることができる隔壁付きTFT基板の例を示した。本発明のアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルに用いる基板(バックプレーン)308は、薄膜トランジスタ(TFT)と有機ELディスプレイパネルの下部電極(画素電極)が設けられており、かつ、TFTと下部電極とが電気接続している。
<Board>
FIG. 6 shows an example of a TFT substrate with a partition which can be used in the present invention. A substrate (back plane) 308 used in the active matrix driving type organic EL display panel of the present invention is provided with a thin film transistor (TFT) and a lower electrode (pixel electrode) of the organic EL display panel, and the TFT, lower electrode, Is electrically connected.
TFTや、その上方に構成されるアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルは支持体で支持される。支持体としてはパッシブマトリックス駆動型の有機ELディスプレイパネルと同様の材料を使用することができる。 The TFT and the active matrix driving type organic EL display panel formed thereon are supported by a support. As the support, the same material as that of the passive matrix driving type organic EL display panel can be used.
支持体上に設ける薄膜トランジスタは、公知の薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、主として、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層、ゲート絶縁膜及びゲート電極から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、ボトムゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。 As the thin film transistor provided on the support, a known thin film transistor can be used. Specifically, a thin film transistor mainly including an active layer in which a source / drain region and a channel region are formed, a gate insulating film, and a gate electrode can be given. The structure of the thin film transistor is not particularly limited, and examples thereof include a staggered type, an inverted staggered type, a top gate type, a bottom gate type, and a coplanar type.
活性層311は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ(p−フェリレンビニレン)等の有機半導体材料により形成することができる。これらの活性層は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマCVD法により積層し、イオンドーピングする方法;SiH4ガスを用いてLPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法;Si2H6ガスを用いてLPCVD法により、また、SiH4ガスを用いてPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法(低温プロセス);減圧CVD法又はLPCVD法によりポリシリコンを積層し、1000℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にn+ポリシリコンのゲート電極8を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法(高温プロセス)等が挙げられる。
The
ゲート絶縁膜309としては、通常、ゲート絶縁膜として使用されているものを用いることができ、例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO2や、ポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO2等を用いることができる。
As the
ゲート電極314としては、通常、ゲート電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属;チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属;ポリシリコン;高融点金属のシリサイド;ポリサイド;等が挙げられる。
As the
薄膜トランジスタは、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が3つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、LDD構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、1つの画素中に2つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。 The thin film transistor may have a single gate structure, a double gate structure, or a multi-gate structure having three or more gate electrodes. Moreover, you may have a LDD structure and an offset structure. Further, two or more thin film transistors may be arranged in one pixel.
本発明の表示装置は薄膜トランジスタが有機ELディスプレイパネルのスイッチング素子として機能するように接続されている必要があり、トランジスタのドレイン電極310と有機ELディスプレイパネルの画素電極が電気的に接続されている。
The display device of the present invention needs to be connected so that the thin film transistor functions as a switching element of the organic EL display panel, and the
<画素電極>
基板の上に画素電極102を成膜し、必要に応じてパターニングをおこなう。本発明で、画素電極は隔壁によって区画・絶縁され、各画素に対応した画素電極となる。画素電極の材料としては、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。画素電極を陽極とする場合にはITOなど仕事関数の高い材料を選択することが好ましい。下方から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション構造の場合は透光性のある材料を選択する必要がある。必要に応じて、画素電極の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。画素電極の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。画素電極のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。基板としてTFTを形成した物を用いる場合は下層の画素に対応して導通を図ることができるように形成する。
<Pixel electrode>
A
<隔壁>
本発明の隔壁103は画素に対応した発光領域を区画するように形成する。画素電極102の端部を覆うように形成するのが好ましい。一般的にアクティブマトリクス駆動型の表示装置は各画素(サブピクセル)に対して画素電極102が形成され、それぞれの画素ができるだけ広い面積を占有しようとするため、画素電極の端部を覆うように形成される隔壁の最も好ましい形状は各画素電極を最短距離で区切る格子状を基本とする。
<Partition wall>
The
また、隔壁203は多段状としてもよく、その場合には、画素を区切るように格子状に形成される一段目の隔壁と、一段目の隔壁上に形成される2段目の隔壁からなり、1段目の材料と2段目の材料では異なる材料を用いても良い。例えば、1段目の材料にはSiO2やSiNx等の無機材料を用い、2段目には感光性樹脂等の有機材料を用いることができ、これらは上記と同様にフォトリソグラフィー法によりパターニングすることが出来る。 Further, the partition wall 203 may be multi-staged, and in that case, the partition wall 203 includes a first-stage partition wall formed in a lattice shape so as to divide pixels, and a second-stage partition wall formed on the first-stage partition wall. Different materials may be used for the first-stage material and the second-stage material. For example, an inorganic material such as SiO 2 or SiNx can be used for the first stage material, and an organic material such as a photosensitive resin can be used for the second stage, and these are patterned by a photolithography method as described above. I can do it.
有機発光媒体層はパッシブマトリックス駆動型有機ELディスプレイパネルと同様の材料、条件、成膜方法で形成できる。 The organic light emitting medium layer can be formed by the same material, conditions, and film forming method as those of the passive matrix driving type organic EL display panel.
<対向電極>
次に、対向電極106を形成する。対向電極はパッシブマトリックス駆動型有機ELディスプレイと同様の材料、条件、成膜方法で形成できるが、アクティブマトリクス駆動型の場合には、図2のように隔壁103、画素部a、及びコンタクトエリア105の全面を覆うように対向電極が形成され、用いられるメタルマスクの開口部の形状は隔壁103、画素部a、及びコンタクトエリア105を覆うような幅広な四角形開口部となる。
<Counter electrode>
Next, the
取り出し用基板配線上のコンタクトエリアも成膜することで、図4のように取り出し用基板配線の凸状パターン表面に電子注入層が形成される。また、電子注入層を形成する際に斜方蒸着法を用いる事で、図5のように電子注入層は取り出し用基板配線の表面に形成されている凸状パターンの一部にのみ形成することもできる。
対向電極は取り出し用基板配線の凸状パターン全面を覆う事で、対向電極が取り出し用基板配線に直接コンタクトし、さらに低抵抗なコンタクト特性を得ることができる。
By depositing a contact area on the extraction substrate wiring, an electron injection layer is formed on the convex pattern surface of the extraction substrate wiring as shown in FIG. In addition, by using the oblique deposition method when forming the electron injection layer, the electron injection layer is formed only on a part of the convex pattern formed on the surface of the substrate wiring for extraction as shown in FIG. You can also.
Since the counter electrode covers the entire convex pattern of the extraction substrate wiring, the counter electrode is in direct contact with the extraction substrate wiring, and contact characteristics with lower resistance can be obtained.
封止体はパッシブマトリックス駆動型有機ELディスプレイパネルと同様の材料、条件、接着方法で形成できる。 The sealing body can be formed by the same material, conditions, and adhesion method as the passive matrix driving type organic EL display panel.
[実施例1]
以下、本発明の実施例について説明する。なお、本発明はこれに限るものではない。
[Example 1]
Examples of the present invention will be described below. The present invention is not limited to this.
基板として、支持体上に設けられたスイッチング素子として機能する薄膜トランジスタと、その上方に形成された画素電極とを備えたアクティブマトリクス基板を用いた。基板のサイズは200mm×200mmでその中に対角5インチ、画素数は320×240のディスプレイパネルが中央に配置され、端部に取出し用基板配線と縦0.5mm×横101.6mmのコンタクトエリアが形成されている。 As the substrate, an active matrix substrate including a thin film transistor functioning as a switching element provided on a support and a pixel electrode formed thereabove was used. The size of the substrate is 200mm x 200mm, and a display panel with a diagonal of 5 inches and a pixel count of 320x240 is placed in the center, and the substrate wiring for extraction and contacts of 0.5mm length x 101.6mm width at the end An area is formed.
取り出し用基板配線材料はCrを用いた。この取り出し用基板配線のコンタクトエリアにフォトリソグラフィーとドライエッチングを用いて、表面に0.2mm×0.2mm、深さ0.1mmの凸状パターンを縦0.2mm、横0.2mm間隔で形成した。形成した凸状パターンの傾斜角は90°であった。 Cr was used as a substrate wiring material for taking out. Using photolithography and dry etching in the contact area of the substrate wiring for extraction, convex patterns of 0.2 mm x 0.2 mm and depth of 0.1 mm are formed on the surface at intervals of 0.2 mm in length and 0.2 mm in width. did. The inclination angle of the formed convex pattern was 90 °.
この基板上に設けられている画素電極の端部を被覆し画素を区画するような形状で隔壁 を形成した。隔壁の形成は、日本ゼオン社製ポジレジストZWD6216−6をスピンコーターにて基板全面に厚み2μmで形成した後、フォトリソグラフィーによって幅40μmの隔壁を形成した。これによりサブピクセル数960×240ドット、0.12mm×0.36mmピッチ画素領域が区画された。 A partition wall was formed in such a shape as to cover the end of the pixel electrode provided on the substrate and partition the pixel. The partition walls were formed by forming a positive resist ZWD 6216-6 manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd. on the entire surface of the substrate with a spin coater to a thickness of 2 μm, and then forming a partition wall having a width of 40 μm by photolithography. As a result, a pixel area of 960 × 240 dots and a pitch of 0.12 mm × 0.36 mm was defined.
この基板をモリブデンターゲットが設置されているスパッタリング成膜装置の設置し、取り出し電極やコンタクト部に成膜されないように、表示領域上に正孔注入層をパターン成膜した。このときのスパッタ条件は圧力1Pa、電力1kWで酸素のアルゴンガスに対する流量比が30%であった。膜厚を50nmとした。 A sputtering film forming apparatus in which a molybdenum target is installed is placed on this substrate, and a hole injection layer is formed on the display region in a pattern so as not to be formed on the extraction electrode or the contact portion. The sputtering conditions at this time were a pressure of 1 Pa, a power of 1 kW, and a flow rate ratio of oxygen to argon gas of 30%. The film thickness was 50 nm.
その後、厚み30nmの撥液剤が形成されたフィルムをロール温度120℃、押し圧0.6MPa、毎分150mmの速度でラミネートし、隔壁上に形成されている正孔注入層上に撥液層を10nmになるようパターン形成した。 Thereafter, a film having a 30 nm thick liquid repellent is laminated at a roll temperature of 120 ° C., a pressing pressure of 0.6 MPa, and a speed of 150 mm per minute, and a liquid repellent layer is formed on the hole injection layer formed on the partition wall. A pattern was formed to be 10 nm.
その後、インターレイヤー材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を濃度0.5%になるようにトルエンに溶解させたインキを用いこの基板を印刷機にセッティングし、絶縁層に挟まれた画素電極の真上にそのラインパターンに合わせて凸版印刷法で印刷を行った。このとき300線/インチのアニロックスロールおよび感光性樹脂版を使用した。印刷、乾燥後のインターレイヤーの膜厚は20nmとなった。 After that, this substrate was set in a printing machine using an ink in which polyvinylcarbazole derivative as an interlayer material was dissolved in toluene so as to have a concentration of 0.5%, and the substrate was directly above the pixel electrode sandwiched between insulating layers. Printing was performed by letterpress printing according to the line pattern. At this time, an anilox roll of 300 lines / inch and a photosensitive resin plate were used. The film thickness of the interlayer after printing and drying was 20 nm.
次に、有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体を濃度1%になるようにトルエンに溶解させた有機発光インキを用い、この基板を印刷機にセッティングし、絶縁層に挟まれた画素電極の真上にそのラインパターンに合わせて有機発光層を凸版印刷法で印刷を行った。このとき150線/インチのアニロックスロールおよびピクセルのピッチに対応する感光性樹脂版を使用した。印刷、乾燥後の有機発光層の膜厚は80nmとなった。この工程を計3回繰り返し、R(赤)、G(緑)、B(青)の発光色に対応する有機発光層を各画素に形成した。 Next, using organic light-emitting ink in which polyphenylene vinylene derivative, which is an organic light-emitting material, is dissolved in toluene to a concentration of 1%, this substrate is set in a printing machine and directly above the pixel electrode sandwiched between insulating layers. The organic light emitting layer was printed by a relief printing method according to the line pattern. At this time, an anilox roll of 150 lines / inch and a photosensitive resin plate corresponding to the pixel pitch were used. The thickness of the organic light emitting layer after printing and drying was 80 nm. This process was repeated three times in total to form an organic light emitting layer corresponding to the emission colors of R (red), G (green), and B (blue) in each pixel.
その後、画素部とコンタクトエリアと両者の間を覆うように電子注入層として真空蒸着法とシャドウマスクを用いてBaを厚み4nm成膜した。 Thereafter, Ba was deposited to a thickness of 4 nm using a vacuum deposition method and a shadow mask as an electron injection layer so as to cover between the pixel portion and the contact area.
その後、電子注入層を形成する際に用いたメタルマスクを用いて、対向電極としてアルミニウム膜150nmを電子注入層と同様のパターンで成膜した。 Then, using the metal mask used when forming the electron injection layer, an aluminum film having a thickness of 150 nm was formed as a counter electrode in the same pattern as the electron injection layer.
Ba成膜後、Alを成膜開始までに要した時間は5sであった。 After the Ba film formation, the time required to start the Al film formation was 5 s.
その後、封止材としてガラス板を発光領域全てをカバーするように載せ、約90℃で1時間接着剤を熱硬化して封止を行った。 Thereafter, a glass plate was placed as a sealing material so as to cover the entire light emitting region, and sealing was performed by thermosetting the adhesive at about 90 ° C. for 1 hour.
こうして得られたアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルのコンタクト特性はオーミックであり、1V印加時で5mA、即ち200Ωとなり、低抵抗なコンタクト特性が得られた。また、これを駆動したところ、良好に駆動を行うことができた。 The contact characteristics of the active matrix driving type organic EL display panel obtained in this way are ohmic, and when the voltage is 1 V, the contact characteristic is 5 mA, that is, 200Ω, and a low resistance contact characteristic is obtained. Moreover, when this was driven, it was able to drive satisfactorily.
[比較例1]
実施例1の基板において、取り出し用基板配線のコンタクトエリアに凸状パターンを形成せずに、他は実施例1と同様にしてアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルを作製した。
[Comparative Example 1]
An active matrix driving type organic EL display panel was produced in the same manner as in Example 1 except that the convex pattern was not formed in the contact area of the substrate wiring for extraction in the substrate of Example 1.
こうして得られたアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルを駆動したところ、コンタクト特性はオーミックでなく、1V印加時で0.01mAとなり、低抵抗なコンタクト特性が得られなかった。また、これを駆動したところコンタクトエリア付近が異常発熱し、正常な駆動ができなかった。 When the active matrix drive type organic EL display panel thus obtained was driven, the contact characteristics were not ohmic, and became 0.01 mA when 1 V was applied, and low resistance contact characteristics were not obtained. Moreover, when this was driven, abnormal heat was generated in the vicinity of the contact area, and normal driving was not possible.
[比較例2]
実施例1の基板において、取り出し用基板配線のコンタクトエリアに凸状パターンを形成せずに、画素部のみを覆うように、電子注入層として、真空蒸着法とシャドウマスクを用いてBaを厚み4nm成膜した。
[Comparative Example 2]
In the substrate of Example 1, Ba is 4 nm thick using a vacuum deposition method and a shadow mask as an electron injection layer so as to cover only the pixel portion without forming a convex pattern in the contact area of the substrate wiring for extraction. A film was formed.
その後、電子注入層を形成する際に用いたメタルマスクから対向電極用のメタルマスクに変更し、画素部とコンタクトエリアと両者の間を覆うように、対向電極としてアルミニウム膜150nmを成膜した。 Thereafter, the metal mask used for forming the electron injection layer was changed to a metal mask for a counter electrode, and an aluminum film having a thickness of 150 nm was formed as a counter electrode so as to cover between the pixel portion and the contact area.
Ba成膜後、Alを成膜開始までに要した時間は60sであった。 After the Ba film formation, the time required to start the Al film formation was 60 s.
他は実施例1と同様にしてアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルを作製した。 Otherwise, an active matrix driving type organic EL display panel was produced in the same manner as in Example 1.
こうして得られたアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルのコンタクト特性はオーミックであり、1V印加時で5mA、即ち200Ωとなり、低抵抗なコンタクト特性が得られた。しかし、これを駆動したところ、発光効率、寿命が低下しており良好に駆動を行うことができなかった。 The contact characteristics of the active matrix driving type organic EL display panel obtained in this way are ohmic, and when the voltage is 1 V, the contact characteristic is 5 mA, that is, 200Ω, and a low resistance contact characteristic is obtained. However, when this was driven, the luminous efficiency and life were reduced, and the drive could not be performed satisfactorily.
101:支持体(基板)
102:画素電極(第一電極)
103:隔壁
104:取り出し用基板配線
105:コンタクトエリア
106:対向電極(第二電極)
110:有機発光媒体層
111:正孔注入層
112:インターレイヤー
113:有機発光層
114:電子注入層
308:TFT付き基板
309:ゲート絶縁膜
310:ドレイン電極
311:活性層
312:ソース電極
313:走査線
314:ゲート電極
600:凸版印刷装置
601:ステージ
602:被印刷基板
603:インキタンク
604:インキチャンバー
605:アニロックスロール
606:ドクター装置
607:凸版
608:版胴
609:インキ層
a :画素領域
101: Support (substrate)
102: Pixel electrode (first electrode)
103: Partition 104: Extraction substrate wiring 105: Contact area 106: Counter electrode (second electrode)
110: Organic light emitting medium layer 111: Hole injection layer
112: Interlayer 113: Organic light emitting layer 114: Electron injection layer 308: Substrate with TFT 309: Gate insulating film 310: Drain electrode 311: Active layer 312: Source electrode 313: Scan line 314: Gate electrode 600: Letterpress printing apparatus 601 : Stage 602: Printed substrate 603: Ink tank 604: Ink chamber 605: Anilox roll 606: Doctor device 607: Letterpress 608: Plate cylinder 609: Ink layer a: Pixel area
Claims (8)
前記取り出し用基板配線はキャリア注入層及び前記第二電極が積層されるコンタクトエリアを有し、前記コンタクトエリアの取り出し用基板配線表面には複数の凸状パターンが形成され、前記キャリア注入層は少なくとも、前記発光媒体層と、前記コンタクトエリアの取り出し用基板配線表面と、前記隔壁と、を覆うように形成され、
前記第二電極は前記キャリア注入層上に形成されていること
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。 At least a first electrode formed on the substrate, a second electrode facing the first electrode, a partition formed on the substrate to partition the first electrode, the first electrode, and the first electrode An organic electroluminescence display panel having a light emitting medium layer sandwiched between two electrodes and including an organic light emitting layer, and a substrate wiring for extraction formed on the substrate,
The extraction substrate wiring has a contact area on which a carrier injection layer and the second electrode are laminated, and a plurality of convex patterns are formed on the surface of the extraction substrate wiring in the contact area, and the carrier injection layer is at least , Formed so as to cover the light emitting medium layer, the substrate wiring surface for taking out the contact area, and the partition wall,
The organic electroluminescence display panel, wherein the second electrode is formed on the carrier injection layer.
前記第一電極を区画する隔壁と、
前記第一電極及び前記第二電極の間に挟持され、少なくとも有機発光層と、キャリア注入層、を含む発光媒体層と、
前記第ニ電極とコンタクトエリアで電気的に接続された取り出し用基板配線と、
を有する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法であって、
前記コンタクトエリアの取り出し用基板配線に凸状パターンを形成する工程と、
前記第一電極上に形成された前記キャリア注入層上に前記有機発光材料を溶媒に溶解または分散させた有機発光インキを塗工することよって有機発光層をパターン形成する工程と、
前記第一電極と前記取り出し用基板配線の前記コンタクトエリアと、前記第一電極と前記コンタクトエリアの間を覆うように前記キャリア注入層を形成する工程と、
前記キャリア注入層上に前記キャリア注入層と同じパターンで第二電極を形成する工程と、
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル製造方法。 On the substrate, a first electrode, a second electrode facing the first electrode,
A partition partitioning the first electrode;
A light-emitting medium layer sandwiched between the first electrode and the second electrode and including at least an organic light-emitting layer and a carrier injection layer;
A substrate wiring for extraction electrically connected to the second electrode at a contact area;
An organic electroluminescence display panel manufacturing method comprising:
Forming a convex pattern on the substrate wiring for taking out the contact area;
Patterning the organic light emitting layer by applying an organic light emitting ink in which the organic light emitting material is dissolved or dispersed in a solvent on the carrier injection layer formed on the first electrode;
Forming the carrier injection layer so as to cover the contact area of the first electrode and the substrate wiring for extraction, and between the first electrode and the contact area;
Forming a second electrode in the same pattern as the carrier injection layer on the carrier injection layer;
A method for producing an organic electroluminescence display panel.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011079102A JP2012216309A (en) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | Organic electroluminescent display panel and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011079102A JP2012216309A (en) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | Organic electroluminescent display panel and manufacturing method therefor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012216309A true JP2012216309A (en) | 2012-11-08 |
Family
ID=47268934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011079102A Pending JP2012216309A (en) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | Organic electroluminescent display panel and manufacturing method therefor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012216309A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9559327B2 (en) | 2013-09-13 | 2017-01-31 | Joled Inc. | Organic light emitting device and method for manufacturing same |
WO2019142582A1 (en) * | 2018-01-18 | 2019-07-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Display device and electronic machine |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008071930A (en) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Pioneer Electronic Corp | Organic-electroluminescence displaying panel, and manufacturing method thereof |
JP2011040167A (en) * | 2008-11-12 | 2011-02-24 | Panasonic Corp | Display and its manufacturing method |
-
2011
- 2011-03-31 JP JP2011079102A patent/JP2012216309A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008071930A (en) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Pioneer Electronic Corp | Organic-electroluminescence displaying panel, and manufacturing method thereof |
JP2011040167A (en) * | 2008-11-12 | 2011-02-24 | Panasonic Corp | Display and its manufacturing method |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9559327B2 (en) | 2013-09-13 | 2017-01-31 | Joled Inc. | Organic light emitting device and method for manufacturing same |
WO2019142582A1 (en) * | 2018-01-18 | 2019-07-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Display device and electronic machine |
JPWO2019142582A1 (en) * | 2018-01-18 | 2021-03-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Display devices and electronic devices |
JP7235681B2 (en) | 2018-01-18 | 2023-03-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Display devices and electronic devices |
US11903285B2 (en) | 2018-01-18 | 2024-02-13 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Display device and electronic device with peripheral connection to cathode electrode |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5633516B2 (en) | Organic electroluminescent device, organic electroluminescent display panel, and organic electroluminescent display panel manufacturing method | |
JP5326289B2 (en) | ORGANIC EL ELEMENT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME | |
JP5526610B2 (en) | Structure of organic EL display and manufacturing method thereof | |
WO2012132862A1 (en) | Organic electroluminescence display and method for manufacturing same | |
JP4803321B2 (en) | Organic electroluminescence display and manufacturing method thereof | |
JP5569023B2 (en) | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same | |
JP5278686B2 (en) | Organic EL display panel and manufacturing method thereof | |
JP2009123618A (en) | Organic el display device and its manufacturing method | |
TW200931700A (en) | Thin film active element group, thin film active element array, organic light emitting device, display device and method for manufacturing thin film active element group | |
JP5249075B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP4736676B2 (en) | Active matrix driving type organic electroluminescence display device | |
JP2013211102A (en) | Organic electroluminescent display panel and method of manufacturing the same | |
JP2012216309A (en) | Organic electroluminescent display panel and manufacturing method therefor | |
JP2010146894A (en) | Organic electroluminescence element | |
JP2012074559A (en) | Organic electroluminescent display panel and manufacturing method therefor | |
JP2010160945A (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence device | |
JP5663853B2 (en) | Organic EL panel and manufacturing method thereof | |
JP5233598B2 (en) | Organic EL display panel and manufacturing method thereof | |
JP5678455B2 (en) | Method for manufacturing organic EL element and method for manufacturing organic EL panel | |
JP5573545B2 (en) | Manufacturing method of organic EL display device | |
JP2010205528A (en) | Manufacturing method of organic electroluminescent device | |
JP2011076914A (en) | Organic electroluminescent display panel and method of manufacturing the same | |
WO2012132292A1 (en) | Organic el display element, organic el display device, and methods for manufacturing organic el display element and organic el display device | |
JP2011204504A (en) | Manufacturing method of organic el display device, and organic el display device | |
JP2014067627A (en) | Organic el display panel and method of manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150120 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150707 |