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JP5569023B2 - Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same - Google Patents

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JP5569023B2 JP2010030938A JP2010030938A JP5569023B2 JP 5569023 B2 JP5569023 B2 JP 5569023B2 JP 2010030938 A JP2010030938 A JP 2010030938A JP 2010030938 A JP2010030938 A JP 2010030938A JP 5569023 B2 JP5569023 B2 JP 5569023B2
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、情報表示端末などのディスプレイへの用途が期待される有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子とする)とその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as an organic EL element) expected to be used for a display such as an information display terminal, and a method for producing the same.

有機EL素子は、ふたつの対向する電極の間に有機発光材料からなる有機発光層が形成され、有機発光層に電流を流すことで発光させるものであるが、効率よく発光させるには有機発光層の膜厚が重要であり、100nm程度の薄膜にする必要がある。さらに、これをディスプレイ化するには各画素が赤色(R)、緑色(G)、青色(B)となるように、有機発光層を高精細にパターニングする必要がある。   An organic EL element is one in which an organic light emitting layer made of an organic light emitting material is formed between two opposing electrodes, and light is emitted by passing a current through the organic light emitting layer. The film thickness is important, and it is necessary to form a thin film of about 100 nm. Furthermore, in order to make this a display, it is necessary to pattern the organic light emitting layer with high definition so that each pixel becomes red (R), green (G), and blue (B).

有機発光層を形成する有機発光材料には、低分子材料と高分子材料があり、一般に低分子材料は抵抗加熱蒸着法等の乾式成膜法により薄膜形成し、このときに微細パターンのマスクを用いてパターニングするが、この方法では基板が大型化すればするほどパターニング精度が出難いという問題がある。   Organic light-emitting materials that form the organic light-emitting layer include low-molecular materials and high-molecular materials. Generally, low-molecular materials are formed into a thin film by a dry film-forming method such as resistance heating vapor deposition, and a fine pattern mask is used at this time. However, this method has a problem that the patterning accuracy is less likely as the substrate becomes larger.

そこで、最近では有機発光材料に高分子材料を用い、有機発光材料を溶剤に分散または溶解させて塗工液にし、これを湿式成膜法で薄膜形成する方法が試みられるようになってきている。薄膜形成するための湿式成膜法としては、スピンコート法、バーコート法、突出コート法、ディップコート法等があるが、高精細にパターニングしたりRGB3色に塗り分けるためには、これらのウェットコーティング法では難しく、塗り分け・パターニングを得意とする印刷法による薄膜形成が最も有効であると考えられる。   Therefore, recently, a method of forming a thin film by a wet film forming method using a polymer material as an organic light emitting material and dispersing or dissolving the organic light emitting material in a solvent to form a coating liquid has been tried. . Examples of the wet film forming method for forming a thin film include a spin coating method, a bar coating method, a protruding coating method, a dip coating method, and the like. It is difficult to apply the coating method, and it is considered that the thin film formation by the printing method which is good at coating and patterning is most effective.

さらに、各種印刷法のなかでも、ガラスを基板とする有機EL素子やディスプレイでは、グラビア印刷法等のように金属製の印刷版等の硬い版を用いる方法は不向きであり、弾性を有するゴムブランケットを用いるオフセット印刷法や同じく弾性を有するゴム版や樹脂版を用いる凸版印刷法が適当である。実際にこれらの印刷法による試みとして、オフセット印刷による方法(特許文献1)、凸版印刷による方法(特許文献2)などが提唱されている。   Further, among various printing methods, in organic EL elements and displays using glass as a substrate, a method using a hard plate such as a metal printing plate such as a gravure printing method is unsuitable, and an elastic rubber blanket. An offset printing method using, and a relief printing method using an elastic rubber plate or resin plate are also suitable. Actually, as an attempt by these printing methods, a method by offset printing (Patent Document 1), a method by letterpress printing (Patent Document 2) and the like have been proposed.

有機発光層の形成材料である有機発光材料は、水、アルコール系の溶剤に対する溶解性が悪く、塗工液(以下インキと記す)化するには、有機溶剤を用いて溶解、分散させる必要があり、中でも、トルエンやキシレンといった有機溶剤が好適である。したがって、有機発光材料のインキ(以下有機発光インキと記す)は有機溶剤のインキとなっている。   The organic light-emitting material, which is a material for forming the organic light-emitting layer, has poor solubility in water and alcohol solvents, and it is necessary to dissolve and disperse using an organic solvent in order to form a coating liquid (hereinafter referred to as ink). Among them, organic solvents such as toluene and xylene are preferable. Therefore, the ink of organic light emitting material (hereinafter referred to as organic light emitting ink) is an ink of organic solvent.

ところが、オフセット印刷に用いるゴムブランケットはトルエンやキシレン有機溶剤によって膨潤や変形を起こしやすいという問題がある。ブランケットに使用されるゴムの種類はオレフィン系のゴムからシリコン系のゴムまで多様であるが、いずれのゴムもトルエン、キシレンその他の溶剤に対して耐性がなく、膨潤や変形が起こりやすく、よって有機発光インキの印刷には不適当である。   However, the rubber blanket used for offset printing has a problem that it is easily swelled or deformed by toluene or xylene organic solvent. The types of rubber used in blankets vary from olefin rubber to silicon rubber, but none of these rubbers are resistant to toluene, xylene or other solvents, and are prone to swelling and deformation, so organic It is not suitable for printing luminescent ink.

また、弾性を有する凸版を使用する凸版印刷法には、ゴム製の版を用いるフレキソ印刷方式と樹脂性の版を用いる樹脂凸版方式があるが、このうち水現像タイプの樹脂凸版を用いる方式であれば、トルエン、キシレンといった有機溶剤に対する耐性も高く、有機発光インキの印刷に使用可能である。   In addition, the relief printing method using an elastic relief plate includes a flexographic printing method using a rubber plate and a resin relief plate method using a resinous plate. Among these, a method using a water development type resin relief plate is used. If present, it has high resistance to organic solvents such as toluene and xylene, and can be used for printing organic light-emitting inks.

特開2001−93668号公報JP 2001-93668 A 特開2001−155858号公報JP 2001-155858 A

一般にアクティブマトリックス方式の基板に対して凸版印刷法を用いて有機発光層を形成する場合、ラインパターンを有する樹脂凸版の凸部は、第一電極間にある隔壁をまたぐようにしてインキを連続的に供給し、印刷される。したがって、有機発光インキは、パターン化された第一電極と隔壁の両方に供給される。このような場合に、第一電極間にある隔壁上に供給されたインキが第一電極上へと流れ込むことにより、第一電極上の隔壁近傍の有機発光層の膜厚が第一電極中央の有機発光層の膜厚と比較して厚くなってしまう(図5)。また、従来の高さの隔壁で囲まれた画素に凸版印刷法により有機発光層を形成する場合には、隔壁の高さによって凸版と基板との接触が妨げられて画素ごとのインキの供給量にバラツキが発生し、画素内での発光ムラ(発光領域の偏りなど)や、画素間での発光ムラ(画素間の発光面積のバラツキ)が発生してしまうという問題があった。   In general, when an organic light-emitting layer is formed on an active matrix substrate using a relief printing method, the convex portion of a resin relief plate having a line pattern is continuously applied with ink so as to straddle the partition between the first electrodes. Supplied and printed. Accordingly, the organic light emitting ink is supplied to both the patterned first electrode and the partition wall. In such a case, the ink supplied on the partition between the first electrodes flows onto the first electrode, so that the thickness of the organic light emitting layer in the vicinity of the partition on the first electrode becomes the center of the first electrode. It becomes thick compared with the film thickness of an organic light emitting layer (FIG. 5). In addition, when an organic light-emitting layer is formed on a pixel surrounded by a partition wall having a conventional height by a relief printing method, the contact between the relief plate and the substrate is hindered by the partition wall height, and the amount of ink supplied for each pixel. In other words, there is a problem that unevenness of light emission occurs in the pixels (e.g. unevenness of the light emitting region) and unevenness of light emission between pixels (the variation of the light emission area between pixels) occurs.

本発明は上記に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、異なる高さの隔壁の配置を工夫することにより画素内での発光ムラ及び混色、並びに画素間での発光ムラの無い高光学特性の有機EL素子を提供することである。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to eliminate light emission unevenness and color mixing within a pixel and light emission unevenness between pixels by devising the arrangement of partition walls having different heights. An organic EL element having high optical characteristics is provided.

上記課題を解決するための請求項1に記載の発明は、少なくとも基板と、前記基板上に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された有機発光媒体層と、前記有機発光媒体層を挟んで前記第一電極と対向するように設けられた第二電極とを具備する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記第一電極の端部周囲に形成された第一隔壁と、前記第一電極及び前記第一隔壁を離間して囲うように形成された第二隔壁と、前記第一隔壁と前記第二隔壁とで囲まれるインキ溜りと、を有し、前記第二隔壁の高さは前記第一隔壁の高さよりも高く、前記第一隔壁の高さが0.1μm以上0.5μm以下であり、前記第二隔壁の高さが1.0μm以上1.5μm以下であり、前記インキ溜りの幅は10μm以上15μm以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
また、請求項に記載の発明は、前記第二隔壁は格子状に形成され、前記第一隔壁及び前記第一電極は前記格子状の第二隔壁に囲まれる領域に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子である。
また、請求項に記載の発明は、前記第二隔壁は複数の第一電極及び第一隔壁を囲むように形成され、該第二隔壁に囲まれる複数の第一電極上には同一材料からなる有機発光媒体層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子である。
また、請求項に記載の発明は、基板上に第一電極を形成する工程と、前記第一電極の端部周囲に第一隔壁を形成する工程と、前記第一隔壁と離間して該第一隔壁を囲むように第二隔壁を形成し、前記第一隔壁と前記第二隔壁で囲まれたインキ溜りを形成する工程と、前記第一電極上に有機発光媒体層を形成する工程と、前記有機発光媒体層を挟んで前記第一電極と対向するように第二電極を形成する工程と、からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記第二隔壁の高さは前記第一隔壁の高さよりも高く、前記第一隔壁の高さが0.1μm以上0.5μm以下であり、前記第二隔壁の高さが1.0μm以上1.5μm以下であり、前記インキ溜りの幅は10μm以上15μm以下であるように形成し、前記有機発光媒体層を形成する工程は、湿式成膜法であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また、請求項に記載の発明は、前記湿式成膜法が凸版印刷法であることを特徴とする請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
The invention according to claim 1 for solving the above-described problems includes at least a substrate, a first electrode formed on the substrate, an organic light emitting medium layer formed on the first electrode, and the organic light emission. An organic electroluminescence device comprising a second electrode provided so as to face the first electrode across a medium layer, the first partition formed around the end of the first electrode; a second barrier rib formed to surround spaced the first electrode and the first partition wall, have a, and an ink reservoir that is surrounded by the first partition wall and the second partition wall, high in the second partition Is higher than the height of the first partition, the height of the first partition is 0.1 μm or more and 0.5 μm or less, and the height of the second partition is 1.0 μm or more and 1.5 μm or less, and wherein the width of the ink reservoir is 10μm or more 15μm or less That is an organic electroluminescence element.
According to a second aspect of the present invention, the second partition is formed in a lattice shape, and the first partition and the first electrode are formed in a region surrounded by the lattice-shaped second partition. an organic electroluminescence device according to claim 1, wherein.
According to a third aspect of the present invention, the second partition is formed so as to surround the plurality of first electrodes and the first partition, and the plurality of first electrodes surrounded by the second partition are made of the same material. The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein an organic light emitting medium layer is formed.
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the step of forming the first electrode on the substrate, the step of forming the first partition around the end of the first electrode, and the first partition separated from the first partition. Forming a second partition so as to surround the first partition, forming an ink reservoir surrounded by the first partition and the second partition, and forming an organic light emitting medium layer on the first electrode; And a step of forming a second electrode so as to face the first electrode across the organic light emitting medium layer, wherein the method of manufacturing an organic electroluminescence element comprises: The height is higher than the height of the first partition, the height of the first partition is 0.1 μm or more and 0.5 μm or less, and the height of the second partition is 1.0 μm or more and 1.5 μm or less. the width of said ink reservoir is formed to be a 10μm or 15μm or less, Forming a serial organic light emitting medium layer is a method of manufacturing an organic electroluminescent device which is a wet film formation method.
The invention according to claim 5 is the method for producing an organic electroluminescence element according to claim 4 , wherein the wet film forming method is a relief printing method.

本発明によれば、第一隔壁及び第二隔壁及びインキ溜りを形成したことにより、画素間での混色が無く、第一電極上の有機発光層の平坦性が向上した発光ムラのない有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することができる。   According to the present invention, since the first partition, the second partition, and the ink reservoir are formed, there is no color mixing between pixels, and the flatness of the organic light emitting layer on the first electrode is improved. A luminescence element and a manufacturing method thereof can be provided.

本発明の有機EL素子の構造を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the organic EL element of this invention. 本発明の有機EL素子の一実施例の俯瞰図。The bird's-eye view of one Example of the organic EL element of this invention. 本発明の有機EL素子の他の実施例の俯瞰図。The bird's-eye view of the other Example of the organic EL element of this invention. 本発明の有機EL素子の製造に用いる凸版印刷装置の概略図。Schematic of the relief printing apparatus used for manufacture of the organic EL element of this invention. 従来の有機EL素子の構造を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the conventional organic EL element.

以下に、本発明における有機EL素子について図に基づいて説明するが、これに限るものではない。   Below, although the organic EL element in this invention is demonstrated based on figures, it is not restricted to this.

図1は本発明の有機EL素子9の図2のA−B線での断面を示した図である。本発明はパッシブマトリックス方式の有機EL素子、アクティブマトリックス方式の有機EL素子のどちらにも適用可能である。   FIG. 1 is a view showing a cross section of the organic EL element 9 of the present invention taken along line AB in FIG. The present invention is applicable to both passive matrix organic EL elements and active matrix organic EL elements.

図1に示すように、本発明の有機EL素子は、ガラス基板1の上に、第一電極2を有している。パッシブマトリックス方式の場合、この第一電極2はストライプ状のパターンを有している。アクティブマトリックス方式の場合、第一電極2は画素ごとのパターンを有している。   As shown in FIG. 1, the organic EL element of the present invention has a first electrode 2 on a glass substrate 1. In the case of the passive matrix system, the first electrode 2 has a stripe pattern. In the case of the active matrix method, the first electrode 2 has a pattern for each pixel.

そして、本発明の有機EL素子は、第一電極2上であって、第一隔壁51で区画された領域(画素部)に有機発光媒体層を有している。有機発光媒体層は、有機発光層単独から構成されたものであってもよいし、有機発光層と発光補助層との積層構造から構成されたものでもよい。図1では発光補助層である正孔輸送層3と有機発光層(41、42、43)との積層構造から構成された有機発光媒体層を示している。第一電極2上に正孔輸送層3が設けられ、正孔輸送層3上に有機発光層41(赤色)、有機発光層42(緑色)、有機発光層43(青色)がそれぞれ設けられている。かつ、画素隔壁51と第二隔壁52の間にはインキ溜り44(図1の破線で囲まれる部分)が設けられている。   The organic EL element of the present invention has an organic light emitting medium layer on the first electrode 2 and in a region (pixel portion) partitioned by the first partition 51. The organic light emitting medium layer may be composed of an organic light emitting layer alone, or may be composed of a laminated structure of an organic light emitting layer and a light emission auxiliary layer. FIG. 1 shows an organic light emitting medium layer composed of a laminated structure of a hole transport layer 3 which is a light emission auxiliary layer and organic light emitting layers (41, 42, 43). A hole transport layer 3 is provided on the first electrode 2, and an organic light emitting layer 41 (red), an organic light emitting layer 42 (green), and an organic light emitting layer 43 (blue) are provided on the hole transport layer 3. Yes. In addition, an ink reservoir 44 (a portion surrounded by a broken line in FIG. 1) is provided between the pixel partition wall 51 and the second partition wall 52.

有機発光層上には第二電極6が配置される。パッシブマトリックス方式の場合、ストライプ状を有する第一電極2と直交する形で第二電極6はストライプ状に設けられる。アクティブマトリックス方式の場合、第二電極6は、有機EL素子全面に形成される。第二電極6上には封止樹脂7及び封止基板8が形成される。   A second electrode 6 is disposed on the organic light emitting layer. In the case of the passive matrix system, the second electrode 6 is provided in a stripe shape so as to be orthogonal to the first electrode 2 having a stripe shape. In the case of the active matrix method, the second electrode 6 is formed on the entire surface of the organic EL element. A sealing resin 7 and a sealing substrate 8 are formed on the second electrode 6.

また、図2及び図3にアクティブマトリックス方式の場合の本発明の有機EL素子を俯瞰した図を示した(第二電極6、封止樹脂7及び封止基板8は省略)。アクティブマトリックス方式の有機EL素子では第一電極2は画素毎に形成される。赤色、緑色、青色という発光色の異なる有機発光インキを用いて凸版印刷法により有機発光層を形成しようとした場合、凸版印刷法に用いられる樹脂版はストライプ状であり、第一電極間にもインキは供給される。凸版印刷法における印刷方向を矢印Yで示した。このとき、印刷方向Yに対して図2のように第一電極間に隔壁を3列設けることにより、不要なインクはインク溜り44へと流れる。   FIGS. 2 and 3 show an overview of the organic EL element of the present invention in the case of the active matrix system (the second electrode 6, the sealing resin 7 and the sealing substrate 8 are omitted). In the active matrix organic EL element, the first electrode 2 is formed for each pixel. When an organic light emitting layer is formed by a relief printing method using organic light emitting inks having different emission colors such as red, green, and blue, the resin plate used in the relief printing method is striped, and also between the first electrodes. Ink is supplied. The printing direction in the relief printing method is indicated by an arrow Y. At this time, unnecessary rows of ink flow to the ink reservoir 44 by providing three rows of partition walls between the first electrodes in the printing direction Y as shown in FIG.

次に、本発明に係る有機EL素子の製造方法を説明する。本発明にかかる基板としては、絶縁性を有する基板であればいかなる基板も使用することができる。この基板側から光を出射するボトムエミッション方式の有機EL素子とする場合には、基板として透明なものを使用する必要がある。   Next, the manufacturing method of the organic EL element according to the present invention will be described. As the substrate according to the present invention, any substrate can be used as long as it has an insulating property. In the case of a bottom emission type organic EL element that emits light from the substrate side, it is necessary to use a transparent substrate.

例えば、ガラス基板や石英基板が使用できる。また、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシートであっても良い。また、有機発光媒体層への水分の侵入を防ぐことを目的として、上記材料のフィルムやシートに金属酸化物薄膜、金属弗化物薄膜、金属窒化物薄膜、金属酸窒化膜薄膜、あるいは高分子樹脂膜を積層したものを基板として利用してもよい。   For example, a glass substrate or a quartz substrate can be used. Further, it may be a plastic film or sheet such as polypropylene, polyethersulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate. In addition, for the purpose of preventing moisture from entering the organic light-emitting medium layer, a metal oxide thin film, a metal fluoride thin film, a metal nitride thin film, a metal oxynitride thin film, or a polymer resin is added to the film or sheet of the above material. A laminate of films may be used as the substrate.

また、これらの基板は、あらかじめ加熱処理を行うことにより、基板内部や表面に吸着した水分を極力低減することがより好ましい。また、基板上に積層される材料に応じて、密着性を向上させるために、超音波洗浄処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、UVオゾン処理などの表面処理を施してから使用することが好ましい。   In addition, it is more preferable to reduce the moisture adsorbed on the inside or the surface of the substrate as much as possible by performing a heat treatment on these substrates in advance. Further, in order to improve the adhesion depending on the material to be laminated on the substrate, it is preferable to use after performing surface treatment such as ultrasonic cleaning treatment, corona discharge treatment, plasma treatment, UV ozone treatment.

また、上記の基板に薄膜トランジスタ(TFT)を形成して、アクティブマトリックス方式の有機EL素子用の基板とすることが可能である。薄膜トランジスタとしては、公知の薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、主として、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層、ゲート絶縁膜及びゲート電極から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。   Further, a thin film transistor (TFT) can be formed on the above substrate to form a substrate for an active matrix type organic EL element. A known thin film transistor can be used as the thin film transistor. Specifically, a thin film transistor mainly including an active layer in which a source / drain region and a channel region are formed, a gate insulating film, and a gate electrode can be given. The structure of the thin film transistor is not particularly limited, and examples thereof include a staggered type, an inverted staggered type, a top gate type, and a coplanar type.

活性層は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ(p−フェリレンビニレン)等の有機半導体材料により形成することができる。   The active layer is not particularly limited, and examples thereof include inorganic semiconductor materials such as amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, cadmium selenide, thiophene oligomers, poly (p-ferylene vinylene), and the like. It can be formed of an organic semiconductor material.

これらの活性層は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマCVD法により積層し、イオンドーピングする方法、SiHガスを用いてLPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、Siガスを用いてLPCVD法により、また、SiHガスを用いてPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法(低温プロセス)、減圧CVD法又はLPCVD法によりポリシリコンを積層し、1000℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にnポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法(高温プロセス)等が挙げられる。 These active layers are formed by, for example, laminating amorphous silicon by plasma CVD, ion doping, forming amorphous silicon by LPCVD using SiH 4 gas, and crystallizing amorphous silicon by solid phase growth. After obtaining silicon, ion doping is performed by ion implantation, LPCVD using Si 2 H 6 gas, and amorphous silicon is formed by PECVD using SiH 4 gas, and laser such as excimer laser is used. After annealing and crystallizing amorphous silicon to obtain polysilicon, polysilicon is laminated by ion doping (low temperature process), low pressure CVD or LPCVD, and thermally oxidized at 1000 ° C. or higher. Gate break Film is formed, a gate electrode of the n + polysilicon is formed thereon, then, a method of ion doping (high temperature process), and the like by an ion implantation method.

ゲート絶縁膜としては、通常、ゲート絶縁膜として使用されているものを用いることができ、例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO;ポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO等を用いることができる。 As the gate insulating film, typically, it can be used that is used as a gate insulating film, for example, PECVD method, SiO formed by the LPCVD method or the like 2; SiO obtained polysilicon film was thermally oxidized 2 Etc. can be used.

ゲート電極としては、通常、ゲート電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属、チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。   As a gate electrode, what is normally used as a gate electrode can be used, for example, metals, such as aluminum and copper, refractory metals, such as titanium, tantalum, and tungsten, polysilicon, silicide of a refractory metal, Polycide etc. are mentioned.

また、薄膜トランジスタは、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が3つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、LDD構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、1つの画素中に2つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。本発明の有機EL素子は薄膜トランジスタが有機EL素子のスイッチング素子として機能するように接続されている必要があり、トランジスタのドレイン電極と有機EL素子の第一電極2が電気的に接続されている。薄膜トランジスタとドレイン電極と有機EL素子の第一電極2との接続は、平坦化膜を貫通するコンタクトホール内に形成された接続配線を介して行われる。   The thin film transistor may have a single gate structure, a double gate structure, or a multi-gate structure having three or more gate electrodes. Moreover, you may have a LDD structure and an offset structure. Further, two or more thin film transistors may be arranged in one pixel. The organic EL element of the present invention needs to be connected so that the thin film transistor functions as a switching element of the organic EL element, and the drain electrode of the transistor and the first electrode 2 of the organic EL element are electrically connected. The thin film transistor, the drain electrode, and the first electrode 2 of the organic EL element are connected through a connection wiring formed in a contact hole that penetrates the planarization film.

基板上には第一電極2が設けられる。第一電極2を陽極とした場合、その材料としては、ITO(インジウムスズ複合酸化物)、IZO(インジウム亜鉛複合酸化物)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の金属複合酸化物や金、白金、クロムなどの金属材料を単層または積層したものをいずれも使用できる。第一電極2の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることができる。   A first electrode 2 is provided on the substrate. When the first electrode 2 is used as an anode, the material is a metal such as ITO (indium tin composite oxide), IZO (indium zinc composite oxide), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, zinc aluminum composite oxide, etc. A single layer or laminated layer of metal materials such as composite oxide, gold, platinum, and chromium can be used. The first electrode 2 can be formed by a dry film forming method such as a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method depending on the material.

なお、低抵抗であること、溶剤耐性があること、また、ボトムミッション方式としたときには透明性が高いことなどからITOが好ましく使用できる。ITOはスパッタ法によりガラス基板上1に形成され、フォトリソ法によりパターニングされて第一電極2となる。   In addition, ITO is preferably used because of its low resistance, solvent resistance, and high transparency when the bottom mission method is adopted. ITO is formed on the glass substrate 1 by a sputtering method, and is patterned by the photolithography method to form the first electrode 2.

第一電極2を形成後、第一電極縁部を覆うようにして第一隔壁51及び第二隔壁52が形成される。第一隔壁51及び第二隔壁52は絶縁性を有する必要があり、感光性材料等を用いることができる。感光性材料としては、ポジ型であってもネガ型であってもよく、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、ポリイミド樹脂、およびシアノエチルプルラン等を用いることができる。また、隔壁形成材料として、SiO、TiO等を用いることもできる。必要に応じて撥水剤を添加したり、プラズマやUVを照射して形成後にインクに対する撥液性を付与したりすることもできる。 After the first electrode 2 is formed, a first partition 51 and a second partition 52 are formed so as to cover the first electrode edge. The first partition 51 and the second partition 52 need to have insulating properties, and a photosensitive material or the like can be used. The photosensitive material may be a positive type or a negative type, a photo-curing resin of a photo radical polymerization system, a photo cationic polymerization system, or a copolymer containing an acrylonitrile component, polyvinyl phenol, polyvinyl alcohol. , Novolac resin, polyimide resin, cyanoethyl pullulan, and the like can be used. Further, as a partition wall forming material, it is also possible to use SiO 2, TiO 2 or the like. If necessary, a water repellent can be added, or plasma or UV can be irradiated to impart liquid repellency to the ink after formation.

隔壁形成材料が感光性材料の場合、形成材料溶液をスリットコート法やスピンコート法により全面コーティングしたあと、露光、現像といったフォトリソ法によりパターニングがおこなわれる。スピンコート法の場合、隔壁の高さは、スピンコートするときの回転数等の条件でコントロールできるが、1回のコーティングでは限界の高さがあり、それ以上高くするときは複数回スピンコートを繰り返す手法を用いる。また、隔壁形成材料がSiO、TiOの場合、スパッタリング法、CVD法といった乾式成膜法で形成可能である。隔壁のパターニングはフォトマスクを用いたフォトリソ法により行うことができる。 When the partition wall forming material is a photosensitive material, the entire surface of the forming material solution is coated by a slit coating method or a spin coating method, and then patterning is performed by a photolithography method such as exposure and development. In the case of the spin coating method, the height of the partition wall can be controlled by conditions such as the number of rotations when spin coating, but there is a limit height in one coating, and if it is higher than that, multiple spin coatings are performed. Use an iterative approach. Further, when the partition wall forming material is SiO 2 or TiO 2 , it can be formed by a dry film forming method such as a sputtering method or a CVD method. The patterning of the partition walls can be performed by a photolithography method using a photomask.

第一隔壁51の形状は、基板上の複数の第一電極2を画素に対応した発光領域となるよう、第一電極2の端部を覆うように形成する。そのため、図2の様に、第一隔壁51は基板上の第一電極2の数と同じ数だけ形成される。第二隔壁52の形状は、図2の様に、隣接する第一電極2の間で、第一隔壁51を覆う格子状に形成され、第一隔壁51と第二隔壁52との間は離間されており、第一隔壁上に供給されたインクが画素内に流れ込むのを防ぐインキ溜り44となっている。また、第一隔壁51及び第二隔壁の断面の形状はテーパー形状、逆テーパー形状、四角形、半円形などの形状でよい。   The shape of the first partition 51 is formed so as to cover the end portions of the first electrode 2 so that the plurality of first electrodes 2 on the substrate become light emitting regions corresponding to the pixels. Therefore, as shown in FIG. 2, the same number of first partition walls 51 as the number of first electrodes 2 on the substrate are formed. As shown in FIG. 2, the shape of the second partition 52 is formed in a lattice shape covering the first partition 51 between the adjacent first electrodes 2, and the first partition 51 and the second partition 52 are separated from each other. The ink reservoir 44 prevents the ink supplied on the first partition wall from flowing into the pixel. Moreover, the cross-sectional shape of the 1st partition 51 and the 2nd partition may be shapes, such as a taper shape, a reverse taper shape, a square, a semicircle.

なお、第二隔壁52は異なる有機発光媒体層インキの混色を防ぐために設けるため、図3の様に、同じ有機発光媒体層インキを供給する第一電極2の間には第二隔壁52は形成せずに第一隔壁51のみでインキ溜り44を形成し、異なる有機発光媒体層インキを供給する第一電極2の間にのみ第二隔壁52を形成してもよい。この場合、第二隔壁52は同一の有機発光媒体層が形成される第一隔壁51を囲う長方形として形成される。   Since the second partition 52 is provided to prevent color mixing of different organic light emitting medium layer inks, the second partition 52 is formed between the first electrodes 2 that supply the same organic light emitting medium layer ink as shown in FIG. Alternatively, the ink reservoir 44 may be formed only by the first partition 51, and the second partition 52 may be formed only between the first electrodes 2 that supply different organic light emitting medium layer inks. In this case, the second partition 52 is formed as a rectangle surrounding the first partition 51 on which the same organic light emitting medium layer is formed.

有機発光媒体層を印刷で形成する場合に、有機発光媒体層インキの混色を防止するためには第一隔壁51及び第二隔壁52の各々の高さが重要なポイントとなる。図5に示すような従来の有機EL素子では、画素間でのインキの混色を防ぐ為に隔壁を高くしており、一般的な隔壁高さは0.5μmより高く、有機発光層の平坦性に問題があった。一方、本願発明では第二隔壁52及びインキ溜りによりインキの混色を防いでいるため、第一隔壁51の高さを低くして有機発光層の平坦性を上げることができる。そのため、第一隔壁の高さとしては0.5μm以下が好ましく、画素上のインキをパターニング形成するためには0.1μm以上あればよい。   When the organic light emitting medium layer is formed by printing, the height of each of the first partition walls 51 and the second partition walls 52 is an important point for preventing color mixing of the organic light emitting medium layer ink. In the conventional organic EL device as shown in FIG. 5, the partition walls are made high in order to prevent color mixing of the ink between the pixels, the general partition wall height is higher than 0.5 μm, and the flatness of the organic light emitting layer. There was a problem. On the other hand, in the present invention, since the color mixing of the ink is prevented by the second partition 52 and the ink reservoir, the height of the first partition 51 can be lowered to improve the flatness of the organic light emitting layer. Therefore, the height of the first partition is preferably 0.5 μm or less, and may be 0.1 μm or more for patterning the ink on the pixel.

また、第二隔壁52の高さは1.0μm以上1.5μm以下の範囲が好ましい。第二隔壁52の高さは混色を防ぐためには高い方がよいが、有機発光層を凸版印刷法で形成する場合、第二隔壁の高さが1.5μmを上回ると版の凸部と基板との接触が第二隔壁52により妨げられ、版から画素へのインキの転写に不良が起こりやすくなる。また、1.0μmを下回ると、第二隔壁52を挟んで隣接するインク溜り44に供給されたインキが第二隔壁を越えて混ざり、混ざったインキが第一電極上に流れ込むことによって画素内で混色が発生するおそれがある。   The height of the second partition 52 is preferably in the range of 1.0 μm to 1.5 μm. The height of the second partition 52 is preferably high in order to prevent color mixing. However, when the organic light-emitting layer is formed by a relief printing method, if the height of the second partition exceeds 1.5 μm, the convex portion of the plate and the substrate The second partition wall 52 prevents the ink from being transferred from the plate to the pixels. On the other hand, when the thickness is less than 1.0 μm, the ink supplied to the adjacent ink reservoir 44 across the second partition 52 is mixed beyond the second partition, and the mixed ink flows onto the first electrode in the pixel. There is a risk of color mixing.

インキ溜り44の幅は10μm以上15μm以下あれば隔壁上のインキが画素内に流れ込むのに十分な面積を確保でき、10μm未満では画素内に隔壁上のインキが流れ込む恐れがあり、15μmより大きいと画素の開口部がディスプレイとして用いるには小さくなってしまう。   If the width of the ink reservoir 44 is 10 μm or more and 15 μm or less, a sufficient area can be secured for the ink on the partition wall to flow into the pixel. If the width is less than 10 μm, the ink on the partition wall may flow into the pixel. The opening of the pixel becomes small for use as a display.

そのため、高さの低い第一隔壁51を形成する場合にはコーティングを1回行なえば十分であるが、高さのより高い第二隔壁52を形成する場合には、コーティングを複数回行なって形成する必要がある。高さの異なる第一隔壁51及び第二隔壁52の形成方法としては、例えば、第一隔壁51と第二隔壁52となる部分をコーティングし、第一隔壁51となる部位のみ露光・硬化し、その上に第二隔壁52となる部分をコーティングして第二隔壁52となる部位を露光・硬化した後、現像して高さの異なる第一隔壁51と第二隔壁52を形成することができる。なお、第一隔壁51が0.1μm以上0.5μm以下、第二隔壁52の高さが1.0μm以上1.5μm以下の高さに形成できる方法であれば、上記の方法に限るものではない。   Therefore, when forming the first partition wall 51 having a low height, it is sufficient to perform the coating once. However, when forming the second partition wall 52 having a higher height, the coating is performed a plurality of times. There is a need to. As a method of forming the first partition 51 and the second partition 52 having different heights, for example, a portion that becomes the first partition 51 and the second partition 52 is coated, and only a portion that becomes the first partition 51 is exposed and cured, A portion to be the second partition wall 52 is coated thereon, and a portion to be the second partition wall 52 is exposed and cured, and then developed to form the first partition wall 51 and the second partition wall 52 having different heights. . Note that the method is not limited to the above method as long as the first partition 51 can be formed to have a height of 0.1 μm to 0.5 μm and the second partition 52 has a height of 1.0 μm to 1.5 μm. Absent.

次に、有機発光媒体層を形成する。有機発光媒体層は、有機発光層41、42、43単独から構成されたものでもよいし、有機発光層41、42、43と正孔輸送層3、その他正孔注入層、電子輸送層、電子注入層といった発光を補助するための発光補助層との積層構造としてもよい。なお、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層は必要に応じて適宜選択される。   Next, an organic light emitting medium layer is formed. The organic light emitting medium layer may be composed of the organic light emitting layers 41, 42, 43 alone, or the organic light emitting layers 41, 42, 43 and the hole transport layer 3, other hole injection layers, electron transport layers, electrons. A laminated structure with a light emission auxiliary layer for assisting light emission such as an injection layer may be used. The hole transport layer, hole injection layer, electron transport layer, and electron injection layer are appropriately selected as necessary.

有機発光層41、42、43は電流を流すことにより発光する層である。有機発光層41、42、43の形成する有機発光材料としては、9,10−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジエン、トリス(8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(8−キノラート)亜鉛錯体、トリス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−シアノ−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリノラート)スカンジウム錯体、ビス[8−(パラートシル)アミノキノリン]亜鉛錯体及びカドミウム錯体、1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、2,5−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレンなどの低分子系発光材料が使用できる。   The organic light emitting layers 41, 42, and 43 are layers that emit light when a current is applied. Organic light-emitting materials formed by the organic light-emitting layers 41, 42, and 43 include 9,10-diarylanthracene derivatives, pyrene, coronene, perylene, rubrene, 1,1,4,4-tetraphenylbutadiene, tris (8-quinolate). ) Aluminum complex, tris (4-methyl-8-quinolato) aluminum complex, bis (8-quinolato) zinc complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolato) aluminum complex, tris (4-methyl) -5-cyano-8-quinolato) aluminum complex, bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, bis (2-methyl-5- Cyano-8-quinolinolato) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] a Minium complex, tris (8-quinolinolato) scandium complex, bis [8- (paratosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, 2,5-diheptyloxy-para -A low molecular weight light emitting material such as phenylene vinylene can be used.

また、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポリフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光対等、Ir錯体等の燐光性発光体などの低分子系発光材料を、高分子中に分散させたものが使用できる。高分子としてはポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等が使用できる。   Also, coumarin phosphors, perylene phosphors, pyran phosphors, anthrone phosphors, porphyrin phosphors, quinacridone phosphors, N, N′-dialkyl-substituted quinacridone phosphors, naphthalimide phosphors, A material obtained by dispersing a low molecular weight light emitting material such as an N, N′-diaryl-substituted pyrrolopyrrole-based fluorescent pair or a phosphorescent light emitter such as an Ir complex in a polymer can be used. As the polymer, polystyrene, polymethyl methacrylate, polyvinyl carbazole and the like can be used.

また、ポリ(2−デシルオキシ−1,4−フェニレン)(DO−PPP)、ポリ[2,5−ビス−[2−(N,N,N−トリエチルアンモニウム)エトキシ]−1,4−フェニル−アルト−1,4−フェニルレン]ジブロマイド(PPP−NEt3)ポリ[2−(2’−エチルヘキシルオキシ)−5−メトキシ−1,4−フェニレンビニレン](MEH−PPV)、ポリ[5−メトキシ−(2−プロパノキシサルフォニド)−1,4−フェニレンビニレン](MPS−PPV)、ポリ[2,5−ビス−(ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)](CN−PPV)、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)(PDAF)などの高分子発光材料であってもよい。PPV前駆体、PNV前駆体、PPP前駆体などの高分子前駆体が挙げられる。また、これら高分子材料に前記低分子発光材料の分散又は共重合した材料や、その他既存の発光材料を用いることもできる。   Also, poly (2-decyloxy-1,4-phenylene) (DO-PPP), poly [2,5-bis- [2- (N, N, N-triethylammonium) ethoxy] -1,4-phenyl- Alt-1,4-phenyllene] dibromide (PPP-NEt3) poly [2- (2′-ethylhexyloxy) -5-methoxy-1,4-phenylenevinylene] (MEH-PPV), poly [5-methoxy -(2-propanoxysulfonide) -1,4-phenylenevinylene] (MPS-PPV), poly [2,5-bis- (hexyloxy) -1,4-phenylene- (1-cyanovinylene)] ( CN-PPV) and poly (9,9-dioctylfluorene) (PDAF) may be used. Examples thereof include polymer precursors such as PPV precursor, PNV precursor, and PPP precursor. Further, a material obtained by dispersing or copolymerizing the low-molecular light-emitting material in these polymer materials, or other existing light-emitting materials can also be used.

また、正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料としては、銅フタロシアニンやその誘導体、1,1−ビス(4−ジーp−トリアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N’−ジフェニルーN,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニルー4,4’−ジアミンなどの芳香族アミンなどの低分子材料、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(以下、PEDOT)や、PEDOTとポリスチレンスルホン酸(以下、PSS)との混合物(PEDOT/PSS)などの高分子材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、CuO、Mn、NiO、AgO、MoO、ZnO、TiO、Ta、MoO、WO、MoOどの無機材料化合物などが挙げられる。 Examples of the hole transport material used for the hole transport layer include copper phthalocyanine and derivatives thereof, 1,1-bis (4-di-p-triaminophenyl) cyclohexane, N, N′-diphenyl-N, N′-. Low molecular weight materials such as aromatic amines such as bis (3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, polyaniline derivatives, polythiophene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, poly (3,4-ethylenedioxy) Thiophene) (hereinafter PEDOT), polymer materials such as PEDOT and polystyrene sulfonic acid (PSS) mixture (PEDOT / PSS), polythiophene oligomer material, Cu 2 O, Mn 2 O 3 , NiO, Ag 2 O, MoO 2, ZnO, TiO , Ta 2 O 5, MoO 3, WO 3, MoO 3 which inorganic Such as fee compound, and the like.

また、電子輸送層の材料としては、2−(4−ビフィニルイル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体やビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリノラート)ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等を用いることができる。   As a material for the electron transport layer, 2- (4-bifinylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (1-naphthyl)- 1,3,4-oxadiazole, an oxadiazole derivative, a bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinolato) beryllium complex, a triazole compound, or the like can be used.

有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、ヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、2−メチル−(t−ブチル)ベンゼン、1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、ペンチルベンゼン、1,3,5−トリエチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、1,3,5−トリ−イソプロピルベンゼン等を単独又は混合して用いることができる。また、有機発光インキには、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。   Solvents that dissolve or disperse the organic light emitting material include toluene, xylene, acetone, hexane, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl acetate, butyl acetate, 2-methyl- (t-butyl) Benzene, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, pentylbenzene, 1,3,5-triethylbenzene, cyclohexylbenzene, 1,3,5-tri-isopropylbenzene and the like can be used alone or in combination. . Moreover, surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a ultraviolet absorber, etc. may be added to organic luminescent ink as needed.

正孔輸送材料、電子輸送材料を溶解または分散させる溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、水等の単独またはこれらの混合溶剤などが挙げられる。特に、正孔輸送材料をインキ化する場合には水またはアルコール類が好適である。   Solvents that dissolve or disperse the hole transport material and electron transport material include, for example, toluene, xylene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl acetate, butyl acetate, water, etc. Alternatively, a mixed solvent thereof can be used. In particular, water or alcohols are suitable when forming a hole transport material into an ink.

有機発光媒体層は湿式成膜法により形成される。湿式成膜法としては、スピンコート法、ダイコート法、ディップコート法、吐出コート法、プレコート法、ロールコート法、バーコート法等の塗布法と、凸版印刷法、インクジェット印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法等の印刷法が挙げられる。特に、有機発光層41、42、43を形成する場合、印刷法によって画素部に選択的に適用することができる。このため、各画素に、互いに異なる色彩に発光する発光層を印刷して、カラー表示のできる有機EL素子を製造することが可能となる。
なお、有機発光媒体層が積層構造から構成される場合にはその各層の全てを湿式成膜法により形成する必要はなく、特に積層構造の一部が無機材料からなる場合などは、公知の乾式成膜法により形成することができ、真空蒸着法やスパッタリング法などが挙げられる。
The organic light emitting medium layer is formed by a wet film forming method. As the wet film forming method, spin coating method, die coating method, dip coating method, discharge coating method, pre-coating method, roll coating method, bar coating method and the like, relief printing method, inkjet printing method, offset printing method, Examples of the printing method include a gravure printing method. In particular, when forming the organic light emitting layers 41, 42, and 43, it can be selectively applied to the pixel portion by a printing method. For this reason, it becomes possible to manufacture the organic EL element which can perform a color display by printing to each pixel the light emitting layer which light-emits in a mutually different color.
When the organic light emitting medium layer has a laminated structure, it is not necessary to form all of the layers by a wet film forming method. Particularly when a part of the laminated structure is made of an inorganic material, a known dry type is used. It can be formed by a film formation method, and examples thereof include a vacuum deposition method and a sputtering method.

有機発光層41、42、43の形成方法は凸版印刷法によって特に好適に形成される。凸版印刷法の場合には、版の凸部と基板が直接的に接するようにしてインキが転移されるため、凸部と基板が接し易いように隔壁は低くすることが望ましい。本発明の有機EL素子を凸版印刷法により製造する場合、用いる凸版は水現像タイプの樹脂凸版を用いることが好ましく、樹脂凸版を構成する水現像タイプの感光性樹脂としては、例えば親水性のポリマーと不飽和結合を含むモノマーいわゆる架橋性モノマー及び光重合開始剤を構成要素とするタイプが挙げられる。このタイプでは、親水性ポリマーとしてポリアミド、ポリビニルアルコール、セルロース誘導体等が用いられる。また、架橋性モノマーとしては、例えばビニル結合を有するメタクリレート類が挙げられ、光重合開始剤としては例えば芳香族カルボニル化合物が挙げられる。中でも、印刷適性の面からポリアミド系の水現像タイプの感光性樹脂が好適である。   The organic light emitting layers 41, 42, and 43 are particularly preferably formed by a relief printing method. In the case of the relief printing method, the ink is transferred so that the convex portions of the plate and the substrate are in direct contact with each other. Therefore, it is desirable that the partition walls be lowered so that the convex portions and the substrate can be easily in contact with each other. When the organic EL element of the present invention is produced by the relief printing method, the relief plate to be used is preferably a water development type resin relief plate. As the water development type photosensitive resin constituting the resin relief plate, for example, a hydrophilic polymer is used. And a monomer containing an unsaturated bond, a so-called crosslinkable monomer, and a photopolymerization initiator. In this type, polyamide, polyvinyl alcohol, cellulose derivatives and the like are used as hydrophilic polymers. Examples of the crosslinkable monomer include methacrylates having a vinyl bond, and examples of the photopolymerization initiator include aromatic carbonyl compounds. Among these, a polyamide-based water-developable photosensitive resin is preferable from the viewpoint of printability.

有機発光層41、42、43の形成に用いる印刷装置は、平板に印刷する方式の凸版印刷装置であれば使用可能であるが、以下に示すような印刷装置が望ましい。図4に本発明の有機EL素子の製造に用いる凸版印刷装置の概略図を示した。この印刷装置は、インクタンク10とインキチャンバー11とアニロックスロール12と樹脂凸版13を取り付けした版胴14を有している。インクタンク10には、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバー11にはインクタンク10より有機発光インキが送り込まれるようになっている。アニロックスロール12は、インキチャンバー11のインキ供給部及び版胴14に接して回転するようになっている。   The printing apparatus used to form the organic light emitting layers 41, 42, and 43 can be any relief printing apparatus that prints on a flat plate, but the following printing apparatus is desirable. FIG. 4 shows a schematic diagram of a relief printing apparatus used for manufacturing the organic EL element of the present invention. This printing apparatus has a plate cylinder 14 to which an ink tank 10, an ink chamber 11, an anilox roll 12, and a resin relief plate 13 are attached. The ink tank 10 contains an organic light emitting ink diluted with a solvent, and the organic light emitting ink is fed into the ink chamber 11 from the ink tank 10. The anilox roll 12 rotates in contact with the ink supply unit of the ink chamber 11 and the plate cylinder 14.

アニロックスロール12の回転にともない、インキチャンバー11から供給された有機発光インキはアニロクスロール12表面に均一に保持されたあと、版胴14に取り付けされた樹脂凸版13の凸部に均一な膜厚で転移する。さらに、被印刷基板15は摺動可能な基板固定台上に固定され、版のパターンと基板のパターンの位置調整機構により、位置調整しながら印刷開始位置まで移動して、版胴14の回転に合わせて樹脂凸版13の凸部が基板に接しながらさらに移動し、ステージ16上にある被印刷基板15の所定位置にパターニングしてインキを転移する。   As the anilox roll 12 rotates, the organic light-emitting ink supplied from the ink chamber 11 is uniformly held on the surface of the anilox roll 12 and then has a uniform film thickness on the convex portion of the resin relief plate 13 attached to the plate cylinder 14. It will transfer at. Further, the substrate 15 to be printed is fixed on a slidable substrate fixing base, and is moved to the printing start position while adjusting the position by the position adjustment mechanism of the plate pattern and the substrate pattern, and the plate cylinder 14 is rotated. At the same time, the convex portion of the resin relief plate 13 further moves while being in contact with the substrate, and the ink is transferred by patterning to a predetermined position of the substrate 15 to be printed on the stage 16.

次に、第二電極6を形成する。第二電極6を陰極とした場合その材料としては電子注入効率の高い物質を用いる。具体的にはMg、AL、Yb等の金属単体を用いたり、発光媒体と接する界面にLiや酸化Li、LiF等の化合物を1nm程度挟んで、安定性・導電性の高いAlやCuを積層して用いる。または電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数の低いLi、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb等の金属1種以上と、安定なAg、Al、Cu等の金属元素との合金系が用いられる。具体的にはMgAg,AlLi,CuLi等の合金が使用できる。また、トップエミッション方式の有機EL素子とする場合は、陰極は透明性を有する必要があり、例えば、これら金属とITO等の透明導電層の組み合わせによる透明化が可能となる。   Next, the second electrode 6 is formed. When the second electrode 6 is a cathode, a material having a high electron injection efficiency is used. Specifically, a single metal such as Mg, AL, or Yb is used, or a compound such as Li, oxidized Li, or LiF is sandwiched by about 1 nm at the interface in contact with the light emitting medium, and Al or Cu having high stability and conductivity is laminated. And use. Alternatively, in order to achieve both electron injection efficiency and stability, one or more metals such as Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, and Yb having a low work function and stable Ag, Al An alloy system with a metal element such as Cu is used. Specifically, alloys such as MgAg, AlLi, and CuLi can be used. Further, in the case of a top emission type organic EL device, the cathode needs to have transparency, and for example, transparency can be achieved by a combination of these metals and a transparent conductive layer such as ITO.

第二電極6の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることができる。厚さは10nm〜1μm程度が望ましい。なお、本発明では第一の電極を陰極、第二の電極を陽極とすることも可能である。   As a method for forming the second electrode 6, a dry film forming method such as a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method can be used. The thickness is preferably about 10 nm to 1 μm. In the present invention, the first electrode can be a cathode and the second electrode can be an anode.

有機発光材料は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまうため、基板1は封止樹脂7を介して封止基板8により封止される。封止樹脂7は封止基板8上に形成することが好ましいが、直接基板1上に形成することもできる。   Since the organic light emitting material is easily deteriorated by moisture and oxygen in the atmosphere, the substrate 1 is sealed with the sealing substrate 8 through the sealing resin 7. The sealing resin 7 is preferably formed on the sealing substrate 8, but can also be directly formed on the substrate 1.

封止基板8としては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、アルミナ(酸化アルミニウム)、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルムなどを挙げることができるが、本発明ではこれらに限定されるわけではない。   The sealing substrate 8 needs to be a base material having low moisture and oxygen permeability. Moreover, ceramics such as alumina (aluminum oxide), silicon nitride and boron nitride, glass such as alkali-free glass and alkali glass, quartz, moisture-resistant film, and the like can be mentioned, but the present invention is not limited to these. Absent.

耐湿性フィルムとしては、プラスチック基材の片面又は両面にSiOxをCVD法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤とを塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、10−6g/mday以下であることが好ましい。 Examples of moisture-resistant films include films formed by CVD of SiOx on one or both sides of a plastic substrate, polymer films coated with a film with low permeability and a water-absorbing film, or a water-absorbing agent. The water vapor transmission rate of the conductive film is preferably 10 −6 g / m 2 day or less.

封止樹脂7の材料としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、2液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート(EEA)ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート(EVA)等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂を挙げることができるが、本発明ではこれらに限定されるわけではない。   Examples of the material of the sealing resin 7 include a photo-curing adhesive resin made of an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, a thermosetting adhesive resin, a two-component curable adhesive resin, and ethylene ethyl acrylate (EEA). ) Acrylic resins such as polymers, vinyl resins such as ethylene vinyl acetate (EVA), thermoplastic resins such as polyamide and synthetic rubber, and thermoplastic adhesive resins such as acid-modified products of polyethylene and polypropylene. However, the present invention is not limited to these.

封止樹脂7を封止基板8の上に形成する方法としては、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることもできる。封止基板に形成する封止樹脂16の厚みは、封止する有機ELディスプレイの大きさや形状により任意に決定されるが、5μm〜500μm程度が望ましい。   Methods for forming the sealing resin 7 on the sealing substrate 8 include solvent solution method, extrusion lamination method, melting / hot melt method, calendar method, nozzle coating method, screen printing method, vacuum laminating method, hot roll laminating. Law. A material having a hygroscopic property or an oxygen absorbing property may be contained as necessary. The thickness of the sealing resin 16 formed on the sealing substrate is arbitrarily determined depending on the size and shape of the organic EL display to be sealed, but is preferably about 5 μm to 500 μm.

最後に、基板1と封止基板8との貼り合わせを行う。封止樹脂7に熱可塑性樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着のみ行うことが好ましい。封止樹脂7に熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着した後、さらに硬化温度で加熱硬化を行うことが好ましい。封止樹脂7に光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールで圧着した後、さらに光を照射することで硬化を行うことができる。   Finally, the substrate 1 and the sealing substrate 8 are bonded together. When a thermoplastic resin is used for the sealing resin 7, it is preferable to perform only the pressure bonding with a heated roll. When a thermosetting adhesive resin is used for the sealing resin 7, it is preferable to perform heat curing at a curing temperature after pressure bonding with a heated roll. When a photocurable adhesive resin is used for the sealing resin 7, it can be cured by further irradiating light after pressure bonding with a roll.

封止樹脂7を介して基板1と封止基板8とを貼り合わせる工程は、封止樹脂7中に有機ELディスプレイの劣化の原因となる酸素や水分が含まれないように真空中、又は不活性ガス雰囲気中で行なう。不活性ガスを用いる場合は、アルゴンなどの希ガスを用いることもできるが、取り扱い易さや経済的な理由から窒素が好適に用いられる。   The step of bonding the substrate 1 and the sealing substrate 8 through the sealing resin 7 is performed in a vacuum or in order not to include oxygen and moisture that cause deterioration of the organic EL display in the sealing resin 7. Perform in an active gas atmosphere. When an inert gas is used, a rare gas such as argon can be used, but nitrogen is preferably used for ease of handling and economical reasons.

次に、本発明を実施例に従って説明するが、これに限るものではない。   Next, although this invention is demonstrated according to an Example, it is not restricted to this.

(実施例1)
薄膜トランジスタがスイッチング素子として機能するために平坦化膜に作製されたコンタクトホールを介して第一電極2と接続されるように形成されたトップエミッション用バックプレーンを用い、画素数240×320ドットでサブピクセル数720×320ドットとした。そして、120μm×360μmピッチでサブピクセル間スペースは縦40μm、横100μmとなるようにクロム(Cr)をスパッタリング法によりパターン形成し、第一電極2とした。
(Example 1)
In order for the thin film transistor to function as a switching element, a top emission backplane formed so as to be connected to the first electrode 2 through a contact hole formed in the planarization film is used, and the number of pixels is 240 × 320 dots. The number of pixels was 720 × 320 dots. Then, chromium (Cr) was patterned by a sputtering method so that the space between the sub-pixels was 40 μm in length and 100 μm in width at a pitch of 120 μm × 360 μm, thereby forming the first electrode 2.

次に、ポジ型の感光性材料であるTELRシリーズ(東京応化社製)をスピンコート法にて有効面全面に塗布した。そして、10秒間露光して現像処理を行い図2に示したような配置を有する第一隔壁51を複数形成した。得られた隔壁の高さは0.5μmであった。各第一隔壁51において第一電極2との重なり部分の幅は5μmであり、第一電極2のエッジを被覆し、第一電極2の4辺を囲むようにしてある。さらに同様の手法を繰り返して第二隔壁52を高さが1.0μmと成るように形成した。また、第一隔壁51と第二隔壁52とで囲まれるインク溜り44の幅は10μmである。   Next, a positive photosensitive material TELR series (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) was applied to the entire effective surface by a spin coating method. A plurality of first partition walls 51 having an arrangement as shown in FIG. The height of the obtained partition was 0.5 μm. In each first partition 51, the width of the overlapping portion with the first electrode 2 is 5 μm, covers the edge of the first electrode 2, and surrounds the four sides of the first electrode 2. Further, the same method was repeated to form the second partition wall 52 so that the height was 1.0 μm. Further, the width of the ink reservoir 44 surrounded by the first partition 51 and the second partition 52 is 10 μm.

次に、第一電極2上に正孔輸送層3として、厚さ0.1μmのポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸の混合物(以下PEDOT/PSSという)を水に分散させ、スピンコート法により成膜した。   Next, a 0.1 μm-thick poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrenesulfonic acid mixture (hereinafter referred to as PEDOT / PSS) is dispersed in water as the hole transport layer 3 on the first electrode 2. Then, a film was formed by a spin coating method.

次に、赤色、緑色、青色の発光色を有する有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体らを、水現像タイプの感光性樹脂凸版を用いた凸版印刷法で各色についておこない、有機発光層41、42、43を形成した。このとき、150線/インチのアニロックスロールを使用して、得られた有機発光層41、42、43の膜厚は80nmであった。   Next, polyphenylene vinylene derivatives, which are organic light emitting materials having red, green, and blue emission colors, are performed for each color by a relief printing method using a water-developable photosensitive resin relief plate, and the organic light emitting layers 41, 42, 43 was formed. At this time, the film thickness of the obtained organic light emitting layers 41, 42, and 43 using an anilox roll of 150 lines / inch was 80 nm.

次に、第二電極6として真空蒸着法でBaを5nm、その上にAlを20nm成膜した。その後スパッタリング法をもちいてITO膜を成膜し、大気暴露することなく露点−80度、酸素濃度1ppmの窒素下で熱硬化型接着剤を用いてガラス板をはりつけることによって封止をおこない、有機EL素子を得た。   Next, as the second electrode 6, Ba was deposited with a thickness of 5 nm by vacuum deposition, and Al was deposited thereon with a thickness of 20 nm. After that, an ITO film is formed using a sputtering method, and sealing is performed by sticking a glass plate with a thermosetting adhesive under nitrogen with a dew point of −80 degrees and an oxygen concentration of 1 ppm without exposure to the atmosphere. An EL element was obtained.

得られた有機EL素子に対し、パネルの点灯表示確認をおこない、発光状態のチェックをしたところ、画素内での発光域の偏りおよび画素間での輝度差が異なるといった発光ムラはもとより混色も確認されなかった。このとき画素面積を100%として発光面積割合は93%であった。   When the obtained organic EL device is checked for lighting of the panel and the light emission state is checked, light emission unevenness such as a deviation of the light emission area within the pixel and a difference in luminance between pixels is confirmed, as well as color mixing. Was not. At this time, the pixel area was 100%, and the light emission area ratio was 93%.

(比較例1)
<第一隔壁が高い場合>
実施例1と同様に薄膜トランジスタを形成の後に、第一隔壁パターンを高さ1.5μm、縦の隔壁幅を10μm、横の隔壁幅を10μmとし、第一電極2との重なり部分は5μmとし、第一電極2間に1列ずつの格子状パターンを有する隔壁を形成した。その後の工程は実施例1と同様に行い、有機EL素子を製造した。得られた有機EL素子に対し、パネルの表示確認をおこない、発光状態のチェックをしたところ、一部の有機発光層41からなる画素内において、電極中央の膜厚と比較して隔壁近傍の膜厚が高くなっていることにより平坦性が悪く、発光域の偏りに由来する発光ムラが確認された。このとき画素面積を100%として発光面積割合は33%であった。
(Comparative Example 1)
<When the first partition is high>
After forming the thin film transistor in the same manner as in Example 1, the height of the first barrier rib pattern is 1.5 μm, the vertical barrier rib width is 10 μm, the horizontal barrier rib width is 10 μm, and the overlapping portion with the first electrode 2 is 5 μm. Partitions having a grid pattern of one row at a time were formed between the first electrodes 2. Subsequent steps were performed in the same manner as in Example 1 to produce an organic EL device. When the display of the panel is checked for the obtained organic EL element and the light emission state is checked, the film in the vicinity of the partition wall is compared with the film thickness in the center of the electrode in the pixel composed of a part of the organic light emitting layer 41. Due to the increase in thickness, the flatness was poor, and light emission unevenness due to the uneven emission region was confirmed. At this time, the pixel area was 100%, and the light emission area ratio was 33%.

(比較例2)
<第二隔壁が無い場合>
実施例1と同様に薄膜トランジスタを形成の後に、第一隔壁パターンを高さ0.5μm、縦の隔壁幅を10um、横の隔壁幅を10umとし、第一電極2との重なり部分は5μmとし、第一電極2間に1列ずつの格子状パターンを有する隔壁を形成した。その後の工程は実施例1と同様に行い、有機EL素子を製造した。得られた有機EL素子に対し、パネルの表示確認をおこない、発光状態のチェックをしたところ、一部の有機発光層41からなる画素内において、発光域の偏りといった異常は見られなかったが、混色という色ムラ異常が発生してしまった。
(Comparative Example 2)
<When there is no second partition>
After forming the thin film transistor in the same manner as in Example 1, the height of the first barrier rib pattern is 0.5 μm, the vertical barrier rib width is 10 μm, the horizontal barrier rib width is 10 μm, and the overlapping portion with the first electrode 2 is 5 μm. Partitions having a grid pattern of one row at a time were formed between the first electrodes 2. Subsequent steps were performed in the same manner as in Example 1 to produce an organic EL device. When the display of the panel was confirmed for the obtained organic EL element and the light emission state was checked, in the pixel composed of a part of the organic light emitting layer 41, there was no abnormality such as a deviation of the light emitting region, Color irregularity called color mixing has occurred.

(比較例3)
<第二隔壁が低い場合>
実施例1と同様に薄膜トランジスタを形成の後に、第一隔壁パターンを高さ0.5μm、縦の隔壁幅を10μm、横の隔壁幅を10μmとし、第一電極2との重なり部分は5μmとし、第一電極2間に1列ずつの格子状パターンを有する隔壁を形成した。さらに第一隔壁と同様の手法・条件にて第二隔壁52を作成した。このとき第二隔壁52の高さは0.8μmであり、縦の隔壁幅は10μmである。また、横の隔壁幅は10μmであった。この結果インク溜り44として幅10μmを設けた。その後の工程は実施例1と同様に行い、有機EL素子を製造した。得られた有機EL素子に対し、パネルの表示確認をおこない、発光状態のチェックをしたところ、一部の有機発光層41からなる画素内において、混色という色ムラ異常が発生してしまった。
(Comparative Example 3)
<When the second partition is low>
After forming the thin film transistor in the same manner as in Example 1, the height of the first barrier rib pattern is 0.5 μm, the vertical barrier rib width is 10 μm, the horizontal barrier rib width is 10 μm, and the overlapping portion with the first electrode 2 is 5 μm. Partitions having a grid pattern of one row at a time were formed between the first electrodes 2. Furthermore, the 2nd partition 52 was created with the method and conditions similar to a 1st partition. At this time, the height of the second partition wall 52 is 0.8 μm, and the vertical partition wall width is 10 μm. The horizontal partition wall width was 10 μm. As a result, the ink reservoir 44 was provided with a width of 10 μm. Subsequent steps were performed in the same manner as in Example 1 to produce an organic EL device. When the display of the panel was confirmed with respect to the obtained organic EL element and the light emission state was checked, in the pixel composed of a part of the organic light emitting layer 41, a color unevenness abnormality called color mixture occurred.

(比較例4)
<第二隔壁が高い場合>
実施例1と同様に薄膜トランジスタを形成の後に、第一隔壁パターンを高さ0.5μm、縦の隔壁幅を10μm、横の隔壁幅を10μmとし、第一電極2との重なり部分は5μmとし、第一電極2間に1列ずつの格子状パターンを有する隔壁を形成した。さらに第一隔壁と同様の手法・条件にて第二隔壁52を作成した。このとき第二隔壁52の高さは1.6μmであり、縦の隔壁幅は10μmである。また、横の隔壁幅は10μmであった。この結果インク溜り44として幅10μmを設けた。その後の工程は実施例1と同様に行い、有機EL素子を製造した。得られた有機EL素子に対し、パネルの表示確認をおこない、発光状態のチェックをしたところ、一部の有機発光層41からなる画素内において、第二隔壁が高すぎることに起因するインキの転写不良が起こり画素の抜けが確認された。
(Comparative Example 4)
<When the second partition is high>
After forming the thin film transistor in the same manner as in Example 1, the height of the first barrier rib pattern is 0.5 μm, the vertical barrier rib width is 10 μm, the horizontal barrier rib width is 10 μm, and the overlapping portion with the first electrode 2 is 5 μm. Partitions having a grid pattern of one row at a time were formed between the first electrodes 2. Furthermore, the 2nd partition 52 was created with the method and conditions similar to a 1st partition. At this time, the height of the second partition wall 52 is 1.6 μm, and the vertical partition wall width is 10 μm. The horizontal partition wall width was 10 μm. As a result, the ink reservoir 44 was provided with a width of 10 μm. Subsequent steps were performed in the same manner as in Example 1 to produce an organic EL device. When the display of the panel is confirmed for the obtained organic EL element and the light emission state is checked, the transfer of ink caused by the second partition walls being too high in the pixel composed of a part of the organic light emitting layer 41. A defect occurred and the missing pixel was confirmed.

本発明によれば、第一電極間に第二隔壁を有することにより混色を防ぎかつ第一電極縁部上の隔壁に囲まれた有機発光層の平坦性を向上することで、画素内での発光ムラ及び混色の無い、画素間での発光ムラの無い高光学特性を有する有機EL素子を得ることができる。   According to the present invention, by having the second partition between the first electrodes, color mixing is prevented and the flatness of the organic light emitting layer surrounded by the partition on the edge of the first electrode is improved. An organic EL element having high optical characteristics free from uneven light emission and color mixing and free from uneven light emission between pixels can be obtained.

1・・・基板
2・・・第一電極
3・・・正孔輸送層
41・・・赤色有機発光層
42・・・緑色有機発光層
43・・・青色有機発光層
44・・・インク溜り
51・・・第一隔壁
52・・・第二隔壁
6・・・第二電極
7・・・封止樹脂
8・・・封止基板
9・・・有機EL素子
10・・・インクタンク
11・・・インキチャンバー
12・・・アニロックスロール
13・・・樹脂凸版
14・・・版胴
15・・・被印刷基板
16・・・ステージ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... 1st electrode 3 ... Hole transport layer 41 ... Red organic light emitting layer 42 ... Green organic light emitting layer 43 ... Blue organic light emitting layer 44 ... Ink reservoir 51 ... 1st partition 52 ... 2nd partition 6 ... 2nd electrode 7 ... Sealing resin 8 ... Sealing substrate 9 ... Organic EL element 10 ... Ink tank 11 .... Ink chamber 12 ... Anilox roll 13 ... Resin relief plate 14 ... Plate cylinder 15 ... Substrate 16 ... Stage

Claims (5)

少なくとも基板と、前記基板上に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された有機発光媒体層と、前記有機発光媒体層を挟んで前記第一電極と対向するように設けられた第二電極とを具備する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記第一電極の端部周囲に形成された第一隔壁と、前記第一電極及び前記第一隔壁を離間して囲うように形成された第二隔壁と、前記第一隔壁と前記第二隔壁とで囲まれるインキ溜りと、を有し、
前記第二隔壁の高さは前記第一隔壁の高さよりも高く、
前記第一隔壁の高さが0.1μm以上0.5μm以下であり、前記第二隔壁の高さが1.0μm以上1.5μm以下であり、
前記インキ溜りの幅は10μm以上15μm以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
At least a substrate, a first electrode formed on the substrate, an organic light emitting medium layer formed on the first electrode, and provided to face the first electrode across the organic light emitting medium layer An organic electroluminescence device comprising a second electrode,
A first partition formed around an end of the first electrode; a second partition formed so as to surround and separate the first electrode and the first partition; the first partition and the second partition It has a, and an ink reservoir which is surrounded by the,
The height of the second partition is higher than the height of the first partition,
The height of the first partition is 0.1 μm or more and 0.5 μm or less, the height of the second partition is 1.0 μm or more and 1.5 μm or less,
The width of the ink reservoir is 10 μm or more and 15 μm or less, and the organic electroluminescence element.
前記第二隔壁は格子状に形成され、前記第一隔壁及び前記第一電極は前記格子状の第二隔壁に囲まれる領域に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 2. The organic electro luminescence device according to claim 1, wherein the second barrier rib is formed in a lattice shape, and the first barrier rib and the first electrode are formed in a region surrounded by the second lattice barrier rib. Luminescence element. 前記第二隔壁は複数の第一電極及び第一隔壁を囲むように形成され、該第二隔壁に囲まれる複数の第一電極上には同一材料からなる有機発光媒体層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The second barrier rib is formed so as to surround the plurality of first electrodes and the first barrier rib, and an organic light emitting medium layer made of the same material is formed on the plurality of first electrodes surrounded by the second barrier rib. The organic electroluminescent element according to claim 1 . 基板上に第一電極を形成する工程と、
前記第一電極の端部周囲に第一隔壁を形成する工程と、
前記第一隔壁と離間して該第一隔壁を囲むように第二隔壁を形成し、前記第一隔壁と前記第二隔壁で囲まれたインキ溜りを形成する工程と、
前記第一電極上に有機発光媒体層を形成する工程と、
前記有機発光媒体層を挟んで前記第一電極と対向するように第二電極を形成する工程と、
からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記第二隔壁の高さは前記第一隔壁の高さよりも高く、
前記第一隔壁の高さが0.1μm以上0.5μm以下であり、前記第二隔壁の高さが1.0μm以上1.5μm以下であり、
前記インキ溜りの幅は10μm以上15μm以下であるように形成し、
前記有機発光媒体層を形成する工程は、湿式成膜法であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Forming a first electrode on the substrate;
Forming a first partition around the end of the first electrode;
Forming a second partition so as to surround the first partition apart from the first partition, and forming an ink reservoir surrounded by the first partition and the second partition;
Forming an organic light emitting medium layer on the first electrode;
Forming a second electrode so as to face the first electrode across the organic light emitting medium layer;
It is a manufacturing method of an organic electroluminescence element characterized by consisting of:
The height of the second partition is higher than the height of the first partition,
The height of the first partition is 0.1 μm or more and 0.5 μm or less, the height of the second partition is 1.0 μm or more and 1.5 μm or less,
The ink reservoir is formed to have a width of 10 μm to 15 μm,
The method of forming an organic electroluminescent element is characterized in that the step of forming the organic light emitting medium layer is a wet film forming method.
前記湿式成膜法が凸版印刷法であることを特徴とする請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

The method for producing an organic electroluminescence element according to claim 4 , wherein the wet film forming method is a relief printing method.

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