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JP2012215743A5 - - Google Patents

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JP2012215743A5
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electro
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transistor
electrically connected
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Description

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
本発明の一態様の電気光学装置は、トランジスターと、第1の配線と、前記トランジスターと電気的に接続された第2の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線とを電気的に接続する中継配線と、前記第1の配線及び第2の配線と、前記中継配線と、の間に配置される第1絶縁層と、を含むことを特徴とする。
SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
The electro-optical device according to one embodiment of the present invention electrically connects a transistor, a first wiring, a second wiring electrically connected to the transistor, the first wiring, and the second wiring. And a first insulating layer disposed between the first wiring and the second wiring, and the relay wiring.

Claims (11)

トランジスターと、
第1の配線と、
前記トランジスターと電気的に接続された第2の配線と、
前記第1の配線と前記第2の配線とを電気的に接続する中継配線と、
前記第1の配線及び第2の配線と、前記中継配線と、の間に配置される第1絶縁層と、
を含むことを特徴とする電気光学装置。
Transistors,
A first wiring;
A second wiring electrically connected to the transistor;
A relay wiring that electrically connects the first wiring and the second wiring;
A first insulating layer disposed between the first wiring and the second wiring, and the relay wiring;
Electro-optical device, which comprises a.
前記第1の配線には、所定の電位が供給されることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1, wherein a predetermined potential is supplied to the first wiring. 前記第1の配線には、外部接続用端子が電気的に接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1, wherein an external connection terminal is electrically connected to the first wiring. 前記第2の配線は、前記トランジスターのソースまたはドレインと電気的に接続されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1, wherein the second wiring is electrically connected to a source or a drain of the transistor. 前記トランジスターは、周辺回路に含まれることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1, wherein the transistor is included in a peripheral circuit. 前記第1の配線と、前記第2の配線とは同じ配線層に配置されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1, wherein the first wiring and the second wiring are arranged in the same wiring layer. 前記第1の配線及び第2の配線と、前記中継配線と、の間に配置される第2絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1, further comprising a second insulating layer disposed between the first wiring and the second wiring and the relay wiring. 前記トランジスターは、静電気保護回路に含まれることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1 , wherein the transistor is included in an electrostatic protection circuit . 前記トランジスターは、インバーター回路に含まれることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1 , wherein the transistor is included in an inverter circuit . 前記トランジスターは、NAND回路に含まれることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1 , wherein the transistor is included in a NAND circuit . 請求項1乃至10のいずれかに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1 .
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