JP2012094837A - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液相成膜法によってＥＬ層を均一厚に形成することができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）層を含む発光領域３１２と、少なくとも１つの薄膜トランジスタを含む回路領域と、を含む基板において、第１辺部は、第２辺部に対応し、第３辺部は、第１辺部に隣接し、第４辺部に対向し、前記基板；発光領域３１２の第１辺部に対応して形成された第１配線；発光領域の第２辺部に対応して形成された第２配線；発光領域の第３辺部に対応して形成された第１ダミーパターン；発光領域の第４辺部に対応して形成された第２ダミーパターン；を含み、第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンの上に、画素定義膜がさらに形成され、第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、それぞれに対応する画素定義膜の上面を含む平面が、同一平面上にあるように形成されることを特徴とする有機発光表示装置である。
【選択図】図４

Description

本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に係り、さらに詳細には、液相成膜法（ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ）で、ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）層を形成する有機発光表示装置及びその製造方法に関する。

有機発光表示装置は、視野角、コントラスト、応答速度、消費電力などの側面での特性にすぐれており、ＭＰ３プレーヤや携帯電話のような個人用携帯機器からテレビ受像機に至るまで、応用範囲が拡大している。

このような有機発光表示装置に含まれるＥＬ層を液相成膜法で形成する場合、ＥＬ層を含む発光領域周辺の構造物の段差によって発光領域のエッジが形成され、これがＥＬ層厚の均一度に影響する。すなわち、従来の有機発光表示装置は、発光領域周辺の構造物の段差が同一ではないので、発光領域に形成されるＥＬ層厚の均一度が一定に維持されず、有機発光表示装置の品質が低下するという問題がある。

本発明の一実施形態によれば、発光領域周辺の構造物段差を同一にすることにより、液相成膜法によってＥＬ層を均一厚に形成することができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

前記のような目的を達成するために、本発明は、ＥＬ層を含む発光領域と、少なくとも１つの薄膜トランジスタを含む回路領域と、を含む基板において、前記発光領域は、第１辺部、第２辺部、第３辺部及び第４辺部を含み、前記第１辺部は、前記第２辺部に対向し、前記第３辺部は、前記第１辺部に隣接し、前記第４辺部に対向し、前記基板と、前記発光領域の前記第１辺部に対応する第１配線と、前記発光領域の前記第２辺部に対応する第２配線と、前記発光領域の前記第３辺部に対応する第１ダミーパターンと、前記発光領域の前記第４辺部に対応する第２ダミーパターンと、を含み、前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンのうち少なくとも一つ以上は、前記回路領域と電気的に連結され、前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンの上に、画素定義膜がさらに形成され、前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、それぞれに対応する前記画素定義膜の上面を含む平面が略同一平面上にあるように形成されることを特徴とする有機発光表示装置を提供する。

本発明の他の特徴によれば、前記発光領域は、長方形または四角形に区画されたことを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記第１ダミーパターンまたは第２ダミーパターンは、それぞれ前記第１配線または第２配線と電気的に連結されることを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、前記第１配線及び第２配線と電気的に連結されないことを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、いずれも高さが同一であることを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、いずれも同幅であることを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記回路領域は、前記発光領域の第２辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、前記第３辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、が重畳する位置に配されることを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記回路領域に含まれた前記薄膜トランジスタは、前記基板上に形成された活性層と、前記活性層を覆うゲート絶縁膜と、前記活性層に対応する前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と絶縁され、前記活性層と電気的に連結されたソース電極及びドレイン電極と、を含む。

本発明の他の特徴によれば、前記ソース電極及びドレイン電極を覆うパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に形成された画素電極と、をさらに含み、前記画素電極は、前記ソース電極及びドレイン電極のうちいずれか１つの電極と、前記回路領域に配されたビアホールを介して連結されることを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記第１配線、第２配線、第１ダミーまたは第２ダミーのうち少なくともいずれか一つ以上は、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極と同一階層に形成される。

本発明の他の特徴によれば、前記第１配線及び前記第２配線は、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して対向するように配され、前記第１配線及び前記第２配線と前記画素定義膜との間には、前記パッシベーション膜がさらに形成されることを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記発光領域は、前記第１配線及び前記第２配線によって区画され、前記第１配線と前記第２配線との間の前記パッシベーション膜上に形成された画素電極と、前記画素電極に対向する対向電極と、をさらに具備し、前記ＥＬ層は、前記画素電極と前記対向電極との間に介在され、有機発光するように液相成膜法で形成され、厚みが均一であることを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記第１ダミーパターン及び前記第２ダミーパターンは、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して対向するように配され、前記第１ダミーパターン及び前記第２ダミーパターンと前記画素定義膜との間には、前記パッシベーション膜がさらに形成されることを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記発光領域は、前記第１ダミーパターン及び前記第２ダミーパターンによって区画されることを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記画素電極は、前記第１ダミーパターンの上部を覆う前記パッシベーション膜上にも延びて形成され、前記第１ダミーパターンの上部及び側面の一部を覆うように形成される。

本発明の他の特徴によれば、前記第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、前記第１配線または第２配線と同じ材料から形成される。

前記のような目的を達成するために、本発明は、基板にＥＬ層を含む発光領域と、少なくとも１つの薄膜トランジスタを含む回路領域とを区画する段階と、ここで、前記発光領域は、第１辺部、第２辺部、第３辺部及び第４辺部を含み、前記第１辺部は、前記第２辺部に対向し、前記第３辺部は、前記第１辺部に隣接し、前記第４辺部に対向し、前記発光領域の前記第１辺部に対応する第１配線を形成する段階と、前記発光領域の前記第２辺部に対応する第２配線を形成する段階と、前記発光領域の前記第３辺部に対応する第１ダミーパターンを形成する段階と、前記発光領域の前記第４辺部に対応する第２ダミーパターンを形成する段階と、前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンの上に、画素定義膜を形成する段階と、を含み、前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンのうち少なくとも一つ以上は、前記回路領域と電気的に連結され、前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、それぞれに対応する前記画素定義膜の上面を含む平面が略同一平面上にあるように形成されることを特徴とする有機発光表示装置の製造方法を提供する。

本発明の他の特徴によれば、前記発光領域は、長方形または正四角形に区画されたことを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記第１ダミーパターンまたは第２ダミーパターンは、前記第１配線または第２配線と電気的に連結されることを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、前記第１配線及び第２配線と電気的に連結されないことを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、いずれも高さが同一であることを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、いずれも同幅であることを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記回路領域は、前記発光領域の第２辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、前記第３辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、が重畳する位置に配されることを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記回路領域に含まれた前記薄膜トランジスタは、前記基板上に活性層を形成する段階と、前記活性層を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、前記活性層に対応する前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と絶縁され、前記活性層と電気的に連結されたソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、を含む。

本発明の他の特徴によれば、前記ソース電極及びドレイン電極を覆うパッシベーション膜を形成する段階と、前記パッシベーション膜上に画素電極を形成する段階と、をさらに含み、前記画素電極は、前記ソース電極及びドレイン電極のうちいずれか１つの電極と、前記回路領域に配されたビアホールを介して連結される。

本発明の他の特徴によれば、前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターンまたは第２ダミーパターンのうち少なくともいずれか一つ以上は、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極と同一階層に形成される。

本発明の他の特徴によれば、前記基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜を覆う層間絶縁膜を形成する段階と、をさらに含み、前記第１配線及び前記第２配線は、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して平行に配され、前記第１配線及び前記第２配線と前記画素定義膜との間に、前記パッシベーション膜を形成する段階と、をさらに含む。

本発明の他の特徴によれば、前記発光領域は、前記第１配線及び前記第２配線によって区画され、前記第１配線と前記第２配線との間の前記パッシベーション膜上に、画素電極を形成する段階と、前記画素電極に対向する対向電極を形成する段階と、をさらに含み、前記ＥＬ層は、前記画素電極と前記対向電極との間に形成され、有機発光するように液相成膜法により厚みを均一に形成することを特徴とする。

本発明の他の特徴によれば、前記第１ダミーパターン及び前記第２ダミーパターンは、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して対向するように配され、前記第１ダミーパターン及び前記第２ダミーパターンと前記画素定義膜との間に、前記パッシベーション膜を形成する段階と、をさらに含む。

本発明の他の特徴によれば、前記発光領域は、前記第１ダミーパターン及び前記第２ダミーパターンによって区画され、前記第１ダミーパターンと前記第２ダミーパターンとの間の前記パッシベーション膜上に、前記画素電極を形成する段階と、前記画素電極と対向する対向電極を形成する段階と、をさらに含み、前記ＥＬ層は、前記画素電極と前記対向電極との間に形成され、有機発光層を具備して液相成膜法により形成して厚みが均一である。

本発明の他の特徴によれば、前記画素電極は、前記第１ダミーパターンの上部を覆う前記パッシベーション膜上にも延びて形成され、前記第１ダミーパターンの上部及び側面の一部を覆うように形成される。

本発明の他の特徴によれば、前記第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、前記第１配線または第２配線と同じ材料から形成される。

前述以外の他の側面、特徴、利点が以下の図面、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明から明確になる。

本発明によれば、発光領域周辺に同じ高さ及び幅を有する配線を形成することによって、液相成膜法によって形成されるＥＬ層の厚みを一定に維持することができる。

また、ビアホールを含む回路領域を、ＥＬ層を形成するプリンティング・ノズルの進路外に配することによって、ＥＬ層の厚みに影響を及ぼしうる構造物が発光領域から排除され、一定厚のＥＬ層を形成することができる。

本発明の一実施形態による有機発光表示装置の互いに隣接した赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ及び青色画素Ｐｂを図示した平面図である。 図１で、１つの副画素に含まれた回路領域の回路部を含んだところを示した図面である。 図１で、１つの副画素にプリンティング方法でＥＬ層を形成するところを示した説明図である。 図２を具体的に示した平面図である。 図４のＩ−Ｉ’に沿って切り取った断面図である。 図４のＩＩ−ＩＩ’に沿って切り取った断面図である。 図４のＩＩＩ−ＩＩＩ’に沿って切り取った断面図である。

本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができ、特定実施形態を図面に例示して詳細に説明する。しかし、それらは、本発明を特定の実施形態について限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変換、均等物ないし代替物を含むものであると理解しなくてはならない。本発明を説明するにあたり、関連した公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明確にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。

第１、第２のような用語は、多様な構成要素を説明するのに使われうるが、構成要素は、用語によって限定されるものではない。用語は、１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使われる。

本明細書で使用した用語は、単に特定の実施形態を説明するために使われ、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は、文脈上明確に取り立てて意味しない限り、複数の表現を含む。本明細書で、「包含する」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはそれらを組み合わせたものが存在するということを特定しようとするものであり、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはそれらを組み合わせたものなどの存在または付加の可能性を排除するものではないと理解しなくてはならない。

以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施形態についてさらに詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の互いに隣接した赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ及び青色画素Ｐｂを示した平面図である。図２は、図１において、１つの副画素に含まれた回路領域３１１の回路部ＰＣを示した平面図である。以下では、必要によって赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇまたは青色画素Ｐｂのうち一つを副画素とする。

図１を参照すれば、各赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ及び青色画素Ｐｂは、回路領域３１１と、発光領域３１２とをそれぞれ具備する。

回路領域３１１は、少なくとも一つ以上の薄膜トランジスタ、キャパシタを含む回路部ＰＣや、ビアホール（図示せず）などを具備する。

図２から分かるように、回路領域３１１内には、回路部ＰＣが備わっており、スキャン配線Ｓ、データ配線Ｄ、電源配線Ｖのような複数の導電ラインは、回路部ＰＣに電気的に連結される。図２には図示されていないが、回路部ＰＣの構成によって、スキャン配線Ｓ、データ配線Ｄ、電源配線Ｖ以外にも、さらに多様な導電ラインが備わりうる。

図２を参照すれば、回路部ＰＣは、スキャン配線Ｓとデータ配線Ｄとに連結された第１薄膜トランジスタＴＲ１と、第１薄膜トランジスタＴＲ１と電源配線Ｖとに連結された第２薄膜トランジスタＴＲ２と、第１薄膜トランジスタＴＲ１と第２薄膜トランジスタＴＲ２とに連結されたキャパシタＣｓｔとを含む。このとき、第１薄膜トランジスタＴＲ１は、スイッチング・トランジスタとなり、第２薄膜トランジスタＴＲ２は、駆動トランジスタとなる。第２薄膜トランジスタＴＲ２は、図示されていないビアホールを介して、画素電極と電気的に連結されている。図２で、第１薄膜トランジスタＴＲ１と第２薄膜トランジスタＴＲ２とは、Ｐ型として図示されているが、必ずしもそれに限定されるものではなく、少なくとも一つはＮ型に形成されもする。前記のような薄膜トランジスタ及びキャパシタの個数は、必ずしも図示された実施形態に限定されるものではなく、画素回路部ＰＣによって、２以上の薄膜トランジスタ、１以上のキャパシタが組み合わせられる。

本発明の一実施形態によれば、データ配線Ｄ及び電源配線Ｖは、発光領域３１２を取り囲むように配される。また第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２も、発光領域３１２を取り囲むように配される。従って、発光領域３１２は、上下左右に配線が対称的に配されうる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、配線及びダミーが発光領域３１２を取り囲むように配されていればよく、対向する配線及びダミー配線が厳密に対称をなす必要はない。

発光領域３１２は、データ配線Ｄ、電源配線Ｖ、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２によって区画される領域である。発光領域３１２は、ＥＬ層ＥＬ及び画素電極２２１を含む。画素電極２２１は、ＥＬ層ＥＬの下部に形成され、発光領域３１２の全体を覆い、回路領域３１１とは、図示されていないビアホールを介して連結される。対向電極２２２（図５）は、回路領域３１１及び発光領域３１２の全面を覆うように形成される。

図２を参照すれば、発光領域３１２は、長方形の形態に形成されうる。発光領域３１２は、長方形の長辺に該当する第１長辺部３１２ａ、第１長辺部３１２ａと離隔して平行に形成された第２長辺部３１２ｂを含む。発光領域３１２は、長方形の短辺に該当する第１短辺部３１２ｃ、第１短辺部３１２ｃと離隔して平行に形成された第２短辺部３１２ｄを具備する。ここで、第１短辺部３１２ｃ及び第２短辺部３１２ｄは、第１長辺部３１２ａと垂直となるように形成される。

一方、図２では、発光領域３１２が、長方形の形態を有するように図示されているが、これに限定されるものではなく、仮想の第１長辺部３１２ａ、第２長辺部３１２ｂ、第１短辺部３１２ｃ及び第２短辺部３１２ｄが取り囲む楕円形に形成してもよい。また、発光領域３１２は、正四角形、台形、円形などに形成され、長辺及び短辺の区分なく、少なくとも仮想の四辺を有する形状に区画されうる。以下では、図２に図示された図面を基準に説明する。

回路領域３１１は、発光領域３１２と対角線方向に形成される。回路領域３１１と発光領域３１２は、第２長辺部３１２ｂと第１短辺部３１２ｃとの延長線が交差する点を基準に、点対称に形成される。例えば、回路領域３１１は、発光領域３１２の第２長辺部３１２ｂの延長線を基準に、発光領域３１２が位置しない外側の領域と、第１短辺部３１２ｃの延長線を基準に、発光領域３１２が位置しない外側の領域とが重畳する位置に形成される。言い換えれば、回路領域３１１は、第２長辺部３１２ｂの延長線をｙ軸とし、第１短辺部３１２ｃの延長線をｘ軸とし、ｘ軸とｙ軸とが交差する地点を原点とするとき、第１象限に該当する位置に配される（このとき、発光領域３１２は、第３象限に配される）。

一方、本発明の一実施形態は、これに限定されるものではなく、回路領域３１１が発光領域３１２下部に配され、発光領域３１２が回路領域３１１を隠すように形成してもよい。

図１では、各発光領域３１２は、ｙ軸に長く形成されており、各赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ及び青色画素Ｐｂは、ｘ軸方向に配列されている。しかし、これに限定されるものではなく、各発光領域３１２は、ｘ軸に長く形成され、各赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ及び青色画素Ｐｂは、ｙ軸方向に配列されもする。発光領域３１２及び各画素の形態及び配列構造は、本発明が属する技術分野で当業者であるならば、設計変更可能な範囲内で多様に具現することができる。

図３は、図１のうちいずれか１つの副画素に、液相成膜法（ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ）でＥＬ層ＥＬを形成する様子を示した説明図である。

図３を参照すれば、発光領域３１２に含まれたＥＬ層ＥＬは、液相成膜法によって形成される。液相成膜法とは、ＥＬ層ＥＬを形成する材料を、液相で発光領域３１２に供給して薄膜を形成する方法である。例えば、コーティング法の一種として、スピン・コーティング（ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）、グラビア・コーティング（ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔｉｎｇ）、オフセット・コーティング（ｏｆｆ−ｓｅｔ ｃｏａｔｉｎｇ）、カーテン・コーティング（ｃｕｒｔａｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）、リバースロール・コーティング（ｒｅｖｅｒｓｅ ｒｏｌｌ ｃｏａｔｉｎｇ）、スロットダイ・コーティング（ｓｌｏｔ−ｄｉｅ ｃｏａｔｉｎｇ）、スプレー・コーティング（ｓｐｒａｙ ｃｏａｔｉｎｇ）、ノズル・コーティング（ｎｏｚｚｌｅ ｃｏａｔｉｎｇ）、ギャップ・コーティング（ｇａｐ ｃｏａｔｉｎｇ）、ディップ・コーティング（ｄｉｐ ｃｏａｔｉｎｇ）、エアナイフ・コーティング（ａｉｒ ｋｎｉｆｅ ｃｏａｔｉｎｇ）などがある。また、プリンティング法の一種として、液相材料をノズルで供給して成膜するインクジェット・プリンティング、液相材料をプレートに充填し、被印刷物に転移させるグラビア・プリンティング、オフセット・プリンティング、スクリーン・プリンティング（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、ノズル・プリンティング、エレクトロスプレー・プリンティング（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｓｐｒａｙ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）などが含まれうる。かような液相成膜法によれば、液相材料を区画された領域に供給した後、乾燥させて薄膜を形成する。従って、供給された液相材料が一方に偏れば、形成された薄膜の厚みが均一ではなくなるという問題がある。

本発明の一実施形態によれば、薄膜トランジスタＴＲ１，ＴＲ２、キャパシタＣｓｔ、ビアホールＶＨ（図４）のように、段差（ｓｔｅｐ）が発生する構造物は、回路領域３１１に配される。一方、発光領域３１２の周辺には、同じ高さを有した配線構造物のみを配する。従って、ＥＬ層ＥＬを形成する液相材料の偏り発生がなく、厚みが均一なＥＬ層ＥＬを形成することができる。

一方、図３では、ノズル・プリンティング法によってＥＬ層ＥＬを形成するとき、ノズルの移動経路を矢印で表示している。ノズルは、ｘ軸から回路領域３１１が位置しない方向で、ｙ軸に沿って移動する。

本発明の一実施形態では、回路領域３１１が発光領域３１２の対角線方向に形成される。従って、プリンティング・ノズルが、発光領域３１２に対応するように、上下方向に移動するとき、ノズルは、回路領域３１１を除外するように移動する。従って、回路領域３１１に、ノズルからの液相材料が浸透するような問題が発生しない。

図４は、図２の副画素を具体的に示した平面図である。図５は、図４のＩ−Ｉ’に沿って切り取った断面図である。図６は、図４のＩＩ−ＩＩ’に沿って切り取った断面図である。図７は、図４のＩＩＩ−ＩＩＩ’に沿って切り取った断面図である。

図４ないし図７を参照すれば、横方向に、スキャン配線Ｓが備わり、縦方向に、電源配線Ｖ及びデータ配線Ｄが備わる。スキャン配線Ｓは、発光領域３１２と隣接して配されていないが、電源配線Ｖ及びデータ配線Ｄは、発光領域３１２と隣接して配される。

本発明の一実施形態によれば、電源配線Ｖは、発光領域３１２の第１長辺部３１２ａの外側で、第１長辺部３１２ａに沿って平行に形成され、データ配線Ｄは、発光領域３１２の第２長辺部３１２ｂの外側で、第２長辺部３１２ｂに沿って平行に形成される。本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２を含む。第１ダミー配線Ｍ１は、発光領域３１２の第１短辺部３１２ｃの外側で、第１短辺部３１２ｃに沿って平行に形成され、第２ダミー配線Ｍ２は、発光領域３１２の第２短辺部３１２ｄの外側で、第２短辺部３１２ｄに沿って平行に形成される。ここで、電源配線Ｖ、データ配線Ｄ、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２は、同一階層に形成され、いずれも高さと幅とが同一であることを特徴とする。

従って、発光領域３１２は、周辺に同じ段差を有した配線に取り囲まれているので、発光領域３１２に液相成膜法でＥＬ層ＥＬを形成するとき、液相材料の偏りの発生がなく、均一の厚みに形成することができる。

一方、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２は、図示されているように、電源配線Ｖまたはデータ配線Ｄと電気的に連結されていない。すなわち、図４に図示されているように、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２が、電源配線Ｖまたはデータ配線Ｄと電気的に連結されずに離隔して形成されうる。これにより、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２には、電流、電圧、または信号が流れない。しかし、本発明は、これに限定されるものではなく、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２を、電源配線Ｖまたはデータ配線Ｄと接合して電気的に連結してもよい。これにより、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２に電源電圧やデータ信号を流すことができる。

一方、図４を参照すれば、図示されたｎ番目の副画素の発光領域３１２に関して、第１長辺部３１２ａに沿って形成された電源配線Ｖは、図面符号Ｖｎ−１により示されており、図示されていないｎ−１番目の副画素の回路に連結される配線である。ｎ番目の副画素の回路領域３１１に連結された電源配線Ｖは、図面符号Ｖｎにより示されており、データ配線Ｄの右側に配される。一方、第２長辺部３１２ｂに沿って形成されたデータ配線Ｄは、ｎ番目の副画素の回路領域３１１に連結される。以下、説明の便宜のために、ｎ−１番目の副画素の回路に連結された電源配線Ｖｎ−１と、ｎ番目の副画素の回路領域３１１に連結された電源配線Ｖｎとを、特別の理由がない限り、別途に区別せずに記述する。

図５は、図４の回路領域３１１について、さらに詳細に説明するための断面図であり、図４のＩ−Ｉ’に沿って切り取ったものである。

図５を参照すれば、基板１上に、バッファ膜２１１が形成され、このバッファ膜２１１上に、第１薄膜トランジスタＴＲ１、キャパシタＣｓｔ及び第２薄膜トランジスタＴＲ２が形成される。

まず、バッファ膜２１１上には、第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂが形成される。

バッファ膜２１１は、不純元素の浸透を防止し、表面を平坦化する役割を担うものであり、かような役割を行うことができる多様な物質によって形成されうる。一例として、バッファ膜２１１は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、アルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物、チタン酸化物またはチタン窒化物などの無機物や、ポリイミド、ポリエステル、アクリルなどの有機物、またはそれらの積層体によって形成することができる。バッファ膜２１１は、必須構成要素ではなく、必要によっては、備えないこともできる。

第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂは、多結晶シリコンによって形成されうるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、酸化物半導体によっても形成することができる。例えば、Ｇ−Ｉ−Ｚ−Ｏ層［（Ｉｎ_２Ｏ_３）ａ（Ｇａ_２Ｏ_３）ｂ（ＺｎＯ）ｃ層］（ａ、ｂ、ｃは、それぞれａ≧０、ｂ≧０、ｃ＞０の条件を満足する実数）である。このように、第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂを酸化物半導体で形成する場合には、透光度をさらに高めうる。

第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂを覆うように、ゲート絶縁膜２１３がバッファ膜２１１上に形成され、ゲート絶縁膜２１３上に、第１ゲート電極２１４ａ及び第２ゲート電極２１４ｂが形成される。

第１ゲート電極２１４ａ及び第２ゲート電極２１４ｂを覆うように、ゲート絶縁膜２１３上に、層間絶縁膜２１５が形成され、この層間絶縁膜２１５上に、第１ソース電極２１６ａ及び第１ドレイン電極２１７ａ、並びに第２ソース電極２１６ｂ及び第２ドレイン電極２１７ｂが形成され、それぞれ第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂと、コンタクトホールを介してコンタクトされる。ここで、第１ソース電極２１６ａ及び第１ソース電極２１６ｂ、並びに第１ドレイン電極２１７ａ及びに第２ドレイン電極２１７ｂは、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、及びそれらの化合物で形成されるか、あるいは透明導電体である酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３などから形成されうる。

図４及び図５から分かるように、スキャン配線Ｓは、第１ゲート電極２１４ａ及び第２ゲート電極２１４ｂと同時に形成されうる。そして、データ配線Ｄは、第１ソース電極２１６ａと同時に、第１ソース電極２１６ａと連結するように形成され、ｎ番目の電源配線Ｖｎは、第２ソース電極２１６ｂと同時に、第２ソース電極２１６ｂと連結するように形成される。図示されていないが、ｎ−１番目の電源配線Ｖｎ−１は、ｎ−１番目の副画素に含まれた薄膜トランジスタのソース電極と連結されるように形成される。

キャパシタＣｓｔは、上部電極２２０ｂ及び下部電極２２０ａを含む。下部電極２２０ａは、第１ゲート電極２１４ａ及び第２ゲート電極２１４ｂと同時に形成される。また、上部電極２２０ｂは、第１ドレイン電極２１７ａと同時に形成される。上部電極２２０ｂは、ｎ番目の電源配線Ｖｎと連結するように形成される。図示されていないが、ｎ−１番目の電源配線Ｖｎ−１は、ｎ−１番目の副画素に含まれたキャパシタの上部電極と連結されるように形成される。

前記のような第１薄膜トランジスタＴＲ１、キャパシタＣｓｔ及び第２薄膜トランジスタＴＲ２の構造は、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な形態の薄膜トランジスタ及びキャパシタの構造が適用可能であることは言うまでもない。例えば、第１薄膜トランジスタＴＲ１及び第２薄膜トランジスタＴＲ２は、トップゲート構造に形成されたものであるが、第１ゲート電極２１４ａ及び第２ゲート電極２１４ｂが、それぞれ第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂの下部に配されたボトムゲート構造に形成されてもよい。それ以外にも、適用可能なあらゆる薄膜トランジスタの構造が適用できることは言うまでもない。

かような第１薄膜トランジスタＴＲ１、キャパシタＣｓｔ及び第２薄膜トランジスタＴＲ２を覆うように、パッシベーション膜２１８が形成される。パッシベーション膜２１８は、単一層または複数層の絶縁膜になりうる。このパッシベーション膜２１８は、無機物及び／または有機物によって形成されうる。

パッシベーション膜２１８上には、図５から分かるように、第１薄膜トランジスタＴＲ１、キャパシタＣｓｔ及び第２薄膜トランジスタＴＲ２と重畳しないように、発光領域３１２に、画素電極２２１が形成される。当該画素電極２２１は、パッシベーション膜２１８に形成されたビアホールＶＨによって、第２薄膜トランジスタＴＲ２の第２ドレイン電極２１７ｂに連結される。本発明の一実施形態によれば、ビアホールＶＨは、回路領域３１１に形成されることを特徴とする。各画素電極２２１は、図１から分かるように、副画素ごとに互いに独立したアイランド状に形成される。

パッシベーション膜２１８上には、画素電極２２１のエッジを覆うように、画素定義膜２１９が形成され、画素電極２２１上には、ＥＬ層ＥＬと対向電極２２２とが順に積層される。対向電極２２２は、発光領域３１２全体と回路領域３１１とをいずれも覆うように形成される。

ＥＬ層ＥＬは、低分子または高分子の有機膜から形成されうる。低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層（ＨＩＬ：ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、発光層（ＥＭＬ：ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）などが、単一あるいは複合の構造に積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などを始めとして多様に適用可能である。本実施形態によれば、それら低分子有機膜は、プリンティング法で形成されうる。このとき、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層及び電子注入層は共通層であり、緑色、赤色、青色の画素に共通に適用されうる。

画素電極２２１はアノードの機能を担い、対向電極２２２はカソードの機能を担うことができるが、当該画素電極２２１と対向電極２２２との極性は、互いに反対になっても差し支えない。

画素電極２２１は、副画素ごとに、発光領域３１２に対応する位置に、発光領域３１２より大きく形成される。また、画素電極２２１は、ＥＬ層ＥＬが形成された領域より広い領域に形成されうる。そして、対向電極２２２は、全ての副画素を覆う共通電極として形成される。

本発明の一実施形態によれば、画素電極２２１は反射電極になり、対向電極２２２は透明電極になりうる。このため、画素電極２２１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びそれらの化合物から形成された反射膜と、仕事関数が大きいＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３などから形成されうる。そして、対向電極２２２は、仕事関数が小さい金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａまたはそれらの合金から形成されうる。対向電極２２２は、透過率が高くなるように、薄膜で形成することが望ましい。しかし、これは、基板１の方向に画像が具現される前面発光型（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）である場合である。

本発明の実施形態は、これに限定されるものではない。例えば、対向電極２２２の方向に画像を具現する背面発光型（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）である場合、対向電極２２２は反射電極として備わり、画素電極２２１は透明電極として備わりうる。また、両面発光型の場合、画素電極２２１及び対向電極２２２は、いずれも透明電極として備わりうる。

図６は、図４の発光領域３１２とその周辺とについて、さらに詳細に説明するための断面図であり、図４のＩＩ−ＩＩ’に沿って切り取った断面図を図示したものである。図６では、図５で説明された構成要素と同じ構成要素については、その機能が同一であるので、重複する説明は省略する。

図６を参照すれば、基板１上に、バッファ膜２１１が形成され、バッファ膜２１１上に、ゲート絶縁膜２１３が形成される。ゲート絶縁膜２１３上には、層間絶縁膜２１５が形成され、層間絶縁膜２１５上には、電源配線Ｖ及びデータ配線Ｄが形成される。具体的には、図６に図示された電源配線Ｖは、図４のｎ−１番目の電源配線Ｖｎ−１である。

図２で、電源配線Ｖは、発光領域３１２の第１長辺部３１２ａの外側で、第１長辺部３１２ａと平行に形成される。データ配線Ｄは、発光領域３１２の第２長辺部３１２ｂの外側で、第２長辺部３１２ｂと平行に形成される。電源配線Ｖとデータ配線Ｄは、発光領域３１２を挟んで互いに離隔して配される。電源配線Ｖとデータ配線Ｄは、発光領域３１２の左右側を区画して段差を形成する。電源配線Ｖとデータ配線Ｄは、図５の第１ソース電極２１６ａ及び第１ドレイン電極２１７ａ、第２ソース電極２１６ｂ及び第２ドレイン電極２１７ｂと同一階層に形成されることを特徴とする。

図５について上述した通り、データ配線Ｄは、第１ソース電極２１６ａと同時に形成されるので、第１ソース電極２１６ａと同一階層に同じ材料から形成できる。電源配線Ｖも、第２ソース電極２１６ｂと同時に形成されるので、第２ソース電極２１６ｂと同一階層に同じ材料から形成できる。従って、データ配線Ｄ及び電源配線Ｖは、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びそれらの化合物から形成されるか、あるいは透明導電体であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３などから形成されうる。

データ配線Ｄの高さＤｄと、電源配線の高さＶｄは、同一である。こうすることで、発光領域３１２の周辺構造物の段差を同一にでき、液相成膜法によってＥＬ層ＥＬが形成されたとき、ＥＬ層ＥＬは一定厚を有することができる。データ配線Ｄの幅Ｄｗと電源配線Ｖの幅Ｖｗとも同一である。

次に、電源配線Ｖとデータ配線Ｄとを覆うように、パッシベーション膜２１８が形成される。

パッシベーション膜２１８上には、図６から分かるように、発光領域３１２に対応する位置に、画素電極２２１が形成される。画素電極２２１は、発光領域３１２のサイズより大きく形成されうる。

パッシベーション膜２１８上には、画素電極２２１のエッジを覆うように、画素定義膜２１９が形成される。ここで、画素定義膜２１９またはパッシベーション膜２１８は、下部のデータ配線Ｄ、電源配線Ｖ、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２の厚み段差が現れる程度に薄い画素定義膜またはパッシベーション膜を使用することができるが、本発明は、これに限定されるものではない。

画素電極２２１上には、有機発光層を具備するＥＬ層ＥＬが、液相成膜法によって形成され、ＥＬ層ＥＬ上に、対向電極２２２が順に積層される。

対向電極２２２は、発光領域３１２と、発光領域３１２周辺に配線が形成された領域とをいずれも覆うように形成される。

図７は、図４の発光領域３１２とその周辺とについて、さらに詳細に説明するためのものであり、図４のＩＩＩ−ＩＩＩ’に沿って切り取った断面図である。図７では、図５で説明された構成要素と同じ構成要素については、その機能が同一であるので、重複する説明は省略する。

図７を参照すれば、基板１上に、バッファ膜２１１が形成され、バッファ膜２１１上に、ゲート絶縁膜２１３が形成される。スキャン配線Ｓは、ゲート絶縁膜２１３上に形成され、スキャン配線Ｓは、第１ゲート電極２１４ａ及び第２ゲート電極２１４ｂと同時に形成されうる。ゲート絶縁膜２１３上には、層間絶縁膜２１５が形成され、層間絶縁膜２１５上には、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２が形成される。

図２に戻って、第１ダミー配線Ｍ１は、発光領域３１２の第１短辺部３１２ｃの外側で、第１短辺部３１２ｃと平行に形成される。第２ダミー配線Ｍ２は、発光領域３１２の第２短辺部３１２ｄの外側で、第２短辺部３１２ｄと平行に形成される。第１ダミー配線Ｍ１と第２ダミー配線Ｍ２は、発光領域３１２を挟んで互いに離隔して配される。第１ダミー配線Ｍ１と第２ダミー配線Ｍ２は、発光領域３１２の上下側を区画して段差を形成する。第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２は、データ配線Ｄ及び電源配線Ｖと同一階層に形成されることを特徴とする。このとき、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２は、データ配線Ｄ及び電源配線Ｖと離隔して形成される。

第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２は、データ配線Ｄ、電源配線Ｖ、ソース電極２１６ａ，２１６ｂ及びドレイン電極２１７ａ，２１７ｂと同時に形成されうる。従って、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２も、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びそれらの化合物で形成されるか、あるいは透明導電体であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３などから形成されうる。

第１ダミー配線Ｍ１の高さＭ１ｄと、第２ダミー配線Ｍ２の高さＭ２ｄは、同一である。また、第１ダミー配線Ｍ１の高さＭ１ｄ及び第２ダミー配線Ｍ２の高さＭ２ｄと、データ配線Ｄの高さＤｄ及び電源配線Ｖの高さＶｄは、同一である。こうすることで、発光領域３１２周辺の段差を同一にできる。これにより、液相成膜法によってＥＬ層ＥＬが形成されたとき、ＥＬ層ＥＬが一方に偏らず、一定厚を有することができる。第１ダミー配線Ｍ１の幅Ｍ１ｗ及び第２ダミー配線Ｍ２の幅Ｍ２ｗ、並びにデータ配線Ｄの幅Ｄｗ及び電源配線Ｖの幅Ｖｗも同一である。

次に、第１ダミー配線Ｍ１と第２ダミー配線Ｍ２とを覆うように、パッシベーション膜２１８が形成される。

パッシベーション膜２１８上には、図７から分かるように、発光領域３１２に対応する位置に画素電極２２１が形成される。画素電極２２１は、第１ダミー配線Ｍ１の上部を覆うパッシベーション膜２１８上にも延びて形成される。図７を参照すれば、画素電極２２１は、第１ダミー配線Ｍ１の上部及び側面の一部を覆うように形成される。画素電極２２１が、第１ダミー配線Ｍ１の上部に延びて形成されることによって、回路領域３１１に位置したビアホールＶＨを介して、画素電極２２１が回路領域３１１の第２薄膜トランジスタＴＲ２と電気的に連結されうる。

結局、画素電極２２１が第１ダミー配線Ｍ１の上部を覆うように延びて形成されることによって、ビアホールＶＨが回路領域３１１に存在できることになる。ビアホールＶＨが発光領域３１２に存在しないために、発光領域３１２に液相のＥＬ層ＥＬ材料を供給したとしても、液相材料の偏り発生がなく、均一厚のＥＬ層ＥＬを形成することができる。

パッシベーション膜２１８上には、画素電極２２１のエッジ及び第１ダミー配線Ｍ１上に形成された画素電極２２１を覆うように、画素定義膜２１９が形成される。画素電極２２１上には、有機発光層を具備するＥＬ層ＥＬと、対向電極２２２とが順に積層される。

ＥＬ層ＥＬを蒸着によって形成するときと異なり、ＥＬ層ＥＬを液相成膜法によって形成するときは、液相であるＥＬ層ＥＬの材料が発光領域３１２に供給された後、乾燥されるまで、一方への偏り発生をなくするためには、周辺構造物の同様な形状が要求される。

本発明の一実施形態によれば、発光領域３１２周辺に、同じ高さ及び幅を有したデータ配線Ｄ、電源配線Ｖ、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２が、層間絶縁膜２１５上に形成されているので、発光領域３１２周辺の段差が同一である。従って、液相成膜法によって、液相のＥＬ層ＥＬ材料を画素電極２２１上に供給しても、液相材料の偏りなしに、均一厚のＥＬ層ＥＬが形成されうる。また、対向電極２２２は、全体発光領域３１２と、発光領域３１２周辺で配線が形成された領域とをいずれも覆うように形成される。

さらに、図６及び図７から分かるように、本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、データ配線Ｄ、電源配線Ｖ、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２上に、画素定義膜２１９が形成される。ここで、データ配線Ｄ、電源配線Ｖ、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２に対応する画素定義膜２１９の上面を的に延長した延長線は、実質的に交わることを特徴とする。言い換えれば、データ配線Ｄ、電源配線Ｖ、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２のそれぞれに対応する画素定義膜２１９の上面が同じ平面となるように形成され、この平面は、基板と平行であることを特徴とする。

なお、本発明の一実施形態によれば、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２が、データ配線Ｄ及び電源配線Ｖと同一階層に形成され、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２と、データ配線Ｄ及び電源配線Ｖとが同じ高さまたは厚みである場合、前述の特徴を満足すると言える。しかし、本発明は、これに限定されるものではなく、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２が、データ配線Ｄ及び電源配線Ｖと同一ではない層に形成されもする。例えば、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２は、スキャン配線Ｓと同一階層に形成されうるが、その場合には、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２と、データ配線Ｄ及び電源配線Ｖとが同じ高さまたは厚みを有さずに、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２の厚みが、データ配線Ｄ及び電源配線Ｖよりも、大きくも小さくもできることは言うまでもない。しかし、そのような場合にも、ＥＬ層ＥＬの均一を維持するために、データ配線Ｄ、電源配線Ｖ、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２に対応する画素定義膜２１９の上面を仮想的に延長した延長線が実質的に交わることを特徴とする。すなわち、データ配線Ｄ、電源配線Ｖ、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２は、それぞれに対応する画素定義膜２１９の上面を含む平面が略同一平面上にあるように形成される。

一方、スキャン配線Ｓは、発光領域３１２の上下部に配されうるが、発光領域３１２と直接隣接せずに、スキャン配線Ｓと発光領域３１２との間に、トランジスタＴＲ１，ＴＲ２、キャパシタＣｓｔのような構造物が形成されている。しかし、本発明の一実施形態によれば、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２は、発光領域３１２の上下部に、発光領域３１２と直接隣接するように配されたことを特徴とする。すなわち、第１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２と発光領域３１２との間には、他の構造物が形成されていないために、１ダミー配線Ｍ１及び第２ダミー配線Ｍ２は、発光領域３１２上に、液相成膜法で形成されるＥＬ層ＥＬの厚みを均一にできる。

本発明は、添付された図面に図示された一実施形態を参考にして説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、当技術分野で当業者であるならば、それらから多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点を理解することができるであろう。よって、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲によってのみ決まるものである。

１ 基板、
２１１ バッファ膜、
２１２ａ 第１半導体活性層、
２１２ｂ 第２半導体活性層、
２１３ ゲート絶縁膜、
２１４ａ 第１ゲート電極、
２１４ｂ 第２ゲート電極、
２１５ 層間絶縁膜、
２１６ａ 第１ソース電極、
２１６ｂ 第２ソース電極、
２１７ａ 第１ドレイン電極、
２１７ｂ 第２ドレイン電極、
２１８ パッシベーション膜、
２１９ 画素定義膜、
２２０ａ 下部電極、
２２０ｂ 上部電極、
２２１ 画素電極、
２２２ 対向電極、
３１１ 回路領域、
３１２ 発光領域、
３１２ａ 第１長辺部、
３１２ｂ 第２長辺部、
３１２ｃ 第１短辺部、
３１２ｄ 第２短辺部、
Ｃｓｔ キャパシタ、
Ｄ データ配線、
ＥＬ ＥＬ層、
Ｍ１ 第１ダミー配線、
Ｍ２ 第２ダミー配線、
ＰＣ 回路部、
Ｓ スキャン配線、
ＴＲ１ 第１薄膜トランジスタ、
ＴＲ２ 第２薄膜トランジスタ、
Ｖ 電源配線、
ＶＨ ビアホール。

Claims (32)

1. ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）層を含む発光領域と、少なくとも１つの薄膜トランジスタを含む回路領域と、を含む基板において、前記発光領域は、第１辺部、第２辺部、第３辺部及び第４辺部を含み、前記第１辺部は、前記第２辺部に対向し、前記第３辺部は、前記第１辺部に隣接し、前記第４辺部に対向し、
   前記基板と、
   前記発光領域の前記第１辺部に対応する第１配線と、
   前記発光領域の前記第２辺部に対応する第２配線と、
   前記発光領域の前記第３辺部に対応する第１ダミーパターンと、
   前記発光領域の前記第４辺部に対応する第２ダミーパターンと、を含み、
   前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンのうち少なくとも一つ以上は、前記回路領域と電気的に連結され、
   前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンの上に、画素定義膜がさらに形成され、前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、それぞれに対応する前記画素定義膜の上面を含む平面が略同一平面上にあるように形成されることを特徴とする有機発光表示装置。
2. 前記発光領域は、長方形または正四角形に区画されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
3. 前記第１ダミーパターンまたは第２ダミーパターンは、それぞれ前記第１配線または第２配線と電気的に連結されることを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光表示装置。
4. 前記第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、前記第１配線及び第２配線と電気的に連結されないことを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光表示装置
5. 前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、いずれも高さが同一であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
6. 前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、いずれも同幅であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
7. 前記回路領域は、
   前記発光領域の第２辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、
   前記第３辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、が重畳する位置に配されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
8. 前記回路領域に含まれた前記薄膜トランジスタは、
   前記基板上に形成された活性層と、
   前記活性層を覆うゲート絶縁膜と、
   前記活性層に対応する前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、
   前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と絶縁され、前記活性層と電気的に連結されたソース電極及びドレイン電極と、を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
9. 前記ソース電極及びドレイン電極を覆うパッシベーション膜と、
   前記パッシベーション膜上に形成された画素電極と、をさらに含み、
   前記画素電極は、前記ソース電極及びドレイン電極のうちいずれか１つの電極と、前記回路領域に配されたビアホールを介して連結されることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
10. 前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターンまたは第２ダミーパターンのうち少なくともいずれか一つ以上は、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極と同一階層に形成されたことを特徴とする請求項８または９に記載の有機発光表示装置。
11. 前記第１配線及び前記第２配線は、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して対向するように配され、
    前記第１配線及び前記第２配線と前記画素定義膜との間に、前記パッシベーション膜が形成されることを特徴とする請求項９または１０に記載の有機発光表示装置。
12. 前記発光領域は、前記第１配線及び前記第２配線によって区画され、前記第１配線と前記第２配線との間の前記パッシベーション膜上に形成された画素電極と、前記画素電極に対向する対向電極と、をさらに具備し、
    前記ＥＬ層は、前記画素電極と前記対向電極との間に介在され、有機発光層を具備して液相成膜法で形成され、厚みが均一であることを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置。
13. 前記第１ダミーパターン及び前記第２ダミーパターンは、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して対向するように配され、
    前記第１ダミーパターン及び前記第２ダミーパターンと前記画素定義膜との間に、前記パッシベーション膜が形成されることを特徴とする請求項９〜１２のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
14. 前記発光領域は、前記第１ダミーパターン及び前記第２ダミーパターンによって区画されることを特徴とする請求項１２または１３に記載の有機発光表示装置。
15. 前記画素電極は、
    前記第１ダミーパターンの上部を覆う前記パッシベーション膜上にも延びて形成され、前記第１ダミーパターンの上部及び側面の一部を覆うように形成されたことを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
16. 前記第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、
    前記第１配線または第２配線と同じ材料から形成されることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
17. 基板にＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）層を含む発光領域と、少なくとも１つの薄膜トランジスタを含む回路領域とを区画する段階と、ここで、前記発光領域は、第１辺部、第２辺部、第３辺部及び第４辺部を含み、前記第１辺部は、前記第２辺部に対向し、前記第３辺部は、前記第１辺部に隣接し、前記第４辺部に対向し、
    前記発光領域の前記第１辺部に対応する第１配線を形成する段階と、
    前記発光領域の前記第２辺部に対応する第２配線を形成する段階と、
    前記発光領域の前記第３辺部に対応する第１ダミーパターンを形成する段階と、
    前記発光領域の前記第４辺部に対応する第２ダミーパターンを形成する段階と、
    前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンの上に、画素定義膜を形成する段階と、を含み、
    前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンのうち少なくとも一つ以上は、前記回路領域と電気的に連結され、
    前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、それぞれに対応する前記画素定義膜の上面を含む平面が略同一平面上にあるように形成されることを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
18. 前記発光領域は、長方形または正四角形に区画されたことを特徴とする請求項１７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
19. 前記第１ダミーパターンまたは第２ダミーパターンは、前記第１配線または第２配線と電気的に連結されることを特徴とする請求項１７または１８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
20. 前記第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、前記第１配線及び第２配線と電気的に連結されないことを特徴とする請求項１７または１８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
21. 前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、いずれも高さが同一であることを特徴とする請求項１７〜２０のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
22. 前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、いずれも同幅であることを特徴とする請求項１７〜２１のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
23. 前記回路領域は、前記発光領域の第２辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、前記第３辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、が重畳する位置に配されることを特徴とする請求項１７〜２２のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
24. 前記回路領域に含まれた前記薄膜トランジスタは、
    前記基板上に活性層を形成する段階と、
    前記活性層を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、
    前記活性層に対応する前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階と、
    前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成する段階と、
    前記層間絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と絶縁され、前記活性層と電気的に連結されたソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１７〜２３のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
25. 前記ソース電極及びドレイン電極を覆うパッシベーション膜を形成する段階と、
    前記パッシベーション膜上に画素電極を形成する段階と、をさらに含み、
    前記画素電極は、前記ソース電極及びドレイン電極のうちいずれか１つの電極と、前記回路領域に配されたビアホールを介して連結されることを特徴とする請求項２４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
26. 前記第１配線、第２配線、第１ダミーパターンまたは第２ダミーパターンのうち少なくともいずれか一つ以上は、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極と同一階層に形成されることを特徴とする請求項２４または２５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
27. 前記第１配線及び前記第２配線は、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して平行に配され、
    前記第１配線及び前記第２配線と前記画素定義膜との間に、前記パッシベーション膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２５または２６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
28. 前記発光領域は、前記第１配線及び前記第２配線によって区画され、
    前記第１配線と前記第２配線との間の前記パッシベーション膜上に、前記画素電極を形成する段階と、
    前記画素電極に対向する対向電極を形成する段階と、をさらに含み、
    前記ＥＬ層は、前記画素電極と前記対向電極との間に形成され、有機発光するように液相成膜法により厚みを均一に形成することを特徴とする請求項２７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
29. 前記第１ダミーパターン及び前記第２ダミーパターンは、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して対向するように配され、
    前記第１ダミーパターン及び前記第２ダミーパターンと前記画素定義膜との間に、前記パッシベーション膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２５〜２８のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
30. 前記発光領域は、前記第１ダミーパターン及び前記第２ダミーパターンによって区画され、
    前記第１ダミーパターンと前記第２ダミーパターンとの間の前記パッシベーション膜上に、前記画素電極を形成する段階と、
    前記画素電極と対向する前記対向電極を形成する段階と、をさらに含み、
    前記ＥＬ層は、前記画素電極と前記対向電極との間に形成され、有機発光層を具備して液相成膜法により形成して厚みが均一であることを特徴とする請求項２８または２９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
31. 前記画素電極は、前記第１ダミーパターンの上部を覆う前記パッシベーション膜上にも延びて形成され、前記第１ダミーパターンの上部及び側面の一部を覆うように形成されたことを特徴とする請求項２８〜３０のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
32. 前記第１ダミーパターン及び第２ダミーパターンは、前記第１配線または第２配線と同じ材料から形成されることを特徴とする請求項１７〜３１のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
    

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