JP2012069881A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光電変換効率の高い裏面接合型の太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池１は、半導体基板１５と、第１の電極１７ｎと、第２の電極１７ｐとを備えている。半導体基板１５は、互いに対向している第１及び第２の端縁部１５Ａ，１５Ｂを含む。第１の電極１７ｎは、第１の端縁部１５Ｂに位置している第１の部分１７ｎ１と、複数の第１の線状部１７ｎ２とを有する。第２の電極１７ｐは、第２の端縁部１５Ａに位置している第２の部分１７ｐ１と、複数の第２の線状部１７ｐ２とを有する。半導体基板１５は、一の主面１５ａにマーク１２ａ、１２ｂを有する。マーク１２ａ、１２ｂは、第１及び第２の端縁部１５Ａ，１５Ｂの一方に形成されている。
【選択図】図４

Description

本発明は、裏面接合型の太陽電池及びその製造方法に関する。

近年、環境に対する負荷が小さなエネルギー源として、太陽電池が大いに注目されている。このため、太陽電池に関する研究開発が活発に行われている。なかでも、太陽電池の変換効率を如何に高めるかが重要な課題となってきている。従って、向上した変換効率を有する太陽電池やその製造方法の研究開発が特に盛んに行われている。

変換効率が高い太陽電池としては、例えば下記の特許文献１などにおいて、裏面側にｐ型領域及びｎ型領域が形成されている所謂裏面接合型の太陽電池が提案されている。この裏面接合型の太陽電池では、キャリアを収集するための電極を受光面に設ける必要が必ずしもない。このため、裏面接合型の太陽電池では、光の受光効率を向上することができる。従って、より向上した変換効率を実現し得る。

特開２００５−２７７０５５号公報

ところで、裏面接合型太陽電池は、裏面にｐ型領域及びｎ型領域が高精細に形成される。このため裏面接合型太陽電池の製造に際しては、半導体基板の位置を正確に検出した上でｐ型領域、ｎ型領域を形成する必要がある。

半導体基板の位置を検出する方向としては、例えば、半導体基板の端面の位置を検出することにより、半導体基板の位置を検出する方法や、半導体基板に形成したアライメントマークの位置を検出することにより、半導体基板の位置を検出する方法などが挙げられる。なかでも、半導体基板に形成したアライメントマークの位置を検出することにより、半導体基板の位置を検出する方法は、半導体基板の位置を高精度に検出することができる方法であるため、特に有用である。

半導体基板にアライメントマークを形成するに際しては、半導体基板のどの部位にアライメントマークを形成するかが大きな問題となる。例えば特許文献１には、図７に示すように、製造された太陽電池１００の検査時に用いるアライメントマークとして、４つの端縁部のそれぞれの中央部に、アライメントマーク１０１ａ〜１０１ｄを形成することが記載されている。しかしながら、４つの端縁部のそれぞれの中央部にアライメントマーク１０１ａ〜１０１ｄを設けた場合、太陽電池の光電変換効率が低くなるという問題がある。

また、アライメントマーク以外のマークを半導体基板に形成する場合にも同様に、半導体基板のどの部位にマークを形成するかが問題となる。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、光電変換効率の高い裏面接合型の太陽電池を提供することにある。

本発明に係る太陽電池は、半導体基板と、第１の電極と、第２の電極とを備えている。半導体基板は、互いに対向している第１及び第２の端縁部を含む。第１の電極は、半導体基板の一の主面上に設けられている。第１の電極は、第１の端縁部に位置している第１の部分と、第１の部分から第２の端縁部側に向かって延びている複数の第１の線状部とを有する。第２の電極は、半導体基板の一の主面上に設けられている。第２の電極は、第２の端縁部に位置している第２の部分と、第２の部分から第１の端縁部側に向かって延びている複数の第２の線状部とを有する。半導体基板は、一の主面にマークを有する。マークは、第１及び第２の端縁部の一方に形成されている。

本発明に係る太陽電池の製造方法は、互いに対向している第１及び第２の端縁部を含み、一の主面において、第１及び第２の端縁部の一方に設けられた複数のアライメントマークを有する半導体基板と、半導体基板の一の主面上に設けられ、第１の端縁部に位置している第１の部分と、第１の部分から第２の端縁部側に向かって延びている複数の第１の線状部とを有する第１の電極と、半導体基板の一の主面上に設けられ、第２の端縁部に位置している第２の部分と、第２の部分から第１の端縁部側に向かって延びている複数の第２の線状部とを有する第２の電極とを備える太陽電池の製造方法に関する。本発明に係る太陽電池の製造方法では、複数のアライメントマークの位置を検出することにより検出した半導体基板の位置に基づいて第１及び第２の電極を形成する。

本発明によれば、光電変換効率の高い裏面接合型の太陽電池を提供することができる。

第１の実施形態に係る太陽電池の略図的平面図である。 図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。 第１の実施形態における半導体基板の略図的平面図である。 第２の実施形態に係る太陽電池の略図的平面図である。 第３の実施形態に係る太陽電池の略図的平面図である。 第４の実施形態に係る太陽電池の略図的断面図である。 特許文献１に記載の太陽電池の略図的平面図である。

（第１の実施形態）
以下、本発明を実施した好ましい形態について、図１に示す太陽電池１を例に挙げて説明する。但し、太陽電池１は、単なる例示である。本発明に係る太陽電池及びその製造方法は、太陽電池１及びその製造方法に何ら限定されない。

また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。

なお、本実施形態の太陽電池１は、単独で用いることもできるが、太陽電池１単体では、十分に大きな出力が得られない場合は、太陽電池１は、複数の太陽電池１が配線材により接続された太陽電池モジュールとして利用されることもある。

図１及び図２に示すように、太陽電池１は、太陽電池基板１０を備えている。太陽電池基板１０は、半導体基板１５と、半導体基板１５の裏面１５ａの所定領域にそれぞれ配されたｎ型非晶質半導体層１４ｎ及びｐ型非晶質半導体層１４ｐとを備えている。

本実施形態では、半導体基板１５は単結晶シリコンからなる。このため半導体基板１５は、角部が面取り状である矩形状である。このため、半導体基板１５は、ｙ方向に対向している一対の端縁部１５Ａ，１５Ｂと、ｘ方向に対向している一対の端縁部とを有している。なお、半導体基板１５が多結晶シリコンからなる場合、角部に面取り部を有さない四角形状の形状を有していてもよい。

半導体基板１５は、裏面１５ａと、受光面１５ｂとを有する。半導体基板１５は、受光面１５ｂにおいて、光を受光することによってキャリアを生成する。ここで、キャリアとは、光が半導体基板１５に吸収されることにより生成される正孔及び電子のことである。半導体基板１５は、ｎ型またはｐ型の導電型を有する結晶性半導体基板により構成されている。結晶性半導体基板の具体例としては、例えば、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板などの結晶シリコン基板が挙げられる。以下、本実施形態では、半導体基板１５が、ｎ型の導電性を有する結晶シリコン基板により構成されている場合について説明する。

ｎ型非晶質半導体層１４ｎとｐ型非晶質半導体層１４ｐとは、それぞれ半導体基板１５の裏面１５ａの上の所定領域に形成されている。例えば、ｎ型非晶質半導体層１４ｎとｐ型非晶質半導体層１４ｐとのそれぞれは、くし歯状に形成されている。これらｎ型非晶質半導体層１４ｎ及びｐ型非晶質半導体層１４ｐの表面と、裏面１５ａの露出部とによって、太陽電池基板１０の裏面１０ａが構成されている。一方、太陽電池基板１０の受光面１０ｂは、半導体基板１５の受光面１５ｂによって構成されている。なお、太陽電池基板１０の受光面１０ｂは、半導体基板１５の受光面１５ｂの略全面上に形成されたパッシベーション膜または反射防止膜の受光面によって構成することもできる。

例えば、半導体基板１５の受光面１５ｂの上に、半導体層や保護膜などが形成されていてもよい。例えば、受光面１５ｂの上に、実質的に発電に寄与しない程度の厚みのｉ型非晶質半導体層と、半導体基板１５と同じｎ型の非晶質半導体層と、反射抑制膜としての機能を兼ね備えた保護膜とをこの順番で積層してもよい。その場合は、太陽電池基板１０の受光面１０ｂは、保護膜の表面により構成されることとなる。

本実施形態において、ｎ型非晶質半導体層１４ｎは、水素を含むｎ型のアモルファスシリコンにより形成されている。一方、ｐ型非晶質半導体層１４ｐは、水素を含むｐ型のアモルファスシリコンにより形成されている。ｐ型及びｎ型非晶質半導体層１４ｐ、１４ｎのそれぞれの厚みは、特に限定されないが、例えば、２０Å〜５００Å程度とすることができる。

なお、半導体基板１５とｎ型非晶質半導体層１４ｎとの間、及び半導体基板１５とｐ型非晶質半導体層１４ｐとの間のそれぞれに、ｉ型非晶質半導体層を介在させてもよい。この場合、ｉ型非晶質半導体層は、水素を含むｉ型のアモルファスシリコン層により構成されていることが好ましい。ｉ型のアモルファスシリコン層の厚みは、例えば数Å〜２５０Å程度の、発電に実質的に寄与しない程度の厚みであることが好ましい。

図２に示すように、ｐ型非晶質半導体層１４ｐの上には、ｐ側電極１７ｐが形成されている。一方、ｎ型非晶質半導体層１４ｎの上には、ｎ側電極１７ｎが形成されている。

ｐ側電極１７ｐ及びｎ側電極１７ｎのそれぞれは、電気的に短絡しないよう互いに所定の間隔を隔てて配されている。例えば、ｐ側電極１７ｐ及びｎ側電極１７ｎのそれぞれは、くし歯状の形状にされている。ｐ側電極１７ｐは、バスバー部１７ｐ１と、複数のフィンガー電極部１７ｐ２とを有する。バスバー部１７ｐ１は、半導体基板１５のｙ１側の端縁部１５Ａに位置している。バスバー部１７ｐ１は、ｘ方向に沿って延びる線状に形成されている。複数のフィンガー電極部１７ｐ２は、バスバー部１７ｐ１から、ｙ２側に向かって、ｘ方向に対して垂直なｙ方向に沿って延びている。

ｎ側電極１７ｎは、バスバー部１７ｎ１と、複数のフィンガー電極部１７ｎ２とを有する。バスバー部１７ｎ１は、半導体基板１５のｙ２側の端縁部１５Ｂに位置している。バスバー部１７ｎ１は、ｘ方向に沿って延びる線状に形成されている。複数のフィンガー電極部１７ｎ２は、バスバー部１７ｎ１から、ｙ１側に向かって、ｙ方向に沿って延びている。複数のフィンガー電極部１７ｎ２と複数のフィンガー電極部１７ｐ２とは、ｘ方向において交互に配列されている。

上述の通り、本実施形態では、半導体基板１５がｎ型であるため、ｎ側電極１７ｎが、多数キャリアである電子を収集する電極である。一方、ｐ側電極１７ｐが、少数キャリアである正孔を収集する電極である。

ｐ側電極１７ｐ及びｎ側電極１７ｎのそれぞれの材質は特に限定されない。ｐ側電極１７ｐ及びｎ側電極１７ｎのそれぞれは、例えば、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｐｄなどの金属やそれらの金属の一種以上を含む合金により形成することができる。ｐ側電極１７ｐ及びｎ側電極１７ｎのそれぞれの形成方法も特に限定されない。ｐ側電極１７ｐ及びｎ側電極１７ｎのそれぞれは、例えば、金属や合金などからなる導電性粒子を含む樹脂型の導電性ペーストを塗布することにより形成されていてもよいし、めっきにより形成されていてもよい。また、ｐ側電極１７ｐ及びｎ側電極１７ｎのそれぞれは、蒸着法やスパッタ法等によって形成されていてもよい。

本実施形態において、図３に示すように、半導体基板１５の裏面１５ａには、複数のアライメントマークが設けられている。具体的には、裏面１５ａには、２つのアライメントマーク１２ａ、１２ｂが設けられている。アライメントマーク１２ａ、１２ｂは、端縁部１５Ａ及び１５Ｂのうちの一方の端縁部に設けられており、他方には設けられていない。具体的には、本実施形態では、アライメントマーク１２ａ、１２ｂは、多数キャリアを収集するｎ側電極１７ｎのバスバー部１７ｎ１が配置されている端縁部１５Ｂに設けられている。より具体的には、アライメントマーク１２ａ、１２ｂは、端縁部１５Ｂにおいて、バスバー部１７ｎ１の下に形成されている。

本実施形態においては、アライメントマーク１２ａ、１２ｂのそれぞれは、バスバー部１７ｎ１に隠れる部分に位置する半導体基板１５の裏面１５ａに形成された凹部により構成されている。この凹部は、ｎ型非晶質半導体層１４ｎの厚みよりも大きな深さを有する。すなわち、半導体基板１５の裏面１５ａに設けられているアライメントマーク１２ａ、１２ｂは、ｎ型及びｐ型非晶質半導体層１４ｎ、１４ｐが形成され、ｎ側電極１７ｎ及びｐ側電極１７ｐを形成する際にも外部から確認可能な深さに形成されている。このため、ｎ側電極１７ｎ及びｐ側電極１７ｐの形成に際しても、アライメントマーク１２ａ、１２ｂを用いて半導体基板１５の位置を検出することができる。なお、アライメントマーク１２ａ、１２ｂは、ｎ側電極１７ｎ及びｐ側電極１７ｐ形成後において視認可能であってもよいし、視認不能であってもよい。

本発明において、アライメントマークは、凹部でなくてもよい。例えば、半導体基板の裏面の上に他の層を形成することによりアライメントマークを形成してもよい。

アライメントマーク１２ａ、１２ｂの形状は、特に限定されない。アライメントマーク１２ａ、１２ｂは、例えば、十文字状等の、複数の線分が交差した形状を有していてもよいし、ドット状の形状を有していてもよい。或いは、アライメントマーク１２ａ、１２ｂは、円形状の形状を有していてもよいし、三角形状、矩形状等他の形状を有していてもよい。

次に、太陽電池１の製造方法の一例について説明する。

まず、半導体基板１５の裏面１５ａにアライメントマーク１２ａ、１２ｂを形成する。アライメントマーク１２ａ、１２ｂの形成方法は、特に限定されない。アライメントマーク１２ａ、１２ｂは、例えば、レーザーの照射や、エッチング或いは機械的加工など種々の方法により形成することができる。

次に、裏面１５ａの所定領域に、ｎ型非晶質半導体層１４ｎ及びｐ型非晶質半導体層１４ｐをそれぞれ形成する。ｎ型非晶質半導体層１４ｎ及びｐ型非晶質半導体層１４ｐは、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより形成することができる。

このｎ型非晶質半導体層１４ｎ及びｐ型非晶質半導体層１４ｐを形成する工程においては、撮像装置などの検出手段を用いてアライメントマーク１２ａ、１２ｂを検出し、その検出位置に基づいてｎ型非晶質半導体層１４ｎ及びｐ型非晶質半導体層１４ｐを形成する。このため、ｎ型非晶質半導体層１４ｎ及びｐ型非晶質半導体層１４ｐを高い位置精度で形成することができる。よって、ｎ型非晶質半導体層１４ｎとｐ型非晶質半導体層１４ｐとの間の間隔を小さくすることができる。従って、光電変換効率がより高い太陽電池１の製造が可能となる。

次に、ｎ側電極１７ｎ及びｐ側電極１７ｐを形成する。ｎ側電極１７ｎ及びｐ側電極１７ｐは、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、めっき法などの薄膜形成方法や、導電性ペーストを用いた方法などにより形成することができる。

このｎ側電極１７ｎ及びｐ側電極１７ｐを形成する工程においても、ｎ型非晶質半導体層１４ｎ及びｐ型非晶質半導体層１４ｐを形成する工程と同様に、撮像装置などの検出手段を用いてアライメントマーク１２ａ、１２ｂを検出し、その検出位置に基づいてｎ側電極１７ｎ及びｐ側電極１７ｐを形成する。このため、ｎ側電極１７ｎ及びｐ側電極１７ｐを高い位置精度で形成することができる。従って、光電変換効率がより高い太陽電池１の製造が可能となる。

以上説明したように、本実施形態では、複数のアライメントマーク１２ａ、１２ｂの両方を端縁部１５Ａ，１５Ｂのうちの一方に形成する。同じ端縁部の場合、アライメントマーク１２ａ、１２ｂの上に形成される膜の構成は同じである。このため、膜面の相違に起因するアライメントマーク１２ａ、１２ｂの検出誤差は生じにくく、高精度な位置検出が可能となる。よって、ｎ側電極１７ｎ及びｐ側電極１７ｐを高い位置精度で形成することができる。従って、太陽電池１の光電変換効率を高めることができる。

また、本実施形態のように、複数のアライメントマーク１２ａ、１２ｂの両方を端縁部１５Ａ，１５Ｂのうちの一方に形成することにより、半導体基板１５の向きの判別が容易となる。従って、太陽電池の製造工程における半導体基板１５の向き判別ミスを少なくすることができる。

また、本実施形態では、ｎ側電極１７ｎが設けられている端縁部１５Ｂにアライメントマーク１２ａ、１２ｂが設けられている。ｎ側電極１７ｎは、多数キャリアである電子を収集する電極であるため、端縁部１５Ｂは、キャリアの収集に与える影響が小さい。このため、アライメントマーク１２ａ、１２ｂを形成することによって、端縁部１５Ｂに構造欠陥が生じた場合であっても、太陽電池１の光電変換効率が低下しにくい。従って、アライメントマーク１２ａ、１２ｂを形成することによる光電変換効率の低下を効果的に抑制することができる。

また、本実施形態では、アライメントマーク１２ａ、１２ｂが形成されている領域の上に、バスバー部１７ｎ１が形成されている。このため、キャリアの収集可能な領域が広い。従って、より高い光電変換効率を実現することができる。

なお、さらに高い光電変換効率を得る観点からは、形成するアライメントマークの数量を１つにすることが好ましい。しかしながら、この場合は、半導体基板の位置を二次元的に確定することが困難となる。半導体基板１５の位置を二次元的に正確に検出できるようにする観点からは、本実施形態のように、アライメントマークを複数設けることが好ましい。

以下、本発明を実施した好ましい形態の他の例について説明する。なお、以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。

（第２の実施形態）
図４は、第２の実施形態に係る太陽電池の略図的平面図である。

上記第１の実施形態では、アライメントマーク１２ａ、１２ｂがバスバー部１７ｎ１の下に設けられている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、図４に示すように、アライメントマーク１２ａ、１２ｂは、ｎ側電極１７ｎ及びｐ側電極１７ｐが形成されていない領域に形成されていてもよい。

具体的には、本実施形態では、バスバー部１７ｎ１に切欠部１８ａ、１８ｂが形成されており、その切欠部１８ａ、１８ｂにアライメントマーク１２ａ、１２ｂが形成されている。アライメントマーク１２ａ、１２ｂの上には、ｐ型非晶質半導体層１４ｐ及びｎ型非晶質半導体層１４ｎも形成されていない。このため、アライメントマーク１２ａ、１２ｂの深さを浅くすることができる。従って、半導体基板１５に構造欠陥が生じることを効果的に抑制することができる。

（第３の実施形態）
図５は、第３の実施形態に係る太陽電池の略図的平面図である。

上記第１の実施形態では、複数のアライメントマーク１２ａ、１２ｂを形成する例について説明した。但し、本発明において、マークは、アライメントマークに限定されない。例えば、図５に示すように、一つの製品情報マーク１２ｃを形成してもよいし、上記第１の実施形態のアライメントマーク１２ａ、１２ｂに加えて、製品情報マーク１２ｃを形成してもよい。

なお、製品情報マーク１２ｃとは、製造年月日、製造ライン、ロット番号、使用した半導体基板の種類、ロット番号などの太陽電池１に関する何らかの情報が識別可能なマークである。製品情報マーク１２ｃは、例えば、数字の羅列であってもよいし、バーコードやＱＲコード（登録商標）などの図形であってもよい。

（第４の実施形態）
図６は、第４の実施形態に係る太陽電池の略図的断面図である。

上記第１の実施形態では、太陽電池基板１０が、半導体基板１５と、ｎ型非晶質半導体層１４ｎと、ｐ型非晶質半導体層１４ｐとにより構成されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、図６に示すように、ｐ型のドーパントが拡散しているｐ型ドーパント拡散領域１０ａｐと、ｎ型のドーパントが拡散しているｎ型ドーパント拡散領域１０ａｎとが表面に露出するように形成されている半導体基板１５を用い、半導体基板１５の直上にｎ側電極１７ｎとｐ側電極１７ｐとを形成してもよい。この場合は、アライメントマーク１２ａ、１２ｂは、ｎ側電極１７ｎ及びｐ側電極１７ｐの形成の際に用いられると共に、ｐ型ドーパント拡散領域１０ａｐ及びｎ型ドーパント拡散領域１０ａｎの形成の際にも位置決めの指標として用いられる。

１…太陽電池
１０…太陽電池基板
１０ａｎ…ｎ型ドーパント拡散領域
１０ａｐ…ｐ型ドーパント拡散領域
１２ａ、１２ｂ…アライメントマーク
１２ｃ…製品情報マーク
１４ｎ…ｎ型非晶質半導体層
１４ｐ…ｐ型非晶質半導体層
１５…半導体基板
１５Ａ，１５Ｂ…端縁部
１５ａ…半導体基板の裏面
１５ｂ…半導体基板の受光面
１７ｎ…ｎ側電極
１７ｐ…ｐ側電極
１７ｎ１、１７ｐ１…バスバー部
１７ｎ２、１７ｐ２…フィンガー電極部

Claims (10)

1. 互いに対向している第１及び第２の端縁部を含む半導体基板と、
   前記半導体基板の一の主面上に設けられ、前記第１の端縁部に位置している第１の部分と、前記第１の部分から前記第２の端縁部側に向かって延びている複数の第１の線状部とを有する第１の電極と、
   前記半導体基板の前記一の主面上に設けられ、前記第２の端縁部に位置している第２の部分と、前記第２の部分から前記第１の端縁部側に向かって延びている複数の第２の線状部とを有する第２の電極と、
   を備え、
   前記半導体基板は、前記一の主面にマークを有し、
   前記マークは、前記第１及び第２の端縁部の一方に形成されている、太陽電池。
2. 前記第１の電極が多数キャリアを収集する電極である一方、前記第２の電極が少数キャリアを収集する電極であり、
   前記マークは、前記第１の端縁部に形成されている、請求項１に記載の太陽電池。
3. 前記マークとして、複数のアライメントマークが形成されている、請求項１または２に記載の太陽電池。
4. 前記マークとして、製品情報マークが形成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の太陽電池。
5. 前記マークは、第１または第２の端縁部の、前記第１または第２の部分が設けられている部分以外の部分に形成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の太陽電池。
6. 前記マークは、前記第１または第２の部分の下に形成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の太陽電池。
7. 前記半導体基板と、前記半導体基板の前記一の主面上に配された、第１の導電型を有する第１の半導体層と第２の導電型を有する第２の半導体層とを有する太陽電池基板を備え、
   前記第１の電極は、前記第１の半導体層の上に設けられ、
   前記第２の電極は、前記第２の半導体層の上に設けられている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の太陽電池。
8. 前記マークは、前記第１及び第２の半導体層のうちの一方の下に配されており、
   前記マークは、前記第１及び第２の半導体層のうちの一方の厚みよりも深い凹部により構成されている、請求項７に記載の太陽電池。
9. 前記半導体基板は、前記一の主面に露出しているｐ型ドーパント拡散領域及びｎ型ドーパント拡散領域とを有し、
   前記第１の電極が、前記ｐ型ドーパント拡散領域及び前記ｎ型ドーパント拡散領域のうちの一方の上に設けられ、
   前記第２の電極が、前記ｐ型ドーパント拡散領域及び前記ｎ型ドーパント拡散領域のうちの他方の上に設けられている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の太陽電池。
10. 互いに対向している第１及び第２の端縁部を含み、一の主面において、前記第１及び第２の端縁部の一方に設けられた複数のアライメントマークを有する半導体基板と、
    前記半導体基板の前記一の主面上に設けられ、前記第１の端縁部に位置している第１の部分と、前記第１の部分から前記第２の端縁部側に向かって延びている複数の第１の線状部とを有する第１の電極と、
    前記半導体基板の前記一の主面上に設けられ、前記第２の端縁部に位置している第２の部分と、前記第２の部分から前記第１の端縁部側に向かって延びている複数の第２の線状部とを有する第２の電極と、
    を備える太陽電池の製造方法であって、
    前記複数のアライメントマークの位置を検出することにより検出した前記半導体基板の位置に基づいて前記第１及び第２の電極を形成する、太陽電池の製造方法。

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