JP2011065777A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

【課題】高画質で長寿命なＰＤＰを実現することのできる技術を提供する。
【解決手段】保護層は、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層をその背面側に有しており、放電セルＣの正面視において表示電極対（維持電極Ｘ及び走査電極Ｙ）とアドレス電極Ｚとの交差領域（第１領域）と、この交差領域以外の領域（第２領域）Ｅ１とを定義し、交差領域（第１領域）の電子放出層を構成する酸化マグネシウム結晶体の面密度を、交差領域以外の領域（第２領域）Ｅ１の電子放出層を構成する酸化マグネシウム結晶体の面密度の半分以下とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、テレビなどの表示装置に用いられるプラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：以下、ＰＤＰとも称する）に適用して有効な技術に関するものである。

プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、気体放電により発生する真空紫外線により蛍光体を発光させるマトリックス型表示装置である。最も実用化が進んでいる方式である交流面放電型ＰＤＰを用いたプラズマディスプレイデバイスの一種であるプラズマテレビ（ＰＤＰ−ＴＶ）は大画面薄型テレビ市場でその地位を築きつつあると同時に、液晶その他競合デバイスとの競争が激化している。

ＰＤＰにおける一般的な画像の階調表示方式としてＡＤＳ（Address Display-Period Separation）方式がある。ＡＤＳ方式では、１枚の画を表示するために要する１ＴＶフィールド（１／６０ｓ）を所定の輝度比を有する複数のサブフィールドに分割し、それらのサブフィールドを画像に応じて選択的に発光させ、輝度の違いにより諧調を表現する。さらにサブフィールドは、リセット期間、アドレス期間、及びサステイン期間からなる。リセット期間では、マトリクス配列された全ての放電セル内の壁電圧をほぼ均一に揃えるため、表示電極対間に放電開始電圧以上の電圧を印加して、全ての放電セルでリセット放電を行う。アドレス期間では、全ての放電セルの中で点灯させる放電セルのみに、適量の壁電荷を形成するアドレス放電を行う。サステイン期間では、その壁電荷を利用して表示データの階調値に応じた回数のサステイン放電を行う。

ＰＤＰの低消費電力化は、環境への負荷を低減するために重要な課題である。そのため、にＰＤＰの発光効率向上の改善検討が進められている。従来からＰＤＰの発光効率向上の手段としては、Ｎｅを主成分とする放電ガス中のＸｅガスの組成比を増加する方法が知られている。しかし、Ｘｅガスの分圧を増大させると、放電電圧が上昇して保護層へのイオン衝撃が大きくなるためＰＤＰの寿命の低下を招くという問題、及びアドレス放電遅れの増大といった問題が起きることがある。

近年は、高解像度デジタル放送に向けたフルＨＤ（High Definition）対応化（高精細化）が進んでいる。高精細化すると走査線数が増加するため、セルの点灯／非点灯を決めるアドレス操作の時間が増大する。アドレス期間の割合が増加すると、高輝度化及び高コントラスト化に重要なサステイン期間の割合が減少してしまう。

アドレス操作の時間が増大するのを抑えるためには、アドレス放電用電圧（アドレス電圧ともいう）のパルス幅を小さくする必要がある。しかし、電圧を印加してから放電が起こるまでの時間（アドレス放電遅れ）にばらつきがあるため、アドレス電圧のパルス幅が小さ過ぎると放電が起きないことがあり得る。その場合、表示期間においてセルが正しく点灯しないため、画質の劣化を招くという問題がある。従って、ＰＤＰの高画質化のためには、アドレス放電遅れの短縮が必要である。

このアドレス放電遅れの問題に対して、例えば特開２００６−１１４４８４号公報（特許文献１）では、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層を保護層上に形成することでアドレス放電遅れを短縮できることが開示されている。酸化マグネシウム結晶体は、アドレス放電前に行われるリセット放電により励起され、その後少しずつ電子を放出すると推測されている。放出された電子が放電の種となるため、アドレス放電が起こりやすくなりアドレス放電遅れが短縮されると考えられている。

また、特開２００８−２８２６２４号公報（特許文献２）では、背面基板に対向する側に正面視においてバス電極の範囲内に収まるように酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層を形成することを提案している。そこでは電子放出層は、蛍光体からの光を完全には透過させず、輝度の低下が懸念されるが、元々遮光される部分に電子放出層を配置することで輝度の低下を防ぐことを目的としている。

特開２００６−１１４４８４号公報 特開２００８−２８２６２４号公報

ＰＤＰは気体放電を利用した発光デバイスである。誘電体層を覆う保護層はサステイン放電の際に発生するプラズマに常に晒されている。ＰＤＰの長寿命化及び高信頼性を実現するためには、保護層の耐スパッタ性の向上は重要な課題である。

しかしながら、保護層上に電子放出層を形成することによる保護層のスパッタ耐性への影響は、前記特許文献１及び２において検討されていない。

そこで本発明者らは、電子放出層を形成したＰＤＰを試作し、保護層の耐スパッタ性について検討した。試作したパネルでは、ＨＤパネルの画素構造及び透明電極は帯形状とした。酸化マグネシウム結晶体の粒径は０．５μｍ〜数μｍ程度であり、パネル面内分布が均一となるように散布した。

試作したパネルは、点灯試験を長時間行った後に分解し、その保護層の表面形状を分析装置によって観察した。その結果、電子放出層のない保護膜では、図２４の光学顕微鏡の写真像に例示するように、電極領域に放電痕とその周辺に黒ずんだ堆積物が見られた。これに対して、酸化マグネシウム結晶を散布した電子放出層のある保護層では、図２５の光学顕微鏡による写真像に例示するように、電極領域には放電痕とともに、酸化マグネシウム結晶を核とした結晶成長により再堆積が無数に発生していることが明らかになった。

そこで本発明者らは、電子放出層を形成した保護層の断面を観察した。その結果、電子放出層のない保護膜では、図２６のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）写真像に例示するように、電極領域が平滑に掘れていた。これに対して、酸化マグネシウム結晶を散布した電子放出層のある保護層では、図２７のＳＥＭ写真像に例示するように、その放電痕部に、再堆積の周り数μｍの局所的な領域に、電子放出層のない保護層と比べて深い掘れが偏在することが明らかになった。

従って、特に電界強度の強い放電ギャップ付近の領域の保護膜上に酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層を形成すると、再堆積の周辺でサステイン放電時のイオン衝撃による保護層の耐スパッタ性を低下させてしまう。

本発明の目的は、高画質で長寿命なＰＤＰを実現することのできる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態を簡単に説明すれば、次のとおりである。

この実施の形態は、放電空間を介して対向する前面基板及び背面基板と、前面基板の背面側に第１方向に沿って一定の幅を有する放電ギャップを介して配置され、第１方向と直交する第２方向に沿って延びる維持電極及び走査電極と、維持電極と走査電極とからなる複数の表示電極対と、表示電極対を覆う誘電体層と、誘電体層を覆う保護層と、背面基板の表示側に配置され、第１方向に沿って延びる複数のアドレス電極と、表示電極対とアドレス電極とが放電空間を介して対向して形成される複数の放電セルとを有するプラズマディスプレイパネルである。保護層の背面側に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層を有し、放電セルの正面視において表示電極対とアドレス電極との交差領域、及びこの交差領域以外の領域が定義され、交差領域における電子放出層を構成する酸化マグネシウム結晶体の面密度が、交差領域以外の領域の全部または一部における電子放出層を構成する酸化マグネシウム結晶体の面密度の半分以下である。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層を活用する際に生じる保護層の耐スパッタ性の低下を抑制し、アドレス放電遅れの短縮と保護層の耐スパッタ性の向上を両立することにより、高画質で長寿命なＰＤＰを実現することができる。

本発明の実施の形態１によるＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態１によるＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す分解斜視図である。 図１のＩ−Ｉ´線における要部断面図である。 本発明の実施の形態２による第１例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態２による第２例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態２による第３例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態２による第４例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態２による第５例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態２による第６例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態３による第１例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態３による第２例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態３による第３例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態３による第４例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態３による第５例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態３による第６例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態３による第７例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態４による第１例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態４による第２例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態４による第３例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態４による第４例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態４による第５例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態４による第６例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明の実施の形態４による第７例のＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。 本発明者によって検討された電子放出層を形成しない保護膜の表面における放電痕の光学顕微鏡写真像である。 本発明者によって検討された電子放出層を形成した保護膜の表面における放電痕の光学顕微鏡写真像である。 本発明者によって検討された電子放出層を形成しない保護膜の断面ＳＥＭ写真像である。 本発明者によって検討された電子放出層を形成した保護膜の断面ＳＥＭ写真像である。

以下の実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

また、以下の実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。また、以下の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

（実施の形態１）
本実施の形態１によるＰＤＰを図１〜図３を用いて説明する。図１は、ＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図、図２は、ＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す分解斜視図、図３は、図１のＩ−Ｉ´線における要部断面図である。

ＰＤＰ１は、ガラス製の前面基板１Ａなどからなる前面板Ａとガラス製の背面基板１Ｂなどからなる背面板Ｂとが、放電空間Ｄを介して対向して配置された構造であり、これら基板間には複数の放電セルＣが形成されている。

放電セルＣに電圧を印加するため、前面基板１Ａの背面側には、第２方向（図中のＹ軸方向）に沿って平行に、放電ギャップＧと呼ばれる一定の距離を隔てて、維持電極Ｘと走査電極Ｙとからなる表示電極対ＸＹが複数形成される。維持電極Ｘは帯形状の透明電極（第１透明電極）Ｘａとこの透明電極Ｘａの背面側に形成されたバス電極（第１バス電極）Ｘｂとからなり、バス電極Ｘｂの幅（第２幅）は透明電極Ｘａの幅（第１幅）よりも小さい。同様に、走査電極Ｙは帯形状の透明電極（第２透明電極）Ｙａとこの透明電極Ｙａの背面側に形成されたバス電極（第２バス電極）Ｙｂとからなり、バス電極Ｙｂの幅（第４幅）は透明電極Ｙａの幅（第３幅）よりも小さい。透明電極Ｘａ及び透明電極Ｙａは、表示面から発光を取り出すために、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide、酸化インジウムスズ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの透明電極材料からなる。バス電極Ｘｂ及びバス電極Ｙｂは、透明電極の導電性を補うために、銀（Ａｇ）の他、アルミニウム（Ａｌ）などからなる金属膜、またはクロム（Ｃｒ）／銅（Ｃｕ）／クロム（Ｃｒ）の積層膜などからなる。

表示電極対ＸＹは、ガラス系の材料からなる誘電体層２Ａに被覆され、表示電極対ＸＹは交流放電から絶縁される。誘電体層２Ａは、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層３に被覆される。

保護層３の役割は、大きく三つある。第１の役割は、放電の際に発生するプラズマから誘電体層２Ａを保護し、イオン衝撃から誘電体層２Ａを防ぐ役割である。第２の役割は、イオン入射による二次電子の放出による放電開始電圧を低下させる作用である。第３の役割は、放電の種火となる電子を放出してプラズマを発生・持続させる役割、特に荷電粒子であるプライミング電子を放出して放電開始を促進する役割である。プライミング電子とは放電の種火となる電子のことである。

保護層３は、その背面側に酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅを有する。酸化マグネシウム結晶体は、二次電子放出係数が大きく、アドレス放電遅れを短縮するための電子放出材料として機能する。

放電セルＣの正面視において表示電極対ＸＹとアドレス電極Ｚとの交差領域（第１領域）、及びこの交差領域以外の領域（第２領域）Ｅ１が定義される。図１中、網掛けのハッチングを付した領域が上記第２領域Ｅ１である。そして交差領域（第１領域）の電子放出層Ｅを構成する酸化マグネシウム結晶体の面密度が、交差領域以外の領域（第２領域）の電子放出層Ｅを構成する酸化マグネシウム結晶体の面密度の半分以下であることを特徴としている。

一方、ガラス製の背面基板１Ｂの表示側には、銀などで構成されるアドレス電極Ｚが、第１方向（図中のＸ軸方向）に沿って一定の距離を隔てて平行に形成される。アドレス電極Ｚは、ガラス系の材料からなる誘電体層２Ｂにより被覆される。誘電体層２Ｂの表示側には、同じくガラス系の材料からなる隔壁４が形成される。隔壁４間には赤、青、及び緑色の各蛍光体層５が第２方向（Ｙ軸方向）に周期的に形成されている。

隔壁４は、隣接するアドレス電極Ｚ間の中央を延びる（第１方向（Ｘ軸方向）に沿って延びる）縦隔壁４Ｘと、隣接する表示電極対ＸＹ間の中央を延びる（第２方向（Ｙ軸方向）に沿って延びる）横隔壁４Ｙとによって格子状に形成される。この隔壁４によって、前面基板１Ａと背面基板１Ｂとの間の放電空間Ｄが、方形に区画された放電セルＣに分割される。

放電セルの正面視において前面基板１Ａ側の表示電極対ＸＹと背面基板１Ｂ側のアドレス電極Ｚとが互いに概略直交するように（場合によっては、単に互いに交差するように）、前面基板１Ａと背面基板１Ｂとが対向配置され、基板周辺部に塗布された低融点ガラス（シールガラス）により封着される。両基板間の隙間部分である放電空間ＤにはＮｅ＋Ｘｅの混合ガス、またはＨｅ＋Ｎｅ＋Ｘｅの混合ガスなどの放電ガスが封入され、両基板間に複数の放電セルＣが形成される。放電ガスは放電により真空紫外線が背面基板１Ｂに配置した蛍光体層５を励起して、可視光を発する。ＰＤＰ装置では各放電セルＣに用いられる蛍光体層５としてそれぞれ、赤、緑、及び青に発光する蛍光体を用い、これらを塗り分けることにより、フルカラー表示を行う。

本実施の形態１では、電子放出材料として酸化マグネシウムを用いたが、これに限らず例えば、仕事関数の小さい、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属弗化物やアルカリ土類金属弗化物を用いてもよい。

酸化マグネシウム結晶体の製造方法は、特に限定されないが、マグネシウムを過熱して発生するマグネシウム蒸気を酸素と反応させる気相法で製造することが好ましく、例えば、特開２００４−１８２５２１号公報に記載された方法、または『材料』昭和６２年１１月号、第３６巻第４１０号の第１１５７〜１１６１頁の『気相法によるマグネシア粉末の合成とその性質』に記載された方法で製造することができる。気相法で製造することが好ましいのは、気相法により酸化マグネシウム結晶体を製造すると、純度の高い単結晶体が得られるからである。

酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅの形成方法は、特に限定されない。例えば、電子放出層Ｅの形状に対応した開口部を有するマスクを準備し、この開口部が電子放出層Ｅを形成する部位に位置するようにマスクを配置した状態で酸化マグネシウム結晶体を保護層３上に付着させることによって形成させることができる。

酸化マグネシウム結晶体を付着させる方法は、特に限定されない。例えば、粉末状の酸化マグネシウム結晶体をそのまま、または分散媒に分散させた状態で保護層３に向けて散布する方法が挙げられる。また、スクリーン印刷によって、酸化マグネシウム結晶体を保護層３上に付着させてもよい。また、電子放出層Ｅは、開口部を有するマスクを用いる代わりに、ディスペンサーやインクジェット装置を用いて電子放出層Ｅを形成する部位に酸化マグネシウム結晶体を含むペーストや懸濁液を付着させることによって形成してもよい。

前述したように、本実施の形態１によるＰＤＰでは、保護層３は、その背面側に酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅを有し、放電セルＣの正面視において表示電極対ＸＹとアドレス電極Ｚとの交差領域（第１領域）、及びこの交差領域以外の領域（第２領域）Ｅ１が定義され、電子放出層Ｅを構成する酸化マグネシウム結晶体の面密度が、上記交差領域（第１領域）では上記交差領域以外の領域（第２領域）Ｅ１の半分以下であることを特徴としている。

放電セルＣの正面視において表示電極対ＸＹとアドレス電極Ｚとの交差領域以外の領域（第２領域）Ｅ１では、バス電極Ｘｂ上、バス電極Ｙｂ上、及び縦隔壁４Ｘ周辺に酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅが形成されているが、この領域（第２領域）Ｅ１のバス電極Ｘｂ及びバス電極Ｙｂは、放電強度の強い放電ギャップから離れているので、サステイン放電によるイオン衝撃の影響が比較的少なく、保護層３のスパッタ寿命に大きな影響は及ぼさない。縦隔壁４Ｘ周辺の表示電極対ＸＹの領域では、保護層３は少なからず放電によるイオン衝撃の際に電子放出層Ｅの影響を受けるが、放電により発生したプラズマは放電セルＣ内に閉じ込められるため、縦隔壁４Ｘの周辺部に対向する保護層３では、放電によるイオン衝撃の影響は比較的少なく、保護層３のスパッタ寿命に大きな影響は及ぼさない。

このように、放電によるイオン衝撃の影響をあまり受けない、表示電極対ＸＹとアドレス電極Ｚとの交差領域（第１領域）を除いた領域（第２領域）Ｅ１に限定して電子放出層Ｅを形成することによって、保護層３の耐スパッタ性を悪化させることなく、アドレス放電遅れを短縮することができる。

なお、放電によるイオン衝撃の影響をあまり受けない、表示電極対ＸＹとアドレス電極Ｚとの交差領域（第１領域）において酸化マグネシウム結晶体の面密度は厳密にゼロである必要はなく、その量を低く抑えていれば電子放出層Ｅに起因した保護層３のスパッタ劣化の抑制に効果がある。積極的に電子放出層Ｅを形成する領域（第１領域）に対して、酸化マグネシウム結晶体の面密度が半分以下に低減されている領域（第２領域）が確認された場合に、本技術を適用していると判定することができる。酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅを形成した領域（第１領域）の境界において、その散布濃度は連続的に緩やかに変化していてもよい。

また、前述した特許文献１では、電界強度の強い行電極対の先端部を含む領域に酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層（結晶酸化マグネシウム層）が形成されるため、行電極対の先端部において保護層のスパッタ劣化の増大が懸念される。しかし、本実施の形態１では、前述したように、電子放出層Ｅは放電によるイオン衝撃の影響をあまり受けない領域（第２領域）Ｅ１に限定して形成することによって、アドレス放電遅れの短縮と保護層３のスパッタ劣化の抑制とを両立させることができる。

また、本実施の形態１によるＰＤＰの構成は、維持電極Ｘ及び走査電極Ｙの形状に限定されるものではない。他の電極の形状の場合については、実施の形態３及び４において具体的に述べる。

（実施の形態２）
前述した実施の形態１では、電子放出層Ｅが、表示電極対ＸＹとアドレス電極Ｚとの交差領域（第１領域）を除いた領域（第２領域）Ｅ１の保護層３の背面側の全部に形成されることを特徴とした。しかしながら、本実施の形態２では、表示電極対ＸＹとアドレス電極Ｚとの交差領域（第１領域）を除いた領域（第２領域）Ｅ１の保護層３の背面側の一部に電子放出層Ｅを形成することを特徴としている。

本実施の形態２によるＰＤＰの互いに異なる領域に電子放出層を形成した第１例〜第６例をそれぞれに対応する図４〜図９を用いて説明する。図４〜図９は、ＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。

本実施の形態２による第１例のＰＤＰは、図４に示すように、維持電極Ｘと走査電極Ｙとの間で、その幅を放電ギャップＧと同じくする第２方向（Ｙ軸方向）へ沿って延びる帯形状の領域Ｅ２に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅが形成される。酸化マグネシウム結晶体は、二次電子放出係数が大きく、電子放出材料として機能する。

このように、電子放出層Ｅを形成する領域を、放電によるイオン衝撃の影響をほとんど受けない維持電極Ｘと走査電極Ｙとの間の帯形状の領域Ｅ２に制限することによって、保護層３の耐スパッタ性を全く低下させることなくアドレス放電遅れを短縮することができる。

本実施の形態２による第２例のＰＤＰは、図５に示すように、維持電極Ｘと走査電極Ｙとの間で、その幅を放電ギャップＧと同じくする第２方向（Ｙ軸方向）へ沿って延びる領域で、かつ、第１方向（Ｘ軸方向）へ沿って延びるアドレス電極Ｚの直上の四角形状の領域Ｅ３に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅが部分的に形成される。

この場合、製造工程においてマスクの合わせズレなどへの注意が必要となるが、電子放出層Ｅを構成する酸化マグネシウム結晶体の散布量を減らすことでコストが低減でき、アドレス電極Ｚに対向する保護層３の背面側に電子放出層Ｅを形成することで効果的にアドレス放電遅れを短縮することができる。

本実施の形態２による第３例のＰＤＰは、図６に示すように、縦隔壁４Ｘの周辺部の第１方向（Ｘ軸方向）に沿って延びる帯形状の領域Ｅ４に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅが形成される。この領域Ｅ４は、アドレス電極Ｚの直上と重ならないように形成することが望ましい。

この場合、電子放出層Ｅが放電セルＣの正面視において維持電極Ｘ及び走査電極Ｙと重なって形成されるため、保護層３は少なからず放電によるイオン衝撃の際に電子放出層Ｅの影響を受けるが、放電により発生したプラズマは放電セルＣ内に閉じ込められているため、縦隔壁４Ｘの周辺部に対向する保護層３では、放電によるイオン衝撃による影響は比較的少ない。他方、透明電極Ｘａ，Ｙａの背面側の一部に電子放出層Ｅが形成されるため、その静電界を利用して効果的にアドレス放電遅れを短縮することができる。

本実施の形態２による第４例のＰＤＰは、図７に示すように、縦隔壁４Ｘの周辺部の第１方向（Ｘ軸方向）に沿って延びる領域で、かつ、この領域と維持電極Ｘ、走査電極Ｙ、及び両電極間とが放電セルＣの正面視において重なる四角形状の領域Ｅ５に、酸化マグネシウム結晶からなる電子放出層Ｅが形成される。この領域Ｅ５は、縦隔壁４Ｘの直上及びアドレス電極Ｚの直上と重ならないように形成することが望ましい。

この場合、製造工程においてマスクの合わせズレなどへの注意が必要となるが、電子放出層Ｅを構成する酸化マグネシウム結晶体の散布量をさらに減らすことでコストを低減できる。

本実施の形態２による第５例のＰＤＰは、図８に示すように、バス電極Ｘｂ、バス電極Ｙｂ、及び第１方向（Ｘ軸方向）に隣接する放電セルＣ間の隣接ギャップＨを含む帯形状の領域Ｅ６に、酸化マグネシウム結晶からなる電子放出層Ｅが形成される。

各放電セルＣ内において、サステイン放電は互いに対を成す透明電極Ｘａと透明電極Ｙａとの間で行われるため、隣接ギャップＨは放電によるイオン衝撃の影響を受けない。バス電極Ｘｂ，Ｙｂは放電強度の強い放電ギャップＧから離れているので、放電によるイオン衝撃の影響は比較的弱く、保護層３のスパッタ寿命には大きな影響を及ぼさない。また電子放出層Ｅは、バス電極Ｘｂ、バス電極Ｙｂ、及び隣接ギャップＨからなる領域Ｅ６に形成されるため、放電ギャップＧ、透明電極Ｘａ、及び透明電極Ｙａを透過する発光を遮ることがなく光の透過率の低下を抑えつつ、バス電極Ｘｂ，Ｙｂの静電界を利用して効果的にアドレス放電遅れを短縮することができる。

本実施の形態２による第６例のＰＤＰは、図９に示すように、バス電極Ｘｂ、バス電極Ｙｂ、及び隣接ギャップＨを含む領域で、かつアドレス電極Ｚの直上の四角形状の領域Ｅ７に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅが形成される。

この場合、製造工程においてマスクの合わせズレなどへの注意が必要となるが、電子放出層Ｅを構成する酸化マグネシウム結晶体の散布量を減らすことでコストが低減でき、アドレス電極Ｚに対向する保護層３上に電子放出層Ｅを形成することで効果的にアドレス放電遅れを短縮することができる。

（実施の形態３）
前述した実施の形態１及び２では、ＰＤＰを構成する透明電極Ｘａ，Ｙａが帯形状に形成されていた。しかしながら、本実施の形態３では、ＰＤＰを構成する透明電極Ｘａ，Ｙａがアドレス電極Ｚの直上においてＴ字形状の突主部を有している。

本実施の形態３によるＰＤＰの互いに異なる領域に電子放出層を形成した第１例〜第７例をそれぞれに対応する図１０〜図１６を用いて説明する。図１０〜図１６は、ＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。透明電極Ｘａ，ＹａがＴ字形状に形成されている以外のＰＤＰの構成は、前述した実施の形態１及び２と同じである。

本実施の形態３による第１例のＰＤＰは、図１０に示すように、前述した実施の形態１のＰＤＰと同様に、放電によるイオン衝撃の影響をあまり受けない、表示電極対ＸＹとアドレス電極Ｚとの交差領域（第１領域）を除いた領域（第２領域）Ｅ８に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅが形成される。

本実施の形態３による第２例のＰＤＰは、図１１に示すように、前述した実施の形態２の第１例のＰＤＰ（前述の図４）と同様に、維持電極Ｘの透明電極Ｘａの突出部と走査電極Ｙの透明電極Ｙａの突出部との間で、その幅を放電ギャップＧと同じくする第２方向（Ｙ軸方向）へ沿って延びる帯形状の領域Ｅ９に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅが積層して形成される。

本実施の形態３による第３例のＰＤＰは、図１２に示すように、前述した実施の形態２の第２例のＰＤＰ（前述の図５）と同様に、維持電極Ｘの透明電極Ｘａの突出部と走査電極Ｙの透明電極Ｙａの突出部との間で、その幅を放電ギャップＧと同じくする第２方向（Ｙ軸方向）へ沿って延びる領域で、かつ、第１方向（Ｘ軸方向）へ沿って延びるアドレス電極Ｚの直上の四角形状の領域Ｅ１０に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅが部分的に形成される。

本実施の形態３による第４例のＰＤＰは、図１３に示すように、前述した実施の形態２の第３例のＰＤＰ（前述の図６）と同様に、縦隔壁４Ｘの周辺部の第１方向（Ｘ軸方向）に沿って延びる帯形状の領域Ｅ１１に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅが形成される。この領域Ｅ１１は、アドレス電極Ｚの直上及び透明電極Ｘａ，ＹａのＴ字形状の突出部の電極幅広部と重ならないように形成することが望ましい。

本実施の形態３による第５例のＰＤＰは、図１４に示すように、前述した実施の形態２の第４例のＰＤＰ（前述の図７）と同様に、縦隔壁４Ｘの周辺部の第１方向（Ｘ軸方向）に沿って延びる領域で、かつ、この領域と維持電極Ｘ、走査電極Ｙ、及び両電極間とが放電セルＣの正面視において重なる帯形状の領域Ｅ１２に、酸化マグネシウム結晶からなる電子放出層Ｅが形成される。この領域Ｅ１２は、縦隔壁４Ｘの直上、アドレス電極Ｚの直上、及び透明電極Ｘａ，ＹａのＴ字形状突出部の電極幅広部と重ならないように形成することが望ましい。

本実施の形態３による第６例のＰＤＰは、図１５に示すように、前述した実施の形態２の第５例のＰＤＰ（前述の図８）と同様に、バス電極Ｘｂ、バス電極Ｙｂ、及び隣接ギャップＨを含む帯形状の領域Ｅ１３に、酸化マグネシウム結晶からなる電子放出層Ｅが形成される。

本実施の形態３による第７例のＰＤＰは、図１６に示すように、前述した実施の形態２の第６例のＰＤＰ（前述の図９）と同様に、バス電極Ｘｂ、バス電極Ｙｂ、及び隣接ギャップＨを含む領域で、かつアドレス電極Ｚの直上の四角形状の領域Ｅ１４に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅが形成される。

このように、本実施の形態３によれば、ＰＤＰを構成する透明電極Ｘａ，Ｙａがアドレス電極Ｚの直上においてＴ字形状に形成されている場合においても、電子放出層Ｅを、透明電極Ｘａ，Ｙａの電極幅広部を除いた放電によるイオン衝撃の影響を受け難い領域（Ｅ８）、あるいはその一部の領域（Ｅ９〜Ｅ１４）に限定して保護層３の背面側に形成することによって、保護層３のスパッタ耐性を悪化させること無く、アドレス放電遅れを短縮することができる。

（実施の形態４）
前述した実施の形態１及び２では、ＰＤＰを構成する維持電極Ｘ（透明電極Ｘａ及びバス電極Ｘｂ）及び走査電極Ｙ（透明電極Ｙａ及びバス電極Ｙｂ）が帯形状に形成されていた。しかしながら、本実施の形態４では、ＰＤＰを構成する維持電極Ｘ（透明電極Ｘａ及びバス電極Ｘｂ）及び走査電極Ｙ（透明電極Ｙａ及びバス電極Ｙｂ）がアドレス電極Ｚの直上において突起形状に形成されている。

本実施の形態４によるＰＤＰの互いに異なる領域に電子放出層を形成した第１例〜第７例をそれぞれに対応する図１７〜図２３を用いて説明する。図１７〜図２３は、ＰＤＰセルの構造の一部を模式的に示す要部正面図である。維持電極Ｘ（透明電極Ｘａ及びバス電極Ｘｂ）及び走査電極Ｙ（透明電極Ｙａ及びバス電極Ｙｂ）が突起形状に形成されている以外のＰＤＰの構成は、前述した実施の形態１及び２と同じである。

本実施の形態４による第１例のＰＤＰは、図１７に示すように、前述した実施の形態１のＰＤＰと同様に、放電によるイオン衝撃の影響をあまり受けない、表示電極対ＸＹとアドレス電極Ｚとの交差領域（第１領域）を除いた領域（第２領域）Ｅ１５に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅが形成される。

本実施の形態４による第２例のＰＤＰは、図１８に示すように、前述した実施の形態２の第１例のＰＤＰ（前述の図４）と同様に、維持電極Ｘと走査電極Ｙとの間で、その幅を放電ギャップＧと同じくする第２方向（Ｙ軸方向）に沿って延びる帯形状の領域Ｅ１６に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅが積層して形成される。

本実施の形態４による第３例のＰＤＰは、図１９に示すように、前述した実施の形態２の第２例のＰＤＰ（前述の図５）と同様に、維持電極Ｘと走査電極Ｙとの間で、その幅を放電ギャップＧと同じくする第２方向（Ｙ軸方向）に沿って延びる領域で、かつ、第１方向（Ｘ軸方向）へ沿って延びるアドレス電極Ｚの直上の四角形状の領域Ｅ１７に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅが部分的に形成される。

本実施の形態４による第４例のＰＤＰは、図２０に示すように、前述した実施の形態２の第３例のＰＤＰ（前述の図６）と同様に、縦隔壁４Ｘの周辺部の第１方向（Ｘ軸方向）に沿って延びる帯形状の領域Ｅ１８に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅが形成される。この領域Ｅ１８は、アドレス電極Ｚの直上、並びに維持電極Ｘ及び走査電極Ｙの電極突起部と重ならないように形成することが望ましい。

本実施の形態４による第５例のＰＤＰは、図２１に示すように、前述した実施の形態２の第４例のＰＤＰ（前述の図７）と同様に、縦隔壁４Ｘの周辺部の第１方向（Ｘ軸方向）に沿って延びる領域で、かつ、この領域と維持電極Ｘ、走査電極Ｙ、及び両電極間とが放電セルＣの正面視において重なる四角形状の領域Ｅ１９に、酸化マグネシウム結晶からなる電子放出層Ｅが形成される。この領域Ｅ１９は、縦隔壁４Ｘの直上、アドレス電極Ｚの直上、並びに維持電極Ｘ及び走査電極Ｙの電極突起部と重ならないように形成することが望ましい。

本実施の形態４による第６例のＰＤＰは、図２２に示すように、前述した実施の形態２の第５例のＰＤＰ（前述の図８）と同様に、バス電極Ｘｂ、バス電極Ｙｂ、及び隣接ギャップＨを含む帯形状の領域Ｅ２０に、酸化マグネシウム結晶からなる電子放出層Ｅが形成される。

本実施の形態４による第７例のＰＤＰは、図２３に示すように、前述した実施の形態２の第６例のＰＤＰ（前述の図９）と同様に、バス電極Ｘｂ、バス電極Ｙｂ、及び隣接ギャップＨを含む領域で、かつアドレス電極Ｚの直上の四角形状の領域Ｅ２１に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層Ｅが形成される。

このように、本実施の形態４によれば、ＰＤＰを構成する維持電極Ｘ及び走査電極Ｙがアドレス電極Ｚの直上において突起形状に形成されている場合においても、電子放出層Ｅを、維持電極Ｘ及び走査電極Ｙの電極突起部を除いた放電によるイオン衝撃の影響を受けにくい領域（Ｅ１５）、あるいはその一部の領域（Ｅ１６〜Ｅ２１）に限定して保護層３の背面側に形成することによって、保護層３のスパッタ耐性を悪化させること無く、アドレス放電遅れを短縮することができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

本発明は、主にテレビなどの表示装置に用いられる交流面放電型ＰＤＰに適用することができる。

１ プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
１Ａ 前面基板
１Ｂ 背面基板
２Ａ，２Ｂ 誘電体層
３ 保護層
４ 隔壁
４Ｘ 縦隔壁
４Ｙ 横隔壁
５ 蛍光体層
Ａ 前面板
Ｂ 背面板
Ｃ 放電セル
Ｄ 放電空間
Ｅ 電子放出層
Ｅ１〜Ｅ２１ 領域
Ｇ 放電ギャップ
Ｈ 隣接ギャップ
Ｘ 維持電極
Ｘａ 透明電極
Ｘｂ バス電極
ＸＹ 表示電極対
Ｙ 走査電極
Ｙａ 透明電極
Ｙｂ バス電極
Ｚ アドレス電極

Claims (21)

1. 放電空間を介して対向する前面基板及び背面基板と、
   前記前面基板の背面側に第１方向に沿って一定の幅を有する放電ギャップを介して配置され、前記第１方向と直交する第２方向に沿って延びる維持電極及び走査電極と
   前記維持電極と前記走査電極とからなる複数の表示電極対と、
   前記表示電極対を覆う誘電体層と、
   前記誘電体層を覆う保護層と、
   前記背面基板の表示側に配置され、前記第１方向に沿って延びる複数のアドレス電極と、
   前記表示電極対と前記アドレス電極とが前記放電空間を介して対向して形成される複数の放電セルと、
   を有するプラズマディスプレイパネルであって、
   前記保護層の背面側に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層を有し、
   前記放電セルの正面視において前記表示電極対と前記アドレス電極との交差領域、及び前記交差領域以外の領域が定義され、
   前記交差領域における前記電子放出層を構成する前記酸化マグネシウム結晶体の面密度が、前記交差領域以外の領域の全部または一部における前記電子放出層を構成する前記酸化マグネシウム結晶体の面密度の半分以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 請求項１記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記交差領域以外の領域の一部は、前記維持電極と前記走査電極との間で、その幅を前記放電ギャップと同じくする前記第２方向に沿って延びる帯形状の領域であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
3. 請求項１記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記交差領域以外の領域の一部は、前記維持電極と前記走査電極との間で、その幅を前記放電ギャップと同じくする前記第２方向に沿って延びる領域で、かつ、前記第１方向に沿って延びる前記アドレス電極の直上の四角形状の領域であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
4. 請求項１記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記放電セルの周辺部には、前記第１方向に沿って形成された縦隔壁と、前記第２方向に沿って形成された横隔壁とを有し、
   前記交差領域以外の領域の一部は、前記縦隔壁の周辺部の前記第１方向に沿って延びる帯形状の領域であり、前記アドレス電極の直上と重ならないことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
5. 請求項１記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記放電セルの周辺部には、前記第１方向に沿って形成された縦隔壁と、前記第２方向に沿って形成された横隔壁とを有し、
   前記交差領域以外の領域の一部は、前記縦隔壁の周辺部の前記第１方向に沿って延びる第１領域で、かつ、前記第１領域と前記維持電極、前記走査電極、及び前記維持電極と前記走査電極との間とが前記放電セルの正面視において重なる四角形状の領域であり、さらに前記縦隔壁の直上及び前記アドレス電極の直上と重ならないことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
6. 請求項１記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記維持電極は、第１幅を有する第１透明電極と、前記第１透明電極の背面側に形成された前記第１幅よりも小さい第２幅を有する第１バス電極とから構成され、前記走査電極は、第３幅を有する第２透明電極と、前記第２透明電極の背面側に形成された前記第３幅よりも小さい第４幅を有する第２バス電極とから構成され、
   前記交差領域以外の領域の一部は、前記第１バス電極、前記第２バス電極、及び前記第１方向に隣接する前記放電セル間の前記第２方向に沿って延びる隣接ギャップを含む帯形状の領域であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
7. 請求項１記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記維持電極は、第１幅を有する第１透明電極と、前記第１透明電極の背面側に形成された前記第１幅よりも小さい第２幅を有する第１バス電極とから構成され、前記走査電極は、第３幅を有する第２透明電極と、前記第２透明電極の背面側に形成された前記第３幅よりも小さい第４幅を有する第２バス電極とから構成され、
   前記交差領域以外の領域の一部は、前記第１バス電極、前記第２バス電極、及び前記第１方向に隣接する前記放電セル間の前記第２方向に沿って延びる隣接ギャップを含む領域で、かつ、前記アドレス電極の直上の四角形状の領域であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
8. 放電空間を介して対向する前面基板及び背面基板と、
   前記前面基板の背面側に、第１方向に沿って一定の幅を有する放電ギャップを介して配置され、前記第１方向と直交する第２方向に沿って延びる維持電極及び走査電極と、
   前記維持電極と前記走査電極とからなる複数の表示電極対と、
   前記表示電極対を覆う誘電体層と、
   前記誘電体層を覆う保護層と、
   前記背面基板の表示側に配置され、前記第１方向に沿って延びる複数のアドレス電極と、
   前記表示電極対と前記アドレス電極とが前記放電空間を介して対向して形成される複数の放電セルと、
   を有するプラズマディスプレイパネルであって、
   前記維持電極は、前記アドレス電極の直上でＴ字形状の突出部を有する第１透明電極と、前記第１透明電極の背面側に形成された帯形状の第１バス電極とから構成され、前記走査電極は、前記アドレス電極の直上でＴ字形状の突出部を有する第２透明電極と、前記第２透明電極の背面側に形成された帯形状の第２バス電極とから構成され、
   前記保護層の背面側に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層を有し、
   前記放電セルの正面視において前記表示電極対と前記アドレス電極との交差領域、及び前記交差領域以外の領域が定義され、
   前記交差領域における前記電子放出層を構成する前記酸化マグネシウム結晶体の面密度が、前記交差領域以外の領域の全部または一部における前記電子放出層を構成する前記酸化マグネシウム結晶体の面密度の半分以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
9. 請求項８記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記交差領域以外の領域の一部は、前記維持電極の前記第１透明電極の突出部と前記走査電極の前記第２透明電極の突出部との間で、その幅を前記放電ギャップと同じくする前記第２方向に沿って延びる帯形状の領域であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
10. 請求項８記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記交差領域以外の領域の一部は、前記維持電極の前記第１透明電極の突出部と前記走査電極の前記第２透明電極の突出部との間で、その幅を前記放電ギャップと同じくする前記第２方向に沿って延びる領域で、かつ、前記アドレス電極の直上の四角形状の領域であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
11. 請求項８記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
    前記放電セルの周辺部には、前記第１方向に沿って形成された縦隔壁と、前記第２方向に沿って形成された横隔壁とを有し、
    前記交差領域以外の領域の一部は、前記縦隔壁の周辺部の前記第１方向に沿って延びる帯形状の領域であり、前記アドレス電極の直上、前記維持電極の前記第１透明電極の突出部の電極幅広部、及び前記走査電極の前記第２透明電極の突出部の電極幅広部と重ならないことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
12. 請求項８記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
    前記放電セルの周辺部には、前記第１方向に沿って形成された縦隔壁と、前記第２方向に沿って形成された横隔壁とを有し、
    前記交差領域以外の領域の一部は、前記縦隔壁の周辺部の前記第１方向に沿って延びる第１領域で、かつ、前記第１領域と前記維持電極、前記走査電極、及び前記維持電極と前記走査電極との間とが前記放電セルの正面視において重なる帯形状の領域であり、さらに前記縦隔壁の直上、前記アドレス電極の直上、前記維持電極の前記第１透明電極の突出部の電極幅広部、及び前記走査電極の前記第２透明電極の突出部の電極幅広部と重ならないことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
13. 請求項８記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
    前記維持電極は、第１幅を有する第１透明電極と、前記第１透明電極の背面側に形成された前記第１幅よりも小さい第２幅を有する第１バス電極とから構成され、前記走査電極は、第３幅を有する第２透明電極と、前記第２透明電極の背面側に形成された前記第３幅よりも小さい第４幅を有する第２バス電極とから構成され、
    前記交差領域以外の領域の一部は、前記第１バス電極、前記第２バス電極、及び前記第１方向に隣接する前記放電セル間の前記第２方向に沿って延びる隣接ギャップを含む帯形状の領域であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
14. 請求項８記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
    前記維持電極は、第１幅を有する第１透明電極と、前記第１透明電極の背面側に形成された前記第１幅よりも小さい第２幅を有する第１バス電極とから構成され、前記走査電極は、第３幅を有する第２透明電極と、前記第２透明電極の背面側に形成された前記第３幅よりも小さい第４幅を有する第２バス電極とから構成され、
    前記交差領域以外の領域の一部は、前記第１バス電極、前記第２バス電極、及び前記第１方向に隣接する前記放電セル間の前記第２方向に沿って延びる隣接ギャップを含む領域で、かつ、前記アドレス電極の直上の四角形状の領域であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
15. 放電空間を介して対向する前面基板及び背面基板と、
    前記前面基板の背面側に第１方向に沿って一定の幅を有する放電ギャップを介して配置され、前記第１方向と直交する第２方向に沿って延びる維持電極及び走査電極と、
    前記維持電極と前記走査電極とからなる複数の表示電極対と、
    前記表示電極対を覆う誘電体層と、
    前記誘電体層を覆う保護層と、
    前記背面基板の表示側に配置され、前記第１方向に沿って延びる複数のアドレス電極と、
    前記表示電極対と前記アドレス電極とが前記放電空間を介して対向して形成される複数の放電セルと、
    を有するプラズマディスプレイパネルであって、
    前記維持電極は、前記アドレス電極の直上で突起部を有する第１透明電極と第１バス電極とから構成され、前記走査電極は、前記アドレス電極の直上で突起部を有する第２透明電極と第２バス電極とから構成され、
    前記保護層の背面側に、酸化マグネシウム結晶体からなる電子放出層を有し、
    前記放電セルの正面視において前記表示電極対と前記アドレス電極との交差領域、及び前記交差領域以外の領域が定義され、
    前記交差領域における前記電子放出層を構成する前記酸化マグネシウム結晶体の面密度が、前記交差領域以外の領域の全部または一部における前記電子放出層を構成する前記酸化マグネシウム結晶体の面密度の半分以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
16. 請求項１５記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記交差領域以外の領域の一部は、前記維持電極の前記第１透明電極の突起部と前記走査電極の前記第２透明電極の突起部との間で、その幅を前記放電ギャップと同じくする前記第２方向に沿って延びる帯形状の領域であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
17. 請求項１５記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記交差領域以外の領域の一部は、前記維持電極の前記第１透明電極の突起部と前記走査電極の前記第２透明電極の突起部との間で、その幅を前記放電ギャップと同じくする前記第２方向に沿って延びる領域で、かつ、前記アドレス電極の直上の四角形状の領域であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
18. 請求項１５記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
    前記放電セルの周辺部には、前記第１方向に沿って形成された縦隔壁と、前記第２方向に沿って形成された横隔壁とを有し、
    前記交差領域以外の領域の一部は、前記縦隔壁の周辺部の前記第１方向に沿って延びる帯形状の領域であり、前記アドレス電極の直上と重ならないことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
19. 請求項１５記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
    前記放電セルの周辺部には、前記第１方向に沿って形成された縦隔壁と、前記第２方向に沿って形成された横隔壁とを有し、
    前記交差領域以外の領域の一部は、前記縦隔壁の周辺部の前記第１方向に沿って延びる第１領域で、かつ、前記第１領域と前記維持電極、前記走査電極、及び前記維持電極と前記走査電極との間とが前記放電セルの正面視において重なる四角形状の領域であり、さらに前記縦隔壁の直上、前記アドレス電極の直上、前記維持電極の前記突起部、及び前記走査電極の前記突起部と重ならないことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
20. 請求項１５記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
    前記維持電極は、第１幅を有する第１透明電極と、前記第１透明電極の背面側に形成された前記第１幅よりも小さい第２幅を有する第１バス電極とから構成され、前記走査電極は、第３幅を有する第２透明電極と、前記第２透明電極の背面側に形成された前記第３幅よりも小さい第４幅を有する第２バス電極とから構成され、
    前記交差領域以外の領域の一部は、前記第１バス電極、前記第２バス電極、及び前記第２方向に隣接する前記放電セル間の前記第２方向に沿って延びる隣接ギャップを含む帯形状の領域であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
21. 請求項１５記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
    前記維持電極は、第１幅を有する第１透明電極と、前記第１透明電極の背面側に形成された前記第１幅よりも小さい第２幅を有する第１バス電極とから構成され、前記走査電極は、第３幅を有する第２透明電極と、前記第２透明電極の背面側に形成された前記第３幅よりも小さい第４幅を有する第２バス電極とから構成され、
    前記交差領域以外の領域の一部は、前記第１バス電極、前記第２バス電極、及び前記第２方向に隣接する前記放電セル間の前記第２方向に沿って延びる隣接ギャップを含む領域で、かつ、前記アドレス電極の直上の四角形状の領域であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。