JP2010226051A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の導電層40を形成し、第1の導電層40の表面に酸化膜10を形成し、酸化膜10を大気にさらし、酸化膜10を、減圧下且つ第1の温度で減圧加熱処理し、減圧加熱処理された酸化膜10を大気にさらすことなく、減圧下且つ第1の温度よりも低い第2の温度で、非晶質の第1の誘電体層41を酸化膜10上に形成し、第1の温度よりも高い第3の温度で、非晶質の第1の誘電体層41を結晶化する。
【選択図】図4
Description
上述した図16に示す変形例1の半導体装置の製造方法に従って、半導体装置を、第3の導電層が形成されたシリコン基板20に対して背面洗浄を行う工程(図8)まで製造して、実施例1を得た。実施例1のN数は3とした。
上述した実施例1の製造工程における第1の減圧加熱処理において、処理時間を120秒とした他は、実施例1と同様に形成して、実施例2を得た。実施例2のN数は2とした。
上述した実施例1の製造工程における第1の減圧加熱処理において、処理時間を200秒とした他は、実施例1と同様に形成して、実施例3を得た。実施例3のN数は2とした。
上述した実施例1の製造工程における第1の減圧加熱処理を行わなかった点を除いては、実施例1と同様に形成して、比較例を得た。比較例のN数は1とした。
上述した実施例1〜3及び比較例に対して、第3の導電層の形成工程前の段階で、強誘電体膜の面配向の測定を以下のように行った。
また、上述した実施例1〜3及び比較例に対して、欠陥数の測定を以下のように行った。
例えば、上述した本実施形態では、強誘電体キャパシタはプレーナ型であったが、強誘電体キャパシタはスタック型であっても良い。
導電層を形成し、
前記導電層の表面に酸化膜を形成し、
前記酸化膜を大気にさらし、
前記酸化膜を、減圧下且つ第1の温度で減圧加熱処理し、
前記減圧加熱処理された前記酸化膜を大気にさらすことなく、減圧下且つ前記第1の温度よりも低い第2の温度で、非晶質の誘電体層を前記酸化膜上に形成し、
前記第1の温度よりも高い第3の温度で、非晶質の前記誘電体層を結晶化する、
工程を有する半導体装置の製造方法。(1,図2〜5)
前記酸化膜を形成する工程は、20オングストローム以下の膜厚の酸化膜を形成する付記1に記載の半導体装置の製造方法。(2,図3)
前記酸化膜を形成する工程は、アモルファス酸化膜を形成する付記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。(3,図3)
前記酸化膜を形成する工程は、前記導電層を大気にさらさした状態で、前記第1の導電層の表面に自然酸化膜を形成する付記1から3の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。(4,図3)
前記第1の温度は、100℃〜300℃の範囲にある付記1から4の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。(5,図4)
前記減圧加熱処理する工程は、100Pa以下に減圧する付記1から5の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。(図3)
前記誘電体層を結晶化する工程では、前記酸化膜が分解して、酸素が前記誘電体層に吸収される付記1から6の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。(図5)
前記第2の温度は、30℃以上100℃未満の範囲にある付記1から7の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。(図4)
前記第3の温度は、580℃〜620℃の範囲にある付記1から8の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。(図5)
前記誘電体層を結晶化する工程の前に、前記誘電体層を大気にさらし、
前記誘電体層を結晶化する工程の後に、
更に、
結晶された前記誘電体層を、減圧下且つ前記第1の温度で第2の減圧加熱処理し、
前記第2の減圧加熱処理された前記誘電体層を大気にさらすことなく、減圧下且つ前記第2の温度で、非晶質の第2の誘電体層を前記誘電体層上に形成する、
工程を有する付記1から9の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。(図5〜6)
前記第2の誘電体層を前記誘電体層上に形成する工程の後に、
更に、
前記第2の誘電体層を大気にさらし、
前記第2の誘電体層を、減圧下且つ前記第1の温度で第3の減圧加熱処理し、
前記第3の減圧加熱処理された前記第2の誘電体層を大気にさらすことなく、減圧下で第2の導電層を前記第2の誘電体層上に形成する、
工程を有する付記10に記載の半導体装置の製造方法。(図6〜7)
10 酸化膜
20 シリコン基板
40 第1の導電層(導電層)
41 第1の強誘電体層(誘電体層)
42 第2の強誘電体層
43 第2の導電層
44 第3の導電層
Q 強誘電体キャパシタ
Qa 上部電極
Qb 強誘電体膜
Qc 下部電極
Claims (5)
- 導電層を形成し、
前記導電層の表面に酸化膜を形成し、
前記酸化膜を大気にさらし、
前記酸化膜を、減圧下且つ第1の温度で減圧加熱処理し、
前記減圧加熱処理された前記酸化膜を大気にさらすことなく、減圧下且つ前記第1の温度よりも低い第2の温度で、非晶質の誘電体層を前記酸化膜上に形成し、
前記第1の温度よりも高い第3の温度で、非晶質の前記誘電体層を結晶化する、
工程を有する半導体装置の製造方法。 - 前記酸化膜を形成する工程は、20オングストローム以下の膜厚の酸化膜を形成する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化膜を形成する工程は、アモルファス酸化膜を形成する請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化膜を形成する工程は、前記導電層を大気にさらさした状態で、前記第1の導電層の表面に自然酸化膜を形成する請求項1から3の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の温度は、100℃〜300℃の範囲にある請求項1から4の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016208024A (ja) * | 2015-04-15 | 2016-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電極及び半導体装置の作製方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1154721A (ja) * | 1997-07-29 | 1999-02-26 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
JP2001148377A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-05-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜形成装置及びこれを用いた半導体素子のキャパシタ形成方法 |
JP2004055619A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 容量素子、半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2005150416A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP2007150242A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のキャパシタ製造方法 |
JP2008277659A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
2009
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1154721A (ja) * | 1997-07-29 | 1999-02-26 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
JP2001148377A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-05-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜形成装置及びこれを用いた半導体素子のキャパシタ形成方法 |
JP2004055619A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 容量素子、半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2005150416A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP2007150242A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のキャパシタ製造方法 |
JP2008277659A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016208024A (ja) * | 2015-04-15 | 2016-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電極及び半導体装置の作製方法 |
US11004727B2 (en) | 2015-04-15 | 2021-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating electrode and semiconductor device |
US11791201B2 (en) | 2015-04-15 | 2023-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating electrode and semiconductor device |
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