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JP2010272823A - 波長可変光源装置 - Google Patents

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JP2010272823A
JP2010272823A JP2009125714A JP2009125714A JP2010272823A JP 2010272823 A JP2010272823 A JP 2010272823A JP 2009125714 A JP2009125714 A JP 2009125714A JP 2009125714 A JP2009125714 A JP 2009125714A JP 2010272823 A JP2010272823 A JP 2010272823A
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JP
Japan
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wavelength
resonator
light source
light
semiconductor gain
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JP2009125714A
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Seiji Nogiwa
誠二 野極
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Yokogawa Electric Corp
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Yokogawa Electric Corp
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Abstract

【課題】共振器損失のピーク波長と外部共振器縦モードとを精度良く同期させ、広い波長範囲においてモード跳びを起こさず波長を連続的に可変できる波長可変光源装置を提供する。
【解決手段】半導体ゲインチップ1のARコートされていない端面1bには特定の波長を適量に反射させる波長選択コート膜11が貼り付けられており、可動ミラー4との間で共振器(外部共振器)を形成し、共振器長Lで決まる波長のレーザ発振を行う。波長選択コート膜11は半導体ゲインチップ1の利得波長特性を相殺する反射率特性を有する。
【選択図】図1

Description

本発明は、利得媒質と、利得媒質から生ずる光のうち特定波長の光を共振させる共振器とを備える外部共振器型の可変波長光源装置に関する。
半導体レーザや半導体光増幅器などの利得媒質を用いた外部共振型の可変波長光源装置の1つとして、外部回折格子により波長選択を行うものが知られている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。
図9は従来の可変波長光源装置の構成を示す図である。図9に示すように、半導体ゲインチップ1の無反射(AR;Anti-Reflection)コートされた端面1aから出射した光は、レンズ2で平行ビームとなって回折格子3へ入射し、分光分散されて可動ミラー4の方向へ回折される。可動ミラー4は分光分散された光のうち、垂直に入射された波長の光だけを回折格子3へ戻し、その光は回折格子3で半導体ゲインチップ1の方向へ回折される。このように、特定の波長のみが半導体ゲインチップ1に戻るため、半導体ゲインチップ1の無反射コートされていない端面1bと可動ミラー4との間で共振器(外部共振器)を形成し、共振器長Lで決まる波長のレーザ発振を行う。出力レーザ光は、半導体ゲインチップ1の端面1bから出射する。
ここで、上記レーザ発振の原理について詳述する。回折格子3に入射した光は、回折の原理に従って、その波長によって回折される角度が異なる。図10に示すように、回折格子3の格子定数をd、回折格子3への入射角をαとした場合、出射角がβとなる波長λは、
mλ=d(sinα+sinβ) ・・・(1)式
ただし、m=0,±1,±2,・・・
の関係を満たす。回折格子3から回折された光のうち、可動ミラー4へ垂直入射された波長の光だけが、反射によって回折格子3の同じ位置へ、かつ出射角βと等しい入射角度で戻される。その光は回折格子3で(1)式に従って角度αで出射され、再び半導体ゲインチップ1へ戻り、半導体ゲインチップ1の端面1bを一方の反射面として外部共振器(共振器長L)を形成する。
このとき発振する波長は、図11(a)で示すように、(イ)半導体ゲインチップ1の利得スペクトル、主に回折格子3の特性できまる、(ロ)共振器損失の波長特性、及び光の位相条件できまる、(ハ)外部共振器縦モードによって決定される。すなわち、(イ)の利得から(ロ)の損失を引いた値が一番大きくなるような外部共振器縦モードで発振する。図11(a)の場合には、(ハ)外部共振器縦モードのうち、(ホ)発振モードで示すモードが発振縦モードとなる。
この外部共振器縦モードとは、光が共振器内を往復したときに定在波ができるための条件であり、次式で与えられる。
nλ=2L ・・・(2)式
ただし、nは自然数、Lは共振器長である。
また、このときのそれぞれの外部共振器縦モード間隔Δλは、
Δλ=λ/2L ・・・(3)式
である。なお、上述の、(ロ)共振器損失の波長特性は、可動ミラー4へ垂直入射させる為の波長の回折格子3の出射角βを変えることにより、また、(ハ)外部共振器縦モードの波長は可動ミラー4の回転動作に伴って共振器長Lが変化することにより、それぞれ変化する。
ここで、回折格子3の回折面3aを延長した平面10と、半導体ゲインチップ1の屈折率を考慮した半導体ゲインチップ1の実効的な共振端面を延長した平面20とが交わって形成される直線を可動ミラー4の回転中心線Rとし、可動ミラー4の反射面4aを延長した平面30がこの回転中心線Rを通過するように設定することによって、波長掃引時に(ロ)共振器損失の波長特性のピーク波長と(ハ)外部共振器縦モードの波長が同期して掃引され、モード跳びが生じ難く波長を連続的に可変できる様にすることが知られている。実際には、半導体ゲインチップ1やレンズ2などのレーザ共振器を構成している各部品の屈折率の分散を考慮して、可動ミラー4の回転中心を回転中心線Rからずらすことで、広い波長範囲においてモード跳びを起こさず波長を連続的に可変している。
特開2000−353854号公報 特開2005−142197号公報
しかしながら、一般に半導体ゲインチップ1の利得は波長可変範囲の中央部の波長で高く、波長可変範囲の両端の波長で低い。従って、従来の可変波長光源では、波長可変範囲の中央部の波長でしきい値電流が低く、波長可変範囲の両端の波長でしきい値電流が高くなっている。図11(b)は外部共振器型の可変波長光源装置の発振しきい値電流の波長依存性の一例を示す図である。しきい値電流の高低に伴い、半導体ゲインチップ1内のキャリア密度は波長可変範囲の中央部の波長で低く、波長可変範囲の両端の波長で高くなる。半導体ゲインチップ1を構成している半導体はプラズマ効果によって、屈折率の変化量とキャリア密度の関係が次式で関係付けられている。
Figure 2010272823
ここで、eは電子の電荷量、Nは注入キャリア密度、ωは光の角周波数、εは真空誘電率、mは伝導帯自由電子の有効質量、nは屈折率の初期値(N=0の時の屈折率)である。
図11(c)は、プラズマ効果による半導体ゲインチップ1の活性層における屈折率変化の波長依存性の一例を示す図である。図11(c)に示すように、半導体ゲインチップ1の活性層の屈折率は相対的に波長可変範囲の中央部の波長で高く、波長可変範囲の両端の波長で低くなる。このように、波長掃引時の半導体ゲインチップ1の屈折率は非線形に変化するため、ミラー4の回転中心が固定された場合は、半導体ゲインチップ1の屈折率変化によって共振器損失のピーク波長と外部共振器縦モードの同期条件がずれ、広い波長範囲においてモード跳びを起こさず波長を連続的に可変することは困難である。
本発明の目的は、共振器損失のピーク波長と外部共振器縦モードとを精度良く同期させ、広い波長範囲においてモード跳びを起こさず波長を連続的に可変できる波長可変光源装置を提供することにある。
本発明の可変波長光源装置は、利得媒質と、前記利得媒質から生ずる光のうち特定波長の光を共振させる共振器とを備える外部共振器型の可変波長光源装置において、前記共振器内に前記利得媒体の利得波長特性を相殺するような波長特性を有する光学要素を挿入したことを特徴とする。
この可変波長光源装置によれば、共振器内に利得媒体の利得波長特性を相殺するような波長特性を有する光学要素を挿入するので、共振器損失のピーク波長と外部共振器縦モードとを精度良く同期させることができる。
前記光学要素は、前記共振器を構成するミラーの一方あるいは両方であってもよい。
前記ミラーの反射率に波長選択性をもたせてもよい。
前記反射率の波長選択性は、前記利得媒体の利得波長特性を相殺するような反射損失の波長特性を与えてもよい。
前記光学要素は前記利得媒体としての半導体利得媒体の一方の端面に形成された、波長選択性を有するミラーであってもよい。
本発明の可変波長光源装置によれば、共振器内に利得媒体の利得波長特性を相殺するような波長特性を有する光学要素を挿入するので、共振器損失のピーク波長と外部共振器縦モードとを精度良く同期させることができる。
一実施形態の波長可変光源装置の構成を示す図。 波長可変光源装置の動作を示す図であり、 (a)は半導体ゲインチップの単位長さ当たりの利得スペクトルG(λ)を例示する図、(b)は波長選択コート膜の反射率を例示する図、(c)は発振しきい値電流の波長依存性をフラット化した例を示す図である。 共振器内に光分岐器を挿入した構成を示す図。 共振器内に光分岐器を挿入した構成を示す図。 波長選択性を有した可動ミラーを使用した構成を示す図。 波長選択性を有したフィルタを使用した構成を示す図。 波長選択性のある回折効率を有した回折格子を使用した構成を示す図。 従来の波長可変光源装置の構成を示す図。 回折格子への入出射光の関係を示す図。 (a)は発振波長の一例を示す図、(b)は発振しきい値電流の波長依存性の一例を示す図、(c)はプラズマ効果による半導体ゲインチップ1の活性層における屈折率変化の波長依存性の一例を示す図
以下、本発明による波長可変光源装置の実施形態について説明する。
図1は、一実施形態の波長可変光源装置の構成を示す図である。図1に示すように、半導体ゲインチップ1の無反射(AR;Anti-Reflection)コートされた端面1aから出射した光は、レンズ2で平行ビームとなって回折格子3へ入射し、分光分散されて可動ミラー4の方向へ回折される。可動ミラー4は分光分散された光のうち、垂直に入射された波長の光だけを回折格子3へ戻し、この特定波長の光は回折格子3で半導体ゲインチップ1の方向へ回折される。
半導体ゲインチップ1のARコートされていない端面1bには特定の波長を適量に反射させる波長選択コート膜11が貼り付けられており、可動ミラー4との間で共振器(外部共振器)を形成し、共振器長Lで決まる波長のレーザ発振を行う。出力レーザ光は、半導体ゲインチップ1の波長選択コート膜11から出射する。
図1において、平面10は回折格子3の回折面3aを延長した面を、平面20は半導体ゲインチップ1の屈折率を考慮した半導体ゲインチップ1の実効的な共振端面を延長した面を、平面30は可動ミラー4の反射面4aを延長した面を、それぞれ示している。また、平面10と平面20とが交わって形成される直線を可動ミラー4の回転中心線Rとして示しており、平面30が回転中心線Rを包含する状態にある。
図2(a)は、ある注入電流時の半導体ゲインチップ1の単位長さ当たりの利得スペクトルG(λ)の実測結果の一例を示している。ここで、可動ミラー4の反射率をr、回折格子3の回折効率をd、半導体ゲインチップ1の長さをlと置くと、理想的には、波長選択コート膜11の反射率r(λ)を以下の関係となるような波長特性を有するように半導体ゲインチップ1の端面1bの側に形成する。
Figure 2010272823
図2(b)は(5)式を用いて図2(a)に示す利得スペクトルG(λ)とし、可動ミラー4の反射率をr=0.98、回折格子3の回折効率をD=0.81、半導体ゲインチップ1の長さをl=1mmとした場合の波長選択コート膜11の反射率r(λ)を計算した結果を示している。この様な波長選択コート膜11の反射率r(λ)を選ぶことにより、図2(c)に示すように、可変波長光源の利得と損失が広い波長範囲において釣り合い、発振しきい値電流の波長依存性を広い波長範囲においてフラット化することができる。
さらに、図3に示すように、波長可変光源の出力光として回折格子3で反射される0次回折光を用いると、回折格子3における0次回折光の回折効率の波長依存性は平坦化しているため、出力パワーの波長依存性も平坦化できる。
このように、波長選択コート膜11により、広い波長範囲において半導体ゲインチップ1のキャリア密度は均一化され、プラズマ効果による屈折率の変化は抑圧される。このため、波長掃引時に半導体ゲインチップ1の屈折率変化の非線形性が抑圧されるため、ミラー4の回転中心が回転中心線Rに固定された場合でも、共振器損失のピーク波長と外部共振器縦モードの同期条件がとれ、極めて広い波長範囲においてモード跳びを起こさず波長を連続的に可変することができる。また、回折格子3で反射される0次回折光を出力光として用いると、出力パワーの波長依存性も平坦化できる(図3)。
図4は、共振器内に光分岐器5を挿入した構成を示す図である。回折格子3から半導体ゲインチップ1側へ戻ってくる光の一部を光分岐器5により分岐して出力する。この構成においても、波長選択コート膜11により、図1および図3に示す構成と同様の効果を得ることができる。
図5は共振器内に光分岐器6を挿入した構成を示す図である。回折格子3から半導体ゲインチップ1側へ戻ってくる光の一部を光分岐器6により分岐して出力する。図4の例とは光の出力方向が異なるが、この構成においても、波長選択コート膜11により、図1および図3に示す構成と同様の効果を得ることができる。
図6の構成では、反射率に波長選択コート膜11と同様の波長選択性を持たせた可動ミラー7を使用している。波長選択可動ミラー7を可動ミラー4に代えて用いることにより、波長選択コート膜11を用いた上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、外部共振器を構成する両方のミラーのそれぞれに波長選択性を持たせるようにしてもよい。この場合、共振器全体として波長選択コート膜11と同様の波長選択性を持たせるようにすればよい。
図7の構成では、共振器内に透過率の波長選択性を有したフィルタ8を挿入している。この場合にも、フィルタ8の透過率に波長選択コート膜11と同様の波長選択性をもたせることで、波長選択コート膜11を用いた上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
図8の構成では、波長選択性のある回折効率を有した回折格子9を用いている。この場合にも、回折格子9の反射率に波長選択コート膜11と同様の波長選択性をもたせることで、波長選択コート膜11を用いた上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
以上説明したように、本発明の可変波長光源装置によれば、共振器内に利得媒体の利得波長特性を相殺するような波長特性を有する光学要素を挿入するので、共振器損失のピーク波長と外部共振器縦モードとを精度良く同期させることができる。
本発明の適用範囲は上記実施形態に限定されることはない。本発明は、利得媒質と、利得媒質から生ずる光のうち特定波長の光を共振させる共振器とを備える外部共振器型の可変波長光源装置に対し、広く適用することができる。
1 半導体ゲインチップ(利得媒質)
7 波長選択可動ミラー(光学素子)
9 回折格子(光学素子)
11 波長選択コート膜(光学素子)

Claims (5)

  1. 利得媒質と、前記利得媒質から生ずる光のうち特定波長の光を共振させる共振器とを備える外部共振器型の可変波長光源装置において、
    前記共振器内に前記利得媒体の利得波長特性を相殺するような波長特性を有する光学要素を挿入したことを特徴とする可変波長光源装置。
  2. 前記光学要素は、前記共振器を構成するミラーの一方あるいは両方であることを特徴とする請求項1に記載の可変波長光源装置。
  3. 前記ミラーの反射率に波長選択性をもたせることを特徴とする請求項2に記載の可変波長光源装置。
  4. 前記反射率の波長選択性は、前記利得媒体の利得波長特性を相殺するような反射損失の波長特性を与えることを特徴とする請求項3に記載の可変波長光源装置。
  5. 前記光学要素は前記利得媒体としての半導体利得媒体の一方の端面に形成された、波長選択性を有するミラーであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の可変波長光源装置。
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