JP2010122520A - 反射板、表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】迷光による画質劣化を抑えることが可能な反射板、これを備えた表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光パネル１０の光取り出し側に、複数の反射素子３１Ｃを有する反射板３０を配設する。反射素子３１Ｃの周囲に、樹脂材料よりなる第１埋め込み層３４Ａと、樹脂材料および光吸収材料を含む第２埋め込み層３４Ｂを形成する。樹脂材料としては、アクリル、エポキシ系の紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂など、光吸収材料としては、炭素（Ｃ），酸化クロム（ＣｒＯ），窒化チタン（ＴｉＮ）およびシリコン（Ｓｉ）などを用いる。第２埋め込み層３４Ｂにより、反射素子３１Ｃに入射しなかった漏れ光ｈ１を吸収し、迷光による画質劣化を抑える。
【選択図】図３

Description

本発明は、有機発光素子（有機ＥＬ（Electroluminescence ）素子）などの自発光素子を用いた表示装置の輝度向上のための反射板、これを備えた表示装置およびその製造方法に関する。

有機発光素子などの自発光素子は、基板に、第１電極，発光層を含む層および第２電極を順に有し、第１電極と第２電極との間に直流電圧を印加すると発光層において正孔−電子再結合が起こり、光を発生するものである。発生した光は、第１電極および基板の側から取り出される場合もあるが、第２電極の側から、つまり開口率を上げるためにＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）や配線を含む回路とは反対側から取り出される場合もある。第２電極の側から光を取り出す場合には、第１電極として高反射の金属電極を用いることが一般的である。

自発光素子を用いた表示装置の一例として、有機発光素子を用いた表示装置がある（例えば、特許文献１参照。）この従来の表示装置では、コントラストを上げる方策として、いわゆるブラックマトリクスとしての遮光膜が設けられている。遮光膜は、外光を吸収し、画面上の黒の沈み込みを良くし、視認性を上げるためのものであり、封止用基板上にカラーフィルタと共に形成されている。カラーフィルタは、有機発光素子を用いた表示装置の場合、発光波長を制限して良好な色再現性を実現するために用いられている。

また、有機発光素子を用いた表示装置では、表示輝度を上げるため、有機発光素子の近傍に反射板（リフレクター）を配設し、有機発光素子からの光取り出し効率を良くすることも提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００５−２２７５１９号公報 特開２００１−８５７３８号公報

しかしながら、この従来技術は、反射板単体に関するものであり、ブラックマトリクス機能も含めた構造およびその製造方法まで踏み込んだ検討はなされておらず、いまだ改善の余地があった。

更に、反射板と有機発光素子とのアライメントずれに起因して、反射素子に入射しなかった漏れ光が迷光となり、隣接する画素での発光であるかのように振舞うことによって、実質的に画質の劣化を招く可能性があった。特に、カラーフィルタを設けない場合には、この問題が顕著になっていた。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、迷光による画質劣化を抑えることが可能な反射板、これを備えた表示装置およびその製造方法を提供することにある。

本発明による反射板は、対向する第１面および第２面を有し、前記第２面に反射素子が設けられた基体と、反射素子の周囲に形成され、少なくとも一層の光吸収埋め込み層を含む複数の埋め込み層とを備えたものである。

本発明による表示装置は、基板に複数の自発光素子を有する発光パネルと、発光パネルの光取り出し側に設けられた反射板とを備え、反射板は、上記本発明の反射板により構成されたものである。

本発明による表示装置の製造方法は、基板に自発光素子を形成して発光パネルを形成する工程と、反射素子を有する反射板を形成する工程と、反射板を、反射素子の先端面を自発光素子に対向させて、発光パネルの光取り出し側に配設する工程とを含み、反射板を形成する工程は、以下の（Ａ）〜（Ｄ）の工程を含むものである。
（Ａ）対向する第１面および第２面を有し、第２面に反射素子が設けられた基体を形成する工程
（Ｂ）反射素子の周囲に樹脂材料よりなる第１埋め込み層を形成したのち硬化させることにより、第１埋め込み層に、表面が反射素子の先端面よりも低くなった凹み部分を形成する工程
（Ｃ）樹脂材料および光吸収材料を含む第２埋め込み層で、凹み部分を埋め込むと共に反射素子を覆ったのち、第２埋め込み層を硬化させる工程
（Ｄ）エッチングにより第２埋め込み層の厚み方向の一部を除去することにより、反射素子の先端面を露出させる工程

本発明の反射板、または本発明の表示装置では、発光パネル上の自発光素子で発生した光は、反射素子の先端面から入射し、反射素子の側面で反射されて外部に取り出される。ここでは、反射素子の周囲に、少なくとも一層の光吸収埋め込み層を含む複数の埋め込み層が形成されているので、この光吸収埋め込み層により、反射素子に入射しなかった漏れ光が吸収される。よって、迷光が低減され、混色などの画質劣化が抑えられる。

本発明の反射板、または本発明の表示装置によれば、反射素子の周囲に、少なくとも一層の光吸収埋め込み層を含む複数の埋め込み層を形成するようにしたので、この光吸収埋め込み層により、反射素子に入射しなかった漏れ光を吸収し、迷光による画質劣化を抑えることが可能となる。

本発明の表示装置の製造方法によれば、反射素子の周囲に樹脂材料よりなる第１埋め込み層を形成したのち硬化させることにより、第１埋め込み層に、表面が反射素子の先端面よりも低くなった凹み部分を形成し、樹脂材料および光吸収材料を含む第２埋め込み層で、凹み部分を埋め込むと共に反射素子を覆ったのち、第２埋め込み層を硬化させ、第２埋め込み層の厚み方向の一部を除去することにより、反射素子の先端面を露出させるようにしたので、上記本発明の表示装置を簡素な工程で製造することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、駆動用基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されたものである。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されている。

表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１３の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。

図３は、図１に示した表示装置の表示領域１１０における断面構成を表したものである。この表示装置は、発光パネル１０と封止パネル２０との間に反射板３０を有している。発光パネル１０と反射板３０とは、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層４１により貼り合わせられている。反射板３０と封止パネル２０とは、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層４２により貼り合わせられている。

発光パネル１０は、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる駆動用基板１１に、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されたものである。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは短冊形の平面形状を有し、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、駆動用基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０および平坦化層１２を間にして、陽極としての第１電極１３、絶縁膜１４、後述する発光層を含む有機層１５、および陰極としての第２電極１６がこの順に積層された構成を有し、必要に応じて保護膜１７により被覆されている。

第１電極１３は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成され、絶縁膜１４により互いに電気的に分離されている。また、第１電極１３は、発光層で発生した光を反射させる反射電極としての機能を有しており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。第１電極１３は、例えば、厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、具体的には５０ｎｍ程度であり、アルミニウム（Ａｌ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）を含む合金、または、銀（Ａｇ）あるいは銀（Ａｇ）を含む合金により構成されている。また、第１電極１３は、クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ）あるいは金（Ａｕ）などの他の金属元素の単体または合金により構成されていてもよい。

絶縁膜１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば、感光性のアクリル，ポリイミド，ポリベンズオキサゾールなどの有機材料、または酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）などの無機絶縁材料により構成されている。絶縁膜１４は、第１電極１３の発光領域に対応して開口部を有している。なお、有機層１５および第２電極１６は、発光領域だけでなく絶縁膜１４の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは絶縁膜１４の開口部だけである。

有機層１５は、例えば、第１電極１３の側から順に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層を積層した構成を有するが、これらのうち発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。なお、電子輸送層と第２電極１６との間には、ＬｉＦ，Ｌｉ₂ Ｏなどよりなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。

有機発光素子１０Ｒの正孔注入層の構成材料としては、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）が挙げられる。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）が挙げられる。有機発光素子１０Ｒの発光層の構成材料としては、例えば、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃ ）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものが挙げられる。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ₃ が挙げられる。

有機発光素子１０Ｇの正孔注入層の構成材料としては、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡが挙げられる。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられる。有機発光素子１０Ｇの発光層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ₃ にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものが挙げられる。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ₃ が挙げられる。

有機発光素子１０Ｂの正孔注入層の構成材料としては、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡが挙げられる。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられる。有機発光素子１０Ｂの発光層の構成材料としては、例えば、スピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）が挙げられる。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ₃ が挙げられる。

第２電極１６は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。また、第２電極１６は、ＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）またはＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）により構成されていてもよい。

保護膜１７は、例えば、厚みが５００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下であり、酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ），窒化シリコン（ＳｉＮ）などにより構成されている。

封止パネル２０は、発光パネル１０の第２電極１６の側に位置しており、接着層３０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止する封止用基板２１を有している。封止用基板２１は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板２１には、例えば、カラーフィルタ２２およびブラックマトリクスとしての遮光膜２３が設けられており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。なお、カラーフィルタ２２および遮光膜２３上には、平坦性を高めるため、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂などよりなるオーバーコート層（図示せず）が設けられていてもよい。

カラーフィルタ２２は、封止用基板２１のどちら側の面に設けられてもよいが、発光パネル１０の側に設けられることが好ましい。カラーフィルタ２２が表面に露出せず、接着層３０により保護することができるからである。カラーフィルタ２２は、赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂを有しており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。

赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。

遮光膜２３は、赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂの境界に沿って設けられている。遮光膜２３は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ）とを交互に積層したものが挙げられる。

反射板３０は、発光パネル１０の光取り出し側すなわち第２電極１６側に設けられ、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂからの光取り出し効率を高めるためのものである。反射板３０は、対向する第１面３１Ａおよび第２面３１Ｂを有する基体３１を備えており、この基体３１の第２面３１Ｂには、複数の凸状の反射素子３１Ｃが設けられている。基体３１は、例えば、全体が紫外線硬化型樹脂あるいは熱硬化型樹脂により構成されていてもよい。また、基体３１は、ガラス基板に紫外線硬化型樹脂あるいは熱硬化性樹脂よりなる樹脂層を形成し、この樹脂層の厚み方向の一部または全部に反射素子３１Ｃを設けたものでもよい。

基体３１の第２面３１Ｂのうち反射素子３１Ｃ以外の平坦領域３１Ｄには、光吸収膜３２が形成されている。光吸収膜３２は、遮光膜２３を通過してきた外光ｈ１を吸収し、外光の逆反射によるコントラスト低下を抑えるためのものであり、例えば、厚みが５００ｎｍ程度であり、ａ−Ｓｉまたはｐ−Ｓｉなど、光に対して吸収率の高い材料により構成されている。

反射素子３１Ｃの側面３１Ｅには、反射鏡膜３３が形成されている。反射鏡膜３３は、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆから入射した光を反射させるためのものであり、例えば、厚みが４００ｎｍ程度であり、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む合金により構成されている。なお、反射鏡膜３３は、反射素子３１Ｃの側面３１Ｅだけでなく、光吸収膜３２上にも形成されていてもよい。

反射素子３１Ｃの周囲は、埋め込み層３４で埋め込まれている。埋め込み層３４は、後述する製造工程において反射素子３１Ｃの先端部を研磨する際に反射素子３１Ｃの倒れ等を防ぎ、歩留まりを高めるためのものである。また、埋め込み層３４を設けることにより、反射板３０と発光パネル１０の保護膜１６とは面合わせの状態で接着を行うことができ、埋め込み層３４を設けずに接着層４１で直接貼り合わせる場合に比べて水分や空気成分が残留しにくいという利点もある。

この埋め込み層３４は、少なくとも一層の光吸収埋め込み層を含む複数の層を含んでいる。具体的には、埋め込み層３４は、基体３１側から順に、樹脂材料よりなる第１埋め込み層３４Ａと、樹脂材料および光吸収材料を含む第２埋め込み層３４Ｂとを含んでいる。これにより、この表示装置では、迷光による画質劣化を抑えることができるようになっている。

第１埋め込み層３４Ａは、例えば、アクリル、エポキシ系の紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂などの樹脂材料により構成されており、表面に反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆよりも低くなった凹み部分３４Ｃを有している。

第２埋め込み層３４Ｂは、第１埋め込み層３４Ａの凹み部分３４Ｃを埋め込んでおり、例えば、アクリル、エポキシ系の紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂により樹脂材料に、光吸収材料を分散させたものにより構成されている。光吸収材料としては、例えば、炭素（Ｃ），酸化クロム（ＣｒＯ），窒化チタン（ＴｉＮ）およびシリコン（Ｓｉ）が挙げられる。光吸収材料は、これらのうち１種でもよいし、２種以上でもよい。また、第２埋め込み層３４Ｂの表面３４Ｄと、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆとは同一平面をなしている。

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

図４ないし図１８は、この表示装置の製造方法を工程順に表したものである。まず、図４（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる駆動用基板１１の上に、画素駆動回路１４０を形成する。

次に、図４（Ｂ）に示したように、駆動用基板１１の全面に、例えばスピンコート法により、例えば感光性ポリイミドよりなる平坦化層１２を塗布形成し、露光、現像処理により所定の形状にパターニングすると共に接続孔１２Ａを形成したのち、焼成する。

続いて、図５（Ａ）に示したように、平坦化層１２の上に、例えばスパッタ法により、例えば上述した厚みおよび材料よりなる第１電極１３を形成したのち、例えばリソグラフィー技術およびエッチングにより、第１電極１３を所定の形状にパターニングする。これにより、平坦化層１２の上に、複数の第１電極１３が形成される。

そののち、図５（Ｂ）に示したように、駆動用基板１１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、露光および現像処理により開口部を設けたのち、焼成して、絶縁膜１４を形成する。

続いて、図６（Ａ）に示したように、例えば真空蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる有機発光素子１０Ｒの正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層を順次成膜し、有機発光素子１０Ｒの有機層１５を形成する。そののち、同じく図６（Ａ）に示したように、有機発光素子１０Ｒの有機層１５と同様にして、上述した厚みおよび材料よりなる有機発光素子１０Ｇの正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層を順次成膜し、有機発光素子１０Ｇの有機層１５を形成する。続いて、同じく図６（Ａ）に示したように、有機発光素子１０Ｒの有機層１６と同様にして、上述した厚みおよび材料よりなる有機発光素子１０Ｂの正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層を順次成膜し、有機発光素子１０Ｂの有機層１５を形成する。

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１５を形成したのち、図６（Ｂ）に示したように、駆動用基板１１の全面にわたり、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる第２電極１６を形成する。以上により、図３に示した有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。

次に、図７に示したように、第２電極１６の上に、上述した厚みおよび材料よりなる保護膜１７を形成する。これにより、図３に示した発光パネル１０が形成される。

また、反射板３０を形成する。まず、図８（Ａ）に示したように、ガラス基板６１に、例えばスリットコータ等を用いてレジストを塗布し、レジスト膜６２Ａを形成する。次いで、図８（Ｂ）に示したように、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて、フォトマスク６３を介してレジスト膜６２Ａに紫外光ＵＶを露光し、現像することにより、レジスト膜６２Ａをパターニングする。これにより、図８（Ｃ）に示したように、ガラス基板６１に反射素子６２を形成した母型６４を形成する。

続いて、図９（Ａ）に示したように、母型６４を用いた電鋳により、ニッケル（Ｎｉ）よりなる金型６５を形成する。そののち、図９（Ｂ）に示したように、この金型６５を用いた光インプリント（２Ｐ：Photo-Polymarization）または熱インプリントにより、基体３１を形成する。このようにすれば、一つの金型６５から多数の基体３１を低コストで複製（レプリケーション）することができ、生産性が向上し、量産に好適である。

光インプリントの場合は、まず、図１０（Ａ) に示したように、例えばＢＫ−７ガラスよりなるガラス基板７１に、紫外線硬化型樹脂よりなる樹脂層７２を形成し、この樹脂層７２を金型６５に接触させて紫外光ＵＶを照射する。照射条件は、例えば、３００ｍＪ×３０ｐａｓｓ（９Ｊ）とすることができる。そののち、金型６５から離型することにより、図１０（Ｂ）に示したように、反射素子３１Ｃを有する基体３１が形成される。

熱インプリントの場合は、まず、図１１（Ａ）に示したように、金型６５に、容器７３ＡからＰＤＭＳ（Poly-Dimethyl-Siloxane）などの樹脂７３を注入し、熱硬化させる。ＰＤＭＳとしては、具体的には、例えばダウコーニング社製「Ｓｙｌｇａｒｄ（登録商標）１８４」を用いることができる。硬化条件は、例えば、５８℃、１ｈｏｕｒとすることができる。そののち、図１１（Ｂ）に示したように、金型６５から剥離することにより、反射素子３１Ｃを有する基体３１が形成される。

基体３１を形成したのち、図１２（Ａ）に示したように、基体３１の表面に、例えばスパッタ成膜により、ａ−Ｓｉまたはｐ−Ｓｉなどよりなる光吸収材料膜３２Ａを形成する。このとき、図１２（Ｂ）に示したように、成膜材料３２Ａ１は基体３１の第２面３１Ｂに対してほぼ垂直な方向に堆積する。そのため、反射素子３１Ｃの側面３１Ｅと、基体３１の第２面３１Ｂのうち反射素子３１Ｃ以外の平坦領域３１Ｄおよび反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆとは成膜レートが異なり、反射素子３１Ｃの側面３１Ｅでは成膜レートが遅くなる。

光吸収材料膜３２Ａを形成したのち、図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）に示したように、例えばＸｅＦ₂ を用いた等方性エッチングにより、反射素子３１Ｃの側面３１Ｅの光吸収材料膜３２Ａを除去する。

反射素子３１Ｃの側面３１Ｅの光吸収材料膜３２Ａを除去したのち、図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）に示したように、基体３１の表面に反射材料膜３３Ａを形成する。

続いて、図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）に示したように、反射素子３１Ｃの周囲に、例えばスピン，スプレー，スキージ，ディップ等のコーティング方法により、上述した材料よりなる第１埋め込み層３４Ａを形成したのち硬化させる。第１埋め込み層３４Ａは硬化により１０％程度収縮するので、第１埋め込み層３４Ａには、表面が反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆよりも低い凹み部分３４Ｃが形成される。

そのためには、第１埋め込み層３４Ａは、図１５（Ｂ）の点線に示したように、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆ以下の高さ３４Ａ１で塗布したのち硬化させることが好ましく、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆと同じ高さで塗布したのち硬化させるようにすれば、より好ましい。図１６に示したように、第１埋め込み層３４Ａを反射素子３１Ｃを覆う高さ３４Ａ１で塗布してしまうと、硬化収縮しても、凹み部分３４Ｃが反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆよりも高くなってしまい、第２埋め込み層３４Ｂを確実に形成することが難しくなるからである。

そののち、図１７（Ａ）および図１７（Ｂ）に示したように、例えばスピン，スプレー，スキージ，ディップ等のコーティング方法により、上述した材料よりなる第２埋め込み層３４Ｂで、凹み部分３４Ｃを埋め込むと共に反射素子３１Ｃを覆ったのち、第２埋め込み層３４Ｂを硬化させる。

第２埋め込み層３４Ｂは、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆと凹み部分３４Ｃとの段差を吸収し、最上面３４Ｅは平坦になるような条件で塗布する。具体的には、最上面３４Ｅは反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆを覆う高さとし、好適には覆う部分の厚さが１μｍ以下、より好適には１００ｎｍ以下となるようにする。この範囲内とすれば、硬化収縮による影響をほとんど受けないからである。

続いて、図１８（Ａ）および図１８（Ｂ）に示したように、第２埋め込み層３４Ｂの厚み方向の一部（反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆを覆う部分）、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆの反射材料膜３３Ａおよび光吸収材料膜３２Ａを除去する。これにより、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆを露出させると共に、第２埋め込み層３４Ｂの表面３４Ｄと、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆとを同一平面とする。このとき、平坦領域３１Ｄに光吸収材料膜３２Ａよりなる光吸収膜３２が形成される。また、反射素子３１Ｃの側面３１Ｅと、光吸収膜３２の上とには、反射材料膜３３Ａよりなる反射鏡膜３３が形成される。

この反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆを露出させる工程は、エッチングにより行うことが好ましい。従来の研磨法に比べて、より量産性に優れ、一貫プロセスに取り入れることも容易となるからである。

これに対して、従来では、研磨材を用いた物理的な除去法により、反射素子の先端面を露出させるようにしていた。そのため、研磨定盤への貼り合わせ精度や研磨のエンドポイント等の制御で試行錯誤の域を脱せず、長時間作業や削りすぎによる面内分布不良が起こりやすかった。

第２埋め込み層３４Ｂを除去するためのエッチャントとしては、例えば、光吸収材料が炭素（Ｃ）系の場合は酸素プラズマまたはオゾン、光吸収材料が酸化クロム（ＣｒＯ）系の場合は塩素（Ｃｌ）を含むプラズマ種またはＺｎＣｌ２、光吸収材料がチタン（Ｔｉ）またはシリコン（Ｓｉ）系の場合はフッ素（Ｆ）を含むプラズマ種またはＸｅＦ２等を用いることが好ましい。プラズマ等を用いたいわゆるＲＩＥ（Reactive Ion Etching；反応性イオンエッチング）を用いなくても所望の形状を作製することができるからである。すなわち、高周波励起によるイオン種の反応をしなくても作製することができ、製造コストおよびタクトタイムの点で有利となる。

反射材料膜３３Ａを除去するためのエッチャントとしては、例えば、反射材料膜３３Ａがアルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）系である場合は塩素（Ｃｌ）を含むプラズマ種またはＺｎＣｌ２、チタン（Ｔｉ）等である場合はフッ素（Ｆ）を含むプラズマ種またはＸｅＦ２等を用いることが好ましい。理由は第２埋め込み層３４Ｂと同様である。

光吸収材料膜３２Ａを除去するためのエッチャントとしては、例えば、光吸収材料膜３２Ａがｐ−Ｓｉにより構成されている場合は、ＸｅＦ２を用いることが好ましい。理由は第２埋め込み層３４Ｂと同様である。なお、光吸収材料膜３２Ａが例えばクロム（Ｃｒ）またはチタン（Ｔｉ）を含む無機材料により構成されている場合は、第２埋め込み層３４Ｂと同様のエッチャントを用いることが可能である。

なお、エッチングは、ドライプロセスにこだわる必要はなく、酸・アルカリ系のウェットエッチングを組み合わせてもよい。例えばフッ素（Ｆ）を含むプラズマ種は毒性があるので、ウェットエッチングを用いることは好ましい。

以上により、図３に示した反射板３０が形成される。

反射板３０および発光パネル１０を形成したのち、図１９に示したように、発光パネル１０の保護膜１７上に接着層４１を形成し、反射板３０を、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆを有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対向させて、発光パネル１０の光取り出し側（第２電極１６側）に配設して、接着層４１により貼り合わせる。

また、図２０（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる封止用基板２１に、上述した材料よりなる遮光膜２３を成膜し、所定の形状にパターニングする。次いで、図２０（Ｂ）に示したように、封止用基板２１の上に、赤色フィルタ２２Ｒの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ２２Ｒを形成する。パターニングの際には、赤色フィルタ２２Ｒの周縁部が遮光膜２３にかかるようにしてもよい。続いて、図２０（Ｃ）に示したように、赤色フィルタ２２Ｒと同様にして、青色フィルタ２２Ｂおよび緑色フィルタ２２Ｇを順次形成する。これにより、封止パネル２０が形成される。

続いて、反射板３０の上に接着層４２を形成し、この接着層４２を間にして、反射板３０と封止パネル２０とを貼り合わせる。以上により、図１ないし図３に示した表示装置が完成する。

また、この表示装置は、例えば次のようにして製造することもできる。

まず、上述した製造方法と同様にして、図４ないし図７に示した工程により、発光パネル１０を形成する。

また、反射板３０を形成する。図２１ないし図２３は、反射板３０の他の製造方法を工程順に表したものである。まず、図２１（Ａ）に示したように、上述した製造方法と同様にして、図８（Ａ）に示した工程により、ガラス基板６１にレジスト膜６２Ａを形成する。その際、レジスト膜６２Ａの構成材料としては、化薬マイクロケム社製「ＳＵ−８（商品名）」に代表される永久レジストを用いる。次いで、図２１（Ｂ）に示したように、上述した製造方法と同様にして、図８（Ｂ）に示した工程により、レジスト膜６２Ａをパターニングする。これにより、図２１（Ｃ）に示したように、ガラス基板６１にレジスト膜６２Ａよりなる反射素子３１Ｃを形成し、これを基体３１として用いることができる。

続いて、図２２（Ａ）に示したように、上述した製造方法と同様にして、図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）に示した工程により、基体３１の表面に光吸収材料膜３２Ａを形成する。

そののち、図２２（Ｂ）に示したように、上述した製造方法と同様にして、図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）に示した工程により、等方性エッチングにより、反射素子３１Ｃの側面３１Ｅの光吸収材料膜３２Ａを除去する。

反射素子３１Ｃの側面３１Ｅの光吸収材料膜３２Ａを除去したのち、図２２（Ｃ）に示したように、上述した製造方法と同様にして、図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）に示した工程により、基体３１の第２面３１Ｂに反射材料膜３３Ａを形成する。

反射材料膜３３Ａを形成したのち、図２３（Ａ）に示したように、上述した製造方法と同様にして、図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）に示した工程により、反射素子３１Ｃの周囲に第１埋め込み層３４Ａを形成し、硬化させる。

第１埋め込み層３４Ａを形成し、硬化させたのち、図２３（Ｂ）に示したように、上述した製造方法と同様にして、図１７（Ａ）および図１７（Ｂ）に示した工程により、第２埋め込み層３４Ｂを形成し、硬化させる。

第２埋め込み層３４を形成し、硬化させたのち、図２３（Ｃ）に示したように、第２埋め込み層３４Ｂの厚み方向の一部（反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆを覆う部分）、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆの反射材料膜３３Ａおよび光吸収材料膜３２Ａを除去する。これにより、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆを露出させると共に、第２埋め込み層３４Ｂの表面３４Ｄと、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆとを同一平面とする。以上により、図３に示した反射板３０が形成される。

反射板３０および発光パネル１０を形成したのち、上述した製造方法と同様にして、図１９に示した工程により、反射板３０を、発光パネル１０の光取り出し側（第２電極１６側）に配設して、接着層４１により貼り合わせる。

また、上述した製造方法と同様にして、図２０に示した工程により、封止パネル２０を形成し、反射板３０と封止パネル２０とを接着層４２を間にして貼り合わせる。以上により、図１ないし図３に示した表示装置が完成する。

この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６，反射板３０，カラーフィルタ２２および封止用基板２１を透過して取り出される。

具体的には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光は、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆから入射し、反射素子３１の側面３１Ｅに形成された反射鏡膜３３により反射されて外部に取り出される。よって、光取り出し効率が高まり、輝度が向上する。ここでは、反射素子３１Ｃの周囲に、光吸収材料を含む第２埋め込み層３４Ｂが形成されているので、この第２埋め込み層３４Ｂにより、反射素子３１Ｃに入射しなかった漏れ光ｈ１が吸収される。よって、迷光が低減され、混色などの画質劣化が抑えられる。

また、基体３１の第２面３１Ｂの平坦領域３１Ｄには光吸収膜３２が形成されているので、この光吸収膜３２により、遮光膜２３を透過してきた外光ｈ２が吸収される。よって、外光が反射鏡膜３３で逆反射することが抑えられ、迷光が低減される。従って、コントラスト低下が抑えられる。

このように本実施の形態の表示装置では、反射素子３１Ｃの周囲に、樹脂材料よりなる第１埋め込み層３４Ａと、樹脂材料および光吸収材料を含む第２埋め込み層３４Ｂを形成するようにしたので、第２埋め込み層３４Ｂにより、反射素子３１Ｃに入射しなかった漏れ光ｈ１を吸収し、迷光による画質劣化を抑えることが可能となる。

また、本実施の形態の表示装置の製造方法では、反射板３０を形成する工程で、反射素子３１Ｃの周囲に第１埋め込み層３４Ａを形成したのち硬化させることにより、第１埋め込み層３４Ａに凹み部分３４Ｃを形成し、第２埋め込み層３４Ｂで凹み部分３４Ｃを埋め込むと共に反射素子３１Ｃを覆ったのち、第２埋め込み層３４Ｂを硬化させ、第２埋め込み層３４Ｂの厚み方向の一部を除去することにより、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆを露出させるようにしたので、本実施の形態の表示装置を簡素な工程で製造することができる。

（第２の実施の形態）
図２４は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の断面構成を表したものである。本実施の形態の表示装置は、封止パネル２０および接着層４２を設けないＣＦレス構造としたことを除いては、上記第１の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。

（第３の実施の形態）
図２５は、本発明の第３の実施の形態に係る表示装置の断面構成を表したものである。本実施の形態の表示装置は、封止パネル２０が反射板３０に一体化され、反射素子３１Ｃの底面にカラーフィルタ２２が設けられたＣＦ一体型反射板を備えていることを除いては、上記第１の実施の形態と同様の構成を有している。

この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。

まず、第１の実施の形態と同様にして、図４ないし図７に示した工程により、発光パネル１０を形成する。また、第１の実施の形態と同様にして、図２０に示した工程により、封止パネル２０を形成する。

次いで、第１の実施の形態で説明した二つの製造方法のいずれかにより、反射板３０を形成する。その際、図１０に示した光インプリント法におけるガラス基板７１、または図２１（Ａ）に示したガラス基板６１として上述した封止パネル２０を用いることにより、反射素子３１Ｃの底面にカラーフィルタ２２を形成する。

続いて、第１の実施の形態と同様にして、反射板３０を、発光パネル１０の光取り出し側（第２電極１６側）に配設して、接着層４１により貼り合わせる。以上により、図２５に示した表示装置が完成する。

ここでは、反射素子３１Ｃの底面にカラーフィルタ２２が形成されているので、封止パネル２０と反射板３０とを一体化し、第１の実施の形態に比べて部品点数を少なくすると共に貼り合わせ工程も減らすことができる。また、コストを下げるためカラーフィルタ２２を外す必要がなく、コントラスト低下または視認性の悪化等の性能劣化を引き起こしてしまうおそれがなくなる。反射板３０を備えることにより、電流注入を増やさなくても輝度を上げることができ、素子寿命等の信頼性を向上させることができる。

本実施の形態では、上記第１の実施の形態の作用および効果に加えて、部品点数を削減することができ、貼り合わせのためのアライメント回数も減らすことができ、製造コスト，タクトタイム，歩留まり等の観点で有利である。

（第４の実施の形態）
図２６は、本発明の第４の実施の形態に係る表示装置の断面構成を表したものである。この表示装置は、光吸収膜３２が、平坦領域３１Ｄと、反射素子３１Ｃの側面３１Ｅの反射鏡膜３３の上とに形成されている。反射鏡３３の上に形成された光吸収膜３２は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光のうち、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆに入射しなかった光成分を吸収するものである。これにより、反射素子３１Ｃに入射しなかった光成分が、隣接する反射素子３１Ｃの側面３１Ｅの反射鏡膜３３で反射されて迷光となり、隣接画素への混色の原因となることなどを抑えることができる。このことを除いては、本実施の形態の表示装置は、上記第１の実施の形態と同様の構成を有している。

この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。

図２７ないし図３４は、この表示装置の製造方法を工程順に表したものである。また、第１の実施の形態と製造工程が重複する部分については、図４ないし図７および図２０を参照して説明する。

まず、第１の実施の形態と同様にして、図４ないし図７に示した工程により、発光パネル１０を形成する。

また、反射板３０を形成する。まず、図２７（Ａ）に示したように、第１の実施の形態と同様にして、図８（Ａ）に示した工程により、ガラス基板６１にレジスト膜６２Ａを形成する。

次いで、図２７（Ｂ）に示したように、第１の実施の形態と同様にして、図８（Ｂ）に示した工程により、レジスト膜６２Ａをパターニングする。これにより、図２７（Ｃ）に示したように、ガラス基板６１に反射素子６２を形成した母型６４を形成する。

続いて、図２８（Ａ）に示したように、第１の実施の形態と同様にして、図９（Ａ）に示した工程により、母型６４を用いた電鋳により、金型６５を形成する。そののち、図２８（Ｂ）に示したように、第１の実施の形態と同様にして、図９（Ｂ）ないし図１１に示した工程により、金型６５を用いた光インプリントまたは熱インプリントにより、基体３１を形成する。なお、基体３１は、第１の実施の形態で図２１を参照して説明した工程により形成するようにしてもよい。

基体３１を形成したのち、図２９（Ａ）に示したように、基体３１の第２面３１Ｂに、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む合金よりなる反射材料膜３３Ａを形成する。このとき、図２９（Ｂ）に示したように、成膜材料３３Ａ１は基体３１の第２面３１Ｂに対してほぼ垂直な方向に堆積する。そのため、反射素子３１Ｃの側面３１Ｅと、基体３１の第２面３１Ｂの平坦領域３１Ｄおよび反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆとは成膜レートが異なり、反射素子３１Ｃの側面３１Ｅでは成膜レートが遅くなる。

反射材料膜３３Ａを形成したのち、図３０（Ａ）および図３０（Ｂ）に示したように、異方性エッチングにより、平坦領域３１Ｄおよび反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆの反射材料膜４３Ａを除去する。具体的には、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）の手法で基体３１のバイアスを調節し、平坦領域３１Ｄおよび反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆと、反射素子３１Ｃの側面３１Ｅとのエッチングレート差を出せるような条件で全面エッチングを行う。エッチング種としては、例えば、Ｃｌ，Ｆ，Ｂｒイオンを含むものが挙げられる。具体的には、例えばＣｌ₂ 系エッチングガスを用いることができる。これにより、直線的に反応性の高い（時定数の短い）イオン種が基体３１に届き、平坦領域３１Ｄおよび反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆの反射材料膜３３Ａが先にエッチオフされ、反射素子３１Ｃの側面３１Ｅのみに反射材料膜３３Ｂが残る。

平坦領域３１Ｄおよび反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆの反射材料膜３３Ａを除去したのち、図３１（Ａ）および図３１（Ｂ）に示したように、基体３１の表面に光吸収材料膜３２Ａを形成する。成膜方法としては、蒸着またはスパッタのような手法に限らず、スピンコート、スプレー、スリットコート、ディップコート、スキージ印刷等、適当な生産性および製造コストを両立可能なものであれば特に限定されない。

光吸収材料膜３２Ａを形成したのち、図３２（Ａ）および図３２（Ｂ）に示したように、第１の実施の形態と同様にして、図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）に示した工程により、反射素子３１Ｃの周囲に第１埋め込み層３４Ａを形成し、硬化させる。

第１埋め込み層３４Ａを形成し、硬化させたのち、図３３（Ａ）および図３３（Ｂ）に示したように、上述した製造方法と同様にして、図１７（Ａ）および図１７（Ｂ）に示した工程により、第２埋め込み層３４Ｂを形成し、硬化させる。

第２埋め込み層３４を形成し、硬化させたのち、図３４（Ａ）および図３４（Ｂ）に示したように、第２埋め込み層３４Ｂの厚み方向の一部（反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆを覆う部分）、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆの反射材料膜３３Ａおよび光吸収材料膜３２Ａを除去する。これにより、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆを露出させると共に、第２埋め込み層３４Ｂの表面３４Ｄと、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆとを同一平面とする。以上により、図２６に示した反射板３０が形成される。

反射板３０および発光パネル１０を形成したのち、第１の実施の形態と同様にして、反射板３０を、発光パネル１０の光取り出し側（第２電極１６側）に配設し、接着層４１により貼り合わせる。

また、第１の実施の形態と同様にして、図２０に示した工程により、封止パネル２０を形成し、反射板３０と封止パネル２０とを接着層４２を間にして貼り合わせる。以上により、図２６に示した表示装置が完成する。

この表示装置では、第１の実施の形態と同様にして有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発光が生じ、この光は、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆから入射し、反射素子３１Ｃの側面３１Ｅに形成された反射鏡膜３３により反射されて外部に取り出される。よって、光取り出し効率が高まり、輝度が向上する。ここでは、反射素子３１Ｃの周囲に、光吸収材料を含む第２埋め込み層３４Ｂが形成されているので、この第２埋め込み層３４Ｂにより、反射素子３１Ｃに入射しなかった漏れ光ｈ１が吸収される。よって、迷光が低減され、混色などの画質劣化が抑えられる。

また、反射素子３１Ｃの側面３１Ｅの反射鏡３３の上にも、光吸収膜３２が形成されているので、第２埋め込み層３４Ｂを透過した漏れ光ｈ１は、光吸収膜３２で吸収される。これにより、迷光による隣接画素への混色などの画質劣化が、更に確実に抑制される。

更に、基体３１の第２面３１Ｂの平坦領域３１Ｄには光吸収膜３２が形成されているので、この光吸収膜３２により、遮光膜２３を透過してきた外光ｈ２が吸収される。よって、外光が反射鏡膜３３で逆反射することが抑えられ、迷光が低減される。従って、コントラスト低下が抑えられる。

このように本実施の形態の表示装置では、第１の実施の形態の効果に加えて、反射板３０の基体３１の第２面３１Ｂの平坦領域３１Ｄに光吸収膜３２を形成するようにしたので、この光吸収膜３２により外光ｈ２を吸収し、外光の逆反射によるコントラスト低下を抑えることができる。

更に、光吸収膜３２を、反射素子３１Ｃの側面３１Ｅの反射鏡膜３３の上に形成するようにしたので、漏れ光ｈ１を吸収することができ、隣接画素への混色の原因となることなどを抑えることができる。特に、第２の実施の形態の図２４に示したようなＣＦレス構造に、本実施の形態を適用すれば、ＣＦレス構造でもコントラストや画質の劣化を抑えることができ、視認性の向上が可能となる。

また、本実施の形態の表示装置の製造方法では、反射板３０の製造工程で、基体３１の第２面３１Ｂに反射材料膜３３Ａを形成し、異方性エッチングにより平坦領域３１Ｄおよび反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆの反射材料膜３３Ａを除去したのち、基体３１の表面に光吸収材料膜３２Ａを形成し、反射素子３１Ｃの先端面３１Ｆの光吸収材料膜３２Ａおよび反射材料膜３３Ａを除去するようにしたので、本実施の形態の表示装置を簡素な工程で製造することができる。

なお、本実施の形態においても、第３の実施の形態と同様に、図１０に示した光インプリント法におけるガラス基板７１、または図２１（Ａ）に示したガラス基板６１として上述した封止パネル２０を用いることにより、反射素子３１Ｃの底面にカラーフィルタ２２を形成するようにしてもよい。

（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図３５に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止パネル２０および接着層５０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図３６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例２）
図３７は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例３）
図３８は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例４）
図３９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例５）
図４０は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

また、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇおよび反射板３０の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、上記実施の形態の反射板３０では、反射素子３１Ｃの周囲に、基体３１側から順に、樹脂材料よりなる第１埋め込み層３４Ａと、樹脂材料および光吸収材料を含む第２埋め込み層２３Ｂとを積層する場合について説明したが、積層順序を逆にして、基体３１側から順に、樹脂材料および光吸収材料を含む第２埋め込み層３４Ｂと、樹脂材料よりなる第１埋め込み層３４Ａとを積層するようにしてもよい。

更に、反射素子３１Ｃの周囲に、３層以上の埋め込み層を積層すると共に、少なくともそのうちの一層を光吸収埋め込み層とするようにしてもよい。

加えて、本発明は、有機発光素子のほか、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、ＦＥＤ（Field Emission Display）、無機エレクトロルミネッセンス素子などの他の自発光素子を用いた自発光装置にも適用可能である。

更にまた、本発明の表示装置は、照明装置など、表示以外の他の目的の発光装置にも適用可能である。

本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。 図１に示した表示装置の表示領域における構成を表す断面図である。 図３に示した表示装置の製造方法を工程順に表した断面図である。 図４に続く工程を表す断面図である。 図５に続く工程を表す断面図である。 図６に続く工程を表す断面図である。 図４に続く工程を表す断面図である。 図８に続く工程を表す断面図である。 図９（Ｂ）に示した工程の一例を工程順に表す断面図である。 図９（Ｂ）に示した工程の他の例を工程順に表す断面図である。 図９に続く工程を表す断面図である。 図１２に続く工程を表す断面図である。 図１３に続く工程を表す断面図である。 図１４に続く工程を表す断面図である。 図１５に示した第１埋め込み層の塗布高さを説明するための断面図である。 図１５に続く工程を表す断面図である。 図１７に続く工程を表す断面図である。 図１８に続く工程を表す断面図である。 図１９に続く工程を表す断面図である。 図３に示した表示装置の他の製造方法を工程順に表した断面図である。 図２０に続く工程を表す断面図である。 図２１に続く工程を表す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 本発明の第３の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 本発明の第４の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図２６に示した表示装置の製造方法を工程順に表した断面図である。 図２７に続く工程を表す断面図である。 図２８に続く工程を表す断面図である。 図２９に続く工程を表す断面図である。 図３０に続く工程を表す断面図である。 図３１に続く工程を表す断面図である。 図３２に続く工程を表す断面図である。 図３３に続く工程を表す断面図である。 上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

符号の説明

１０…発光パネル、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…駆動用基板、１２…第１電極、１３…絶縁膜、１４…有機層、１５…第２電極、１６…保護膜、２０…封止パネル、２１…封止用基板、２２…カラーフィルタ、２３…遮光膜、３０…反射板、３１…基体、３１Ａ…第１面、３１Ｂ…第２面、３１Ｃ…反射素子、３１Ｄ…平坦領域、３１Ｅ…側面、３１Ｆ…先端面、３２…光吸収膜、３２Ａ…光吸収材料膜、３３…反射鏡膜、３３Ａ…反射材料膜、３４Ａ…第１埋め込み層、３４Ｂ…第２埋め込み層、４１，４２…接着層、１１０…表示領域、１４０…画素駆動回路、Ｃｓ…キャパシタ、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書き込みトランジスタ

Claims (17)

1. 対向する第１面および第２面を有し、前記第２面に反射素子が設けられた基体と、
   前記反射素子の周囲に形成され、少なくとも一層の光吸収埋め込み層を含む複数の埋め込み層と
   を備えた反射板。
2. 前記複数の埋め込み層は、前記基体側から順に、樹脂材料よりなる第１埋め込み層と、樹脂材料および光吸収材料を含む第２埋め込み層とを含み、
   前記第１埋め込み層は、表面が前記反射素子の先端面よりも低くなった凹み部分を有し、
   前記第２埋め込み層は、前記第１埋め込み層の凹み部分を埋め込んでいる
   請求項１記載の反射板。
3. 前記第２埋め込み層の表面と、前記反射素子の先端面とが同一平面をなしている
   請求項２記載の反射板。
4. 前記基体の第２面のうち前記反射素子以外の領域に、光吸収膜が形成されている
   請求項１ないし３のいずれか１項に記載の反射板。
5. 前記反射素子の側面と、前記光吸収膜の上とに、前記反射素子の先端面から入射した光を反射させる反射鏡膜が形成されている
   請求項４記載の反射板。
6. 前記反射素子の側面に、前記反射素子の先端面から入射した光を反射させる反射鏡膜が形成されており、
   前記光吸収膜は、前記第２面のうち前記反射素子以外の領域と、前記反射鏡膜の上とに形成されている
   請求項４記載の反射板。
7. 前記反射素子の底部にカラーフィルタが設けられている
   請求項１記載の反射板。
8. 基板に複数の自発光素子を有する発光パネルと、
   前記発光パネルの光取り出し側に設けられた反射板とを備え、
   前記反射板は、
   対向する第１面および第２面を有し、前記第２面に反射素子が設けられた基体と、
   前記反射素子の周囲に形成され、少なくとも一層の光吸収埋め込み層を含む複数の埋め込み層と
   を備えた表示装置。
9. 基板に自発光素子を形成して発光パネルを形成する工程と、
   反射素子を有する反射板を形成する工程と、
   前記反射板を、前記反射素子の先端面を前記自発光素子に対向させて、前記発光パネルの光取り出し側に配設する工程と
   を含み、
   前記反射板を形成する工程は、
   対向する第１面および第２面を有し、前記第２面に前記反射素子が設けられた基体を形成する工程と、
   前記反射素子の周囲に樹脂材料よりなる第１埋め込み層を形成したのち硬化させることにより、前記第１埋め込み層に、表面が前記反射素子の先端面よりも低くなった凹み部分を形成する工程と、
   樹脂材料および光吸収材料を含む第２埋め込み層で、前記凹み部分を埋め込むと共に前記反射素子を覆ったのち、前記第２埋め込み層を硬化させる工程と、
   前記第２埋め込み層の厚み方向の一部を除去することにより、前記反射素子の先端面を露出させる工程と
   を含む表示装置の製造方法。
10. 前記第１埋め込み層を、前記反射素子の先端面以下の高さで形成したのち硬化させる
    請求項９記載の表示装置の製造方法。
11. 前記反射素子の先端面を露出させる工程をエッチングにより行う
    請求項９記載の表示装置の製造方法。
12. 前記エッチングを、ＸｅＦ２およびＺｎＣｌ２のうち少なくとも一方を含むガスを用いたドライエッチングにより行う
    請求項１１記載の表示装置の製造方法。
13. 前記基体を形成する工程と、前記第１埋め込み層を形成したのち硬化させる工程との間に、
    前記基体の第２面に光吸収材料膜を形成する工程と、
    等方性エッチングにより前記反射素子の側面の光吸収材料膜を除去する工程と、
    前記反射素子の側面の光吸収材料膜を除去したのち前記基体の第２面に反射材料膜を形成する工程と
    を含む請求項９ないし１２のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
14. 前記基体を形成する工程と、前記第１埋め込み層を形成したのち硬化させる工程との間に、
    前記基体の第２面に反射材料膜を形成する工程と、
    異方性エッチングにより前記第２面のうち前記反射素子以外の領域および前記反射素子の先端面の反射材料膜を除去する工程と、
    前記第２面のうち前記反射素子以外の領域および前記反射素子の先端面の反射材料膜を除去したのち前記基体の第２面に光吸収材料膜を形成する工程と
    を含む請求項９ないし１２のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
15. 前記基体を形成する工程は、
    ガラス基板にレジスト膜を形成する工程と、
    前記レジスト膜を露光および現像することにより、前記ガラス基板に前記レジスト膜よりなる反射素子を形成する工程と
    を含む請求項９記載の表示装置の製造方法。
16. 前記基体を形成する工程は、
    ガラス基板にレジスト膜を形成する工程と、
    前記レジスト膜を露光および現像することにより、前記ガラス基板に前記レジスト膜よりなる反射素子を有する母型を形成する工程と
    前記母型を用いた電鋳により、金型を形成する工程と、
    前記金型を用いた光インプリントまたは熱インプリントにより、前記基体を形成する工程と
    を含む請求項９記載の表示装置の製造方法。
17. 前記反射素子の底面に、カラーフィルタを設ける
    請求項９記載の表示装置の製造方法。

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