JP2010186802A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第2導電型半導体層、活性層、第1導電型半導体層および上側電極部を順次具え、前記支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、前記中間層は、線状または島状に延在する少なくとも1つの中間電極部を有し、前記上側電極部と前記中間電極部とを前記支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、前記上側電極部と前記中間電極部とは、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、前記上側電極部と前記中間電極部との間の距離は、10〜50μmの範囲であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
(1)支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第2導電型半導体層、活性層、第1導電型半導体層および上側電極部を順次具え、前記支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、前記中間層は、線状に延在する少なくとも1つの中間電極部を有し、前記上側電極部と前記中間電極部とを前記支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、前記上側電極部と前記中間電極部とは、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、前記上側電極部と前記中間電極部との間の距離は、10〜50μmの範囲であることを特徴とする半導体発光素子。
図1(a)および図1(b)は、本発明に従う半導体発光素子のダイシング前の断面構造およびダイシング後の所定のチップの平面図をそれぞれ模式的に示したものである。
図2(a)〜図2(h)は、本発明に従う半導体発光素子の製造工程を模式的に示したものである。
実施例は、図1に示す断面構造を有し、GaAs材料からなる成長基板(厚さ:280μm)上に、MOCVD法を用いてAl0.4Ga0.6As材料からなるn型半導体層(厚さ:5μm,ドーパント:Te,濃度:5×1017/cm3)、InGaAs/AlGaAs多重量子井戸構造の活性層(厚さ:8/5nm,3組,総厚:約50nm)およびAlGaAs材料からなるp型半導体層(厚さ:2μm,ドーパント:C,濃度:1×1018/cm3)を1回のエピタキシャル成長で順次形成し、抵抗加熱蒸着法によりAuZn合金(Zn含有率:5質量%)からなる中間電極部材料を蒸着して、所定のフォトリソグラフィ後のエッチングにより中間電極部(厚さ:100nm)を形成した後、オーミックコンタクトをとるために、400℃の熱処理を施した。
次に、プラズマCVD法により、中間電極部およびp型半導体層上にSi3N4材料を成膜し、BHFエッチング液を用いたウェットエッチングにより、中間電極部よりも上方のSi3N4材料を除去して中間層を形成した。
中間層上には、反射層として、電子ビーム蒸着法により、Au材料からなる金属層(厚さ:500nm)を形成し、この金属層上に、Pt材料からなる拡散防止層(厚さ:100nm)およびAu材料からなる接合層(厚さ:1μm)を形成した。また、接合用にGaAs材料からなる支持基板(厚さ:280μm,ドーパント:Si,濃度:2×1018/cm3)を用意し、この上には、予めAuGe系合金(Ge含有率:12質量%)材料からなるオーミックコンタクト層(厚さ:200nm)、Ti材料からなる密着層(厚さ:100nm)およびAu材料からなる接合層(厚さ1μm)を形成しておいた。これら中間層の接合層と支持基板の接合層とを、350℃で30分間加熱圧着し、支持基板の接合を行った。このようにして得られた構造物に対し、室温のアンモニア水:過酸化水素水:水=1:12:18(体積比)の液中において2時間揺動させることによりウェットエッチングを行い、成長基板の除去を行った。
次に、露出したn型半導体層上に、低温加熱蒸着法により、AuGe系合金(Ge含有率:12質量%)材料からなるオーミックコンタクト層(厚さ:200nm)およびTi材料上にAu材料を積層してパッド層(Ti厚さ:100nm,Au厚さ:2μm)を蒸着し、フォトリソグラフィ後にウェットエッチングを施すことにより、上側電極部の上方側から支持基板の上面に透影して見たとき、上側電極部と中間電極部とが、図1(b)に示す位置関係となるよう、電極間距離を表1に示す値となるよう形成した後、380℃の熱処理を施した。なお、図1(b)において、チップの隅に形成された部分はワイヤボンディング用のパッド部(100μm角)であり、この部分から幅20μmの上側電極が延びた構造となっている。また、上側電極部および中間電極部の本数は、電極間距離に応じて適宜選択した。
最後に、リン酸および過酸化水素水の混合液を用いてエッチングによりメサを形成し、ダイサーを用いてダイシングすることにより、500μm角の正方形チップを作製した。
特に、順方向電圧に関しては、電極間距離dとの明確な相関が見られ、10≦d(μm)≦50の範囲では、Vf=1.55以下と、LEDの使用に対して十分に低いVfが得られた。
また、発光出力に関しては、10≦d(μm)≦50の範囲でPo=4.9mW以上と、LEDの使用に対して十分に高い光出力が得られた。
2 支持基板
3 中間層
3a 中間電極部
4 第2導電型半導体
5 活性層
6 第1導電型半導体
7 上側電極部
8 下側電極層
9 金属層
10 成長基板
Claims (4)
- 支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第2導電型半導体層、活性層、第1導電型半導体層および上側電極部を順次具え、前記支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、
前記中間層は、線状または島状に延在する少なくとも1つの中間電極部を有し、
前記上側電極部と前記中間電極部とを前記支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、
前記上側電極部と前記中間電極部とは、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、
前記上側電極部と前記中間電極部との間の距離は、10〜50μmの範囲である
ことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記支持基板と前記中間層との間に、反射層としての金属層をさらに設ける請求項1に記載の半導体発光素子。
- 成長基板の上方に、第1導電型半導体層、活性層および第2導電型半導体層を順次形成する工程と、
該第2導電型半導体層上に中間電極部を含む中間層を形成する工程と、
該中間層の上方に、支持基板を接合する工程と、
前記成長基板を除去して前記第1導電型半導体層を露出する工程と、
該露出した第1導電型半導体層上に、上側電極部を形成する工程と
を具え、
前記上側電極部と前記中間電極部とを前記支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、
前記上側電極部と前記中間電極部とは、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、
前記上側電極部と前記中間電極部との間の距離は、10〜50μmの範囲である
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記中間層上に、反射層としての金属層を形成する工程をさらに具える請求項3に記載の半導体発光素子の製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010219502A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-30 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
WO2012026282A1 (ja) | 2010-08-24 | 2012-03-01 | 矢崎総業株式会社 | ワイヤハーネス |
WO2012137769A1 (ja) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 |
WO2014061503A1 (ja) * | 2012-10-16 | 2014-04-24 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 |
JP2017069437A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
JP7541591B2 (ja) | 2023-01-26 | 2024-08-28 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9640728B2 (en) * | 2010-02-09 | 2017-05-02 | Epistar Corporation | Optoelectronic device and the manufacturing method thereof |
US8502244B2 (en) | 2010-08-31 | 2013-08-06 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting devices with current routing and associated methods of manufacturing |
CN108550672A (zh) * | 2012-07-18 | 2018-09-18 | 世迈克琉明有限公司 | 半导体发光器件 |
CN107482098B (zh) * | 2017-09-20 | 2023-05-09 | 南昌大学 | 一种薄膜led芯片结构 |
WO2020122105A1 (ja) | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 学校法人帝京大学 | 太陽電池モジュール内の太陽電池セルの動作電圧の推定方法および太陽電池セル動作電圧推定システム |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004172217A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子 |
JP2007258326A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
JP2008263015A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2766311B2 (ja) | 1989-05-31 | 1998-06-18 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
US7511314B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-03-31 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Light emitting device and method of fabricating the same |
US7998884B2 (en) * | 2004-03-15 | 2011-08-16 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of forming a light emitting device with a nanocrystalline silicon embedded insulator film |
DE102004021175B4 (de) | 2004-04-30 | 2023-06-29 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterchips für die Optoelektronik und Verfahren zu deren Herstellung |
CN100388515C (zh) | 2005-09-30 | 2008-05-14 | 晶能光电(江西)有限公司 | 半导体发光器件及其制造方法 |
US8097892B2 (en) | 2006-02-14 | 2012-01-17 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode |
JP2007221029A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
DE102007020291A1 (de) | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur für einen derartigen Chip |
TWI475716B (zh) * | 2007-03-19 | 2015-03-01 | Epistar Corp | 光電元件 |
JP5213010B2 (ja) | 2007-04-13 | 2013-06-19 | 次世代半導体材料技術研究組合 | 半導体装置、その製造方法、及びその製造装置 |
JP4770785B2 (ja) | 2007-04-25 | 2011-09-14 | 日立電線株式会社 | 発光ダイオード |
JP5211887B2 (ja) * | 2007-07-03 | 2013-06-12 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US8410510B2 (en) | 2007-07-03 | 2013-04-02 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004172217A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子 |
JP2007258326A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
JP2008263015A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010219502A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-30 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
WO2012026282A1 (ja) | 2010-08-24 | 2012-03-01 | 矢崎総業株式会社 | ワイヤハーネス |
WO2012137769A1 (ja) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 |
JP2012222082A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 |
WO2014061503A1 (ja) * | 2012-10-16 | 2014-04-24 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 |
JP2014082321A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 |
US9705043B2 (en) | 2012-10-16 | 2017-07-11 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode, light-emitting diode lamp, and illumination device |
JP2017069437A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
US10707392B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-07-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting element |
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