JP2010160854A - Ｄｔｍ用モールド構造物、インプリント方法、並びにｄｔｍの製造方法及びｄｔｍ - Google Patents
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Abstract
【課題】モールド構造体のインプリントレジスト層から剥離（離型）する際に、パターン欠陥を生じないＤＴＭ用モールド構造体、及び該ＤＴＭ用モールド構造体を用いることによって転写精度を向上させたインプリント方法、並びに記録特性、及び再生特性を向上させたＤＴＭの製造方法、及びＤＴＭを提供すること。
【解決手段】本発明のＤＴＭ用モールド構造体は、隣接状態で略平行に位置する複数のラインパターン形成用凹部と、隣接するラインパターン形成用凹部と交差して位置し、該複数のラインパターン形成用凹部を連通する連通凹部と、を表面に有することを特徴とする。
【選択図】図３Ｂ
【解決手段】本発明のＤＴＭ用モールド構造体は、隣接状態で略平行に位置する複数のラインパターン形成用凹部と、隣接するラインパターン形成用凹部と交差して位置し、該複数のラインパターン形成用凹部を連通する連通凹部と、を表面に有することを特徴とする。
【選択図】図３Ｂ
Description
本発明は、ＤＴＭ用モールド構造物、インプリント方法、並びにＤＴＭの製造方法及びＤＴＭに関する。
近年、高速性やコストパフォーマンス性に優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器や、ビデオカメラなどのポータブル機器に搭載され始めている。
そして、ポータブル機器に搭載される記録デバイスとしてのシェアの拡大に伴い、より一層の小型大容量化という要求に応える必要があり、記録密度を向上させる技術が求められている。
前記ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体におけるデータトラック間隔の狭小化や、磁気ヘッドの幅を狭小化するという手法が従来より用いられてきた。
しかしながら、前記データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）や、熱揺らぎによる減磁の影響が無視できなくなり、記録密度に限界があった。
一方、前記磁気ヘッドの幅を狭小化することによる面記録密度の向上にも限界があった。
そして、ポータブル機器に搭載される記録デバイスとしてのシェアの拡大に伴い、より一層の小型大容量化という要求に応える必要があり、記録密度を向上させる技術が求められている。
前記ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体におけるデータトラック間隔の狭小化や、磁気ヘッドの幅を狭小化するという手法が従来より用いられてきた。
しかしながら、前記データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）や、熱揺らぎによる減磁の影響が無視できなくなり、記録密度に限界があった。
一方、前記磁気ヘッドの幅を狭小化することによる面記録密度の向上にも限界があった。
そこで、前記クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）と呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている。前記ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）は、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである。
一般的なディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）は、図７に示すように、円形孔部２０３と、該円形孔部２０３の外周に配される磁気記録領域２０２とを有する円盤状の磁気記録媒体２０４からなり、磁気記録領域２０２は、円形孔部２０３の近傍の領域から磁気記録媒体２０４の外縁側に向かって略放射状に延設されるサーボパターン２０１と、円形孔部２０３と略同心円状に周設されるトラックパターン２００とを有する。このトラックパターン２００は、前記ディスクリート構造からなる。
一般的なディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）は、図７に示すように、円形孔部２０３と、該円形孔部２０３の外周に配される磁気記録領域２０２とを有する円盤状の磁気記録媒体２０４からなり、磁気記録領域２０２は、円形孔部２０３の近傍の領域から磁気記録媒体２０４の外縁側に向かって略放射状に延設されるサーボパターン２０１と、円形孔部２０３と略同心円状に周設されるトラックパターン２００とを有する。このトラックパターン２００は、前記ディスクリート構造からなる。
前記ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）を製造する際には、レジストパターン形成用モールド（「モールド」と称されることもある。）を用いて、磁気記録媒体の表面に形成されたインプリントレジスト層に所望のパターンを転写するインプリント法（インプリントプロセス）が用いられる（特許文献１参照）。
このインプリント法は、具体的には、加工対象となる基材上に、インプリントレジストとして、熱可塑性の樹脂、光硬化性の樹脂、又は熱硬化性の樹脂を塗布し、塗布された樹脂に対して、所望の形状に加工されたモールドを密着し、押圧して、前記樹脂を加熱後に冷却、又は光照射により硬化させ、前記モールドを引き剥がすことで、該モールドに形成されたパターンに対応したパターンを形成し、このパターンをマスクとして用いてドライ、あるいはウェット方式のエッチングによるパターニングを行い、所望の磁気記録媒体を得る方法である。
このインプリント法は、具体的には、加工対象となる基材上に、インプリントレジストとして、熱可塑性の樹脂、光硬化性の樹脂、又は熱硬化性の樹脂を塗布し、塗布された樹脂に対して、所望の形状に加工されたモールドを密着し、押圧して、前記樹脂を加熱後に冷却、又は光照射により硬化させ、前記モールドを引き剥がすことで、該モールドに形成されたパターンに対応したパターンを形成し、このパターンをマスクとして用いてドライ、あるいはウェット方式のエッチングによるパターニングを行い、所望の磁気記録媒体を得る方法である。
こうしたインプリント法に用いられるレジストパターン形成用モールドとしては、その一部分を拡大して示す図８Ａに示すように、磁気記録領域２０２と対応するインプリント面側に前記サーボパターン２０１と、前記トラックパターン２００（以下、これらをラインパターンと称することがある）を形成するための凹状ラインパターン形成部３０１が複数配されたモールド構造体３００が知られている。
該モールド構造体３００をインプリントレジスト層に押圧後、剥離（離型）させると、凹状ラインパターン形成部３０１に対応する凸状ラインパターン３１０が形成されたパターン形成体３１０が得られる（図８Ｂ参照）。
該モールド構造体３００をインプリントレジスト層に押圧後、剥離（離型）させると、凹状ラインパターン形成部３０１に対応する凸状ラインパターン３１０が形成されたパターン形成体３１０が得られる（図８Ｂ参照）。
前記モールド構造体３００の剥離方法としては、図９Ａに示すような、モールド構造体３００の外縁から中心に向かって剥離する第一の剥離方法がある。
図９Ａでは、モールド構造体を押圧してインプリントレジスト層と密着した状態（図９Ａ中の塗潰し部）から、剥離方向をモールド構造体３００の外縁側から中心方向として、剥離を行うようにする（図中の矢印方向の順で剥離を行う）。この際の剥離方向と、トラックパターン２００のライン方向とは、直交する方向となる。
また、図９Ｂに示すような、モールド構造体３００の外縁から一方向に向かって剥離する第二の剥離方法がある。
図９Ｂでは、モールド構造体を押圧してインプリントレジスト層と密着した状態（図９Ｂ中の塗潰し部）から、剥離方向をモールド構造体３００の外縁から対向する外縁方向として、剥離を行うようにする（図中の矢印方向の順で剥離を行う）。この際の剥離方向と、トラックパターン２００のライン方向とは、一部において直交し、また、サーボパターン２０１のライン方向とも、一部において直交する方向となる。
そのため、モールド構造体３００のインプリントレジスト層からの剥離（離型）の際に、凸状ラインパターン３１０のライン方向とモールド構造体３００の剥離方向が直交する場所が生じてしまい、凸状ラインパターン３１０がモールド構造体３００の剥離方向からの圧力を受けることにより、パターン倒れ、剥がれ、欠け等のパターン欠陥が生じやすいという問題がある。
図９Ａでは、モールド構造体を押圧してインプリントレジスト層と密着した状態（図９Ａ中の塗潰し部）から、剥離方向をモールド構造体３００の外縁側から中心方向として、剥離を行うようにする（図中の矢印方向の順で剥離を行う）。この際の剥離方向と、トラックパターン２００のライン方向とは、直交する方向となる。
また、図９Ｂに示すような、モールド構造体３００の外縁から一方向に向かって剥離する第二の剥離方法がある。
図９Ｂでは、モールド構造体を押圧してインプリントレジスト層と密着した状態（図９Ｂ中の塗潰し部）から、剥離方向をモールド構造体３００の外縁から対向する外縁方向として、剥離を行うようにする（図中の矢印方向の順で剥離を行う）。この際の剥離方向と、トラックパターン２００のライン方向とは、一部において直交し、また、サーボパターン２０１のライン方向とも、一部において直交する方向となる。
そのため、モールド構造体３００のインプリントレジスト層からの剥離（離型）の際に、凸状ラインパターン３１０のライン方向とモールド構造体３００の剥離方向が直交する場所が生じてしまい、凸状ラインパターン３１０がモールド構造体３００の剥離方向からの圧力を受けることにより、パターン倒れ、剥がれ、欠け等のパターン欠陥が生じやすいという問題がある。
こうしたことから、パターン欠陥を低減するものとして、凸状ラインパターンのライン方向と剥離方向とのなす角θを−５°〜５°として剥離（離型）を行うパターン形成方法が開示されている（特許文献２参照）。
しかしながら、前記ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）においては、前記略放射状のサーボパターン２０１と、前記略同心円状のトラックパターン２００を有するため（図７参照）、これらのライン方向と剥離方向とのなす角θをすべて−５°〜５°として剥離（離型）することができないという問題がある（図９Ａ、図９Ｂ参照）。
また、モールド構造体のインプリントレジスト層からの離型速度及び離型角度を可変とすることとして、パターン欠陥を低減するパターン形成方法が開示されている（特許文献３参照）。
しかしながら、離型速度及び離型角度を可変とすることにより、これらを最適化しても、レジスト材料、塗布膜厚、パターンのデザイン（特にアスペクト比の高い凸状ラインパターン）等によっては、パターン倒れ、剥がれ、欠け等のパターン欠陥が生じやすいという問題がある。
したがって、ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）において、パターン欠陥のないインプリントを可能とする手段としては、満足できるものが存在しないというのが現状である。
しかしながら、前記ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）においては、前記略放射状のサーボパターン２０１と、前記略同心円状のトラックパターン２００を有するため（図７参照）、これらのライン方向と剥離方向とのなす角θをすべて−５°〜５°として剥離（離型）することができないという問題がある（図９Ａ、図９Ｂ参照）。
また、モールド構造体のインプリントレジスト層からの離型速度及び離型角度を可変とすることとして、パターン欠陥を低減するパターン形成方法が開示されている（特許文献３参照）。
しかしながら、離型速度及び離型角度を可変とすることにより、これらを最適化しても、レジスト材料、塗布膜厚、パターンのデザイン（特にアスペクト比の高い凸状ラインパターン）等によっては、パターン倒れ、剥がれ、欠け等のパターン欠陥が生じやすいという問題がある。
したがって、ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）において、パターン欠陥のないインプリントを可能とする手段としては、満足できるものが存在しないというのが現状である。
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、モールド構造体のインプリントレジスト層から剥離（離型）する際に、パターン欠陥を生じないＤＴＭ用モールド構造体、及び該ＤＴＭ用モールド構造体を用いることによって転写精度を向上させたインプリント方法、並びに記録特性、及び再生特性を向上させたＤＴＭの製造方法、及びＤＴＭを提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 隣接状態で略平行に位置する複数のラインパターン形成用凹部と、隣接するラインパターン形成用凹部と交差して位置し、該複数のラインパターン形成用凹部を連通する連通凹部と、を表面に有することを特徴とするＤＴＭ用モールド構造体である。
＜２＞ 連通凹部が、隣接する、一のラインパターン形成用凹部と、他のラインパーン形成用凹部とを直交方向で連通する前記＜１＞に記載のＤＴＭ用モールド構造体である。
＜３＞ 連通凹部が、隣接する、一のラインパターン形成用凹部の少なくとも一方の端部と、該端部と対向する、他のラインパターン形成用凹部の端部とを連通する前記＜１＞に記載のＤＴＭ用モールド構造体である。
＜４＞ ラインパターン形成用凹部における端部位置と、前記連通凹部における前記端部側の端部位置とのライン方向における長さをＸとし、幅をＹとし、深さをＺとしたとき、Ｘ／Ｙが１×１０５以下であり、Ｚ／Ｙが５以下である前記＜１＞から＜３＞に記載のＤＴＭ用モールド構造体である。
＜５＞ 連通凹部を複数有し、ライン方向に隣接する連通凹部に挟まれて位置するラインパターン形成用凹部において、一の連通凹部における他の連通凹部側の端部位置と、前記他の連通凹部における一の連通凹部側の端部位置との間のライン方向における長さをＸとし、幅をＹとし、深さをＺとしたとき、Ｘ／Ｙが２×１０５以下であり、Ｚ／Ｙが５以下である前記＜１＞から＜３＞に記載のＤＴＭ用モールド構造体である。
＜６＞ 前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のＤＴＭ用モールド構造体を、基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧後、剥離させ、前記モールド構造体の凹凸構造を鋳型としてラインパターン形成用凹部に対応する凸状のラインパターンを含む凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法である。
＜７＞ ラインパターンにおける、幅をＹ’とし、高さをＺ’としたとき、Ｚ’／Ｙ’で表されるアスペクト比が、次式、Ｚ’／Ｙ’≦５である前記＜６＞に記載のインプリント方法である。
＜８＞ ラインパターンにおける、ライン方向の長さをＸ’とし、幅をＹ’としたとき、次式、Ｘ’／Ｙ’≦２×１０５を満たし、かつ、全ラインパターンの形成対象数（個）におけるラインパターン欠陥数（個）が１％以下である前記＜６＞から＜７＞のいずれかに記載のインプリント方法である。
＜９＞ 前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のＤＴＭ用モールド構造体を、ＤＴＭの基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧後、剥離させ、前記モールド構造体の凹凸構造を鋳型としてラインパターン形成部に対応するラインパターンを含む凹凸パターンを転写する転写工程と、前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記ＤＴＭの基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、ＤＴＭ用モールド構造体上に形成されたデータ領域の凹凸部のパターン形状に基づくデータ領域の磁性パターン部、及びサーボ領域の凹凸部のパターン形状に基づくサーボ領域の磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、前記磁性層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、少なくとも含むことを特徴とするＤＴＭの製造方法である。
＜１０＞ 前記＜９＞に記載のＤＴＭの製造方法により製造されたことを特徴とするＤＴＭである。
＜１＞ 隣接状態で略平行に位置する複数のラインパターン形成用凹部と、隣接するラインパターン形成用凹部と交差して位置し、該複数のラインパターン形成用凹部を連通する連通凹部と、を表面に有することを特徴とするＤＴＭ用モールド構造体である。
＜２＞ 連通凹部が、隣接する、一のラインパターン形成用凹部と、他のラインパーン形成用凹部とを直交方向で連通する前記＜１＞に記載のＤＴＭ用モールド構造体である。
＜３＞ 連通凹部が、隣接する、一のラインパターン形成用凹部の少なくとも一方の端部と、該端部と対向する、他のラインパターン形成用凹部の端部とを連通する前記＜１＞に記載のＤＴＭ用モールド構造体である。
＜４＞ ラインパターン形成用凹部における端部位置と、前記連通凹部における前記端部側の端部位置とのライン方向における長さをＸとし、幅をＹとし、深さをＺとしたとき、Ｘ／Ｙが１×１０５以下であり、Ｚ／Ｙが５以下である前記＜１＞から＜３＞に記載のＤＴＭ用モールド構造体である。
＜５＞ 連通凹部を複数有し、ライン方向に隣接する連通凹部に挟まれて位置するラインパターン形成用凹部において、一の連通凹部における他の連通凹部側の端部位置と、前記他の連通凹部における一の連通凹部側の端部位置との間のライン方向における長さをＸとし、幅をＹとし、深さをＺとしたとき、Ｘ／Ｙが２×１０５以下であり、Ｚ／Ｙが５以下である前記＜１＞から＜３＞に記載のＤＴＭ用モールド構造体である。
＜６＞ 前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のＤＴＭ用モールド構造体を、基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧後、剥離させ、前記モールド構造体の凹凸構造を鋳型としてラインパターン形成用凹部に対応する凸状のラインパターンを含む凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法である。
＜７＞ ラインパターンにおける、幅をＹ’とし、高さをＺ’としたとき、Ｚ’／Ｙ’で表されるアスペクト比が、次式、Ｚ’／Ｙ’≦５である前記＜６＞に記載のインプリント方法である。
＜８＞ ラインパターンにおける、ライン方向の長さをＸ’とし、幅をＹ’としたとき、次式、Ｘ’／Ｙ’≦２×１０５を満たし、かつ、全ラインパターンの形成対象数（個）におけるラインパターン欠陥数（個）が１％以下である前記＜６＞から＜７＞のいずれかに記載のインプリント方法である。
＜９＞ 前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のＤＴＭ用モールド構造体を、ＤＴＭの基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧後、剥離させ、前記モールド構造体の凹凸構造を鋳型としてラインパターン形成部に対応するラインパターンを含む凹凸パターンを転写する転写工程と、前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記ＤＴＭの基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、ＤＴＭ用モールド構造体上に形成されたデータ領域の凹凸部のパターン形状に基づくデータ領域の磁性パターン部、及びサーボ領域の凹凸部のパターン形状に基づくサーボ領域の磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、前記磁性層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、少なくとも含むことを特徴とするＤＴＭの製造方法である。
＜１０＞ 前記＜９＞に記載のＤＴＭの製造方法により製造されたことを特徴とするＤＴＭである。
本発明によれば、前記従来における諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、モールド構造体のインプリントレジスト層から剥離（離型）する際に、パターン欠陥を生じないインプリント用モールド構造体、及び該インプリント用モールド構造体を用いることによって転写精度を向上させたインプリント方法、並びに記録特性、及び再生特性を向上させたＤＴＭの製造方法、及びＤＴＭを提供することができる。
（ＤＴＭ用モールド構造体）
本発明のＤＴＭ用モールド構造体（以下、モールド構造体）は、ラインパターン形成用凹部と、連通凹部とを有してなる。
なお、本明細書においてＤＴＭ（ディスクリートトラックメディア）とは、ディスクリート構造を有する磁気記録媒体を示す。
本発明のＤＴＭ用モールド構造体（以下、モールド構造体）は、ラインパターン形成用凹部と、連通凹部とを有してなる。
なお、本明細書においてＤＴＭ（ディスクリートトラックメディア）とは、ディスクリート構造を有する磁気記録媒体を示す。
また、前記モールド構造体は、全体略円形状の表面を有する基板（原盤）からなり、該表面側をインプリント面として、インプリント対象にサーボパターンとトラックパターンとを形成する。
−ラインパターン形成用凹部−
前記ラインパターン形成用凹部は、複数の凹状溝からなり、前記モールド構造体の基板（原盤）表面において、隣接する状態の凹状溝が略平行に位置するように形成されてなる。
前記ラインパターン形成用凹部は、複数の凹状溝からなり、前記モールド構造体の基板（原盤）表面において、隣接する状態の凹状溝が略平行に位置するように形成されてなる。
−連通凹部−
前記連通凹部は、隣接する前記ラインパターン形成用凹部と交差して位置し、該複数のラインパターン形成用凹部を連通するように配される。
前記連通凹部は、隣接する前記ラインパターン形成用凹部と交差して位置し、該複数のラインパターン形成用凹部を連通するように配される。
前記連通凹部の連通方向としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、隣接するラインパターン形成用凹部と直交する方向で、これら隣接するラインパターン形成用凹部間を連通するのが好ましい。
前記連通方向を隣接するラインパターン形成用凹部と直交する方向とすると、インプリント対象物に形成される凸状ラインパターンが、該連通凹部により転写される凸状パターンにより支持され、該ラインパターンと直交する方向でモールド構造体を剥離する際に生ずるパターン欠陥を特に抑制することができる。
前記連通方向を隣接するラインパターン形成用凹部と直交する方向とすると、インプリント対象物に形成される凸状ラインパターンが、該連通凹部により転写される凸状パターンにより支持され、該ラインパターンと直交する方向でモールド構造体を剥離する際に生ずるパターン欠陥を特に抑制することができる。
前記連通凹部の連通箇所としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、以下のように連通することが挙げられる。
（１）隣接する、一のラインパターン形成用凹部の胴部と、該胴部と対向する、他の他印パターン形成用凹部の胴部とを連通する。
（２）隣接する、一のラインパターン形成用凹部の少なくとも一方の端部と、該端部と対向する、他のラインパターン形成用凹部の端部とを連通する。
（３）前記（１）及び（２）のように連通する。
パターン欠陥を抑制する観点からは、前記（１）が好ましく、（２）がより好ましく、（３）が特に好ましい。
（１）隣接する、一のラインパターン形成用凹部の胴部と、該胴部と対向する、他の他印パターン形成用凹部の胴部とを連通する。
（２）隣接する、一のラインパターン形成用凹部の少なくとも一方の端部と、該端部と対向する、他のラインパターン形成用凹部の端部とを連通する。
（３）前記（１）及び（２）のように連通する。
パターン欠陥を抑制する観点からは、前記（１）が好ましく、（２）がより好ましく、（３）が特に好ましい。
このようなラインパターン形成用凹部と連通凹部とを配したモールド構造体の例を、図面を用いて説明する。
図１Ａは、前記モールド構造体の第１の実施形態を示す概略図である。該図１Ａでは、モールド構造体１１０の一部を拡大して示しており、トラックパターン及びサーボパターンを形成させるための凹凸パターンを部分的に示している。
このモールド構造体１１０においては、複数のラインパターン形成用凹部８と複数の連通凹部９とが配されている。また、隣接状態のラインパターン形成用凹部８においては、隣接する一のラインパターン形成用凹部８の胴部と、該胴部に対応する、他のラインパターン形成用凹部８の胴部とを連通するように、連通凹部９が配されている。
このようなモールド構造体を用いて、後述するインプリントを行うと、インプリント対象となる基材層２６上のインプリントレジスト層に対して、図１Ｂのような凸状ラインパターン２７を含む凹凸パターン２８を形成することができる。
なお、図１Ａの拡大表示部は、ラインパターン形成用凹部８の領域と連通凹部９の領域を示し、これらの領域は連通されて一つの溝状をなしている。
このモールド構造体１１０においては、複数のラインパターン形成用凹部８と複数の連通凹部９とが配されている。また、隣接状態のラインパターン形成用凹部８においては、隣接する一のラインパターン形成用凹部８の胴部と、該胴部に対応する、他のラインパターン形成用凹部８の胴部とを連通するように、連通凹部９が配されている。
このようなモールド構造体を用いて、後述するインプリントを行うと、インプリント対象となる基材層２６上のインプリントレジスト層に対して、図１Ｂのような凸状ラインパターン２７を含む凹凸パターン２８を形成することができる。
なお、図１Ａの拡大表示部は、ラインパターン形成用凹部８の領域と連通凹部９の領域を示し、これらの領域は連通されて一つの溝状をなしている。
図２Ａは、前記モールド構造体の第２の実施形態を示す概略図である。該図２では、モールド構造体１２０の一部を拡大して示しており、トラックパターン及びサーボパターンを形成させるための凹凸パターンを部分的に示している。
このモールド構造体１２０においては、複数のラインパターン形成用凹部８と複数の連通凹部９ａ、９ｂとが配されている。また、隣接状態のラインパターン形成用凹部８においては、隣接する一のラインパターン形成用凹部８の端部と、該端部と対向する、他のラインパターン形成用凹部８の端部とを連通するように、連通凹部９ａ、９ｂが配されている。
このようなモールド構造体を用いて、後述するインプリントを行うと、インプリント対象となる基材層２６上のインプリントレジスト層に対して、図２Ｂのような凸状ラインパターン２７を含む凹凸パターン２８を形成することができる。
このモールド構造体１２０においては、複数のラインパターン形成用凹部８と複数の連通凹部９ａ、９ｂとが配されている。また、隣接状態のラインパターン形成用凹部８においては、隣接する一のラインパターン形成用凹部８の端部と、該端部と対向する、他のラインパターン形成用凹部８の端部とを連通するように、連通凹部９ａ、９ｂが配されている。
このようなモールド構造体を用いて、後述するインプリントを行うと、インプリント対象となる基材層２６上のインプリントレジスト層に対して、図２Ｂのような凸状ラインパターン２７を含む凹凸パターン２８を形成することができる。
図３Ａは、前記モールド構造体の第３の実施形態を示す概略図である。該図３Ａでは、モールド構造体１３０の一部を拡大して示しており、トラックパターン及びサーボパターンを形成させるための凹凸パターンを部分的に示している。
このモールド構造体１３０においては、複数のラインパターン形成用凹部８と複数の連通凹部９ａ、９ｂ、９ｃとが配されている。また、隣接状態のラインパターン形成用凹部８においては、隣接するラインパターン形成用凹部８の胴部と、該胴部に対応する、他のラインパターン形成用凹部８の胴部とを連通するように、連通凹部９ｃが配されるとともに、隣接する一のラインパターン形成用凹部８の端部と、該端部と対向する、他のラインパターン形成用凹部８の端部とを連通するように、連通凹部９ａ、９ｂが配されている。
このようなモールド構造体を用いて、後述するインプリントを行うと、インプリント対象となる基材層２６上のインプリントレジスト層に対して、図３Ｂのような凸状ラインパターン２７を含む凹凸パターン２８を形成することができる。
このモールド構造体１３０においては、複数のラインパターン形成用凹部８と複数の連通凹部９ａ、９ｂ、９ｃとが配されている。また、隣接状態のラインパターン形成用凹部８においては、隣接するラインパターン形成用凹部８の胴部と、該胴部に対応する、他のラインパターン形成用凹部８の胴部とを連通するように、連通凹部９ｃが配されるとともに、隣接する一のラインパターン形成用凹部８の端部と、該端部と対向する、他のラインパターン形成用凹部８の端部とを連通するように、連通凹部９ａ、９ｂが配されている。
このようなモールド構造体を用いて、後述するインプリントを行うと、インプリント対象となる基材層２６上のインプリントレジスト層に対して、図３Ｂのような凸状ラインパターン２７を含む凹凸パターン２８を形成することができる。
このような構成からなるモールド構造体のパターン形状としては、特に制限はないが、以下のパターン形状が好ましい。
即ち、前記ラインパターン形成用凹部８の端部１３の位置に連通凹部９が配されない場合、ラインパターン形成用凹部８における端部１３の位置と、連通凹部９における端部１３側の端部１４ａの位置とのライン方向（パターン方向）における長さをＸとし（図１Ａ参照）、幅をＹとし、深さをＺとしたとき、Ｘ／Ｙが１×１０５以下であり、Ｚ／Ｙが５以下であることが好ましい。
また、ラインパターン形成用凹部８の端部に連通凹部９が配される場合、ライン方向（パターン方向）に隣接する連通凹部９（例えば、図２の連通凹部９ａ−９ｂ、又は図３の連通凹部９ｂ−９ｃ）に挟まれて位置するラインパターン形成用凹部８において、一の連通凹部９における他の連通凹部９側の端部１４ａの位置と、前記他の連通凹部９における一の連通凹部９側の端部１４ｂの位置との間のライン方向（パターン方向）における長さをＸとし（図２Ａ、図３Ａ参照）、幅をＹとし、深さをＺとしたとき、Ｘ／Ｙが２×１０５以下であり、Ｚ／Ｙが５以下であるのが好ましい。
これらの場合に、Ｘ／Ｙが２×１０５以下であり、Ｚ／Ｙが５以下であると、インプリント対象において、アスペクト比が良好であるとともに、パターン欠陥がない凹凸パターンが得られる。
即ち、前記ラインパターン形成用凹部８の端部１３の位置に連通凹部９が配されない場合、ラインパターン形成用凹部８における端部１３の位置と、連通凹部９における端部１３側の端部１４ａの位置とのライン方向（パターン方向）における長さをＸとし（図１Ａ参照）、幅をＹとし、深さをＺとしたとき、Ｘ／Ｙが１×１０５以下であり、Ｚ／Ｙが５以下であることが好ましい。
また、ラインパターン形成用凹部８の端部に連通凹部９が配される場合、ライン方向（パターン方向）に隣接する連通凹部９（例えば、図２の連通凹部９ａ−９ｂ、又は図３の連通凹部９ｂ−９ｃ）に挟まれて位置するラインパターン形成用凹部８において、一の連通凹部９における他の連通凹部９側の端部１４ａの位置と、前記他の連通凹部９における一の連通凹部９側の端部１４ｂの位置との間のライン方向（パターン方向）における長さをＸとし（図２Ａ、図３Ａ参照）、幅をＹとし、深さをＺとしたとき、Ｘ／Ｙが２×１０５以下であり、Ｚ／Ｙが５以下であるのが好ましい。
これらの場合に、Ｘ／Ｙが２×１０５以下であり、Ｚ／Ｙが５以下であると、インプリント対象において、アスペクト比が良好であるとともに、パターン欠陥がない凹凸パターンが得られる。
このようなラインパターン形成用凹部と連通凹部を有するモールド構造体の概略構成を説明する。
図４は、モールド構造体の概略構成を示す図である。該図４に示すように、モールド構造体１は、円板状の基板２と、基板２の一の表面２ａ上に、該表面２ａを基準として同心円状に、所定の間隔で複数の凸部が配列されることによって形成されたトラックパターン形成用領域５の凹凸部３と、表面２ａ上に、該表面２ａを基準として複数の凸部が半径方向に所定の間隔で弧状に配列されることによって形成されたサーボパターン形成用領域６の凹凸部３と、該サーボパターン形成用領域６の凹凸部３に隣接して形成され、サーボパターン形成用領域６の凹凸部３とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を備える。
ここで、図４に示すように、サーボパターン形成用領域６は、トラックパターン形成用領域５を分断するように、円周方向において略等間隔で複数形成されている。
これらトラックパターン形成用領域５とサーボパターン形成用領域６には、トラックパターン及びサーボパターン（ラインパターン）を形成するための前記ラインパターン形成用凹部と前記連通凹部が配されている。
なお、モールド構造体１の孔部２ｂは無くてもよい。
図４は、モールド構造体の概略構成を示す図である。該図４に示すように、モールド構造体１は、円板状の基板２と、基板２の一の表面２ａ上に、該表面２ａを基準として同心円状に、所定の間隔で複数の凸部が配列されることによって形成されたトラックパターン形成用領域５の凹凸部３と、表面２ａ上に、該表面２ａを基準として複数の凸部が半径方向に所定の間隔で弧状に配列されることによって形成されたサーボパターン形成用領域６の凹凸部３と、該サーボパターン形成用領域６の凹凸部３に隣接して形成され、サーボパターン形成用領域６の凹凸部３とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を備える。
ここで、図４に示すように、サーボパターン形成用領域６は、トラックパターン形成用領域５を分断するように、円周方向において略等間隔で複数形成されている。
これらトラックパターン形成用領域５とサーボパターン形成用領域６には、トラックパターン及びサーボパターン（ラインパターン）を形成するための前記ラインパターン形成用凹部と前記連通凹部が配されている。
なお、モールド構造体１の孔部２ｂは無くてもよい。
＜モールド構造体の作製方法＞
以下、本発明のモールド構造体の作製方法の例について図面を参照して説明する。なお、本発明に係るモールド構造体は、下記の作製方法以外の作製方法により作製されたものであってもよい。
以下、本発明のモールド構造体の作製方法の例について図面を参照して説明する。なお、本発明に係るモールド構造体は、下記の作製方法以外の作製方法により作製されたものであってもよい。
―原盤の作製―
図５Ａ、図５Ｂは、モールド構造体１の作製方法を示す断面図である。図５Ａに示すように、まず、Ｓｉ基材１０上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、Ｓｉ基材１０を回転させながら、ＤＴＭパターンに対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面にトラックパターン及びサーボパターンを含む所定のＤＴＭパターンを露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、ラインパターン形成用凹部と連通凹部を含む凹凸部３を有する原盤１１を得る。
図５Ａ、図５Ｂは、モールド構造体１の作製方法を示す断面図である。図５Ａに示すように、まず、Ｓｉ基材１０上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、Ｓｉ基材１０を回転させながら、ＤＴＭパターンに対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面にトラックパターン及びサーボパターンを含む所定のＤＴＭパターンを露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、ラインパターン形成用凹部と連通凹部を含む凹凸部３を有する原盤１１を得る。
原盤１１からモールドを作製するモールドの作製方法としてはメッキ法、ナノインプリント法などを用いることができる。
メッキ法でのモールド作製方法は以下の通りである。
まず、原盤１１の表面に導電層（図示せず）を形成する。
前記導電膜の形成方法としては、一般的に真空製膜方法（スパッタリング、蒸着など）、無電解メッキ法などを用いることができる。
前記導電層の材料としては、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏのうち、少なくとも一種類の元素を含有する金属、合金を用いることができ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ合金などが好ましい。また、導電性を示すＴｉＯなどの非金属材質も前記導電層として使用可能である。
前記導電層の膜厚は、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲が好ましく、１０ｎｍ〜２５ｎｍの範囲がより好ましい。
上記導電層を形成した原盤を用い、メッキ法にて金属、及び合金素材を積層して、所定の厚みとなるまで形成した後に、原盤１１からメッキ基体を剥離することでモールドを形成する。
ここで、前記モールドを構成するメッキ素材としては、Ｎｉ、Ｃｒ、ＦｅＣｏ合金などを使用することができ、Ｎｉ素材を用いたものが特に好ましい。
メッキ法でのモールド作製方法は以下の通りである。
まず、原盤１１の表面に導電層（図示せず）を形成する。
前記導電膜の形成方法としては、一般的に真空製膜方法（スパッタリング、蒸着など）、無電解メッキ法などを用いることができる。
前記導電層の材料としては、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏのうち、少なくとも一種類の元素を含有する金属、合金を用いることができ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ合金などが好ましい。また、導電性を示すＴｉＯなどの非金属材質も前記導電層として使用可能である。
前記導電層の膜厚は、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲が好ましく、１０ｎｍ〜２５ｎｍの範囲がより好ましい。
上記導電層を形成した原盤を用い、メッキ法にて金属、及び合金素材を積層して、所定の厚みとなるまで形成した後に、原盤１１からメッキ基体を剥離することでモールドを形成する。
ここで、前記モールドを構成するメッキ素材としては、Ｎｉ、Ｃｒ、ＦｅＣｏ合金などを使用することができ、Ｎｉ素材を用いたものが特に好ましい。
なお、上記モールドを原盤１１として用いて、以下のようにモールド構造体１の複製を行ってもよい。
この際、図５Ｂに示すように、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるレジスト層２４が一方の面に形成された基板３０に対して、原盤１１を押し当てた際、熱可塑性樹脂を用いる場合は、モールド構造体１の複製を行う系の系内における温度を前記インプリントレジスト液のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、インプリントレジスト層２４が前記インプリントレジスト液のガラス転移温度よりも低下することにより、熱可塑性樹脂を硬化させる。また、光硬化性樹脂を用いる場合は、ＵＶ照射により、熱硬化性樹脂を用いる場合は、加熱により、これらの樹脂の硬化処理を行う。原盤１１を剥離すると、モールド構造体１上に形成された凸部のパターンがレジスト層２４に転写される。
次に、パターンが転写されたインプリントレジスト層２４をマスクにして、ドライエッチングを行い、インプリントレジスト層２４に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸形状３をモールド構造体１上に形成する。
前記ドライエッチングとしては、基板３０に凹凸形状を形成できるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、などが挙げられる。これらの中でも、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が特に好ましい。
前記イオンミリング法は、イオンビームエッチングとも言われ、イオン源にＡｒなどの不活性ガスを導入し、イオンを生成する。これを、グリッドを通して加速させ、試料基板に衝突させてエッチングするものである。前記イオン源としては、カウフマン型、高周波型、電子衝撃型、デュオプラズマトロン型、フリーマン型、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）型などが挙げられる。
イオンビームエッチングでのプロセスガスとしては、Ａｒガス、ＲＩＥのエッチャントとしては、フッ素系ガスを用いることができる。
この際、図５Ｂに示すように、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるレジスト層２４が一方の面に形成された基板３０に対して、原盤１１を押し当てた際、熱可塑性樹脂を用いる場合は、モールド構造体１の複製を行う系の系内における温度を前記インプリントレジスト液のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、インプリントレジスト層２４が前記インプリントレジスト液のガラス転移温度よりも低下することにより、熱可塑性樹脂を硬化させる。また、光硬化性樹脂を用いる場合は、ＵＶ照射により、熱硬化性樹脂を用いる場合は、加熱により、これらの樹脂の硬化処理を行う。原盤１１を剥離すると、モールド構造体１上に形成された凸部のパターンがレジスト層２４に転写される。
次に、パターンが転写されたインプリントレジスト層２４をマスクにして、ドライエッチングを行い、インプリントレジスト層２４に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸形状３をモールド構造体１上に形成する。
前記ドライエッチングとしては、基板３０に凹凸形状を形成できるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、などが挙げられる。これらの中でも、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が特に好ましい。
前記イオンミリング法は、イオンビームエッチングとも言われ、イオン源にＡｒなどの不活性ガスを導入し、イオンを生成する。これを、グリッドを通して加速させ、試料基板に衝突させてエッチングするものである。前記イオン源としては、カウフマン型、高周波型、電子衝撃型、デュオプラズマトロン型、フリーマン型、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）型などが挙げられる。
イオンビームエッチングでのプロセスガスとしては、Ａｒガス、ＲＩＥのエッチャントとしては、フッ素系ガスを用いることができる。
ここで、基板３０の材料は、光透過性を有し、モールド構造体１として機能する強度を有する材料であれば、特に制限されることなく、目的に応じて適宜選択され、例えば、石英（ＳｉＯ２）や、有機樹脂（ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂）等が挙げられる。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、基板３０にインプリントレジスト層２４が形成される一方の面から出射するように、基板３０の他方の面から光を入射した場合に、インプリントレジスト液が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一方の面へ波長２００ｎｍ以上の光の光透過率が５０％以上であることを意味する。
また、前記「モールド構造体として機能する強度」とは、基板３０上に形成されたインプリントレジスト層２４に対して、平均面圧力が１ｋｇｆ／ｃｍ２以上という条件下で押し当て、加圧しても剥離可能に破損しない強度を意味する。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、基板３０にインプリントレジスト層２４が形成される一方の面から出射するように、基板３０の他方の面から光を入射した場合に、インプリントレジスト液が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一方の面へ波長２００ｎｍ以上の光の光透過率が５０％以上であることを意味する。
また、前記「モールド構造体として機能する強度」とは、基板３０上に形成されたインプリントレジスト層２４に対して、平均面圧力が１ｋｇｆ／ｃｍ２以上という条件下で押し当て、加圧しても剥離可能に破損しない強度を意味する。
（インプリント方法）
本発明のインプリント方法は、前記モールド構造体を、基板上に塗布されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧後、剥離させ、前記モールド構造体の凹凸構造を鋳型としてラインパターン形成用凹部に対応する凸状ラインパターンを含む凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含んでなる。
本発明のインプリント方法は、前記モールド構造体を、基板上に塗布されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧後、剥離させ、前記モールド構造体の凹凸構造を鋳型としてラインパターン形成用凹部に対応する凸状ラインパターンを含む凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含んでなる。
前記モールド構造体をインプリントレジスト層に押圧後、剥離させる方法としては、
前記モールド構造体１の外縁部を保持し、被インプリント基板の裏面を吸引保持した状態で、前記モールド構造体１の保持部もしくは被インプリント基板の保持部を押圧と反対方向に相対移動させることで剥離させる工程を少なくとも含んでなる。
前記モールド構造体１の外縁部を保持し、被インプリント基板の裏面を吸引保持した状態で、前記モールド構造体１の保持部もしくは被インプリント基板の保持部を押圧と反対方向に相対移動させることで剥離させる工程を少なくとも含んでなる。
また、前記モールド構造体を剥離する際の剥離方向と、ラインパターンのライン方向とのなす角をθ（°）としたとき、前記θは、次式、−５＜θ≦５を満たすことが好ましく、−４５≦θ≦４５がより好ましい。
前記モールド構造体によるインプリントによれば、前記剥離方向が−９０＜θ≦９０であっても、パターン欠陥のない凹凸パターンを形成することができる。
前記モールド構造体によるインプリントによれば、前記剥離方向が−９０＜θ≦９０であっても、パターン欠陥のない凹凸パターンを形成することができる。
また、前記モールド構造体を剥離する際の剥離（離型）時間としては、特に制限はなく１秒以上が好ましく、３秒以上がより好ましい。
前記モールド構造体によるインプリントによれば、剥離（離型）時間が１秒以上であると、パターン欠陥のない凹凸パターンを形成することができ、ＤＴＭの生産性を向上させることができる。
前記モールド構造体によるインプリントによれば、剥離（離型）時間が１秒以上であると、パターン欠陥のない凹凸パターンを形成することができ、ＤＴＭの生産性を向上させることができる。
前記レジスト層に形成される前記凸状ラインパターンとしては、幅をＹ’とし、高さをＺ’としたとき、Ｚ’／Ｙ’で表されるアスペクト比が、次式、Ｚ’／Ｙ’≦５であることが好ましい。
前記アスペクト比が、５を超えると、パターン倒れ、剥がれ、欠け等のパターン欠陥が頻発する問題が生じる。
前記アスペクト比が、５を超えると、パターン倒れ、剥がれ、欠け等のパターン欠陥が頻発する問題が生じる。
また、前記レジスト層に形成される前記凸状ラインパターンとしては、ライン方向の長さをＸ’とし、幅をＹ’としたとき、次式、Ｘ’／Ｙ’≦１×１０５を満たし、かつ、全ラインパターンの形成対象数（個）におけるラインパターン欠陥数（個）が１％以下とすることが好ましい。
前記モールド構造体によるインプリントによれば、前記Ｘ’／Ｙ’≦１０５としたときであっても、全ラインパターンの形成対象数（個）におけるラインパターン欠陥数（個）を１％以下とすることができ、このような構成が歩留まりを向上させる観点から好ましい。
前記モールド構造体によるインプリントによれば、前記Ｘ’／Ｙ’≦１０５としたときであっても、全ラインパターンの形成対象数（個）におけるラインパターン欠陥数（個）を１％以下とすることができ、このような構成が歩留まりを向上させる観点から好ましい。
（ＤＴＭの製造方法）
本発明のＤＴＭ（磁気記録媒体）の製造方法は、転写工程と、磁性パターン部形成工程と、を含む。
以下、ＤＴＭの製造方法の一例について図面を参照して説明する。
本発明のＤＴＭ（磁気記録媒体）の製造方法は、転写工程と、磁性パターン部形成工程と、を含む。
以下、ＤＴＭの製造方法の一例について図面を参照して説明する。
図６Ａに示すように、アルミニウム、ガラス、シリコン、石英、シリコン等の基板４０上に、Ｆｅ又はＦｅ合金、Ｃｏ又はＣｏ合金等の磁性層５０を有するＤＴＭ（磁気記録媒体）中間体の磁性層上に熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、又は熱硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２５を形成したレジスト層付きＤＴＭ（磁気記録媒体）中間体に対して、表面に凹凸パターン（凹凸部３）が形成されたモールド構造体１を押し当て、加圧することにより、モールド構造体１上に形成された凹凸パターン（凹凸部３）をインプリントレジスト層２５に転写する。
次に、図６Ｂに示すように、インプリントレジスト層２５にモールド構造体１を押し当てた際には、熱可塑性樹脂を用いた場合は系を前記インプリントレジスト液のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、インプリントレジスト層２５が前記インプリントレジスト液のガラス転移温度よりも低下することにより硬化する。また、光硬化性樹脂を用いた場合は、ＵＶ照射、熱硬化性樹脂を用いた場合は、加熱により硬化処理を行う。
次に、図６Ｃに示すように、モールド構造体１を剥離すると、インプリントレジスト層２５に凹凸パターンが形成される。
次に、図６Ｄに示すように、凹凸部３のパターンが転写されたインプリントレジスト層２５をマスクにして、ドライエッチングを行い、インプリントレジスト層２５に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を磁性層５０に形成する。
前記ドライエッチングとしては、磁性層に凹凸形状を形成できるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、などが挙げられる。これらの中でも、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が特に好ましい。
前記イオンミリング法は、イオンビームエッチングとも言われ、イオン源にＡｒなどの不活性ガスを導入し、イオンを生成した。これを、グリッドを通して加速して、試料基板に衝突させてエッチングするものである。前記イオン源としては、カウフマン型、高周波型、電子衝撃型、デュオプラズマトロン型、フリーマン型、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）型などが挙げられる。
イオンビームエッチングでのプロセスガスとしてはＡｒ、ＲＩＥのエッチャントとしてはＣＯ＋ＮＨ３、塩素ガスなどを用いることができる。
次に、図６Ｄに示すように、凹凸部３のパターンが転写されたインプリントレジスト層２５をマスクにして、ドライエッチングを行い、インプリントレジスト層２５に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を磁性層５０に形成する。
前記ドライエッチングとしては、磁性層に凹凸形状を形成できるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、などが挙げられる。これらの中でも、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が特に好ましい。
前記イオンミリング法は、イオンビームエッチングとも言われ、イオン源にＡｒなどの不活性ガスを導入し、イオンを生成した。これを、グリッドを通して加速して、試料基板に衝突させてエッチングするものである。前記イオン源としては、カウフマン型、高周波型、電子衝撃型、デュオプラズマトロン型、フリーマン型、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）型などが挙げられる。
イオンビームエッチングでのプロセスガスとしてはＡｒ、ＲＩＥのエッチャントとしてはＣＯ＋ＮＨ３、塩素ガスなどを用いることができる。
次に、図６Ｅに示すように、形成された凹部に非磁性材料７０を埋め込み、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜などを形成してＤＴＭ１００を作製することができる。
前記非磁性材料としては、例えばＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；円滑油などが挙げられる。
前記保護膜としては、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等がましく、該保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。
前記非磁性材料としては、例えばＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；円滑油などが挙げられる。
前記保護膜としては、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等がましく、該保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。
（ＤＴＭ）
本発明のＤＴＭ（磁気記録媒体）は、前記ＤＴＭの製造方法により製造されるものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
本発明のＤＴＭ（磁気記録媒体）は、前記ＤＴＭの製造方法により製造されるものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
［実施例１、２及び比較例１］
（実施例１）
＜ＤＴＭ用モールド構造体の作製＞
まず、Ｓｉ基材上に、スピンコートによりＰＭＭＡなどを主成分とするフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層を形成した。
その後、Ｓｉ基材を回転させながら、ＤＴＭパターンに対応して変調した電子ビームを照射し、フォトレジスト全面にラインパターン形成用凹部と連通凹部を含むトラックパターン及びサーボパターンを有するＤＴＭパターンを露光した。
その後、フォトレジスト層を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、原盤を得た。
ここで連通凹部は、隣接する２つのラインパターンにおいて、一のラインパターンのライン方向における各端部と、該各端部と対向する、他のラインパターンのライン方向における各端部とを、ライン方向と直交する方向で連通するよう、２箇所に配設した（連通方法１）。
また、ラインパターンにおいて、一の連通凹部における他の連通凹部側の端部位置と、他の連通凹部における一の連通凹部側の端部位置との間のライン方向における長さ（連通凹部が配されていない部分のラインパターンの長さ）をＸとし、幅をＹとし、深さをＺとしたとき、Ｘを１０ｍｍ、Ｙを１００ｎｍ、Ｚを１００ｎｍ（Ｘ／Ｙ＝１×１０５、Ｚ／Ｙ＝１）となるように、ラインパターン形成用凹部と連通凹部とを配設した。
（実施例１）
＜ＤＴＭ用モールド構造体の作製＞
まず、Ｓｉ基材上に、スピンコートによりＰＭＭＡなどを主成分とするフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層を形成した。
その後、Ｓｉ基材を回転させながら、ＤＴＭパターンに対応して変調した電子ビームを照射し、フォトレジスト全面にラインパターン形成用凹部と連通凹部を含むトラックパターン及びサーボパターンを有するＤＴＭパターンを露光した。
その後、フォトレジスト層を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、原盤を得た。
ここで連通凹部は、隣接する２つのラインパターンにおいて、一のラインパターンのライン方向における各端部と、該各端部と対向する、他のラインパターンのライン方向における各端部とを、ライン方向と直交する方向で連通するよう、２箇所に配設した（連通方法１）。
また、ラインパターンにおいて、一の連通凹部における他の連通凹部側の端部位置と、他の連通凹部における一の連通凹部側の端部位置との間のライン方向における長さ（連通凹部が配されていない部分のラインパターンの長さ）をＸとし、幅をＹとし、深さをＺとしたとき、Ｘを１０ｍｍ、Ｙを１００ｎｍ、Ｚを１００ｎｍ（Ｘ／Ｙ＝１×１０５、Ｚ／Ｙ＝１）となるように、ラインパターン形成用凹部と連通凹部とを配設した。
光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層が一方の面に形成された石英基板に対して、前記原盤を押し当てた状態で石英基板側からＵＶ光を照射することで、原盤上に形成されたパターンをインプリントレジスト層に転写させた。
次に、パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、ドライエッチングを行い、インプリントレジスト層に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を石英基板上に形成した。以上の工程により、石英からなり、連通凹部が、隣接する、一のラインパターン形成用凹部の胴部と、該胴部と対向する、他の他印パターン形成用凹部の胴部とを連通するラインパターン形成用凹部を持つＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
次に、パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、ドライエッチングを行い、インプリントレジスト層に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を石英基板上に形成した。以上の工程により、石英からなり、連通凹部が、隣接する、一のラインパターン形成用凹部の胴部と、該胴部と対向する、他の他印パターン形成用凹部の胴部とを連通するラインパターン形成用凹部を持つＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
−ＤＴＭ用モールド構造体の形状測定−
ラインパターンのライン方向の長さは、光学顕微鏡及びＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて測長し、ライン幅及び深さは、断面切片を切り出し、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）及びＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて測長した。
ラインパターンのライン方向の長さは、光学顕微鏡及びＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて測長し、ライン幅及び深さは、断面切片を切り出し、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）及びＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて測長した。
＜インプリント＞
被インプリント基板上に光硬化性アクリル系インプリントレジスト液（東洋合成工業株式会社製、ＰＡＫ−０１）をスピンコート法により塗布し、インプリントレジスト層を形成した。
得られたレジスト層付き被インプリント基板に対し、上記モールド構造体を対向させて配置し、モールド構造体のパターン面と被インプリント基板の塗布面を密着させ、１ＭＰａの圧力で５秒間（剥離時間）加圧してパターン転写した後、２５ｍＪ／ｃｍ２のＵＶ光を１０秒間照射して、パターンを硬化させた。その後、モールド構造体と被インプリント基板を剥離して、被インプリント基板上のレジスト層に凹凸パターンを形成した。
被インプリント基板上に光硬化性アクリル系インプリントレジスト液（東洋合成工業株式会社製、ＰＡＫ−０１）をスピンコート法により塗布し、インプリントレジスト層を形成した。
得られたレジスト層付き被インプリント基板に対し、上記モールド構造体を対向させて配置し、モールド構造体のパターン面と被インプリント基板の塗布面を密着させ、１ＭＰａの圧力で５秒間（剥離時間）加圧してパターン転写した後、２５ｍＪ／ｃｍ２のＵＶ光を１０秒間照射して、パターンを硬化させた。その後、モールド構造体と被インプリント基板を剥離して、被インプリント基板上のレジスト層に凹凸パターンを形成した。
−レジストパターンの成形性評価方法−
レジスト層に形成されたラインパターンを含む凹凸パターンについて、以下のようにアスペクト比の測定と、パターン欠陥の測定を行い、パターン成形性の評価を行った。
レジスト層に形成されたラインパターンを含む凹凸パターンについて、以下のようにアスペクト比の測定と、パターン欠陥の測定を行い、パターン成形性の評価を行った。
−−アスペクト比の測定−−
レジスト層を含む被インプリント基板の断面切片を切り出し、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）及びＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いてライン幅及び深さを測長し、アスペクト比を算出した。
レジスト層を含む被インプリント基板の断面切片を切り出し、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）及びＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いてライン幅及び深さを測長し、アスペクト比を算出した。
−−パターン欠陥の測定−−
ラインパターン部を光学顕微鏡（倍率５０倍〜１，５００倍）の暗視野測定で検査した。
まず倍率５０倍で２ｍｍ角の視野を規定する。次にライン方向に測定視野を走査し、パターン欠陥の有無を粗く測定する。疑わしい箇所があった場合は、徐々に高倍率に上げて観察し、パターン欠陥の数をカウントする。パターン欠陥は、剥がれ、倒れ等により、正常なラインパターンで見られない散乱光を検出した場合を対象とした。
なお、暗視野で測定するとパターン欠陥がラインパターン１本のレベルまで散乱光により検出できる。規定した２ｍｍ幅の測定視野には１×１０４本のラインが存在するため、１×１０４を母集団として検出した欠陥数から欠陥率を算出した。結果を下記表１に示す。
ラインパターン部を光学顕微鏡（倍率５０倍〜１，５００倍）の暗視野測定で検査した。
まず倍率５０倍で２ｍｍ角の視野を規定する。次にライン方向に測定視野を走査し、パターン欠陥の有無を粗く測定する。疑わしい箇所があった場合は、徐々に高倍率に上げて観察し、パターン欠陥の数をカウントする。パターン欠陥は、剥がれ、倒れ等により、正常なラインパターンで見られない散乱光を検出した場合を対象とした。
なお、暗視野で測定するとパターン欠陥がラインパターン１本のレベルまで散乱光により検出できる。規定した２ｍｍ幅の測定視野には１×１０４本のラインが存在するため、１×１０４を母集団として検出した欠陥数から欠陥率を算出した。結果を下記表１に示す。
＜ＤＴＭの作製＞
凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、ドライエッチングを行い、インプリントレジスト層に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を磁性層に形成した。ドライエッチングはＡｒガスを用いたイオンミリング法により行った。
凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、ドライエッチングを行い、インプリントレジスト層に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を磁性層に形成した。ドライエッチングはＡｒガスを用いたイオンミリング法により行った。
（実施例２）
実施例１において、連通方法１に代えて、連通凹部を、隣接する２つのラインパターンにおいて、一のラインパターンのライン方向における一方の端部と、該端部と対向する、他のラインパターンのライン方向における端部とを、ライン方向と直交する方向で連通するよう、１箇所に配設した（連通方法２）こと以外は、実施例１と同様にして、実施例２のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
なお、実施例２のラインパターンの形態においては、ラインパターン形成用凹部における端部位置と、連通凹部における前記端部側の端部位置とのライン方向における長さ（連通凹部が配されていない部分のラインパターンの長さ）が、実施例１のＸに相当する。
実施例１において、連通方法１に代えて、連通凹部を、隣接する２つのラインパターンにおいて、一のラインパターンのライン方向における一方の端部と、該端部と対向する、他のラインパターンのライン方向における端部とを、ライン方向と直交する方向で連通するよう、１箇所に配設した（連通方法２）こと以外は、実施例１と同様にして、実施例２のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
なお、実施例２のラインパターンの形態においては、ラインパターン形成用凹部における端部位置と、連通凹部における前記端部側の端部位置とのライン方向における長さ（連通凹部が配されていない部分のラインパターンの長さ）が、実施例１のＸに相当する。
この実施例２のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
（比較例１）
実施例１において、連通凹部を設けないこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
なお、比較例のラインパターンの形態においては、ラインパターン形成用凹部のライン方向における長さが、実施例１のＸに相当する。
実施例１において、連通凹部を設けないこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
なお、比較例のラインパターンの形態においては、ラインパターン形成用凹部のライン方向における長さが、実施例１のＸに相当する。
この比較例１のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
［実施例３、４及び比較例２］
（実施例３）
実施例１において、Ｚを１００ｎｍから５００ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例３のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
（実施例３）
実施例１において、Ｚを１００ｎｍから５００ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例３のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この実施例３のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
（実施例４）
実施例２において、Ｚを１００ｎｍから５００ｎｍに変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例４のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
実施例２において、Ｚを１００ｎｍから５００ｎｍに変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例４のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この実施例４のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
（比較例２）
比較例１において、Ｚを１００ｎｍから５００ｎｍに変えたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例２のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
比較例１において、Ｚを１００ｎｍから５００ｎｍに変えたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例２のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この比較例２のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
［実施例５及び比較例３］
（実施例５）
実施例２において、剥離時間を５秒から１秒に変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例５のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
（実施例５）
実施例２において、剥離時間を５秒から１秒に変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例５のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この実施例５のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
（比較例３）
比較例１において、剥離時間を５秒から１秒に変えたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例３のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
比較例１において、剥離時間を５秒から１秒に変えたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例３のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この比較例３のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
［実施例６、７及び比較例４］
（実施例６）
実施例１において、Ｘを１０ｍｍから１０μｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例６のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
（実施例６）
実施例１において、Ｘを１０ｍｍから１０μｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例６のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この実施例６のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
（実施例７）
実施例２において、Ｘを１０ｍｍから１０μｍに変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例７のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
実施例２において、Ｘを１０ｍｍから１０μｍに変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例７のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この実施例７のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
（比較例４）
比較例１において、Ｘを１０ｍｍから１０μｍに変えたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例４のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
比較例１において、Ｘを１０ｍｍから１０μｍに変えたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例４のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この比較例４のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
［実施例８、９及び比較例５］
（実施例８）
実施例１において、Ｘを１０ｍｍから２０ｍｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例８のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
（実施例８）
実施例１において、Ｘを１０ｍｍから２０ｍｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例８のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この実施例８のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
（実施例９）
実施例２において、Ｘを１０ｍｍから２０ｍｍに変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例９のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
実施例２において、Ｘを１０ｍｍから２０ｍｍに変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例９のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この実施例９のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
（比較例５）
比較例１において、Ｘを１０ｍｍから２０ｍｍに変えたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例２のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
比較例１において、Ｘを１０ｍｍから２０ｍｍに変えたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例２のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この比較例５のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
［実施例１０、１１及び比較例６］
（実施例１０）
実施例１において、Ｚを１０ｍｍから３０ｍｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例１０のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
（実施例１０）
実施例１において、Ｚを１０ｍｍから３０ｍｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例１０のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この実施例１０のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
（実施例１１）
実施例２において、Ｘを１０ｍｍから３０ｍｍに変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例１１のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
実施例２において、Ｘを１０ｍｍから３０ｍｍに変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例１１のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この実施例１１のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
（比較例６）
比較例１において、Ｘを１０ｍｍから３０ｍｍに変えたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例６のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
比較例１において、Ｘを１０ｍｍから３０ｍｍに変えたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例６のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この比較例６のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
［実施例１２、１３及び比較例７］
（実施例１２）
実施例１において、Ｚを１００ｎｍから３００ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例１２のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
（実施例１２）
実施例１において、Ｚを１００ｎｍから３００ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例１２のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この実施例１２のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
（実施例１３）
実施例２において、Ｚを１００ｎｍから３００ｎｍに変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例１３のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
実施例２において、Ｚを１００ｎｍから３００ｎｍに変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例１３のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この実施例１３のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
（比較例７）
比較例１において、Ｚを１００ｎｍから３００ｎｍに変えたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例７のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
比較例１において、Ｚを１００ｎｍから３００ｎｍに変えたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例７のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この比較例７のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
［実施例１４、１５及び比較例８］
（実施例１４）
実施例１において、Ｚを１００ｎｍから６００ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例１４のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
（実施例１４）
実施例１において、Ｚを１００ｎｍから６００ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例１４のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この実施例１４のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
（実施例１５）
実施例２において、Ｚを１００ｎｍから６００ｎｍに変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例１５のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
実施例２において、Ｚを１００ｎｍから６００ｎｍに変えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例１５のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この実施例１５のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
（比較例８）
比較例１において、Ｚを１００ｎｍから６００ｎｍに変えたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例２のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
比較例１において、Ｚを１００ｎｍから６００ｎｍに変えたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例２のＤＴＭ用モールド構造体を作製した。
この比較例８のモールド構造体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、インプリント及びＤＴＭの作製を行い、レジストパターンの成形性を評価した。結果を下記表１に示す。
実施例１〜１５及び比較例１〜８において得られた結果を下記表１にまとめて示す。
上記表１から明らかなように、連通凹部を１箇所配設したＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った実施例２では、連通凹部を設けないＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った比較例１よりも、欠陥率を低く抑えることができており、連通凹部を２箇所配設したＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った実施例１では、さらに欠陥率を低く抑えることができている。
また、連通凹部を１箇所配設したＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った実施例４では、連通凹部を設けないＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った比較例２よりも、欠陥率を低く抑えることができており、連通凹部を２箇所配設したＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った実施例３では、さらに欠陥率を低く抑えることができている。
また、連通凹部を１箇所配設したＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った実施例５では、連通凹部を設けないＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った比較例３よりも、欠陥率を低く抑えることができている。
また、連通凹部を１箇所配設したＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った実施例７では、連通凹部を設けないＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った比較例４よりも、欠陥率を低く抑えることができており、連通凹部を２箇所配設したＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った実施例６では、さらに欠陥率を低く抑えることができている。
また、連通凹部を１箇所配設したＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った実施例９では、連通凹部を設けないＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った比較例５よりも、欠陥率を低く抑えることができており、連通凹部を２箇所配設したＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った実施例８では、さらに欠陥率を低く抑えることができている。
また、連通凹部を１箇所配設したＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った実施例１１では、連通凹部を設けないＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った比較例６よりも、欠陥率を低く抑えることができており、連通凹部を２箇所配設したＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った実施例１０では、さらに欠陥率を低く抑えることができている。
また、連通凹部を１箇所配設したＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った実施例１３では、連通凹部を設けないＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った比較例７よりも、欠陥率を低く抑えることができており、連通凹部を２箇所配設したＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った実施例１２では、さらに欠陥率を低く抑えることができている。
また、連通凹部を１箇所配設したＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った実施例１５では、連通凹部を設けないＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った比較例８よりも、欠陥率を低く抑えることができており、連通凹部を２箇所配設したＤＴＭ用モールド構造体を用いて、インプリントを行った実施例１４では、さらに欠陥率を低く抑えることができている。
１，１１０，１２０，１３０，３００ モールド構造体
２ モールドの基板
２ａ 表面
２ｂ 孔部
３，４ 凹凸部
５ トラックパターン形成用領域
６ サーボパターン形成用領域
８、３０１ ラインパターン形成用凹部
９、９ａ、９ｂ、９ｃ 連通凹部
１０ Ｓｉ基板
１１ Ｓｉ原盤
１３ ラインパターン形成用凹部の端部
１４ａ、１４ｂ 連通用凹部の端部
２１ フォトレジスト層
２４ レジスト層
２５ インプリントレジスト層
２６ 基材層
２７、３１０ 凸状ラインパターン
２８ 凹凸パターン
３０ 被加工基板
４０ ＤＴＭの基板
５０ 磁性層
７０ 非磁性層
１００ ＤＴＭ
２００ トラックパターン
２０１ サーボパターン
２０２ 磁気記録領域
２０３ 円形孔部
２０４ 磁気記録媒体
３１０ パターン形成体
２ モールドの基板
２ａ 表面
２ｂ 孔部
３，４ 凹凸部
５ トラックパターン形成用領域
６ サーボパターン形成用領域
８、３０１ ラインパターン形成用凹部
９、９ａ、９ｂ、９ｃ 連通凹部
１０ Ｓｉ基板
１１ Ｓｉ原盤
１３ ラインパターン形成用凹部の端部
１４ａ、１４ｂ 連通用凹部の端部
２１ フォトレジスト層
２４ レジスト層
２５ インプリントレジスト層
２６ 基材層
２７、３１０ 凸状ラインパターン
２８ 凹凸パターン
３０ 被加工基板
４０ ＤＴＭの基板
５０ 磁性層
７０ 非磁性層
１００ ＤＴＭ
２００ トラックパターン
２０１ サーボパターン
２０２ 磁気記録領域
２０３ 円形孔部
２０４ 磁気記録媒体
３１０ パターン形成体
Claims (10)
- 隣接状態で略平行に位置する複数のラインパターン形成用凹部と、
隣接するラインパターン形成用凹部と交差して位置し、該複数のラインパターン形成用凹部を連通する連通凹部と、
を表面に有することを特徴とするＤＴＭ用モールド構造体。 - 連通凹部が、隣接する、一のラインパターン形成用凹部と、他のラインパーン形成用凹部とを直交方向で連通する請求項１に記載のＤＴＭ用モールド構造体。
- 連通凹部が、隣接する、一のラインパターン形成用凹部の少なくとも一方の端部と、該端部と対向する、他のラインパターン形成用凹部の端部とを連通する請求項１から２のいずれかに記載のＤＴＭ用モールド構造体。
- ラインパターン形成用凹部における端部位置と、前記連通凹部における前記端部側の端部位置とのライン方向における長さをＸとし、幅をＹとし、深さをＺとしたとき、Ｘ／Ｙが１×１０５以下であり、Ｚ／Ｙが５以下である請求項１から３に記載のＤＴＭ用モールド構造体。
- 連通凹部を複数有し、ライン方向に隣接する連通凹部に挟まれて位置するラインパターン形成用凹部において、一の連通凹部における他の連通凹部側の端部位置と、前記他の連通凹部における一の連通凹部側の端部位置との間のライン方向における長さをＸとし、幅をＹとし、深さをＺとしたとき、Ｘ／Ｙが２×１０５以下であり、Ｚ／Ｙが５以下である請求項１から３に記載のＤＴＭ用モールド構造体。
- 請求項１から５のいずれかに記載のＤＴＭ用モールド構造体を、基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧後、剥離させ、前記モールド構造体の凹凸構造を鋳型としてラインパターン形成用凹部に対応する凸状のラインパターンを含む凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法。
- ラインパターンにおける、幅をＹ’とし、高さをＺ’としたとき、Ｚ’／Ｙ’で表されるアスペクト比が、次式、Ｚ’／Ｙ’≦５である請求項６に記載のインプリント方法。
- ラインパターンにおける、ライン方向の長さをＸ’とし、幅をＹ’としたとき、次式、Ｘ’／Ｙ’≦２×１０５を満たし、かつ、全ラインパターンの形成対象数（個）におけるラインパターン欠陥数（個）が１％以下である請求項６から７のいずれかに記載のインプリント方法。
- 請求項１から５のいずれかに記載のＤＴＭ用モールド構造体を、ＤＴＭの基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧後、剥離させ、前記モールド構造体の凹凸構造を鋳型としてラインパターン形成部に対応するラインパターンを含む凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記ＤＴＭの基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、ＤＴＭ用モールド構造体上に形成されたデータ領域の凹凸部のパターン形状に基づくデータ領域の磁性パターン部、及びサーボ領域の凹凸部のパターン形状に基づくサーボ領域の磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、
前記磁性層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、
を少なくとも含むことを特徴とするＤＴＭの製造方法。 - 請求項９に記載のＤＴＭの製造方法により製造されたことを特徴とするＤＴＭ。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2009002898A JP2010160854A (ja) | 2009-01-08 | 2009-01-08 | Ｄｔｍ用モールド構造物、インプリント方法、並びにｄｔｍの製造方法及びｄｔｍ |
| US12/652,909 US8052414B2 (en) | 2009-01-08 | 2010-01-06 | Mold structure used to produce discrete track medium, imprinting method, method for producing discrete track medium, and discrete track medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009002898A JP2010160854A (ja) | 2009-01-08 | 2009-01-08 | Ｄｔｍ用モールド構造物、インプリント方法、並びにｄｔｍの製造方法及びｄｔｍ |
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|---|---|
| JP2010160854A true JP2010160854A (ja) | 2010-07-22 |
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ID=42311901
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