JP2010151765A - Memsおよびmemsの製造方法 - Google Patents
Memsおよびmemsの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010151765A JP2010151765A JP2008333118A JP2008333118A JP2010151765A JP 2010151765 A JP2010151765 A JP 2010151765A JP 2008333118 A JP2008333118 A JP 2008333118A JP 2008333118 A JP2008333118 A JP 2008333118A JP 2010151765 A JP2010151765 A JP 2010151765A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- adhesive
- wire
- movable part
- die
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【課題】可動部とストッパとの間のギャップを確実に設定でき製造歩留まりが高いMEMSを提供する。
【解決手段】支持部と、前記支持部に対して相対的に運動する可動部と、を有するダイと、前記可動部の運動範囲を制限する位置において前記可動部に対向する制限板と、前記可動部の運動範囲が制限される方向において前記制限板と前記支持部とに挟まれているボンディング用ワイヤからなるワイヤ構造体と、前記ワイヤ構造体より前記可動部とは反対側において前記支持部と前記制限板とを結合している接着層と、を備え、前記ワイヤ構造体は前記接着層と前記可動部との間において前記接着層と前記可動部との間を遮る方向に延びている、MEMS。
【選択図】図1
【解決手段】支持部と、前記支持部に対して相対的に運動する可動部と、を有するダイと、前記可動部の運動範囲を制限する位置において前記可動部に対向する制限板と、前記可動部の運動範囲が制限される方向において前記制限板と前記支持部とに挟まれているボンディング用ワイヤからなるワイヤ構造体と、前記ワイヤ構造体より前記可動部とは反対側において前記支持部と前記制限板とを結合している接着層と、を備え、前記ワイヤ構造体は前記接着層と前記可動部との間において前記接着層と前記可動部との間を遮る方向に延びている、MEMS。
【選択図】図1
Description
本発明はMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)およびMEMSの製造方法に関する。
従来、錘部に作用する慣性力によって生じる可撓部の変形をピエゾ抵抗素子などで検出することにより、加速度などを検出するMEMSセンサが知られている。しかし、このようなMEMSセンサに対して過度な加速度が印加されると可撓部の変形が限界に達し、可撓部が破損することがある。そのため、錘部や可撓部の運動範囲を制限する種々の構成が考案されている。
特許文献1には、可撓部および錘部の運動範囲を制限するためのストッパを備えるMEMSセンサのカバーが支持部に陽極接合される構成が記載されている。
特許文献2には、ワイヤボンディングに用いられる金属ワイヤ(以下、単に「ボンディング用ワイヤ」という)をストッパとして使用することによって錘部の運動範囲を制限する構成が記載されている。
特開2006−208272号公報
特開2004−264253号公報
特許文献1には、可撓部および錘部の運動範囲を制限するためのストッパを備えるMEMSセンサのカバーが支持部に陽極接合される構成が記載されている。
特許文献2には、ワイヤボンディングに用いられる金属ワイヤ(以下、単に「ボンディング用ワイヤ」という)をストッパとして使用することによって錘部の運動範囲を制限する構成が記載されている。
また、可撓部の破損を防ぐためには可撓部の特性を考慮した上で錘部および可撓部とストッパとの間のギャップを所望の幅に設定する必要があり、種々の構成が考案されている。
特許文献3には、支持部とストッパとの結合に用いられる接着樹脂にプラスチック球を混ぜることでプラスチック球がスペーサの役割を果たす構成が記載されている。
特許文献4には、ストッパの、支持部と結合する面に形成された凸部の寸法を調整することによりストッパと錘部および可撓部との間のギャップを所望の幅に設定する構成が記載されている。
特開2004−233072号公報
特開2006−153519号公報
特許文献3には、支持部とストッパとの結合に用いられる接着樹脂にプラスチック球を混ぜることでプラスチック球がスペーサの役割を果たす構成が記載されている。
特許文献4には、ストッパの、支持部と結合する面に形成された凸部の寸法を調整することによりストッパと錘部および可撓部との間のギャップを所望の幅に設定する構成が記載されている。
しかし、特許文献1に記載された構成では、MEMSセンサのカバーが支持部に陽極接合されることで内部応力が生じ、当該MEMSセンサの信頼性が低下する。また、特許文献2に記載された構成では、可撓部が過度に変形した場合に錘部を面ではなく線であるボンディング用ワイヤで受け止めるため、ボンディング用ワイヤに加わる負荷が大きい。そのため、板状のストッパに比べて耐久性能が低い。さらに、本文献で記載されているボンディング用ワイヤは金ワイヤであり、錘部による当該金ワイヤへの衝突が繰り返されることにより当該金ワイヤが変形し、ストッパとしての機能を果たさなくなる虞がある。以上の点から、信頼性の高いMEMSセンサを実現できない。
さらに、特許文献3に記載された構成では、支持部の複数領域に接着樹脂を添加しているが、各領域に添加される接着樹脂にスペーサ球を確実に含有させることが困難である。そのため、スペーサ球が含まれない接着樹脂が添加されることがあり、錘部および可撓部とストッパとの間のギャップを確実に設定できない。さらに、特許文献4に記載された構成では、ストッパと支持部とを結合する際、余分な接着剤を逃がすために凹部が形成されている。しかし、ストッパの凸部先端と支持部とを接着剤により結合するため余分な接着剤の全てが凹部に逃がされることはない。そのため、可撓部や錘部に接着剤が付着するとMEMSセンサの信頼性が低下する。
本発明はこうした問題に鑑みて創作されたものであって、可動部とストッパとの間のギャップを確実に設定でき製造歩留まりが高いMEMSの提供を目的の1つとする。
(1)上記目的を達成するためのMEMSは、支持部と、前記支持部に対して相対的に運動する可動部と、を有するダイと、前記可動部の運動範囲を制限する位置において前記可動部に対向する制限板と、前記可動部の運動範囲が制限される方向において前記制限板と前記支持部とに挟まれているボンディング用ワイヤからなるワイヤ構造体と、前記ワイヤ構造体より前記可動部とは反対側において前記支持部と前記制限板とを結合している接着層と、を備え、前記ワイヤ構造体は前記接着層と前記可動部との間において前記接着層と前記可動部との間を遮る方向に延びている。
本発明によると、ボンディング用ワイヤからなるワイヤ構造体が制限板と支持部との間に挟まれるため、ダイの可動部と制限板とのギャップを確実に設定できる。また、ボンディング用ワイヤが接着層と可動部との間を遮る方向に延びているため、接着層を構成する接着剤が可動部へと流れて付着することを防止できるため、製造歩留まりが高まる。
(2)上記目的を達成するためのMEMSにおいて、前記ワイヤ構造体は、前記接着層より前記可動部とは反対側において途切れていてもよい。
本発明によると、接着層を構成する接着剤のうちワイヤ構造体と支持部と制限板とによって囲まれる空間に収まりきらない接着剤を可動部とは反対側に逃がすことができる。よって、接着剤が可動部に付着することを防止できる。
(3)上記目的を達成するためのMEMSにおいて、堆積膜からなり前記接着層と前記可動部との間を遮る領域に形成されている堤部をさらに備え、前記ワイヤ構造体の全体が、前記堤部と前記制限板との間に挟まれていてもよい。
本発明によると、ワイヤ構造体および堤部がダイと制限板とのスペーサとして機能するため、ボンディング用ワイヤからなるワイヤ構造体のみをスペーサとして使用した場合に比べてダイの可動部と制限板とのギャップをより大きく設定したり、ダイの可動部と制限板とのギャップを堆積膜の厚さによって微調整できる。
(4)上記目的を達成するためのMEMSの製造方法は、支持部と、前記支持部に対して相対的に運動する可動部と、を有するダイを備えるMEMSの製造方法であって、前記支持部にボンディング用ワイヤを接合し、前記ボンディング用ワイヤを接合した後に、前記ボンディング用ワイヤより前記可動部とは反対側において前記支持部に接着剤を添加し、前記可動部の運動範囲を制限する位置において制限板が前記可動部に対向するように前記ボンディング用ワイヤを前記可動部の運動範囲を制限する方向に挟み込んで前記支持部に前記制限板を前記接着剤によって結合することを含み、前記接着剤と前記可動部との間を遮る方向に延ばして前記ボンディング用ワイヤを前記支持部に接合する。
本発明によると、接着剤が可動部へ流れて付着することを防止できるため製造歩留まりが高まる。具体的には、ボンディング用ワイヤが接着剤と可動部との間を遮る方向に延びるようにダイに接合された後にダイに接着剤が添加され、支持部と制限板とが接着剤によって結合される。ダイと制限板によって押し潰された接着剤はボンディング用ワイヤにより堰きとめられるため、接着剤が可動部へと流れることを防止できる。また、ボンディング用ワイヤをダイと制限板との間に挟むことによって、ダイの可動部と制限板とのギャップを確実に設定できる。
(5)上記目的を達成するためのMEMSの製造方法は、パッケージと、支持部と前記支持部に対して相対的に運動する可動部とを有し前記パッケージに収容されるダイとを備えるMEMSの製造方法であって、前記パッケージの前記支持部が結合される結合面にボンディング用ワイヤを接合し、前記ボンディング用ワイヤを接合した後に、前記ボンディング用ワイヤより前記可動部とは反対側において前記結合面に接着剤を添加し、前記可動部の運動範囲を制限する位置において前記結合面が前記可動部に対向するように前記ボンディング用ワイヤを前記可動部の運動範囲を制限する方向に挟み込んで前記対向する面に前記支持部を前記接着剤によって結合することを含み、前記接着剤と前記可動部との間を遮る方向に延ばして前記ボンディング用ワイヤを前記対向する面に接合する。
本発明によると、接着剤が可動部へ流れて付着することを防止できるため製造歩留まりが高まる。具体的には、ボンディング用ワイヤが接着剤と可動部との間を遮る方向に延びるようにパッケージに接合された後にダイに接着剤が添加され、支持部とパッケージとが接着剤によって結合される。ダイとパッケージに押し潰された接着剤はボンディング用ワイヤにより堰きとめられるため、接着剤が可動部へと流れることを防止できる。また、ボンディング用ワイヤをダイとパッケージとの間に挟むことによって、ダイの可動部とパッケージとのギャップを確実に設定できる。
(6)上記目的を達成するためのMEMSの製造方法において、前記接着層より前記可動部とは反対側において途切れるように前記ボンディング用ワイヤを接合してもよい。
本発明によると、接着剤のうちボンディング用ワイヤと支持部とパッケージの当該支持部に対向する面とによって囲まれる空間に収まりきらない接着剤をボンディング用ワイヤより可動部とは反対側に逃がすことができる。なお、途切れているとは、ボンディン用ワイヤが接着層より可動部の反対側まで延びて途切れている場合やボンディング用ワイヤが接着層より可動部の反対側まで延びていないため接着層より可動部とは反対側においてボンディング用ワイヤが存在しない場合が含まれる。
(7)上記目的を達成するためのMEMSの製造方法において、接合された前記ボンディング用ワイヤを押し潰してもよい。
本発明によると、ボンディング用ワイヤを押し潰すことなく使用した場合に比べて、支持部と制限板とのギャップもしくは支持部とパッケージとのギャップを小さくできる。また、ボンディング用ワイヤを押し潰すことにより、ボンディング用ワイヤと支持部、あるいは、ボンディング用ワイヤと制限板が密着する。その結果、接着剤がボンディング用ワイヤより可動部側にさらにはみ出しにくくなる。
(8)上記目的を達成するためのMEMSの製造方法において、前記接着剤が添加される面の前記接着剤と前記可動部との間を遮る領域に堆積膜からなる堤部を形成し、
前記ボンディング用ワイヤの全体を前記堤部の上に配置してもよい。
前記ボンディング用ワイヤの全体を前記堤部の上に配置してもよい。
本発明によると、ボンディング用ワイヤおよび堤部がスペーサとして機能するため、ボンディング用ワイヤのみをスペーサとして使用した場合に比べてダイの可動部と制限板とのギャップもしくはダイの可動部とパッケージとのギャップを大きく設定できる。
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照しながら以下の順に説明する。尚、各図において対応する構成要素には同一の符号が付され、重複する説明は省略される。
1.第一実施形態
(構成)
本発明のMEMSの第一実施形態であるモーションセンサ1を図1A、図1Bおよび図1Cに示す。図1Aに示すBB線断面、CC線断面をそれぞれ示す図1Bおよび図1Cにおいて、モーションセンサ1のダイ10を構成する層の界面は破線で示し、モーションセンサのダイ10を構成する機械的構成要素の境界は実線で示している。
1.第一実施形態
(構成)
本発明のMEMSの第一実施形態であるモーションセンサ1を図1A、図1Bおよび図1Cに示す。図1Aに示すBB線断面、CC線断面をそれぞれ示す図1Bおよび図1Cにおいて、モーションセンサ1のダイ10を構成する層の界面は破線で示し、モーションセンサのダイ10を構成する機械的構成要素の境界は実線で示している。
モーションセンサ1は可動部を備える固体素子であるダイ10と制限板201とを備える。ダイ10と制限板201とは図示しないパッケージに収容される。
制限板201は板状の構造体であり、石英(SiO2)からなる。制限板201の厚さは2mmである。制限板201は全体がダイ10に対向している。制限板201のダイ10に対向する面は、ダイ10の制限板201に対向する面よりも小さく、制限板201のダイ10に対向する面の中心とダイ10の制限板201に対向する面の中心とが面の垂直方向において重なっている。したがって、ダイ10の外周近傍に配置されたボンディングパッド108が全て露出するとともにダイ10の可動部を構成している可撓部Fおよび錘部Mの全体が制限板201によって覆われている。
制限板201は板状の構造体であり、石英(SiO2)からなる。制限板201の厚さは2mmである。制限板201は全体がダイ10に対向している。制限板201のダイ10に対向する面は、ダイ10の制限板201に対向する面よりも小さく、制限板201のダイ10に対向する面の中心とダイ10の制限板201に対向する面の中心とが面の垂直方向において重なっている。したがって、ダイ10の外周近傍に配置されたボンディングパッド108が全て露出するとともにダイ10の可動部を構成している可撓部Fおよび錘部Mの全体が制限板201によって覆われている。
第1マーカー202は、制限板201のダイ10に対向する面に形成された堆積膜からなる。第1マーカー202はクロム(Cr)からなり、その厚さは0.1μmである。第1マーカー202は、制限板201をダイ10に結合する時の位置合わせに用いられる。そのため、第1マーカー202は制限板201に2つ以上形成されることが好ましい。
制限板201とダイ10との位置合わせが容易に行えるように、制限板201は透明板として構成されていることが好ましい。本実施形態では制限板201として石英からなる板を用いたが、例えばケイ素(Si)、ソーダライムガラス、透明結晶化ガラス、サファイア等からなる板が制限板201として用いられてもよい。
なお、ダイ10と接続されるLSIが形成されたダイ10とは別体の積層構造体(固体素子)を制限板201として用いても良いし、制限板201に可動部のエアダンピングを低減するための通孔を形成しても良い。
なお、ダイ10と接続されるLSIが形成されたダイ10とは別体の積層構造体(固体素子)を制限板201として用いても良いし、制限板201に可動部のエアダンピングを低減するための通孔を形成しても良い。
制限板201は接着層112によってダイ10の支持部Sに結合されている。接着層112のパターンは、図1Aにてハッチングにより示されているように、ダイ10の表面において4つの領域に分断されている。それぞれの接着層112はワイヤ構造体114より外側に位置する。接着層112は、ワイヤ構造体114と制限板201とダイ10とに接し、制限板201とワイヤ構造体114とダイ10とに囲まれている。
ワイヤ構造体114は4つに分断されているそれぞれの接着層112毎に配置されている。本実施形態ではワイヤ構造体114の材料として金(Au)が用いられている。ワイヤ構造体114の材料として、銅(Cu)等の他の金属材料を用いても良い。ワイヤ構造体114は、可撓部Fと接着層112との間の領域を横断している。そのため、接着層112を構成する接着剤が可撓部F、錘部およびボンディングパッド108に付着することを防止できる。具体的には、ワイヤ構造体114は、可撓部Fと接着層112との間において両者を隔てる方向に延びるとともに接着層112の反対側(接着層112より可撓部Fとは反対側)へと回り込み、ダイ10の外周近傍まで達している。
ワイヤ構造体114は、弓形状の構造体を形成している。すなわち、ワイヤ構造体114によって囲まれる領域はダイ10の外側に向けて開放されている。したがって、接着層112を可撓部F、錘部Mおよびボンディングパッド108から隔離するとともに接着層112を構成する接着剤をダイ10の外側に向けて逃がすことができる。
ワイヤ構造体114は、ダイ10の制限板201に対向する面に対して垂直な方向において制限板201とダイ10とにより挟まれている。すなわち制限板201とダイ10との間のギャップは、制限板201と支持部Sとに接触しているワイヤ構造体114の厚さによって設定されている。
可撓部Fおよび錘部Mの制限板201に接近する方向への運動範囲は、ワイヤ構造体114の厚さによって位置決めされている制限板201によって制限される。そのため、可撓部Fがその限界を超えて変形し、破損することを防止できる。
可撓部Fおよび錘部Mの制限板201に接近する方向への運動範囲は、ワイヤ構造体114の厚さによって位置決めされている制限板201によって制限される。そのため、可撓部Fがその限界を超えて変形し、破損することを防止できる。
ワイヤ構造体114は、ダイ10に対して制限板201が傾かないようにダイ10の制限板201に対向する面に互いに離れて3つ以上配置されることが好ましい。本実施形態では、4つのワイヤ構造体114がダイ10の制限板201に対向する面の四隅に配置されている。
ワイヤ構造体114は、ワイヤ部W1、W2、W3およびバンプ部B1、B2、B3、B4からなる。バンプ部B1、B2、B3、B4は、ボールボンディング時にボンディング用ワイヤに形成されるボールをダイ10の制限板201に対向する面に押し当てることによって形成された部分である。ワイヤ部W1、W2、W3は、バンプ部を形成した後に次のバンプ部までボンディング用ワイヤを切断することなく延ばすことによって形成された部分である。ワイヤ部W1、W2、W3の直径よりもバンプ部B1、B2、B3、B4の高さの方が大きいため、バンプ部B1、B2、B3、B4の高さがワイヤ構造体114の厚さとなっている。
ダイ10は、可動部を備える固体素子であればどのようなものであってもよい。図示されているダイ10は、互いに直交する3軸の加速度成分を検出する加速度センサを構成する積層構造体である。なお、加速度成分を検出するためのピエゾ抵抗素子や配線等は図1A、図1Bおよび図1Cにおいて省略されている。
ダイ10は、図1Bおよび図1Cに示すように、シリコン層101と、エッチングストッパ層102と、シリコン層104と、絶縁層106、導電層107とを含む。単結晶シリコン(Si)からなるシリコン層101の厚さは625μmである。エッチングストッパ層102はシリコン酸化膜(SiO2)からなる。エッチングストッパ層102の厚さは1μmである。単結晶シリコンからなるシリコン層104の厚さは10μmである。絶縁層106はシリコン酸化膜からなる。絶縁層106の厚さは300nmである。導電層107はアルミニウムからなる。導電層107の厚さは0.5μmである。
ダイ10は、矩形枠の形態を有する支持部Sと、一端が支持部Sに結合し支持部Sの内側に配置されている可撓部Fと、可撓部Fに結合している錘部Mと、ダイ10のピエゾ抵抗素子を外部回路と接続するためのボンディングパッド108と、制限板201との位置合わせに用いられる第2マーカー110を備える。ダイ10の可動部は、環状のダイヤフラムを構成している可撓部Fと可撓部Fの内側に結合している錘部Mとによって構成されている。支持部Sはシリコン層101と、エッチングストッパ層102と、シリコン層104と、絶縁層106とを含む。可撓部Fは、シリコン層104と絶縁層106とを含む。錘部Mは、シリコン層101とエッチングストッパ層102とシリコン層104と絶縁層106とを含む。ボンディングパッド108および第2マーカー110は、導電層107を含む。
なお、3軸の加速度成分を検出する加速度センサを例にとってダイ10を説明したが、本発明は角速度センサとして機能するモーションセンサや、角速度および加速度を検出するモーションセンサや、圧力センサや、マイクロホンや、アクチュエータを構成するMEMSに適用することもできる。
(製造方法)
以下、図2から図6を参照してモーションセンサ1の製造方法の一例を説明する。
はじめに図2に示すようにダイ10を形成する。具体的にはまず、シリコン層101、エッチングストッパ層102およびシリコン層104を含むSOIウエハを用意する。次にシリコン層104の表面を熱酸化することにより二酸化シリコン(SiO2)からなる絶縁層106を形成する。次に、絶縁層106を貫通させてシリコン層104の表面から不純物イオンを注入し、活性化することによりシリコン層104に図示しないピエゾ抵抗素子を形成する。次に、絶縁層106上に図示しない導線、ボンディングパッド108および第2マーカー110を形成する。具体的には、絶縁層106の表面全体にアルミニウムからなる厚さ0.5μmの金属層をスパッタ法によって形成する。その後、フォトレジストからなる保護膜を用いて金属層をエッチングすることで、導線、ボンディングパッド108および第2マーカー110を形成する。次に、シリコン層101およびエッチングストッパ層102を選択的にエッチングすることで支持部S、可撓部Fおよび錘部Mを形成する。具体的には、所望のパターンが形成されたフォトレジストを保護膜として用いて、C4F8プラズマを用いたパッシベーションとSF6プラズマを用いたエッチングとを短い間隔で交互に繰り返すボッシュプロセスといわれるDeep−RIE(Reactive Ion Etching)によってシリコン層101を貫通するまでエッチングし、エッチングストッパ層102を露出させる。次に、ウェットエッチング等によってエッチングストッパ層102を可撓部Fの下方から除去する。
以下、図2から図6を参照してモーションセンサ1の製造方法の一例を説明する。
はじめに図2に示すようにダイ10を形成する。具体的にはまず、シリコン層101、エッチングストッパ層102およびシリコン層104を含むSOIウエハを用意する。次にシリコン層104の表面を熱酸化することにより二酸化シリコン(SiO2)からなる絶縁層106を形成する。次に、絶縁層106を貫通させてシリコン層104の表面から不純物イオンを注入し、活性化することによりシリコン層104に図示しないピエゾ抵抗素子を形成する。次に、絶縁層106上に図示しない導線、ボンディングパッド108および第2マーカー110を形成する。具体的には、絶縁層106の表面全体にアルミニウムからなる厚さ0.5μmの金属層をスパッタ法によって形成する。その後、フォトレジストからなる保護膜を用いて金属層をエッチングすることで、導線、ボンディングパッド108および第2マーカー110を形成する。次に、シリコン層101およびエッチングストッパ層102を選択的にエッチングすることで支持部S、可撓部Fおよび錘部Mを形成する。具体的には、所望のパターンが形成されたフォトレジストを保護膜として用いて、C4F8プラズマを用いたパッシベーションとSF6プラズマを用いたエッチングとを短い間隔で交互に繰り返すボッシュプロセスといわれるDeep−RIE(Reactive Ion Etching)によってシリコン層101を貫通するまでエッチングし、エッチングストッパ層102を露出させる。次に、ウェットエッチング等によってエッチングストッパ層102を可撓部Fの下方から除去する。
次に、図3に示すように可撓部F、錘部M、ボンディングパッド108、第2マーカー110、図示しない配線などを避けた絶縁層106上の四隅であって支持部Sの表面上にワイヤ構造体114がボールボンディング法により形成される。図3Aの右上に示されるワイヤ構造体114を例にして詳細に説明すると次の通りである。
はじめにキャピラリを貫通するボンディング用ワイヤの先端を放電により溶かし、ボールを形成する。ワイヤクランプを開いてキャピラリを下降させ、ボールを支持部Sの表面に押しつけてバンプ部B1を形成する。バンプ部B1は1つのワイヤ構造体114の一端部となる。ボールは、キャピラリにより押しつけられる荷重と、ダイ10の加熱と、キャピラリから加えられる超音波振動とを利用して支持部Sの表面に接合される。
次に、キャピラリを上昇させ、バンプ部B1に繋がったままのボンディング用ワイヤを引き延ばし、キャピラリの先端に位置するボンディング用ワイヤに再びボールを形成する。再び、支持部Sの表面にボールを押しつけてバンプ部B2を形成する。バンプ部B1とバンプ部B2の間に引き延ばされたボンディングワイヤがバンプ部B1とバンプ部B2とに張り渡されるワイヤ部W1となる。ワイヤ部W2、バンプ部B3およびワイヤ部W3を同様に形成した後、バンプ部B1は1つのワイヤ構造体114の他端部となるバンプ部B4が形成される。バンプ部B4は、ボールを支持部Sの表面に押しつけた後、ワイヤクランプを閉じてキャピラリを上昇させ、ボンディング用ワイヤをバンプ部B4から引きちぎることにより形成される。
このようにしてボンディング用ワイヤがダイ10の表面に接合された直後においては、図3Bに示すように、バンプ部B1、B2、B3、B4の高さはボンディン用ワイヤの径より高い。また隣り合うバンプ部間に張り渡されているワイヤ部W1、W2、W3、W4は、ダイ10の表面に接触しておらず、ワイヤ部W1、W2、W3、W4はダイ10から離れる方向に張り出した円弧を形成している。後に制限板201とダイ10とを結合する時、ワイヤ部W1、W2、W3、W4は制限板201によりダイ10に接近する方向へ押し込められる。
制限板201とダイ10との間のギャップは、可撓部Fの弾性変形限界やセンサに必要なダイナミックレンジを考慮して可撓部Fおよび錘部Mの運動範囲をどの程度に設定するかによって決定される。そのため、可撓部Fおよび錘部Mから構成される可動部と制限板201との間に要求されるギャップの高さとバンプ部B1、B2、B3、B4の高さとが異なる場合、図4に示すようにプレス機204を用いてワイヤ構造体114が所望の厚さまで押し潰される。またバンプ部B1、B2、B3、B4をプレス機204によって押しつぶすことによってバンプ部B1、B2、B3、B4の高さを均一に揃えることができる。また、ワイヤ構造体114が押し潰されることによりダイ10の表面とワイヤ構造体114との隙間がなくなり、ワイヤ構造体114とダイ10とが密着する。このため、接着剤がワイヤ構造体114と支持部Sの表面の隙間から可撓部Fや錘部Mへ流れ、付着することを防止できる。
具体的には、ワイヤ構造体114のバンプ部B1、B2、B3、B4とワイヤ部W1、W2、W3、W4とを押し潰すことによりワイヤ構造体114の厚さをボンディング用ワイヤの直径より薄く調整してもよいし、バンプ部B1、B2、B3、B4だけを押し潰してワイヤ構造体114の厚さをボンディング用ワイヤの直径より厚く調整してもよい。
次に、図5に示すように、制限板201に覆われる領域内であってワイヤ構造体114より外側において支持部Sの表面に接着剤111を滴下する。接着剤111は、図5Bに示すようにワイヤ構造体114の厚さよりも厚くなる量が滴下される。接着剤111としては例えばシリコンゴム系の接着剤を用いる。
次に、図6に示すように、第1マーカー202が形成されている制限板201を用意する。制限板201は、例えば、石英板の表面全体に厚さ0.1μmのクロム層をスパッタ法によって形成し、フォトレジストからなる保護膜を用いてクロム層をエッチングすることで第1マーカー202が形成されたものである。
次に、制限板201に形成された第1マーカー202とダイ10に形成された第2マーカー110とを位置合わせした状態で制限板201とダイ10とを接着剤111によって結合する。この時、接着剤111が制限板201に接触して押し潰されて広がる。可撓部Fおよびボンディングパッド108に向かって広がろうとする接着剤111はワイヤ構造体114によって堰き止められるため、ワイヤ構造体114より可撓部Fに近い領域やワイヤ構造体114よりボンディングパッド108に近い領域には接着剤111が広がらない。一方、接着剤111が多い場合には、ワイヤ構造体114が途切れている部分からダイ10の外側に向かって広がる。接着剤111が固化することで接着層112が形成され、制限板201とダイ10とが結合される。結合後のダイ10と制限板201との間のギャップは、ワイヤ構造体114の厚さによって決定される。
その後、パッケージング等の工程を実施するとモーションセンサ1が完成する。なお、ダイ10をダイシングによってウエハから切り分けた後に制限板201とダイ10とを結合しても良いし、ダイシング前のウエハ工程において複数の制限板201をダイ10となる複数の領域に結合しても良い。
以上説明した製造方法によると、接着剤111がダイ10の可撓部Fへ流れて付着することを防止できるため、信頼性の高く、製造歩留まりが高いモーションセンサが製造される。さらに、ボンディング用ワイヤからなるワイヤ構造体114をスペーサとして用いるため既存のワイヤボンダを用いてスペーサを形成できる。したがって、耐衝撃性能に優れたモーションセンサを低コストで製造できる。
(変形例)
例えば、図7に示すようにワイヤ構造体115の途切れている両端を可撓部Fおよびボンディングパッド108からより遠くに配置しても良い。これにより、可撓部Fおよびボンディングパッド108からより離れた位置で接着剤111を逃がすことができる。
例えば、図7に示すようにワイヤ構造体115の途切れている両端を可撓部Fおよびボンディングパッド108からより遠くに配置しても良い。これにより、可撓部Fおよびボンディングパッド108からより離れた位置で接着剤111を逃がすことができる。
また、図8に示すように複数のワイヤ構造体118aを接着層112の周りに入れ子状に配置してもよいし、図9に示すように渦巻き形のワイヤ構造体118bを接着層112の周りに形成してもよい。このようにワイヤ構造体118a、118bで接着剤111を二重以上に取り囲むことによって、さらに接着剤111がワイヤ構造体118a、118bを越えて広がりにくくなる。
2.第二実施形態
(構成)
図10に本発明のMEMSの第二実施形態であるモーションセンサ2の断面図を示す。モーションセンサ2は、ダイ10に堤部116が設けられている点のみが第一実施形態において説明したモーションセンサ1と異なり、その他の構成は第一実施形態において説明したモーションセンサ1と実質的に同一である。
(構成)
図10に本発明のMEMSの第二実施形態であるモーションセンサ2の断面図を示す。モーションセンサ2は、ダイ10に堤部116が設けられている点のみが第一実施形態において説明したモーションセンサ1と異なり、その他の構成は第一実施形態において説明したモーションセンサ1と実質的に同一である。
堤部116は、金属の堆積膜によって形成され支持部Sの表面を構成している。ワイヤ構造体114は全体が堤部116と制限板201の間に挟まれている。すなわち堤部116もワイヤ構造体114と同様に、可撓部Fと接着層112との間において両者を隔てる方向に延びるとともに接着層112の反対側(接着層112を挟んで可撓部Fとは反対側)へと回り込んでいる。
堤部116をダイ10に設けることによってワイヤ構造体114のみをスペーサとして使用した場合に比べてダイ10と制限板201とのギャップを大きく設定したり、堤部116を構成する堆積膜の厚さによってダイ10と制限板201とのギャップを微調整することができる。なお、堤部116は樹脂材料から構成しても良いが、ワイヤ構造体114と堤部116との結合力を考慮すると堤部116はアルミニウム(Al)等の金属材料を用いて構成されるのが好ましい。
(製造方法)
堤部116は、第一実施形態において説明したボンディングパッド108および第2マーカー110を形成する工程において、図11に示すようにボンディングパッド108および第2マーカー110と同時に形成できる。
堤部116は、第一実施形態において説明したボンディングパッド108および第2マーカー110を形成する工程において、図11に示すようにボンディングパッド108および第2マーカー110と同時に形成できる。
堤部116を形成した後、図12に示すように堤部116の外側に接着剤111が滴下される。その後、ワイヤ構造体114が堤部116の表面上に形成される。すなわちワイヤ構造体114を構成するボンディング用ワイヤは堤部116の表面に結合する。
その後、第一実施形態と同様に制限板201とダイ10とを接着剤111によって結合し、パッケージング等の工程を実施するとモーションセンサ2が完成する。
その後、第一実施形態と同様に制限板201とダイ10とを接着剤111によって結合し、パッケージング等の工程を実施するとモーションセンサ2が完成する。
3.第三実施形態
(構成)
本発明のMEMSの第三実施形態であるモーションセンサ3を図13に示す。図13Bおよび図13Cにおいて、モーションセンサ3のダイ20を構成する層の界面は破線で示し、ダイ20を構成する機械的構成要素の境界は実線で示している。なお、ダイ20とパッケージ30とを接続する配線などは省略されている。
(構成)
本発明のMEMSの第三実施形態であるモーションセンサ3を図13に示す。図13Bおよび図13Cにおいて、モーションセンサ3のダイ20を構成する層の界面は破線で示し、ダイ20を構成する機械的構成要素の境界は実線で示している。なお、ダイ20とパッケージ30とを接続する配線などは省略されている。
モーションセンサ3は、ダイ20とパッケージ30とを備える。
ダイ20の可動部は、4つの梁を構成している可撓部Fと4つの梁に結合している錘部Mとが形成された積層構造体によって構成されている。
ダイ20の可動部は、4つの梁を構成している可撓部Fと4つの梁に結合している錘部Mとが形成された積層構造体によって構成されている。
パッケージ30は箱形の底部214と、カバー208とを備える。底部214とカバー208とは接着層210によって結合されている。底部214の内側の面には金属層216が形成されている。ダイ20の支持部Sとパッケージ30の金属層216とは、接着層113により結合されている。接着層113は、図13Aにおいてハッチングによって示されているように、4つの領域に分断されている。ワイヤ構造体119は、ダイ20の支持部Sとパッケージ30の金属層216とに挟まれている。すなわち、本実施形態ではパッケージ30の金属層216および底部214が制限板として構成されている。
(製造方法)
本実施形態では、ダイ20の上にワイヤ構造体119を形成するのではなく、制限板を構成しているパッケージ30の上にワイヤ構造体119を形成する例について説明する。
具体的には、図14に示すようにパッケージ30の金属層216上に第一実施形態と同様にボンディング用ワイヤを接合することによってワイヤ構造体119を形成する。次に接着剤111をワイヤ構造体119の外側において金属層216の表面に滴下する。その後、ダイ20の支持部Sを接着剤111によってパッケージ30の金属層216に結合する。接着剤111が固化して接着層113が形成されると、パッケージ30にダイ20が結合する。結合後のダイ20とパッケージ30の金属層216との間のギャップは、ワイヤ構造体119の厚さによって決定される。
本実施形態では、ダイ20の上にワイヤ構造体119を形成するのではなく、制限板を構成しているパッケージ30の上にワイヤ構造体119を形成する例について説明する。
具体的には、図14に示すようにパッケージ30の金属層216上に第一実施形態と同様にボンディング用ワイヤを接合することによってワイヤ構造体119を形成する。次に接着剤111をワイヤ構造体119の外側において金属層216の表面に滴下する。その後、ダイ20の支持部Sを接着剤111によってパッケージ30の金属層216に結合する。接着剤111が固化して接着層113が形成されると、パッケージ30にダイ20が結合する。結合後のダイ20とパッケージ30の金属層216との間のギャップは、ワイヤ構造体119の厚さによって決定される。
本実施形態によれば、パッケージ30の底部214および金属層216を制限板として用いるため、第一実施形態のダイ10と制限板201を収容するためのパッケージに比べてパッケージ30を薄くすることができる。なお、第一実施形態において説明した制限板201が結合しているダイ10を本実施形態の方法をもってパッケージ30に結合しても良い。この場合、ダイ10の表裏両面に付着する接着剤に対してワイヤ構造体が流れ止めとして機能するとともに、錘部Mの運動範囲を2方向においてワイヤ構造体によって正確に設定できる。
4.他の実施形態
尚、本発明の技術的範囲は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述の実施形態ではワイヤ構造体の形成時、公知のボールボンディング法を用いて形成したが、ウェッジボンディング法を用いてもよい。ウェッジボンディング法ではボンディング用ワイヤがダイまたは制限板に接合された部分の高さがボンディング用ワイヤの直径より低くなる。そのため、ダイと制限板とのギャップはボンディング用ワイヤの直径によって設定される。
尚、本発明の技術的範囲は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述の実施形態ではワイヤ構造体の形成時、公知のボールボンディング法を用いて形成したが、ウェッジボンディング法を用いてもよい。ウェッジボンディング法ではボンディング用ワイヤがダイまたは制限板に接合された部分の高さがボンディング用ワイヤの直径より低くなる。そのため、ダイと制限板とのギャップはボンディング用ワイヤの直径によって設定される。
また、第三実施形態においてパッケージ30の金属層216の表面にさらに堆積層を積層して堤部を形成することによってパッケージ30の金属層216とダイ20との間のギャップを調整してもよいし、金属層216をエッチングすることによってパッケージの底部214の表面に堤部を形成してもよい。
また、上記実施形態で示した材質や寸法や成膜方法やパターン転写方法はあくまで例示であるし、当業者であれば自明である工程の追加や削除や工程順序の入れ替えについては説明が省略されている。例えば、上述した製造工程において、膜の組成、成膜方法、膜の輪郭形成方法、工程順序などは、モーションセンサを構成しうる物性を持つ膜材料の組み合わせや、膜厚や、要求される輪郭形状精度などに応じて適宜選択されるものであって、特に限定されない。
1:モーションセンサ、2:モーションセンサ、3:モーションセンサ、10:ダイ、20:ダイ、30:パッケージ、101:シリコン層、102:エッチングストッパ層、104:シリコン層、106:絶縁層、107:導電層、108:ボンディングパッド、110:第2マーカー、111:接着剤、112:接着層、113:接着層、114:ワイヤ構造体、115:ワイヤ構造体、116:堤部、118a:ワイヤ構造体、118b:ワイヤ構造体、119:ワイヤ構造体、201:制限板、202:第1マーカー、204:プレス機、208:カバー、210:接着層、214:底部、216:金属層、B1:バンプ部、B2:バンプ部、B3:バンプ部、B4:バンプ部、F:可撓部(可動部)、M:錘部(可動部)、S:支持部、W1:ワイヤ部、W2:ワイヤ部、W3:ワイヤ部
Claims (8)
- 支持部と、
前記支持部に対して相対的に運動する可動部と、
を有するダイと、
前記可動部の運動範囲を制限する位置において前記可動部に対向する制限板と、
前記可動部の運動範囲が制限される方向において前記制限板と前記支持部とに挟まれているボンディング用ワイヤからなるワイヤ構造体と、
前記ワイヤ構造体より前記可動部とは反対側において前記支持部と前記制限板とを結合している接着層と、
を備え、
前記ワイヤ構造体は前記接着層と前記可動部との間において前記接着層と前記可動部との間を遮る方向に延びている、
MEMS。 - 前記ワイヤ構造体は、前記接着層より前記可動部とは反対側において途切れている、
請求項1に記載のMEMS。 - 堆積膜からなり前記接着層と前記可動部との間を遮る領域に形成されている堤部をさらに備え、
前記ワイヤ構造体の全体が、前記堤部と前記制限板との間に挟まれている、
請求項1または2に記載のMEMS。 - 支持部と、前記支持部に対して相対的に運動する可動部と、を有するダイを備えるMEMSの製造方法であって、
前記支持部にボンディング用ワイヤを接合し、
前記ボンディング用ワイヤを接合した後に、前記ボンディング用ワイヤより前記可動部とは反対側において前記支持部に接着剤を添加し、
前記可動部の運動範囲を制限する位置において制限板が前記可動部に対向するように前記ボンディング用ワイヤを前記可動部の運動範囲を制限する方向に挟み込んで前記支持部に前記制限板を前記接着剤によって結合することを含み、
前記接着剤と前記可動部との間を遮る方向に延ばして前記ボンディング用ワイヤを前記支持部に接合する、
MEMSの製造方法。 - パッケージと、支持部と前記支持部に対して相対的に運動する可動部とを有し前記パッケージに収容されるダイとを備えるMEMSの製造方法であって、
前記パッケージの前記支持部が結合される結合面にボンディング用ワイヤを接合し、
前記ボンディング用ワイヤを接合した後に、前記ボンディング用ワイヤより前記可動部とは反対側において前記結合面に接着剤を添加し、
前記可動部の運動範囲を制限する位置において前記結合面が前記可動部に対向するように前記ボンディング用ワイヤを前記可動部の運動範囲を制限する方向に挟み込んで前記対向する面に前記支持部を前記接着剤によって結合することを含み、
前記接着剤と前記可動部との間を遮る方向に延ばして前記ボンディング用ワイヤを前記対向する面に接合する、
MEMSの製造方法。 - 前記接着剤より前記可動部とは反対側において途切れるように前記ボンディング用ワイヤを接合する、
ことを含む請求項4または5に記載のMEMSの製造方法。 - 接合された前記ボンディング用ワイヤを押し潰す、
ことを含む請求項4〜6のいずれか一項に記載のMEMSの製造方法。 - 前記接着剤が添加される面の前記接着剤と前記可動部との間を遮る領域に堆積膜からなる堤部を形成し、
前記ボンディング用ワイヤの全体を前記堤部の上に配置する、
ことを含む請求項4〜7のいずれか一項に記載のMEMSの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008333118A JP2010151765A (ja) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | Memsおよびmemsの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008333118A JP2010151765A (ja) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | Memsおよびmemsの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010151765A true JP2010151765A (ja) | 2010-07-08 |
Family
ID=42571006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008333118A Withdrawn JP2010151765A (ja) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | Memsおよびmemsの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010151765A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012083164A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Rohm Co Ltd | Memsセンサおよびその製造方法 |
KR102177389B1 (ko) | 2019-08-09 | 2020-11-11 | 배예진 | 자석과 연결체를 이용한 튜브 조립체 |
-
2008
- 2008-12-26 JP JP2008333118A patent/JP2010151765A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012083164A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Rohm Co Ltd | Memsセンサおよびその製造方法 |
KR102177389B1 (ko) | 2019-08-09 | 2020-11-11 | 배예진 | 자석과 연결체를 이용한 튜브 조립체 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3249371B1 (en) | Differential pressure sensor full overpressure protection device | |
TWI683781B (zh) | 使用金屬矽化物形成的互補式金屬氧化物半導體微機電系統整合 | |
JP5330697B2 (ja) | 機能素子のパッケージ及びその製造方法 | |
JP2006119042A (ja) | 加速度センサチップパッケージ及びその製造方法 | |
US8776602B2 (en) | Acceleration sensor, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
US20160297675A1 (en) | Semiconductor device, and method of manufacturing device | |
CN102050418A (zh) | 一种三维集成结构及其生产方法 | |
JP5175152B2 (ja) | Memsセンサ | |
JP4675945B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2010151765A (ja) | Memsおよびmemsの製造方法 | |
JP5389752B2 (ja) | 電子部品パッケージの製造方法 | |
JP5684233B2 (ja) | シリコン配線埋込ガラス基板及びその製造方法 | |
JP3938198B1 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサエレメント | |
JP2010156574A (ja) | Memsおよびmemsの製造方法 | |
JP2006071432A (ja) | 加速度センサチップパッケージ及びその製造方法 | |
CN101019229B (zh) | 半导体装置 | |
KR102472846B1 (ko) | 마이크로 전자 기계 시스템 및 그 제조 방법 | |
WO2011118788A1 (ja) | ガラス埋込シリコン基板の製造方法 | |
JP2008241482A (ja) | センサ装置 | |
JP2003101032A (ja) | 可動構造部を有する微小構造体及びその製造方法 | |
JP5112659B2 (ja) | 加速度センサならびにセンサチップおよびその製造方法 | |
CN101828435A (zh) | 具有多个层的凸块结构及其制造方法 | |
JP5408995B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
WO2010104064A1 (ja) | Memsセンサ | |
JP2009160677A (ja) | Memsおよびmems製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110818 |
|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20120306 |