JP2010034478A

JP2010034478A - 露光装置の管理方法、半導体装置の製造方法及びフォトマスク

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Publication number: JP2010034478A
Application number: JP2008197732A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Nagai; 聡永井; Kazuya Fukuhara; 和也福原
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2008-07-31
Filing date: 2008-07-31
Publication date: 2010-02-12
Also published as: US20100028789A1

Abstract

【課題】偏光度の計測に伴う露光装置の生産性の低下を少なくし、露光装置を簡便に管理することが可能な露光装置の管理方法、半導体装置の製造方法及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】この露光装置の管理方法は、露光光の偏光度に応じて転写後のパターン寸法が変化する、第一の径と第二の径を有する複数のパターンが前記第二の径方向に配列された検査パターンが形成されたフォトマスクを準備する工程と、所定の偏光度を有する露光光を前記フォトマスクに照射して前記検査パターンを被転写体に転写する工程と、前記被転写体に転写された前記検査パターンの像の寸法を測定することにより偏光度を求める工程とを含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、露光装置の管理方法、半導体装置の製造方法及びフォトマスクに関する。

近年の半導体デバイスは、デバイスパターンの微細化によりますます性能が向上している。デバイスパターンは一般的に、フォトマスク上に形成されたパターンを被加工基板上のフォトレジストに転写する露光工程と、転写されたレジストパターンを被加工基板に転写するエッチング工程を経て形成される。この露光工程では、波長がおよそ百ナノメートルから数百ナノメートル（ナノメートル＝ｎｍ）程度の光を照明光学系を介して照明光を形成した後フォトマスクに照射し、フォトマスク上に形成されたパターンを投影光学系を介して被加工基板上のフォトレジストに転写する露光装置が用いられる。露光装置においてはこれまで、露光光を短波長化することや投影光学系内の投影レンズの開口数（ＮＡ）を高くする（高ＮＡ化）することにより、フォトマスク上のパターンの転写可能なサイズを縮小することに成功してきた。

投影レンズの開口数の高ＮＡ化により転写可能なサイズが小さくなったが、これは偏光照明技術の導入に負うところが大きい。投影レンズの開口数を大きくすると、通常はフォトレジストには到達することのない、フォトレジストへの入射角が大きな光をフォトレジストに到達させることができる。フォトマスク上のパターンが微細であるほど、フォトレジストへの入射角が大きくなるため、高ＮＡ化は微細パターンを形成するために必要な条件である。しかし、フォトレジストに対する入射角が大きくなると、露光光に含まれるｐ偏光成分がフォトレジスト中に形成する像のコントラストを低下させることが知られている。

そのため、昨今の偏光照明技術は、ｓ偏光成分を露光光の主な成分とする照明光の形成と、そのような照明光でフォトレジスト上にパターンを形成するためのフォトマスク、投影光学系、フォトレジスト材料の開発を土台として成り立っている。また、偏光照明技術を用いて実際に半導体デバイスの製造を行うために、露光光の偏光度を管理するための技術も重要性が増している。近年、露光装置の照明光学系の偏光度を定期的に計測し、管理限界を超えないよう制御する偏光度検査方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

この偏光度検査方法は、露光装置のフォトマスクステージの背面に、偏光フィルタを備えた光検出器を配置し、ｓ偏光方向とｐ偏光方向の光量分布をそれぞれ計測し、計測結果から偏光度を評価するものである。

特開２００７−３５６７１号公報

本発明の目的は、偏光度の計測に伴う露光装置の生産性の低下を少なくし、露光装置を簡便に管理することが可能な露光装置の管理方法、半導体装置の製造方法及びフォトマスクを提供することにある。

本発明の一態様は、上記目的を達成するため、露光光の偏光度に応じて転写後のパターン寸法が変化する、第一の径と第二の径を有する複数のパターンが前記第二の径方向に配列された検査パターンが形成されたフォトマスクを準備する工程と、所定の偏光度を有する露光光を前記フォトマスクに照射して前記検査パターンを被転写体に転写する工程と、前記被転写体に転写された前記検査パターンの像の寸法を測定することにより偏光度を求める工程と、を含むことを特徴とする露光装置の管理方法を提供する。

また、本発明の他の態様は、上記目的を達成するため、請求項１に記載の露光装置の偏光度管理方法により偏光度が管理された露光装置を用いて、ウェハ上にデバイスパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。

また、本発明の他の態様は、上記目的を達成するため、所定の方向に配列されたラインアンドスペースパターンを含むデバイスパターンと、第一の径と第二の径を有する複数のパターンを、前記第二の径の方向を前記所定の方向に一致させて配列した検査パターンと、を有することを特徴とするフォトマスクを提供する。

本発明によれば、偏光度の計測に伴う露光装置の生産性の低下を少なくし、露光装置を簡便に管理することが可能となる。

本発明の実施の形態に係る露光装置の管理方法を図面を参照して詳細に説明する。

（１）フォトマスクの準備
図１は、検査パターンの一例を示す要部平面図、図２は、フォトマスクの概略を示す平面図である。なお、図１、図２において、Ｘ，Ｙは、互いに直交する方向を示す。

本方法で用いる検査パターンは、図１に示すように、Ｘ方向に沿う第１の検査パターン４ｘと、Ｙ方向に沿う第２の検査パターン４ｙとからなる。第１の検査パターン４ｘは、Ｙ方向に第一の径（長径）ＤＬを有し、Ｘ方向に第二の径（短径）ＤＳを有する複数の微小パターン４０を、Ｘ方向にピッチＤＰで配列したものである。第２の検査パターン４ｙは、Ｘ方向に第一の径（長径）ＤＬを有し、Ｙ方向に第二の径（短径）ＤＳを有する複数の微小パターン４０を、Ｙ方向にピッチＤＰで配列したものである。

各検査パターン４ｘ，４ｙは、それぞれ少なくとも２つ以上の微小パターン４０が配列していればよい。また、微小パターン４０は、複数列に配列されていてもよい。微小パターン４０の形状は、図１に示す楕円に限られず、長円、長方形、正方形、真円等の他の形状でもよい。また、微小パターン４０はここでは第一の径が第二の径よりも長い場合を想定しているが、第二の径が第一の径よりも長くてもよい。また、微小パターン４０は、本実施の形態では、光が透過する部分とすることを想定しているが、逆に、光を遮光する部分とし、周辺を光が透過する部分とする構成でも良い。

まず、図１に示す検査パターン４ｘ，４ｙを有する検査用のフォトマスクは、半導体デバイスの製造に用いられるフォトマスクの最適露光条件で基板上のフォトレジスト（被転写体）に露光した場合に、検査パターン４ｘ，４ｙが所望の領域に所望の寸法でフォトレジストに転写されるように３つの上記パラメータＤＬ、ＤＳ、ＤＰを光近接効果補正によって最適化する。なお、ここでの光近接効果補正とは、フォトレジスト上に形成したい設計回路パターンデータからフォトマスクパターンデータを生成するためのデータ作成において、フォトマスクパターンが露光の際に光学的近接効果（Optical Proximity Effect）を受けることによりフォトレジスト上ではパターン形状が変わってしまう効果を考慮し、光学的近接効果分の補正をマスクパターンにあらかじめ入れて設計する、という一般的な光学的近接効果補正（Optical Proximity Correction）処理のことを指す。３つの上記パラメータＤＬ、ＤＳ、ＤＰは、例えば、ＤＰ＜２ＤＬの関係を満たすことが好ましい。ＤＰは、例えば、後述するデバイスパターン形成用のフォトマスク上のラインアンドスペースパターン（以下「ＬＳパターン」という。）のピッチと等しくする。

次に、最適化によって得られた検査パターン４ｘ，４ｙを、図２に示すように、半導体デバイスの製造に用いられるフォトマスク１のダイシングライン領域３に配置する。ここで、ダイシングラインとは、回路が形成された基板をチップ化する際に切削される線状の領域を指すものとする。ダイシングライン領域３は、基板上のダイシングライン（幅１００μｍ程度）に相当する領域であり、１／４に縮小投影する露光装置を用いた場合には、ダイシングライン領域３の幅は、４００μｍ程度となる。図２に示すフォトマスク１は、デバイス形成用パターン２間にダイシングライン領域３が設定され、このダイシングライン領域３上に第１及び第２の検査パターン４ｘ，４ｙが形成されている。デバイス形成用パターン２は、例えば、半導体装置としてのＮＡＮＤ型フラッシュメモリを形成するための回路パターンであり、複数のメモリセル領域２ａと、各メモリセル領域２ａの周辺に形成された周辺領域２ｂとからなる。なお、検査パターン４ｘ，４ｙをダイシングライン領域３以外の領域に配置してもよい。

メモリセル領域２ａには、複数のラインパターンがｘ方向に配列されたゲート電極形成用のＬＳパターン（ｘ方向パターン）と、複数のラインパターンがｙ方向に配列された分離溝形成用のＬＳパターン（ｙ方向パターン）とが形成されている。

（２）マスクパターンの転写
図３は、露光装置の概略の構成を示す図、図４は、照明絞りの一例を示す平面図、図５は、２光束干渉の原理を説明するための図である。なお、図３において、Ｘ、Ｙ、Ｚは、互いに直交する方向を示す。

露光装置１０は、図３に示すように、照明光を発する光源１１と、光源１１からの照明光をフォトマスク１に照射する照明光学系１２と、フォトマスク１が配置されるフォトマスクステージ１３と、フォトマスク１を透過した光を基板５上に投影する投影光学系１４と、基板５が配置される基板ステージ１５とを備える。

光源１１には、例えば、波長２４８ｎｍ、１９３ｎｍ等を含むＤＵＶ（深紫外）光を発生するエキシマレーザを用いることができる。なお、光源１１は、ＤＵＶ光に限られず、波長３６５ｎｍの紫外線（ｉ線）、波長１０〜２０ｎｍの極端紫外光（ＥＵＶ）等を発する光源でもよい。

照明光学系１２には、光源１１からの照明光からｓ偏光を得る偏光子１６と、２次光源面に配置され、４重極照明による２次光源を形成する照明絞り１７とを有する。偏光子１６には、偏光子１６の位置を調節して照明光の偏光方向を調節する偏光子調節機構１８が接続されている。ここで「ｓ偏光」とは、電気ベクトルの振動方向が入射面に垂直な偏光をいう。

フォトマスクステージ１３は、Ｘ方向及びＹ方向に移動可能に構成されており、フォトマスクステージ１３には、フォトマスク１をＸ方向及びＹ方向に移動させるフォトマスクステージ駆動部１９が接続されている。

基板ステージ１５は、Ｘ方向及びＹ方向に移動可能に構成されており、基板ステージ１５には、基板５をＸ方向及びＹ方向に移動させる基板ステージ駆動部２０が接続されている。

照明絞り１７は、図４に示すように、矩形状の遮光部１７０と、光軸１１０を中心に等間隔に配置された４つの第１乃至第４の透光部１７１Ａ〜１７１Ｄとを備える。光軸１１０を中心とした円の接線方向に偏光方向１１１，１１２が存在する。すなわち、光軸１１０に対し、上下対称に配置された第１及び第３の透光部１７１Ａ，１７１Ｃを透過する光は、偏光方向１１１がＸ方向になっている。光軸１１０に対し、左右対称に配置された第２及び第４の透光部１７１Ｂ，１７１Ｄを透過する光は、偏光方向１１２がＹ方向になっている。なお、デバイス形成用パターンによっては２重極照明等の他の変形照明を用いてもよい。２重極照明を用いる場合、デバイス形成用パターンに含まれるｘ方向パターン又はｙ方向パターンの一方に対応した第１又は第２の検査パターン４ｘ，４ｙの一方を用いる。

以上のように構成された露光装置１０を用いてフォトマスク１のマスクパターンを基板５上に転写する。光源１１から発した照明光は、偏光子１６によってｓ偏光とされ、照明絞り１７によって２次光源面に４重極照明による２次光源が形成される。

そして図５に示すように、２次光源の第２及び第４の透光部１７１Ｂ，１７１Ｄを透過し、フォトマスク１に斜めに入射するｓ偏光による一対の斜入射光１１３ａ，１１３ｂは、フォトマスク１のマスクパターンのうち、Ｘ方向に並んだ第１の検査パターン４ｘ、及びデバイス形成用パターン２に含まれるｘ方向パターンで回折が起き、例えば、結像に寄与する０次光と＋１次光又は−１次光の一方との２光束干渉によって基板５上のレジストにパターンが形成される。同様に、２次光源の第１及び第３の透光部１７１Ａ，１７１Ｃを透過するｓ偏光による一対の斜入射光は、フォトマスク１のマスクパターンのうち、Ｙ方向に並んだ第２の検査パターン４ｙ、及びデバイス形成用パターン２に含まれるｙ方向パターンで回折が起き、例えば、結像に寄与する０次光と＋１次光又は−１次光の一方との２光束干渉によって基板５上のレジストにパターンが形成される。

（３）レジストパターンの寸法測定
図６は、検査パターンの偏光度依存性を示す図である。ここで、フォトマスク上の寸法とレジストパターン上の寸法を区別し、レジストパターン上の長径をＤＬ’、短径をＤＳ’とする。また、偏光度が１のときのレジストパターン上の長径を基準として、実際に計測された長径の寸法を百分率で表したものをＤＬ”とし、偏光度が１のときのレジストパターン上の短径を基準として、実際に計測された短径の寸法を百分率で表したものをＤＳ”とする。同図は、横軸を長径ＤＬ”と短径ＤＳ”との比ＤＬ”／ＤＳ”とし、縦軸をｓ偏光成分についての偏光度としたものである。ここで、ｓ偏光成分についての「偏光度」とは、フォトマスク１を照射する光の全光強度中のｓ偏光成分の割合をいうものとする。すなわち、ｓ偏光成分の強度をＩｓ、ｐ偏光成分の強度をＩｐとするとき、ｓ偏光成分についての偏光度は、Ｉｓ／（Ｉｓ＋Ｉｐ）で表すことができ、ｐ偏光成分についての偏光度は、Ｉｐ／（Ｉｓ＋Ｉｐ）で表すことができる。

次に、マスクパターンが転写された基板５上のレジストパターンの長径ＤＬ’及び短径ＤＳ’の寸法を走査型電子顕微鏡（SEM）等を用いて計測し、ＤＬ”／ＤＳ”を算出する。なお、長径ＤＬ’及び短径ＤＳ’の寸法は、レジストパターン中の全ての微小パターンを計測してもよく、一部の微小パターンを計測してもよい。ただしここでは、長径ＤＬ’及び短径ＤＳ’の寸法を高い精度で得ることが重要であり、なるべく多くの微小パターンを計測し、統計処理により最も確からしい値を推定することが望ましい。また、長径ＤＬ’及び短径ＤＳ’の寸法測定は、レジストパターンを複数個形成する毎に、つまり一定の露光回数毎に行ってもよいし、あるいは１日毎に、つまり一定の期間毎に行ってもよい。

また、マスクパターンが転写された基板５上のレジストパターンの長径ＤＬ’及び短径ＤＳ’の寸法は、走査型電子顕微鏡でなくとも、入射光をレジストパターンに照射させて散乱光を検出する検査装置であってもよい。その場合は、ＤＬ’及びＤＳ’が既知であるレジストパターンに入射光を入射させた場合の散乱光の散乱角度、強度および位相の散乱光情報をあらかじめ取得しておき、実際の検査において観測された散乱光情報と照合することで、検査パターンのＤＬ’及びＤＳ’を特定することができ、ＤＬ”／ＤＳ”を算出することができる。この検査方法を用いる場合には、入射光の照射面積全体に検査パターンが存在するよう、十分に広い面積で一様に検査パターンが配列されていることが望ましい。典型的な値としては、４０μｍ四方の領域で一様に配列されていればよい。

また、マスクパターンが転写された基板５上のレジストパターンの長径ＤＬ’及び短径ＤＳ’の寸法は、検査パターンの寸法を逐一、直接計測する前述の走査型電子顕微鏡を用いる以外にも、例えば、計測すべき検査パターン全てについて電子顕微鏡画像を片っ端から取得し、保存した上で、あらかじめ記憶させておいた画像情報とパターンマッチングをとることで必要な寸法情報を一括して抽出する、いわゆる、ダイ-to-データベース方式の検査方法であってもよい。その場合は、データベース上にあらかじめ記憶された画像と、実際に取得された画像の差分が出力され、必要な寸法情報はその差分からＤＬ”及びＤＳ”を求めることができ、ＤＬ”／ＤＳ”を算出することができる。

次に、算出したＤＬ”／ＤＳ”の全てが管理範囲内か否かを図６を参照して判断し、管理範囲内の場合は、引き続き半導体デバイス製造に用いられる基板５の露光を行う。例えば、ＤＬ”／ＤＳ”＞０．９（偏光度＞約０．６）を許容条件とした場合、ＤＬ”／ＤＳ”が０．９５のときは、管理範囲内と判断し、ＤＬ”／ＤＳ”が０．８５のときは、管理範囲外と判断する。なお、第１の検査パターン４ｘと第２の検査パターン４ｙのそれぞれについて長径ＤＬ’及び短径ＤＳ’の平均値を算出し、それぞれの平均値から算出したＤＬ”／ＤＳ”が管理範囲内か否かを判断してもよい。

ＤＬ”／ＤＳ”が管理範囲外であった場合は、半導体デバイス製造に用いられる基板５の露光を中止し、露光装置１０に対し偏光度の調整を行う。調整完了後、半導体デバイス製造に用いられる基板５の露光を再開する。

偏光度は、光学部材の光学特性（複屈折）の変化や光学部材表面の反射防止膜の変化、偏光子１６の位置ずれ等によって劣化するため、偏光度の調整は、照明光学系１２内の光学部材の交換や、偏光子調節機構１８による偏光子１６の位置調節等によって行われる。

図７は、検査パターンのデフォーカス値依存性を示す図である。同図は、横軸をデフォーカス値、縦軸を寸法（基板上の検査パターンの短径、長径、及びＬＳパターンのライン幅寸法を、それぞれベストフォーカスのときの値を基準として百分率で表した値）としたものである。また、同図は、基板５上で、検査パターンのパラメータを長径ＤＬ’＝１００ｎｍ、短径ＤＳ’＝４４ｎｍ、ピッチＤＰ’＝８８ｎｍとし、デバイス形成用パターンのＬＳパターンのライン幅寸法を４４ｎｍとしたときの測定結果である。同図から明らかなように、デフォーカス値がベストフォーカス値（０μｍ）からずれると、検査パターンの短径と長径が減少する傾向にあることが分かる。ＬＳパターンのライン幅寸法も減少する傾向にあるが、検査パターンの方が感度が高い。また、検査パターンのうち、長径寸法よりも短径寸法の方が感度が高い。

図８は、検査パターンの露光量依存性を示す図である。同図は、横軸を露光量（ベスト露光量を１００％として正規化した値）とし、縦軸を寸法（基板上の検査パターンの短径、長径、及びＬＳパターンのライン幅寸法を、それぞれベストフォーカスのときの値を基準として百分率で表した値）としたものである。また、同図は、検査パターンのパラメータ及びＬＳパターンのライン幅寸法を図７の場合と同一としたときの測定結果である。同図から明らかなように、露光量がベスト露光量（１００％）から増減するに伴って、検査パターンの短径と長径が増減する傾向にあることが分かる。ＬＳパターンのライン幅寸法も露光量の増減に伴って増減する傾向にあるが、検査パターンの方が感度が高い。以上より、検査パターンは、デバイス形成用パターンよりも高い感度でフォーカス値及び露光量のずれをモニターすることができることが分かる。

図９は、検査パターンの偏光度依存性を示す図である。同図は、横軸を偏光度、縦軸を寸法（基板上の検査パターンの短径、長径、及びＬＳパターンのライン幅寸法を偏光度が１のときの値を基準として百分率で表した値）としたものである。同図は、検査パターンのパラメータ及びＬＳパターンのライン幅寸法を図７の場合と同一としたときの測定結果である。同図から明らかなように、偏光度が劣化すると、検査パターンの長径及び短径が共に減少するが、長径の方が短径よりも大きく減少することが分かる。

フォーカスの変化に対しては、短径の方が長径よりも変化が大きく、偏光度の変化とは逆の傾向となっており、露光量の変化に対しては、短径と長径の寸法の変化はほぼ同様である。従って、図６に示したように、長径の変化量と短径の変化量との比を調べることにより、フォーカスのずれや、露光量の変化とは独立して偏光度の劣化を検出することが可能である。

図１０は、他の検査パターンの偏光度依存性を示す図である。ここで、フォトマスク上の寸法とレジストパターン上の寸法を区別し、レジストパターン上の第一の径をＤＬ’、第二の径をＤＳ’とする。また、偏光度が１のときのレジストパターン上の第一の径を基準として、実際に計測された第一の径の寸法を百分率で表したものをＤＬ”とし、偏光度が１のときのレジストパターン上の第二の径を基準として、実際に計測された第二の径の寸法を百分率で表したものをＤＳ”とする。同図は、横軸を第一の径ＤＬ”と第二の径ＤＳ”との比ＤＬ”／ＤＳ”とし、縦軸をｓ偏光成分についての偏光度としたものである。同図は、パターンＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄについて、ＤＬ”／ＤＳ”と偏光度の関係を求めたものである。パターンＡは、第一の径を第二の径よりも大きくしたもの、パターンＢは、パターンＡに対して第一の径を小さくしたもの、パターンＣは、第一の径と短径とし、第二の径を長径とし、パターンＤは、パターンＣに対してピッチを小さくしたものである。パターンＡ〜Ｄのうち、パターンＡが最も傾きが緩いという結果が得られた。すなわち、ＤＬ”／ＤＳ”の誤差に強く、検査方法として最も優れていると言える。

（実施の形態の効果）
本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）半導体デバイスの製造に用いられるパターンと、検査パターンを同時に基板上に形成することにより、偏光度の計測に光検出器を光路中に設置する必要がなく、露光装置の生産性の低下を少なくすることができる。
（２）微小パターンの長径の変化量と短径の変化量との比を求めることにより、フォーカス値や露光量の変動とは独立して偏光度の劣化状態を調べることができる。
（３）半導体デバイス製造に用いられるラインアンドスペースパターンとともに検査パターンをフォトマスクに形成することにより、検査専用のフォトマスクを不要にすることができる。

なお、本発明は、上記実施の形態、上記実施例に限定されず、その発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形実施が可能である。

例えば、上記実施の形態ではｓ偏光を用いた露光について説明したが、本発明は、非偏光光、p偏光等、任意の偏光状態の照明光を用いた露光に対して適用することができる。これにより、基板での反射率を低減することができる。

図１は、検査パターンの一例を示す要部平面図である。図２は、フォトマスクの概略を示す平面図である。図３は、露光装置の概略の構成を示す図である。図４は、照明絞りの一例を示す平面図である。図５は、２光束干渉の原理を説明するための図である。図６は、検査パターンの偏光度依存性を示す図である。図７は、検査パターンのデフォーカス値依存性を示す図である。図８は、検査パターンの露光量依存性を示す図である。図９は、検査パターンの偏光度依存性を示す図である。図１０は、他の検査パターンの偏光度依存性を示す図である。

符号の説明

１フォトマスク、２デバイス形成用パターン、２ａメモリセル領域、２ｂ周辺領域、３ダイシングライン領域、４ｘ，４ｙ検査パターン、５基板、１０露光装置、１１光源、１２照明光学系、１３フォトマスクステージ、１４投影光学系、１５基板ステージ、１６偏光子、１８偏光子調節機構、１９フォトマスクステージ駆動部、２０基板ステージ駆動部、４０微小パターン、１１０光軸、１１１，１１２偏光方向、１１３ａ，１１３ｂ斜入射光、１７０遮光部、１７１Ａ〜１７１Ｄ透光部

Claims

露光光の偏光度に応じて転写後のパターン寸法が変化する、第一の径と第二の径を有する複数のパターンが前記第二の径方向に配列された検査パターンが形成されたフォトマスクを準備する工程と、
所定の偏光度を有する露光光を前記フォトマスクに照射して前記検査パターンを被転写体に転写する工程と、
前記被転写体に転写された前記検査パターンの像の寸法を測定することにより偏光度を求める工程と、
を含むことを特徴とする露光装置の管理方法。
前記露光装置は、前記検査パターンの前記第二の径方向に沿って形成されるとともに、光軸に対して対称に配置された複数の透光部を有する照明絞りを備えたことを特徴とする請求項１に記載の露光装置の管理方法。
前記検査パターンの前記パターンが有する前記第一の径は、長径であり、前記パターンが有する前記第二の径は、短径である請求項１に記載の露光装置の管理方法。
請求項１に記載の露光装置の管理方法により偏光度が管理された露光装置を用いて、ウェハ上にデバイスパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
所定の方向に配列されたラインアンドスペースパターンを含むデバイスパターンと、
第一の径と第二の径を有する複数のパターンを、前記第二の径の方向を前記所定の方向に一致させて配列した検査パターンと、
を有することを特徴とするフォトマスク。