JP2009515336A - 高効率の太陽電池及びその調製方法 - Google Patents
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Abstract
高効率太陽電池が開示される。より詳細には、第１導電型半導体基板、第１導電型半導体基板の上に形成され、該基板とは反対の導電型を有する第２導電型半導体層、それらの間の界面におけるｐ−ｎ接合、第１導電型半導体基板と少なくとも部分的に接触する背面電極、第２導電型半導体層と少なくとも部分的に接触する前面電極、及び第１導電型半導体基板の後方表面上及び／又は第２導電型半導体層の前方表面上に連続して形成される酸窒化シリコンパッシベーション層及び窒化シリコン反射防止層を含む太陽電池；及びその調製方法が提供される。
Description
本発明は高効率太陽電池に関する。より詳細には、本発明は、第１導電型半導体基板と共にｐ−ｎ接合を形成し、第１導電型半導体基板とは反対の導電型を有する第２導電型半導体層上における酸窒化シリコンパッシベーション層及び窒化シリコン反射防止層の連続的な形成によって、パッシベーション層及び反射防止層からなる二重反射膜構造体により吸収された光の反射率を最小化することによって、同時にパッシベーション層によって半導体表面で起こるキャリアの再結合を効果的に防いで、光電変換効率を改善することができる太陽電池に関する。さらに、本発明は太陽電池の調製方法を提供し、前記方法は二重反射膜構造体のインサイチュ連続形成により大量生産が可能であることによって製造コストを低減することができる。
近年環境問題及びエネルギー枯渇に関する関心が高まっており、太陽電池は豊富なエネルギー源を利用し、環境汚染に関連する問題がなく、高エネルギー効率を有する代替エネルギー源として注目を集めている。
太陽電池は、太陽熱を用いてタービンを回転するのに必要な蒸気エネルギーを生成する太陽熱電池、及び半導体の有利な性質を用いてフォトンを電気エネルギーに変換する電気太陽光電池に分類されるであろう。特に、光吸収によって生成されるｐ型半導体の電子及びｎ型半導体のホールが電気エネルギーに変換される太陽光電池に関して多くの研究が活発に行なわれてきた。
太陽光電池の作製に関して考慮されてきた重要な因子は、吸収された光の反射率を低減することである。なぜなら、吸収される光の量に依存して、生成される電子及びホールの数が決定され、生成される電流の量が制御されるためである。したがって、光の反射率を低減するために、反射防止層が使用され、又は電極端子を形成するとき入射光を遮蔽する領域を最小化する方法が用いられた。特に、高い反射防止性能をもたらすことを可能とする反射防止層を開発するために様々な試み及び取り組みが行なわれてきた。様々な種類の太陽電池の中で、太陽電池市場の大部分を占め、単結晶、多結晶、又はマルチ結晶の薄膜を含む結晶質シリコン太陽電池には、反射防止層成分のシリコン内部への拡散が高い確率で起こるという問題があり、したがって反射防止層とシリコン層との間に別個にパッシベーション層を有する二重反射膜構造体が広く使用されている。
例えば、米国特許第４９２７７７０号明細書は、窒化シリコンの反射防止層を用いて、及び窒化シリコンとシリコン半導体層との間に酸化シリコンのパッシベーション層を形成することによってシリコン半導体層の表面を保護して、吸収される光の反射率を低減する方法を開示する。しかしながら、この技術は方法の不連続性という欠点を有する。なぜなら、パッシベーション層及び反射防止層の堆積において、酸化シリコンは化学気相蒸着（ＣＶＤ）によって堆積される一方で、窒化シリコンはプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によって堆積されるためである。
さらに、大韓民国特許出願公開第２００３−００７９２６５号明細書は、パッシベーション層としてのアモルファスシリコン薄膜及び反射防止層としての窒化シリコンからなる二重反射膜構造体を用いることによって、シリコン半導体層をアモルファスシリコン薄膜で保護する技術を開示する。しかしながら、この技術はアモルファスシリコン薄膜を使用するので、望ましい程度の反射防止効率を得ることが難しい。さらに、この大韓民国特許によると、焼成プロセスは４５０℃未満という低温で実施されなくてはならず、したがって電極の形成においてスクリーン印刷法を使用することができず、結果的にレーザ装置等高価な装置が必要となる。すなわち、この方法は、複雑な製造方法、及び製造コストのかなりの増加等様々な問題を有し、その実用化を困難にしている。
一方で、米国特許第６５１８２００号明細書は、基板上への酸窒化シリコン及び窒化シリコンからなる層の形成を含む複合材料マイクロ電子層の作製方法を開示し、前記層には太陽電池、センサーイメージアレイ、ディスプレイイメージアレイなどが形成される。しかしながら、この特許は酸窒化シリコン及び窒化シリコンを集電のための誘電体材料として使用する技術に関し、したがって、それは、これ以降に述べるように、酸窒化シリコン及び窒化シリコンを太陽電池のパッシベーション層及び反射防止層として用いる本発明とは明確に異なる。
米国特許第４９２７７７０号明細書
大韓民国特許出願公開第２００３−００７９２６５号明細書
米国特許第６５１８２００号明細書
このように、本発明は未だ解決されていない上述の問題及び他の技術的問題を解決するためになされた。
すなわち、本発明は上述の問題を考慮してなされ、本発明の目的は、酸窒化シリコンパッシベーション層及び窒化シリコン反射防止層からなる二重反射膜構造体により吸収光の反射率を最小化することによって、同時に半導体表面で起こるキャリア再結合をパッシベーション層により効果的に防止することで、光電変換効率を改善することができる構造を有する太陽電池を提供することである。
本発明の他の目的は、インサイチュ工程で二重反射膜構造体を連続形成することにより低コストの大量生産が可能である太陽電池を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、上述の太陽電池を調製する方法を提供することである。
本発明の上述の及び他の目的、特徴及び他の有利な点は、添付される図面と共に以下の詳細な記述からより明確に理解されるであろう。
図１は、本発明の一つの実施形態による、半導体基板、パッシベーション層及び反射防止層からなる太陽電池の概略図である。
これ以降、本発明はより詳細に説明される。
本発明の一つの態様によると、上述の及び他の目的は、第１導電型半導体基板、第１導電型半導体基板の上に形成され、該基板とは反対の導電型を有する第２導電型半導体層、それらの間の界面におけるｐ−ｎ接合、第１導電型半導体基板と少なくとも部分的に接触する背面電極、第２導電型半導体層と少なくとも部分的に接触する前面電極、及び第１導電型半導体基板の後方表面上及び／又は第２導電型半導体層の前方表面上に連続して形成される酸窒化シリコンパッシベーション層及び窒化シリコン反射防止層を含む太陽電池の提供によって達成されてよい。
したがって、本発明による太陽電池は、第２導電型半導体層と窒化シリコン反射防止層との間に酸窒化シリコンパッシベーション層を含む構造を有し、結果的にパッシベーション層が反射防止層と共に二重反射膜構造体を形成し、前記二重反射膜構造体は吸収光の反射率を最小化することによって、同時に半導体表面で起こるキャリア再結合をパッシベーション層により効果的に防止することで、太陽電池の効率をさらに改善することができる。
好ましくは、パッシベーション層及び反射防止層は第２導電型半導体層の前方表面上に形成される。好ましい実施形態において、パッシベーション層は第２導電型半導体層上で１から４０ｎｍの厚みに形成され、パッシベーション層の上に形成される反射防止層は屈折率１．９から２．３を有するように作製される。
第１導電型半導体基板は、ホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）等周期表ＩＩＩ族の元素でドープされたｐ型シリコン基板である。第２導電型半導体層は、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等周期表Ｖ族の元素でドープされたｎ型エミッタ層である。第１導電型半導体基板及び第２導電型半導体層は接触させられてｐ−ｎ接合を形成する。
図１は本発明の一つの実施形態による太陽電池の構成を概略的に示すが、該図は理解を容易にするためにただ便宜的に提供されるものであって、本発明の範囲を制限するものとして解釈されるべきではない。
図１を参照すると、基板とは反対の導電型を有する第２導電型半導体層１２が第１導電型半導体基板上１１上に形成され、それによってそれらの間の界面にｐ−ｎ接合１３を形成する。酸窒化シリコンのパッシベーション層１４が第２導電型半導体層１２上に形成され、窒化シリコンの反射防止層１５がパッシベーション層１４上に形成される。
背面電極２１は第１導電型半導体基板１１と電気的に接続されるように形成される。それに対して、前面電極２２は第２導電型半導体層１２に接続され、パッシベーション層１４及び反射防止層１５を通って、反射防止層１５の上部から上方に突出する。
本発明の他の態様によると、以下の段階を含む太陽電池の調製方法が提供される。
（ａ）第１導電型半導体基板上に、前記基板とは反対の導電型の第２導電型半導体層を形成し、それによってそれらの間の界面にｐ−ｎ接合を形成する段階、
（ｂ）前記第２導電型半導体層上に酸窒化シリコンのパッシベーション層を形成する段階、
（ｃ）前記パッシベーション層上に窒化シリコンの反射防止層を形成する段階、
（ｄ）前記第１導電型半導体基板の後方表面上に電極を形成する段階、
（ｅ）前記反射防止層上に、前記第２導電型半導体層に接続される電極を形成する段階。
（ａ）第１導電型半導体基板上に、前記基板とは反対の導電型の第２導電型半導体層を形成し、それによってそれらの間の界面にｐ−ｎ接合を形成する段階、
（ｂ）前記第２導電型半導体層上に酸窒化シリコンのパッシベーション層を形成する段階、
（ｃ）前記パッシベーション層上に窒化シリコンの反射防止層を形成する段階、
（ｄ）前記第１導電型半導体基板の後方表面上に電極を形成する段階、
（ｅ）前記反射防止層上に、前記第２導電型半導体層に接続される電極を形成する段階。
これ以降、本発明による太陽電池の調製が段階的に詳細に記述される。
段階（ａ）において、Ｂ、Ｇａ、又はＩｎ等のＩＩＩ族の元素でドープされたｐ−型シリコン基板としての第１導電型半導体基板、Ｐ、Ａｓ、又はＳｂ等のＶ族の元素でドープされたｎ−型エミッタ層としての第２導電型半導体層、並びにそれらの間のｐ−ｎ接合が、高温拡散等当技術分野で知られる従来の方法によって形成されてよい。
段階（ｂ）及び（ｃ）において、第２導電型半導体層上のパッシベーション層の形成及びパッシベーション層上の反射防止層の形成は、例えば一連のプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によって、連続的に実施されてよい。したがって、太陽電池の製造コストは対応する製造方法の簡素化によって低減され得る。
段階（ｄ）において、背面電極は、例えば第１導電型半導体基板へのアルミニウム（Ａｌ）含有ペーストのスクリーン印刷によって、及びそのように印刷されたペーストを焼成することによって形成されてよい。
さらに、段階（ｃ）において、前面電極が形成されるとき、例えば反射防止層の上部の上への銀（Ａｇ）含有ペーストのスクリーン印刷によって、及びこのように印刷されたペーストを焼成することによって、前面電極がパッシベーション層及び反射防止層を通じて第２導電型半導体層に接続されるように形成されてよい。
酸窒化シリコンパッシベーション層を除く、残りの構成要素の形成は、当技術分野で知られる従来法によって実施されてよく、したがってそれに関する詳細な記述は省略される。
さらに、上述の製造方法の幾つかは異なる工程順で実施されてよく、又は他のやり方で一緒に実施されてよい。例えば、段階（ｄ）及び段階（ｃ）の電極形成工程は逆の順番で実施されてよい。必要であれば、段階（ｄ）及び段階（ｃ）は、対応するペーストによるパターン形成の後、焼成工程と共に実施されてよい。
実施例
本発明は以下の例を参照してより詳細に説明されるであろう。これらの例は本発明を説明するためだけに提供され、本発明の範囲及び精神を制限するものであると解釈されるべきではない。
本発明は以下の例を参照してより詳細に説明されるであろう。これらの例は本発明を説明するためだけに提供され、本発明の範囲及び精神を制限するものであると解釈されるべきではない。
［実施例１］
リン−ドープｎ型エミッタ層がホウ素ドープｐ型シリコン基板上に形成され、ｐ−ｎ接合が形成された。パッシベーション層としての酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）がｎ型エミッタ層上に、ＰＥＣＶＤ法によって、３０ｎｍの厚みで堆積された。その後、反射防止層としての屈折率１．９を有する窒化シリコン（ＳｉＮｘ）が、ＰＥＣＶＤ法によって、酸窒化シリコンパッシベーション層上に堆積された。その後、Ａｌ−含有ペーストはｐ型シリコン基板上にスクリーン印刷され、Ａｇ−含有ペーストは窒化シリコン層上にスクリーン印刷され、それによってパターンを形成した。結果として得られる構造体は約８００℃で約３０秒間焼成され、ｐ型シリコン基板に接続された背面電極及びｎ型エミッタ層に接続された前面電極を同時に形成し、それによって太陽電池が作製された。
リン−ドープｎ型エミッタ層がホウ素ドープｐ型シリコン基板上に形成され、ｐ−ｎ接合が形成された。パッシベーション層としての酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）がｎ型エミッタ層上に、ＰＥＣＶＤ法によって、３０ｎｍの厚みで堆積された。その後、反射防止層としての屈折率１．９を有する窒化シリコン（ＳｉＮｘ）が、ＰＥＣＶＤ法によって、酸窒化シリコンパッシベーション層上に堆積された。その後、Ａｌ−含有ペーストはｐ型シリコン基板上にスクリーン印刷され、Ａｇ−含有ペーストは窒化シリコン層上にスクリーン印刷され、それによってパターンを形成した。結果として得られる構造体は約８００℃で約３０秒間焼成され、ｐ型シリコン基板に接続された背面電極及びｎ型エミッタ層に接続された前面電極を同時に形成し、それによって太陽電池が作製された。
［比較例１］
太陽電池は、パッシベーション層としての酸窒化シリコンの代わりに二酸化シリコン（ＳｉＯ２）がｎ型エミッタ層上に堆積されたこと以外は、例１と同様の方法で作製された。
太陽電池は、パッシベーション層としての酸窒化シリコンの代わりに二酸化シリコン（ＳｉＯ２）がｎ型エミッタ層上に堆積されたこと以外は、例１と同様の方法で作製された。
［比較例２］
太陽電池は、酸窒化シリコンパッシベーション層がｎ型エミッタ層上に堆積されなかったこと以外は、例１と同じ方法で作製された。
太陽電池は、酸窒化シリコンパッシベーション層がｎ型エミッタ層上に堆積されなかったこと以外は、例１と同じ方法で作製された。
［実験例１］
実施例１、比較例１及び２で作製された太陽電池の効率を測定するため、解放電圧（Ｖｏｃ）及び短絡回路電流（Ｊｓｃ）が各々測定された。その後、このように測定されたＶｏｃ及びＪｓｃの値に基づき、曲線因子（ＦＦ）及び太陽電池効率が測定された。得られた結果は表１に説明される。ここで、曲線因子（ＦＦ）は（Ｖｍｐ×Ｊｍｐ）／（Ｖｏｃ×Ｊｓｃ）として定義され、Ｊｍｐ及びＶｍｐは電流密度及び最大出力点における電圧を表す。太陽電池効率はＰｍａｘ／Ｐｉｎで与えられ、Ｐｍａｘは電池によって生成される最大出力を表し、システム内部への入力パワー、Ｐｉｎ、は入射光強度、すなわち単位時間あたりシステムに供給される光エネルギー、で定義される。
実施例１、比較例１及び２で作製された太陽電池の効率を測定するため、解放電圧（Ｖｏｃ）及び短絡回路電流（Ｊｓｃ）が各々測定された。その後、このように測定されたＶｏｃ及びＪｓｃの値に基づき、曲線因子（ＦＦ）及び太陽電池効率が測定された。得られた結果は表１に説明される。ここで、曲線因子（ＦＦ）は（Ｖｍｐ×Ｊｍｐ）／（Ｖｏｃ×Ｊｓｃ）として定義され、Ｊｍｐ及びＶｍｐは電流密度及び最大出力点における電圧を表す。太陽電池効率はＰｍａｘ／Ｐｉｎで与えられ、Ｐｍａｘは電池によって生成される最大出力を表し、システム内部への入力パワー、Ｐｉｎ、は入射光強度、すなわち単位時間あたりシステムに供給される光エネルギー、で定義される。
表１の結果から示されるように、二酸化シリコンパッシベーション層の二重反射膜構造体（比較例１）及び窒化シリコン層のみからなる反射防止層（比較例２）と比較して、本発明による実施例１の太陽電池は、Ｊｓｃ値が減少することなく、Ｖｏｃ値のかなりの増大を示し、太陽電池効率が０．１４％以上改善されたことを立証した。そのような電池効率の改善は、本発明が属する技術分野において顕著な結果であり、二重反射膜構造体が吸収された光の反射率を最小化し、同時に酸窒化シリコンのパッシベーション層によって、半導体表面で起こるキャリア再結合を効果的に防止することに起因すると考えられる。
上記記述から明らかなように、本発明による太陽電池は、パッシベーション層及び反射防止層からなる二重反射膜構造体により吸収光の反射率を最小化することによって、同時にパッシベーション層によって半導体表面で起こるキャリアの再結合を効果的に防いで、光電変換効率を大きく改善することができる。さらに、本発明は二重反射膜構造体のインサイチュ連続形成により大量生産が可能であることによって製造コストを大きく低減することができる。
本発明の好ましい実施形態が説明のために開示されたが、添付されるクレームに開示される本発明の範囲及び精神から逸脱することなく様々な修正、追加及び置換が可能であることは当業者には明白であろう。
１１ 第１導電型半導体基板
１２ 第２導電型半導体層
１３ ｐ−ｎ接合
１４ パッシベーション層
１５ 反射防止層
２１ 背面電極
２２ 前面電極
１２ 第２導電型半導体層
１３ ｐ−ｎ接合
１４ パッシベーション層
１５ 反射防止層
２１ 背面電極
２２ 前面電極
Claims (10)
- 第１導電型半導体基板、前記第１導電型半導体基板の上に形成され、該基板とは反対の導電型を有する第２導電型半導体層、それらの間の界面におけるｐ−ｎ接合、前記第１導電型半導体基板と少なくとも部分的に接触する背面電極、前記第２導電型半導体層と少なくとも部分的に接触する前面電極、及び前記第１導電型半導体基板の後方表面上及び／又は前記第２導電型半導体層の前方表面上に連続して形成される酸窒化シリコンパッシベーション層及び窒化シリコン反射防止層を含む太陽電池。
- 前記パッシベーション層の厚みが１から４０ｎｍである、請求項１に記載の太陽電池。
- 前記反射防止層の屈折率が１．９から２．３である、請求項１に記載の太陽電池。
- 前記パッシベーション層及び前記反射防止層は前記第２導電型半導体層の前方表面上に形成される、請求項１に記載の太陽電池。
- 前記第１導電型半導体基板はｐ型シリコン基板であり、前記第２導電型半導体層はｎ型エミッタ層である、請求項１に記載の太陽電池。
- （ａ）第１導電型半導体基板上に、前記基板とは反対の導電型の第２導電型半導体層を形成し、それによってそれらの間の界面にｐ−ｎ接合を形成する段階と、
（ｂ）前記第２導電型半導体層上に酸窒化シリコンのパッシベーション層を形成する段階と、
（ｃ）前記パッシベーション層上に窒化シリコンの反射防止層を形成する段階と、
（ｄ）前記第１導電型半導体基板の後方表面上に電極を形成する段階と、
（ｅ）前記反射防止層上に、前記第２導電型半導体層に接続される電極を形成する段階と、を含む太陽電池の調製方法。 - 前記第１導電型半導体基板はｐ型シリコン基板であり、前記第２導電型半導体層はｎ型エミッタ層である、請求項６に記載の方法。
- 前記パッシベーション層がプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によってｎ型エミッタ層上に形成される、請求項７に記載の方法。
- 前記反射防止層がプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によってパッシベーション層上に形成される、請求項７に記載の方法。
- 前記前面電極は前記反射防止層の上部の上への銀（Ａｇ）含有ペーストのスクリーン印刷によって、及び印刷されたペーストを焼成することによって形成され、前記背面電極は前記第１導電型半導体基板上へのアルミニウム（Ａｌ）含有ペーストのスクリーン印刷によって、及び印刷されたペーストを焼成することによって形成される、請求項６に記載の方法。
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