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JP2009300150A - 磁気センサ及び磁気センサモジュール - Google Patents

磁気センサ及び磁気センサモジュール Download PDF

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JP2009300150A
JP2009300150A JP2008152726A JP2008152726A JP2009300150A JP 2009300150 A JP2009300150 A JP 2009300150A JP 2008152726 A JP2008152726 A JP 2008152726A JP 2008152726 A JP2008152726 A JP 2008152726A JP 2009300150 A JP2009300150 A JP 2009300150A
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Hiromitsu Sasaki
寛充 佐々木
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Alps Alpine Co Ltd
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Alps Electric Co Ltd
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Abstract

【課題】 特に感度軸と直交する方向への磁気シールド効果を効果的に向上させることが可能な磁気センサ及び磁気センサモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】 磁気抵抗効果素子2、3を備えた磁気センサであって、前記磁気抵抗効果素子2,3は、磁気抵抗効果を発揮する素子部12を備え、感度軸方向(Y方向)である前記素子部12の両側方には、軟磁性体18が設けられており、前記感度軸方向に対し直交方向(X方向)の前記軟磁性体18の両側端部18bは、前記素子部12よりも前記直交方向に延出した位置にあり、前記両側端部18bの幅寸法は、前記両側端部を除く前記軟磁性体18の幅寸法に比べて大きい。
【選択図】図1

Description

本発明は、例えば地磁気センサとして使用される磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサ及び磁気センサモジュールに関する。
磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサは例えば、携帯電話等の携帯機器に組み込まれる地磁気を検知する地磁気センサとして使用できる。磁気抵抗効果素子は感度軸方向からの磁場に対して電気抵抗値が変動する。
下記の特許文献1に記載された発明では、複数の帯状の磁気抵抗効果膜を互いに平行に配置し、各磁気抵抗効果素子の端部間を永久磁石膜で接続して、つづら折り形状とした磁気センサが開示されている。
地磁気センサでは、2軸または3軸に分解して磁気を検知する必要があるため、それぞれの軸の磁場の強さを検知する磁気センサは、他の軸に対しては感度を持たないようにする必要がある。
しかしながら特許文献1には、上記した地磁気センサに対する従来の課題についての認識がなく当然にそれを解決する手段は示されていない。
特開2005−183614号公報
そこで本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、特に感度軸方向に対して直交する方向への磁気シールド効果を効果的に向上させることが可能な磁気センサ及び磁気センサモジュールを提供することを目的とする。
本発明は、所定の感度軸を有する磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサであって、
前記磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果を発揮する素子部と、軟磁性体とを備え、
前記素子部と前記軟磁性体とが、前記感度軸の方向に前記軟磁性体、前記素子部、前記軟磁性体の順で並ぶように非接触で配置されており、
前記軟磁性体の両端部は、前記素子部よりも前記直交方向に延出した位置にあり、前記両端部の幅寸法は、前記両端部を除く前記軟磁性体の幅寸法に比べて大きいことを特徴とするものである。
これにより感度軸と直交する方向からの外乱磁場を、両側端部から軟磁性体の内部へ引き込みやすくなり、磁気シールド効果を効果的に向上させることが可能である。
本発明では、前記軟磁性体の前記両側端部には、前記素子部から離れる方向に向けて、前記幅寸法が徐々に大きくなるテーパ面が形成されていることが好ましい。これにより、より効果的に磁気シールド効果を向上させることができる。
また本発明では、前記軟磁性体の前記両側端部は、前記テーパ面で形成された幅遷移領域と、前記幅遷移領域の前記直交方向の外側に前記幅遷移領域の最大幅を保って形成された幅一定領域とで構成されることが好ましい。これにより、より効果的に磁気シールド効果を向上させることができる。
本発明では、前記素子部が複数、感度軸方向に間隔を空けて配置され、各素子部の端部間が電気的に接続されてミアンダ形状で形成されており、
各素子部間及びミアンダ形状の外側に前記軟磁性体が設けられることにより前記各素子部の感度軸方向の両側方に前記軟磁性体が配置されている構造であることが好適である。
また本発明では、前記軟磁性体を両側に備えた素子部から形成された磁気抵抗効果素子を感度軸直交方向に複数配置することで、それぞれの磁気抵抗効果素子自身が自身以外の磁気抵抗効果素子に影響を及ぼすことなく磁気センサを形成できる。
また本発明における磁気センサモジュールは、上記のいずれかに記載の磁気センサを複数有し、少なくとも前記複数の磁気センサのうち一組の磁気抵抗効果素子の感度軸が直交するように各磁気抵抗効果素子が配置されていることを特徴とするものである。例えば本発明の磁気センサモジュールは地磁気センサである。
本発明の磁気センサによれば、感度軸と直交する方向からの外乱磁場を、両側端部から軟磁性体の内部へ引き込みやすくなり、磁気シールド効果を効果的に向上させることが可能である。
図1は、本実施形態における磁気センサの特に磁気抵抗効果素子の部分を示す図((a)は部分平面図、(b)は、(a)のA−A線に沿って高さ方向(図示Z方向)に切断し矢印方向から見た部分拡大断面図、図2は、本実施形態における磁気センサの特に磁気抵抗効果素子の部分の拡大平面図と、本実施形態の軟磁性体に引き込まれる直交方向からの外乱磁場のイメージ図、図3は、比較例における磁気センサの特に磁気抵抗効果素子の部分の部分拡大平面図と、比較例の軟磁性体に引き込まれる直交方向からの外乱磁場のイメージ図、図4は、本実施形態の好ましい軟磁性体の側端部の形状を示す部分拡大平面図、図5は、別の実施形態における軟磁性体の側端部の形状を示す部分拡大平面図、図6は他の実施形態における磁気センサの特に磁気抵抗効果素子の部分を示す平面図、図7は、図6に示すB−B線に沿って高さ方向(図示Z方向)に切断し矢印方向から見た部分拡大断面図、図8は、磁気抵抗効果素子(素子部)を構成する固定磁性層の固定磁化方向及びフリー磁性層の磁化方向と、電気抵抗値との関係を説明するための図、図9は、磁気抵抗効果素子(素子部)を構成する素子部を膜厚方向から切断した際の切断面を示す部分断面図、図10は本実施形態の磁気センサの回路構成図、図11は図7と同じ位置での断面を示し、図7と異なる形状の部分拡大断面図、図12は、好ましい磁気抵抗効果素子の形態の特に素子部の部分を示す部分拡大平面図、図13は本実施形態における地磁気センサ(磁気センサモジュール)の斜視図、である。
以下、Y方向を感度軸方向、Y方向に直交するX方向を直交方向という。
本実施形態における磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサ1を用いた磁気センサモジュールは例えば携帯電話等の携帯機器に搭載される地磁気センサとして使用される。
地磁気センサ1は、図10に示すように、磁気抵抗効果素子2,3と固定抵抗素子4,5とがブリッジ接続されてなるセンサ部6と、センサ部6と電気接続された入力端子7、グランド端子8、差動増幅器9及び外部出力端子10等を備えた集積回路(IC)11とで構成される。
磁気抵抗効果素子2,3は、図1(a)(b)に示すように、素子幅W1に比べて素子長さL1が長く形成された直交方向(X方向)に細長い形状の複数の素子部12が感度軸方向(Y方向)に所定の間隔を空けて並設され、各素子部12の端部間が接続電極部13により電気的に接続されてミアンダ形状となっている。ミアンダ形状に形成された両端にある素子部12の一方には入力端子7、グランド端子8、出力取出し部14(図10参照)に接続される電極部15が接続されている。接続電極部13及び電極部15は、Al、Ta、Au等の非磁性導電材料である。接続電極部13及び電極部15はスパッタやメッキで形成される。
磁気抵抗効果素子2,3を構成する各素子部12は、全て図9に示す同じ積層構造で構成される。なお図9は、素子幅W1と平行な方向から膜厚方向に切断した切断面を示している。
素子部12は、例えば下から反強磁性層33、固定磁性層34、非磁性層35、およびフリー磁性層36の順に積層されて成膜され、フリー磁性層36の表面が保護層37で覆われている。素子部12は例えばスパッタにて形成される。
反強磁性層33は、Ir−Mn合金(イリジウム−マンガン合金)などの反強磁性材料で形成されている。固定磁性層34はCo−Fe合金(コバルト−鉄合金)などの軟磁性材料で形成されている。非磁性層35はCu(銅)などである。フリー磁性層36は、Ni−Fe合金(ニッケル−鉄合金)などの軟磁性材料で形成されている。保護層37はTa(タンタル)などである。上記構成では非磁性層35がCu等の非磁性導電材料で形成された巨大磁気抵抗効果素子(GMR素子)であるが、Al23等の絶縁材料で形成されたトンネル型磁気抵抗効果素子(TMR素子)であってもよい。また図9に示す素子部12の積層構成は一例であって他の積層構成であってもよい。例えば、下からフリー磁性層36、非磁性層35、固定磁性層34、反強磁性層33及び保護層37の順に積層されてもよい。
素子部12では、反強磁性層33と固定磁性層34との反強磁性結合により、固定磁性層34の磁化方向が固定されている。図1及び図9に示すように、固定磁性層34の固定磁化方向(P方向)は、感度軸方向(Y方向)に向いている。
一方、フリー磁性層36の磁化方向(F方向)は、外部磁場により変動する。
図8に示すように、固定磁性層34の固定磁化方向(P方向)と同一方向から外部磁場Y1が作用してフリー磁性層36の磁化方向(F方向)が外部磁場Y1方向に向くと、固定磁性層34の固定磁化方向(P方向)とフリー磁性層36の磁化方向(F方向)とが平行に近づき電気抵抗値が低下する。
一方、図8に示すように、固定磁性層34の固定磁化方向(P方向)と反対方向から外部磁場Y2が作用してフリー磁性層36の磁化方向(F方向)が外部磁場Y2方向に向くと、固定磁性層34の固定磁化方向(P方向)とフリー磁性層36の磁化方向(F方向)とが反平行に近づき電気抵抗値が増大する。
なお磁気抵抗効果素子2,3を構成する素子部12は異方性磁気抵抗効果素子(AMR素子)であってもよい。ただし磁気抵抗効果素子2,3を構成する素子部12をGMRやTMRとしたほうが、外部磁場に対する抵抗変化率(MR比)を大きくでき、また抵抗変化率(MR比)の直線性を得ることができ、高精度な外部磁場検知を行うことが可能である。
図1(b)に示すように素子部12は基板16上に形成される。素子部12上はAl23やSiO2等の絶縁層17に覆われる。また素子部12間も絶縁層17で埋められる。絶縁層17は例えばスパッタにて形成される。
図1(b)のように絶縁層17の上面は、例えばCMP技術を用いて平坦面に形成されている。ただし、絶縁層17の上面は、素子部12と基板16間の段差に倣って、凹凸面で形成されていてもよい。
図1(a)(b)に示すように、磁気抵抗効果素子2,3を構成する各素子部12の間、及び最も外側に位置する素子部12の外側に軟磁性体18が設けられている。軟磁性体18は例えばスパッタやメッキにて薄膜形成される。軟磁性体18は、NiFe、CoFe、CoFeSiBやCoZrNb等で形成される。図1(a)(b)では軟磁性体18の幅寸法W2は素子部12の素子幅W1より大きくなっているが特に限定されるものではない。
また、軟磁性体18の長さ寸法L2は素子部12の素子長さL1よりも長く、図1(a)に示すように、軟磁性体18は、素子部12の直交方向(X方向)の両側から直交方向(X方向)に延出する延出部18aを備える。
図1(b)に示すように、軟磁性体18は、素子部12間にある絶縁層17上に形成される。また図示しないが軟磁性体18上及び軟磁性体18間は絶縁性の保護層にて覆われている。
図1に示す磁気センサ1は、感度軸方向(Y方向)と平行な方向からの地磁気を検知するためのものである。素子部12と軟磁性体18は、感度軸方向に軟磁性体18、素子部12、軟磁性体18の順で並ぶように非接触で配置されている。
固定磁性層34の固定磁化方向(P方向)は感度軸方向である図示Y方向に向けられている。
磁気抵抗効果素子2,3を構成する素子部12の素子幅W1は、地磁気センサとして使用する場合は形状異方性を利用するため、2〜6μmの範囲内であることが好適である(図1(b)参照)。また素子部12の素子長さL1は、60〜100μmの範囲内であることが好適であることが好適である(図1(a)参照)。また、素子部12の膜厚T1は、200〜300Åの範囲内であることが好適である(図1(b)参照)。また軟磁性体18の幅寸法W2は、この実施形態では、地磁気センサとして使用する場合、1〜6μmの範囲内であることが好適である(図1(b)参照)。また軟磁性体18の長さ寸法L2は、80〜200μmの範囲内であることが好適である(図1(a)参照)。また、軟磁性体18の膜厚T2は、0.2〜1μmの範囲内であることが好適である(図1(b)参照)。素子部12のアスペクト比(素子長さL1/素子幅W1)は、地磁気センサとして使用する場合は10以上であることが好適である。また軟磁性体18のアスペクト比(長さ寸法L2/幅寸法W2)は、素子部12のアスペクト比以上であると好適である。また軟磁性体18の延出部18aの長さ寸法T8は、20μm以上であることが好適である(図1(a)参照)。
また各軟磁性体18間の間隔(Y方向への距離)T3は、軟磁性体の幅寸法W2以上で2〜8μmであることが好適である(図1(b)参照)。また、素子部12と隣接した位置にある軟磁性体18とのY方向への間隔T4は、0〜3μmであることが好適である(図1(b)参照)。また、軟磁性体18と素子部12間の高さ方向(Z方向)への間隔T5は、0.1〜1μmであることが好適である(図1(b)参照)。
本実施形態では、感度軸方向(Y方向)の素子部12の両側方には、素子部12と非接触の軟磁性体18が設けられている。軟磁性体18は、素子部12と同様に、直交方向(X方向)に細長い形状である。
図1の実施形態では、軟磁性体18が素子部12の上方に設けられている。
上記したように軟磁性体18には、素子部12よりも直交方向(X方向)の両側に延出する延出部18aが形成され、図1(a)、図2及び図4に示すように、各延出部18aの各側端部18bの(最大)幅寸法W3は、側端部18bを除く軟磁性体18の幅寸法W2よりも大きく形成されている。
図1(a)、図2、図4に示すように、側端部18bは素子部12から離れる方向に向けて、側端部18bの幅寸法が徐々に大きくなるテーパ面18c,18cで形成された幅遷移領域18dと、幅遷移領域18dの直交方向(X方向)の外側に幅遷移領域の最大幅(=W3)を保って形成された幅一定領域18eとで構成される。
図2に示すように、直交方向(X方向)から外乱磁場が作用したとき、外乱磁場を幅広で形成された側端部18bから軟磁性体18の内部へ引き込みやすくなり(軟磁性体18へ吸収される外乱磁場の磁束量を多くでき)、よって素子部12に作用する直交方向(X方向)からの外乱磁場を効果的に減少させることができるので、磁気シールド効果を効果的に向上させることができる。
図3は比較例である。比較例の軟磁性体18には、本実施形態のように幅広の側端部18bが形成されておらず、軟磁性体18は一定の幅寸法W2で形成される。図3に示す比較例では、本実施形態に比べて、軟磁性体18に吸収される外乱磁場の磁束量が少なく、素子部12に作用する直交方向(X方向)からの外乱磁場を、実施形態ほど効果的に減少させることができない。よって、本実施形態に比べて比較例の軟磁性体18の構成では、磁気シールド効果に劣る。
図2に示すように、側端部18bの幅一定領域18eの感度軸方向(Y方向)における外面18fが素子部12と直交方向(X方向)にて対向するように側端部18bが感度軸方向(Y方向)に張り出して形成されていることが好ましい。素子部12間の感度軸方向(Y方向)における間隔T9(図1(b)、図2参照)を狭く形成し、且つ軟磁性体18と素子部12間の感度軸方向(Y方向)における間隔T4を保って形成することで、素子部12の側方に形成される軟磁性体18の幅寸法W2も小さくなるが、上記した構成とすることで、側端部18bをできる限り幅広の形態で形成でき、磁気シールド効果を向上させることが可能になる。
また本実施形態では、図4に示すように側端部18bにはテーパ面18cで形成された幅遷移領域18dが設けられているが、これにより、例えばテーパ面18cでなく感度軸方向(Y方向)に向く垂直面で形成した場合に比べて、磁気シールド効果をより効果的に向上させることが可能である。
すなわち垂直面で形成すると、側端部18bから吸収した直交方向(X方向)からの外乱磁場が垂直面の部分から外部へ漏れ出しやすくなる。一方、本実施形態のようにテーパ面18cで形成すると、側端部18bから吸収した直交方向(X方向)からの外乱磁場がテーパ面18cの傾斜に倣って幅寸法がW2で形成された幅細の軟磁性体18の内部へ向けて集束しやすく、外乱磁場が外部へ漏れにくくなる。よって、本実施形態のように、幅遷移領域18dを設けることで、磁気シールド効果をより効果的に向上させることが可能である。幅遷移領域18dの形状は、延出部18aの延長線とテーパ面18cとのなす角θが、20〜70度の範囲内であり(図4参照)、素子部12の端部から、延出部18aとテーパ面18cとの接続点までの距離L5が素子幅W1の3倍以上、素子部12の端部から、テーパ面18cと外面18fとの接続点までの距離L6までの距離が素子幅W1の5倍以上あることが好ましい(図2参照)。
また本実施形態では、図4に示すように、軟磁性体18の側端部18bには幅遷移領域18dの直交方向(X方向)の外側に幅遷移領域18dの最大幅(=W3)を保って形成された幅一定領域18eが設けられているが、これにより、一方の側端部18bから吸収した直交方向(X方向)からの外乱磁場が他方の側端部18bから外部へ放出されるときに、外乱磁場が拡散して外部へ放出されるのを抑制できる。
また、延出部18aとテーパ面18cとの接続点、テーパ面18cと外面18fとの接続点は角形状ではなく、R形状で形成されることが望ましい。これにより、輪郭部のパターン角度が急激に変化することによる磁束の漏れを抑制することが出来る。
図5の側端部18bは本実施形態の一形態であるが図5の側端部18bは幅遷移領域18dでのみ形成され図4に示す幅一定領域18eが形成されていない。このような形態の場合、軟磁性体18の内部を通って側端部18bから外部へ放出される直交方向(X方向)からの外乱磁場が図5のように拡散されやすい。
このとき、特に図1(a)に示すように各磁気抵抗効果素子2,3が、直交方向(X方向)に並設されていると、一方の磁気抵抗効果素子2側から他方の磁気抵抗効果素子3側に向けて拡散した外乱磁場がベクトルとしては直交成分+感度軸成分の形で作用するため、図4の実施形態の軟磁性体18を使用する場合に比べて、磁気シールド効果が低下しノイズが乗りやすくなる。よって磁場の拡散を抑制するために、図4に示すように、一定幅で形成された幅一定領域18eを設けることが、磁気シールド効果をより効果的に向上させることができ好適である。
図4のような軟磁性体18の側端部18bの形状とすることで、図10に示す磁気センサを形成する際、同センサ内にすくなくとも磁気抵抗効果素子2,3が必要だが、図1のように感度軸直交方向に複数個磁気抵抗効果素子2,3を配置してもそれぞれの磁気抵抗効果素子の軟磁性体による他磁気抵抗効果素子への影響を小さく出来、磁気抵抗効果素子の配置の自由度を向上させることができ好ましい。
また、図1のような磁気抵抗効果素子2,3が直近に配置される場合だけではなく固定抵抗素子4,5を含む場合でも、同様の効果を得ることが出来る。
幅一定領域18eの直交方向(X方向)の長さ寸法T11は、T11/(T10+T11)×100(%)としたとき、20〜80%の範囲内であることが好ましい(図2参照)。また幅一定領域18e,18e間の感度軸方向(Y方向)における間隔T12は、1〜素子幅W1までの範囲内であることが好ましい(図2参照)。
図1に示す実施形態では、軟磁性体18が素子部12の上方に形成されているが、限定されない。すなわち軟磁性体18が素子部12の下方に形成されても真横に形成されてもよい。
図1(a)に示すように、感度軸方向の両側に設けられた軟磁性体18の両側には、さらに点線で示された軟磁性体25が設けられていてもよい。これにより、より磁気シールド効果を高めることができる。なお軟磁性体25に対しても本実施形態の適用が可能である。すなわち軟磁性体25の直交方向(X方向)の両側端部25b,25bを、軟磁性体18の両側端部18b,18bと同様に幅広で形成する。なお図1(a)では、磁気抵抗効果素子3側にのみ軟磁性体25が図示されているが、軟磁性体25は、磁気抵抗効果素子2,3の双方に設けられることが好適である。
図6に示す他の実施形態では、磁気抵抗効果素子2,3は、素子部12と、中間永久磁石層21と、外側永久磁石層23とを備えて構成される。中間永久磁石層21及び外側永久磁石層23はCoPtやCoPtCr等であり例えばスパッタ成膜されたものである。
図6に示すように、直交方向(X方向)に複数の素子部12が直交方向(X方向)に間隔を空けて並設され、各素子部12の間に空けられた間隔内に中間永久磁石層21が介在している。これにより各素子部12が中間永久磁石層21を介して連結された直交方向(X方向)に帯状に延びる素子連結体22が構成される。素子連結体22は、感度軸方向(Y方向)に間隔を空けて複数本並設され、各素子連結体22の端部に外側永久磁石層23が形成されている。
図6に示すように、素子連結体22の直交方向(X方向)の両側に設けられた外側永久磁石層23間が、Al、Au、あるいはCu等の良導体で形成された電極層19により接続されている。電極層19は、感度軸方向(Y方向)に直線状(帯状)で形成される。
図6に示す構成にて磁気抵抗効果素子2,3をミアンダ形状にすることが可能である。
図6に示すように、素子連結体22の間の領域、及び素子連結体22の感度軸方向(Y方向)の両側に位置する素子連結体22の外側に、夫々、素子連結体22の直交方向(X方向)に延びる軟磁性体18が配置されている。そして、図6に示すように、軟磁性体18の下側に電極層19が位置している。
また図7に示すように、中間永久磁石層21上には中間永久磁石層21よりも抵抗値が小さい低抵抗層20が重ねて形成されていることが好ましい。低抵抗層20はAu、Al、Cu等の非磁性導電材料で形成されることが好適である。低抵抗層20は、中間永久磁石層21上にスパッタやメッキ等で形成される。素子抵抗を大きくするために複数の素子部12を連結してミアンダ形状としているが、中間永久磁石層21の抵抗は磁気抵抗変化に寄与しない寄生抵抗であるため、本実施形態のように中間永久磁石層21上に低抵抗層20を重ねて形成することで、寄生抵抗を低減できる。外側永久磁石層23も寄生抵抗になるが、図6で示すように外側永久磁石層23上には電極層19が重ねられているので、寄生抵抗を効果的に低減できる。
図6に示す実施形態でも図1(a)で示す実施形態と同様に軟磁性体18の両側端部18bを幅広で形成することで磁気シールド効果を効果的に向上させることができる。
図6では電極部19は軟磁性体18と交差しているが、電極部19と軟磁性体18間は絶縁層が形成されている。また、交差せず、電極部19が軟磁性体18の外側を迂回する形でもよい。電極層19は軟磁性体18と電気的に絶縁されていれば、軟磁性体18の下部、上部どちらに形成されてもよい。
また、図7では素子部12を完全に除去し、中間永久磁石層21、低抵抗層20を形成しているが、図11のように、保護層37及びフリー磁性層36を完全に除去し、非磁性層35を介して中間永久磁石層21とで接続することで、端面での接触から、面接触となることで寄生抵抗成分を減らし、固定磁性層34を切断することによる固定磁性層の磁区の乱れをなくなることにより、固定磁性層の磁化方向が一様となるため、フリー磁性層との磁化角度差による磁気抵抗変化を効果的に発生させることが出来る。また固定磁性層34及び反強磁性層33まで分断して各素子部12間に中間永久磁石層21を設けた構成では、中間永久磁石層21と素子部12との電気的コンタクトは各部の側面接触となるため寄生抵抗のひとつであるコンタクト抵抗が大きくなりやすいが、図11のように中間永久磁石層21と素子部12との電気的コンタクトが平面接触とすることで寄生抵抗を低減させることが出来、好ましい。
また図12に示すように、永久磁石層21間に挟まれた部分の素子部12のアスペクト比(素子長さL3/素子幅W1)が大きくなると、永久磁石層21からのバイアス磁界が素子部12の全体に適切に供給されなくなる。このため感度軸方向に対して直交方向(X方向)から磁界を作用させ、磁界強度を徐々に強くしていったときの抵抗変化領域にヒステリシスが生じやすくなる。よって直交方向からの磁界(外乱磁場)に対する抵抗変化領域が広がることで、外乱磁場耐性が低下しやすくなる。また感度磁場に対してもヒステリシスは生じやすくなり、感度磁場に対する磁場応答性が低下する。したがって、素子部12の全体に適切にバイアス磁界を供給するため素子部12のアスペクト比は小さいことが好ましい。具体的には素子部12のアスペクト比は3以下が好適であり、1より小さいことがより好ましい。これにより素子部12に適切にバイアス磁界を供給するための永久磁性層膜厚も薄くすることができる。
本実施形態における磁気センサ1は例えば、図13に示す地磁気センサ(磁気センサモジュール)として使用される。X軸磁場検知部50、Y軸磁場検知部51、Z軸磁場検知部52では、いずれも図10に示すブリッジ回路のセンサ部が設けられている。X軸磁場検知部50では磁気抵抗効果素子2,3の素子部12の固定磁性層34の固定磁化方向(P方向)が感度軸であるX方向を向いており、また、Y軸磁場検知部51では磁気抵抗効果素子2,3の素子部12の固定磁性層34の固定磁化方向(P方向)が感度軸であるY方向を向いており、さらに、Z軸磁場検知部52では磁気抵抗効果素子2,3の素子部12の固定磁性層34の固定磁化方向(P方向)が感度軸であるZ方向を向いている。
X軸磁場検知部50、Y軸磁場検知部51、Z軸磁場検知部52、及び集積回路(ASIC)54はいずれも基台53上に設けられる。X軸磁場検知部50、及びY軸磁場検知部51の磁気抵抗効果素子2,3の形成面はいずれもX−Y平面であるが、Z軸磁場検知部52の磁気抵抗効果素子2,3の形成面はX−Z平面であり、Z軸磁場検知部52の磁気抵抗効果素子2,3の形成面は、X軸磁場検知部50、及びY軸磁場検知部51の磁気抵抗効果素子2,3の形成面に対して直交した関係にある。
本実施形態では感度軸方向と直交する方向に対して磁気シールド効果があり、また感度軸方向に対しては適切な感度を備える。したがって、X軸磁場検知部50、Y軸磁場検知部51、及びZ軸磁場検知部52のうち2以上の検知部を基台53上に設けても、各検知部において、感度軸方向と直交方向からの磁場を適切に磁気シールドできるとともに、各検知部の感度軸方向からの地磁気を適切に検知できる。
図13の構成以外に、図13に示す地磁気センサと加速度センサ等を組み合わせたモジュールとすることもできる。
(実施例)
図1に示す磁気抵抗効果素子2を形成した。素子部12の素子幅W1を3μm(図1(b)参照)、軟磁性体18の幅寸法W2を4μm(図1(b)参照)、軟磁性体18の延出部18aの長さ寸法T8を30μm(図1(a)参照)、幅遷移領域18dの直交方向(X方向)の長さ寸法T10を5μm(図2参照)、幅一定領域18eの直交方向(X方向)の長さ寸法T11を5μm(図2参照)、幅一定領域18e,18e間の感度軸方向(Y方向)における間隔T12を3μm(図2参照)、軟磁性体18間の感度軸方向(Y方向)における間隔T3を7μmとした。
実験では、感度軸方向に直交する方向(X方向)に±5Oeの範囲内の磁場をかけた状態で、磁気抵抗効果素子2,3の抵抗変化率(MR比)を調べた。その実験結果が図14に示されている。
図14に示すように、直交方向の磁場に対してほぼ磁気感度を持たない(−0.006%/Oe)ことがわかった。
次に、直交方向(X方向)に0Oe、+5Oe、あるいは−5Oeの磁場をかけつつ感度軸方向に±5Oeの範囲内の磁場をかけた状態の夫々について、磁気抵抗効果素子2,3の抵抗変化率(MR比)を調べた。その実験結果が図15に示されている。
図15に示すように、外部磁場に対する抵抗変化率(MR比)の挙動がほぼ一致しており、これにより直交方向(X方向)から作用する外部磁場を適切にシールドされていることがわかった。図15の実験結果より実施例でのSN比は8.5dBであった。
(比較例)
上記の実施例の軟磁性体18に形成した幅遷移領域18d及び幅一定領域18eを形成せず、一定幅の軟磁性体(図3参照)とした。なお軟磁性体の素子部に対する延出部18aの長さ寸法を実施例と同様に30μmとした。その他の寸法も全て実施例と同じにした。
実験では、感度軸方向に直交する方向(X方向)に±5Oeの範囲内の磁場をかけた状態で、磁気抵抗効果素子2,3の抵抗変化率(MR比)を調べた。その実験結果が図16に示されている。
図16に示すように、実施例(図14)よりも直交方向の磁場に対して磁気感度を持つ(−0.037%/Oe)ことがわかった。
次に、直交方向(X方向)に0Oe、+5Oe、あるいは−5Oeの磁場をかけつつ感度軸方向に±5Oeの範囲内の磁場をかけた状態の夫々について、磁気抵抗効果素子2,3の抵抗変化率(MR比)を調べた。その実験結果が図17に示されている。
図17に示すように、外部磁場に対する抵抗変化率(MR比)の挙動が実施例(図15)のように一致せず、挙動にばらつきが見られ、これにより直交方向(X方向)から作用する外部磁場を適切にシールドできていないことがわかった。図17の実験結果より比較例でのSN比は2.7dBであった。
本実施形態における磁気センサの特に磁気抵抗効果素子の部分を示す図((a)は部分平面図、(b)は、(a)のA−A線に沿って高さ方向(図示Z方向)に切断し矢印方向から見た部分拡大断面図、 本実施形態における磁気センサの特に磁気抵抗効果素子の部分の拡大平面図と、本実施形態の軟磁性体に引き込まれる直交方向からの外乱磁場のイメージ図、 比較例における磁気センサの特に磁気抵抗効果素子の部分の部分拡大平面図と、比較例の軟磁性体に引き込まれる直交方向からの外乱磁場のイメージ図、 本実施形態の好ましい軟磁性体の側端部の形状を示す部分拡大平面図、 別の実施形態における軟磁性体の側端部の形状を示す部分拡大平面図、 他の実施形態における磁気センサの特に磁気抵抗効果素子の部分を示す平面図、 図6に示すB−B線に沿って高さ方向(図示Z方向)に切断し矢印方向から見た部分拡大断面図、 磁気抵抗効果素子(素子部)を構成する固定磁性層の固定磁化方向及びフリー磁性層の磁化方向と、電気抵抗値との関係を説明するための図、 磁気抵抗効果素子(素子部)を構成する素子部を膜厚方向から切断した際の切断面を示す部分断面図、 本実施形態の磁気センサの回路構成図、 図7と同じ位置での断面を示し、図7と異なる形状の部分拡大断面図、 好ましい磁気抵抗効果素子の形態の特に素子部の部分を示す部分拡大平面図、 本実施形態における地磁気センサ(磁気センサモジュール)の斜視図、 図1、図2、図4に示す軟磁性体を備える実施例の磁気抵抗効果素子を用いて、直交方向に±5Oeの範囲内の磁場をかけた状態で、磁気抵抗効果素子の抵抗変化率(MR比)の測定結果を示すグラフ、 実施例の磁気抵抗効果素子を用い、直交方向(X方向)に0Oe、+5Oe、あるいは−5Oeの磁場をかけつつ感度軸方向に±5Oeの範囲内の磁場をかけた状態の夫々について、磁気抵抗効果素子の抵抗変化率(MR比)の測定結果を示すグラフ、 図3に示す軟磁性体を備える比較例の磁気抵抗効果素子を用いて、直交方向に±5Oeの範囲内の磁場をかけた状態で、磁気抵抗効果素子の抵抗変化率(MR比)の測定結果を示すグラフ、 比較例の磁気抵抗効果素子を用い、直交方向(X方向)に0Oe、+5Oe、あるいは−5Oeの磁場をかけつつ感度軸方向に±5Oeの範囲内の磁場をかけた状態の夫々について、磁気抵抗効果素子の抵抗変化率(MR比)の測定結果を示すグラフ、
符号の説明
1 磁気センサ
2、3 磁気抵抗効果素子
4、5 固定抵抗素子
6 ブリッジ回路
7 入力端子
8 グランド端子
9 差動増幅器
10 外部出力端子
11 集積回路
12 素子部
13 接続電極部
14 出力取出し部
15 電極部
16 基板
17 絶縁層
18 軟磁性体
18a 延出部
18b 側端部
18c テーパ面
18d 幅遷移領域
18e 幅一定領域
19 電極
20 低抵抗層
21 中間永久磁石層
22 素子連結体
23 外側永久磁石層
33 反強磁性層
34 固定磁性層
36 フリー磁性層
50 X軸磁場検知部
51 Y軸磁場検知部
52 Z軸磁場検知部

Claims (6)

  1. 所定の感度軸を有する磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサであって、
    前記磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果を発揮する素子部と、軟磁性体とを備え、
    前記素子部と前記軟磁性体とが、前記感度軸の方向に前記軟磁性体、前記素子部、前記軟磁性体の順で並ぶように非接触で配置されており、
    前記軟磁性体の両端部は、前記素子部よりも前記直交方向に延出した位置にあり、前記両端部の幅寸法は、前記両端部を除く前記軟磁性体の幅寸法に比べて大きいことを特徴とする磁気センサ。
  2. 前記軟磁性体の前記両端部には、前記素子部から離れる方向に向けて、前記幅寸法が徐々に大きくなるテーパ面が形成されている請求項1記載の磁気センサ。
  3. 前記軟磁性体の前記両端部は、前記テーパ面で形成された幅遷移領域と、前記幅遷移領域の前記直交方向の外側に前記幅遷移領域の最大幅を保って形成された幅一定領域とで構成される請求項2記載の磁気センサ。
  4. 前記素子部が複数、感度軸方向に間隔を空けて配置され、各素子部の端部間が電気的に接続されてミアンダ形状で形成されており、
    各素子部間に前記軟磁性体が設けられることにより前記各素子部の感度軸方向の両側方に前記軟磁性体が配置されている請求項1ないし3のいずれかに記載の磁気センサ。
  5. 前記ミアンダ形状に形成された素子部および前記軟磁性体が、前記感度軸と直交する方向に複数配置され、前記複数の素子部がブリッジ回路の一部を構成している請求項4記載の磁気センサ。
  6. 請求項1ないし5のいずれかに記載の磁気センサを複数有し、少なくとも前記複数の磁気センサのうち一組の磁気抵抗効果素子の感度軸が直交するように各磁気抵抗効果素子が配置されていることを特徴とする磁気センサモジュール。
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