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JP2009224631A - プリント回路板 - Google Patents

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JP2009224631A
JP2009224631A JP2008068717A JP2008068717A JP2009224631A JP 2009224631 A JP2009224631 A JP 2009224631A JP 2008068717 A JP2008068717 A JP 2008068717A JP 2008068717 A JP2008068717 A JP 2008068717A JP 2009224631 A JP2009224631 A JP 2009224631A
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power supply
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bypass capacitor
ground
semiconductor integrated
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JP2008068717A
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Yoshitaka Kawase
義貴 川▲瀬▼
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Canon Inc
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Canon Inc
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Abstract

【課題】複数製品に対応できるよう設計されるプリント回路板において、バイパスコンデンサの実装位置を変えることで、電源供給系インピーダンスを簡単に調整する。
【解決手段】半導体集積回路101の電源端子102に接続された電源配線103には部品実装用のランドを1つ設け、バイパスコンデンサ106の電源側を実装する。バイパスコンデンサ106のグラウンド側は、半導体集積回路101のグラウンド端子104に接続されたグラウンド配線105上に設けた円弧状のランドからなる接続部107に実装する。プリント回路板の電源供給系インピーダンスに応じて、バイパスコンデンサ106の実装角度を接続部107上で任意に変更することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、電源・グラウンド配線間にバイパスコンデンサを実装したプリント回路板に関するものである。
半導体集積回路の高速化、低電圧化により、電源供給系設計の重要性が増してきている。例えば、出力バッファが複数ビット同時動作することで電源電位変動やタイミングが問題となる同時動作ノイズ(SSN)がある。その他に、内部回路動作起因の電源電位変動がプリント回路板の電源・グラウンドプレーンを共振させたり、出力バッファに重畳してプリント回路板全面に広がるようなノイズが問題となる放射ノイズ(EMI)もある。
従来、上記のような問題が発生しないように半導体集積回路近傍の電源供給系である電源・グラウンド配線間にはバイパスコンデンサを配置する。そのバイパスコンデンサから電荷供給をスムーズに行うために、半導体集積回路からバイパスコンデンサまでのインピーダンスをできる限り低く設計するのが一般的である。その経路におけるインピーダンス(Z)の周波数特性は、パッケージやプリント回路板及びバイパスコンデンサなどの部品により決定され、電気素子としてはインダクタンス(L)、キャパシタンス(C)、レジスタンス(R)で表現できる。各電気素子L、C、RとインピーダンスZの関係は、以下の式で表される。
Figure 2009224631
ここで、f;周波数[Hz]、L;インダクタンス[H]、C;キャパシタンス[F]、R;レジスタンス[Ω]
上式からも分かるように、インピーダンスはインダクタンスには比例し、キャパシタンスには反比例する関係である。また、特定の周波数ではインピーダンスがゼロになる(実際には、レジスタンス値になる)共振を起こす。この共振が電源供給系設計を困難にする場合がある。
バイパスコンデンサの定数は、半導体集積回路の内部容量から必要とされる電荷を供給するために、0.1μF程度の容量を持ったコンデンサが選択されることが多い。この場合、概ね数十MHz帯に共振点が表れるため、高周波領域ではインダクタンス成分が支配的となる。従って、インダクタンスを低減させるためにパッケージ及びプリント回路板の新規構造や、その構造を活かした端子配置とバイパスコンデンサ実装方法などを工夫した提案がなされてきている。
また、バイパスコンデンサが持つ等価直列インダクタンスに着目し、バイパスコンデンサを複数並べ、相互インダクタンスを低下させる手法もある。さらには、バイパスコンデンサに流れる電流方向を考慮した実装をすることで、よりインダクタンスを低下させる構造も提案されている(特許文献1参照)。
複数のコンデンサを実装する場合、高周波成分の電荷供給を補うために1000pF程度、もしくは100pF程度の容量を持ったコンデンサが選定される。容量値の異なる2つのコンデンサを用いた場合のインピーダンスは、前述した共振の他に、並列回路としたことで反共振が発生する。この反共振は、特定の周波数ではインピーダンスが無限大となる(実際には、レジスタンス値で有限となる)。すなわち、インピーダンスが高い周波数が存在してしまうことになる。これもまた電源供給系設計を困難にする場合がある。
その対策として、電源電位変動の大きな周波数に対して、共振点となる低いインピーダンスを合わせることで、ノイズ抑制を狙う提案がされている(特許文献2参照)。また、共振及び反共振点でのインピーダンス値が極端な値とならないようにレジスタンス成分を挿入する提案もされている(特許文献3参照)。
以上のように、電源供給系インピーダンスをできる限り低減させる構成や、共振及び反共振を調整する方法は数多く提案されている。
特開2005−50962号公報 特開2002−83920号公報 特開2000−12382号公報
LSI上流設計ではSSNなどの動作タイミングに影響を与えるような要因を排除する電源供給系設計を行うことから、電源供給系インピーダンスをできる限り低くする、すなわちインダクタンス値を低減させるのが一般的である。一方で、製品形態、構造によって決まるEMIは、インダクタンス値を低減させることでLSIからのノイズがプリント回路板に漏れ出してしまう問題が発生する。そのために、バイパスコンデンサの電源端子から電源供給源(例えば、DC/DCコンバータなど)までのインダクタンス値を大きくするパターンや部品などを配置し、高周波ノイズがプリント回路板全体に拡がりを抑制する手段を取る。
上記の問題をバランス良くコントロールして設計することは、以下の観点から非常に困難である。第1に、設計段階で取り扱える情報にも限界があるため、設計段階の見積もり状態と実機との状態に差分がある。第2に、低コスト化の流れから特定用途用半導体集積回路(ASIC)等は、複数製品に対応できるよう設計されるため、製品によって構造、形状の違うプリント回路板に実装されると電源供給系インピーダンスが異なる。また、製品によっては動作周波数も異なるため、設計時に設定した電源供給系インピーダンス特性とはある程度誤差がある。第3に、製造上、プリント回路板の電源供給系インピーダンスにバラツキが発生するなどの問題がある。
上記従来例は電源供給系インピーダンスをできる限り低減したり、ノイズのプリント回路板への拡がりを抑制するための手法や構造である。また、設計情報を基に共振及び反共振を調節した構造の提案である。そのため、試作後に電源供給系インピーダンスに違いが生じた場合、インピーダンスを調整するためにプリント回路板を再設計、製造するか、その他の対処で問題解決しなければならなかった。また、バイパスコンデンサの容量及びインダクタンス成分を変更することで共振及び反共振をコントロールしているが、2つのパラメータを同時に変更して共振及び反共振を微調整することは非常に難しい。
本発明は、設計情報と実機、製造間に発生するインピーダンスのバラツキを容易かつ安価に調整することで、誤動作リスクを高めることなく、電源ノイズを効果的に低減することのできるプリント回路板を提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するため、本発明のプリント回路板は、半導体集積回路と、前記半導体集積回路の電源端子に電源電位を供給する電源配線と、前記半導体集積回路のグラウンド端子にグラウンド電位を供給するグラウンド配線と、前記電源配線と前記グラウンド配線の間に配置されたバイパスコンデンサと、前記バイパスコンデンサの電源端子を前記電源配線に接続する第1の接続部と、前記バイパスコンデンサのグラウンド端子を前記グラウンド配線に接続する第2の接続部と、を備えており、前記第2の接続部は、前記グラウンド配線に沿って間隔をおいて配設された複数のランドを有し、前記第1の接続部を中心として前記バイパスコンデンサの実装角度を変えることで、前記複数のランドのそれぞれに前記バイパスコンデンサのグラウンド端子を接続可能であることを特徴とする。
バイパスコンデンサのグラウンド端子側を、半導体集積回路のグラウンド端子までの配線距離が異なる位置に接続することで、バイパスコンデンサまでのグラウンド配線の長さを変えることができる。すなわち、配線長をプリント回路板の実状に応じて自由に選択することで、インピーダンスを上げたり、下げたり、微調整することが可能となる。このとき、グラウンド端子の位置を変えるため、高周波ノイズがプリント回路板全体に拡がることを抑制するために設ける、バイパスコンデンサの電源端子から電源供給源までのインダクタンス値は変化しない。グラウンド端子の位置を変更することで、プリント回路板の電源供給系へのノイズが増大することはない。一般的に、ノイズ対策は費用と時間が膨大にかかるが、本発明によれば、基板を再設計することなく、インピーダンスを容易に微調整可能なため、誤動作リスクを高めることなく、電源ノイズを効果的に低減させることができる。
バイパスコンデンサの実装角度を変えるだけで、同じバイパスコンデンサを用いてバイパスコンデンサまでのグラウンド配線の長さを変えてインピーダンスを調整する。同一のバイパスコンデンサを用いることでキャパシタンス値は同一のため、インピーダンスの共振及び反共振特性に複雑な影響を与えず、配線長によって決まる特性のみで自由にインピーダンスを上げたり、下げたり、微調整することが可能となる。また、部品コストが別途かかることはない。
本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図1に示すように、半導体集積回路101の電源端子102と接続された電源配線103上の1箇所に、部品実装用のランド(第1の接続部)を設ける。グラウンド端子104に基準電位を供給するグラウンド配線105には、円弧状又は略円弧状の配線部を設ける。電源配線103上のランドにバイパスコンデンサ106の電源端子側を接続し、グラウンド側は、グラウンド配線105の円弧状又は略円弧状の配線部に沿って延在するランドからなる接続部(第2の接続部)7に接続する。
グラウンド配線上に長手方向に間隔をおいて配設された複数のランドからなる接続部を設けて、複数あるランドのうちの1つに実装する構成でもよい。
図1〜6は実施例1を説明する。
図1では、QFPパッケージタイプの半導体集積回路101とバイパスコンデンサ106の実装形態を示す。このプリント回路板は、QFPパッケージタイプの半導体集積回路101と、半導体集積回路101の電源端子102に電源を供給する電源配線103と、半導体集積回路101のグラウンド端子104に基準電位を供給するグラウンド配線105を備える。電源配線103とグラウンド配線105間にバイパスコンデンサ106を実装し、グラウンド配線105にバイパスコンデンサ106のグラウンド側を接続する接続部107は、円弧状に延在するランドを有する。この構成により、バイパスコンデンサ106を電源配線103上のランドを中心に回転させ、実装角度を変えることで、グラウンド配線105上のランドの異なる部位に接続可能となる。
バイパスコンデンサ106の接続後は、電源は基幹電源電位供給配線109へ接続し、グラウンドは基幹基準電位供給配線110へ接続する。このとき、バイパスコンデンサ106のグラウンド端子側は、グラウンド配線105の接続部107に、自由な角度で実装可能である。このため、QFPパッケージタイプの半導体集積回路101の電源端子102までのインダクタンス値を連続的に変更することができ、電源系インピーダンスの微調整が可能となる。
図2は、BGAパッケージタイプの半導体集積回路とバイパスコンデンサの実装形態を示す。このプリント回路板では、BGAパッケージタイプの半導体集積回路201と、半導体集積回路201の電源端子ボール202に電源を供給する電源配線203は、ビア204を介して電源配線103に接続される。また、半導体集積回路201のグラウンド端子ボール205に基準電位を供給するグラウンド配線206は、ビア207を介してグラウンド配線105に接続される。図1の装置と同様に、グラウンド配線105にバイパスコンデンサ106のグラウンド側を実装する接続部107を円弧状のランドによって構成することで、バイパスコンデンサ106を接続部107の異なる部位に接続可能となる。バイパスコンデンサ106の接続後は、電源は基幹電源電位供給配線へビア208を介して接続し、グラウンドは基幹グラウンド電位供給配線へビア209を介して接続する。
バイパスコンデンサ106のグラウンド端子側は、接続部107上に自由な角度で実装可能である。このため、BGAパッケージタイプの半導体集積回路201のグラウンド端子ボール205までのインダクタンス値を連続的に変更することができ、電源系インピーダンスの微調整が可能となる。
図3〜5は、図2の装置において、バイパスコンデンサ106の実装例を実装角度ごとに説明するものである。
図3は、バイパスコンデンサ106を電源端子103に対して、90°の実装角度で直交して実装する場合を示す。この場合のインダクタンス値は調整幅のちょうど真中であることを示している。
図4は、バイパスコンデンサ106を電源端子103に対して、45°の実装角度で実装する場合を示す。この場合のインダクタンス値は調整幅の最大値である。
図5は、バイパスコンデンサ106を電源端子103に対して、135°の実装角度で実装する場合を示す。この場合のインダクタンス値は調整幅の最小値である。
図6は一変形例を示すもので、バイパスコンデンサ106を電源端子103に対して実装角度210°で実装する場合を示す。この場合のインダクタンス値は調整幅の7/9であることを示している。
図7は別の変形例を示すもので、バイパスコンデンサ106のグラウンド端子が接続される接続部107が、複数の直線状に延在するランド107a、107b、107cによって略円弧状に構成される。
〔具体例〕
図3〜6の実装形態について、具体的な調整インダクタンス値を算出した結果を、表1に示す。算出条件は、グラウンド配線幅を0.3mmと3mmの2通りとした場合で、層間は0.2mm、比誘電率は4.3として、バイパスコンデンサは1608サイズを選定した場合である。このように、インダクタンス値で定義すれば、調整幅を予測できるため、効果的にノイズを低減できる。
Figure 2009224631
図8は実施例2を説明するものである。電源配線103上の1箇所にバイパスコンデンサ106を接続するランド(第1の接続部)を設け、グラウンド配線105の、円弧状の配線部に、間隔をおいて配設された複数のランド117a、117b、117cからなる接続部117を設ける。バイパスコンデンサ106は、電極配線103上のランドを中心として実装角度を変えることで、グラウンド端子側をランド117a、117b、117cのうちのどれにでも実装可能であるため、インダクタンス値を段階的に調整することができる。この場合、インダクタンス値は3つ選択可能である。
グラウンド配線105上のランドの数を増やせば、その数だけ調整の段階を持たせることが可能である。また、グラウンド配線105はレジストされているため、実装時の半田流れが防止でき、実装信頼性を高めることができる。
図9〜11は、それぞれ実施例2の変形例を示す。
図9は、複数のランド117a、117b、117c間を、これらのランド幅よりも細い配線115によって接続し、インダクタを形成する第1の変形例を示す。この場合、インダクタンス成分が大きくなるのでインピーダンス調整幅が広がることになる。また、調整の段階の幅も広がることになる。
逆に、太い配線にてインダクタを形成した場合は、インダクタンス成分が小さくなるのでインピーダンス調整幅が狭まることになる。また、調整の段階の幅も狭まることになる。
図10は、複数のランド117a、117b、117c間をミアンダ配線125で接続し、インダクタを形成する第2の変形例を示す。
図11では、複数のランド117a、117b、117c間をビア135aで別の層、例えば2層もしくは3層に配置した配線135bと接続して、さらにビア135cで再度表層グラウンド配線上のランドに接続することでインダクタを形成する構造としている。
上記の変形例は、いずれも、実装面積を増大させることなく、インダクタンスの調整幅を広げることが可能である。
実施例1に係るQFPパッケージタイプの半導体集積回路とバイパスコンデンサの実装形態を示す図である。 実施例1に係るBGAパッケージタイプの半導体集積回路とバイパスコンデンサの実装形態を示す図である。 実施例1において、バイパスコンデンサの実装角度を90°とした時を説明する図である。 実施例1において、バイパスコンデンサの実装角度を45°とした時を説明する図である。 実施例1において、バイパスコンデンサの実装角度を135°とした時を説明する図である。 実施例1において、バイパスコンデンサの実装角度を210°とした時を説明する図である。 実施例1の一変形例を示す図である。 実施例2の主要部を説明する図である。 実施例2の一変形例の主要部を説明する図である。 実施例2の別の変形例の主要部を説明する図である。 実施例2のさらに別の変形例の主要部を説明する図である。
符号の説明
101 QFPパッケージタイプの半導体集積回路
102 電源端子
103、203 電源配線
104 グラウンド端子
105、206 グラウンド配線
106 バイパスコンデンサ
107 接続部
115 細い配線
125 ミアンダ配線
135a、135c、204、207、208 ビア
201 BGAパッケージタイプの半導体集積回路
202 電源端子ボール
205 グラウンド端子ボール

Claims (3)

  1. 半導体集積回路と、
    前記半導体集積回路の電源端子に電源電位を供給する電源配線と、
    前記半導体集積回路のグラウンド端子にグラウンド電位を供給するグラウンド配線と、
    前記電源配線と前記グラウンド配線の間に配置されたバイパスコンデンサと、
    前記バイパスコンデンサの電源端子を前記電源配線に接続する第1の接続部と、
    前記バイパスコンデンサのグラウンド端子を前記グラウンド配線に接続する第2の接続部と、を備えており、
    前記第2の接続部は、前記グラウンド配線に沿って間隔をおいて配設された複数のランドを有し、前記第1の接続部を中心として前記バイパスコンデンサの実装角度を変えることで、前記複数のランドのそれぞれに前記バイパスコンデンサのグラウンド端子を接続可能であることを特徴とするプリント回路板。
  2. 半導体集積回路と、
    前記半導体集積回路の電源端子に電源電位を供給する電源配線と、
    前記半導体集積回路のグラウンド端子にグラウンド電位を供給するグラウンド配線と、
    前記電源配線と前記グラウンド配線の間に配置されたバイパスコンデンサと、
    前記バイパスコンデンサの電源端子を前記電源配線に接続する第1の接続部と、
    前記バイパスコンデンサのグラウンド端子を前記グラウンド配線に接続する第2の接続部と、を備えており、
    前記第2の接続部は、前記グラウンド配線に沿って延在するランドを有し、前記第1の接続部を中心として前記バイパスコンデンサの実装角度を変えることで、前記ランドの異なる部位に前記バイパスコンデンサのグラウンド端子を接続可能であることを特徴とするプリント回路板。
  3. 前記グラウンド配線は、前記第1の接続部を中心とする円弧状又は略円弧状の配線部を有し、前記配線部に前記第2の接続部が配置されていることを特徴とする請求項1又は2記載のプリント回路板。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013207699A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 低減装置
US10481422B2 (en) 2016-11-18 2019-11-19 Gigaphoton Inc. Laser device and extreme ultraviolet light generation device

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