JP2009212184A - ファイバレーザ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザ共振器を構成する誘電体多層膜の損傷を抑制する。
【解決手段】ファイバレーザ装置Ａは、希土類元素がドープされたコアと、コアの外側に設けられた第１クラッドと、第１クラッドの外側に設けられた第２クラッドと、を備えたダブルクラッドファイバ１１を含み、一端がビーム出射端に構成されると共に他端に共振器を構成する誘電体多層膜が設けられたファイバレーザ本体１０と、ファイバレーザ本体１０の一端側に設けられた励起光源２０と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明はファイバレーザ装置に関する。

高出力レーザでは、注入された励起光パワーのうち発振光に変換されなかった分が熱となって媒質中に蓄積される。この蓄積熱は、熱レンズ効果や熱複屈折によりレーザビーム品質を劣化させる他、過多な場合には、レーザ媒質を破壊へと至らしめる。このため高出力レーザでは、安定動作を行うために冷却を行うことが必要である。

ファイバレーザは、熱膨張係数が小さな石英から成り、単位体積あたりの表面積が大きい形状であるため、Ｎｄ：ＹＡＧロッドを用いた固体レーザ等と比べて熱の影響が少ない。特に、イッテルビウム（Ｙｂ）をコアに添加したＹｂ添加ファイバレーザは、励起光の波長と発振光の波長とが近く量子欠損が少ないため発熱量が少なく、効率のよい高出力レーザである。つまり、高出力レーザとしてＹｂ添加ファイバレーザが適している。

また、溶接・切断などのレーザ加工に使用する高出力レーザでは、そのレーザビーム品質が加工精度を大きく左右する。高出力（マルチモード）半導体レーザは、バー或いはスタック構成によって高出力レーザを構成するが、シングルモードビームが得られないという欠点がある。一方、ファイバレーザは、このような高出力半導体レーザの励起光を優れたレーザビーム品質の発振光に変換することが可能である。特に、ダブルクラッドファイバ（Double Clad Fiber）のファイバレーザは、大口径のポンプガイド（第１クラッド）によって励起光を伝搬することができ、半導体レーザ光源との結合にも優れるため高出力用ファイバレーザとして好適に使用することができる。

例えば、特許文献１には、マルチモード半導体レーザから発射された光を、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類元素をドープしたコアとその周りに略同心円状に配置した少なくとも２重のクラッドとを有するクラッド励起レーザファイバに照射し、劈開した端面の中央部コアからシングルモードのレーザビームが発射される装置であって、マルチモード半導体レーザの発光領域のファースト軸方向を集光するレンズと、そのレンズで整形された光をクラッド励起レーザファイバの端面に直接照射する凸レンズとを有し、且つその凸レンズのクラッド励起ファイバ側又はクラッド励起レーザファイバ端面に、クラッド励起レーザファイバから発射するシングルモードレーザビームの波長の光を反射する反射膜を設けた高密度・高出力レーザ装置が開示されている。
特開２００３−３０９３０９号公報

ところで、ファイバレーザを励起させる方法としては、励起光をファイバに入射する箇所によって分類すれば、端面励起と側面励起とに分けることができる。また、励起光の入射方向の発振光であるレーザビームの出射方向との関係によって分類すれば、それらを同方向とする前方励起と逆方向とする後方励起と両方向ともに含める双方向励起とに分けることができる。上記のいずれの方法によってもレーザ発振させることは可能である。

また、ファイバレーザによるレーザ発振には共振器が必要であり、かかる共振器を、コアに直接形成した回折格子、ファイバ外部に配置したミラー、端面に設けた誘電体多層膜等により構成することができる。これらのうち端面に誘電体多層膜を設ける構成は、レンズを必要としないため簡略であり、メンテナンスも容易である。

しかしながら、ダブルクラッドファイバのファイバレーザは優れたレーザビーム品質を発現する高出力ファイバレーザとして適するものの、誘電体多層膜のレーザ損傷閾値は、１０^３〜１０^６Ｗ／ｃｍ^２であって、ファイバレーザそのもののレーザ損傷閾値１０^９Ｗ／ｃｍ^２よりも大幅に小さく、そのため、誘電体多層膜によりレーザ共振器を構成したダブルクラッドファイバのファイバレーザを高出力化する場合、誘電体多層膜がレーザ損傷を受けないようにする必要がある。

本発明の目的は、レーザ共振器を構成する誘電体多層膜の損傷を抑制することである。

本発明者らは、前方励起及び後方励起のいずれの場合も、励起光が入射する部分での発熱量（熱負荷）が最大となることを見出して本発明に想到した。

本発明のファイバレーザ装置は、
希土類元素がドープされたコアと、該コアの外側に設けられた第１クラッドと、該第１クラッドの外側に設けられた第２クラッドと、を備えたダブルクラッドファイバを含み、一端がビーム出射端に構成されると共に他端に共振器を構成する誘電体多層膜が設けられたファイバレーザ本体と、
上記ファイバレーザ本体の一端側に設けられた励起光源と、
を備え、
上記励起光源からの励起光が、上記ファイバレーザ本体において、上記ダブルクラッドファイバの上記第１クラッドに入射して上記第２クラッドで囲われた領域を伝搬し、上記コアを通過する際に希土類元素を励起させ、そして、その誘導放出により発せられる光が、該コアを伝搬し、また、上記誘電体多層膜で反射して共振し、該ファイバレーザ本体のビーム出射端たる一端からレーザビームとして出射するように構成されている。

本発明によれば、ファイバレーザ本体の一端側に励起光源を設けた後方励起の構造を有し、共振器を構成する誘電体多層膜が相対的に発熱の小さいレーザファイバ本体の他端に設けられているので、従って、その損傷を抑制することができる。

以下、実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係るファイバレーザ装置Ａを示す。この実施形態１に係るファイバレーザ装置Ａは、出力０．１Ｗ〜１００ｋＷ、スロープ効率５０〜９２％といったハイパワーのレーザビームにより溶接や切断などを行うレーザ加工等に使用されるものである。

このファイバレーザ装置Ａは、ファイバレーザ本体１０を構成するダブルクラッドファイバ１１と、その一端側に設けられた励起光源２０と、を備える。

図２は、ダブルクラッドファイバ１１を示す。

このダブルクラッドファイバ１１は、例えば、長さが０．０１〜１０００ｍ、外径が１００μｍ〜１００ｍｍであり、ファイバ本体１１０とそれを被覆する樹脂製の被覆層１２とで構成されている。

ファイバ本体１１０は、例えば、石英で形成され、外径が１００μｍ〜１００ｍｍであり、コア１１１をファイバ中心として、その外側に同心状に、第１クラッド１１２、第２クラッド１１３、及びサポート層１１４が順に設けられている。

コア１１１は、コア径が例えば５〜５００μｍである。コア１１１は、希土類元素がドープされており、例えば、その濃度が１００〜１０００００ｗｔｐｐｍ、特定波長に対する希土類元素吸収量が０．１〜１０ｄＢ／ｍである。コア１１１は、開口数（ＮＡ）が例えば０．０４〜０．２０である。希土類元素としては、例えば、イッテルビウム（Ｙｂ）、エルビウム（Ｅｒ）、ネオジム（Ｎｄ）等が挙げられる。これらのうち、励起光の波長と発振光の波長とが近く量子欠損が少ないため発熱量が少なく、効率のよい高出力レーザを構成することができるという観点から、イッテルビウム（Ｙｂ）が好ましい。希土類元素は、単一種がドープされていてもよく、また、複数種がドープされていてもよい。コア１１１は、希土類元素の他にゲルマニウム（Ｇｅ）やアルミニウム（Ａｌ）がドープされていてもよい。コア１１１は、屈折率が例えば１．４４〜１．４７である。

第１クラッド１１２は、層厚さが例えば１０μｍ〜１００ｍｍである。第１クラッド１１２は、例えば、ノンドープ或いはフッ素（Ｆ）やボロン（Ｂ）がドープされ、或いは、空孔が形成され、屈折率が例えば１．４４〜１．４７であってコア１１１よりも低屈折率に構成されている。第１クラッド１１２は、開口数（ＮＡ）が例えば０．３〜０．９である。

第２クラッド１１３は、層厚さが例えば２〜２００μｍである。第２クラッド１１３は、第１クラッド１１２を囲うように配設された複数の空孔１１５がそれぞれファイバ長さ方向に延びるように形成され、それによって実質的に屈折率が第１クラッド１１２よりも低屈折率に構成されている。空孔１１５は、例えば、個数が１０〜１０００個、孔径が０．５〜５０μｍである。空孔１１５は、第１クラッド１１２を囲うように単数層設けられていてもよく、また、複数層設けられていてもよい。実際には、空孔１１５は、第１クラッド１１２を囲うように複数個が設けられているだけでよい。このように第１クラッド１１２を囲うように第２クラッド１１３に空孔１１５が形成された構成によれば、第１クラッド１１２の開口数（ＮＡ）が０．９程度と高くなり、そのため第１クラッド１１２への励起光の入射が容易となる。ここで、第２クラッド１１３は、ファイバ断面において、複数の空孔１１５の内接円と外接円との間の部分である（図２の仮想線間の部分）。なお、第２クラッド１１３は、例えば、フッ素（Ｆ）やボロン（Ｂ）がドープされることにより第１クラッド１１２よりも低屈折率に構成されていてもよい。

サポート層１１４は、例えば層厚さが１０μｍ〜１００ｍｍである。サポート層１１４は、例えばノンドープに構成されている。

被覆層１２は、例えば、紫外線硬化型樹脂等で形成され、層厚さが１０〜１０００μｍである。

このダブルクラッドファイバ１１は、励起光源２０から直線状に延びた直線状一端部１３と、その直線状一端部１３に連続してコイル状に巻回されたコイル状本体部１４と、そのコイル状本体部１４に連続して直線状に延びた直線状他端部１５と、を有する。

直線状一端部１３は、長さが例えば１０〜１０００ｍｍであり、端面がファイバ軸に対して垂直に劈開され且つ第２クラッド１１３の空孔１１５が封止されていることが好ましい。空孔１１５が封止されていれば、空孔１１５への埃等の異物の侵入を防止することができ、発振光の伝送特性が損なわれるのを防ぐことができる。空孔１１５の封止態様としては、例えば、加熱してコラプスしたもの、充填部材を充填したもの等が挙げられる。そして、この直線状一端部１３には水冷式冷却手段１７が設けられている。かかる水冷式冷却手段１７としては、例えば水冷式ヒートシンクが挙げられる。

コイル状本体部１４は、例えば、長さが０．３〜３００ｍ、コイル半径が１０〜１００ｃｍである。このコイル状本体部１４には空冷式冷却手段１８が設けられている。かかる空冷式冷却手段１８としては、例えば、銅やアルミニウムなどの高熱伝導材料で形成された放熱板等の空冷式ヒートシンクが挙げられる。

ファイバレーザ装置Ａが高出力化すると、ダブルクラッドファイバ１１のファイバ径を大きくする必要があるが、例えばファイバ径が１ｍｍ程度となると、コイル状本体部１４を曲率半径１０ｃｍとすることが機械的に困難となる。また、ダブルクラッドファイバ１１全体を水冷冷却しようとすれば、高コストな水冷式冷却手段が必要であり、装置自体も大型化してしまう。しかしながら、上記のように、励起光の入射及び発振光（レーザビーム）の出射を行う最も冷却の必要な直線状一端部１３に水冷式冷却手段１７を設け、コイル状本体部１４に空冷式冷却手段１８を設けることによりかかる不都合を縮小することができる。

直線状他端部１５は、長さが例えば１０〜１０００ｍｍであり、端面がファイバ軸に対して垂直に劈開され且つ第２クラッド１１３の空孔１１５が封止されていることが好ましい。空孔１１５が封止されていれば、空孔１１５への埃等の異物の侵入を防止することができ、発振光の伝送特性が損なわれるのを防ぐことができる。空孔１１５の封止態様としては、例えば、加熱してコラプスしたもの、充填部材を充填したもの等が挙げられる。直線状他端部１５は、その端面に誘電体多層膜１６が積層されるように設けられている。

誘電体多層膜１６は、例えば、ＳｉＯ_２膜とＴａ_２Ｏ_５膜との交互積層膜で構成されており、各単層の膜厚が０．２〜０．３μｍ、総膜厚が２〜３００μｍである。この誘電体多層膜１６は共振器を構成する。誘電体多層膜１６は、図３（ａ）に示すように、励起光及び発振光の両方について同様の反射特性を有するものであってもよく、図３（ｂ）に示すように、発振光のみを波長選択して反射する反射特性を有するものであってもよく、図３（ｃ）に示すように、励起光が高く且つ発振光が低い反射特性を有するものであってもよい。

励起光源２０は、ダブルクラッドファイバ１１の直線状一端部１３の端面に向かって直列に順に設けられた光源本体２１、第１レンズ２２、ダイクロイックミラー２３、及び第２レンズ２４で構成されている。

光源本体２１は、例えば半導体レーザで構成されている。光源本体２１が発するレーザビームの波長は、ダブルクラッドファイバ１１のコア１１１にドープされた希土類元素の種類によって異なるが、例えば、希土類元素がイッテルビウム（Ｙｂ）の場合には１．０８μｍ、エルビウム（Ｅｒ）の場合には１．５５μｍ、ネオジム（Ｎｄ）の場合には１．０６μｍである。

次に、このファイバレーザ装置Ａの動作について説明する。

まず、励起光源２０において、光源本体２１から励起光が出射すると、励起光は、第１レンズ２２によって平行光とされ、光軸に対して傾斜して設けられたダイクロイックミラー２３を透過し、第２レンズ２４によって集光され、ファイバレーザ本体１０であるダブルクラッドファイバ１１の直線状一端部１３の端面の第１クラッド１１２に照射されて入射する。つまり、このファイバレーザ装置Ａは、ダブルクラッドファイバ１１の第１クラッド１１２の端面から励起光を入射する構成を有する。

次いで、ダブルクラッドファイバ１１において、励起光は、第２クラッド１１３で囲われたコア１１１及び第１クラッド１１２の領域を伝搬し、コア１１１を通過する際に希土類元素を励起させる。

続いて、コア１１１において、励起した希土類元素の誘導放出により光が発せられ、その光（発振光）は、コア１１１を伝搬し、また、誘電体多層膜１６で反射して共振し、ダブルクラッドファイバ１１のビーム出射端たる直線状一端部１３の端面のコア１１１からレーザビームとして出射する。

出射したレーザビームは、第２レンズ２４によって平行光とされ、ダイクロイックミラー２３に反射して取り出される。なお、レーザビームの一部（例えば３〜１０％）は、直線状一端部１３の端面に反射してダブルクラッドファイバ１１を共振する。

以上の構成のファイバレーザ装置Ａによれば、ファイバレーザ本体１０を構成するダブルクラッドファイバ１１の一端側に励起光源２０を設けた後方励起の構造を有し、共振器を構成する誘電体多層膜１６が相対的に発熱の小さいダブルクラッドファイバ１１の他端に設けられているので、従って、その損傷を抑制することができる。

（実施形態２）
図４は、実施形態２に係るファイバレーザ装置Ａを示す。なお、実施形態１と同一名称の部分は実施形態１と同一符号で示す。この実施形態２に係るファイバレーザ装置Ａも実施形態１のものと同様の用途に使用されるものである。

このファイバレーザ装置Ａでは、励起光源２０は、複数の光源本体２１と光コンバイナ２５とで構成されている。

複数の光源本体２１のそれぞれは、例えば半導体レーザで構成されている。各光源本体２１が発するレーザビームの波長は、ダブルクラッドファイバ１１のコア１１１にドープされた希土類元素の種類によって異なるが、例えば、希土類元素がイッテルビウム（Ｙｂ）の場合には１．０８μｍ、エルビウム（Ｅｒ）の場合には１．５５μｍ、ネオジム（Ｎｄ）の場合には１．０６μｍである。

光コンバイナ２５は、複数の光源本体２１のそれぞれに一端が接続された複数のマルチモード光ファイバで構成されている。そして、ダブルクラッドファイバ１１の直線状一端部１３は、その中間部分の一部が第２クラッド１１３及びサポート層１１４並びに被覆層１２が除去されて第１クラッド１１２の側面が露出しており、複数のマルチモード光ファイバのそれぞれの他端は、その露出した第１クラッド１１２の側面に融着接続されている。水冷式冷却手段１７は、直線状一端部１３の光コンバイナ２５の接続部分を含むように設けられている。

その他の構成は実施形態１と同一である。

次に、このファイバレーザ装置Ａの動作について説明する。

まず、励起光源２０において、各光源本体２１から励起光が出射すると、励起光は、対応するマルチモード光ファイバによって導光され、ダブルクラッドファイバ１１の第１クラッド１１２に側面から入射する。つまり、このファイバレーザ装置Ａは、ダブルクラッドファイバ１１の第１クラッド１１２の側面から励起光を入射する構成を有する。

次いで、ダブルクラッドファイバ１１において、励起光は、第２クラッド１１３で囲われたコア１１１及び第１クラッド１１２の領域を伝搬し、コア１１１を通過する際に希土類元素を励起させる。

続いて、コア１１１において、励起した希土類元素の誘導放出により光が発せられ、その光（発振光）は、コア１１１を伝搬し、また、誘電体多層膜１６で反射して共振し、ダブルクラッドファイバ１１のビーム出射端たる直線状一端部１３の端面のコア１１１からレーザビームとして出射する。

作用効果は実施形態１と同一である。

（実施形態３）
図５は、実施形態３に係るファイバレーザ装置Ａを示す。なお、実施形態１と同一名称の部分は実施形態１と同一符号で示す。この実施形態３に係るファイバレーザ装置Ａも実施形態１のものと同様の用途に使用されるものである。

このファイバレーザ装置Ａでは、ファイバレーザ本体１０は、ダブルクラッドファイバ１１と、その他端、つまり、直線状他端部１５の端面に接続された、コアに希土類元素がドープされていない希土類元素無添加ダブルクラッドファイバ１９と、で構成されている。そして、希土類元素無添加ダブルクラッドファイバ１９の端面に誘電体多層膜１６が設けられている。なお、希土類元素無添加ダブルクラッドファイバ１９が第２クラッドに空孔が形成されたものである場合、端面において空孔が封止されていることが好ましい。

ダブルクラッドファイバ１１は実施形態１のものと同一構成である。

希土類元素無添加ダブルクラッドファイバ１９は、長さが例えば０．１〜１０ｍであり、上記希土類元素がドープされたダブルクラッドファイバ１１と同様、ファイバ本体とそれを被覆する樹脂製の被覆層１２とで構成されている。希土類元素無添加ダブルクラッドファイバ１９は、特に限定されるものではないが、コアに希土類元素がドープされていないことを除いて上記希土類元素がドープされたダブルクラッドファイバ１１と同一構成であることが好ましい。

次に、このファイバレーザ装置Ａの動作について説明する。

まず、励起光源２０において、各光源本体２１から励起光が出射すると、励起光は、対応するマルチモード光ファイバによって導光され、ダブルクラッドファイバ１１の第１クラッド１１２に側面から入射する。つまり、このファイバレーザ装置Ａは、ダブルクラッドファイバ１１の第１クラッド１１２の側面から励起光を入射する構成を有する。

次いで、ファイバレーザ本体１０において、励起光は、第２クラッド１１３で囲われたコア１１１及び第１クラッド１１２の領域を伝搬し、ダブルクラッドファイバ１１の希土類元素がドープされたコア１１１を通過する際に希土類元素を励起させる。

続いて、ダブルクラッドファイバ１１の希土類元素がドープされたコア１１１において、励起した希土類元素の誘導放出により光が発せられ、その光（発振光）は、ファイバレーザ本体１０のダブルクラッドファイバ１１及び希土類無添加ダブルクラッドファイバ１９のコア１１１を伝搬し、また、誘電体多層膜１６で反射して共振し、ファイバレーザ本体１０のビーム出射端たるダブルクラッドファイバ１１の直線状一端部１３の端面のコア１１１からレーザビームとして出射される。このとき、希土類無添加ダブルクラッドファイバ１９においては、励起光及び発振光のいずれも単に伝搬するだけである。

以上の構成のファイバレーザ装置Ａによれば、ファイバレーザ本体１０の一端側に励起光源２０を設けた後方励起の構造を有し、共振器を構成する誘電体多層膜１６が相対的に発熱の小さいファイバレーザ本体１０の他端に設けられているので、従って、その損傷を抑制することができる。

しかも、ファイバレーザ本体１０において、ダブルクラッドファイバ１１の他端に希土類元素無添加ダブルクラッドファイバ１９が接続され、その希土類元素無添加ダブルクラッドファイバ１９の端面に誘電体多層膜１６が設けられているので、希土類無添加ダブルクラッドファイバ１９ではレーザ発振による発熱が生じないため、誘電体多層膜１６への熱影響をより軽減することができる。

（実施形態４）
図６は、実施形態４に係るファイバレーザ装置Ａを示す。なお、実施形態１〜３と同一名称の部分は実施形態１〜３と同一符号で示す。この実施形態４に係るファイバレーザ装置Ａも実施形態１のものと同様の用途に使用されるものである。

このファイバレーザ装置Ａでは、ファイバレーザ本体１０は、ダブルクラッドファイバ１１と、その他端、つまり、直線状他端部１５の端面に接続されたコアに希土類元素がドープされていない第１の希土類元素無添加ダブルクラッドファイバ１９と、ダブルクラッドファイバ１１の一端、つまり、直線状一端部１３の端面に接続されたコアに希土類元素がドープされていない第２の希土類元素無添加ダブルクラッドファイバ１９と、で構成されている。そして、希土類元素無添加ダブルクラッドファイバ１９の他端に誘電体多層膜１６が設けられている。なお、第１及び第２の希土類元素無添加ダブルクラッドファイバ１９が第２クラッドに空孔が形成されたものである場合、端面において空孔が封止されていることが好ましい。

第１及び第２の希土類元素無添加ダブルクラッドファイバ１９のそれぞれは、長さが例えば０．１〜１０ｍであり、上記希土類元素がドープされたダブルクラッドファイバ１１と同様、ファイバ本体とそれを被覆する樹脂製の被覆層１２とで構成されている。希土類元素無添加ダブルクラッドファイバ１９は、特に限定されるものではないが、コアに希土類元素がドープされていないことを除いて上記希土類元素がドープされたダブルクラッドファイバ１１と同一構成であることが好ましい。

その他の構成並びに作用効果は実施形態３と同一である。

本発明はファイバレーザ装置について有用である。

実施形態１のファイバレーザ装置の構成を示す図である。 ダブルクラッドファイバの斜視図である。 誘電体多層膜の反射特性を示すグラフである。 実施形態２のファイバレーザ装置の構成を示す図である。 実施形態３のファイバレーザ装置の構成を示す図である。 実施形態４のファイバレーザ装置の構成を示す図である。

符号の説明

Ａ ファイバレーザ装置
１０ ファイバレーザ本体
１１ ダブルクラッドファイバ
１１１ コア
１１２ 第１クラッド
１１３ 第２クラッド
１１５ 空孔
１３ 直線状一端部
１４ コイル状本体部
１６ 誘電体多層膜
１７ 水冷式冷却手段
１８ 空冷式冷却手段
１９ 希土類無添加ダブルクラッドファイバ
２０ 励起光源
２１ 光源本体
２４ 第２レンズ
２５ 光コンバイナ

Claims (9)

1. 希土類元素がドープされたコアと、該コアの外側に設けられた第１クラッドと、該第１クラッドの外側に設けられた第２クラッドと、を備えたダブルクラッドファイバを含み、一端がビーム出射端に構成されると共に他端に共振器を構成する誘電体多層膜が設けられたファイバレーザ本体と、
   上記ファイバレーザ本体の一端側に設けられた励起光源と、
   を備え、
   上記励起光源からの励起光が、上記ファイバレーザ本体において、上記ダブルクラッドファイバの上記第１クラッドに入射して上記第２クラッドで囲われた領域を伝搬し、上記コアを通過する際に希土類元素を励起させ、そして、その誘導放出により発せられる光が、該コアを伝搬し、また、上記誘電体多層膜で反射して共振し、該ファイバレーザ本体のビーム出射端たる一端からレーザビームとして出射するように構成されたファイバレーザ装置。
2. 請求項１に記載されたファイバレーザ装置において、
   上記ファイバレーザ本体は、上記ダブルクラッドファイバの他端に、コアに希土類元素がドープされていない希土類元素無添加ダブルクラッドファイバの一端が接続され、該希土類元素無添加ダブルクラッドファイバの他端に上記誘電体多層膜が設けられているファイバレーザ装置。
3. 請求項１又は２に記載されたファイバレーザ装置において、
   上記ダブルクラッドファイバは、上記励起光源から直線状に延びた直線状一端部と、該直線状一端部に連続してコイル状に巻回されたコイル状本体部と、を有し、
   上記直線状一端部には水冷式冷却手段が設けられているファイバレーザ装置。
4. 請求項３に記載されたファイバレーザ装置において、
   上記コイル状本体部には空冷式冷却手段が設けられているファイバレーザ装置。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載されたファイバレーザ装置において、
   上記ダブルクラッドファイバの上記第２クラッドには、上記第１クラッドを囲うように配設され、各々、ファイバ長さ方向に延びるように形成された複数の空孔が形成されているファイバレーザ装置。
6. 請求項５に記載されたファイバレーザ装置において、
   上記ファイバレーザ本体は、その一端及び／又は他端において露出した上記ダブルクラッドファイバの上記第２クラッドの上記複数の細孔が封止されているファイバレーザ装置。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載されたファイバレーザ装置において、
   上記誘電体多層膜は、ＳｉＯ_２膜とＴａ_２Ｏ_５膜との交互積層膜で構成されているファイバレーザ装置。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載されたファイバレーザ装置において、
   上記励起光源は、励起光を発する光源本体と、該光源本体と上記ファイバレーザ本体の一端との間に設けられ該光源本体からの励起光を集光して該ファイバレーザ本体における上記ダブルクラッドファイバの上記第１クラッドに入射させるレンズと、を有するファイバレーザ装置。
9. 請求項１乃至７のいずれかに記載されたファイバレーザ装置において、
   上記励起光源は、各々、励起光を発する複数の光源本体と、該複数の光源本体のそれぞれに一端が接続され且つ他端が上記ファイバレーザ本体に接続された複数の光ファイバで構成され該複数の光源本体からの励起光を導光して該ファイバレーザ本体における上記ダブルクラッドファイバの上記第１クラッドに入射させる光コンバイナと、を有するファイバレーザ装置。

Images