JP2009295906A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理装置から送信されデータベースに格納される収集データの量を低減することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置１は，基板を処理する基板処理装置１０と，基板処理装置１０から送信されるデータを収集するサーバ装置１６（データ収集装置）とを有する。サーバ装置１６上では，収集間隔管理プログラム２０が動作する。収集間隔管理プログラム２０は，データ値の時間的な変化に基づいてデータの収集間隔を制御する収集間隔制御部２１０（制御手段）と，この収集間隔制御部２１０により制御された収集間隔で，基板処理装置１０からデータを取得するデータ受信部２０４（データ取得手段）とを有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体基板やガラス基板等を処理する基板処理システムに関する。

従来，基板処理装置のデータを取得し，データベースに格納し，データベースに格納されたデータの分析を行い，基板処理装置が正常に動作しているか否かを判定する基板処理システムは，よく知られている。
このような基板処理システムには，基板処理装置からデータを収集するデータ収集装置が含まれている。データ収集装置は，ネットワークで接続された基板処理装置との間で対話を行って，処理を進める。例えば，データ収集装置は，データを収集する前に，収集対象のデータのリスト及び当該データの収集間隔を基板処理装置に対して送信することにより，基板処理装置が収集対象のデータを効率よく送信するように制御する。データ収集装置は，送信されたデータを取得し，データベースに格納する。データ収集装置は，データ収集を完了すると，基板処理装置に対して，データ送信の停止を指示する。格納されたデータは，プロセス改善やＦＤＣ（Fault Detection and Classification）などに用いられる。

しかしながら，効果的なデータ分析のために，収集されるデータ量が多くなるように設定されると，データベースの保存領域が，圧迫されてしまう。

本発明は、基板処理装置から送信されデータベースに格納される収集データの量を低減することができる基板処理システムを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る第１の基板処理システムは、基板を処理する基板処理装置と，前記基板処理装置から送信されるデータを収集するデータ収集装置とを有し，前記データ収集装置は，データ値の時間的な変化に基づいてデータの収集間隔を制御する制御手段と，前記制御手段により制御された収集間隔で，前記基板処理装置からデータを取得するデータ取得手段とを有する。

本発明に係る第２の基板処理システムは、基板を処理する基板処理装置と，前記基板処理装置から送信されるデータを収集するデータ収集装置とを有し，前記基板処理装置は，データ値の時間的な変化に基づいてデータの収集間隔を制御し，前記データ収集装置は，前記基板処理装置により制御された収集間隔で，前記基板処理装置からデータを取得する。

また，本発明に係るデータ収集装置は，データ値の時間的な変化に基づいてデータの収集間隔を制御する制御手段と，前記制御手段により制御された収集間隔で，基板を処理する基板処理装置からデータを取得するデータ取得手段とを有する。

本発明に係る基板処理システムによれば、取得したデータ値の時間的な変化に基づいてデータ収集間隔が制御されるので，基板処理装置から送信されデータベースに格納される収集データの量を低減することができる。

図１は、本発明の実施形態に係る基板処理システム１の構成を示す図である。
図１に示すように，基板処理システム１は、基板処理装置１０，サーバ装置１６、クライアント装置１８−１〜１８−ｎ及びネットワーク１２，１４を有する。なお，クライアント装置１８−１〜１８−ｎなど、複数ある構成部分のいずれかを特定せずに示す場合には、単にクライアント装置１８などと略記することがある。

サーバ装置１６（データ収集装置）は、ネットワーク１４を介して基板処理装置１０と接続され、ネットワーク１２を介してクライアント装置１８と接続されている。サーバ装置１６は、主に基板処理装置１０より送信される基板処理装置１０に関するデータを収集して，サーバ装置１６のデータ記憶部２０２（図４を用いて後述）に保存する。サーバ装置１６は、例えばＥＤＡ（Equipment Data Acquisition）規格に準拠しており、半導体メーカや半導体製造ライン毎により異なるインタフェース（データ形式）の違いに対応し、複数の基板処理装置１０やクライアント装置１８に対して統一したインタフェースを提供する。ＥＤＡ規格は、基板処理装置とのデータの通信に関する規格であり、Ｗｅｂ技術を用いてインタフェース（データ形式）を統一するものである。

クライアント装置１８は、例えばＰＣ（Personal Computer）であり，液晶ディスプレイ等の表示装置，及びキーボードやマウスを含む入力装置を備えている。クライアント装置１８は、サーバ装置１６に接続され、サーバ装置１６にログインすることができるようになっている。クライアント装置１８は、サーバ装置１６と同様にＥＤＡ規格に準拠している。

基板処理装置１０は、一例として、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理装置を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置を適用した実施例について述べる。

図２は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の斜視図を示す。
また、図３は、図２に示す基板処理装置１０の側面透視図を示す。
図２及び図３に示されているように、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器。以下ポッドという。）１１０が使用されている本発明の実施形態に係る基板処理装置１０は、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４がそれぞれ建て付けられている。

筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。

筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０には一対のポッドオープナ１２１がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。

サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ及びウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。図２に模式的に示されているようにウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部との間に設置されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）するように構成されている。

移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。

図２に模式的に示されているように、耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の待機部１２６右端部との間にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。

図２に模式的に示されているように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設置されている。

クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５及びウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７に流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。

次に、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の動作について説明する。
図２及び図３に示されているように、ポッド１１０がロードポット１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。

搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。

載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。

ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、図示しないノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後、移載室１２４の後方にある待機部１２６へ搬入され、ボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ１１０をボート２１７に装填する。

この一方（上段又は下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段又は上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。

ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、図示しないノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００及びポッド１１０は筐体の外部へ払出される。

図４は，サーバ装置１６上で動作する収集間隔管理プログラム２０の機能構成を示すブロック図である。
図４に示すように，収集間隔管理プログラム２０は，リスト記憶部２００，データ記憶部２０２，データ受信部２０４，データ保存部２０６，判定部２０８，収集間隔制御部２１０及びリスト送信部２１２を有する。サーバ装置１６は，ＣＰＵ，メモリ及びハードディスク駆動装置等の記憶装置を有し，収集間隔管理プログラム２０は，サーバ装置１６のメモリにロードされ，ＣＰＵにより実行される。

リスト記憶部２００は，取得対象のモニタ値，このモニタ値に対応する設定値，及びモニタ値と設定値の収集間隔のリストを記憶する。モニタ値及び設定値は，基板処理装置１０に記憶されているデータである。モニタ値は，基板処理装置１０内に含まれる熱電対や圧力計などのセンサにより取得された基板処理装置１０の内部の状態値である。設定値は，基板処理装置１０内のヒータやモータなどのデバイスへのコントロール値である。このようなリストは，予め設定され保存されている。リスト記憶部２００は，サーバ装置１６のメモリ及び記憶装置の少なくともいずれかにより実現される。

データ記憶部２０２（データベース）は，基板処理装置１０から送信されたデータを記憶する。送信されるデータには，モニタ値，このモニタ値に対応する設定値，及びモニタ値が測定された時刻が含まれる。データ記憶部２０２は，記憶装置により実現される。したがって，データが保存されるほど，データ記憶部２０２内のデータ量は大きくなる。

データ受信部２０４（データ取得手段）は，基板処理装置１０から送信されるデータを取得して，データ保存部２０６に対して出力する。より具体的には，データ受信部２０４は，後述する収集間隔制御部２１０により制御された収集間隔で，基板処理装置１０から送信されるデータを取得する。

データ保存部２０６は，データ受信部２０４により取得されたデータをデータ記憶部２０２に保存する。

判定部２０８は，データ保存部２０６がデータを保存すると，データ記憶部２０２からデータを読み出し，データ値の時間的な変化を判定する。より具体的には，判定部２０８は，データに含まれるモニタ値の変化量（傾き）の偏差ΔＤを算出し，この偏差ΔＤが予め決められた閾値以上か否かを判定し，判定結果を収集間隔制御部２１０に対して出力する。また，判定部２０８は，モニタ値と設定値との偏差ΔＶを算出し，この偏差ΔＶが予め決められた閾値以上か否かを判定し，判定結果を収集間隔制御部２１０に対して出力する。ΔＤ及びΔＶは，次式により算出される。

ここで，ｔ（ｉ）は今回の取得時刻，ｔ（ｉ−１）は前回の取得時刻，ｍ（ｉ）は時刻ｔ（ｉ）におけるモニタ値，ｓ（ｉ）は時刻ｔ（ｉ）における設定値である。

収集間隔制御部２１０は，判定部２０８による判定結果に基づいて，データの収集間隔を制御する。具体的には，収集間隔制御部２１０は，ΔＤが閾値以上である場合，ΔＤが閾値未満である場合と比較して小さい値を収集間隔に設定する。例えば，収集間隔制御部２１０は，ΔＤが閾値以上である場合，収集間隔を０．２秒に設定し，ΔＤが閾値未満である場合，収集間隔を１．０秒に設定する。したがって，基板処理装置１０は，制御された収集間隔で，モニタ値及び設定値を，サーバ装置１６に対して送信可能になる。

なお，収集間隔制御部２１０は，ΔＶに基づいて，データの収集間隔を制御してもよいし，ΔＤ及びΔＶの双方に基づいて，データの収集間隔を制御してもよい。収集間隔は，モニタ値の特性，取得対象のデータなどによって，その最適値は異なる。したがって，収集間隔は，ΔＤ及びΔＶの少なくともいずれかに基づいて算出される値であれば，特に限定されない。

リスト送信部２１２は，リスト記憶部２００に記憶されているリストを読み出し，基板処理装置１０に対して送信する。基板処理装置１０は，このリストを受信することにより，リストにおいて指定されたモニタ値及び設定値を，指定された収集間隔で，サーバ装置１６に対して送信可能になる。

図５は，基板処理装置１０からサーバ装置１６に対して送信されるモニタ値とこのモニタ値に対応する設定値との関係を示す図である。なお，モニタ値は実線で，設定値は破線で表されている。
図５に示すように，矢印ａで示される範囲では，モニタ値の傾きの偏差ΔＤは略０であり，モニタ値と設定値との偏差ΔＶも略０である。矢印ｂで示される範囲では，ΔＤは略０であり，ΔＶは大である。矢印ｃで示される範囲では，ΔＤは大であり，ΔＶは略０である。このように，モニタ値は，設定値に追従するように変化する。

サーバ装置１６は，ΔＤ及びΔＶの少なくともいずれかが大きい場合には，短い収集間隔でデータを収集し，ΔＤ及びΔＶの双方が小さい場合には，長い収集間隔でデータを収集する。

なお，一般的に，プロセスエンジニアや保守管理者などの作業者は，モニタ値が設定値に対してどれだけ追従して変化しているかを観察している。このような追従性は，基板処理装置１０に含まれるセンサやデバイスの寿命やメンテナンスにより変化する。例えば，センサやデバイスでは，経年変化や汚物などの付着が，センシング機能の遅延や出力の低下を引き起こす。センシング機能の遅延や出力の低下は，モニタ値の軌跡の変化に現れ，設定値への追従性を低下させる。

図６は，収集間隔管理プログラム２０（図４）の判定部２０８及び収集間隔制御部２１０によるデータ収集間隔設定処理（Ｓ１０）を示すフローチャートである。
図６に示すように，ステップ１００（Ｓ１００）において，判定部２０８は，データ記憶部２０２に記憶されているデータを読み出し，ΔＤ及びΔＶを算出する。
ステップ１０２（Ｓ１０２）において，判定部２０８は，ΔＤは，予め決められた閾値（例えば，０．２）以上であるか否かを判定する。収集間隔管理プログラム２０は，ΔＤが閾値以上である場合にはＳ１０４の処理に進み，そうでない場合にはＳ１０６の処理に進む。

ステップ１０４（Ｓ１０４）において，収集間隔制御部２１０は，データ収集間隔を０．２秒に設定する。
一方，ステップ１０６（Ｓ１０６）において，収集間隔制御部２１０は，データ収集間隔を１．０秒に設定する。

図７は，サーバ装置１６（図１）上で動作する収集間隔管理プログラム２０の全体動作（Ｓ２０）を示すフローチャートである。
図７に示すように，ステップ２００（Ｓ２００）において，リスト送信部２１２は，リスト記憶部２００に記憶されているリストを読み出し，基板処理装置１０に対して送信する。これにより，基板処理装置１０は，当該リストに従って，サーバ装置１６に対してデータを送信する。

ステップ２０２（Ｓ２０２）において，収集間隔制御部２１０は，データ送信間隔設定命令を基板処理装置１０に対して送信し，設定された収集間隔を，基板処理装置１０に設定する。これにより，基板処理装置１０は，当該設定間隔に従って，サーバ装置１６に対してデータを送信する。

ステップ２０４（Ｓ２０４）において，データ受信部２０４は，基板処理装置１０から送信されるデータを受信したか否かを判定する。データ受信部２０４は，データを受信した場合にはステップ２０６（Ｓ２０６）の処理に進み，そうでない場合にはステップ２０４（Ｓ２０４）の処理に戻る。

ステップ２０６（Ｓ２０６）において，データ受信部２０４は，受信したデータをデータ保存部２０６に対して出力する。データ保存部２０６は，データ受信部２０４から出力されたデータを入力し，データ記憶部２０２に格納する。

ステップ２０８（Ｓ２０８）において，収集間隔管理プログラム２０は，データ収集処理を終了するか否かを判定し，データ収集処理を終了する場合には終了し，そうでない場合にはデータ収集間隔設定処理（図６；Ｓ１０）を行う。

ステップ２１０（Ｓ２１０）において，収集間隔制御部２１０は，データ収集間隔設定処理（Ｓ１０）で設定された収集間隔が，前回までの収集間隔と同じか否かを判定する。収集間隔管理プログラム２０は，設定された収集間隔が前回までの収集間隔と同じであると判定された場合にはステップ２０４（Ｓ２０４）の処理に戻り，そうでない場合にはステップ２０２（Ｓ２０２）の処理に戻る。

なお，本実施形態では，サーバ装置１６が収集間隔を制御するが，基板処理装置１０が収集間隔を制御してもよい。この場合，基板処理装置１０は，収集間隔管理プログラム２０（図４）の判定部２０８及び収集間隔制御部２１０と同等の構成を有し，ΔＤ及びΔＶを算出し，これらの値が閾値以上であるか否かを判定し，判定結果に基づいてデータ収集間隔を制御する。

サーバ装置１６は，基板処理装置１０と同じフロア（例えば，クリーンルーム）に設置される必要はなく，例えば，オフィスなどの事務所エリアに配置されてもよい。

基板処理装置１０は、半導体製造装置だけではなく、ＬＣＤ装置などのガラス基板を処理する装置にも適用されうる。また、基板処理装置１０は、炉内の処理を限定せず、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化散を形成する処理、及び金属を含む膜を形成する処理を含む成膜処理を行うことができる。また、基板処理装置１０は、露光装置，リソグラフィ装置，塗布装置，プラズマを利用したＣＶＤ装置などにも適用されうる。

本発明の実施形態に係る基板処理システム１の構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の斜視図を示す。 本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の側面透視図を示す。 サーバ装置１６上で動作する収集間隔管理プログラム２０の機能構成を示すブロック図である。 基板処理装置１０からサーバ装置１６に対して送信されるモニタ値とこのモニタ値に対応する設定値との関係を示す図である。 収集間隔管理プログラム２０（図４）の判定部２０８及び収集間隔制御部２１０によるデータ収集間隔設定処理（Ｓ１０）を示すフローチャートである。 サーバ装置１６上で動作する収集間隔管理プログラム２０の全体動作（Ｓ２０）を示すフローチャートである。

符号の説明

１ 基板処理システム
１０ 基板処理装置
１２，１４ ネットワーク
１６ サーバ装置
１８ クライアント装置
２０ 収集間隔管理プログラム
２００ リスト記憶部
２０２ データ記憶部
２０４ データ受信部
２０６ データ保存部
２０８ 判定部
２１０ 収集間隔制御部
２１２ リスト送信部

Claims (1)

1. 基板を処理する基板処理装置と，
   前記基板処理装置から送信されるデータを収集するデータ収集装置と
   を有し，
   前記データ収集装置は，
   データ値の時間的な変化に基づいてデータの収集間隔を制御する制御手段と，
   前記制御手段により制御された収集間隔で，前記基板処理装置からデータを取得するデータ取得手段と
   を有する基板処理システム。

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