JP2009260299A5 - 半導体基板の作製方法、半導体基板及び半導体装置 - Google Patents

Claims (7)

1. 第１の単結晶半導体基板の表面にイオンを照射して、前記第１の単結晶半導体基板の表面から所定の深さに脆化層を形成し、
   前記第１の単結晶半導体基板と、ベース基板とを、前記第１の単結晶半導体基板または前記ベース基板の少なくとも一方に設けられた絶縁層を介して、それぞれ貼り合わせ、
   熱処理によって、前記脆化層を境として前記第１の単結晶半導体基板を第２の単結晶半導体層と第３の単結晶半導体層に分離することにより、前記ベース基板上に前記第２の単結晶半導体層を固定し、
   前記第２の単結晶半導体層の複数の領域に対して、互いに異なるエネルギー密度条件にてレーザ光を照射し、
   前記第２の単結晶半導体層の前記レーザ光を照射した領域の炭素及び水素の深さ方向の濃度分布をそれぞれ測定し、
   前記第２の単結晶半導体層の深さ方向の炭素濃度分布が極大を有し、且つ、水素濃度分布がショルダーピークを有するエネルギー密度条件にて前記第３の単結晶半導体層へレーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記炭素濃度分布の極大は、前記第２の単結晶半導体層中であって、前記絶縁層との界面から２０ｎｍ以内の領域に有することを特徴とする半導体基板の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第３の単結晶半導体層を部分溶融状態とするエネルギー密度で、前記レーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記レーザ光は、パルスレーザであることを特徴とする半導体基板の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の作製方法で作製された半導体基板を用いて、半導体装置を作製する方法であって、
   前記半導体基板上の前記第３の単結晶半導体層を含む半導体素子を作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. ベース基板と、
   前記ベース基板上に設けられた絶縁層と、
   前記絶縁層を介して、前記ベース基板に固定された単結晶半導体層と、を有し、
   前記単結晶半導体層は、深さ方向の炭素濃度分布が極大を有し、且つ水素濃度分布がショルダーピークを有することを特徴とする半導体基板。
7. 請求項６に記載の前記半導体基板を用いて作製されたことを特徴とする半導体装置。