[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2009139671A - Display device, method of driving display device and electronic device - Google Patents

Display device, method of driving display device and electronic device Download PDF

Info

Publication number
JP2009139671A
JP2009139671A JP2007316538A JP2007316538A JP2009139671A JP 2009139671 A JP2009139671 A JP 2009139671A JP 2007316538 A JP2007316538 A JP 2007316538A JP 2007316538 A JP2007316538 A JP 2007316538A JP 2009139671 A JP2009139671 A JP 2009139671A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
electrode
transistor
write
potential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007316538A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masatsugu Tomita
昌嗣 冨田
Shin Asano
慎 浅野
Hiroshi Fujimura
寛 藤村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2007316538A priority Critical patent/JP2009139671A/en
Publication of JP2009139671A publication Critical patent/JP2009139671A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To surely perform desired mobility correction processing by setting correction time when mobility correction is performed to the optimum one in accordance with signal voltage of a video signal. <P>SOLUTION: Timing when a first control pulse CP1 transits from a high level (active state) to a low level (non-active state) is set to time t14 before timing of time t15 when falling of a write-in pulse WS starts after timing of time 13 when the write-in pulse WS transits from a low level (non-active state) to a high level (active state), desirably, after the write-in pulse WS rises from power supply potential WSLow to power supply potential WSHigh. After the write-in pulse WS rises from the power supply potential WSLow to the power supply potential WSHigh, a power supply line to a final stage buffer of a write-in scanning circuit is set to a floating state. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器に関し、特に電気光学素子を含む画素が行列状(マトリクス状)に2次元配置された平面型(フラットパネル型)の表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器に関する。   The present invention relates to a display device, a driving method of the display device, and an electronic apparatus, and more particularly, a flat-type (flat panel type) display device in which pixels including electro-optical elements are two-dimensionally arranged in a matrix (matrix shape), and the display The present invention relates to a device driving method and an electronic apparatus having the display device.

近年、画像表示を行う表示装置の分野では、発光素子を含む画素(画素回路)が行列状に配置されてなる平面型の表示装置が急速に普及している。平面型の表示装置としては、画素の発光素子として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子、例えば有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機EL(Electro Luminescence)素子を用いた有機EL表示装置が開発され、商品化が進められている。   In recent years, in the field of display devices that perform image display, flat display devices in which pixels (pixel circuits) including light emitting elements are arranged in a matrix are rapidly spreading. As a flat display device, as a light emitting element of a pixel, a so-called current-driven electro-optical element whose light emission luminance changes according to a current value flowing through the device, for example, a phenomenon of emitting light when an electric field is applied to an organic thin film is used. An organic EL display device using an organic EL (Electro Luminescence) element has been developed and commercialized.

有機EL表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機EL素子は、10V以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力である。有機EL素子は、自発光素子であるために、画素ごとに液晶にて光源(バックライト)からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかもバックライト等の照明部材を必要としないために軽量化および薄型化が容易である。さらに、有機EL素子の応答速度が数μsec程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。   The organic EL display device has the following features. That is, since the organic EL element can be driven with an applied voltage of 10 V or less, the power consumption is low. Since the organic EL element is a self-luminous element, image visibility is higher than that of a liquid crystal display device that displays an image by controlling the light intensity from a light source (backlight) with a liquid crystal for each pixel. In addition, since an illumination member such as a backlight is not required, it is easy to reduce the weight and thickness. Furthermore, since the response speed of the organic EL element is as high as about several μsec, an afterimage at the time of displaying a moving image does not occur.

有機EL表示装置では、液晶表示装置と同様に、その駆動方式として単純(パッシブ)マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とを採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、電気光学素子の発光期間が走査線(即ち、画素数)の増加によって減少するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。   As in the liquid crystal display device, the organic EL display device can adopt a simple (passive) matrix method and an active matrix method as its driving method. However, although the simple matrix display device has a simple structure, the light-emission period of the electro-optic element decreases with an increase in the number of scanning lines (that is, the number of pixels), thereby realizing a large-sized and high-definition display device. There are problems such as difficult.

そのため、近年、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(一般には、TFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ))によって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が盛んに行われている。アクティブマトリクス方式の表示装置は、電気光学素子が1フレーム(1フィールド)の期間に亘って発光を持続するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が容易である。   Therefore, in recent years, an active element in which an electric current flowing through an electro-optic element is controlled by an active element provided in the same pixel as the electro-optic element, for example, an insulated gate field effect transistor (generally, a TFT (Thin Film Transistor)). Matrix display devices have been actively developed. An active matrix display device can easily realize a large-sized and high-definition display device because the electro-optic element continues to emit light over a period of one frame (one field).

ところで、一般的に、有機EL素子のI−V特性(電流−電圧特性)は、時間が経過すると劣化(いわゆる、経時劣化)することが知られている。有機EL素子を電流駆動するトランジスタ(以下、「駆動トランジスタ」と記述する)としてNチャネル型のTFTを用いた画素回路では、駆動トランジスタのソース電極側に有機EL素子が接続されることになるために、有機EL素子のI−V特性が経時劣化すると、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Vgsが変化し、その結果、有機EL素子の発光輝度も変化する。   By the way, it is generally known that the IV characteristic (current-voltage characteristic) of the organic EL element is deteriorated with time (so-called deterioration with time). In a pixel circuit using an N-channel TFT as a transistor for driving an organic EL element with current (hereinafter referred to as “driving transistor”), the organic EL element is connected to the source electrode side of the driving transistor. In addition, when the IV characteristic of the organic EL element deteriorates with time, the gate-source voltage Vgs of the driving transistor changes, and as a result, the emission luminance of the organic EL element also changes.

このことについてより具体的に説明する。駆動トランジスタのソース電位は、駆動トランジスタと有機EL素子の動作点で決まる。そして、有機EL素子のI−V特性が劣化すると、駆動トランジスタと有機EL素子の動作点が変動してしまうために、駆動トランジスタのゲート電極に同じ電圧を印加したとしても駆動トランジスタのソース電位が変化する。これにより、駆動トランジスタのソース−ゲート間電圧Vgsが変化するために、駆動トランジスタに流れる電流値が変化する。その結果、有機EL素子に流れる電流値も変化するために、有機EL素子の発光輝度が変化することになる。   This will be described more specifically. The source potential of the drive transistor is determined by the operating points of the drive transistor and the organic EL element. When the IV characteristic of the organic EL element deteriorates, the operating point of the driving transistor and the organic EL element fluctuates. Therefore, even if the same voltage is applied to the gate electrode of the driving transistor, the source potential of the driving transistor is Change. As a result, since the source-gate voltage Vgs of the drive transistor changes, the value of the current flowing through the drive transistor changes. As a result, since the value of the current flowing through the organic EL element also changes, the light emission luminance of the organic EL element changes.

また、ポリシリコンTFTを用いた画素回路では、有機EL素子のI−V特性の経時劣化に加えて、駆動トランジスタの閾値電圧Vthや、駆動トランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度(以下、「駆動トランジスタの移動度」と記述する)μが経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによって閾値電圧Vthや移動度μのトランジスタ特性が画素ごとに異なったりする(画素個々のトランジスタ特性にばらつきがある)。   In addition, in a pixel circuit using a polysilicon TFT, in addition to the deterioration over time of the IV characteristics of the organic EL element, the threshold voltage Vth of the driving transistor and the mobility of the semiconductor thin film that constitutes the channel of the driving transistor (hereinafter referred to as the following) The μ changes over time, and the transistor characteristics of the threshold voltage Vth and the mobility μ vary from pixel to pixel due to variations in manufacturing processes (transistor characteristics of each pixel vary). There is).

駆動トランジスタの閾値電圧Vthや移動度μが画素ごとに異なると、画素ごとに駆動トランジスタに流れる電流値にばらつきが生じるために、駆動トランジスタのゲート電極に画素間で同じ電圧を印加しても、有機EL素子の発光輝度に画素間でばらつきが生じ、その結果、画面のユニフォーミティ(一様性)が損なわれる。   If the threshold voltage Vth and mobility μ of the driving transistor differ from pixel to pixel, the current value flowing through the driving transistor varies from pixel to pixel, so even if the same voltage is applied between the pixels to the gate electrode of the driving transistor, The light emission luminance of the organic EL element varies among pixels, and as a result, the uniformity of the screen is impaired.

そこで、有機EL素子のI−V特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Vthや移動度μが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機EL素子の発光輝度を一定に保つようにするために、有機EL素子の特性変動に対する補償機能、さらには駆動トランジスタの閾値電圧Vthの変動に対する補正(以下、「閾値補正」と記述する)や、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正(以下、「移動度補正」と記述する)の各補正機能を画素回路の各々に持たせる構成を採っている(例えば、特許文献1参照)。   Therefore, even if the IV characteristic of the organic EL element deteriorates with time, or the threshold voltage Vth or mobility μ of the driving transistor changes with time, the light emission luminance of the organic EL element is not affected by those effects. In order to keep constant, the compensation function for the characteristic variation of the organic EL element, the correction for the variation of the threshold voltage Vth of the driving transistor (hereinafter referred to as “threshold correction”), the mobility μ of the driving transistor Each pixel circuit is provided with a correction function for correction of fluctuations (hereinafter referred to as “mobility correction”) (see, for example, Patent Document 1).

このように、画素回路の各々に、有機EL素子の特性変動に対する補償機能および駆動トランジスタの閾値電圧Vthや移動度μの変動に対する補正機能を持たせることで、有機EL素子のI−V特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Vthや移動度μが経時変化したりしたとしても、それらの影響を受けることなく、有機EL素子の発光輝度を一定に保つことができるために、有機EL表示装置の表示品質を向上できる。   As described above, each of the pixel circuits has the compensation function for the characteristic variation of the organic EL element and the correction function for the threshold voltage Vth and the mobility μ of the driving transistor, so that the IV characteristic of the organic EL element is improved. Even if the threshold voltage Vth or mobility μ of the driving transistor changes with time, the light emission luminance of the organic EL element can be kept constant without being affected by the deterioration. The display quality of the display device can be improved.

特開2006−133542号公報JP 2006-133542 A

上記の各種の補正機能のうち、移動度補正を施す補正時間は、映像信号を書き込む書込みトランジスタのゲート電極に、垂直走査に同期して印加される走査信号である書込みパルスによって決まる訳であるが、映像信号の信号レベル(以下、「信号電圧」と記述する場合もある)に対応して所望の移動度補正処理を確実に実現するためには、移動度補正を施す補正時間を映像信号の信号電圧に応じた最適な補正時間に設定する必要がある(その詳細については後述する)。   Among the various correction functions described above, the correction time for performing the mobility correction is determined by the write pulse that is a scanning signal applied to the gate electrode of the writing transistor for writing the video signal in synchronization with the vertical scanning. In order to reliably realize a desired mobility correction process corresponding to the signal level of the video signal (hereinafter sometimes referred to as “signal voltage”), the correction time for performing the mobility correction is set to It is necessary to set an optimal correction time according to the signal voltage (details will be described later).

そこで、本発明は、移動度補正を施す補正時間を映像信号の信号電圧に応じた最適な補正時間に設定し、所望の移動度補正処理を確実に実行できるようにした表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention sets a correction time for performing mobility correction to an optimal correction time according to the signal voltage of the video signal, and allows the desired mobility correction processing to be reliably executed, and the display device An object of the present invention is to provide a driving method and an electronic device using the display device.

上記目的を達成するために、本発明は、
電気光学素子と、
走査線にゲート電極が接続され、映像信号が供給される信号線に一方の電極が接続された書込みトランジスタと、
前記書込みトランジスタの他方の電極にゲート電極が接続され、電源供給線に一方の電極が接続され、前記電気光学素子のアノード電極に他方の電極が接続された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極に一方の電極が接続され、前記駆動トランジスタの他方の電極に他方の電極が接続された保持容量と
を有する画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
前記電源供給線に第1電源電位と当該第1電源電位よりも低い第2電源電位とを選択的に供給する電源供給走査回路と、
前段側の回路部分と電源ラインが分離された最終段バッファを有し、当該最終段バッファから出力する書込みパルスを前記書込みトランジスタに与えることによって当該書込みトランジスタによる前記映像信号の書込みを行う書込み走査回路とを備え、
前記駆動トランジスタに流れる電流に応じた補正量で当該駆動トランジスタのゲート入力側に負帰還をかける移動度補正処理を、前記書込みトランジスタによる前記映像信号の書込み処理と並行して実行する表示装置において、
前記書込み走査回路は、前記書込みパルスをアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移させるときに、所定の時定数で決まる波形で変化する電源電位を前記最終段バッファに供給する電源供給部を有し、
前記電源供給部から前記最終段バッファに前記電源電位を供給する電源供給ラインを、前記書込みパルスの非アクティブ状態からアクティブ状態への遷移開始後で、かつ、前記書込みパルスのアクティブ状態から非アクティブ状態への遷移開始前にフローティング状態にする
構成を採っている。
In order to achieve the above object, the present invention provides:
An electro-optic element;
A writing transistor in which a gate electrode is connected to the scanning line and one electrode is connected to a signal line to which a video signal is supplied;
A driving transistor in which a gate electrode is connected to the other electrode of the writing transistor, one electrode is connected to a power supply line, and the other electrode is connected to an anode electrode of the electro-optic element;
A pixel array unit in which pixels having a storage capacitor in which one electrode is connected to the gate electrode of the driving transistor and the other electrode is connected to the other electrode of the driving transistor; and
A power supply scanning circuit for selectively supplying a first power supply potential and a second power supply potential lower than the first power supply potential to the power supply line;
A write scanning circuit having a final stage buffer in which a circuit portion on the front stage side and a power supply line are separated, and writing the video signal by the write transistor by giving a write pulse output from the final stage buffer to the write transistor And
In a display device that executes mobility correction processing that applies negative feedback to the gate input side of the driving transistor with a correction amount corresponding to the current flowing through the driving transistor, in parallel with the video signal writing processing by the writing transistor,
The write scanning circuit includes a power supply unit that supplies a power supply potential that changes in a waveform determined by a predetermined time constant to the final stage buffer when the write pulse is shifted from an active state to an inactive state.
A power supply line that supplies the power supply potential from the power supply unit to the final-stage buffer after the start of transition of the write pulse from the inactive state to the active state, and from the active state of the write pulse to the inactive state The structure which makes it a floating state before the transition start to is adopted.

上記構成の表示装置および当該表示装置を有する電子機器において、書込みパルスをアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移させるときに、電源供給部から最終段バッファに対して所定の時定数で決まる波形で変化する電源電位を供給することで、書込みパルスは上記時定数で決まる波形でアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移する。ここで、上記時定数で決まる波形を映像信号の信号レベルに応じた波形とすることで、移動度補正の最適補正時間を映像信号の信号レベルに対応するように設定できる。その結果、黒レベルから白レベルまで映像信号の全レベル範囲(全階調)に亘って移動度補正処理を確実に実行できる、即ち駆動トランジスタの移動度の画素ごとのばらつきを確実に補正することができる。   In the display device having the above-described configuration and the electronic apparatus having the display device, when the write pulse is changed from the active state to the inactive state, the power supply unit changes in a waveform determined by a predetermined time constant with respect to the final stage buffer. By supplying the power supply potential, the write pulse transitions from the active state to the inactive state with a waveform determined by the time constant. Here, by setting the waveform determined by the time constant to a waveform corresponding to the signal level of the video signal, the optimum correction time for mobility correction can be set to correspond to the signal level of the video signal. As a result, the mobility correction processing can be reliably executed over the entire level range (all gradations) of the video signal from the black level to the white level, that is, the variation of the mobility of the driving transistor from pixel to pixel can be reliably corrected. Can do.

そして、書込み走査回路において、電源供給部から最終段バッファに電源電位を供給する電源供給ラインを、書込みパルスの非アクティブ状態からアクティブ状態への遷移開始後で、かつ、書込みパルスのアクティブ状態から非アクティブ状態への遷移開始前にフローティング状態にすることで、各映像ライン(画素行)において走査線の寄生容量に差異が生じても、走査線の電位(書込みパルスの波高値)に差は生じないために、各表示パターンにおいて輝度ばらつきが発生せず、移動度補正処理に伴う表示品質(画品位)の改善効果を十分に得ることができる。   In the write scanning circuit, the power supply line for supplying the power supply potential from the power supply unit to the final stage buffer is switched from the active state of the write pulse to the active state after the transition from the inactive state of the write pulse to the active state. Even if a difference occurs in the parasitic capacitance of the scanning line in each video line (pixel row) by making the floating state before the transition to the active state starts, a difference occurs in the potential of the scanning line (the peak value of the writing pulse). Therefore, luminance variations do not occur in each display pattern, and the display quality (image quality) improvement effect associated with the mobility correction process can be sufficiently obtained.

本発明によれば、移動度補正の最適補正時間を映像信号の信号レベルに対応するように設定できるために、移動度の画素ごとのばらつきをより確実に補正することができる。また、各映像ラインにおいて走査線の寄生容量に差異が生じても、走査線の電位に差は生じず、移動度補正処理に伴う表示品質の改善効果を十分に得ることができるため、良好な画質の表示画像を得ることができる。   According to the present invention, since the optimal correction time for mobility correction can be set so as to correspond to the signal level of the video signal, variation in mobility for each pixel can be corrected more reliably. Also, even if there is a difference in the parasitic capacitance of the scanning line in each video line, there is no difference in the potential of the scanning line, and the display quality improvement effect associated with the mobility correction process can be sufficiently obtained. A display image with high image quality can be obtained.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

[システム構成]
図1は、本発明が適用されるアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
[System configuration]
FIG. 1 is a system configuration diagram showing an outline of the configuration of an active matrix display device to which the present invention is applied.

ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機EL素子(有機電界発光素子)を画素(画素回路)の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機EL表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。   Here, as an example, a current-driven electro-optic element whose emission luminance changes in accordance with the value of current flowing through the device, for example, an organic EL element (organic electroluminescence element) is used as a light emitting element of a pixel (pixel circuit). The case of a matrix type organic EL display device will be described as an example.

図1に示すように、有機EL表示装置10は、発光素子を含む複数の画素(PXLC)20と、当該画素20が行列状に2次元配置された画素アレイ部30と、当該画素アレイ部30の周辺に配置され、各画素20を駆動する駆動部とを有する構成となっている。画素20を駆動する駆動部としては、例えば、書込み走査回路40、電源供給走査回路50および信号出力回路60が設けられている。   As shown in FIG. 1, the organic EL display device 10 includes a plurality of pixels (PXLC) 20 including light emitting elements, a pixel array unit 30 in which the pixels 20 are two-dimensionally arranged in a matrix, and the pixel array unit 30. And a driving unit that drives each pixel 20. For example, a writing scanning circuit 40, a power supply scanning circuit 50, and a signal output circuit 60 are provided as driving units for driving the pixels 20.

ここで、有機EL表示装置10がカラー表示用の表示装置の場合は、1つの画素は複数の副画素(サブピクセル)から構成され、この副画素が画素20に相当することになる。より具体的には、カラー表示用の表示装置では、1つの画素は、赤色光(R)を発光する副画素、緑色光(G)を発光する副画素、青色光(B)を発光する副画素の3つの副画素から構成される。   Here, when the organic EL display device 10 is a display device for color display, one pixel is composed of a plurality of sub-pixels (sub-pixels), and this sub-pixel corresponds to the pixel 20. More specifically, in a display device for color display, one pixel includes a sub-pixel that emits red light (R), a sub-pixel that emits green light (G), and a sub-pixel that emits blue light (B). It consists of three sub-pixels of a pixel.

ただし、1つの画素としては、RGBの3原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、3原色の副画素にさらに1色あるいは複数色の副画素を加えて1つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色光(W)を発光する副画素を加えて1つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも1つの副画素を加えて1つの画素を構成したりすることも可能である。   However, one pixel is not limited to the combination of RGB three primary color subpixels, and one pixel may be configured by adding one or more color subpixels to the three primary color subpixels. Is possible. More specifically, for example, at least one sub-pixel that emits white light (W) is added to improve luminance to form one pixel, or at least one that emits complementary color light to expand the color reproduction range. It is also possible to configure one pixel by adding subpixels.

画素アレイ部30には、m行n列の画素20の配列に対して、第1の方向(図1では、左右方向/水平方向)に沿って走査線31−1〜31−mと電源供給線32−1〜32−mとが画素行ごとに配線され、第1の方向と直交する第2の方向(図1では、上下方向/垂直方向)にそって信号線33−1〜33−nが画素列ごとに配線されている。   The pixel array unit 30 supplies power to the scanning lines 31-1 to 31-m along the first direction (left-right direction / horizontal direction in FIG. 1) with respect to the arrangement of the pixels 20 in m rows and n columns. Lines 32-1 to 32-m are wired for each pixel row, and signal lines 33-1 to 33-33 are arranged along a second direction (vertical direction / vertical direction in FIG. 1) orthogonal to the first direction. n is wired for each pixel column.

走査線31−1〜31−mは、書込み走査回路40の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。電源供給線32−1〜32−mは、電源供給走査回路50の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線33−1〜33−nは、信号出力回路60の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。   The scanning lines 31-1 to 31 -m are connected to the output ends of the corresponding rows of the writing scanning circuit 40, respectively. The power supply lines 32-1 to 32-m are connected to the output terminals of the corresponding rows of the power supply scanning circuit 50, respectively. The signal lines 33-1 to 33-n are connected to the output ends of the corresponding columns of the signal output circuit 60, respectively.

画素アレイ部30は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成されている。これにより、有機EL表示装置10は、平面型(フラット型)のパネル構造となっている。画素アレイ部30の各画素20の駆動回路は、アモルファスシリコンTFTまたは低温ポリシリコンTFTを用いて形成することができる。低温ポリシリコンTFTを用いる場合には、書込み走査回路40、電源供給走査回路50および信号出力回路60についても、画素アレイ部30を形成する表示パネル(基板)70上に実装することができる。   The pixel array unit 30 is usually formed on a transparent insulating substrate such as a glass substrate. Thereby, the organic EL display device 10 has a flat panel structure. The drive circuit for each pixel 20 in the pixel array section 30 can be formed using an amorphous silicon TFT or a low-temperature polysilicon TFT. When the low-temperature polysilicon TFT is used, the write scanning circuit 40, the power supply scanning circuit 50, and the signal output circuit 60 can also be mounted on the display panel (substrate) 70 that forms the pixel array unit 30.

書込み走査回路40は、クロックパルスckに同期してスタートパルスspを順にシフト(転送)するシフトレジスタ等によって構成され、画素アレイ部30の各画素20への映像信号の書込みに際して、走査線31−1〜31−mに順次書込みパルス(走査信号)WS1〜WSmを供給することによって画素アレイ部30の各画素20を行単位で順番に走査(線順次走査)する。その具体的な構成については後述する。   The write scanning circuit 40 is configured by a shift register or the like that sequentially shifts (transfers) the start pulse sp in synchronization with the clock pulse ck, and the scanning line 31-is used for writing the video signal to each pixel 20 of the pixel array unit 30. By sequentially supplying write pulses (scanning signals) WS1 to WSm to 1-31 to m, each pixel 20 of the pixel array unit 30 is sequentially scanned (line sequential scanning) in units of rows. The specific configuration will be described later.

電源供給走査回路50は、クロックパルスckに同期してスタートパルスspを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成され、書込み走査回路40による線順次走査に同期して、第1電源電位Vccpと当該第1電源電位Vccpよりも低い第2電源電位Viniで切り替わる電源供給線電位DS1〜DSmを電源供給線32−1〜32−mに供給することにより、画素20の発光/非発光の制御を行なうとともに、発光素子である有機EL素子に駆動電流を供給する。   The power supply scanning circuit 50 includes a shift register that sequentially shifts the start pulse sp in synchronization with the clock pulse ck, and the first power supply potential Vccp and the first power supply potential Vccp in synchronization with the line sequential scanning by the writing scanning circuit 40. The power supply line potentials DS1 to DSm that are switched at the second power supply potential Vini lower than the power supply potential Vccp are supplied to the power supply lines 32-1 to 32-m, thereby controlling the light emission / non-light emission of the pixel 20. A drive current is supplied to the organic EL element which is a light emitting element.

信号出力回路60は、信号供給源(図示せず)から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧(以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある)Vsigと基準電位Vofsのいずれか一方を適宜選択し、信号線33−1〜33−nを介して画素アレイ部30の各画素20に対して例えば行単位で書き込む。すなわち、信号出力回路60は、映像信号の信号電圧Vsigを行(ライン)単位で書き込む線順次書き込みの駆動形態を採っている。   The signal output circuit 60 has either a signal voltage (hereinafter also simply referred to as “signal voltage”) Vsig or a reference potential Vofs of a video signal corresponding to luminance information supplied from a signal supply source (not shown). Either one is selected as appropriate, and writing is performed, for example, in units of rows to each pixel 20 of the pixel array unit 30 via the signal lines 33-1 to 33-n. That is, the signal output circuit 60 adopts a line-sequential writing drive mode in which the signal voltage Vsig of the video signal is written in units of rows.

ここで、基準電位Vofsは、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Vsigの基準となる電位(例えば、黒レベルに相当する電位)である。また、第2電源電位Viniは、基準電位Vofsよりも低い電位、例えば、駆動トランジスタ22の閾値電圧をVthとするときVofs−Vthよりも低い電位、好ましくはVofs−Vthよりも十分に低い電位に設定される。   Here, the reference potential Vofs is a reference potential (for example, a potential corresponding to the black level) of the signal voltage Vsig of the video signal corresponding to the luminance information. The second power supply potential Vini is lower than the reference potential Vofs, for example, a potential lower than Vofs−Vth, preferably a potential sufficiently lower than Vofs−Vth when the threshold voltage of the driving transistor 22 is Vth. Is set.

(画素回路)
図2は、画素(画素回路)20の具体的な構成例を示す回路図である。
(Pixel circuit)
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a specific configuration example of the pixel (pixel circuit) 20.

図2に示すように、画素20は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機EL素子21と、当該有機EL素子21を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機EL素子21は、全ての画素20に対して共通に配線(いわゆる、ベタ配線)された共通電源供給線34にカソード電極が接続されている。   As shown in FIG. 2, the pixel 20 includes a current-driven electro-optical element whose emission luminance changes according to a current value flowing through the device, for example, an organic EL element 21, and a drive circuit that drives the organic EL element 21. It is constituted by. The organic EL element 21 has a cathode electrode connected to a common power supply line 34 that is wired in common to all the pixels 20 (so-called solid wiring).

有機EL素子21を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ22と、書込みトランジスタ23と、保持容量24とから構成されている。ここでは、駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23としてNチャネル型のTFTを用いている。ただし、駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。   The drive circuit that drives the organic EL element 21 includes a drive transistor 22, a write transistor 23, and a storage capacitor 24. Here, N-channel TFTs are used as the drive transistor 22 and the write transistor 23. However, the combination of conductivity types of the drive transistor 22 and the write transistor 23 is merely an example, and is not limited to these combinations.

なお、駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23としてNチャネル型のTFTを用いると、アモルファスシリコン(a−Si)プロセスを用いることができる。a−Siプロセスを用いることで、TFTを作成する基板の低コスト化、ひいては本有機EL表示装置10の低コスト化を図ることが可能になる。また、駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23を同じ導電型の組み合わせにすると、両トランジスタ22,23を同じプロセスで作成することができるため低コスト化に寄与できる。   Note that when an N-channel TFT is used as the driving transistor 22 and the writing transistor 23, an amorphous silicon (a-Si) process can be used. By using the a-Si process, it is possible to reduce the cost of the substrate on which the TFT is formed, and thus to reduce the cost of the organic EL display device 10. Further, when the drive transistor 22 and the write transistor 23 have the same conductivity type, both the transistors 22 and 23 can be formed by the same process, which can contribute to cost reduction.

駆動トランジスタ22は、一方の電極(ソース/ドレイン電極)が有機EL素子21のアノード電極に接続され、他方の電極(ドレイン/ソース電極)が電源供給線32(32−1〜32−m)に接続されている。   The drive transistor 22 has one electrode (source / drain electrode) connected to the anode electrode of the organic EL element 21 and the other electrode (drain / source electrode) connected to the power supply line 32 (32-1 to 32-m). It is connected.

書込みトランジスタ23は、ゲート電極が走査線31(31−1〜31−m)に接続され、一方の電極(ソース/ドレイン電極)が信号線33(33−1〜33−n)に接続され、他方の電極(ドレイン/ソース電極)が駆動トランジスタ22のゲート電極に接続されている。   The write transistor 23 has a gate electrode connected to the scanning line 31 (31-1 to 31-m), one electrode (source / drain electrode) connected to the signal line 33 (33-1 to 33-n), The other electrode (drain / source electrode) is connected to the gate electrode of the drive transistor 22.

駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23において、一方の電極とは、ソース/ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言い、他方の電極とは、ドレイン/ソース領域に電気的に接続された金属配線を言う。また、一方の電極と他方の電極との電位関係によって一方の電極がソース電極ともなればドレイン電極ともなり、他方の電極がドレイン電極ともなればソース電極ともなる。   In the drive transistor 22 and the write transistor 23, one electrode refers to a metal wiring electrically connected to the source / drain region, and the other electrode refers to a metal wiring electrically connected to the drain / source region. Say. Further, depending on the potential relationship between one electrode and the other electrode, if one electrode becomes a source electrode, it becomes a drain electrode, and if the other electrode also becomes a drain electrode, it becomes a source electrode.

保持容量24は、一方の電極が駆動トランジスタ22のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ22の他方の電極および有機EL素子21のアノード電極に接続されている。   The storage capacitor 24 has one electrode connected to the gate electrode of the drive transistor 22 and the other electrode connected to the other electrode of the drive transistor 22 and the anode electrode of the organic EL element 21.

なお、有機EL素子21の駆動回路としては、駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23の2つのトランジスタと、保持容量24の1つの容量とからなる回路構成のものに限られるものではなく、一方の電極が有機EL素子21のアノード電極に、他方の電極が固定電位にそれぞれ接続されることで、有機EL素子21の容量不足分を補い、保持容量24に対する映像信号の書込みゲインを高める作用をなす補助容量を必要に応じて設けた回路構成とすることも可能である。   The drive circuit of the organic EL element 21 is not limited to a circuit configuration including two transistors, the drive transistor 22 and the write transistor 23, and one capacitor of the storage capacitor 24. The other electrode is connected to the anode electrode of the organic EL element 21 at a fixed potential, so that the capacity shortage of the organic EL element 21 is compensated for, and the auxiliary capacity for increasing the video signal write gain to the holding capacity 24 It is also possible to adopt a circuit configuration provided as necessary.

上記構成の画素20において、書込みトランジスタ23は、書込み走査回路40から走査線31を通してゲート電極に印加される高レベルの走査信号WSに応答して導通状態となることにより、信号線33を通して信号出力回路60から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Vsigまたは基準電位Vofsをサンプリングして画素20内に書き込む。この書き込まれた信号電圧Vsigまたは基準電位Vofsは、駆動トランジスタ22のゲート電極に印加されるとともに保持容量24に保持される。   In the pixel 20 having the above-described configuration, the writing transistor 23 is turned on in response to the high-level scanning signal WS applied to the gate electrode from the writing scanning circuit 40 through the scanning line 31, thereby outputting a signal through the signal line 33. The signal voltage Vsig or the reference potential Vofs of the video signal corresponding to the luminance information supplied from the circuit 60 is sampled and written into the pixel 20. The written signal voltage Vsig or reference potential Vofs is applied to the gate electrode of the driving transistor 22 and held in the holding capacitor 24.

駆動トランジスタ22は、電源供給線32(32−1〜32−m)の電位DSが第1電源電位Vccpにあるときには、一方の電極がドレイン電極、他方の電極がソース電極となって飽和領域で動作し、電源供給線32から電流の供給を受けて有機EL素子21を電流駆動にて発光駆動する。より具体的には、駆動トランジスタ22は、飽和領域で動作することにより、保持容量24に保持された信号電圧Vsigの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機EL素子21に供給し、当該有機EL素子21を電流駆動することによって発光させる。   When the potential DS of the power supply line 32 (32-1 to 32-m) is at the first power supply potential Vccp, the drive transistor 22 has one electrode as a drain electrode and the other electrode as a source electrode in a saturation region. It operates and receives current from the power supply line 32 to drive the organic EL element 21 to emit light by current driving. More specifically, the drive transistor 22 operates in the saturation region to supply a drive current having a current value corresponding to the voltage value of the signal voltage Vsig held in the holding capacitor 24 to the organic EL element 21. The organic EL element 21 is caused to emit light by current driving.

駆動トランジスタ22はさらに、電源供給線32(32−1〜32−m)の電位DSが第1電源電位Vccpから第2電源電位Viniに切り替わったときには、一方の電極がソース電極、他方の電極がドレイン電極となってスイッチングトランジスタとして動作することで、有機EL素子21への駆動電流の供給を停止し、有機EL素子21を非発光状態にする。すなわち、駆動トランジスタ22は、有機EL素子21の発光/非発光を制御するトランジスタとしての機能をも併せ持っている。   Further, when the potential DS of the power supply line 32 (32-1 to 32-m) is switched from the first power supply potential Vccp to the second power supply potential Vini, the drive transistor 22 has one electrode as a source electrode and the other electrode as By operating as a switching transistor as a drain electrode, supply of drive current to the organic EL element 21 is stopped, and the organic EL element 21 is brought into a non-light emitting state. That is, the drive transistor 22 also has a function as a transistor that controls light emission / non-light emission of the organic EL element 21.

この駆動トランジスタ22のスイッチング動作により、有機EL素子21が非発光状態となる期間(非発光期間)を設け、有機EL素子21の発光期間と非発光期間の割合(デューティ)を制御するデューティ制御を行なうことで、1フレーム期間に亘って画素が発光することに伴う残像ボケを低減できる。これにより、特に動画の画品位をより優れたものとすることができる。   By the switching operation of the drive transistor 22, a period during which the organic EL element 21 is in a non-light emitting state (non-light emitting period) is provided, and duty control is performed to control the ratio (duty) between the light emitting period and the non-light emitting period of the organic EL element 21. By doing so, it is possible to reduce the afterimage blur caused by the pixels emitting light over one frame period. As a result, the picture quality of the moving image can be particularly improved.

(画素構造)
図3は、画素20の断面構造の一例を示す断面図である。図3に示すように、画素20は、駆動トランジスタ22等を含む駆動回路が形成されたガラス基板201上に絶縁膜202、絶縁平坦化膜203およびウインド絶縁膜204がその順に形成され、当該ウインド絶縁膜204の凹部204Aに有機EL素子21が設けられた構成となっている。ここでは、駆動回路の各構成素子のうち、駆動トランジスタ22のみを図示し、他の構成素子については省略している。
(Pixel structure)
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an example of the cross-sectional structure of the pixel 20. As shown in FIG. 3, in the pixel 20, an insulating film 202, an insulating planarizing film 203, and a window insulating film 204 are formed in that order on a glass substrate 201 on which a driving circuit including a driving transistor 22 and the like is formed. The organic EL element 21 is provided in the recess 204A of the insulating film 204. Here, only the drive transistor 22 is shown in the components of the drive circuit, and the other components are omitted.

有機EL素子21は、上記ウインド絶縁膜204の凹部204Aの底部に形成された金属等からなるアノード電極205と、当該アノード電極205上に形成された有機層(電子輸送層、発光層、ホール輸送層/ホール注入層)206と、当該有機層206上に全画素共通に形成された透明導電膜等からなるカソード電極207とから構成されている。   The organic EL element 21 includes an anode electrode 205 made of metal or the like formed on the bottom of the recess 204A of the window insulating film 204, and an organic layer (electron transport layer, light emitting layer, hole transport) formed on the anode electrode 205. Layer / hole injection layer) 206 and a cathode electrode 207 made of a transparent conductive film or the like formed on the organic layer 206 in common for all pixels.

この有機EL素子21において、有機層206は、アノード電極205上にホール輸送層/ホール注入層2061、発光層2062、電子輸送層2063および電子注入層(図示せず)が順次堆積されることによって形成される。そして、図2の駆動トランジスタ22による電流駆動の下に、駆動トランジスタ22からアノード電極205を通して有機層206に電流が流れることで、当該有機層206内の発光層2062において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。   In the organic EL element 21, the organic layer 206 is formed by sequentially depositing a hole transport layer / hole injection layer 2061, a light emitting layer 2062, an electron transport layer 2063 and an electron injection layer (not shown) on the anode electrode 205. It is formed. Then, current flows from the driving transistor 22 to the organic layer 206 through the anode electrode 205 under current driving by the driving transistor 22 in FIG. 2, so that electrons and holes are recombined in the light emitting layer 2062 in the organic layer 206. It is designed to emit light.

駆動トランジスタ22は、ゲート電極221と、半導体層222の一方側に設けられたソース/ドレイン領域223と、半導体層222の他方側に設けられたドレイン/ソース領域224と、半導体層222のゲート電極221と対向する部分のチャネル形成領域225とから構成されている。ソース/ドレイン領域223は、コンタクトホールを介して有機EL素子21のアノード電極205と電気的に接続されている。   The driving transistor 22 includes a gate electrode 221, a source / drain region 223 provided on one side of the semiconductor layer 222, a drain / source region 224 provided on the other side of the semiconductor layer 222, and a gate electrode of the semiconductor layer 222. 221 and a portion of the channel formation region 225 facing the portion 221. The source / drain region 223 is electrically connected to the anode electrode 205 of the organic EL element 21 through a contact hole.

そして、図3に示すように、駆動トランジスタ22を含む駆動回路が形成されたガラス基板201上に、絶縁膜202、絶縁平坦化膜203およびウインド絶縁膜204を介して有機EL素子21が画素単位で形成された後は、パッシベーション膜208を介して封止基板209が接着剤210によって接合され、当該封止基板209によって有機EL素子21が封止されることにより、表示パネル70が形成される。   Then, as shown in FIG. 3, the organic EL element 21 is formed on the glass substrate 201 on which the drive circuit including the drive transistor 22 is formed, with the insulating film 202, the insulating planarizing film 203, and the window insulating film 204 interposed therebetween. After the formation, the sealing substrate 209 is bonded by the adhesive 210 through the passivation film 208, and the organic EL element 21 is sealed by the sealing substrate 209, whereby the display panel 70 is formed. .

(有機EL表示装置の基本的な回路動作)
次に、本実施形態に係る有機EL表示装置10の基本的な回路動作について、図4のタイミング波形図を基に図5および図6の動作説明図を用いて説明する。
(Basic circuit operation of organic EL display device)
Next, the basic circuit operation of the organic EL display device 10 according to the present embodiment will be described with reference to the operation explanatory diagrams of FIGS. 5 and 6 based on the timing waveform diagram of FIG.

なお、図5および図6の動作説明図では、図面の簡略化のために、書込みトランジスタ23をスイッチのシンボルで図示している。また、有機EL素子21は容量成分Celを持っていることから、当該容量成分Celについても図示している。   In the operation explanatory diagrams of FIGS. 5 and 6, the write transistor 23 is illustrated by a switch symbol for simplification of the drawing. Further, since the organic EL element 21 has a capacitive component Cel, the capacitive component Cel is also illustrated.

図4のタイミング波形図には、走査線31(31−1〜31−m)の電位(走査信号)WSの変化、電源供給線32(32−1〜32−m)の電位DSの変化、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgおよびソース電位Vsの変化を示している。   The timing waveform diagram of FIG. 4 shows changes in the potential (scanning signal) WS of the scanning lines 31 (31-1 to 31-m), changes in the potential DS of the power supply lines 32 (32-1 to 32-m), Changes in the gate potential Vg and the source potential Vs of the drive transistor 22 are shown.

<前フレームの発光期間>
図4のタイミング波形図において、時刻t1以前は、前のフレームにおける有機EL素子21の発光期間となる。この発光期間では、電源供給線32の電位DSが第1電源電位(以下、「高電位」と記述する)Vccpにあり、また、書込みトランジスタ23が非導通状態にある。
<Light emission period of previous frame>
In the timing waveform diagram of FIG. 4, the light emission period of the organic EL element 21 in the previous frame is before time t1. In this light emission period, the potential DS of the power supply line 32 is at the first power supply potential (hereinafter referred to as “high potential”) Vccp, and the writing transistor 23 is in a non-conductive state.

このとき、駆動トランジスタ22は飽和領域で動作するように設定されているために、図5(A)に示すように、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsに応じた駆動電流(ドレイン−ソース間電流)Idsが、電源供給線32から駆動トランジスタ22を通して有機EL素子21に供給される。よって、有機EL素子21が駆動電流Idsの電流値に応じた輝度で発光する。   At this time, since the driving transistor 22 is set to operate in the saturation region, a driving current (drain-source) corresponding to the gate-source voltage Vgs of the driving transistor 22 as shown in FIG. Current Ids is supplied from the power supply line 32 to the organic EL element 21 through the drive transistor 22. Therefore, the organic EL element 21 emits light with a luminance corresponding to the current value of the drive current Ids.

<閾値補正準備期間>
時刻t1になると、線順次走査の新しいフレーム(現フレーム)に入る。そして、図5(B)に示すように、電源供給線32の電位DSが高電位Vccpから、信号線33の基準電位Vofsに対してVofs−Vthよりも十分に低い第2電源電位(以下、「低電位」と記述する)Viniに切り替わる。
<Threshold correction preparation period>
At time t1, a new frame (current frame) for line sequential scanning is entered. As shown in FIG. 5B, the second power supply potential (hereinafter, referred to as the potential DS of the power supply line 32 is sufficiently lower than Vofs−Vth with respect to the reference potential Vofs of the signal line 33 from the high potential Vccp. Switch to Vini) (described as “low potential”).

ここで、有機EL素子21の閾値電圧をVel、共通電源供給線34の電位をVcathとするとき、低電位ViniをVini<Vel+Vcathとすると、駆動トランジスタ22のソース電位Vsが低電位Viniにほぼ等しくなるために、有機EL素子21は逆バイアス状態となって消光する。   Here, when the threshold voltage of the organic EL element 21 is Vel and the potential of the common power supply line 34 is Vcath, if the low potential Vini is Vini <Vel + Vcath, the source potential Vs of the drive transistor 22 is substantially equal to the low potential Vini. Therefore, the organic EL element 21 is extinguished in a reverse bias state.

次に、時刻t2で走査線31の電位WSが低電位側から高電位側に遷移することで、図5(C)に示すように、書込みトランジスタ23が導通状態となる。このとき、信号出力回路60から信号線33に対して基準電位Vofsが供給されているために、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgが基準電位Vofsになる。また、駆動トランジスタ22のソース電位Vsは、基準電位Vofsよりも十分に低い電位Viniにある。   Next, when the potential WS of the scanning line 31 transits from the low potential side to the high potential side at time t2, as shown in FIG. 5C, the writing transistor 23 becomes conductive. At this time, since the reference potential Vofs is supplied from the signal output circuit 60 to the signal line 33, the gate potential Vg of the drive transistor 22 becomes the reference potential Vofs. Further, the source potential Vs of the driving transistor 22 is at a potential Vini that is sufficiently lower than the reference potential Vofs.

このとき、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧VgsはVofs−Viniとなる。ここで、Vofs−Viniが駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthよりも大きくないと、後述する閾値補正処理を行うことができないために、Vofs−Vini>Vthなる電位関係に設定する必要がある。   At this time, the gate-source voltage Vgs of the drive transistor 22 is Vofs-Vini. Here, if Vofs−Vini is not larger than the threshold voltage Vth of the drive transistor 22, threshold correction processing described later cannot be performed, and therefore it is necessary to set a potential relationship of Vofs−Vini> Vth.

このように、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgを基準電位Vofsに、ソース電位Vsを低電位Viniにそれぞれ固定して(確定させて)初期化する処理が、後述する閾値補正処理を行う前の準備(閾値補正準備)の処理である。したがって、基準電位Vofsおよび低電位Viniが、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgおよびソース電位Vsの各初期化電位となる。   As described above, the process of fixing (initializing) the gate potential Vg of the drive transistor 22 to the reference potential Vofs and the source potential Vs to the low potential Vini is a preparation before performing a threshold correction process described later. (Threshold correction preparation) processing. Therefore, the reference potential Vofs and the low potential Vini become the initialization potentials of the gate potential Vg and the source potential Vs of the drive transistor 22, respectively.

<閾値補正期間>
次に、時刻t3で、図5(D)に示すように、電源供給線32の電位DSが低電位Viniから高電位Vccpに切り替わると、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgが保たれた状態で、当該ゲート電位Vgから駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthを減じた電位に向かって駆動トランジスタ22のソース電位Vsが上昇を開始する。やがて、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsが駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthに収束し、当該閾値電圧Vthに相当する電圧が保持容量24に保持される。
<Threshold correction period>
Next, at time t3, as shown in FIG. 5D, when the potential DS of the power supply line 32 is switched from the low potential Vini to the high potential Vccp, the gate potential Vg of the drive transistor 22 is maintained. The source potential Vs of the drive transistor 22 starts to increase toward the potential obtained by subtracting the threshold voltage Vth of the drive transistor 22 from the gate potential Vg. Eventually, the gate-source voltage Vgs of the drive transistor 22 converges to the threshold voltage Vth of the drive transistor 22, and a voltage corresponding to the threshold voltage Vth is held in the storage capacitor 24.

ここでは、便宜上、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgを保った状態で、駆動トランジスタ22のゲート電極の初期化電位(基準電位)Vofsを基準として、当該初期化電位Vofsから駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthを減じた電位に向かって駆動トランジスタ22のソース電位Vsを変化、具体的には上昇させ、最終的に収束した駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsを駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthとして検出して当該閾値電圧Vthに相当する電圧を保持容量24に保持する処理を行なう期間を閾値補正期間と呼んでいる。   Here, for convenience, with the gate potential Vg of the drive transistor 22 maintained, the initialization potential (reference potential) Vofs of the gate electrode of the drive transistor 22 is used as a reference and the threshold voltage Vth of the drive transistor 22 from the initialization potential Vofs. The source potential Vs of the drive transistor 22 is changed, specifically increased, toward the potential obtained by subtracting the voltage, and the gate-source voltage Vgs of the drive transistor 22 finally converged is detected as the threshold voltage Vth of the drive transistor 22. A period during which a process corresponding to holding the voltage corresponding to the threshold voltage Vth is held in the holding capacitor 24 is called a threshold correction period.

なお、この閾値補正期間において、電流が専ら保持容量24側に流れ、有機EL素子21側には流れないようにするために、有機EL素子21がカットオフ状態となるように共通電源供給線34の電位Vcathを設定しておくこととする。   In the threshold correction period, the common power supply line 34 is set so that the organic EL element 21 is cut off in order to prevent the current from flowing exclusively to the storage capacitor 24 side and to the organic EL element 21 side. The potential Vcath is set in advance.

次に、時刻t4で走査線31の電位WSが低電位側に遷移することで、図6(A)に示すように、書込みトランジスタ23が非導通状態となる。このとき、駆動トランジスタ22のゲート電極が信号線33から電気的に切り離されることによってフローティング状態になるが、ゲート−ソース間電圧Vgsが駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthに等しいために、当該駆動トランジスタ22はカットオフ状態にある。したがって、駆動トランジスタ22にドレイン−ソース間電流Idsは流れない。   Next, at time t4, the potential WS of the scanning line 31 transitions to the low potential side, so that the writing transistor 23 is turned off as illustrated in FIG. At this time, the gate electrode of the drive transistor 22 is electrically disconnected from the signal line 33 to be in a floating state. However, since the gate-source voltage Vgs is equal to the threshold voltage Vth of the drive transistor 22, the drive transistor 22 Is in a cut-off state. Therefore, the drain-source current Ids does not flow through the driving transistor 22.

<信号書込み&移動度補正期間>
次に、時刻t5で、図6(B)に示すように、信号線33の電位が基準電位Vofsから映像信号の信号電圧Vsigに切り替わる。続いて、時刻t6で、走査線31の電位WSが高電位側に遷移することで、図6(C)に示すように、書込みトランジスタ23が導通状態になって映像信号の信号電圧Vsigをサンプリングして画素20内に書き込む。
<Signal writing & mobility correction period>
Next, at time t5, as shown in FIG. 6B, the potential of the signal line 33 is switched from the reference potential Vofs to the signal voltage Vsig of the video signal. Subsequently, at time t6, the potential WS of the scanning line 31 transitions to the high potential side, so that the writing transistor 23 becomes conductive as shown in FIG. 6C, and the signal voltage Vsig of the video signal is sampled. To write in the pixel 20.

この書込みトランジスタ23による信号電圧Vsigの書き込みにより、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgが信号電圧Vsigとなる。そして、映像信号の信号電圧Vsigによる駆動トランジスタ22の駆動の際に、当該駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthが保持容量24に保持された閾値電圧Vthに相当する電圧と相殺されることによって閾値補正が行われる。閾値補正の原理については後述する。   By writing the signal voltage Vsig by the writing transistor 23, the gate potential Vg of the driving transistor 22 becomes the signal voltage Vsig. When the driving transistor 22 is driven by the signal voltage Vsig of the video signal, the threshold voltage correction is performed by canceling the threshold voltage Vth of the driving transistor 22 with a voltage corresponding to the threshold voltage Vth held in the holding capacitor 24. Done. The principle of threshold correction will be described later.

このとき、有機EL素子21は始めカットオフ状態(ハイインピーダンス状態)にあるために、映像信号の信号電圧Vsigに応じて電源供給線32から駆動トランジスタ22に流れる電流(ドレイン−ソース間電流Ids)は有機EL素子21の容量成分Celに流れ込み、よって当該容量成分Celの充電が開始される。   At this time, since the organic EL element 21 is initially in a cut-off state (high impedance state), a current (drain-source current Ids) that flows from the power supply line 32 to the drive transistor 22 according to the signal voltage Vsig of the video signal. Flows into the capacitance component Cel of the organic EL element 21, and charging of the capacitance component Cel is started.

この容量成分Celの充電により、駆動トランジスタ22のソース電位Vsが時間の経過と共に上昇していく。このとき既に、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthのばらつきは補正されており、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsは当該駆動トランジスタ22の移動度μに依存したものとなる。   Due to the charging of the capacitive component Cel, the source potential Vs of the driving transistor 22 rises with time. At this time, the variation in the threshold voltage Vth of the drive transistor 22 has already been corrected, and the drain-source current Ids of the drive transistor 22 depends on the mobility μ of the drive transistor 22.

ここで、書込みゲイン(映像信号の信号電圧Vsigに対する保持容量24の保持電圧Vgsの比率)が1(理想値)であると仮定すると、駆動トランジスタ22のソース電位VsがVofs−Vth+ΔVの電位まで上昇することで、駆動トランジスタ22のゲート‐ソース間電圧VgsはVsig−Vofs+Vth−ΔVとなる。   Here, assuming that the write gain (ratio of the holding voltage Vgs of the holding capacitor 24 to the signal voltage Vsig of the video signal) is 1 (ideal value), the source potential Vs of the driving transistor 22 rises to a potential of Vofs−Vth + ΔV. Thus, the gate-source voltage Vgs of the drive transistor 22 becomes Vsig−Vofs + Vth−ΔV.

すなわち、駆動トランジスタ22のソース電位Vsの上昇分ΔVは、保持容量24に保持された電圧(Vsig−Vofs+Vth)から差し引かれるように、換言すれば、保持容量24の充電電荷を放電するように作用し、負帰還がかけられたことになる。したがって、ソース電位Vsの上昇分ΔVは負帰還の帰還量となる。   That is, the increase ΔV of the source potential Vs of the drive transistor 22 is subtracted from the voltage (Vsig−Vofs + Vth) held in the holding capacitor 24, in other words, the charge of the holding capacitor 24 is discharged. And negative feedback was applied. Therefore, the increase ΔV of the source potential Vs becomes a feedback amount of negative feedback.

このように、駆動トランジスタ22に流れるドレイン−ソース間電流Idsを当該駆動トランジスタ22のゲート入力に、即ちゲート‐ソース間電圧Vgsに負帰還することにより、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsの移動度μに対する依存性を打ち消す、即ち移動度μの画素ごとのばらつきを補正する移動度補正が行われる。   As described above, the drain-source current Ids flowing through the drive transistor 22 is negatively fed back to the gate input of the drive transistor 22, that is, the gate-source voltage Vgs, so that the drain-source current Ids of the drive transistor 22 is reduced. Mobility correction is performed to cancel the dependence on the mobility μ, that is, to correct the variation of the mobility μ for each pixel.

より具体的には、映像信号の信号電圧Vsigが高いほどドレイン−ソース間電流Idsが大きくなるために、負帰還の帰還量(補正量)ΔVの絶対値も大きくなる。したがって、発光輝度レベルに応じた移動度補正が行われる。   More specifically, since the drain-source current Ids increases as the signal voltage Vsig of the video signal increases, the absolute value of the feedback amount (correction amount) ΔV of negative feedback also increases. Therefore, the mobility correction according to the light emission luminance level is performed.

また、映像信号の信号電圧Vsigを一定とした場合、駆動トランジスタ22の移動度μが大きいほど負帰還の帰還量ΔVの絶対値も大きくなるために、画素ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。したがって、負帰還の帰還量ΔVは移動度補正の補正量とも言える。移動度補正の原理の詳細については後述する。   Further, when the signal voltage Vsig of the video signal is constant, the absolute value of the feedback amount ΔV of the negative feedback increases as the mobility μ of the driving transistor 22 increases, so that variation in the mobility μ for each pixel is removed. Can do. Therefore, it can be said that the feedback amount ΔV of the negative feedback is a correction amount for mobility correction. Details of the principle of mobility correction will be described later.

<発光期間>
次に、時刻t7で走査線31の電位WSが低電位側に遷移することで、図6(D)に示すように、書込みトランジスタ23が非導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ22のゲート電極は、信号線33から電気的に切り離されるためにフローティング状態になる。
<Light emission period>
Next, at time t7, the potential WS of the scanning line 31 shifts to the low potential side, so that the writing transistor 23 is turned off as illustrated in FIG. 6D. As a result, the gate electrode of the driving transistor 22 is electrically disconnected from the signal line 33 and is in a floating state.

ここで、駆動トランジスタ22のゲート電極がフローティング状態にあるときは、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間に保持容量24が接続されていることにより、駆動トランジスタ22のソース電位Vsが変動すると、当該ソース電位Vsの変動に連動して(追従して)駆動トランジスタ22のゲート電位Vgも変動する。このように、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgがソース電位Vsの変動に連動して変動する動作が、保持容量24によるブートストラップ動作である。   Here, when the gate electrode of the driving transistor 22 is in a floating state, if the storage capacitor 24 is connected between the gate and the source of the driving transistor 22 and the source potential Vs of the driving transistor 22 fluctuates, The gate potential Vg of the drive transistor 22 also varies in conjunction with (follows) the variation in the potential Vs. Thus, the operation in which the gate potential Vg of the drive transistor 22 varies in conjunction with the variation in the source potential Vs is a bootstrap operation by the storage capacitor 24.

駆動トランジスタ22のゲート電極がフローティング状態になり、それと同時に、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsが有機EL素子21に流れ始めることにより、有機EL素子21のアノード電位は、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsに応じて上昇する。   At the same time, the drain-source current Ids of the drive transistor 22 starts to flow into the organic EL element 21, so that the anode potential of the organic EL element 21 becomes the drain potential of the drive transistor 22. -Increases according to the source-to-source current Ids.

そして、有機EL素子21のアノード電位がVel+Vcathを越えると、有機EL素子21に駆動電流(発光電流)が流れ始めるために、有機EL素子21が発光を開始する。また、有機EL素子21のアノード電位の上昇は、即ち駆動トランジスタ22のソース電位Vsの上昇に他ならない。駆動トランジスタ22のソース電位Vsが上昇すると、保持容量24のブートストラップ動作により、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgも連動して上昇する。   When the anode potential of the organic EL element 21 exceeds Vel + Vcath, a driving current (light emission current) starts to flow through the organic EL element 21, and thus the organic EL element 21 starts to emit light. The increase in the anode potential of the organic EL element 21 is nothing but the increase in the source potential Vs of the drive transistor 22. When the source potential Vs of the drive transistor 22 rises, the gate potential Vg of the drive transistor 22 also rises in conjunction with the bootstrap operation of the storage capacitor 24.

このとき、ブートストラップゲインが1(理想値)であると仮定した場合、ゲート電位Vgの上昇量はソース電位Vsの上昇量に等しくなる。故に、発光期間中駆動トランジスタ22のゲート‐ソース間電圧VgsはVsig−Vofs+Vth−ΔVで一定に保持される。そして、時刻t8で信号線33の電位が映像信号の信号電圧Vsigから基準電位Vofsに切り替わる。   At this time, assuming that the bootstrap gain is 1 (ideal value), the amount of increase in the gate potential Vg is equal to the amount of increase in the source potential Vs. Therefore, the gate-source voltage Vgs of the drive transistor 22 is kept constant at Vsig−Vofs + Vth−ΔV during the light emission period. At time t8, the potential of the signal line 33 is switched from the signal voltage Vsig of the video signal to the reference potential Vofs.

(閾値補正の原理)
ここで、駆動トランジスタ22の閾値補正の原理について説明する。駆動トランジスタ22は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。これにより、有機EL素子21には駆動トランジスタ22から、次式(1)で与えられる一定のドレイン−ソース間電流(駆動電流)Idsが供給される。
Ids=(1/2)・μ(W/L)Cox(Vgs−Vth)2 ……(1)
ここで、Wは駆動トランジスタ22のチャネル幅、Lはチャネル長、Coxは単位面積当たりのゲート容量である。
(Principle of threshold correction)
Here, the principle of threshold correction of the drive transistor 22 will be described. The drive transistor 22 operates as a constant current source because it is designed to operate in the saturation region. As a result, a constant drain-source current (drive current) Ids given by the following equation (1) is supplied from the drive transistor 22 to the organic EL element 21.
Ids = (1/2) · μ (W / L) Cox (Vgs−Vth) 2 (1)
Here, W is the channel width of the drive transistor 22, L is the channel length, and Cox is the gate capacitance per unit area.

図7に、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Ids対ゲート−ソース間電圧Vgsの特性を示す。   FIG. 7 shows characteristics of the drain-source current Ids of the drive transistor 22 versus the gate-source voltage Vgs.

この特性図に示すように、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthの画素ごとのばらつきに対する補正を行わないと、閾値電圧VthがVth1のとき、ゲート−ソース間電圧Vgsに対応するドレイン−ソース間電流IdsがIds1になる。   As shown in this characteristic diagram, when correction for variation in the threshold voltage Vth of the driving transistor 22 for each pixel is not performed, when the threshold voltage Vth is Vth1, the drain-source current Ids corresponding to the gate-source voltage Vgs. Becomes Ids1.

これに対して、閾値電圧VthがVth2(Vth2>Vth1)のとき、同じゲート−ソース間電圧Vgsに対応するドレイン−ソース間電流IdsがIds2(Ids2<Ids)になる。すなわち、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthが変動すると、ゲート−ソース間電圧Vgsが一定であってもドレイン−ソース間電流Idsが変動する。   On the other hand, when the threshold voltage Vth is Vth2 (Vth2> Vth1), the drain-source current Ids corresponding to the same gate-source voltage Vgs is Ids2 (Ids2 <Ids). That is, when the threshold voltage Vth of the drive transistor 22 varies, the drain-source current Ids varies even if the gate-source voltage Vgs is constant.

一方、上記構成の画素(画素回路)20では、先述したように、発光時の駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧VgsがVsig−Vofs+Vth−ΔVであるために、これを式(1)に代入すると、ドレイン−ソース間電流Idsは、
Ids=(1/2)・μ(W/L)Cox(Vsig−Vofs−ΔV)2
……(2)
で表される。
On the other hand, in the pixel (pixel circuit) 20 having the above configuration, as described above, the gate-source voltage Vgs of the drive transistor 22 during light emission is Vsig−Vofs + Vth−ΔV. Then, the drain-source current Ids is
Ids = (1/2) · μ (W / L) Cox (Vsig−Vofs−ΔV) 2
(2)
It is represented by

すなわち、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ22から有機EL素子21に供給されるドレイン−ソース間電流Idsは、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthに依存しない。その結果、駆動トランジスタ22の製造プロセスのばらつきや経時変化により、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthが画素ごとに変動したとしても、ドレイン−ソース間電流Idsが変動しないために、有機EL素子21の発光輝度も変動しない。   That is, the term of the threshold voltage Vth of the drive transistor 22 is canceled, and the drain-source current Ids supplied from the drive transistor 22 to the organic EL element 21 does not depend on the threshold voltage Vth of the drive transistor 22. As a result, even if the threshold voltage Vth of the drive transistor 22 varies from pixel to pixel due to variations in the manufacturing process of the drive transistor 22 and changes over time, the drain-source current Ids does not vary. The brightness does not change.

(移動度補正の原理)
次に、駆動トランジスタ22の移動度補正の原理について説明する。図8に、駆動トランジスタ22の移動度μが相対的に大きい画素Aと、駆動トランジスタ22の移動度μが相対的に小さい画素Bとを比較した状態で特性カーブを示す。駆動トランジスタ22をポリシリコン薄膜トランジスタなどで構成した場合、画素Aや画素Bのように、画素間で移動度μがばらつくことは避けられない。
(Principle of mobility correction)
Next, the principle of mobility correction of the drive transistor 22 will be described. FIG. 8 shows a characteristic curve in a state where a pixel A having a relatively high mobility μ of the driving transistor 22 and a pixel B having a relatively low mobility μ of the driving transistor 22 are compared. When the driving transistor 22 is composed of a polysilicon thin film transistor or the like, it is inevitable that the mobility μ varies between pixels like the pixel A and the pixel B.

画素Aと画素Bで移動度μにばらつきがある状態で、例えば両画素A,Bに同レベルの映像信号の信号電圧Vsigを書き込んだ場合に、何ら移動度μの補正を行わないと、移動度μの大きい画素Aに流れるドレイン−ソース間電流Ids1′と移動度μの小さい画素Bに流れるドレイン−ソース間電流Ids2′との間には大きな差が生じてしまう。このように、移動度μの画素ごとのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Idsに画素間で大きな差が生じると、画面のユニフォーミティが損なわれる。   For example, when the signal voltage Vsig of the video signal of the same level is written in both the pixels A and B in the state where the mobility μ is varied between the pixel A and the pixel B, the movement is not performed. There is a large difference between the drain-source current Ids1 'flowing through the pixel A having a high degree μ and the drain-source current Ids2' flowing through the pixel B having a low mobility μ. Thus, when a large difference occurs between the pixels in the drain-source current Ids due to the variation in mobility μ from pixel to pixel, the uniformity of the screen is impaired.

ここで、先述した式(1)のトランジスタ特性式から明らかなように、移動度μが大きいとドレイン−ソース間電流Idsが大きくなる。したがって、負帰還における帰還量ΔVは移動度μが大きくなるほど大きくなる。図8に示すように、移動度μの大きな画素Aの帰還量ΔV1は、移動度の小さな画素Bの帰還量ΔV2に比べて大きい。   Here, as is clear from the transistor characteristic equation of Equation (1), the drain-source current Ids increases when the mobility μ is large. Therefore, the feedback amount ΔV in the negative feedback increases as the mobility μ increases. As shown in FIG. 8, the feedback amount ΔV1 of the pixel A having a high mobility μ is larger than the feedback amount ΔV2 of the pixel B having a low mobility.

そこで、移動度補正処理によって駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsを映像信号の信号電圧Vsig側に負帰還させることにより、移動度μが大きいほど負帰還が大きくかかることになるために、移動度μの画素ごとのばらつきを抑制することができる。   Therefore, by negatively feeding back the drain-source current Ids of the drive transistor 22 to the signal voltage Vsig side of the video signal by mobility correction processing, the larger the mobility μ, the larger the negative feedback is applied. It is possible to suppress the variation for each pixel of degree μ.

具体的には、移動度μの大きな画素Aで帰還量ΔV1の補正をかけると、ドレイン−ソース間電流IdsはIds1′からIds1まで大きく下降する。一方、移動度μの小さな画素Bの帰還量ΔV2は小さいために、ドレイン−ソース間電流IdsはIds2′からIds2までの下降となり、それ程大きく下降しない。結果的に、画素Aのドレイン−ソース間電流Ids1と画素Bのドレイン−ソース間電流Ids2とはほぼ等しくなるために、移動度μのばらつきが補正される。   Specifically, when the feedback amount ΔV1 is corrected in the pixel A having a high mobility μ, the drain-source current Ids greatly decreases from Ids1 ′ to Ids1. On the other hand, since the feedback amount ΔV2 of the pixel B having a low mobility μ is small, the drain-source current Ids decreases from Ids2 ′ to Ids2, and does not decrease that much. As a result, since the drain-source current Ids1 of the pixel A and the drain-source current Ids2 of the pixel B are substantially equal, the variation in the mobility μ is corrected.

以上をまとめると、移動度μの異なる画素Aと画素Bがあった場合、移動度μの大きい画素Aの帰還量ΔV1は移動度μの小さい画素Bの帰還量ΔV2に比べて大きくなる。つまり、移動度μが大きい画素ほど帰還量ΔVが大きく、ドレイン−ソース間電流Idsの減少量が大きくなる。   In summary, when there are a pixel A and a pixel B having different mobility μ, the feedback amount ΔV1 of the pixel A having a high mobility μ is larger than the feedback amount ΔV2 of the pixel B having a low mobility μ. That is, the larger the mobility μ, the larger the feedback amount ΔV, and the larger the amount of decrease in the drain-source current Ids.

したがって、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsを、映像信号の信号電圧Vsigが印加される駆動トランジスタ22のゲート電極側に負帰還させることにより、移動度μの異なる画素のドレイン−ソース間電流Idsの電流値が均一化される。その結果、移動度μの画素ごとのばらつきを補正することができる。すなわち、駆動トランジスタ22に流れる電流(ドレイン−ソース間電流Ids)を、駆動トランジスタ22のゲート電極側に負帰還させる処理が移動度補正処理となる。   Therefore, the drain-source current of the pixels having different mobility μ is obtained by negatively feeding back the drain-source current Ids of the drive transistor 22 to the gate electrode side of the drive transistor 22 to which the signal voltage Vsig of the video signal is applied. The current value of Ids is made uniform. As a result, variation in mobility μ for each pixel can be corrected. That is, the process for negatively feeding back the current flowing through the drive transistor 22 (drain-source current Ids) to the gate electrode side of the drive transistor 22 is the mobility correction process.

ここで、図2に示した画素(画素回路)20において、閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電位(サンプリング電位)Vsigと駆動トランジスタ22のドレイン・ソース間電流Idsとの関係について図9を用いて説明する。   Here, in the pixel (pixel circuit) 20 shown in FIG. 2, the relationship between the signal potential (sampling potential) Vsig of the video signal and the drain-source current Ids of the drive transistor 22 depending on the presence or absence of threshold correction and mobility correction. This will be described with reference to FIG.

図9において、(A)は閾値補正および移動度補正を共に行わない場合、(B)は移動度補正を行わず、閾値補正のみを行った場合、(C)は閾値補正および移動度補正を共に行った場合をそれぞれ示している。図9(A)に示すように、閾値補正および移動度補正を共に行わない場合には、閾値電圧Vthおよび移動度μの画素A,Bごとのばらつきに起因してドレイン・ソース間電流Idsに画素A,B間で大きな差が生じることになる。   In FIG. 9, (A) does not perform both threshold correction and mobility correction, (B) does not perform mobility correction, and performs only threshold correction, (C) performs threshold correction and mobility correction. Each case is shown. As shown in FIG. 9A, when neither threshold correction nor mobility correction is performed, the drain-source current Ids is caused by variations in the threshold voltage Vth and the mobility μ for each of the pixels A and B. A large difference occurs between the pixels A and B.

これに対して、閾値補正のみを行った場合は、図9(B)に示すように、当該閾値補正によってドレイン−ソース間電流Idsのばらつきをある程度低減できるものの、移動度μの画素A,Bごとのばらつきに起因する画素A,B間でのドレイン−ソース間電流Idsの差は残る。   On the other hand, when only the threshold correction is performed, as shown in FIG. 9B, although the variation in the drain-source current Ids can be reduced to some extent by the threshold correction, the pixels A and B having the mobility μ A difference in the drain-source current Ids between the pixels A and B due to the variation of each pixel remains.

そして、閾値補正および移動度補正を共に行うことにより、図9(C)に示すように、閾値電圧Vthおよび移動度μの画素A,Bごとのばらつきに起因する画素A,B間でのドレイン−ソース間電流Idsの差をほぼ無くすことができるために、どの階調においても有機EL素子21の輝度ばらつきは発生せず、良好な画質の表示画像を得ることができる。   Then, by performing both the threshold correction and the mobility correction, as shown in FIG. 9C, the drain between the pixels A and B due to the variation of the threshold voltage Vth and the mobility μ for each of the pixels A and B. -Since the difference between the source currents Ids can be almost eliminated, the luminance variation of the organic EL element 21 does not occur at any gradation, and a display image with good image quality can be obtained.

また、図2に示した画素20は、閾値補正および移動度補正の各補正機能に加えて、先述した保持容量24によるブートストラップ動作の機能を備えていることで、次のような作用効果を得ることができる。   Further, the pixel 20 shown in FIG. 2 has the function of bootstrap operation by the holding capacitor 24 described above in addition to the correction functions of threshold correction and mobility correction. Obtainable.

すなわち、有機EL素子21のI−V特性が経時変化し、これに伴って駆動トランジスタ22のソース電位Vsが変化したとしても、保持容量24によるブートストラップ動作により、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電位Vgsを一定に維持することができるために、有機EL素子21に流れる電流は変化せず一定となる。したがって、有機EL素子21の発光輝度も一定に保たれるために、有機EL素子21のI−V特性が経時変化したとしても、それに伴う輝度劣化のない画像表示を実現できる。   That is, even if the IV characteristic of the organic EL element 21 changes with time, and the source potential Vs of the drive transistor 22 changes accordingly, the bootstrap operation by the storage capacitor 24 causes the gate-source connection of the drive transistor 22. Since the potential Vgs can be maintained constant, the current flowing through the organic EL element 21 does not change and is constant. Therefore, since the light emission luminance of the organic EL element 21 is also kept constant, even if the IV characteristic of the organic EL element 21 changes with time, it is possible to realize an image display that does not cause luminance deterioration associated therewith.

(移動度補正の最適補正時間について)
先述した動作説明から明らかなように、移動度が高い駆動トランジスタと移動度が低い駆動トランジスタとを考えた場合、移動度補正期間において、移動度が高い駆動トランジスタは移動度が低い駆動トランジスタに対してソース電位Vsが大きく上昇する。また、ソース電位Vsが大きく上昇するほど駆動トランジスタのゲート−ソース間の電位差Vgsが小さくなるために、駆動トランジスタに電流が流れにくくなる。
(About the optimal correction time for mobility correction)
As is clear from the above-described operation explanation, when considering a driving transistor with high mobility and a driving transistor with low mobility, the driving transistor with high mobility is compared to the driving transistor with low mobility in the mobility correction period. As a result, the source potential Vs greatly increases. In addition, since the potential difference Vgs between the gate and the source of the driving transistor becomes smaller as the source potential Vs increases, current hardly flows to the driving transistor.

したがって、移動度補正処理を施す補正時間(以下、単に「移動度補正の補正時間」と記述する)を調整し、駆動トランジスタ22のゲート入力、即ち映像信号の信号電圧Vsigに対する補正量(=ドレイン−ソース間電流Idsの負帰還における帰還量ΔV)を変えることにより、移動度μの違う駆動トランジスタに対して同じ電流を流すことができる。このことから、移動度補正の補正時間を各映像信号の信号電圧Vsigにおいて最適化する、即ち移動度補正の補正時間を映像信号の信号電圧Vsigに応じた最適な補正時間に設定する必要がある。   Therefore, the correction time for performing the mobility correction process (hereinafter simply referred to as “mobility correction correction time”) is adjusted, and the correction amount (= drain) for the gate input of the drive transistor 22, that is, the signal voltage Vsig of the video signal. -By changing the feedback amount ΔV) in the negative feedback of the source-to-source current Ids, the same current can be supplied to the drive transistors having different mobility μ. Therefore, it is necessary to optimize the correction time for mobility correction in the signal voltage Vsig of each video signal, that is, to set the correction time for mobility correction to an optimal correction time according to the signal voltage Vsig of the video signal. .

移動度補正の最適補正時間t(以下、単に「補正時間t」と記述する場合もある)は、
t=C/(kμVsig) ……(3)
なる式で与えられる。ここで、定数kはk=(1/2)(W/L)Coxである。また、Cは移動度補正を行うときに放電されるノードの容量であり、図2の回路例では有機EL素子21の等価容量(容量成分Cel)および保持容量24の合成容量となる。
The optimum correction time t for mobility correction (hereinafter sometimes simply referred to as “correction time t”) is:
t = C / (kμVsig) (3)
It is given by Here, the constant k is k = (1/2) (W / L) Cox. Further, C is a capacity of a node that is discharged when the mobility correction is performed. In the circuit example of FIG. 2, C is an equivalent capacity (capacitance component Cel) of the organic EL element 21 and a combined capacity of the storage capacitor 24.

また、移動度補正の最適補正時間tは、書込みトランジスタ23が導通状態から非導通状態に移行するタイミングで決まる。そして、書込みトランジスタ23は、ゲート電位と信号線33の電位との間の電位差、即ちゲート・ソース間電圧が閾値電圧Vthになったところでカットオフする、即ち導通状態から非導通状態に移行する。   The optimum correction time t for mobility correction is determined by the timing at which the write transistor 23 shifts from the conductive state to the non-conductive state. Then, the writing transistor 23 is cut off when the potential difference between the gate potential and the potential of the signal line 33, that is, the gate-source voltage reaches the threshold voltage Vth, that is, shifts from the conductive state to the non-conductive state.

ところで、出願人は、移動度補正の補正時間tを映像信号の信号電圧Vsigに反比例するように、即ち信号電圧Vsigが高いときほど補正時間tが短くなり、信号電圧Vsigが低いときほど補正時間tが長くなるように設定することで、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsの移動度μに対する依存性をより確実に打ち消すことができることを、即ち移動度μの画素ごとのばらつきをより確実に補正できることを確認している。   By the way, the applicant makes the correction time t for mobility correction inversely proportional to the signal voltage Vsig of the video signal, that is, the correction time t becomes shorter as the signal voltage Vsig is higher, and the correction time is lower as the signal voltage Vsig is lower. By setting t to be longer, it is possible to more reliably cancel the dependence of the drain-source current Ids of the driving transistor 22 on the mobility μ, that is, more reliably the variation of the mobility μ from pixel to pixel. It is confirmed that it can be corrected.

このことから、書込みトランジスタ23のゲート電極に印加する書込みパルスWSを、ハイレベルからローレベルに遷移するときの立下がり波形(書込みトランジスタ23がPチャネルのときは立上がり波形)が、図10に示すように、映像信号の信号電圧Vsigに対して反比例する波形になるように設定している。   Therefore, the falling waveform when the write pulse WS applied to the gate electrode of the write transistor 23 transitions from the high level to the low level (the rising waveform when the write transistor 23 is a P channel) is shown in FIG. As described above, the waveform is set to be inversely proportional to the signal voltage Vsig of the video signal.

書込みパルスWSの立下がり波形を、映像信号の信号電圧Vsigに対して反比例するような波形に設定することで、書込みトランジスタ23のゲート−ソース間電圧が閾値電圧Vthになったところで当該書込みトランジスタ23がカットオフするために、移動度補正の最適補正時間tを映像信号の信号電圧Vsigに反比例するように設定することができる。   By setting the falling waveform of the write pulse WS to a waveform that is inversely proportional to the signal voltage Vsig of the video signal, when the gate-source voltage of the write transistor 23 reaches the threshold voltage Vth, the write transistor 23 Therefore, the optimum correction time t for mobility correction can be set to be inversely proportional to the signal voltage Vsig of the video signal.

具体的には、図10の波形図から明らかなように、書込みトランジスタ23は、白レベルに対応した信号電圧Vsig(白)のときは、ゲート−ソース間電圧がVsig(白)+Vthになったところでカットオフするために移動度補正の補正時間t(白)が一番短く設定され、グレーレベルに対応した信号電圧Vsig(グレー)のときは、ゲート−ソース間電圧がVsig(グレー)+Vthになったところでカットオフするために補正時間t(グレー)が補正時間t(白)よりも長く設定されることになる。   Specifically, as is apparent from the waveform diagram of FIG. 10, when the signal voltage Vsig (white) corresponding to the white level of the write transistor 23, the gate-source voltage becomes Vsig (white) + Vth. By the way, in order to cut off, the correction time t (white) for mobility correction is set to be the shortest, and when the signal voltage Vsig (gray) corresponding to the gray level, the gate-source voltage becomes Vsig (gray) + Vth. In order to cut off at this point, the correction time t (gray) is set longer than the correction time t (white).

このように、移動度補正の最適補正時間tを映像信号の信号電圧Vsigに反比例するように設定することにより、最適補正時間tを映像信号の信号電圧Vsigに対応して設定できるために、黒レベルから白レベルまで信号電圧Vsigの全レベル範囲(全階調)に亘って駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsの移動度μに対する依存性をより確実に打ち消すことができる、即ち移動度μの画素ごとのばらつきをより確実に補正することができる。   Thus, by setting the optimal correction time t for mobility correction so as to be inversely proportional to the signal voltage Vsig of the video signal, the optimal correction time t can be set corresponding to the signal voltage Vsig of the video signal. The dependence of the drain-source current Ids of the driving transistor 22 on the mobility μ can be more reliably canceled over the entire level range (all gradations) of the signal voltage Vsig from the level to the white level, that is, the mobility μ. The variation for each pixel can be corrected more reliably.

(書込み走査回路)
次に、映像信号の信号電圧Vsigに対して反比例するような立下がり波形を持つ書込みパルスWSを発生する書込み走査回路40の具体的な構成について説明する。
(Write scanning circuit)
Next, a specific configuration of the write scanning circuit 40 that generates the write pulse WS having a falling waveform that is inversely proportional to the signal voltage Vsig of the video signal will be described.

図11は、書込み走査回路40の具体的な構成の一例を示す回路図である。ここでは、画素アレイ部30のi行目の画素行に対応するi行目の回路部分40(i)を例に挙げて示しているが、他の行の回路部分についても同じ構成となっている。   FIG. 11 is a circuit diagram showing an example of a specific configuration of the write scanning circuit 40. Here, the i-th circuit portion 40 (i) corresponding to the i-th pixel row of the pixel array unit 30 is shown as an example, but the circuit portions of other rows have the same configuration. Yes.

図11に示すように、本例に係る書込み走査回路40の回路部分40(i)は、シフトレジスタの単位回路であるi段目のシフト段(論理回路を含む)41と、レベル変換回路42と、出力回路を構成する例えば2段のバッファ43,44と、電源供給部45とを有する構成となっている。ただし、レベル変換回路42は必須の構成要素ではなく、シフトレジスタの出力信号についてレベル変換を行う必要がある場合に設けられる。   As shown in FIG. 11, the circuit portion 40 (i) of the write scanning circuit 40 according to this example includes an i-th shift stage (including a logic circuit) 41, which is a unit circuit of the shift register, and a level conversion circuit 42. And, for example, two stages of buffers 43 and 44 constituting an output circuit, and a power supply unit 45. However, the level conversion circuit 42 is not an essential component and is provided when level conversion is required for the output signal of the shift register.

論理回路を含むシフト段41は、画素アレイ部30の行数に対応した段数だけ縦続接続され、負側の電源電位VSSと正側の電源電位VDDとを動作電源電位とし、VSS−VDD振幅のパルス波形の走査信号を垂直走査に同期して順次出力する。   The shift stage 41 including the logic circuit is cascade-connected by the number of stages corresponding to the number of rows of the pixel array unit 30, and the negative power supply potential VSS and the positive power supply potential VDD are used as the operation power supply potential, and the amplitude of VSS-VDD is set. A pulse waveform scanning signal is sequentially output in synchronization with the vertical scanning.

レベル変換回路42は、シフト段41の負側の電源電位VSSと同じかそれよりも低い負側の電源電位WSLow と、シフト段41の正側の電源電位VDDよりも高い正側の電源電位WSHighとを動作電源電位とし、シフト段41から出力されるVSS−VDD振幅の走査パルスをWSLow −WSHigh振幅の走査パルスSCPにレベル変換する。   The level conversion circuit 42 has a negative power supply potential WSLow equal to or lower than the negative power supply potential VSS of the shift stage 41 and a positive power supply potential WSHigh higher than the positive power supply potential VDD of the shift stage 41. And the level of the scan pulse having the VSS-VDD amplitude output from the shift stage 41 to the scan pulse SCP having the WSLow-WSHigh amplitude.

バッファ43は、レベル変換回路42と同じ負側の電源電位WSLow と正側の電源電位WSHighとの間に接続されたCMOSインバータによって構成されており、レベル変換回路42から出力される走査パルスSCPの極性を反転する。   The buffer 43 is constituted by a CMOS inverter connected between the negative power supply potential WSLow and the positive power supply potential WSHigh, which are the same as those of the level conversion circuit 42, and the scan pulse SCP output from the level conversion circuit 42 Invert the polarity.

バッファ44は、バッファ43と同じCMOSインバータによって構成されており、バッファ43から出力される反転走査パルスの極性をさらに反転してi行目の書込みパルスWS(i)として出力する。   The buffer 44 is composed of the same CMOS inverter as that of the buffer 43, and further inverts the polarity of the inverted scanning pulse output from the buffer 43 and outputs the inverted pulse as an i-th write pulse WS (i).

ただし、バッファ44は、例えば、正側の電源ラインがバッファ43の正側の電源ラインと分離されており、正側の電源電位Vddwsとして電源供給部45から専用の電源電位が供給される。なお、本例では、負側の電源ラインについてはバッファ43の負側の電源ラインと共通となっている。   However, in the buffer 44, for example, the positive power supply line is separated from the positive power supply line of the buffer 43, and a dedicated power supply potential is supplied from the power supply unit 45 as the positive power supply potential Vddws. In this example, the negative power line is common to the negative power line of the buffer 43.

電源供給部45は、例えば、第1入力端子451と出力端子452との間に接続されたスイッチ素子453と、第2入力端子454に一方の電極(ソース/ドレイン電極)が接続され、出力端子452に他方の電極(ドレイン/ソース電極)が接続されたMOSトランジスタ455とを有する構成となっている。   The power supply unit 45 includes, for example, a switch element 453 connected between the first input terminal 451 and the output terminal 452, and one electrode (source / drain electrode) connected to the second input terminal 454, and an output terminal The MOS transistor 455 is connected to the other electrode (drain / source electrode) 452.

第1入力端子451には例えばバッファ43と同じ正側の電源電位WSHighが入力され、第2入力端子454には例えばバッファ43と同じ負側の電源電位WSLow が入力される。スイッチ素子453は、第1制御端子456を介して入力される第1制御パルスCP1によってオン(閉)/オフ(開)の制御が行われる。MOSトランジスタ455は、第2制御端子457を介してゲート電極に印加される第2制御パルスCP2によって導通/非導通の制御が行われる。第1,第2制御パルスCP1,CP2は、図示せぬタイミング生成部において所定の制御タイミングで生成される。   The first input terminal 451 receives, for example, the same positive power supply potential WSHigh as that of the buffer 43, and the second input terminal 454 receives, for example, the same negative power supply potential WSLow as that of the buffer 43. The switch element 453 is controlled to be turned on (closed) / off (opened) by a first control pulse CP1 input via the first control terminal 456. The MOS transistor 455 is controlled to be conductive / non-conductive by the second control pulse CP2 applied to the gate electrode via the second control terminal 457. The first and second control pulses CP1 and CP2 are generated at a predetermined control timing in a timing generator (not shown).

続いて、上記構成の書込み走査回路40の回路部分40(i)の回路動作について、図12のタイミング波形図を用いて説明する。   Next, the circuit operation of the circuit portion 40 (i) of the write scanning circuit 40 configured as described above will be described with reference to the timing waveform diagram of FIG.

図12のタイミング波形図には、初段のバッファ43に入力される走査パルスSCP、第1制御パルスCP1、第2制御パルスCP2および書込みパルスWS(i)のタイミング関係を示している。   The timing waveform diagram of FIG. 12 shows the timing relationship between the scan pulse SCP, the first control pulse CP1, the second control pulse CP2, and the write pulse WS (i) input to the buffer 43 at the first stage.

走査パルスSCPは、時刻t11−t12の期間および時刻t13−t16の期間でアクティブ(ハイレベル)になる。時刻t11−t12の期間は、図4の時刻t2−t4の期間に対応し、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgおよびゲート電位Vsの初期化と閾値補正処理を行うための期間となる。また、時刻t13−t16の期間は、図4の時刻t6−t7の期間に対応し、映像信号の書込みおよび移動度補正処理を行うための期間となる。   The scan pulse SCP becomes active (high level) in the period from time t11 to t12 and in the period from time t13 to t16. The period from time t11 to t12 corresponds to the period from time t2 to t4 in FIG. 4 and is a period for initializing the gate potential Vg and gate potential Vs of the driving transistor 22 and performing threshold correction processing. The period from time t13 to t16 corresponds to the period from time t6 to t7 in FIG. 4 and is a period for performing video signal writing and mobility correction processing.

第1制御パルスCP1は、通常はハイレベルの状態にある。このとき、スイッチ素子453がオン状態にあるために、電源供給部45は、電源電位WSHighを最終段のバッファ44にその正側の電源電位Vddwsとして電源供給ライン46を介して供給する。これにより、時刻t11−t12の期間では、電源電位WSHighの書込みパルスWS(i)が出力される。   The first control pulse CP1 is normally in a high level state. At this time, since the switch element 453 is in the ON state, the power supply unit 45 supplies the power supply potential WSHigh to the final stage buffer 44 through the power supply line 46 as the power supply potential Vddws on the positive side. As a result, the write pulse WS (i) of the power supply potential WSHigh is output in the period from time t11 to t12.

同様にして、走査パルスSCPがアクティブ状態になる時刻t13のタイミングで、書込みパルスWS(i)が再び電源電位WSHighになる。そして、時刻t14で第1制御パルスCP1がハイレベルからローレベルに遷移することでスイッチ素子453がオフ状態となる。次いで、時刻t15で第2制御パルスCP2がローレベルからハイレベルに遷移することで、電源供給部45において、MOSトランジスタ455がオン状態になる。   Similarly, the address pulse WS (i) becomes the power supply potential WSHigh again at the time t13 when the scan pulse SCP becomes active. At time t14, the first control pulse CP1 transitions from the high level to the low level, so that the switch element 453 is turned off. Next, at time t15, the second control pulse CP2 transitions from the low level to the high level, so that the MOS transistor 455 is turned on in the power supply unit 45.

すると、最終段のバッファ44の正側の電源電位Vddwsは、MOSトランジスタ455のオン抵抗Ronと電源供給ライン46の寄生容量C_VddLとの時定数で決まる立下がり波形で負側の電源電位WSLowに向けて下降する。これにより、書込みパルスWS(i)は、上記時定数で決まる立下がり波形で立ち下がる。そして、走査パルスSCPが非アクティブ状態になる時刻t16で、書込みパルスWS(i)は負側の電源電位WSLowになって消滅する。   Then, the positive-side power supply potential Vddws of the final stage buffer 44 is directed toward the negative-side power supply potential WSLow with a falling waveform determined by the time constant between the on-resistance Ron of the MOS transistor 455 and the parasitic capacitance C_VddL of the power supply line 46. And descend. As a result, the write pulse WS (i) falls with a falling waveform determined by the time constant. At time t16 when the scan pulse SCP becomes inactive, the write pulse WS (i) becomes the negative power supply potential WSLow and disappears.

なお、上記構成の書込み走査回路40において、電源供給部45の回路構成は一例であり、電源供給部45としてはこの回路構成に限定されるものではなく、映像信号の信号電圧Vsigに対して反比例するような立下がり波形を持つ書込みパルスWSを生成するために、当該立下がり波形で立ち下がる電源電位WSHighを最終段のバッファ44にその正側の電源電位Vddwsとして供給できるものであればその構成は問わない。   In the write scanning circuit 40 having the above configuration, the circuit configuration of the power supply unit 45 is an example, and the power supply unit 45 is not limited to this circuit configuration, and is inversely proportional to the signal voltage Vsig of the video signal. In order to generate the write pulse WS having such a falling waveform, the power supply potential WSHigh falling at the falling waveform can be supplied to the final stage buffer 44 as the positive power supply potential Vddws. Does not matter.

具体的には、電源供給部45の他の回路構成として、MOSトランジスタ455の代わりに、抵抗素子とスイッチ素子とを直列に接続した構成のものや、オン抵抗が異なる複数のMOSトランジスタを並列に接続し、複数のMOSトランジスタを適宜導通させることによって所望の立下がり波形を得る構成のものや、抵抗値の異なる複数の抵抗素子と複数のスイッチ素子との複数の直列接続回路を並列に接続し、複数のスイッチ素子を適宜オンさせることによって所望の立下がり波形を得る構成のものなどが考えられる。   Specifically, as another circuit configuration of the power supply unit 45, instead of the MOS transistor 455, a configuration in which a resistance element and a switch element are connected in series, or a plurality of MOS transistors having different on-resistances are connected in parallel. Connect and connect multiple MOS transistors in parallel to each other to obtain a desired falling waveform, or connect multiple series connection circuits of multiple resistance elements and multiple switching elements with different resistance values in parallel. A configuration in which a desired falling waveform is obtained by appropriately turning on a plurality of switch elements is conceivable.

ここで、電源供給部45において、最終段のバッファ44の正側の電源電位Vddwsを制御するに当たっては、第1制御パルスCP1をアクティブ状態(ハイレベル)から非アクティブ状態(ローレベル)に遷移させる(立ち下げる)タイミングが重要である。その理由について以下に説明する。   Here, in controlling the power supply potential Vddws on the positive side of the final stage buffer 44 in the power supply unit 45, the first control pulse CP1 is changed from the active state (high level) to the inactive state (low level). Timing is important. The reason will be described below.

書込みパルスWS(i)を上記時定数で決まる立下がり波形で立ち下げる場合には、書込みパルスWS(i)を立ち下げる前に先ず第1制御パルスCP1を非アクティブ状態にし、電源供給ライン46を電気的にフローティング状態にする必要がある。   When the write pulse WS (i) falls with a falling waveform determined by the above time constant, the first control pulse CP1 is first deactivated before the write pulse WS (i) falls, and the power supply line 46 is turned off. Must be electrically floating.

ここで、図12のタイミング波形図に点線で示すように、書込みパルスWSが非アクティブ状態(ローレベル)からアクティブ状態(ハイレベル)に遷移する時刻13のタイミングよりも前、即ち走査パルスSCPが非アクティブ状態(ローレベル)にある期間内の時刻t20で第1制御パルスCP1を非アクティブ状態にする場合について考える。   Here, as indicated by a dotted line in the timing waveform diagram of FIG. 12, the timing before the time 13 at which the write pulse WS transitions from the inactive state (low level) to the active state (high level), that is, the scanning pulse SCP is Consider a case where the first control pulse CP1 is made inactive at time t20 within a period of being inactive (low level).

信号書込み&移動度補正期間となる時刻t5−t7の期間(図4参照)において、アクティブ状態となる走査パルスSCPに応答して最終段のバッファ44のPchトランジスタが導通状態になると、電源供給ライン46がフローティング状態にあるために、当該電源供給ライン46がPchトランジスタを介して走査線31−iと電気的に接続されることで容量カップリングが起こる。   When the Pch transistor of the final stage buffer 44 becomes conductive in response to the scan pulse SCP which becomes active in the period of time t5 to t7 (see FIG. 4) which is the signal writing & mobility correction period, the power supply line Since 46 is in a floating state, the power supply line 46 is electrically connected to the scanning line 31-i via the Pch transistor, thereby causing capacitive coupling.

そして、電源供給ライン46の寄生容量C_VddLと走査線31−iの寄生容量C_WSLとの電荷分配により、図13に示すように、電源供給ライン46に保持されていた電位、即ち最終段のバッファ44の電源電位Vddwsが下がる。   Then, due to charge distribution between the parasitic capacitance C_VddL of the power supply line 46 and the parasitic capacitance C_WSL of the scanning line 31-i, as shown in FIG. 13, the potential held in the power supply line 46, that is, the buffer 44 at the final stage. The power supply potential Vddws of the power supply decreases.

図13のタイミング波形図において、時刻t20,t13,t15は、図12の時刻t20,t13,t15にそれぞれ対応しており、時刻t20では第1制御パルスCP1がハイレベルからローレベルに遷移し、時刻t13では走査パルスSCPがローレベルからハイレベルに遷移し、時刻t15では第2制御パルスSP2がローレベルからハイレベルに遷移する。   In the timing waveform diagram of FIG. 13, times t20, t13, and t15 correspond to times t20, t13, and t15 of FIG. 12, respectively, and at time t20, the first control pulse CP1 transitions from a high level to a low level. At time t13, the scanning pulse SCP changes from low level to high level, and at time t15, the second control pulse SP2 changes from low level to high level.

ここで、容量カップリング後の電源電位Vddwsと走査線31−iの電位WSLとは、次式(4)で与えられる値となる。
Vddws=WSL=(WSHigh×C_VddL+WSLow×C_WSL)
/(C_VddL+C_WSL) ……(4)
Here, the power supply potential Vddws after the capacitive coupling and the potential WSL of the scanning line 31-i are values given by the following equation (4).
Vddws = WSL = (WSHigh × C_VddL + WSLow × C_WSL)
/ (C_VddL + C_WSL) (4)

また、一例として、図14に示す黒ウインドの表示画像を出力するような場合を考えると、白のみを表示する領域の走査線31−wと、黒を表示する領域の走査線31−bとの間において、走査線31の寄生容量C_WSLに差が生じる。その理由は、次の通りである。   Further, as an example, when considering a case where a black window display image shown in FIG. 14 is output, a scanning line 31-w for a region displaying only white, and a scanning line 31-b for a region displaying black. In the meantime, a difference occurs in the parasitic capacitance C_WSL of the scanning line 31. The reason is as follows.

黒の表示画像は信号電圧Vsigが小さく、白の表示画像は信号電圧Vsigが高い。そして、書込みパルスWSを負側の電源電位WSLowから正側の電源電位WSHighに立ち上げる場合、信号電圧Vsigが小さい黒の表示画像の画素では、信号電圧Vsigが大きい白の表示画像の画素に比べて書込みパルスWSの立上がり途中の早い段階で書込みトランジスタ23が導通状態となる。したがって、黒の表示画像の画素の書込みトランジスタ23では、信号電圧Vsigが小さいところから、ソース領域−ドレイン領域間にチャネルが形成される。   The black display image has a low signal voltage Vsig, and the white display image has a high signal voltage Vsig. When the write pulse WS is raised from the negative power supply potential WSLow to the positive power supply potential WSHigh, a black display image pixel with a small signal voltage Vsig is compared with a white display image pixel with a high signal voltage Vsig. Thus, the write transistor 23 becomes conductive at an early stage during the rise of the write pulse WS. Accordingly, in the writing transistor 23 of the pixel of the black display image, a channel is formed between the source region and the drain region since the signal voltage Vsig is small.

トランジスタでは、ソース領域−ドレイン領域間にチャネルが形成されると、チャネルとゲート電極との間に形成される寄生容量が増加する。したがって、信号電圧Vsigの値によって書込みトランジスタ23のチャネルとゲート電極との間に介在する寄生容量が変化する。より具体的には、信号電圧Vsigが小さい黒表示画像の画素の方が、信号電圧Vsigが大きい白表示画像の画素よりも書込みトランジスタ23が早く導通するために、チャネルとゲート電極との間に早く寄生容量が形成される。   In a transistor, when a channel is formed between a source region and a drain region, parasitic capacitance formed between the channel and the gate electrode increases. Therefore, the parasitic capacitance interposed between the channel of the write transistor 23 and the gate electrode changes depending on the value of the signal voltage Vsig. More specifically, a black display image pixel having a small signal voltage Vsig is turned on earlier than a white display image pixel having a large signal voltage Vsig. A parasitic capacitance is formed quickly.

その結果、白のみを表示する領域の走査線31−wと、黒を表示する領域の走査線31−bとの間で走査線31の寄生容量C_WSLに差が生じるために、容量カップリング後の電源電位Vddwsと走査線31−iの電位WSL(書込みパルスWSの波高値)とに、走査線31−wと走査線31−bとの間で差が生じる。また、書込みトランジスタ23のチャネル−ゲート電極間に寄生容量が形成されるタイミングが早いと、それ以降の書込みパルスWSの立上がり波形がなまり、その分だけ信号電圧Vsigの書込みが遅くなる。   As a result, there is a difference in the parasitic capacitance C_WSL of the scanning line 31 between the scanning line 31-w in the region displaying only white and the scanning line 31-b in the region displaying black, so that after the capacitive coupling Is different between the scan line 31-w and the scan line 31-b in the power supply potential Vddws and the potential WSL of the scan line 31-i (the peak value of the write pulse WS). Further, if the timing at which the parasitic capacitance is formed between the channel and the gate electrode of the write transistor 23 is early, the rising waveform of the write pulse WS after that becomes dull, and the writing of the signal voltage Vsig is delayed accordingly.

すると、図4の信号書込み&移動度補正期間での駆動トランジスタ22のゲート電位Vgの立上げ速度に、走査線31−wと走査線31−bとの間で差が生じる。具体的には、黒を表示する領域の走査線31−bの方が、白のみを表示する領域の走査線31−wよりも駆動トランジスタ22のゲート電位Vgの立上げ速度が遅くなる。その結果、同じ値の信号電圧Vsigを書き込んだとしても、その書き込んだ電圧に白のみを表示する領域と黒を表示する領域とで差が生じるために両領域間で白表示部分に輝度差が生じてしまう。   Then, a difference occurs between the scanning line 31-w and the scanning line 31-b in the rising speed of the gate potential Vg of the driving transistor 22 in the signal writing & mobility correction period of FIG. Specifically, the rising speed of the gate potential Vg of the drive transistor 22 is slower in the scanning line 31-b in the region displaying black than in the scanning line 31-w in the region displaying only white. As a result, even if the signal voltage Vsig having the same value is written, there is a difference in the written voltage between the area displaying only white and the area displaying black. It will occur.

より具体的には、白のみを表示する領域と、黒ウインドの左右両側の白を表示する領域とにおいて、信号電圧Vsigとして同じ白レベルを書き込んだとしても、その書き込んだ白レベルに差が生じるために、同じ白表示でも輝度差が生じる。この輝度差は、図14の表示画像にあっては、黒ウインドの左右両側(図14の網掛け部分)に発生する横クロストークとして視認される。   More specifically, even if the same white level is written as the signal voltage Vsig in an area displaying only white and an area displaying white on both the left and right sides of the black window, a difference occurs in the written white level. For this reason, a luminance difference occurs even in the same white display. In the display image of FIG. 14, this luminance difference is visually recognized as horizontal crosstalk that occurs on both the left and right sides of the black window (shaded portions in FIG. 14).

特に、本実施形態に係る有機EL表示装置10の場合のように、駆動トランジスタ22と書込みトランジスタ23との2つのトランジスタからなる画素構成の有機EL表示装置では、信号電圧Vsigの書込み処理と移動度補正処理とを並行して行う構成を採っていることから、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgの立上げ速度に、走査線31−wと走査線31−bとの間で差が生じることによって移動度補正処理にも差が生じることになる。   In particular, as in the case of the organic EL display device 10 according to the present embodiment, in the organic EL display device having a pixel configuration including two transistors of the drive transistor 22 and the write transistor 23, the writing process and the mobility of the signal voltage Vsig. Since the correction processing is performed in parallel, the rising speed of the gate potential Vg of the driving transistor 22 is moved due to a difference between the scanning line 31-w and the scanning line 31-b. A difference also occurs in the degree correction processing.

具体的には、黒を表示する領域の走査線31−bの方が、白のみを表示する領域の走査線31−wよりも、書込みトランジスタ23のチャネル−ゲート電極間に寄生容量が形成されるタイミングが早く、書込みパルスWSの立上がり波形がなまることにより、移動度補正の補正時間tが短くなる、即ち駆動トランジスタ22に流れる電流(ドレイン−ソース間電流Ids)をゲート電極側に負帰還させる時間が短くなるために、同じ白レベルを書き込んだとしても輝度が高くなる(明るくなる)。その結果、移動度補正処理に伴う表示品質(画品位)の改善効果が十分に得られないことになる。   Specifically, the parasitic capacitance is formed between the channel and the gate electrode of the writing transistor 23 in the scanning line 31-b in the region displaying black, than in the scanning line 31-w in the region displaying only white. As the timing of the write pulse WS rises and the rising waveform of the write pulse WS is smoothed, the correction time t for mobility correction is shortened, that is, the current flowing through the drive transistor 22 (drain-source current Ids) is negatively fed back to the gate electrode side. Since the time required for the reduction is shortened, the luminance increases (becomes brighter) even if the same white level is written. As a result, the effect of improving the display quality (image quality) associated with the mobility correction process cannot be obtained sufficiently.

上述した観点から、本実施形態では、図12のタイミング波形図に示すように、第1制御パルスCP1がハイレベル(アクティブ状態)からローレベル(非アクティブ状態)に遷移するタイミングを、書込みパルスWSがローレベル(非アクティブ状態)からハイレベル(アクティブ状態)に遷移する時刻13の遷移開始後、好ましくは書込みパルスWSが電源電位WSLow から電源電位WSHighに立ち上がった後(即ち、書込みパルスWSがアクティブ状態になった後)で、かつ、書込みパルスWSの立下げを開始する時刻t15の遷移開始前の時刻t14に設定するようにしている。   From the viewpoint described above, in this embodiment, as shown in the timing waveform diagram of FIG. 12, the timing at which the first control pulse CP1 transitions from the high level (active state) to the low level (inactive state) After the start of transition at time 13 when the signal transitions from the low level (inactive state) to the high level (active state), preferably after the write pulse WS rises from the power supply potential WSLow to the power supply potential WSHigh (ie, the write pulse WS is active) And after the transition to the time t15 before the start of the transition of the write pulse WS.

このように、書込みパルスWSが非アクティブ状態からアクティブ状態へ遷移を開始した後、好ましくは書込みパルスWSが電源電位WSLow から電源電位WSHighに立ち上がった後に第1制御パルスCP1をアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移させ、電源供給部45のスイッチ素子453をオフさせることによって電源供給ライン46をフローティング状態にすることにより、各映像ライン(画素行)において走査線31の寄生容量C_WSLに差異が生じても、走査線31の電位WSL(書込みパルスWSの波高値)に差は生じない。   Thus, after the write pulse WS starts to transition from the inactive state to the active state, the first control pulse CP1 is preferably changed from the active state to the inactive state after the write pulse WS rises from the power supply potential WSLow to the power supply potential WSHigh. Even if a difference occurs in the parasitic capacitance C_WSL of the scanning line 31 in each video line (pixel row), the power supply line 46 is brought into a floating state by turning off the switch element 453 of the power supply unit 45. There is no difference in the potential WSL of the scanning line 31 (the peak value of the write pulse WS).

具体的には、信号書込み&移動度補正期間となる時刻t6−t7の期間(図4参照)において、アクティブ状態となる走査パルスSCPに応答して最終段のバッファ44のPchトランジスタ(図11参照)が導通状態になったときには、第1制御パルスCP1がアクティブ状態にあるため、電源供給部45のスイッチ素子453がオン状態にある。したがって、電源供給ライン46がまだフローティング状態になっておらず、走査線31−iと電気的に接続されても先述した容量カップリングは起こらないために、図15に示すように、電源供給ライン46に保持されていた電位、即ち最終段のバッファ44の電源電位Vddwsが低下することはない。   Specifically, in the period from time t6 to t7 (see FIG. 4), which is the signal writing & mobility correction period (see FIG. 4), the Pch transistor (see FIG. 11) in the buffer 44 at the final stage in response to the scanning pulse SCP that becomes active. ) Becomes conductive, the first control pulse CP1 is in the active state, so that the switch element 453 of the power supply unit 45 is in the on state. Accordingly, since the power supply line 46 is not yet in a floating state and the capacitive coupling described above does not occur even if it is electrically connected to the scanning line 31-i, as shown in FIG. The potential held at 46, that is, the power supply potential Vddws of the final stage buffer 44 does not drop.

このように、最終段のバッファ44の電源電位Vddwsが低下せず、正側の電源電位SWHighに維持されることにより、図14に示す黒ウインドの表示画像を出力するような場合を例に挙げると、白のみを表示する領域の走査線31−wと、黒を表示する領域の走査線31−bとの間で、先述した理由により走査線31の寄生容量C_WSLに差が生じても、走査線31の電位WSL、即ち書込みパルスWSの波高値に差が生じないために、白のみを表示する領域と黒を表示する領域とで白表示部分に輝度差は生じない。その結果、各表示パターンにおいて輝度ばらつきが発生せず、移動度補正処理に伴う表示品質(画品位)の改善効果を十分に得ることができるために、良好な画質の表示画像を得ることができる。   As described above, a case where the black window display image shown in FIG. 14 is output by maintaining the power supply potential Vddws of the buffer 44 at the final stage without decreasing and maintaining the power supply potential SWHigh on the positive side will be described as an example. Even if there is a difference in the parasitic capacitance C_WSL of the scanning line 31 between the scanning line 31-w in the region displaying only white and the scanning line 31-b in the region displaying black, for the reason described above, Since there is no difference in the potential WSL of the scanning line 31, that is, the peak value of the write pulse WS, there is no luminance difference in the white display portion between the region displaying only white and the region displaying black. As a result, luminance variation does not occur in each display pattern, and the display quality (image quality) improvement effect associated with the mobility correction processing can be sufficiently obtained, so that a display image with good image quality can be obtained. .

そして、第2制御パルスCP2を非アクティブ状態からアクティブ状態に遷移させ、書込みパルスWSの立下げを開始する時刻t15よりも前の時刻t14で第1制御パルスCP1を非アクティブ状態にし、電源供給部45のスイッチ素子453をオフ状態にすることによって電源供給ライン46を電気的にフローティング状態にすることで、MOSトランジスタ455のオン抵抗Ronと電源供給ライン46の寄生容量C_VddLとの時定数で決まる立下がり波形、より具体的には映像信号の信号電圧Vsigに対して反比例するような立下がり波形で書込みパルスWSを立ち下げることができる。   Then, the second control pulse CP2 is changed from the inactive state to the active state, and the first control pulse CP1 is inactivated at time t14 before time t15 at which the write pulse WS starts to fall, and the power supply unit The power supply line 46 is brought into an electrically floating state by turning off the switch element 453 of 45, so that the on-resistance Ron of the MOS transistor 455 and the parasitic capacitance C_VddL of the power supply line 46 are determined by the time constant. The write pulse WS can be lowered with a falling waveform, more specifically, a falling waveform that is inversely proportional to the signal voltage Vsig of the video signal.

[変形例]
上記実施形態では、画素20の電気光学素子として、有機EL素子を用いた有機EL表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではなく、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子を用いた表示装置全般に対して適用可能である。
[Modification]
In the above embodiment, the case where the present invention is applied to an organic EL display device using an organic EL element as the electro-optical element of the pixel 20 has been described as an example. However, the present invention is not limited to this application example, and the device The present invention can be applied to all display devices using current-driven electro-optic elements in which the light emission luminance changes according to the value of the current flowing through the.

[適用例]
以上説明した本発明による表示装置は、一例として、図16〜図20に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
[Application example]
The display device according to the present invention described above is applied to various electronic devices shown in FIGS. 16 to 20 as an example, for example, electronic devices such as digital cameras, notebook personal computers, mobile terminal devices such as mobile phones, and video cameras. The input video signal or the video signal generated in the electronic device can be applied to a display device of an electronic device in any field that displays an image or a video.

このように、あらゆる分野の電子機器の表示装置として本発明による表示装置を用いることにより、先述した実施形態の説明から明らかなように、本発明による表示装置は、各表示パターンにおいて輝度ばらつきが発生せず、移動度補正処理に伴う表示品質の改善効果を十分に得ることができるために、各種の電子機器において、良好な画質の画像表示を行うことができる。   As described above, by using the display device according to the present invention as a display device for electronic devices in all fields, the display device according to the present invention causes luminance variations in each display pattern, as is apparent from the description of the above-described embodiment. In addition, since the display quality improvement effect associated with the mobility correction process can be sufficiently obtained, it is possible to display images with good image quality in various electronic devices.

なお、本発明による表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部30に透明なガラス等の対向部に貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やFPC(フレキシブルプリントサーキット)等が設けられていてもよい。   Note that the display device according to the present invention includes a module-shaped one having a sealed configuration. For example, a display module formed by being affixed to an opposing portion such as transparent glass on the pixel array portion 30 is applicable. The transparent facing portion may be provided with a color filter, a protective film, and the like, and further the above-described light shielding film. Note that the display module may be provided with a circuit unit for inputting / outputting signals from the outside to the pixel array unit, an FPC (flexible printed circuit), and the like.

以下に、本発明が適用される電子機器の具体例について説明する。   Specific examples of electronic devices to which the present invention is applied will be described below.

図16は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル102やフィルターガラス103等から構成される映像表示画面部101を含み、その映像表示画面部101として本発明による表示装置を用いることにより作成される。   FIG. 16 is a perspective view showing a television to which the present invention is applied. The television according to this application example includes a video display screen unit 101 including a front panel 102, a filter glass 103, and the like, and is created by using the display device according to the present invention as the video display screen unit 101.

図17は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、(A)は表側から見た斜視図、(B)は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部111、表示部112、メニュースイッチ113、シャッターボタン114等を含み、その表示部112として本発明による表示装置を用いることにより作製される。   FIG. 17 is a perspective view showing a digital camera to which the present invention is applied, in which (A) is a perspective view seen from the front side, and (B) is a perspective view seen from the back side. The digital camera according to this application example includes a light emitting unit 111 for flash, a display unit 112, a menu switch 113, a shutter button 114, and the like, and is manufactured by using the display device according to the present invention as the display unit 112.

図18は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体121に、文字等を入力するとき操作されるキーボード122、画像を表示する表示部123等を含み、その表示部123として本発明による表示装置を用いることにより作製される。   FIG. 18 is a perspective view showing a notebook personal computer to which the present invention is applied. A notebook personal computer according to this application example includes a main body 121 including a keyboard 122 that is operated when characters and the like are input, a display unit 123 that displays an image, and the like, and the display device according to the present invention is used as the display unit 123. It is produced by this.

図19は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部131、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ132、撮影時のスタート/ストップスイッチ133、表示部134等を含み、その表示部134として本発明による表示装置を用いることにより作製される。   FIG. 19 is a perspective view showing a video camera to which the present invention is applied. The video camera according to this application example includes a main body 131, a lens 132 for shooting an object on a side facing forward, a start / stop switch 133 at the time of shooting, a display unit 134, and the like. It is manufactured by using a display device.

図20は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す斜視図であり、(A)は開いた状態での正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた状態での正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体141、下側筐体142、連結部(ここではヒンジ部)143、ディスプレイ144、サブディスプレイ145、ピクチャーライト146、カメラ147等を含み、そのディスプレイ144やサブディスプレイ145として本発明による表示装置を用いることにより作製される。   FIG. 20 is a perspective view showing a mobile terminal device to which the present invention is applied, for example, a mobile phone, in which (A) is a front view in an opened state, (B) is a side view thereof, and (C) is closed. (D) is a left side view, (E) is a right side view, (F) is a top view, and (G) is a bottom view. The mobile phone according to this application example includes an upper housing 141, a lower housing 142, a connecting portion (here, a hinge portion) 143, a display 144, a sub display 145, a picture light 146, a camera 147, and the like. Alternatively, the sub-display 145 is manufactured by using the display device according to the present invention.

本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。1 is a system configuration diagram illustrating an outline of a configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. 画素(画素回路)の具体的な構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the specific structural example of a pixel (pixel circuit). 画素の断面構造の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the cross-sectional structure of a pixel. 本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の基本的な回路動作の説明に供するタイミング波形図である。It is a timing waveform diagram with which it uses for description of the basic circuit operation | movement of the organic electroluminescence display which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の回路動作の説明図(その1)である。It is explanatory drawing (the 1) of circuit operation | movement of the organic electroluminescence display which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の回路動作の説明図(その2)である。It is explanatory drawing (the 2) of the circuit operation | movement of the organic electroluminescence display which concerns on one Embodiment of this invention. 駆動トランジスタの閾値電圧Vthのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。It is a characteristic view with which it uses for description of the subject resulting from the dispersion | variation in the threshold voltage Vth of a drive transistor. 駆動トランジスタの移動度μのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。It is a characteristic view with which it uses for description of the subject resulting from the dispersion | variation in the mobility (mu) of a drive transistor. 閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電圧Vsigと駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流Idsとの関係の説明に供する特性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram for explaining the relationship between the signal voltage Vsig of the video signal and the drain-source current Ids of the drive transistor depending on whether or not threshold correction and mobility correction are performed. 書込みパルスWSの立下がり波形と移動度補正の最適な補正時間tとの関係を示す波形図である。It is a wave form diagram which shows the relationship between the falling waveform of the write pulse WS, and the optimal correction time t of mobility correction. 書込み走査回路の具体的な構成の一例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows an example of a specific structure of a writing scanning circuit. 書込み走査回路の回路動作の説明に供するタイミング波形図である。FIG. 6 is a timing waveform diagram for explaining the circuit operation of the write scanning circuit. フローティングした電源供給ラインと走査線との容量カップリングに起因して電源電位Vddwsと走査線31−iの電位WSLとが低下する様子を示すタイミング波形図である。FIG. 10 is a timing waveform diagram showing how the power supply potential Vddws and the potential WSL of the scanning line 31-i decrease due to capacitive coupling between the floating power supply line and the scanning line. 各ラインの信号書込み電圧が変動することによって発生する横クロストークの様子を示す図である。It is a figure which shows the mode of the horizontal crosstalk generate | occur | produced when the signal write voltage of each line changes. 第1制御パルスCP1がハイレベルからローレベルに遷移するタイミングを、信号電圧Vsigの書込み開始タイミング後に設定した場合の電源電位Vddwsと走査線31−iの電位WSLとを示す波形図である。FIG. 10 is a waveform diagram showing a power supply potential Vddws and a potential WSL of a scanning line 31-i when the timing at which the first control pulse CP1 transitions from the high level to the low level is set after the write start timing of the signal voltage Vsig. 本発明が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of the television set to which this invention is applied. 本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、(A)は表側から見た斜視図、(B)は裏側から見た斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of the digital camera to which this invention is applied, (A) is the perspective view seen from the front side, (B) is the perspective view seen from the back side. 本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。1 is a perspective view illustrating an appearance of a notebook personal computer to which the present invention is applied. 本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of the video camera to which this invention is applied. 本発明が適用される携帯電話機を示す外観図であり、(A)は開いた状態での正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた状態での正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is an external view which shows the mobile telephone to which this invention is applied, (A) is the front view in the open state, (B) is the side view, (C) is the front view in the closed state, (D) Is a left side view, (E) is a right side view, (F) is a top view, and (G) is a bottom view.

符号の説明Explanation of symbols

10…有機EL表示装置、20…画素(画素回路)、21…有機EL素子、22…駆動トランジスタ、23…書込みトランジスタ、24…保持容量、30…画素アレイ部、31(31−1〜31−m)…走査線、32(32−1〜32−m)…電源供給線、33(33−1〜33−n)…信号線、34…共通電源供給線、40…書込み走査回路、50…電源供給走査回路、60…信号出力回路、70…表示パネル   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Organic EL display device, 20 ... Pixel (pixel circuit), 21 ... Organic EL element, 22 ... Drive transistor, 23 ... Write transistor, 24 ... Retention capacity, 30 ... Pixel array part, 31 (31-1 to 31-31) m) ... Scanning line, 32 (32-1 to 32-m) ... Power supply line, 33 (33-1 to 33-n) ... Signal line, 34 ... Common power supply line, 40 ... Write scanning circuit, 50 ... Power supply scanning circuit, 60 ... signal output circuit, 70 ... display panel

Claims (6)

電気光学素子と、
走査線にゲート電極が接続され、映像信号が供給される信号線に一方の電極が接続された書込みトランジスタと、
前記書込みトランジスタの他方の電極にゲート電極が接続され、電源供給線に一方の電極が接続され、前記電気光学素子のアノード電極に他方の電極が接続された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極に一方の電極が接続され、前記駆動トランジスタの他方の電極に他方の電極が接続された保持容量と
を有する画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
前記電源供給線に第1電源電位と当該第1電源電位よりも低い第2電源電位とを選択的に供給する電源供給走査回路と、
前段側の回路部分と電源ラインが分離された最終段バッファを有し、当該最終段バッファから出力する書込みパルスを前記書込みトランジスタに与えることによって当該書込みトランジスタによる前記映像信号の書込みを行う書込み走査回路とを備え、
前記駆動トランジスタに流れる電流に応じた補正量で当該駆動トランジスタのゲート入力側に負帰還をかける移動度補正処理を、前記書込みトランジスタによる前記映像信号の書込み処理と並行して実行する表示装置であって、
前記書込み走査回路は、前記書込みパルスをアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移させるときに、所定の時定数で決まる波形で変化する電源電位を前記最終段バッファに供給する電源供給部を有し、
前記電源供給部から前記最終段バッファに前記電源電位を供給する電源供給ラインを、前記書込みパルスの非アクティブ状態からアクティブ状態への遷移開始後で、かつ、前記書込みパルスのアクティブ状態から非アクティブ状態への遷移開始前にフローティング状態にする
ことを特徴とする表示装置。
An electro-optic element;
A writing transistor in which a gate electrode is connected to the scanning line and one electrode is connected to a signal line to which a video signal is supplied;
A driving transistor in which a gate electrode is connected to the other electrode of the writing transistor, one electrode is connected to a power supply line, and the other electrode is connected to an anode electrode of the electro-optic element;
A pixel array unit in which pixels having a storage capacitor in which one electrode is connected to the gate electrode of the driving transistor and the other electrode is connected to the other electrode of the driving transistor; and
A power supply scanning circuit for selectively supplying a first power supply potential and a second power supply potential lower than the first power supply potential to the power supply line;
A write scanning circuit having a final stage buffer in which a circuit part on the front stage side and a power supply line are separated, and writing the video signal by the write transistor by giving a write pulse output from the final stage buffer to the write transistor And
In the display device, a mobility correction process for applying negative feedback to the gate input side of the drive transistor with a correction amount corresponding to a current flowing through the drive transistor is performed in parallel with the video signal write process by the write transistor. And
The write scanning circuit includes a power supply unit that supplies a power supply potential that changes in a waveform determined by a predetermined time constant to the final stage buffer when the write pulse is shifted from an active state to an inactive state.
A power supply line that supplies the power supply potential from the power supply unit to the final-stage buffer after the start of transition of the write pulse from the inactive state to the active state, and from the active state of the write pulse to the inactive state A display device characterized by being in a floating state before the start of transition to.
前記書込み走査回路は、前記書込みパルスがアクティブ状態になった後で、かつ、前記書込みパルスのアクティブ状態から非アクティブ状態への遷移開始前に前記電源供給ラインをフローティング状態にする
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置。
The write scanning circuit sets the power supply line to a floating state after the write pulse becomes active and before the transition of the write pulse from the active state to the inactive state starts. The display device according to claim 1.
前記電源供給部は、前記書込みパルスをアクティブ状態とする電源電位が入力される電源端子と、前記電源供給ラインが接続された出力端子との間に接続されたスイッチ素子を有し、当該スイッチ素子が開状態となることによって前記電源供給ラインをフローティング状態にする
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置。
The power supply unit includes a switch element connected between a power supply terminal to which a power supply potential for activating the write pulse is input and an output terminal to which the power supply line is connected, and the switch element The display device according to claim 1, wherein the power supply line is brought into a floating state by being opened.
所定の時定数で決まる波形は、前記映像信号の信号レベルに応じた波形である
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置。
The display device according to claim 1, wherein the waveform determined by a predetermined time constant is a waveform corresponding to a signal level of the video signal.
電気光学素子と、
走査線にゲート電極が接続され、映像信号が供給される信号線に一方の電極が接続された書込みトランジスタと、
前記書込みトランジスタの他方の電極にゲート電極が接続され、電源供給線に一方の電極が接続され、前記電気光学素子のアノード電極に他方の電極が接続された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極に一方の電極が接続され、前記駆動トランジスタの他方の電極に他方の電極が接続された保持容量と
を有する画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
前記電源供給線に第1電源電位と当該第1電源電位よりも低い第2電源電位とを選択的に供給する電源供給走査回路と、
前段側の回路部分と電源ラインが分離された最終段バッファを有し、当該最終段バッファから出力する書込みパルスを前記書込みトランジスタに与えることによって当該書込みトランジスタによる前記映像信号の書込みを行うとともに、前記書込みパルスをアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移させるときに、所定の時定数で決まる波形で変化する電源電位を前記最終段バッファに供給する電源供給部を有する書込み走査回路とを備え、 前記駆動トランジスタに流れる電流に応じた補正量で当該駆動トランジスタのゲート入力側に負帰還をかける移動度補正処理を、前記書込みトランジスタによる前記映像信号の書込み処理と並行して実行する表示装置の駆動方法であって、
前記電源供給部から前記最終段バッファに前記電源電位を供給する電源供給ラインを、前記書込みパルスの非アクティブ状態からアクティブ状態への遷移開始後で、かつ、前記書込みパルスのアクティブ状態から非アクティブ状態への遷移開始前にフローティング状態にする
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
An electro-optic element;
A writing transistor in which a gate electrode is connected to the scanning line and one electrode is connected to a signal line to which a video signal is supplied;
A driving transistor in which a gate electrode is connected to the other electrode of the writing transistor, one electrode is connected to a power supply line, and the other electrode is connected to an anode electrode of the electro-optic element;
A pixel array unit in which pixels having a storage capacitor in which one electrode is connected to the gate electrode of the driving transistor and the other electrode is connected to the other electrode of the driving transistor; and
A power supply scanning circuit for selectively supplying a first power supply potential and a second power supply potential lower than the first power supply potential to the power supply line;
It has a final stage buffer in which the circuit part on the previous stage side and the power supply line are separated, and the video signal is written by the write transistor by giving a write pulse output from the final stage buffer to the write transistor. A write scanning circuit having a power supply unit that supplies a power supply potential that changes with a waveform determined by a predetermined time constant to the final stage buffer when the write pulse is transitioned from an active state to an inactive state; A mobility correction process for applying negative feedback to the gate input side of the drive transistor with a correction amount corresponding to the current flowing in the display transistor is performed in parallel with the video signal write process by the write transistor. And
A power supply line that supplies the power supply potential from the power supply unit to the final-stage buffer after the start of transition of the write pulse from the inactive state to the active state, and from the active state of the write pulse to the inactive state A driving method of a display device, characterized in that a floating state is set before the start of transition to.
電気光学素子と、
走査線にゲート電極が接続され、映像信号が供給される信号線に一方の電極が接続された書込みトランジスタと、
前記書込みトランジスタの他方の電極にゲート電極が接続され、電源供給線に一方の電極が接続され、前記電気光学素子のアノード電極に他方の電極が接続された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極に一方の電極が接続され、前記駆動トランジスタの他方の電極に他方の電極が接続された保持容量と
を有する画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
前記電源供給線に第1電源電位と当該第1電源電位よりも低い第2電源電位とを選択的に供給する電源供給走査回路と、
前段側の回路部分と電源ラインが分離された最終段バッファを有し、当該最終段バッファから出力する書込みパルスを前記書込みトランジスタに与えることによって当該書込みトランジスタによる前記映像信号の書込みを行うとともに、前記書込みパルスをアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移させるときに、所定の時定数で決まる波形で変化する電源電位を前記最終段バッファに供給する電源供給部を有する書込み走査回路とを備え、
前記駆動トランジスタに流れる電流に応じた補正量で当該駆動トランジスタのゲート入力側に負帰還をかける移動度補正処理を、前記書込みトランジスタによる前記映像信号の書込み処理と並行して実行する表示装置を有する電子機器であって、
前記電源供給部から前記最終段バッファに前記電源電位を供給する電源供給ラインを、前記書込みパルスの非アクティブ状態からアクティブ状態への遷移開始後で、かつ、前記書込みパルスのアクティブ状態から非アクティブ状態への遷移開始前にフローティング状態にする
ことを特徴とする電子機器。
An electro-optic element;
A writing transistor in which a gate electrode is connected to the scanning line and one electrode is connected to a signal line to which a video signal is supplied;
A driving transistor in which a gate electrode is connected to the other electrode of the writing transistor, one electrode is connected to a power supply line, and the other electrode is connected to an anode electrode of the electro-optic element;
A pixel array unit in which pixels having a storage capacitor in which one electrode is connected to the gate electrode of the driving transistor and the other electrode is connected to the other electrode of the driving transistor; and
A power supply scanning circuit for selectively supplying a first power supply potential and a second power supply potential lower than the first power supply potential to the power supply line;
It has a final stage buffer in which the circuit part on the previous stage side and the power supply line are separated, and the video signal is written by the write transistor by giving a write pulse output from the final stage buffer to the write transistor. A write scanning circuit having a power supply unit that supplies a power supply potential that changes in a waveform determined by a predetermined time constant to the final stage buffer when transitioning the write pulse from the active state to the inactive state;
A display device that executes mobility correction processing for applying negative feedback to the gate input side of the driving transistor with a correction amount corresponding to the current flowing through the driving transistor in parallel with the video signal writing processing by the writing transistor. Electronic equipment,
A power supply line that supplies the power supply potential from the power supply unit to the final-stage buffer after the start of transition of the write pulse from the inactive state to the active state, and from the active state of the write pulse to the inactive state An electronic device characterized by being in a floating state before the start of transition to.
JP2007316538A 2007-12-07 2007-12-07 Display device, method of driving display device and electronic device Pending JP2009139671A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007316538A JP2009139671A (en) 2007-12-07 2007-12-07 Display device, method of driving display device and electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007316538A JP2009139671A (en) 2007-12-07 2007-12-07 Display device, method of driving display device and electronic device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009139671A true JP2009139671A (en) 2009-06-25

Family

ID=40870329

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007316538A Pending JP2009139671A (en) 2007-12-07 2007-12-07 Display device, method of driving display device and electronic device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009139671A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110313026A (en) * 2017-03-17 2019-10-08 株式会社半导体能源研究所 Semiconductor device, display device and electronic equipment

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003271095A (en) * 2002-03-14 2003-09-25 Nec Corp Driving circuit for current control element and image display device
JP2006215213A (en) * 2005-02-02 2006-08-17 Sony Corp Pixel circuit, display device, and driving method therefor
JP2007034001A (en) * 2005-07-28 2007-02-08 Sony Corp Display device
JP2007034225A (en) * 2005-07-29 2007-02-08 Sony Corp Display device
JP2007310311A (en) * 2006-05-22 2007-11-29 Sony Corp Display device and its driving method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003271095A (en) * 2002-03-14 2003-09-25 Nec Corp Driving circuit for current control element and image display device
JP2006215213A (en) * 2005-02-02 2006-08-17 Sony Corp Pixel circuit, display device, and driving method therefor
JP2007034001A (en) * 2005-07-28 2007-02-08 Sony Corp Display device
JP2007034225A (en) * 2005-07-29 2007-02-08 Sony Corp Display device
JP2007310311A (en) * 2006-05-22 2007-11-29 Sony Corp Display device and its driving method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110313026A (en) * 2017-03-17 2019-10-08 株式会社半导体能源研究所 Semiconductor device, display device and electronic equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4605261B2 (en) Display device, display device driving method, and electronic apparatus
JP4715833B2 (en) Display device, display device driving method, and electronic apparatus
JP4428436B2 (en) Display device and electronic device
JP4640443B2 (en) Display device, display device driving method, and electronic apparatus
JP4978435B2 (en) Display device, display device driving method, and electronic apparatus
JP2009294635A (en) Display device, method for driving display device thereof, and electronic equipment
JP2009109521A (en) Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus
JP2010002795A (en) Display apparatus, driving method for display apparatus, and electronic apparatus
JP2010145579A (en) Display device, method of driving display device, and electronic apparatus
JP4640442B2 (en) Display device, display device driving method, and electronic apparatus
JP2010281914A (en) Display, method for driving display, and electronic device
JP2010145446A (en) Display device, method of driving display device, and electronic apparatus
JP2010145581A (en) Display device, method of driving display device, and electronic apparatus
JP2009104013A (en) Display device, driving method thereof, and electronic apparatus
JP2008310127A (en) Display device, driving method of display device and electronic equipment
JP2009169145A (en) Display device, method of driving the same and electronic equipment
JP2009128404A (en) Display device, driving method of display device, and electronic equipment
JP2008249743A (en) Display device, driving method of display device, and electronic equipment
JP2010008718A (en) Display device, driving method of display device, and electronic apparatus
JP2009109619A (en) Display device, driving method for display device and electronic device
JP2009237426A (en) Display device, method for driving display device, and electronic device
JP2009251546A (en) Display device, method for driving the same, and electronic device
JP2009251545A (en) Display device, method for driving the same, and electronic device
JP2008233125A (en) Display device, driving method of display device, and electronic equipment
JP2008181039A (en) Display device, method for driving display device, and electronic equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20100909

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20100909

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101118

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120416

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120502

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121002